JP2001066630A - アクティブマトリクス型液晶表示装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 高画質な画像表示を行うことのできるアクテ
ィブマトリクス型液晶表示装置を実現する。 【解決手段】 第１の電極と、第２の電極と、前記第１
と第２の電極の間に設けられた誘電体とからなるカップ
リング容量が保持容量と直列に接続されており、前記カ
ップリング容量は前記ソース信号線駆動回路が有する回
路ＴＦＴ及び配線上には設けられておらず、前記第１の
電極と前記第２の電極はコモン線に電気的に接続されて
いる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は絶縁表面を有する基
板上に薄膜トランジスタ（以下、ＴＦＴという）で構成
された回路を有する液晶表示装置に関する。特に本発明
はアクティブマトリクス型液晶表示装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】

【０００３】最近、安価なガラス基板上に薄膜トランジ
スタ（ＴＦＴ）を作製する技術が急速に発達してきてい
る。その理由は、アクティブマトリクス型液晶表示装置
の需要が高まったことにある。アクティブマトリクス型
液晶表示装置は、マトリクス状に設けられた数十〜数百
万個もの各画素のそれぞれに薄膜トランジスタを配置
し、各画素電極に出入りする電荷を薄膜トランジスタの
スイッチング機能により制御するものである。

【０００４】各画素電極と対向電極との間には液晶が挟
み込まれ、この構成により一種のコンデンサが形成され
ている。従って、薄膜トランジスタによりこのコンデン
サへの電荷の出入りを制御することで液晶の電気光学的
特性を変化させ、液晶パネルを透過する光を制御して画
像表示を行うことができる。

【０００５】しかし、このような構成でなるコンデンサ
は、各画素電極に出入りする電荷を制御する薄膜トラン
ジスタの電流のリークにより次第にその保持電圧が減少
するため、液晶の電気光学特性が変化して画像表示のコ
ントラストが悪化するという問題を持つ。

【０００６】そこで、液晶で構成されるコンデンサと並
列に保持容量と呼ばれる別のコンデンサを設置し、リー
ク等で損失した電荷を液晶で構成されるコンデンサに供
給する構成が一般的となっている。

【０００７】保持容量の構造は様々であるが、遮蔽膜と
画素電極との間に誘電体を挟み込んだ構造が挙げられ
る。遮蔽膜とは、透過型液晶表示装置の画素領域におい
て、薄膜トランジスタが光の照射によってリーク電流が
大きくなるのを防止するための、遮光性を有する被膜で
ある。

【０００８】図２３に従来のアクティブマトリクス型液
晶表示装置の概略図の一例を示す。ソース信号線駆動回
路１００１、ゲート信号線駆動回路１００２、画素領域
１００３、画素ＴＦＴ１００４、画素電極と対向電極と
の間に液晶を挟んだ液晶セル１００５、画素電極と遮蔽
膜との間に誘電体を挟んで形成される保持容量１００
６、ソース信号線１００７、ゲート信号線１００８が図
２３に示されるように設けられている。

【０００９】また、画素領域１００３では、ソース信号
線駆動回路１００１に接続されたソース信号線１００７
と、ゲート信号線駆動回路１００２に接続されたゲート
信号線１００８とが交差している。そのソース信号線１
００７とゲート信号線１００８に囲まれた領域、画素部
１００９に、画素領域の薄膜トランジスタ（画素ＴＦ
Ｔ）１００４と、液晶セル１００５と、保持容量１００
６が設けられている。

【００１０】ソース信号線１００７に入力された画像信
号は、画素ＴＦＴ１００４により選択され、所定の画素
電極に書き込まれる。ソース信号線駆動回路１００１に
おいてタイミング信号によりサンプリングされた画像信
号が、ソース信号線１００７に入力される。画素ＴＦＴ
１００４は、ゲート信号線駆動回路１００２からゲート
信号線１００８を介して入力される選択信号により動作
する。

【００１１】保持容量１００６を形成している画素電極
は画素ＴＦＴ１００４のソース領域と接続されており、
遮蔽膜はコモン線１０１１に接続されている。また液晶
セルを形成している対向電極もコモン線１０１１に接続
されている。コモン線１０１１は一定の電位（基準電
位）の電源に接続されており、コモン線１０１１に接続
されている遮蔽膜及び対向電極は基準電位に保たれてい
る。

【００１２】

【発明が解決しようとする課題】

【００１３】電源は基準電位に保たれているが、時とし
てノイズが発生することがあり、そのノイズはコモン線
１０１１を通して遮蔽膜及び対向電極に伝わってしま
う。ノイズが対向電極に伝わると液晶にノイズが印加さ
れ、表示画像に乱れが生じる。

【００１４】ノイズによる遮蔽膜及び対向電極の電位の
変動（基準電位との差）ΔＶは、画素電極と遮蔽膜との
間に誘電体を挟んで形成される保持容量１００６の容量
値Ｃ _Hと、遮蔽膜及び対向電極にかかるノイズの電荷量
Ｑによって、その値が決まる。しかし、電荷量Ｑは電源
からのノイズによって固定されてしまうので、実際には
ΔＶの値は保持容量の容量値Ｃ_Hによって決定される。
このＣ_Hの値が大きければ大きいほどΔＶは小さくな
り、遮蔽膜及び対向電極の電位をより一定に保つことが
可能になる。よってより大きな容量値を持つ保持容量を
形成することが望まれていた。

【００１５】しかし画素部に設けられる保持容量の容量
値を大きくしようとすると、画素電極と遮蔽膜とが誘電
体を挟んで重なる面積を大きくする必要があり、開口率
が低下するため、その大きさには限界があった。

【００１６】本明細書で開示する発明は、上記問題点を
解決して高画質な画像表示を行うことのできるアクティ
ブマトリクス型液晶表示装置を実現する技術を提供する
ことを目的とする。

【００１７】

【課題を解決するための手段】

【００１８】対向電極に接続された第１の電極と、保持
容量に接続された第２の電極との間に誘電体を設けたカ
ップリング容量と呼ばれるコンデンサを形成する。第１
の電極と第２の電極とは接続配線によって接続されてい
る。また第１の電極及び第２の電極はコモン線に電気的
に接続されている。

【００１９】遮蔽膜及び対向電極にかかるノイズの電荷
量Ｑは固定されているので、遮蔽膜及び対向電極に接続
されている全ての容量の容量値が大きければ大きいほ
ど、ノイズによる遮蔽膜及び対向電極の電位の変動ΔＶ
は小さくなる。遮蔽膜及び対向電極に接続されている全
ての容量の容量値とは、本発明の場合、カップリング容
量に電気的に接続している全ての保持容量の容量値の和
である容量値Ｃ_Hにカップリング容量の容量値Ｃ_Kを加え
たものになる。したがって、カップリング容量を設けな
いときと比較して、ノイズによる遮蔽膜及び対向電極の
電位の変動ΔＶを、開口率を低下させることなく小さく
抑えることが可能になる。その結果、電源からのノイズ
が対向電極に伝わり液晶にノイズが印加されることによ
る表示画像の乱れを防ぐことができる。

【００２０】なお、第１の電極と第２の電極とは理想的
には同電位になるので、カップリング容量には電荷が蓄
えられない。しかし実際には、第１の電極と第２の電極
とを接続している接続配線が配線抵抗Ｒを有している。
そのため、第１の電極と第２の電極は全く同じ電位には
ならない。

【００２１】カップリング容量のインピーダンスＺ
（Ω）は、 Ｚ＝１／（２πｆＣ_K） で表される。なお、ｆは電源のノイズの周波数、Ｃ_Kは
カップリング容量の容量値である。この式から、ノイズ
の周波数ｆ、カップリング容量の容量値Ｃ_Kが大きけれ
ば大きいほど、カップリング容量のインピーダンスＺが
小さくなることがわかる。

【００２２】カップリング容量のインピーダンスＺ
（Ω）が配線抵抗Ｒよりも小さくなると、電源からのノ
イズが電荷としてよりカップリング容量に蓄えられる。
そのためノイズが直接対向電極に伝わりずらくなる。よ
って、カップリング容量のインピーダンスＺ（Ω）が配
線抵抗Ｒよりも小さくなるような周波数のノイズに対し
て、カップリング容量は容量として特に有効である。

【００２３】なお、カップリング容量の容量値Ｃ_Kは、
ノイズの周波数ｆと配線抵抗Ｒとの値によって決まる。
カップリング容量のインピーダンスＺが配線抵抗Ｒより
も小さくなると、よりノイズが直接対向電極に伝わりず
らくなるので、 Ｒ＞Ｚ＝１／（２πｆＣ_K） を満たすように、用いる回路によってカップリング容量
を適宜設計することは有効である。

【００２４】

【発明の実施の形態】

【００２５】以下に本発明の液晶表示装置を実施の形態
をもって説明する。

【００２６】（実施の形態１）

【００２７】本実施の形態では、遮蔽膜の一部を第１の
電極としてカップリング容量を形成する例について説明
する。

【００２８】本実施の形態のアクティブマトリクス型液
晶表示装置の概略図を図１に示す。ソース信号線駆動回
路１０１、ゲート信号線駆動回路１０２、画素領域１０
３、画素領域の薄膜トランジスタ（画素ＴＦＴ）１０
４、画素電極と対向電極との間に液晶を挟んだ液晶セル
１０５、画素電極と遮蔽膜との間に誘電体を挟んで形成
される保持容量１０６、ソース信号線１０７、ゲート信
号線１０８が図１に示すように設けられている。

