JP2001110688A - 固体電解コンデンサおよびその製法 - Google Patents

固体電解コンデンサおよびその製法

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Abstract

(57)【要約】 【課題】 陰極層のそれぞれの層間での熱応力に基づく
インピーダンスの増大を防止し、陽極・陰極間のインピ
ーダンスの小さい固体電解コンデンサおよびそれを得る
製法を提供する。 【解決手段】 一壁面に陽極リード11が埋設された、
たとえばTa粉末などからなる弁作用金属粉末の焼結体
10が形成されている。そして、金属粉末の外周に誘電
体層(酸化皮膜)14が設けられ、その誘電体層14が
設けられた焼結体10の外周に二酸化マンガン層15が
設けられている。二酸化マンガン層15の外周には、さ
らにグラファイト層16、17が設けられているが、本
発明では、グラファイト層が二酸化マンガン層15側に
設けられる水性グラファイト層16とその外側に設けら
れる樹脂グラファイト層17とからなり、その外周に金
属層18が設けられることによりコンデンサ素子1が形
成されている。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明はタンタル粉末などの
弁作用金属粉末の焼結体からなる固体電解コンデンサお
よびその製法に関する。さらに詳しくは、回路基板など
に実装する際のハンダリフロー時における温度ショック
に対しても、コンデンサ素子の陰極層に剥離が生じない
で、等価直列抵抗(インピーダンス)が増加したり、シ
ョート不良などが発生しない構造の固体電解コンデンサ
およびその製法に関する。
【0002】
【従来の技術】従来のタンタル電解コンデンサのような
固体電解コンデンサに内蔵されるコンデンサ素子1は、
図3に示されるように、たとえばTa粉末を用い、一壁
面にTaワイヤなどの陽極リード11を埋設した直方体
または立方体形状の成形体を作り、真空雰囲気で焼結す
る。そして、粉末の周囲および焼結体10の外周にTa
25などの誘電体層(酸化皮膜)14および二酸化マン
ガン層15を形成する。さらに外周に、グラファイト層
16、銀樹脂層18をそれぞれ形成して被覆層19を設
け、その表面を陰極12とすることにより製造される。
この誘電体層14は、焼結体10を陽極酸化(化成処
理)することにより形成され、二酸化マンガン層15
は、硝酸マンガン水溶液に浸漬して内部に染み込ませた
後、硝酸マンガン水溶液を熱分解をすることにより形成
され、グラファイト層16は水性グラファイト(いわゆ
る墨汁)を塗布して130℃程度で焼き付けることによ
り形成され、銀樹脂層17はいわゆる銀ペーストを塗布
して200℃程度で乾燥させることにより形成されてい
る。なお、13はテフロンリングである。
【0003】このように、コンデンサ素子1の陰極12
は焼結体10の外周に各層からなる被覆層19が設けら
れることにより形成されているが、各層の線膨張係数は
表1に示されるようにそれぞれ異なっている。
【0004】
【表1】
【0005】
【発明が解決しようとする課題】前述のように、コンデ
ンサ素子の陰極は、誘電体層が形成された焼結体の表面
に種々の層が設けられており、その線膨張係数も異なる
ため、固体電解コンデンサを回路基板などに実装する際
のハンダリフローの温度衝撃による応力により各層の剥
離または浮きが生じる。その結果、陽極・陰極間のイン
ピーダンス(高周波での等価直列抵抗)が大きくなり、
電気的特性が低下するという問題がある。
【0006】本発明は、このような問題を解決するため
になされたもので、陰極層のそれぞれの層間での熱応力
に基づくインピーダンス(等価直列抵抗)の増大を防止
し、陽極・陰極間のインピーダンスの小さい固体電解コ
ンデンサおよびそれを得る製法を提供することを目的と
する。
【0007】
【課題を解決するための手段】本発明者は、固体電解コ
ンデンサを回路基板などに実装した後に、陽極・陰極間
のインピーダンスが大きくなったり、リーク電流が大き
くなる原因について鋭意検討を重ねて調べた結果、実装
する際にハンダ付けのためリフロー炉に入れて270℃
程度に温度を上げるが、その昇温の際の温度衝撃によ
り、陰極層である二酸化マンガン層、グラファイト層、
金属層(銀樹脂層)のそれぞれの界面で剥離が生じた
り、軽い浮きが生じるため、層間での直列抵抗が増加し
てインピーダンスが上昇することに原因があることを見
出した。とくに、グラファイト層は非常に薄い層である
が、グラファイト層に異常が生じやすく、その異常が直
接陽極・陰極間のインピーダンスに非常に大きく影響す
ることが判明した。
【0008】さらに、層間での剥離や浮きの生じる原因
を調べた結果、ハンダ付けのためのリフロー時に層間の
剥離や浮きが生じる原因が、各層の線膨張係数が異なる
