JP2000264650A - エキシマレーザー用光学石英ガラスの製造方法および縦型加熱炉 - Google Patents
エキシマレーザー用光学石英ガラスの製造方法および縦型加熱炉Info
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- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
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Abstract
(57)【要約】
【目的】エキシマレーザーに対して高い透過性を有する
上に、耐レーザー性にも優れたエキシマレーザー用光学
石英ガラスの製造方法およびそれを実施する縦型加熱炉
を提供すること。 【解決手段】高純度の揮発性珪素化合物を火炎加水分解
して生成するすす状シリカを基体上に堆積させて多孔質
シリカ母材を形成したのち、該多孔質シリカ母材を水蒸
気及び水素を含有する雰囲気中で透明ガラス化すること
を特徴とするエキシマレーザー用光学石英ガラスの製造
方法およびそれを実施する縦型加熱炉。
上に、耐レーザー性にも優れたエキシマレーザー用光学
石英ガラスの製造方法およびそれを実施する縦型加熱炉
を提供すること。 【解決手段】高純度の揮発性珪素化合物を火炎加水分解
して生成するすす状シリカを基体上に堆積させて多孔質
シリカ母材を形成したのち、該多孔質シリカ母材を水蒸
気及び水素を含有する雰囲気中で透明ガラス化すること
を特徴とするエキシマレーザー用光学石英ガラスの製造
方法およびそれを実施する縦型加熱炉。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、エキシマレーザー用光
学石英ガラスの製造方法、詳しくはエキシマレーザー光
を光源とするリソグラフィー装置の光学系の作成に好適
な光学用石英ガラスの製造方法、さらに詳しくはＡｒＦ
エキシマレーザーリソグラフィー装置の大型のレンズ、
プリズム、ビームスプリッター等の光学系の作成に好適
な合成石英ガラスの製造方法、およびそれを実施するた
めの縦型加熱炉に関するものである。
学石英ガラスの製造方法、詳しくはエキシマレーザー光
を光源とするリソグラフィー装置の光学系の作成に好適
な光学用石英ガラスの製造方法、さらに詳しくはＡｒＦ
エキシマレーザーリソグラフィー装置の大型のレンズ、
プリズム、ビームスプリッター等の光学系の作成に好適
な合成石英ガラスの製造方法、およびそれを実施するた
めの縦型加熱炉に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、ＬＳＩの高集積化とともに、ウェ
ーハ上に描く集積回路のパターンも微細化の一途をたど
り、クオーターミクロン（０．２５μｍ）以下の超微細
パターンが描画された超ＬＳＩの量産化が始まりだして
いる。このような超微細パターンを得るには、それを描
画する露光光源も短波長化する必要があり、エキシマレ
ーザーを光源とするステッパーが開発され、既にＫｒＦ
エキシマレーザー（波長２４８ｎｍ）を光源とするステ
ッパーが実用化され、さらに次世代のステッパーとして
ＡｒＦエキシマレーザー（波長１９３ｎｍ）を光源とす
るステッパーが注目を集めている。このＫｒＦエキシマ
レーザーやＡｒＦエキシマレーザーのような短波長領域
においても十分な透過性を示す硝材としては石英ガラス
や蛍石等が挙げられるが、中でも高純度の揮発性珪素化
合物を火炎加水分解し、生成するすす状シリカを透明ガ