【００２９】また、遮蔽膜の一部である第１の電極１１
１がコモン線１１０及び液晶セル１０５の対向電極に接
続されている。そして導電体の一部である第２の電極１
１２がコモン線１１０及び保持容量１０６に接続されて
いる。第１の電極１１１と第２の電極１１２との間に誘
電体を挟み込んで、カップリング容量１０９が形成され
ている。また第１の電極１１１と第２の電極１１２とは
接続配線１１５によって接続されている。なお本発明に
おいて接続配線とは、第１の電極と第２の電極とを電気
的に接続しているもの全てを指す。

【００３０】画素領域１０３では、ソース信号線駆動回
路１０１に接続されたソース信号線１０７と、ゲート信
号線駆動回路１０２に接続されたゲート信号線１０８と
が交差している。そのソース信号線１０７とゲート信号
線１０８とに囲まれた部分、画素部１１４に、画素ＴＦ
Ｔ１０４と、液晶セル１０５と、保持容量１０６とが設
けられている。

【００３１】ソース信号線駆動回路１０１において、タ
イミング信号によりサンプリングされた画像信号が、ソ
ース信号線１０７に入力される。ソース信号線１０７に
入力された画像信号は、画素ＴＦＴ１０４により選択さ
れ、所定の画素電極に書き込まれる。画素ＴＦＴ１０４
は、ゲート信号線駆動回路１０２からゲート信号線１０
８を介して入力される選択信号により動作する。

【００３２】図２４にカップリング容量の上面図及び断
面図を示す。図２４（Ａ）はカップリング容量の上面図
を示しており、遮蔽膜１１９の上に誘電体を挟んで導電
体１１８が設けられている。遮蔽膜１１９と導電体１１
８はコモン線１１０に接続されている。遮蔽膜１１９の
上に誘電体を挟んで導電体１１８が設けられている部
分、言い換えると遮蔽膜１１９と導電体１１８とが誘電
体を挟んで重なっている部分にカップリング容量１０９
が形成されている。

【００３３】図１（Ｂ）に図１（Ａ）において示した上
面図の、線分Ｘ−Ｘ’における断面図を示す。コモン線
１１０を覆うように層間絶縁膜１２０が設けられてい
る。遮蔽膜１１９と導電体１１８はコモン線１１０に接
続されている。遮蔽膜１１９と導電体１１８とが誘電体
１２１を挟んで重なっている部分がカップリング容量１
０９である。

【００３４】遮蔽膜１１９の一部であって、カップリン
グ容量１０９を形成している部分が第１の電極１１１で
ある。そして導電体１１８の一部であって、カップリン
グ容量１０９を形成している部分が第２の電極１１２で
ある。第１の電極１１１と第２の電極１１２の間の配線
容量は、第１の電極１１１と第２の電極１１２の間を電
気的に接続しているもの全ての容量を指す。この場合だ
と、遮蔽膜１１９の第１の電極１１１以外の部分と、コ
モン線１１０と、導電体１２０の第２の電極１１２以外
の部分とを合わせた容量が配線容量となる。

【００３５】なお本発明では、カップリング容量を画素
領域１０３及びソース信号線駆動回路１０２上に形成し
ない。画素領域上にカップリング容量を形成すると開口
率が低くなってしまう。またソース信号線駆動回路上に
カップリング容量を形成すると、遮蔽膜とソース信号線
駆動回路の回路ＴＦＴが容量結合し、ソース信号線駆動
回路の動作速度が遅くなってしまう。ソース信号線駆動
回路はゲート信号線駆動回路よりも高速に駆動すること
が要求される。そのためカップリング容量は、画素領域
上や、ソース信号線駆動回路が設けられている部分以外
のアクティブマトリクス基板（基板）上に形成すること
が好ましい。

【００３６】なお、カップリング容量１０９の容量値Ｃ
_Kは、ノイズの周波数ｆと配線抵抗Ｒとの値によって決
まる。カップリング容量のインピーダンスＺが配線抵抗
Ｒよりも小さくなることによって、よりノイズが直接対
向電極に伝わりずらくなる。よって、 Ｒ＞Ｚ＝１／（２πｆＣ_K） を満たすように、用いる回路によってカップリング容量
を適宜設計することは有効である。

【００３７】このように本発明では、上記構成によって
遮蔽膜及び対向電極に接続されている全ての容量の容量
値が、保持容量の容量値Ｃ_Hにカップリング容量の容量
値Ｃ_Kを加えたものになる。

【００３８】よって従来のカップリング容量を設けない
場合と比較して、遮蔽膜及び対向電極に接続されている
容量の容量値を、開口率を低下させなくても大きくする
ことが可能になる。よってΔＶが小さくなり、遮蔽膜及
び対向電極の電位をより一定に保つことが可能になる。
そのため、電源からのノイズが対向電極に伝わり液晶に
ノイズが印加されることによる表示画像の乱れを防ぐこ
とができる。

【００３９】また本実施の形態では、遮蔽膜の一部を第
１の電極１１１として用いることで、第１の電極を別途
作製する工程を省くことができる。

【００４０】（実施の形態２）

【００４１】本実施の形態では、遮蔽膜の一部を第１の
電極としてカップリング容量を形成し、かつカップリン
グ容量をゲート信号線駆動回路上に形成する例について
説明する。

【００４２】本実施の形態のアクティブマトリクス型液
晶表示装置の上面の概略図を図２に示す。図２におい
て、２０１はアクティブマトリクス基板であり、ソース
信号線駆動回路２０２及びゲート信号線駆動回路２０３
には回路ＴＦＴが設けられ、画素領域２０４には画素Ｔ
ＦＴがマトリクス状に設けられている。アクティブマト
リク基板２０１としては、ガラス基板などが用いられ
る。なお、図２にはソース信号線駆動回路を１つだけ設
けた構成を示したが、２つ設ける構成としても良い。

【００４３】画素領域２０４の上と、ゲート信号線駆動
回路２０３の上には、可視光を透過する必要のある領域
（図示せず）を残して遮蔽膜２０５が形成されている。
図面では示していないが、遮蔽膜２０５は実際にはマト
リクス形状をしている。

【００４４】遮蔽膜２０５はアルミニウム（Ａｌ）、チ
タン（Ｔｉ）、クロム（Ｃｒ）またはタンタル（Ｔａ）
を有する膜が好ましい。図２では遮蔽膜２０５はゲート
信号線駆動回路２０３の一部の上に設けられているが、
ゲート信号線駆動回路２０３全体の上に設けるようにし
ても良い。

【００４５】遮蔽膜２０５はコモン線２０６と、接続部
２１０において接続されている。コモン線２０６はＦＰ
Ｃ２０９によって電源に接続され一定の電位（基準電
位）に保たれており、遮蔽膜２０５も一定の電位（基準
電位）に保たれている。

【００４６】遮蔽膜２０５の上に誘電体（図示せず）を
挟んで、導電体２０７が設けられている。例えば導電体
２０７は、ＩＴＯ（ｉｎｄｉｕｍ ｔｉｎ ｏｘｉｄ
ｅ）を有している。導電体２０７の一部は、ゲート信号
線駆動回路２０３の一部または全部の上に設けられてお
り、画素領域２０４及びソース信号線駆動回路２０２の
上には設けられていない。

【００４７】導電体２０７は一定の電位（基準電位）に
保たれたコモン線２０６に接続部２１０において接続さ
れている。コモン線２０６に接続された導電体２０７も
基準電位に保たれている。

【００４８】遮蔽膜２０５の上に、誘電体（図示せず）
を挟んで導電体２０７が設けられている部分２０８に、
カップリング容量２０８が形成されている。

【００４９】図３に図２のＡ−Ａ’における断面の一例
を概略図を示す。アクティブマトリクス基板２０１、回
路ＴＦＴを有するゲート信号線駆動回路２０３、ゲート
信号線駆動回路の回路ＴＦＴのドレイン電極またはソー
ス電極２１６、遮蔽膜２０５、誘電体２１０、導電体２
０７、コモン線２０６、フィラー２１３、樹脂２１４、
ＦＰＣからの引き出し端子上に成膜されたＩＴＯ膜２１
２、ＦＰＣからの引き出し端子２１１が図３に示すよう
に設けられている。コモン線２０６はゲート信号線駆動
回路の回路ＴＦＴのドレイン電極またはソース電極２１
６と同時に形成されている。

【００５０】本実施の形態では、カップリング容量をゲ
ート信号線駆動回路上に形成することで、限られた面積
の基板上により大きな容量値を有するカップリング容量
を形成することができる。

【００５１】このように本発明では、遮蔽膜とコモン線
とを接続し、なおかつ遮蔽膜の一部と、コモン線または
コモン線に接続された導電体の一部との間に誘電体を挟
み込んだ構造の容量（カップリング容量）を形成する。
これにより遮蔽膜及び対向電極に接続されている全ての
容量の容量値が、保持容量の容量値Ｃ_Hにカップリング
容量の容量値Ｃ_Kを加えたものになる。

【００５２】よって従来のカップリング容量を設けない
場合と比較して、遮蔽膜及び対向電極に接続されている
容量の容量値を、開口率を低下させなくても大きくな
る。よってΔＶが小さくなり、遮蔽膜及び対向電極の電
位をより一定に保つことが可能になる。そのため、電源
からのノイズが対向電極に伝わり液晶にノイズが印加さ
れることによる表示画像の乱れを防ぐことができる。

【００５３】

【実施例】 以下に本発明の実施例を説明する。

【００５４】（実施例１）

【００５５】本実施例では、図２に示したアクティブマ
トリクス型液晶表示装置の別の例を示す。

【００５６】本実施例のアクティブマトリクス型液晶表
示装置の上面の概略図を図４に示す。図４において、４
０１はアクティブマトリクス基板であり、ソース信号線
駆動回路４０２及びゲート信号線駆動回路４０３には回
路ＴＦＴが設けられ、画素領域４０４には画素ＴＦＴが
マトリクス状に設けられている。アクティブマトリク基
板４０１としては、ガラス基板などが用いられる。