こと、各層を設けるための焼付け後に室温に戻った状態
での各層の応力関係と、ハンダリフロー時の各層間の応
力関係が逆転すること、の2点がとくにに大きな原因で
あることを見出した。そして、とくに線膨張係数の異な
るグラファイト層と金属層(銀ペーストなどのように、
金属粉末が樹脂に混ぜられたものを乾燥して形成されて
おり、若干の樹脂を含有し、たとえば銀樹脂層とも呼べ
る)との間に線膨張係数が中間となる樹脂グラファイト
層を介在させることにより、および/またはグラファイ
ト層を焼付けにより設ける際の焼付け温度をハンダのリ
フロー温度である230〜300℃程度の温度で行うこ
とにより、応力の影響を受けやすいグラファイト層への
負担が軽くなり、インピーダンスの増加を防止すること
ができた。
【0009】本発明による固体電解コンデンサは、一壁
面に陽極リードが埋設された弁作用金属粉末の焼結体
と、該金属粉末の外周に設けられる誘電体層と、該誘電
体層が設けられた焼結体の外周に設けられる二酸化マン
ガン層と、該二酸化マンガン層の外周に設けられるグラ
ファイト層と、該グラファイト層の外周に設けられる金
属層とからコンデンサ素子が形成され、前記グラファイ
ト層が前記二酸化マンガン層側に設けられる水性グラフ
ァイト層と前記金属層側に設けられる樹脂グラファイト
層とからなっている。
【0010】ここに水性グラファイトとは、従来から用
いられているグラファイトのことで、炭素粉末を水に分
散させたもので、いわゆる墨汁を意味し、樹脂グラファ
イトとは、フェノール樹脂などの樹脂に炭素粉末を分散
させたもので、いわゆるペンキを意味する。
【0011】この構造にすることにより、金属層は元々
銀ペーストなどのように、金属粉末を樹脂と混ぜたペー
スト状のものを塗布して乾燥させることにより形成され
ており、若干の樹脂を含有しており、樹脂グラファイト
は、この金属層に線膨張係数が近づき、とくに線膨張係
数の異なるグラファイト層と金属層との間に、その中間
の線膨張係数を有する樹脂グラファイト層が設けられる
ことになる。その結果、両者間の線膨張係数の差に基づ
く応力の作用が小さくなり、実装時のハンダ付けに基づ
く熱衝撃に対しても、陰極の各層が剥離などを生じるこ
とがなくなる。
【0012】本発明による固体電解コンデンサの製法
は、(a)弁作用金属粉末の焼結体を形成し、(b)該
焼結体を陽極酸化することにより金属粉末表面に酸化膜
皮膜を形成し、(c)前記金属粉末の周囲および焼結体
の外周に二酸化マンガン層を形成し、(d)前記焼結体
外周の二酸化マンガン層上にグラファイト層を形成し、
(e)前記グラファイト層上に金属層を形成することに
よりコンデンサ素子を製造する場合に、前記グラファイ
ト層の形成を、液状グラファイトを塗布した後、230
〜300℃で焼付けることを特徴とする。
【0013】このように、グラファイトを焼き付ける温
度をハンダのリフロー時の温度程度にすることにより、
焼付け後の室温に戻った状態では、線膨張係数の小さい
材料には圧縮力が働き、線膨張係数の大きい材料には引
っ張り力が働く。しかし、ハンダのリフロー時には、焼
付け時の温度と殆ど同じであるため、応力が働かない状
態になっている。すなわち、室温時の各層の応力関係
と、リフロー時の各層の応力関係とは従来のように反転
しないため、受けるダメージは小さくなる。
【0014】前記グラファイト層の形成を、水性グラフ
ァイトを塗布して230〜300℃で焼付けた後、樹脂
グラファイトを塗布して230〜300℃で焼付けるこ
とにより行うことがより一層陰極層の浮きを防止するこ
とができるため好ましい。
【0015】
【発明の実施の形態】つぎに、図面を参照しながら本発
明の固体電解コンデンサおよびその製法について説明を
する。本発明の固体電解コンデンサは、図1に本発明に
よる固体電解コンデンサの一実施形態であるコンデンサ
素子1およびパッケージ内に組み立てた状態の断面説明
図が示されるように、一壁面に陽極リード11が埋設さ
れた、たとえばTa粉末などからなる弁作用金属粉末の
焼結体10が形成されている。そして、金属粉末の周囲
および焼結体10の外周に誘電体層(酸化皮膜)14が
設けられ、その誘電体層14が設けられた粉末の周囲お
よび焼結体10の外周に二酸化マンガン層15が設けら
れている。二酸化マンガン層15の外周には、さらにグ
ラファイト層16、17が設けられているが、本発明で
は、グラファイト層が二酸化マンガン層15側に設けら
れる水性グラファイト層16とその外側に設けられる樹
脂グラファイト層17とからなり、その外周に金属層1
8が設けられることによりコンデンサ素子1が形成され
ている。
【0016】焼結体10は、タンタル、アルミニウム、
ニオブなどの弁作用金属の粉末が、その一壁面に陽極リ
ード11が埋め込まれるように角形に成形され、真空雰
囲気中で1400〜2300℃程度で、20〜30分程