ラス化して得た合成石英ガラスは、２６０ｎｍ以下の波
長領域でも高い透過性を示すところから、エキシマレー
ザーを光源とするリソグラフィー用光学材料として好適
である。
ーハ上に描く集積回路のパターンも微細化の一途をたど
り、クオーターミクロン（０．２５μｍ）以下の超微細
パターンが描画された超ＬＳＩの量産化が始まりだして
いる。このような超微細パターンを得るには、それを描
画する露光光源も短波長化する必要があり、エキシマレ
ーザーを光源とするステッパーが開発され、既にＫｒＦ
エキシマレーザー（波長２４８ｎｍ）を光源とするステ
ッパーが実用化され、さらに次世代のステッパーとして
ＡｒＦエキシマレーザー（波長１９３ｎｍ）を光源とす
るステッパーが注目を集めている。このＫｒＦエキシマ
レーザーやＡｒＦエキシマレーザーのような短波長領域
においても十分な透過性を示す硝材としては石英ガラス
や蛍石等が挙げられるが、中でも高純度の揮発性珪素化
合物を火炎加水分解し、生成するすす状シリカを透明ガ
ラス化して得た合成石英ガラスは、２６０ｎｍ以下の波
長領域でも高い透過性を示すところから、エキシマレー
ザーを光源とするリソグラフィー用光学材料として好適
である。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記合
成石英ガラスにＫｒＦエキシマレーザーやＡｒＦエキシ
マレーザー等のエキシマーレーザーを長時間照射する
と、該エキシマレーザーが寿命２０ｎ秒程度のパルス光
で時間当りのエネルギーが高いため合成石英ガラス中に
Ｅ’ｃｅｎｔｅｒやＮＢＯＨＣと呼ばれる常磁性欠陥が
生成し、長期の安定性に欠ける問題があった。この問題
を解決する方法として、合成石英ガラス体に水素をドー
プする方法が特開平３−８８７４２号で提案されてい
る。しかしこの方法では合成石英ガラスの製造段階で還
元性欠陥が発生することがあり、この還元性欠陥がエキ
シマレーザーにより容易に分解されて常磁性欠陥を生
じ、これが波長２１５ｎｍに吸収バンドを生じ、エキシ
マレーザー、特にＡｒＦエキシマレーザーの透過率を著
しく低下させる不具合があった。前記常磁性欠陥は、石
英ガラス組織（ＳｉＯ2）中のＳｉが化学量論以下の酸
素と結合した欠陥である酸素欠損型欠陥等の欠陥である
が、この常磁性欠陥の発生を防止するため石英ガラスを
酸素を含む雰囲気で６００℃〜１５００℃の温度で酸化
処理したのち、３００℃〜６００℃で水素含有雰囲気中
で処理する光学用石英ガラスの製造方法が特開平６−１
６６５２８号公報で提案されている。前記方法では水素
含有雰囲気中の処理温度が３００℃〜６００℃と低温で
あるため、水素の合成石英ガラス体への拡散速度が小さ
く大型の石英ガラス部材を作成する場合、非常に時間が
かかる欠点を有していた。特に、近年、露光面積の拡大
に伴い使用される大口径化、肉厚化した光学系を前記温
度範囲で水素処理しても数箇月以上を要し工業的実施が
不可能であった。
成石英ガラスにＫｒＦエキシマレーザーやＡｒＦエキシ
マレーザー等のエキシマーレーザーを長時間照射する
と、該エキシマレーザーが寿命２０ｎ秒程度のパルス光
で時間当りのエネルギーが高いため合成石英ガラス中に
Ｅ’ｃｅｎｔｅｒやＮＢＯＨＣと呼ばれる常磁性欠陥が
生成し、長期の安定性に欠ける問題があった。この問題
を解決する方法として、合成石英ガラス体に水素をドー
プする方法が特開平３−８８７４２号で提案されてい
る。しかしこの方法では合成石英ガラスの製造段階で還
元性欠陥が発生することがあり、この還元性欠陥がエキ
シマレーザーにより容易に分解されて常磁性欠陥を生