【００５７】画素領域４０４の上と、ゲート信号線駆動
回路４０３の上には、可視光を透過する必要のある領域
（図示せず）を残して遮蔽膜４０５が形成されている。
遮蔽膜４０５は図面では示していないが、実際にはマト
リクス形状をしている。

【００５８】遮蔽膜４０５はアルミニウム（Ａｌ）、チ
タン（Ｔｉ）、クロム（Ｃｒ）またはタンタル（Ｔａ）
を有する膜が好ましい。図４において遮蔽膜４０５はゲ
ート信号線駆動回路４０３の一部の上に設けられている
が、ゲート信号線駆動回路４０３全体の上に設けるよう
にしても良い。

【００５９】遮蔽膜４０５は接続部４１０において、コ
モン線４０６と接続されている。コモン線４０６はＦＰ
Ｃ４０９によって電源に接続され、一定の電位（基準電
位）に保たれており、遮蔽膜４０５も一定の電位（基準
電位）に保たれている。

【００６０】導電体４０７は一定の電位（基準電位）に
保たれたコモン線４０６に接続されている。本実施例で
は、導電体４０７はＩＴＯを有しているが、他の金属を
用いても良い。コモン線４０６に接続された導電体４０
７も基準電位に保たれている。

【００６１】遮蔽膜４０５の一部上に、誘電体（図示せ
ず）を挟んで導電体４０７の一部が設けられている部分
に、カップリング容量４０８が形成されている。

【００６２】なお、カップリング容量４０８の容量値Ｃ
_Kは、ノイズの周波数ｆと配線抵抗Ｒとの値によって決
まる。カップリング容量のインピーダンスＺが配線抵抗
Ｒよりも小さくなることによって、よりノイズが直接対
向電極に伝わりずらくなる。 Ｒ＞Ｚ＝１／（２πｆＣ_K） を満たすように、用いる回路によってカップリング容量
を適宜設計することは有効である。

【００６３】カップリング容量４０８は、ゲート信号線
駆動回路４０３の一部または全部の上に設けられてお
り、画素領域４０４及びソース信号線駆動回路４０２の
上には設けられていない。本発明において、ソース信号
線駆動回路上にカップリング容量を形成しない理由は上
述したとおりである。

【００６４】本実施例では、１つの導電体４０７が、画
素領域４０４の周り三方を囲うように設けられている。
そしてこの場合、画素領域４０４の両側に導電体を２つ
に分けて設ける場合よりも、カップリング容量の容量値
をより大きくすることができる。

【００６５】また本実施例では、１つの導電体４０７が
画素領域４０４の周り三方を囲うように設けられている
ので、ソース信号線駆動回路を画素領域４０４の一方の
方向にしか設けることができない。

【００６６】次に、本実施例における画素領域４０４の
詳しい構造について、図６を用いて説明する。

【００６７】まず、図６において、２１は活性層、２２
はゲート信号線、２３はソース信号線、２４は活性層と
ソース信号線とのコンタクト部、２５はドレイン配線
（ドレイン電極）、２６は活性層とドレイン配線とのコ
ンタクト部である。

【００６８】図７は、図６に遮蔽膜２７（図４における
４０５）と画素電極２８を重ね合わせた状態を示してい
る。なお、画素電極２８は一部点線で表しているが、こ
れは下層の遮蔽膜との位置関係を明瞭にするためであ
る。

【００６９】図７に示すように、画素電極２８は画像表
示領域２９の外周部分で遮蔽膜２７と重なるように形成
されている。この画素電極２８と遮蔽膜２７とが重なる
領域が保持容量３０として機能することになる。

【００７０】また、３１はドレイン配線２５と画素電極
２８とのコンタクト部である。コンタクト部３１には遮
蔽膜２７を設けることはできないが、ドレイン配線２５
で完全に遮光されるので、ＴＦＴに光が当たるようなこ
とはない。

【００７１】次に本発明のアクティブマトリクス型液晶
表示装置の、画素領域に設けられる画素ＴＦＴと、画素
領域の周辺に位置する駆動回路に設けられる回路ＴＦＴ
を、同時に作製する方法の一例について、図８〜図１２
を用いて説明する。なお、本発明はこの作製方法に限ら
れない。

【００７２】ここでは画素領域の画素ＴＦＴと、画素領
域の周辺に設けられる駆動回路（ソースドライバ、ゲー
トドライバ、Ｄ／Ａ変換回路、デジタルビデオデータ時
間階調処理回路等）のＴＦＴを同一基板上に作製する方
法について工程に従って詳細に説明する。但し、説明を
簡単にするために、制御回路ではシフトレジスタ回路、
バッファ回路、Ｄ／Ａ変換回路などの基本回路であるＣ
ＭＯＳ回路と、ｎチャネル型ＴＦＴとを図示することに
する。また島状半導体層に形成した不純物領域と、ゲー
ト電極と同一の膜から形成された容量電極との間にゲー
ト絶縁膜と同一の膜から形成されている誘電体を挟んだ
構造を有している保持容量の例について説明する。

【００７３】図８（Ａ）において、基板６００１には低
アルカリガラス基板や石英基板を用いることができる。
本実施例では低アルカリガラス基板を用いた。この場
合、ガラス歪み点よりも１０〜２０℃程度低い温度であ
らかじめ熱処理しておいても良い。この基板６００１の
ＴＦＴ形成表面には、基板６００１からの不純物拡散を
防ぐために、酸化シリコン膜、窒化シリコン膜または酸
化窒化シリコン膜などの下地膜６００２を形成する。例
えば、プラズマＣＶＤ法でＳｉＨ₄、ＮＨ₃、Ｎ₂Ｏから
作製される酸化窒化シリコン膜を１００ｎｍ、同様にＳ
ｉＨ₄、Ｎ₂Ｏから作製される酸化窒化シリコン膜を２０
０ｎｍの厚さに積層形成する。

【００７４】次に、２０〜１５０ｎｍ（好ましくは３０
〜８０ｎｍ）の厚さで非晶質構造を有する半導体膜６０
０３ａを、プラズマＣＶＤ法やスパッタ法などの公知の
方法で形成する。本実施例では、プラズマＣＶＤ法で非
晶質シリコン膜を５４ｎｍの厚さに形成する。非晶質構
造を有する半導体膜としては、非晶質半導体膜や微結晶
半導体膜があり、非晶質シリコンゲルマニウム膜などの
非晶質構造を有する化合物半導体膜を適用しても良い。
また、下地膜６００２と非晶質シリコン膜６００３ａと
は同じ成膜法で形成することが可能であるので、両者を
連続形成しても良い。その場合、下地膜を形成した後、
一旦大気雰囲気に晒すことがなくその表面の汚染を防ぐ
ことが可能となり、作製するＴＦＴの特性バラツキやし
きい値電圧の変動を低減させることができる（図８
（Ａ））。

【００７５】そして、公知の結晶化技術を使用して非晶
質シリコン膜６００３ａから結晶質シリコン膜６００３
ｂを形成する。例えば、レーザー結晶化法や熱結晶化法
（固相成長法）を適用すれば良いが、ここでは、特開平
７−１３０６５２号公報で開示された技術に従って、触
媒元素を用いる結晶化法で結晶質シリコン膜６００３ｂ
を形成した。結晶化の工程に先立って、非晶質シリコン
膜の含有水素量にもよるが、４００〜５００℃で１時間
程度の熱処理を行い、含有水素量を５atom％以下にして
から結晶化させることが望ましい。非晶質シリコン膜を
結晶化させると原子の再配列が起こり緻密化するので、
作製される結晶質シリコン膜の厚さは当初の非晶質シリ
コン膜の厚さ（本実施例では５４ｎｍ）よりも１〜１５
％程度減少する（図８（Ｂ））。

【００７６】そして、結晶質シリコン膜６００３ｂを島
状にパターンニングして、島状半導体層６００４〜６０
０７を形成する。その後、プラズマＣＶＤ法またはスパ
ッタ法により５０〜１５０ｎｍの厚さの酸化シリコン膜
によるマスク層６００８を形成する（図８（Ｃ））。本
実施例では、マスク層６００８の厚さは１３０ｎｍとす
る。

【００７７】そしてレジストマスク６００９を設け、ｎ
チャネル型ＴＦＴを形成することとなる島状半導体層６
００４〜６００７の全面に１×１０¹⁶〜５×１０¹⁷atom
s／cm³程度の濃度でｐ型を付与する不純物元素としてボ
ロン（Ｂ）を添加する。このボロン（Ｂ）の添加は、し
きい値電圧を制御する目的でなされる。ボロン（Ｂ）の
添加はイオンドープ法で実施しても良いし、非晶質シリ
コン膜を成膜するときに同時に添加しておくこともでき
る。ここでのボロン（Ｂ）添加は必ずしも必要ではない
（図８（Ｄ））。