度の熱処理をすることにより形成される。この焼結体1
0の大きさは、固体電解コンデンサの種類や特性により
異なるが、たとえば底面が0.5mm角程度から1mm
弱角程度の立方体または直方体の角型に形成される。陽
極リード11は、たとえば0.2mmφ程度のタンタル
線が用いられ、成形時にその一端部が内部に埋め込まれ
ている。
【0017】誘電体層(酸化皮膜)14は、たとえばリ
ン酸水溶液などに焼結体10を浸漬させ、陽極酸化を行
うことにより、Ta粉末の表面が酸化してTa25
どの酸化皮膜となることにより形成される。この酸化皮
膜の厚さは、0.05μm程度である。
【0018】二酸化マンガン層15は、酸化皮膜(誘電
体層14)が形成された焼結体を硝酸マンガン水溶液中
に浸漬し、硝酸マンガン水溶液を含浸させた後、熱分解
することにより粉末の外周に内装二酸化マンガン層が形
成される。さらに電解MnO 2の微粒子を分散させた硝
酸マンガン水溶液に浸漬して加熱分解することにより、
焼結体の外周に外装二酸化マンガン層15が20〜30
μm程度の厚さに形成される。
【0019】グラファイト層は、前述のように、水性グ
ラファイト層16と、樹脂グラファイト層17とからな
っている。それぞれの厚さは1μm〜数μm程度であ
る。水性グラファイトは、炭素粉末が水に分散したもの
で、いわゆる墨汁と同じ成分であり、従来からグラファ
イト層として使用されているものである。この液状のグ
ラファイトに焼結体10を浸漬し、焼結体10の外周に
塗布して焼き付けることにより水分が蒸発して水性グラ
ファイト層16が形成される。樹脂グラファイトは、炭
素粉末がフェノール樹脂などの樹脂に混合されたもの
で、いわゆるペンキと同じ成分である。水性グラファイ
ト層16が形成された焼結体10を、同様に液状の樹脂
グラファイト中に浸漬し、その表面に塗布して焼き付け
ることにより、樹脂グラファイト層17が形成される。
【0020】この水性グラファイトおよび樹脂グラファ
イトの塗布後の焼付けは、従来の水性グラファイトの焼
付け温度である130℃で行っても、従来の構造より良
好な結果が得られたが、後述するように、ハンダのリフ
ロー温度である270℃程度、すなわち230〜300
℃程度で焼き付けた方が、さらにインピーダンス特性が
良好であった。
【0021】金属層18は、銀または銅などの粉末がフ
ェノール樹脂などの樹脂に混入されたもので、いわゆる
銀ペーストなどと呼ばれているものである。そのペース
ト内に陽極リード11が埋め込まれた上面がつからない
程度に焼結体10を浸漬して表面に塗布した後、乾燥さ
せることにより50μm程度の厚さに形成される。この
金属層18は、樹脂を含有するペーストを乾燥させるこ
とにより形成されているため、金属層18内にも若干の
樹脂を含有し、たとえば銀樹脂ともいえる。この外表面
が陰極12とされ、陽極リード11との間で固体電解コ
ンデンサの陰極と陽極が構成されている。
【0022】コンデンサ素子1の陽極リード11および
陰極12が、図1(b)に断面説明図が示されるよう
に、リードフレームからなる外部リード2、3にそれぞ
れ抵抗溶接とヒューズ4などを介して接続され、その周
囲がモールド成形されて樹脂製パッケージ5が形成さ
れ、リードフレームから各リードが切断されてフォーミ
ングされることにより、固体電解コンデンサが形成され
ている。
【0023】この構造にすることにより、従来構造のグ
ラファイト層である水性グラファイト層16と金属層
(たとえば銀樹脂層)18との間に樹脂グラファイト層
17が設けられているため、従来構造のグラファイト層
と銀樹脂層との間の応力を緩和することができる。すな
わち、水性グラファイトの線膨張係数は、0.3×10-
5であり、銀樹脂の線膨張係数は、4×10-5であり、
樹脂グラファイトの線膨張係数は、2×10-5であるた
め、樹脂グラファイトが設けられることにより、その中
間の線膨張係数の材料が介在することになり、水性グラ
ファイト層16と銀樹脂層18との間の応力を緩和する
ことができる。一方、樹脂グラファイト層17は、その
樹脂成分は、銀樹脂層18の樹脂と同系統の樹脂であ
り、また、炭素粉末は、水性グラファイトと同じカーボ
ン粉末であり、両層に馴染みがよい。そのため、温度衝
撃がかかっても、グラファイト層または銀樹脂層が剥離
したり浮きが生じることがなくなる。
【0024】この構造で、前述のグラファイト層の焼付
け温度を従来と同様の130℃で行った結果、30個の
平均で、ハンダリフロー後の100kHzでのインピー
ダンスの平均xはx=2.14Ω、バラツキの平均であ
る標準偏差σはσ=0.23で、従来構造のx=5.63
Ω、σ=1.29より遥かに良好なインピーダンス特性
が得られた。
【0025】つぎに、グラファイト層として、従来の水
性グラファイト層を用い、その焼付け温度をハンダリフ
ローの温度と同程度の温度である270℃程度で行う固
