JP2001064098A5 - - Google Patents
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- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 36
- TWXTWZIUMCFMSG-UHFFFAOYSA-N nitride(3-) Chemical compound [N-3] TWXTWZIUMCFMSG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 34
- 239000000155 melt Substances 0.000 description 26
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 22
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 20
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 18
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 7
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 6
- 230000001629 suppression Effects 0.000 description 3
- 238000002109 crystal growth method Methods 0.000 description 2
- 238000010899 nucleation Methods 0.000 description 2
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 2
- 210000004940 Nucleus Anatomy 0.000 description 1
Priority Applications (7)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP23719599A JP4094780B2 (ja) | 1999-08-24 | 1999-08-24 | 結晶成長方法および結晶成長装置並びにiii族窒化物結晶の製造方法および結晶製造装置 |
US09/590,063 US6592663B1 (en) | 1999-06-09 | 2000-06-08 | Production of a GaN bulk crystal substrate and a semiconductor device formed on a GaN bulk crystal substrate |
US10/601,301 US7250640B2 (en) | 1999-06-09 | 2003-06-13 | Production of a GaN bulk crystal substrate and a semiconductor device formed on a GaN bulk crystal substrate |
US11/408,656 US7508003B2 (en) | 1999-06-09 | 2006-04-20 | Production of a GaN bulk crystal substrate and a semiconductor device formed thereon |
US12/367,013 US8591647B2 (en) | 1999-06-09 | 2009-02-06 | Production of a GaN bulk crystal substrate and a semiconductor device formed thereon |
US14/057,690 US20140044970A1 (en) | 1999-06-09 | 2013-10-18 | PRODUCTION OF A GaN BULK CRYSTAL SUBSTRATE AND A SEMICONDUCTOR DEVICE FORMED ON A GaN BULK CRYSTAL SUBSTRATE |
US14/619,237 US9869033B2 (en) | 1999-06-09 | 2015-02-11 | Production of a GaN bulk crystal substrate and a semiconductor device formed on a GaN bulk crystal substrate |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP23719599A JP4094780B2 (ja) | 1999-08-24 | 1999-08-24 | 結晶成長方法および結晶成長装置並びにiii族窒化物結晶の製造方法および結晶製造装置 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007022916A Division JP2007191390A (ja) | 2007-02-01 | 2007-02-01 | Iii族窒化物結晶およびiii族窒化物結晶基板 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2001064098A JP2001064098A (ja) | 2001-03-13 |
JP2001064098A5 true JP2001064098A5 (zh) | 2006-06-22 |
JP4094780B2 JP4094780B2 (ja) | 2008-06-04 |
Family
ID=17011789
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP23719599A Expired - Lifetime JP4094780B2 (ja) | 1999-06-09 | 1999-08-24 | 結晶成長方法および結晶成長装置並びにiii族窒化物結晶の製造方法および結晶製造装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4094780B2 (zh) |
Families Citing this family (38)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7001457B2 (en) | 2001-05-01 | 2006-02-21 | Ricoh Company, Ltd. | Crystal growth method, crystal growth apparatus, group-III nitride crystal and group-III nitride semiconductor device |
US7220311B2 (en) | 2002-11-08 | 2007-05-22 | Ricoh Company, Ltd. | Group III nitride crystal, crystal growth process and crystal growth apparatus of group III nitride |