じ、これが波長２１５ｎｍに吸収バンドを生じ、エキシ
マレーザー、特にＡｒＦエキシマレーザーの透過率を著
しく低下させる不具合があった。前記常磁性欠陥は、石
英ガラス組織（ＳｉＯ2）中のＳｉが化学量論以下の酸
素と結合した欠陥である酸素欠損型欠陥等の欠陥である
が、この常磁性欠陥の発生を防止するため石英ガラスを
酸素を含む雰囲気で６００℃〜１５００℃の温度で酸化
処理したのち、３００℃〜６００℃で水素含有雰囲気中
で処理する光学用石英ガラスの製造方法が特開平６−１
６６５２８号公報で提案されている。前記方法では水素
含有雰囲気中の処理温度が３００℃〜６００℃と低温で
あるため、水素の合成石英ガラス体への拡散速度が小さ
く大型の石英ガラス部材を作成する場合、非常に時間が
かかる欠点を有していた。特に、近年、露光面積の拡大
に伴い使用される大口径化、肉厚化した光学系を前記温
度範囲で水素処理しても数箇月以上を要し工業的実施が
不可能であった。
【０００４】しかし、合成石英ガラスを水素処理した時
に生じる還元性欠陥を効率的に治癒するには予め石英ガ
ラス中に酸素過剰型欠陥を作成しておき、それを水素処
理をするのが有効であるところから、本発明者等は、上
記公報記載のエキシマレーザー用光学石英ガラスの製造
方法を改善すべく研究を続け、高純度の揮発性珪素化合
物を火炎加水分解して生成したすす状シリカを基体上に
堆積させて多孔質シリカ母材を形成したのち酸化性雰囲
気中で加熱し透明ガラス化したのち、還元性雰囲気中で
熱処理するエキシマレーザー用光学石英ガラスの製造方
法を開発し特願平１０−３７１０８４号で提案してい
る。しかしながら、前記製造方法では酸化雰囲気中の透
明ガラス化に続いて、還元性雰囲気中での熱処理を行う
という２工程でエキシマレーザー用光学石英ガラスを製
造するところからコスト高となる欠点がある。そこで、
本発明者等は、より低コストで透過性、耐レーザー性に
優れたエキシマレーザー用光学石英ガラスを製造する方
法を開発すべく鋭意研究を重ねた結果、高純度の揮発性
珪素化合物を火炎加水分解して生成したすす状シリカを
堆積して得た多孔質シリカ母材を水蒸気及び水素を含有
する雰囲気中で透明ガラス化することで、前記目的が達
成できることを見出して本発明を完成したものである。
すなわち、
に生じる還元性欠陥を効率的に治癒するには予め石英ガ
ラス中に酸素過剰型欠陥を作成しておき、それを水素処
理をするのが有効であるところから、本発明者等は、上
記公報記載のエキシマレーザー用光学石英ガラスの製造
方法を改善すべく研究を続け、高純度の揮発性珪素化合
物を火炎加水分解して生成したすす状シリカを基体上に
堆積させて多孔質シリカ母材を形成したのち酸化性雰囲
気中で加熱し透明ガラス化したのち、還元性雰囲気中で
熱処理するエキシマレーザー用光学石英ガラスの製造方
法を開発し特願平１０−３７１０８４号で提案してい
る。しかしながら、前記製造方法では酸化雰囲気中の透
明ガラス化に続いて、還元性雰囲気中での熱処理を行う
という２工程でエキシマレーザー用光学石英ガラスを製
造するところからコスト高となる欠点がある。そこで、
本発明者等は、より低コストで透過性、耐レーザー性に
優れたエキシマレーザー用光学石英ガラスを製造する方
法を開発すべく鋭意研究を重ねた結果、高純度の揮発性
珪素化合物を火炎加水分解して生成したすす状シリカを
堆積して得た多孔質シリカ母材を水蒸気及び水素を含有
する雰囲気中で透明ガラス化することで、前記目的が達
成できることを見出して本発明を完成したものである。
すなわち、
【０００５】本発明は、エキシマレーザーに対して高い