体電解コンデンサの製法について、図2のフローチャー
トを参照しながら説明をする。
【0026】(a)まず、たとえばタンタル粉末からな
る弁作用金属粉末を0.5mm立方程度に成形し、その
一側面に、たとえば太さが0.2mmφ程度のタンタル
線を埋め込んで成形体を作製する(S1)。そして、真
空中で1400〜2300℃で20〜30分程度の時間
焼結することにより、陽極リード11が一壁面に埋め込
まれた焼結体10を形成する(S2)。
【0027】(b)つぎに、陽極リード11の付け根部
分にテフロンリング13を被せ、このコンデンサ素子の
陽極リード11の先端部を、たとえばステンレス板で形
成したステンレスバーに数十個程度の素子を溶接する。
そして、ステンレスバーに溶接された分をまとめて、た
とえばリン酸水溶液中に浸漬し、陽極リード11を陽極
として陽極酸化をすることにより、タンタル粉末の周囲
にTa25 からなる酸化皮膜(誘電体層)を形成(化
成処理)する(S3)。
【0028】(c)ついで、ステンレスバーに溶接した
ままの状態で、前述の焼結体を硝酸マンガン溶液中に浸
漬し、焼結体内に含浸させる。そして、炉中で水分を蒸
発させると共に、亜硝酸ガスがなくなるまで分解して酸
化皮膜上に二酸化マンガン層を形成する(S4)。この
場合、焼結体10の内部だけでなく、焼結体10の外周
の酸化皮膜14上にもに二酸化マンガン層15を形成す
る。なお、この二酸化マンガン層の形成工程で、前述の
酸化皮膜が破損する部分が生じるため、再度前述の化成
処理と同じ工程を行い、この工程と共に数回繰り返す
(再化成処理)。
【0029】(d)つぎに、焼結体10外周の二酸化マ
ンガン層15上に水性グラファイト層16を形成する。
前述のステンレスバーに溶接したままの状態で、周囲に
二酸化マンガン層15が形成された焼結体10をグラフ
ァイト水溶液中に浸漬してから引き上げることにより、
外周にグラファイト溶液を塗布する。そして、実装の際
におけるハンダリフロー時の温度程度である270℃程
度の炉中に入れて、60分程度の時間焼付けを行うこと
により、水性グラファイト層16を1〜数μm程度の厚
さ形成する(S5)。すなわち、従来は130℃程度の
温度で焼付けを行っていたが、前述のように、この焼付
け温度を実装の際のハンダリフロー時の温度程度で行う
ことにより、インピーダンスを小さくすることができ
た。その理由については後述する。
【0030】(e)その後、グラファイト層16上に銀
樹脂層(金属層)18を形成する(S6)。この銀樹脂
層18の形成は、銀ペースト中に、グラファイト層16
が形成された焼結体10を浸漬し、その外周に銀ペース
トを塗布して200℃程度で乾燥させることにより、5
0μm程度の厚さに形成される。
【0031】このようにして形成されたコンデンサ素子
1の陽極リード11および陰極12をリードフレームの
外部リード2、3とそれぞれ接続し、樹脂モールドによ
り樹脂製パッケージ5を形成し、リードフレームから外
部リード2、3を分離し、フォーミングをすることによ
り、固体電解コンデンサが形成される(S6)。
【0032】前述のように、グラファイト層16の形成
において、焼付け温度を実装時のハンダリフロー温度程
度の温度で行うとインピーダンスが小さくなる理由につ
いて説明をする。焼付け温度をハンダリフロー時の温
度、たとえば270℃で行うと、270℃の状態で、二
酸化マンガン層15とグラファイト層16は共に応力が
働かない状態で接している。焼付けが終了して、室温に
戻ると、線膨張係数の小さいグラファイト層16は圧縮
力を受け、線膨張係数の大きい二酸化マンガン層15は
引っ張り力を浮けるが、ハンダリフロー時の温度に上昇
しても、その応力は0に近づくだけで、それぞれの層の
圧縮力と引っ張り力が反転することはない。そして、ハ
ンダリフローが終了して、また室温に戻ると、前述と同
様のグラファイト層16に圧縮力、二酸化マンガン層1
5に引っ張り力が働き、この応力の関係が反転すること
がない。
【0033】一方、従来の製法では、室温では同じ応力
関係にあるが、焼付け温度の130℃を超えると、引っ
張り力と圧縮力の関係が逆転して270℃まで上げるこ
とになる。すなわち、温度衝撃による剥離などの現象
は、この応力の逆転が大きく影響し、この応力の関係が
逆転しなければ、層間の剥離や浮きが生じにくいことが
本発明者の鋭意検討の結果見出されたのである。
【0034】この方法で製造したタンタル電解コンデン
サのインピーダンスを、前述と同様に、30個の平均で
調べた結果、インピーダンスの平均xは、x=3.15
Ω、標準偏差σ=0.46で、樹脂グラファイト層を挿
入したものよりは劣るが、従来構造に比して、明らかに
特性が向上している。
【0035】さらに、この水性グラファイト層16を、
高温で焼き付けた後に、さらに前述の樹脂グラファイト
層17を同様に270℃程度で焼付けし、その上に前述