【００７８】ドライバ等の駆動回路のｎチャネル型ＴＦ
ＴのＬＤＤ領域を形成するために、ｎ型を付与する不純
物元素を島状半導体層６０１０〜６０１２に選択的に添
加する。そのため、あらかじめレジストマスク６０１３
〜６０１６を形成する。ｎ型を付与する不純物元素とし
ては、リン（Ｐ）や砒素（Ａｓ）を用いれば良く、ここ
ではリン（Ｐ）を添加すべく、フォスフィン（ＰＨ₃）
を用いたイオンドープ法を適用した。形成された不純物
領域６０１７、６０１８のリン（Ｐ）濃度は２×１０¹⁶
〜５×１０¹⁹atoms／cm³の範囲とすれば良い。本明細書
中では、ここで形成された不純物領域６０１７〜６０１
９に含まれるｎ型を付与する不純物元素の濃度を
（ｎ^-）と表す。また、不純物領域６０１９は、画素部
の保持容量を形成するための半導体層であり、この領域
にも同じ濃度でリン（Ｐ）を添加する（図９（Ａ））。
その後、レジストマスク６０１３〜６０１６を除去す
る。

【００７９】次に、マスク層６００８をフッ酸などによ
り除去した後、図８（Ｄ）と図９（Ａ）で添加した不純
物元素を活性化させる工程を行う。活性化は、窒素雰囲
気中で５００〜６００℃で１〜４時間の熱処理や、レー
ザー活性化の方法により行うことができる。また、両者
を併用して行っても良い。本実施例では、レーザー活性
化の方法を用いる。レーザー光にはＫｒＦエキシマレー
ザー光（波長２４８ｎｍ）を用いる。本実施例では、レ
ーザー光の形状を線状ビームに加工して用い、発振周波
数５〜５０Ｈｚ、エネルギー密度１００〜５００ｍＪ／
ｃｍ²として線状ビームのオーバーラップ割合を８０〜
９８％で走査することによって島状半導体層が形成され
た基板全面を処理する。尚、レーザー光の照射条件には
何ら限定される事項はなく適宣決定することができる。

【００８０】そして、ゲート絶縁膜６０２０をプラズマ
ＣＶＤ法またはスパッタ法を用いて１０〜１５０ｎｍの
厚さでシリコンを含む絶縁膜で形成する。例えば、１２
０ｎｍの厚さで酸化窒化シリコン膜を形成する。ゲート
絶縁膜には、他のシリコンを含む絶縁膜を単層または積
層構造として用いても良い（図９（Ｂ））。

【００８１】次に、ゲート電極を形成するために第１の
導電層を成膜する。この第１の導電層は単層で形成して
も良いが、必要に応じて二層あるいは三層といった積層
構造としても良い。本実施例では、導電性の窒化物金属
膜から成る導電層（Ａ）６０２１と金属膜から成る導電
層（Ｂ）６０２２とを積層させる。導電層（Ｂ）６０２
２はタンタル（Ｔａ）、チタン（Ｔｉ）、モリブデン
（Ｍｏ）、タングステン（Ｗ）から選ばれた元素、また
は前記元素を主成分とする合金か、前記元素を組み合わ
せた合金膜（代表的にはＭｏ−Ｗ合金膜またはＭｏ−Ｔ
ａ合金膜）で形成すれば良く、導電層（Ａ）６０２１は
窒化タンタル（ＴａＮ）、窒化タングステン（ＷＮ）、
窒化チタン（ＴｉＮ）膜、窒化モリブデン（ＭｏＮ）で
形成する。また、導電層（Ａ）６０２１は代替材料とし
て、タングステンシリサイド、チタンシリサイド、モリ
ブデンシリサイドを適用しても良い。導電層（Ｂ）６０
２２は低抵抗化を図るために含有する不純物濃度を低減
させると良く、特に酸素濃度に関しては３０ｐｐｍ以下
とすると良かった。例えば、タングステン（Ｗ）は酸素
濃度を３０ｐｐｍ以下とすることで２０μΩｃｍ以下の
比抵抗値を実現することができる。

【００８２】導電層（Ａ）６０２１は１０〜５０ｎｍ
（好ましくは２０〜３０ｎｍ）とし、導電層（Ｂ）６０
２２は２００〜４００ｎｍ（好ましくは２５０〜３５０
ｎｍ）とすれば良い。本実施例では、導電層（Ａ）６０
２１に５０ｎｍの厚さの窒化タンタル膜を、導電層
（Ｂ）６０２２には３５０ｎｍのＴａ膜を用い、いずれ
もスパッタ法で形成する。このスパッタ法による成膜で
は、スパッタ用のガスのＡｒに適量のＸｅやＫｒを加え
ておくと、形成する膜の内部応力を緩和して膜の剥離を
防止することができる。尚、図示しないが、導電層
（Ａ）６０２１の下に２〜２０ｎｍ程度の厚さでリン
（Ｐ）をドープしたシリコン膜を形成しておくことは有
効である。これにより、その上に形成される導電膜の密
着性向上と酸化防止を図ると同時に、導電層（Ａ）また
は導電層（Ｂ）が微量に含有するアルカリ金属元素がゲ
ート絶縁膜６０２０に拡散するのを防ぐことができる
（図９（Ｃ））。

【００８３】次に、レジストマスク６０２３〜６０２７
を形成し、導電層（Ａ）６０２１と導電層（Ｂ）６０２
２とを一括でエッチングしてゲート電極６０２８〜６０
３１と容量配線６０３２を形成する。ゲート電極６０２
８〜６０３１と容量配線６０３２は、導電層（Ａ）から
成る６０２８ａ〜６０３２ａと、導電層（Ｂ）から成る
６０２８ｂ〜６０３２ｂとが一体として形成されてい
る。この時、後にドライバ等の駆動回路を構成するＴＦ
Ｔのゲート電極６０２８〜６０３０は不純物領域６０１
７、６０１８の一部と、ゲート絶縁膜６０２０を介して
重なるように形成する（図９（Ｄ））。

【００８４】次いで、ドライバのＰチャネル型ＴＦＴの
ソース領域およびドレイン領域を形成するために、Ｐ型
を付与する不純物元素を添加する工程を行う。ここで
は、ゲート電極６０２８をマスクとして、自己整合的に
不純物領域を形成する。このとき、Ｎチャネル型ＴＦＴ
が形成される領域はレジストマスク６０３３で被覆して
おく。そして、ジボラン（Ｂ₂Ｈ₆）を用いたイオンドー
プ法で不純物領域６０３４を形成した。この領域のボロ
ン（Ｂ）濃度は３×１０²⁰〜３×１０²¹atoms／cm³とな
るようにする。本明細書中では、ここで形成された不純
物領域６０３４に含まれるＰ型を付与する不純物元素の
濃度を（ｐ⁺⁺）と表す（図１０（Ａ））。

【００８５】次に、Ｎチャネル型ＴＦＴにおいて、ソー
ス領域またはドレイン領域として機能する不純物領域の
形成を行った。レジストのマスク６０３５〜６０３７を
形成し、Ｎ型を付与する不純物元素が添加して不純物領
域６０３８〜６０４２を形成した。これは、フォスフィ
ン（ＰＨ₃）を用いたイオンドープ法で行い、この領域
のリン（Ｐ）濃度を１×１０²⁰〜１×１０²¹atoms／cm³
とした。本明細書中では、ここで形成された不純物領域
６０３８〜６０４２に含まれるＮ型を付与する不純物元
素の濃度を（ｎ⁺）と表す（図１０（Ｂ））。

【００８６】不純物領域６０３８〜６０４２には、既に
前工程で添加されたリン（Ｐ）またはボロン（Ｂ）が含
まれているが、それに比して十分に高い濃度でリン
（Ｐ）が添加されるので、前工程で添加されたリン
（Ｐ）またはボロン（Ｂ）の影響は考えなくても良い。
また、不純物領域６０３８に添加されたリン（Ｐ）濃度
は図１０（Ａ）で添加されたボロン（Ｂ）濃度の１／２
〜１／３なのでｐ型の導電性が確保され、ＴＦＴの特性
に何ら影響を与えることはなかった。

【００８７】そして、画素部のｎチャネル型ＴＦＴのＬ
ＤＤ領域を形成するためのｎ型を付与する不純物添加の
工程を行った。ここではゲート電極６０３１をマスクと
して自己整合的にｎ型を付与する不純物元素をイオンド
ープ法で添加する。添加するリン（Ｐ）の濃度は１×１
０¹⁶〜５×１０¹⁸atoms／cm³であり、図９（Ａ）および
図１０（Ａ）と図１０（Ｂ）で添加する不純物元素の濃
度よりも低濃度で添加することで、実質的には不純物領
域６０４３、６０４４のみが形成される。本明細書中で
は、この不純物領域６０４３、６０４４に含まれるｎ型
を付与する不純物元素の濃度を（ｎ^--）と表す（図１０
（Ｃ））。

【００８８】ここで、ゲート電極のＴａのピーリングを
防止するために層間膜としてＳｉＯＮ膜等を２００ｎｍ
の厚さで形成しても良い。

【００８９】その後、それぞれの濃度で添加されたｎ型
またはｐ型を付与する不純物元素を活性化するために熱
処理工程を行う。この工程はファーネスアニール法、レ
ーザーアニール法、またはラピッドサーマルアニール法
（ＲＴＡ法）で行うことができる。ここではファーネス
アニール法で活性化工程を行った。熱処理は酸素濃度が
１ｐｐｍ以下、好ましくは０．１ｐｐｍ以下の窒素雰囲
気中で４００〜８００℃、代表的には５００〜６００℃
で行うものであり、本実施例では５００℃で４時間の熱
処理を行った。また、基板６００１に石英基板のような
耐熱性を有するものを使用した場合には、８００℃で１
時間の熱処理としても良く、不純物元素の活性化と、該
不純物元素が添加された不純物領域とチャネル形成領域
との接合を良好に形成することができる。なお、上述の
ゲート電極のＴａのピーリングを防止するための層間膜
を形成した場合には、この効果は得られない場合があ
る。