JP4508613B2 (ja) * | 2002-11-26 | 2010-07-21 | 株式会社リコー | Iii族窒化物の結晶製造方法 |
US7261775B2 (en) | 2003-01-29 | 2007-08-28 | Ricoh Company, Ltd. | Methods of growing a group III nitride crystal |
JP4534631B2 (ja) | 2003-10-31 | 2010-09-01 | 住友電気工業株式会社 | Iii族窒化物結晶の製造方法 |
JP5299213B2 (ja) * | 2003-10-31 | 2013-09-25 | 住友電気工業株式会社 | Iii族窒化物結晶の製造方法 |
JP2005194146A (ja) * | 2004-01-08 | 2005-07-21 | Sumitomo Electric Ind Ltd | Iii族窒化物結晶の製造方法 |
JP4562398B2 (ja) * | 2004-01-26 | 2010-10-13 | 株式会社リコー | Iii族窒化物の結晶製造方法 |
JP4661069B2 (ja) * | 2004-03-26 | 2011-03-30 | 三菱化学株式会社 | 周期表第13族金属窒化物結晶の製造方法 |
WO2005095681A1 (ja) * | 2004-03-31 | 2005-10-13 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Iii族元素窒化物結晶の製造方法、それに用いる製造装置、およびそれらにより得られた半導体素子 |
KR101077323B1 (ko) | 2004-07-07 | 2011-10-26 | 스미토모덴키고교가부시키가이샤 | 질화물단결정 및 그 제조방법 |
JP4722471B2 (ja) * | 2004-12-15 | 2011-07-13 | 株式会社リコー | Iii族窒化物結晶製造方法およびiii族窒化物結晶成長装置 |
JP4615327B2 (ja) * | 2005-02-03 | 2011-01-19 | 株式会社リコー | Iii族窒化物の結晶製造方法 |
JP4603498B2 (ja) | 2005-03-14 | 2010-12-22 | 株式会社リコー | Iii族窒化物結晶の製造方法及び製造装置 |
JP5046490B2 (ja) * | 2005-03-25 | 2012-10-10 | 日本碍子株式会社 | 単結晶育成用の反応容器および単結晶の育成方法 |
JP4640943B2 (ja) * | 2005-03-28 | 2011-03-02 | 株式会社リコー | Iii族窒化物の結晶製造方法 |
CA2608102C (en) | 2005-05-12 | 2011-03-15 | Seiji Sarayama | Method of producing group iii nitride crystal, apparatus for producing group iii nitride crystal, and group iii nitride crystal |
JP4690849B2 (ja) * | 2005-10-14 | 2011-06-01 | 株式会社リコー | 結晶成長装置および製造方法 |
US8101020B2 (en) | 2005-10-14 | 2012-01-24 | Ricoh Company, Ltd. | Crystal growth apparatus and manufacturing method of group III nitride crystal |
JP4732146B2 (ja) * | 2005-11-21 | 2011-07-27 | 株式会社リコー | 結晶成長装置および製造方法 |
JP4856934B2 (ja) | 2005-11-21 | 2012-01-18 | 株式会社リコー | GaN結晶 |
US20070215034A1 (en) | 2006-03-14 | 2007-09-20 | Hirokazu Iwata | Crystal preparing device, crystal preparing method, and crystal |
JP5053555B2 (ja) * | 2006-03-22 | 2012-10-17 | 株式会社リコー | 結晶製造装置および製造方法 |
JP5182944B2 (ja) | 2006-03-24 | 2013-04-17 | 日本碍子株式会社 | 窒化物単結晶の製造方法および装置 |
JP4921855B2 (ja) * | 2006-06-02 | 2012-04-25 | 株式会社リコー | 製造方法 |
JP4848243B2 (ja) * | 2006-10-13 | 2011-12-28 | 株式会社リコー | 結晶製造装置 |
JP4880499B2 (ja) * | 2007-03-08 | 2012-02-22 | 株式会社リコー | 結晶製造装置 |
US7708833B2 (en) | 2007-03-13 | 2010-05-04 | Toyoda Gosei Co., Ltd. | Crystal growing apparatus |
JP4926996B2 (ja) * | 2007-03-13 | 2012-05-09 | 豊田合成株式会社 | 結晶成長装置 |
WO2009110436A1 (ja) | 2008-03-03 | 2009-09-11 | 三菱化学株式会社 | 窒化物半導体結晶とその製造方法 |
JP5115413B2 (ja) * | 2008-09-09 | 2013-01-09 | トヨタ自動車株式会社 | 炭化珪素単結晶の製造装置および製造方法 |
JP4956515B2 (ja) * | 2008-09-26 | 2012-06-20 | 株式会社リコー | Iii族窒化物結晶の製造方法 |
JP5093924B2 (ja) * | 2009-01-09 | 2012-12-12 | 住友電気工業株式会社 | 種結晶表面のエッチング方法 |
CN102906315B (zh) * | 2010-05-31 | 2015-06-24 | 国际商业机器公司 | 制造单晶片 |
KR20140053184A (ko) * | 2011-07-13 | 2014-05-07 | 더 리전츠 오브 더 유니버시티 오브 캘리포니아 | 벌크 iii-족 질화물 결정들의 성장 |
JP5589997B2 (ja) * | 2011-09-12 | 2014-09-17 | 株式会社リコー | 結晶製造装置 |
JP5621870B2 (ja) * | 2013-03-22 | 2014-11-12 | 株式会社リコー | Iii族窒化物結晶の製造方法 |
CN115819791A (zh) * | 2022-12-16 | 2023-03-21 | 烟台大学 | 一种通过控制保护气压力调控mof形貌的方法 |
-
1999
- 1999-08-24 JP JP23719599A patent/JP4094780B2/ja not_active Expired - Lifetime
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