と同様に銀樹脂層18を設けたものを30個作製し、そ
の平均のインピーダンスxおよび標準偏差σを調べた。
この結果を、従来構造の固体電解コンデンサ、図1に示
される構造のコンデンサ、図2に示される方法により製
造されるコンデンサと対比して表2にまとめる。
【0036】
【表2】
【0037】表2から明らかなように、グラファイト層
を水性グラファイト層16と樹脂グラファイト層17と
の複層にし、しかもそのグラファイト層を共に実装時の
ハンダリフロー温度の近傍で行うことにより、100k
Hzでのインピーダンスを非常に低下させることができ
た。
【0038】
【発明の効果】本発明によれば、電極間のインピーダン
スに一番大きく影響するグラファイト層に線膨張係数が
金属層に近い層を介在させているため、ハンダリフロー
時の熱衝撃に対しても、応力が緩和される構造になって
いる。そのため、陰極層の剥離や浮きなどが生ぜず、イ
ンピーダンスの上昇を招くことがない。
【0039】さらに、グラファイト層を焼き付ける際の
温度を実装時におけるハンダリフロー時の温度近傍で行
うことにより、グラファイト層にかかる応力の関係が、
室温時とハンダリフロー時とで逆転することがなく、熱
衝撃によるグラファイト層の剥離や浮きなどが生ぜず、
インピーダンス特性を良好に維持することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明による固体電解コンデンサの一実施形態
の断面説明図である。
【図2】本発明による固体電解コンデンサの製法の一実
施形態であるフローチャートを示す図である。
【図3】従来の固体電解コンデンサにおけるコンデンサ
素子部の構造説明図である。
【符号の説明】 1 コンデンサ素子 10 焼結体 14 誘電体層(酸化皮膜) 15 二酸化マンガン層 16 水性グラファイト層 17 樹脂グラファイト層 18 金属層

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 一壁面に陽極リードが埋設された弁作用
    金属粉末の焼結体と、該金属粉末の外周に設けられる誘
    電体層と、該誘電体層が設けられた焼結体の外周に設け
    られる二酸化マンガン層と、該二酸化マンガン層の外周
    に設けられるグラファイト層と、該グラファイト層の外
    周に設けられる金属層とからコンデンサ素子が形成さ
    れ、前記グラファイト層が前記二酸化マンガン層側に設
    けられる水性グラファイト層と前記金属層側に設けられ
    る樹脂グラファイト層とからなる固体電解コンデンサ。
  2. 【請求項2】 (a)弁作用金属粉末の焼結体を形成
    し、(b)該焼結体を陽極酸化することにより金属粉末
    表面に酸化膜皮膜を形成し、(c)前記金属粉末の周囲
    および焼結体の外周に二酸化マンガン層を形成し、
    (d)前記焼結体外周の二酸化マンガン層上にグラファ
    イト層を形成し、(e)前記グラファイト層上に金属層
    を形成することによりコンデンサ素子を製造する場合
    に、前記グラファイト層の形成を、液状グラファイトを
    塗布した後、230〜300℃で焼き付けることを特徴
    とする固体電解コンデンサの製法。
  3. 【請求項3】 前記グラファイト層の形成を、水性グラ
    ファイトを塗布して230〜300℃で焼付けた後、樹
    脂グラファイトを塗布して230〜300℃で焼付ける
    ことにより行う請求項2記載の製法。
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6785124B2 (en) * 2002-05-20 2004-08-31 Rohm Co., Ltd. Capacitor element for solid electrolytic capacitor, process of making the same and solid electrolytic capacitor utilizing the capacitor element
US8587927B2 (en) 2010-04-21 2013-11-19 Rohm Co., Ltd. Solid electrolytic condensers and methods for preparing the same

Families Citing this family (31)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3541001B2 (ja) * 2000-11-13 2004-07-07 Necトーキン富山株式会社 チップ型固体電解コンデンサ
DE10057488B4 (de) * 2000-11-20 2006-05-24 Epcos Ag Kondensator