【００９０】この熱処理において、ゲート電極６０２８
〜６０３１と容量配線６０３２形成する金属膜６０２８
ｂ〜６０３２ｂは、表面から５〜８０ｎｍの厚さでその
表面に導電層（Ｃ）６０２８ｃ〜６０３２ｃが形成され
る。例えば、導電層（Ｂ）６０２８ｂ〜６０３２ｂがタ
ングステン（Ｗ）の場合には窒化タングステン（ＷＮ）
が形成され、タンタル（Ｔａ）の場合には窒化タンタル
（ＴａＮ）を形成することができる。また、導電層
（Ｃ）６０２８ｃ〜６０３２ｃは、窒素またはアンモニ
アなどを用いた窒素を含むプラズマ雰囲気にゲート電極
６０２８〜６０３１及び容量配線６０３２を晒しても同
様に形成することができる。さらに、３〜１００％の水
素を含む雰囲気中で、３００〜４５０℃で１〜１２時間
の熱処理を行い、島状半導体層を水素化する工程を行っ
た。この工程は熱的に励起された水素により半導体層の
ダングリングボンドを終端する工程である。水素化の他
の手段として、プラズマ水素化（プラズマにより励起さ
れた水素を用いる）を行っても良い。

【００９１】島状半導体層が、非晶質シリコン膜から触
媒元素を用いる結晶化の方法で作製された場合、島状半
導体層中には微量の触媒元素が残留する。勿論、そのよ
うな状態でもＴＦＴを完成させることが可能であるが、
残留する触媒元素を少なくともチャネル形成領域から除
去する方がより好ましい。この触媒元素を除去する手段
の一つにリン（Ｐ）によるゲッタリング作用を利用する
手段がある。ゲッタリングに必要なリン（Ｐ）の濃度は
図１０（Ｂ）で形成した不純物領域（ｎ⁺）と同程度で
あり、ここで実施される活性化工程の熱処理により、ｎ
チャネル型ＴＦＴおよびｐチャネル型ＴＦＴのチャネル
形成領域から触媒元素をゲッタリングをすることができ
た（図１０（Ｄ））。

【００９２】第１の層間絶縁膜６０４５は５００〜１５
００ｎｍの厚さで酸化シリコン膜または酸化窒化シリコ
ン膜で形成され、その後、それぞれの島状半導体層に形
成されたソース領域またはドレイン領域に達するコンタ
クトホールを形成し、ソース配線６０４６〜６０４９
と、ドレイン配線６０５０〜６０５３を形成する（図１
１（Ａ））。図示していないが、本実施例ではこの電極
を、Ｔｉ膜を１００ｎｍ、Ｔｉを含むアルミニウム膜５
００ｎｍ、Ｔｉ膜１５０ｎｍをスパッタ法で連続して形
成した３層構造の積層膜とする。

【００９３】次に、パッシベーション膜６０５４とし
て、窒化シリコン膜、酸化シリコン膜、または窒化酸化
シリコン膜を５０〜５００ｎｍ（代表的には１００〜３
００ｎｍ）の厚さで形成する。本実施例においては、パ
ッシベーション膜６０５４は窒化シリコン膜５０ｎｍと
酸化シリコン膜２４．５ｎｍとの積層膜とした。この状
態で水素化処理を行うとＴＦＴの特性向上に対して好ま
しい結果が得られた。例えば、３〜１００％の水素を含
む雰囲気中で、３００〜４５０℃で１〜１２時間の熱処
理を行うと良く、あるいはプラズマ水素化法を用いても
同様の効果が得られた。なお、ここで後に画素電極とド
レイン配線を接続するためのコンタクトホールを形成す
る位置において、パッシベーション膜６０５４に開口部
を形成しておいても良い（図１１（Ａ））。

【００９４】その後、有機樹脂からなる第２層間絶縁膜
６０５５を１．０〜１．５μｍの厚さに形成する。有機
樹脂としては、ポリイミド、アクリル、ポリアミド、ポ
リイミドアミド、ＢＣＢ（ベンゾシクロブテン）等を使
用することができる。ここでは、基板に塗布後、熱重合
するタイプのアクリルを用い、２５０℃で焼成して形成
する（図１１（Ｂ））。

【００９５】ここで、Ｄ／Ａ変換回路の容量を形成す
る。Ｄ／Ａ変換回路の容量の電極となるべき電極はドレ
イン配線と同一配線層に形成されている。前記電極の上
部の第２層間絶縁膜６０５５を全部除去する（図示せ
ず）。次に、遮蔽膜（ブラックマトリクス）を形成する
（図示せず）。本実施例ではブラックマトリクスはＡｌ
膜を４００ｎｍに形成した。よって、本実施例では、前
記電極とブラックマトリクスとの間でＤ／Ａ変換回路の
容量が形成される。

【００９６】その後、有機樹脂からなる第３層間絶縁膜
６０５９を１．０〜１．５μｍの厚さに形成する。有機
樹脂としては、第２層間絶縁膜と同様の樹脂をもちいる
ことができる。ここでは、基板に塗布後、熱重合するタ
イプのポリイミドを用い、３００℃で焼成して形成し
た。

【００９７】そして、第２層間絶縁膜６０５５および第
３層間絶縁膜６０５９にドレイン配線６０５３に達する
コンタクトホールを形成し、画素電極６０６０を形成す
る。本発明の透過型液晶パネルにおいては、画素電極６
０６０にはＩＴＯ等の透明導伝膜を用いる。（図１１
（Ｂ））。

【００９８】こうして同一基板上に、駆動回路ＴＦＴと
画素部の画素ＴＦＴとを有した基板を完成させることが
できる。駆動回路にはｐチャネル型ＴＦＴ６１０１、第
１のｎチャネル型ＴＦＴ６１０２、第２のｎチャネル型
ＴＦＴ６１０３、画素部には画素ＴＦＴ６１０４、保持
容量６１０５が形成されている（図１２）。本明細書で
は便宜上このような基板をアクティブマトリクス基板と
呼んでいる。

【００９９】次に、上記の工程によって作製されたアク
ティブマトリクス基板をもとに、透過型液晶パネルを作
製する工程を説明する。

【０１００】図１２の状態のアクティブマトリクス基板
に配向膜６０６１を形成する。本実施例では、配向膜６
０６１にはポリイミドを用いた。次に、対向基板を用意
する。対向基板は、ガラス基板６０６２、透明導電膜か
らなる対向電極６０６３、配向膜６０６４とで構成され
る。

【０１０１】なお、本実施例では、配向膜には、液晶分
子が基板に対して平行に配向するようなポリイミド膜を
用いた。なお、配向膜形成後、ラビング処理を施すこと
により、液晶分子がある一定のプレチルト角を持って平
行配向するようにした。

【０１０２】次に、上記の工程を経たアクティブマトリ
クス基板と対向基板とを公知のセル組み工程によって、
シール材やスペーサ（共に図示せず）などを介して貼り
合わせる。その後、両基板の間に液晶６０６５を注入
し、封止剤（図示せず）によって完全に封止する。よっ
て、図１２に示すような透過型液晶パネルが完成する。

【０１０３】なお本実施例では、透過型液晶パネルがＴ
Ｎ（ツイスト）モードによって表示を行うようにした。
そのため、偏光板（図示せず）が透過型液晶パネルの上
部に配置された。

【０１０４】駆動回路のｐチャネル型ＴＦＴ６１０１に
は、島状半導体層６００４にチャネル形成領域８０６、
ソース領域８０７ａ、８０７ｂ、ドレイン領域８０８
ａ，８０８ｂを有している。第１のｎチャネル型ＴＦＴ
６１０２には、島状半導体層６００５にチャネル形成領
域８０９、ゲート電極６０７１と重なるＬＤＤ領域８１
０（以降、このようなＬＤＤ領域をＬovと記す）、ソー
ス領域８１１、ドレイン領域８１２を有している。この
Ｌov領域のチャネル長方向の長さは０．５〜３．０μ
ｍ、好ましくは１．０〜１．５μｍとした。第２のｎチ
ャネル型ＴＦＴ６１０３には、島状半導体層６００６に
チャネル形成領域８１３、ＬＤＤ領域８１４、８１５、
ソース領域８１６、ドレイン領域８１７を有している。
このＬＤＤ領域はＬov領域とゲート電極６０７２と重な
らないＬＤＤ領域（以降、このようなＬＤＤ領域をＬof
fと記す）とが形成され、このＬoff領域のチャネル長方
向の長さは０．３〜２．０μｍ、好ましくは０．５〜
１．５μｍである。画素ＴＦＴ６１０４には、島状半導
体層６００７にチャネル形成領域８１８、８１９、Ｌof
f領域８２０〜８２３、ソースまたはドレイン領域８２
４〜８２６を有している。Ｌoff領域のチャネル長方向
の長さは０．５〜３．０μｍ、好ましくは１．５〜２．
５μｍである。また、画素ＴＦＴ６１０４のチャネル形
成領域８１８、８１９と画素ＴＦＴのＬＤＤ領域である
Ｌoff領域８２０〜８２３との間には、オフセット領域
（図示せず）が形成されている。さらに、容量配線６０
７４と、ゲート絶縁膜６０２０から成る絶縁膜と、画素
ＴＦＴ６０７３のドレイン領域８２６に接続し、ｎ型を
付与する不純物元素が添加された半導体層８２７とから
保持容量８０５が形成されている。図１２では画素ＴＦ
Ｔ８０４をダブルゲート構造としたが、シングルゲート
構造でも良いし、複数のゲート電極を設けたマルチゲー
ト構造としても差し支えない。

【０１０５】以上の様に本実施例においては、画素ＴＦ
Ｔおよびドライバが要求する仕様に応じて各回路を構成
するＴＦＴの構造を最適化し、液晶パネルの動作性能と
信頼性を向上させることを可能とすることができる。

