JP2006027976A - 窒化物単結晶の製造方法及びその製造装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 加熱炉1内の原料9及び種結晶7を定常時の設定温度まで昇温させる過程で、少なくとも種結晶7上の温度が原料9の析出の始まる温度から定常時の設定温度に達するまでの時間にわたり、種結晶7の温度を原料9の温度よりも高くする。
【選択図】 図3
Description
Glen A.SLACK and T.F.McNELLY, Journal of Crystal Growth 34(1976),p.263−279 R.Shelesser, Z.Sitar, Journal of Crystal Growth 234(2002),p.349−353
2 誘導加熱コイル
3 加熱炉本体
4 黒鉛るつぼ
7 種結晶
8 サセプター
9 原料
11 昇降手段(移動手段)
21 下部側誘導加熱コイル
22 上部側誘導加熱コイル
31 誘導加熱装置
34 抵抗加熱装置
35 レーザ加熱装置
Claims (7)
- 加熱炉内で窒化物単結晶用の原料を加熱して昇華させ、昇華させた原料を、前記加熱炉内に設けられた種結晶上に析出させて単結晶を成長させる窒化物単結晶の製造方法において、
前記加熱炉内の原料及び種結晶を定常時の設定温度まで昇温させる過程で、少なくとも種結晶上の温度が原料の析出の始まる温度から定常時の設定温度に達するまでの時間にわたり、種結晶の温度を原料の温度よりも高くすることを特徴とする窒化物単結晶の製造方法。 - 窒化物単結晶用の原料が収容されるるつぼと、窒化物単結晶を成長させる種結晶が取り付けられるサセプターとを内側に有する加熱炉を備えるとともに、この加熱炉内の前記るつぼ及び前記サセプターを加熱する加熱手段を備える窒化物単結晶の製造装置において、
前記加熱手段の加熱位置を前記サセプターに取り付けた種結晶の温度に応じて移動させる移動手段を具備することを特徴とする窒化物単結晶の製造装置。 - 窒化物単結晶用の原料が収容されるるつぼと、窒化物単結晶を成長させる種結晶が取り付けられるサセプターとを内側に有する加熱炉を備えるとともに、この加熱炉内の前記るつぼ及び前記サセプターを加熱する加熱手段を備える窒化物単結晶の製造装置において、
前記加熱手段が、前記るつぼを加熱するための加熱手段と前記サセプターを加熱するための加熱手段とを個別に備え、前記サセプターに取り付けた種結晶の温度に応じて、前記るつぼの温度と前記サセプターの温度とを別個に調整可能であることを特徴とする窒化物単結晶の製造装置。 - 窒化物単結晶用の原料が収容されるるつぼと、窒化物単結晶を成長させる種結晶が取り付けられるサセプターとを内側に有する加熱炉を備えるとともに、この加熱炉内の前記るつぼ及び前記サセプターを加熱する加熱手段を備える窒化物単結晶の製造装置において、
前記加熱手段の他に、前記サセプターに取り付けた種結晶の温度に応じて前記サセプターを加熱する加熱手段を別途設けたことを特徴とする窒化物単結晶の製造装置。 - 前記サセプターに取り付けた種結晶の温度に応じて前記サセプターを加熱する加熱手段が、誘導加熱装置であることを特徴とする請求項4記載の窒化物単結晶の製造装置。
- 前記サセプターに取り付けた種結晶の温度に応じて前記サセプターを加熱する加熱手段が、抵抗加熱装置であることを特徴とする請求項4記載の窒化物単結晶の製造装置。
- 前記サセプターに取り付けた種結晶の温度に応じて前記サセプターを加熱する加熱手段が、レーザ加熱装置であることを特徴とする請求項4記載の窒化物単結晶の製造装置。
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