DE10141354C1 (de) * 2001-08-23 2003-04-10 Epcos Ag Gehäuse für elektrische Bauelemente, insbesondere Kondensatoren
TWI254333B (en) * 2002-03-18 2006-05-01 Sanyo Electric Co Solid electrolytic capacitor and method of manufacturing same
US7061772B2 (en) * 2002-08-05 2006-06-13 Nec Tokin Corporation Electronic circuit with transmission line type noise filter
US6870727B2 (en) * 2002-10-07 2005-03-22 Avx Corporation Electrolytic capacitor with improved volumetric efficiency
JP5000071B2 (ja) * 2003-02-26 2012-08-15 新光電気工業株式会社 半導体装置用基板及び半導体装置
JP2005093463A (ja) * 2003-09-12 2005-04-07 Sanyo Electric Co Ltd ニオブ固体電解コンデンサ
CN1883021B (zh) * 2003-11-13 2011-04-06 昭和电工株式会社 固体电解电容器
JP4372032B2 (ja) * 2005-03-17 2009-11-25 三洋電機株式会社 固体電解コンデンサ
JP4739982B2 (ja) * 2005-03-28 2011-08-03 三洋電機株式会社 固体電解コンデンサの製造方法
EP1909298B1 (en) * 2005-06-30 2019-05-08 Showa Denko K.K. Method for producing solid electrolytic capacitor
US8717777B2 (en) 2005-11-17 2014-05-06 Avx Corporation Electrolytic capacitor with a thin film fuse
US7283350B2 (en) * 2005-12-02 2007-10-16 Vishay Sprague, Inc. Surface mount chip capacitor
JP4626556B2 (ja) * 2006-03-31 2011-02-09 Tdk株式会社 固体電解コンデンサ及びその製造方法
JP2008010797A (ja) * 2006-06-30 2008-01-17 E I Du Pont De Nemours & Co 電子部品およびコンデンサ
JP4776522B2 (ja) * 2006-12-20 2011-09-21 三洋電機株式会社 固体電解コンデンサ
US7532457B2 (en) * 2007-01-15 2009-05-12 Avx Corporation Fused electrolytic capacitor assembly
JP4911611B2 (ja) * 2007-04-27 2012-04-04 三洋電機株式会社 固体電解コンデンサ
JP4964102B2 (ja) * 2007-11-26 2012-06-27 三洋電機株式会社 固体電解コンデンサ
US7826200B2 (en) 2008-03-25 2010-11-02 Avx Corporation Electrolytic capacitor assembly containing a resettable fuse
US8199462B2 (en) * 2008-09-08 2012-06-12 Avx Corporation Solid electrolytic capacitor for embedding into a circuit board
US8075640B2 (en) 2009-01-22 2011-12-13 Avx Corporation Diced electrolytic capacitor assembly and method of production yielding improved volumetric efficiency
US8279583B2 (en) 2009-05-29 2012-10-02 Avx Corporation Anode for an electrolytic capacitor that contains individual components connected by a refractory metal paste
US8441777B2 (en) 2009-05-29 2013-05-14 Avx Corporation Solid electrolytic capacitor with facedown terminations