【０１０６】なお、本実施例においては透過型の液晶パ
ネルについて説明した。しかし、本発明のデジタルドラ
イバを用いることができる液晶パネルは、これに限定さ
れるわけではなく、透過型の液晶パネルにも用いること
ができる。

【０１０７】上述した方法によって作製された液晶表示
装置には、ＴＮ液晶以外にも様々な液晶を用いることが
可能である。例えば、1998, SID, "Characteristics an
d Driving Scheme of Polymer-Stabilized Monostable
FLCD Exhibiting Fast Response Time and High Contra
st Ratio with Gray-Scale Capability" by H. Furueet
al.や、1997, SID DIGEST, 841, "A Full-Color Thres
holdless Antiferroelectric LCD Exhibiting Wide Vie
wing Angle with Fast Response Time" by T.Yoshida e
t al.や、1996, J. Mater. Chem. 6(4), 671-673, "Thr
esholdless antiferroelectricity in liquid crystals
and its application to displays"by S. Inui et al.
や、米国特許第5594569 号に開示された液晶を用いるこ
とが可能である。

【０１０８】ある温度域において反強誘電相を示す液晶
を反強誘電性液晶という。反強誘電性液晶を有する混合
液晶には、電場に対して透過率が連続的に変化する電気
光学応答特性を示す、無しきい値反強誘電性混合液晶と
呼ばれるものがある。この無しきい値反強誘電性混合液
晶は、Ｖ字型の電気光学応答特性を示すものがあり、そ
の駆動電圧が約±２．５Ｖ程度（セル厚約１μｍ〜２μ
ｍ）のものも見出されている。

【０１０９】ここで、Ｖ字型の電気光学応答を示す無し
きい値反強誘電性混合液晶の印加電圧に対する光透過率
の特性を示す図を図２２に示す。図２２に示すグラフの
縦軸は透過率（任意単位）、横軸は印加電圧である。な
お、液晶表示装置の入射側の偏光板の透過軸は、液晶表
示装置のラビング方向にほぼ一致する無しきい値反強誘
電性混合液晶のスメクティック層の法線方向とほぼ平行
に設定されている。また、出射側の偏光板の透過軸は、
入射側の偏光板の透過軸に対してほぼ直角（クロスニコ
ル）に設定されている。

【０１１０】図２２に示されるように、このような無し
きい値反強誘電性混合液晶を用いると、低電圧駆動かつ
階調表示が可能となることがわかる。

【０１１１】このような低電圧駆動の無しきい値反強誘
電性混合液晶をアナログドライバを有する液晶表示装置
に用いた場合には、画像信号のサンプリング回路の電源
電圧を、例えば、５Ｖ〜８Ｖ程度に抑えることが可能と
なる。よって、ドライバの動作電源電圧を下げることが
でき、液晶表示装置の低消費電力化および高信頼性が実
現できる。

【０１１２】また、このような低電圧駆動の無しきい値
反強誘電性混合液晶をデジタルドライバを有する液晶表
示装置に用いた場合にも、Ｄ／Ａ変換回路の出力電圧を
下げることができるので、Ｄ／Ａ変換回路の動作電源電
圧を下げることができ、ドライバの動作電源電圧を低く
することができる。よって、液晶表示装置の低消費電力
化および高信頼性が実現できる。

【０１１３】よって、このような低電圧駆動の無しきい
値反強誘電性混合液晶を用いることは、比較的ＬＤＤ領
域（低濃度不純物領域）の幅が小さなＴＦＴ（例えば、
０ｎｍ〜５００ｎｍまたは０ｎｍ〜２００ｎｍ）を用い
る場合においても有効である。

【０１１４】また、一般に、無しきい値反強誘電性混合
液晶は自発分極が大きく、液晶自体の誘電率が高い。こ
のため、無しきい値反強誘電性混合液晶を液晶表示装置
に用いる場合には、画素に比較的大きな保持容量が必要
となってくる。よって、自発分極が小さな無しきい値反
強誘電性混合液晶を用いるのが好ましい。

【０１１５】なお、このような無しきい値反強誘電性混
合液晶を用いることによって低電圧駆動が実現されるの
で、液晶表示装置の低消費電力が実現される。

【０１１６】なお、図２２に示すような電気光学特性を
有する液晶であれば、いかなるものも本発明の液晶表示
装置の表示媒体として用いることができる。

【０１１７】次に、カップリング容量を形成したアクテ
ィブマトリクス液晶表示装置の画素電極の電極波形のシ
ミュレーションの結果を図１３〜図１８を用いて説明す
る。

【０１１８】図１３にシミュレーションのモデルとなっ
た回路図を示す。画素数は１０×１０とし、ゲート信号
線駆動回路全体の上に３００ｎＦの容量値のカップリン
グ容量を形成したと仮定した。シミュレーション結果
は、１ライン目のゲート信号線に接続された全ての画素
ＴＦＴ及び６ライン目のゲート信号線に接続された全て
の画素ＴＦＴの、画素電極の電極波形を測定したもので
ある。

【０１１９】図１４は図１３における画素部の等価回路
図である。画素ＴＦＴ３２、保持容量３０が図１４に示
すように設けられている。図１５〜図１８に示したシミ
ュレーション結果は図１４におけるｐｏｉｎｔＡの電位
を測定したものである。

【０１２０】図１５に、カップリング容量を形成し、フ
レーム反転で駆動するアクティブマトリクス型液晶表示
装置において、白から黒に表示を変化させたときの、画
素電極の電極波形のシミュレーション結果を示す。画素
電位は８Ｖを基準として＋５Ｖの信号を画素電極に印加
している。

【０１２１】図１５に示されたシミュレーション結果に
おいて、波形を形成しているラインは、１ライン目及び
６ライン目のゲート信号線に接続された画素ＴＦＴそれ
ぞれの画素電極の電極波形を示している。測定開始時か
ら約０．４μｓｅｃの間に立ち上がりが見られる電極波
形は、１ライン目のゲート信号線に接続された画素ＴＦ
Ｔのものである。１ライン目のゲート信号線に接続され
た画素部は、測定開始時から約０．４μｓｅｃの間に白
から黒に表示が変化していることを示している。

【０１２２】また、測定開始時から約２．５μｓｅｃの
間約８Ｖに保たれ、約２．５μｓｅｃから約３．０μｓ
ｅｃの間に立ち上がりが見られる電極波形は、６ライン
目のゲート信号線に接続された画素ＴＦＴのものであ
る。６ライン目のゲート信号線に接続された画素部は、
約２．５μｓｅｃから約３．０μｓｅｃの間に白から黒
に表示が変化していることを示している。

【０１２３】比較対照として図１６にカップリング容量
を形成しないで、フレーム反転で駆動するアクティブマ
トリクス型液晶表示装置において、白から黒に表示を変
化させたときの、画素電極の電極波形のシミュレーショ
ン結果を示す。図１６では電源からのノイズによる、細
かい波形の乱れが見られる。しかし図１５では細かいノ
イズは見られず、きれいな波形が得られており、カップ
リング容量によって電源からのノイズによる、遮蔽膜及
び対向電極の電位の変動ΔＶが小さくなったことがわか
る。

【０１２４】図１７に、カップリング容量を形成し、ソ
ースライン反転で駆動するアクティブマトリクス型液晶
表示装置において、白から黒に表示を変化させたとき
の、画素電極の電極波形のシミュレーション結果を示
す。画素電位は８Ｖを基準としており、奇数番目のソー
ス信号線に接続されている画素電極には＋５Ｖの信号
を、偶数番目のソース信号線に接続されている画素電極
には−５Ｖの信号を印加している。

【０１２５】図１７に示されたシミュレーション結果に
おいて、波形を形成しているラインは、１ライン目及び
６ライン目のゲート信号線に接続された画素ＴＦＴそれ
ぞれの画素電極の電極波形を示している。測定開始時か
ら約０．５μｓｅｃの間に立ち上がりと、立ち下がりが
見られる電極波形は、１ライン目のゲート信号線に接続
された画素ＴＦＴのものである。

【０１２６】立ち上がっている電極波形は、奇数番目の
ソース信号線に接続されている画素電極の電極波形であ
り、白から黒に表示が変化していることを示している。
また立ち下がっている電極波形は、偶数番目のソース信
号線に接続されている画素電極の電極波形である。

【０１２７】また、測定開始時から約２．６μｓｅｃの
間約８Ｖに保たれ、約２．６μｓｅｃから約３．０μｓ
ｅｃの間に立ち上がりと立ち下がりが見られる電極波形
は、６ライン目のゲート信号線に接続された画素ＴＦＴ
のものである。

【０１２８】立ち上がっている電極波形は、奇数番目の
ソース信号線に接続されている画素電極の電極波形であ
り、白から黒に表示が変化していることを示している。
また立ち下がっている電極波形は、偶数番目のソース信
号線に接続されている画素電極の電極波形である。

【０１２９】比較対照として図１８にカップリング容量
を形成せず、ソースライン反転で駆動するアクティブマ
トリクス型液晶表示装置において、白から黒に表示が変
わったときの、画素電極の電極波形のシミュレーション
結果を示す。図１８では電源からのノイズによる、細か
い波形の乱れが見られる。しかし図１７では細かいノイ
ズは見られず、きれいな波形が得られており、カップリ
ング容量によって電源からのノイズによる、遮蔽膜及び
対向電極の電位の変動ΔＶが小さくなったことがわか
る。