透過性を有し、かつレーザー耐性にも優れたエキシマレ
ーザー用光学石英ガラスを低コストで製造する方法を提
供することを目的とする。
透過性を有し、かつレーザー耐性にも優れたエキシマレ
ーザー用光学石英ガラスを低コストで製造する方法を提
供することを目的とする。
【０００６】また、本発明は、ＡｒＦエキシマレーザー
に対して高い透過率を示すとともに、耐レーザー性にも
優れた大型のＡｒＦエキシマレーザー用光学石英ガラス
を低コストで製造する方法を提供することを目的とす
る。
に対して高い透過率を示すとともに、耐レーザー性にも
優れた大型のＡｒＦエキシマレーザー用光学石英ガラス
を低コストで製造する方法を提供することを目的とす
る。
【０００７】さらに、本発明は、上記製造方法を実施す
るための縦型加熱炉を提供することを目的とする。
るための縦型加熱炉を提供することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成する本発
明は、高純度の揮発性珪素化合物を火炎加水分解して生
成するすす状シリカを基体上に堆積させて多孔質シリカ
母材を形成したのち、該多孔質シリカ母材を水蒸気及び
水素を含有する雰囲気中で透明ガラス化することを特徴
とするエキシマレーザー用光学石英ガラスの製造方法お
よび該透明ガラス化を実施するための縦型加熱炉に係
る。
明は、高純度の揮発性珪素化合物を火炎加水分解して生
成するすす状シリカを基体上に堆積させて多孔質シリカ
母材を形成したのち、該多孔質シリカ母材を水蒸気及び
水素を含有する雰囲気中で透明ガラス化することを特徴
とするエキシマレーザー用光学石英ガラスの製造方法お
よび該透明ガラス化を実施するための縦型加熱炉に係
る。
【０００９】上記高純度の揮発性珪素化合物としては、
例えば四塩化珪素、メチルトリメトキシシラン、テトラ
メトキシシラン等が挙げられ、これらを火炎加水分解し
て生成したすす状シリカを回転する耐熱性基体上に堆積
することで多孔質シリカ母材（以下スート体という）が
形成される。本発明にあっては、前記スート体は続いて
水蒸気および水素を含有する雰囲気中で透明ガラス化さ
れるが、その加熱温度は１４００〜１７００℃の範囲が
よい。さらに好ましくは１５００〜１６００℃の範囲が
よい。前記温度未満ではスート体の溶け残りが生じ、１
７００℃を超えると処理炉の変形が起こり危険である。
また、水蒸気および水素を含有する雰囲気中での水蒸気
濃度は１〜２０ｖｏｌ％、水素濃度は２０〜９０ｖｏｌ
％の範囲がよい。水蒸気濃度が１ｖｏｌ％未満では得ら
れた石英ガラスのレーザー耐性が劣り、水蒸気濃度が２
０ｖｏｌ％を超えると石英ガラス中に気泡が残存するよ
うになる。また、水素濃度が２０ｖｏｌ％未満ではレー
ザー耐性の向上がみれず、９０ｖｏｌ％を超えると還元
性欠陥によるエキシマレーザーの透過率の低下が起こ
る。前記水蒸気及び水素を含有する雰囲気中の他のガス
成分としては、Ｈｅ、Ａｒ、Ｎ2等の不活性ガスが挙げ
られる。前記スート体の透明ガラス化に当たっては、ス
ート体を予め加熱して緻密化した上で透明ガラス化する
のがよい。この緻密化で透明ガラス化時に変形がなく、
整形性に優れた合成石英ガラス体が製造できる。また、
緻密化は得られた合成石英ガラス体の光学的均質性を向
上させるという利点も有する。前記予備加熱は、不活性
ガス又は酸化性ガス中８００〜１４００℃の範囲で行う
のがよい。
例えば四塩化珪素、メチルトリメトキシシラン、テトラ
メトキシシラン等が挙げられ、これらを火炎加水分解し
て生成したすす状シリカを回転する耐熱性基体上に堆積