US8139344B2 (en) * 2009-09-10 2012-03-20 Avx Corporation Electrolytic capacitor assembly and method with recessed leadframe channel
TWI511172B (zh) * 2011-11-10 2015-12-01 財團法人工業技術研究院 去耦合元件及其製造方法
GB201212051D0 (en) 2012-07-06 2012-08-22 Zyk S A Energy storage apparatus
CN105874548A (zh) * 2013-11-22 2016-08-17 楼氏卡泽诺维亚公司 高电容单层电容器及其制造方法
US9545008B1 (en) 2016-03-24 2017-01-10 Avx Corporation Solid electrolytic capacitor for embedding into a circuit board
CN115394559B (zh) * 2022-09-23 2023-06-20 中国振华(集团)新云电子元器件有限责任公司(国营第四三二六厂) 一种降低固体电解质片式钽电容器石墨银浆工序esr的方法

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3889357A (en) * 1973-07-05 1975-06-17 Sprague Electric Co Screen printed solid electrolytic capacitor
EP0447165A3 (en) * 1990-03-12 1992-08-05 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd Solid electrolytic capacitors and method for manufacturing the same
EP0714108B1 (en) * 1994-11-25 1999-11-03 Nec Corporation Solid electrolytic capacitor having two solid electrolyte layers and method of manufacturing the same
JP3157748B2 (ja) * 1997-07-30 2001-04-16 富山日本電気株式会社 導電性高分子を用いた固体電解コンデンサ及びその製造方法
US6349027B1 (en) 1997-10-29 2002-02-19 Asahi Glass Company, Ltd. Electric double layer capacitor
JP3350846B2 (ja) * 1998-02-02 2002-11-25 エヌイーシートーキン富山株式会社 導電性高分子を用いた固体電解コンデンサ及びその製造方法
JP3080922B2 (ja) * 1998-04-13 2000-08-28 富山日本電気株式会社 固体電解コンデンサ及びその製造方法
JP2000049055A (ja) 1998-07-27 2000-02-18 Asahi Glass Co Ltd 電気二重層キャパシタ用電極及び電気二重層キャパシタ

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6785124B2 (en) * 2002-05-20 2004-08-31 Rohm Co., Ltd. Capacitor element for solid electrolytic capacitor, process of making the same and solid electrolytic capacitor utilizing the capacitor element
US8587927B2 (en) 2010-04-21 2013-11-19 Rohm Co., Ltd. Solid electrolytic condensers and methods for preparing the same

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Publication number Publication date
JP3881480B2 (ja) 2007-02-14
US20020085335A1 (en) 2002-07-04
US6333844B1 (en) 2001-12-25
US6529366B2 (en) 2003-03-04

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