【０１３０】このように本発明では、従来のカップリン
グ容量を設けない場合と比較して、遮蔽膜及び対向電極
に接続されている容量の容量値が大きくなり、遮蔽膜及
び対向電極の電位をより一定に保つことが可能になる。
また画素部に設けられる保持容量の容量値はそのままで
開口率を低下させなくても、ノイズによる遮蔽膜及び対
向電極の電位の変動ΔＶを従来よりも小さく抑えること
が可能になり、電源からのノイズが対向電極に伝わり液
晶にノイズが印加されることによる表示画像の乱れを防
ぐことができる。

【０１３１】（実施例２）

【０１３２】本実施例では、実施例１で示したアクティ
ブマトリクス型液晶表示装置の別の例を示す。

【０１３３】本実施例のアクティブマトリクス型液晶表
示装置の上面の概略図を図５に示す。図５において、５
０１はアクティブマトリクス基板であり、ソース信号線
駆動回路５０２及びゲート信号線駆動回路５０３には回
路ＴＦＴが設けられ、画素領域５０４には画素ＴＦＴが
マトリクス状に設けられている。本実施例ではゲート信
号線駆動回路５０３を１つだけ設けている。アクティブ
マトリクス基板５０１としては、ガラス基板などが用い
られる。

【０１３４】画素領域５０４の上と、ゲート信号線駆動
回路５０３の上には、可視光を透過する必要のある領域
（図示せず）を残して遮蔽膜５０５が形成されている。
遮蔽膜５０５は図面では示していないが、実際にはマト
リクス形状をしている。

【０１３５】遮蔽膜５０５はアルミニウム（Ａｌ）、チ
タン（Ｔｉ）、クロム（Ｃｒ）またはタンタル（Ｔａ）
を有する膜が好ましい。図５では遮蔽膜５０５はゲート
信号線駆動回路５０３の一部の上に設けられているが、
ゲート信号線駆動回路５０３全体の上に設けるようにし
ても良い。

【０１３６】遮蔽膜５０５は接続部５１０において、コ
モン線と接続されている。コモン線５０６はＦＰＣ５０
９によって電源に接続され、一定の電位（基準電位）に
保たれており、遮蔽膜５０５も一定の電位（基準電位）
に保たれている。

【０１３７】遮蔽膜５０５の上に誘電体（図示せず）を
挟んで、導電体５０７ａ及び導電体５０７ｂ（総称して
導電体５０７）が設けられている。導電体５０７ａの一
部は、ゲート信号線駆動回路５０３の一部または全部の
上に設けられている。また、導電体５０７ｂの一部は、
遮蔽膜５０５の画素領域５０４を挟んでゲート信号線駆
動回路５０３の反対側の部分上に設けられている。

【０１３８】遮蔽膜５０５及び導電体５０７は画素領域
５０４及びソース信号線駆動回路５０２の上には設けら
れていない。本発明において、ソース信号線駆動回路上
にカップリング容量を形成しない理由は上述したとおり
である。

【０１３９】導電体５０７は一定の電位（基準電位）に
保たれたコモン線５０６に接続されている。コモン線５
０６に接続された導電体５０７も基準電位に保たれてい
る。

【０１４０】遮蔽膜５０５の上に、誘電体（図示せず）
を挟んで導電体５０７ａ及び導電体５０７ｂが設けられ
ている部分に、カップリング容量５０８が形成されてい
る。

【０１４１】なお、カップリング容量５０８の容量値Ｃ
_Kは、ノイズの周波数ｆと配線抵抗Ｒとの値によって決
まる。カップリング容量のインピーダンスＺが配線抵抗
Ｒよりも小さくなることによって、よりノイズが直接対
向電極に伝わりずらくなる。 Ｒ＞Ｚ＝１／（２πｆＣ_K） を満たすように、用いる回路によってカップリング容量
を適宜設計することは有効である。

【０１４２】このように本発明では、画素領域５０４及
びソース信号線駆動回路５０２の上以外であるならば、
ゲート信号線駆動回路の上以外でも、カップリング容量
を形成することが可能である。

【０１４３】（実施例３）

【０１４４】本発明を実施して形成されたアクティブマ
トリクス型液晶表示装置は様々な電気光学装置（アクテ
ィブマトリクス型液晶ディスプレイ、アクティブマトリ
クス型ＥＬディスプレイ、アクティブマトリクス型ＥＣ
ディスプレイ）に用いることができる。即ち、それら電
気光学装置を表示媒体として組み込んだ電子機器全てに
本発明を実施できる。

【０１４５】その様な電子機器としては、ビデオカメ
ラ、デジタルカメラ、プロジェクター（リア型またはフ
ロント型）、ヘッドマウントディスプレイ（ゴーグル型
ディスプレイ）、カーナビゲーション、パーソナルコン
ピュータ、携帯情報端末（モバイルコンピュータ、携帯
電話または電子書籍等）などが挙げられる。それらの一
例を図１９〜図２１に示す。

【０１４６】図１９（Ａ）はパーソナルコンピュータで
あり、本体２００１、画像入力部２００２、表示装置２
００３、キーボード２００４で構成される。本発明を画
像入力部２００２、表示装置２００３に適用することが
できる。

【０１４７】図１９（Ｂ）はビデオカメラであり、本体
２１０１、表示装置２１０２、音声入力部２１０３、操
作スイッチ２１０４、バッテリー２１０５、受像部２１
０６で構成される。本発明を表示装置２１０２に適用す
ることができる。

【０１４８】図１９（Ｃ）はモバイルコンピュータ（モ
ービルコンピュータ）であり、本体２２０１、カメラ部
２２０２、受像部２２０３、操作スイッチ２２０４、表
示装置２２０５で構成される。本発明は表示装置２２０
５に適用できる。

【０１４９】図１９（Ｄ）はゴーグル型ディスプレイで
あり、本体２３０１、表示装置２３０２、アーム部２３
０３で構成される。本発明は表示装置２３０２に適用す
ることができる。

【０１５０】図１９（Ｅ）はプログラムを記録した記録
媒体（以下、記録媒体と呼ぶ）を用いるプレーヤーであ
り、本体２４０１、表示装置２４０２、スピーカ部２４
０３、記録媒体２４０４、操作スイッチ２４０５で構成
される。なお、この装置は記録媒体としてＤＶＤ（Ｄｉ
ｇｉｔａｌ Ｖｅｒｓａｔｉｌｅ Ｄｉｓｃ）、ＣＤ等
を用い、音楽鑑賞や映画鑑賞やゲームやインターネット
を行うことができる。本発明は表示装置２４０２に適用
することができる。

【０１５１】図１９（Ｆ）はデジタルカメラであり、本
体２５０１、表示装置２５０２、接眼部２５０３、操作
スイッチ２５０４、受像部（図示しない）で構成され
る。本発明を表示装置２５０２に適用することができ
る。

【０１５２】図２０（Ａ）はフロント型プロジェクター
であり、光源光学系及び表示装置２６０１、スクリーン
２６０２で構成される。本発明は表示装置に適用するこ
とができる。

【０１５３】図２０（Ｂ）はリア型プロジェクターであ
り、本体２７０１、光源光学系及び表示装置２７０２、
ミラー２７０３、スクリーン２７０４で構成される。本
発明は表示装置に適用することができる。

【０１５４】なお、図２０（Ｃ）は、図２０（Ａ）及び
図２０（Ｂ）中における光源光学系及び表示装置２６０
１、２７０２の構造の一例を示した図である。光源光学
系及び表示装置２６０１、２７０２は、光源光学系２８
０１、ミラー２８０２、２８０４〜２８０６、ダイクロ
イックミラー２８０３、光学系２８０７、表示装置２８
０８、位相差板２８０９、投射光学系２８１０で構成さ
れる。投射光学系２８１０は、投射レンズを備えた複数
の光学レンズで構成される。この構成は、表示装置２８
０８を三つ使用しているため三板式と呼ばれている。ま
た、図２０（Ｃ）中において矢印で示した光路に実施者
が適宜、光学レンズや、偏光機能を有するフィルムや、
位相差を調節するためのフィルム、ＩＲフィルム等を設
けてもよい。

【０１５５】また、図２０（Ｄ）は、図２０（Ｃ）中に
おける光源光学系２８０１の構造の一例を示した図であ
る。本実施例では、光源光学系２８０１は、リフレクタ
ー２８１１、光源２８１２、レンズアレイ２８１３、２
８１４、偏光変換素子２８１５、集光レンズ２８１６で
構成される。なお、図２０（Ｄ）に示した光源光学系は
一例であって特に限定されない。例えば、光源光学系に
実施者が適宜、光学レンズや、偏光機能を有するフィル
ムや、位相差を調節するフィルム、ＩＲフィルム等を設
けてもよい。

【０１５６】図２０（Ｃ）は三板式の例を示したが、図
２１（Ａ）は単板式の一例を示した図である。図２１
（Ａ）に示した光源光学系及び表示装置は、光源光学系
２９０１、表示装置２９０２、投射光学系２９０３で構
成される。投射光学系２９０３は、投射レンズを備えた
複数の光学レンズで構成される。図２１（Ａ）に示した
光源光学系及び表示装置は図２０（Ａ）及び図２０
（Ｂ）中における光源光学系及び表示装置２６０１、２
７０２に適用できる。また、光源光学系２９０１は図２
０（Ｄ）に示した光源光学系を用いればよい。なお、表
示装置２９０２にはカラーフィルター（図示しない）が
設けられており、表示映像をカラー化している。

