JP4779848B2 - 第13族金属窒化物結晶の製造方法およびそれを用いた半導体デバイスの製造方法 - Google Patents
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[1] 周期表第13族の金属元素を含む融液中に、周期表第13族の金属元素と周期表第13族以外の金属元素とを含む複合窒化物を含有する原料、及びシードを配置し、少なくとも融液の一部を誘導電流による電磁力によって強制的に流動させることによりシードの表面に第13族金属窒化物結晶を成長させることを特徴とする第13族金属窒化物結晶の製造方法。
[2] 前記原料近傍から前記シード近傍に向かって融液を流動させることを特徴とする[1]に記載の第13族金属窒化物結晶の製造方法。
[3] 前記シード近傍から前記原料近傍に向かって融液を流動させることを特徴とする[1]に記載の第13族金属窒化物結晶の製造方法。
[4] 前記原料近傍から前記シード近傍に向かって融液を流動させ、かつ、前記シード近傍を通過した融液を前記原料近傍に循環させることを特徴とする[1]に記載の第13族金属窒化物結晶の製造方法。
[5] 融液中に発生させた電磁力によるピンチ力を制御するために、非導電性部材を前記融液中に配置して融液を流動させることを特徴とする[1]〜[4]のいずれかに記載の第13族金属窒化物結晶の製造方法。
[6] 周期表第13族以外の金属元素がアルカリ金属またはアルカリ土類金属であることを特徴とする[1]〜[5]のいずれかに記載の第13族金属窒化物結晶の製造方法。
[7] 周期表第13族の金属元素と周期表第13族以外の金属元素とを含む複合窒化物が、Li 3 GaN 2 、Na 3 GaN 2 、Ca 3 Ga 2 N 4 、またはBa 3 Ga 2 N 4 である[6]に記載の第13族金属窒化物結晶の製造方法。
[8] 窒素ガスを前記融液中に吹き込むことを特徴とする[1]〜[7]のいずれかに記載の第13族金属窒化物結晶の製造方法。
[9] [1]〜[8]のいずれかに記載の製造方法により第13族金属窒化物結晶を製造する工程を有することを特徴とする半導体デバイスの製造方法。
本発明の製造方法は、第13族の金属元素と第13族以外の金属元素とを含む複合窒化物を、第13族金属元素を含む融液に溶解し、少なくとも融液の一部を強制的に流動させることによってシードの表面に第13族金属窒化物結晶を成長させることを特徴とする。
本発明における原料の使用量は、原料と第13族の金属元素を含む融液の重量比が0.01〜500%となる量であることが好ましく、0.05〜100%となる量であることがより好ましく、0.1〜10%となる量であることがさらに好ましい。また第13属金属元素以外の金属窒化物の添加量は、第13族金属元素以外の金属窒化物と第13族の金属元素を含む融液の重量比が0.01〜500%となる量であることが好ましく、0.05〜100%となる量であることがより好ましく、0.1〜10%となる量であることがさらに好ましい。
反応式(1)や(2)にしたがってシード成長した後の融液は、第13族金属以外の金属(この場合はLi)の濃度が高くなっている。本発明の製造方法では、これを強制的に作製した融液の流れによって速やかに取り去ることが好ましい。特に本発明では、第13族金属窒化物原料へ融液が循環して行く途中で窒素ガスを吹き込んで、増加したLiを窒化することが有効であり好ましい。こうすることによって連続的な結晶成長が可能となり、大型の結晶を作ることができるようになる。
こうした反応を連続的に進行させるためには、結晶成長に伴って生成するLiを第13族の金属元素を含む融液中で、強制的な対流を作ることによって結晶成長界面近傍から取り除くことが重要である。これは、外部に高周波誘導コイルを設置し、前記合金中に誘導電流によるピンチ力を発生させることによって容易に実現することができる。具体的には、図1や図2に記載される装置を用いて行うことが可能である。
本発明において、過剰の複合窒化物を入れておけば、複合窒化物付近の合金融液中の濃度は飽和溶解度となり、反応式(1)におけるLi3GaN2の活量は1となるため好ましい。
また、結晶中への第13属金属以外の物質をドーピングする場合は、窒化物の形にして合金融液中に溶解すればよく、本発明の製造工程内で目的を達成してもよい。
ここでは、第13族の金属元素と第13族以外の金属元素からなる複合窒化物Li3GaN2を原料とし、第13族金属元素としてGaを用いてGa−Li合金系の融液を作製した場合を例にとって説明する。以下の説明は、これら以外の材料を選択した場合にも応用しうる。
本発明の製造方法は、半導体デバイスの製造方法における第13族金属窒化物結晶を製造する工程に用いることができる。その他の工程における原料、製造条件および装置は一般的な半導体デバイスの製造方法で用いられる原料、条件および装置をそのまま適用することができる。
2 Ga−Li合金
3 Li濃度が高いGa金属合金
4 複合窒化物
5 仕切板
6 誘導コイル
7 反応容器
8 雰囲気ガス導入管
9 ガス排出管
10 耐火材
11 ピンチ力
12 反応管
13 窒素ガス導入管
Claims (6)