【０１５７】また、図２１（Ｂ）に示した光源光学系及
び表示装置は、図２１（Ａ）の応用例であり、カラーフ
ィルターを設ける代わりに、ＲＧＢの回転カラーフィル
ター円板２９０５を用いて表示映像をカラー化してい
る。図２１（Ｂ）に示した光源光学系及び表示装置は図
２０（Ａ）及び図２０（Ｂ）中における光源光学系及び
表示装置２６０１、２７０２に適用できる。

【０１５８】また、図２１（Ｃ）に示した光源光学系及
び表示装置は、カラーフィルターレス単板式と呼ばれて
いる。この方式は、表示装置２９１６にマイクロレンズ
アレイ２９１５を設け、ダイクロイックミラー（緑）２
９１２、ダイクロイックミラー（赤）２９１３、ダイク
ロイックミラー（青）２９１４を用いて表示映像をカラ
ー化している。投射光学系２９１７は、投射レンズを備
えた複数の光学レンズで構成される。図２１（Ｃ）に示
した光源光学系及び表示装置は図２０（Ａ）及び図２０
（Ｂ）中における光源光学系及び表示装置２６０１、２
７０２に適用できる。また、光源光学系２９１１として
は、光源の他に結合レンズ、コリメータレンズを用いた
光学系を用いればよい。

【０１５９】以上の様に、本発明の適用範囲は極めて広
く、あらゆる分野の電子機器に適用することが可能であ
る。また、本実施例の電子機器は実施例１〜２のどのよ
うな組み合わせからなる構成を用いても実現することが
できる。

【０１６０】

【発明の効果】

【０１６１】本発明の構成によって、遮蔽膜及び対向電
極に接続されている全ての容量の容量値を、より大きく
することができる。よってノイズによる遮蔽膜及び対向
電極の電位の変動ΔＶを従来よりも小さく抑えることが
可能になり、電源からのノイズが対向電極に伝わり液晶
にノイズが印加されることによる表示画像の乱れを防ぐ
ことができる。

【０１６２】またカップリング容量をゲート信号線駆動
回路上に形成することで、限られた面積の基板上により
大きな容量値を有するカップリング容量を形成すること
ができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】 本実施の形態アクティブマトリクス基板の概
略上面図。

【図２】 実施例１のアクティブマトリクス基板の概略
断面図。

【図３】 本実施の形態アクティブマトリクス基板の回
路図。

【図４】 実施例１のアクティブマトリクス基板の概略
上面図。

【図５】 実施例２のアクティブマトリクス基板の概略
上面図。

【図６】 実施例１の画素部の上面構造を示す図。

【図７】 実施例１の画素部の上面構造を示す図。

【図８】 ＴＦＴの作製工程を示す断面図。

【図９】 ＴＦＴの作製工程を示す断面図。

【図１０】 ＴＦＴの作製工程を示す断面図。

【図１１】 ＴＦＴの作製工程を示す断面図。

【図１２】 ＴＦＴの作製工程を示す断面図。

【図１３】 アクティブマトリクス基板のシミュレーシ
ョンのモデルとなる回路図。

【図１４】 アクティブマトリクス基板のシミュレーシ
ョンのモデルとなる回路における画素部の等価回路図。

【図１５】 本発明のシミュレーション結果を示す図。

【図１６】 本発明のシミュレーション結果を示す図。

【図１７】 本発明のシミュレーション結果を示す図。

【図１８】 本発明のシミュレーション結果を示す図。

【図１９】 本発明の液晶表示装置を用いた電子機器の
例。

【図２０】 本発明の液晶表示装置を用いた三板式フロ
ントプロジェクタおよびリアプロジェクタの概略構成
図。

【図２１】 本発明の液晶表示装置を用いた単板式プロ
ジェクタの概略構成図。

【図２２】 従来のアクティブマトリクス基板の概略上
面図。

【図２３】 無しきい値反強誘電性混合液晶の印加電圧
に対する光透過率の特性を示す図。

【図２４】 カップリング容量の上面図及び断面図。

【符号の説明】

１０１ ソース信号線駆動回路 １０２ ゲート信号線駆動回路 １０３ 画素領域 １０４ 画素ＴＦＴ １０５ 液晶セル １０６ 保持容量 １０７ ソース信号線 １０８ ゲート信号線 １０９ カップリング容量 １１０ コモン線 １１１ 第１の電極 １１２ 第２の電極 １１４ 画素部 １１５ 接続配線

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 2H092 GA33 GA35 GA59 JA25 JB51 JB56 JB62 JB64 JB66 JB69 KA04 KA07 KA10 KB04 KB13 MA05 MA27 MA41 NA07 NA11 NA25 PA06 2H093 NA16 NC34 NC35 NC58 NC62 NC90 ND10 ND40 NE03 NE06 NG02 5C094 AA02 BA03 BA43 CA19 DA15 EA03 EA04 EA05 EA07 EA10 ED15 FB02 FB15 FB19 HA10

Claims (11)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 基板上にソース信号線駆動回路と、複数
   の画素ＴＦＴおよび複数の保持容量を含む画素領域と、
   カップリング容量とを有するアクティブマトリクス型液
   晶表示装置であって、 前記カップリング容量は前記複数の保持容量のそれぞれ
   と直列に接続されており、 前記カップリング容量は第１の電極と、第２の電極と、
   前記第１の電極と前記第２の電極との間に設けられた誘
   電体とからなり、 前記カップリング容量は前記ソース信号線駆動回路が有
   する回路ＴＦＴ及び配線上には設けられておらず、 前記第１の電極と前記第２の電極はコモン線に電気的に
   接続されていることを特徴とするアクティブマトリクス
   型液晶表示装置。
2. 【請求項２】 基板上にソース信号線駆動回路と、ゲー
   ト信号線駆動回路と、複数の画素ＴＦＴおよび複数の保
   持容量を含む画素領域と、カップリング容量とを有する
   アクティブマトリクス型液晶表示装置であって、 前記カップリング容量は前記複数の保持容量のそれぞれ
   と直列に接続されており、 前記カップリング容量は第１の電極と、第２の電極と、
   前記第１の電極と前記第２の電極との間に設けられた誘
   電体とからなり、 前記カップリング容量は前記ソース信号線駆動回路が有
   する第１の回路ＴＦＴ及び配線上には設けられておら
   ず、 前記カップリング容量は前記ゲート信号線駆動回路が有
   する第２の回路ＴＦＴの少なくとも１つを覆っており、 前記第１の電極と前記第２の電極はコモン線に電気的に
   接続されていることを特徴とするアクティブマトリクス
   型液晶表示装置。
3. 【請求項３】 基板上にソース信号線駆動回路と、複数
   の画素ＴＦＴおよび複数の保持容量を含む画素領域と、
   カップリング容量とを有するアクティブマトリクス型液
   晶表示装置であって、 前記カップリング容量は前記複数の保持容量のそれぞれ
   と直列に接続されており、 前記カップリング容量は遮蔽膜の一部である第１の電極
   と、第２の電極と、前記第１の電極と前記第２の電極と
   の間に設けられた誘電体とからなり、 前記カップリング容量は前記ソース信号線駆動回路が有
   する回路ＴＦＴ及び配線上には設けられておらず、 前記第１の電極と前記第２の電極はコモン線に電気的に
   接続されていることを特徴とするアクティブマトリクス
   型液晶表示装置。
4. 【請求項４】 基板上にソース信号線駆動回路と、ゲー
   ト信号線駆動回路と、複数の画素ＴＦＴおよび複数の保
   持容量を含む画素領域と、カップリング容量とを有する
   アクティブマトリクス型液晶表示装置であって、 前記カップリング容量は前記複数の保持容量のそれぞれ
   と直列に接続されており、 前記カップリング容量は遮蔽膜の一部である第１の電極
   と、第２の電極と、前記第１の電極と前記第２の電極と
   の間に設けられた誘電体とからなり、 前記カップリング容量は前記ソース信号線駆動回路が有
   する第１の回路ＴＦＴ及び配線上には設けられておら
   ず、 前記カップリング容量は前記ゲート信号線駆動回路が有
   する第２の回路ＴＦＴの少なくとも１つを覆っており、 前記第１の電極と前記第２の電極はコモン線に電気的に
   接続されていることを特徴とするアクティブマトリクス
   型液晶表示装置。
5. 【請求項５】 請求項３または請求項４のいずれか１項
   において、前記誘電体は前記遮蔽膜の陽極酸化膜である
   ことを特徴とするアクティブマトリクス型液晶表示装
   置。
6. 【請求項６】 請求項３乃至請求項５のいずれか１項に
   おいて、前記遮蔽膜はアルミニウム（Ａｌ）、チタン
   （Ｔｉ）またはタンタル（Ｔａ）を有することを特徴と
   するアクティブマトリクス型液晶表示装置。
7. 【請求項７】 請求項１乃至請求項６のいずれか１項に
   おいて、前記カップリング容量のインピーダンスが、前
   記第１の電極と前記第２の電極との間の配線抵抗よりも
   小さいことを特徴とするアクティブマトリクス型液晶表
   示装置。
8. 【請求項８】 請求項１乃至請求項７のいずれか１項に
   おいて、前記第２の電極はＩＴＯを有することを特徴と
   するアクティブマトリクス型液晶表示装置。
9. 【請求項９】 請求項１乃至請求項８のいずれか１項に
   記載の前記アクティブマトリクス型液晶表示装置を用い
   たことを特徴とするリアプロジェクター。
10. 【請求項１０】 請求項１乃至請求項８のいずれか１項
    に記載の前記アクティブマトリクス型液晶表示装置を用
    いたことを特徴とするヘッドマウントディスプレイ。
11. 【請求項１１】 請求項１乃至請求項８のいずれか１項
    に記載の前記アクティブマトリクス型液晶表示装置を用
    いたことを特徴とするコンピュータ。