- 周期表第13族の金属元素を含む融液中に、周期表第13族の金属元素と周期表第13族以外の金属元素とを含む複合窒化物を含有する原料、及びシードを配置し、少なくとも融液の一部を誘導電流による電磁力によって強制的に流動させることによりシードの表面に第13族金属窒化物結晶を成長させることを特徴とする第13族金属窒化物結晶の製造方法。
- 融液中に発生させた電磁力によるピンチ力を制御するために、非導電性部材を前記融液中に配置して融液を流動させることを特徴とする請求項1に記載の第13族金属窒化物結晶の製造方法。
- 周期表第13族以外の金属元素がアルカリ金属またはアルカリ土類金属であることを特徴とする請求項1または2に記載の第13族金属窒化物結晶の製造方法。
- 周期表第13族の金属元素と周期表第13族以外の金属元素とを含む複合窒化物が、Li 3 GaN 2 、Na 3 GaN 2 、Ca 3 Ga 2 N 4 、またはBa 3 Ga 2 N 4 である請求項3に記載の第13族金属窒化物結晶の製造方法。
- 窒素ガスを前記融液中に吹き込むことを特徴とする請求項1〜4のいずれか一項に記載の第13族金属窒化物結晶の製造方法。
- 請求項1〜5のいずれか一項に記載の製造方法により第13族金属窒化物結晶を製造する工程を有することを特徴とする半導体デバイスの製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2006196553A JP4779848B2 (ja) | 2006-07-19 | 2006-07-19 | 第13族金属窒化物結晶の製造方法およびそれを用いた半導体デバイスの製造方法 |
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JP2006196553A JP4779848B2 (ja) | 2006-07-19 | 2006-07-19 | 第13族金属窒化物結晶の製造方法およびそれを用いた半導体デバイスの製造方法 |
Publications (2)
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JP2008024535A JP2008024535A (ja) | 2008-02-07 |
JP4779848B2 true JP4779848B2 (ja) | 2011-09-28 |
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ID=39115558
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Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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Country Status (1)
Country | Link |
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JP (1) | JP4779848B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010105903A (ja) * | 2008-08-21 | 2010-05-13 | Mitsubishi Chemicals Corp | 第13族金属窒化物結晶の製造方法および半導体デバイスの製造方法 |
JP5003642B2 (ja) * | 2008-09-30 | 2012-08-15 | 豊田合成株式会社 | Iii族窒化物半導体結晶の製造装置 |
Family Cites Families (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005263511A (ja) * | 2004-03-16 | 2005-09-29 | Ricoh Co Ltd | Iii族窒化物の結晶成長方法およびiii族窒化物結晶および半導体デバイス |
JP4661069B2 (ja) * | 2004-03-26 | 2011-03-30 | 三菱化学株式会社 | 周期表第13族金属窒化物結晶の製造方法 |
JP4609207B2 (ja) * | 2004-07-02 | 2011-01-12 | 三菱化学株式会社 | 周期表第13族金属窒化物結晶の製造方法およびそれを用いた半導体デバイスの製造方法 |
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---|---|
JP2008024535A (ja) | 2008-02-07 |
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A977 | Report on retrieval |
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A131 | Notification of reasons for refusal |
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