することで多孔質シリカ母材（以下スート体という）が
形成される。本発明にあっては、前記スート体は続いて
水蒸気および水素を含有する雰囲気中で透明ガラス化さ
れるが、その加熱温度は１４００〜１７００℃の範囲が
よい。さらに好ましくは１５００〜１６００℃の範囲が
よい。前記温度未満ではスート体の溶け残りが生じ、１
７００℃を超えると処理炉の変形が起こり危険である。
また、水蒸気および水素を含有する雰囲気中での水蒸気
濃度は１〜２０ｖｏｌ％、水素濃度は２０〜９０ｖｏｌ
％の範囲がよい。水蒸気濃度が１ｖｏｌ％未満では得ら
れた石英ガラスのレーザー耐性が劣り、水蒸気濃度が２
０ｖｏｌ％を超えると石英ガラス中に気泡が残存するよ
うになる。また、水素濃度が２０ｖｏｌ％未満ではレー
ザー耐性の向上がみれず、９０ｖｏｌ％を超えると還元
性欠陥によるエキシマレーザーの透過率の低下が起こ
る。前記水蒸気及び水素を含有する雰囲気中の他のガス
成分としては、Ｈｅ、Ａｒ、Ｎ2等の不活性ガスが挙げ
られる。前記スート体の透明ガラス化に当たっては、ス
ート体を予め加熱して緻密化した上で透明ガラス化する
のがよい。この緻密化で透明ガラス化時に変形がなく、
整形性に優れた合成石英ガラス体が製造できる。また、
緻密化は得られた合成石英ガラス体の光学的均質性を向
上させるという利点も有する。前記予備加熱は、不活性
ガス又は酸化性ガス中８００〜１４００℃の範囲で行う
のがよい。
【００１０】上記多孔質シリカ母材を透明ガラス化する
本発明の縦型加熱炉の一実施例を図１に示す。図１にお
いて、１は石英製炉芯管、２はスート体、３は加熱ヒー
ター、４は水蒸気発生装置、５は水、６はキャリアガス
導入口、７は水蒸気導入口、８は水素ガス導入口、９は
排ガス排出口、１０は遮蔽蓋体、１１は水素ガス希釈
室、１２は窒素ガス導入口、１３は窒素ガス排出口であ
る。図１にみるようにスート体２は、縦型加熱炉の石英
製炉芯管１内に支持部材（図示せず）に支持されて懸架
される。次いで石英製炉芯管１の周囲に設けた加熱用ヒ
ーターでスート体を加熱するとともに石英製炉芯管１の
下部に設けた水蒸気導入口７および水素ガス導入口８か
ら水蒸気および水素ガスが導入され透明ガラス化が達成
される。前記水蒸気および水素ガスの導入量は、水蒸気
導入口７および水素ガス導入口８に連結する導入管に設
けた流量コントローラーにより制御する。前記石英製炉
芯管の頭部には水素ガス希釈室１１が配設されそこに窒
素ガス導入口１２から窒素ガスが導入され、石英製炉芯
管１の遮蔽蓋体１０から漏洩する水素ガスが希釈され窒
素ガス排出口１３から外部に排出される。一方、石英製
炉芯管１内の排ガスは該管の上部に設けた排ガス排出口
９から外部に排出される。加熱され透明ガラス化された
合成石英ガラス体は支持部材により回転されながらゆっ
くり上方に引き上げられる。また、前記石英製炉芯管１
に供給される水蒸気は、水５を内蔵する水蒸気発生装置
４にキャリアガスを導入し、バブリングし、発生した水
蒸気を前記キャリアガスに随伴した状態で導入される。
このように本発明の縦型加熱炉にあっては、水素ガスが
いずれも爆発限界濃度範囲以下に希釈されて排気される
ところから、水素ガスによる爆発が起こることがなく、
安全にスート体の透明ガラス化できる。
本発明の縦型加熱炉の一実施例を図１に示す。図１にお
いて、１は石英製炉芯管、２はスート体、３は加熱ヒー
ター、４は水蒸気発生装置、５は水、６はキャリアガス
導入口、７は水蒸気導入口、８は水素ガス導入口、９は
排ガス排出口、１０は遮蔽蓋体、１１は水素ガス希釈
室、１２は窒素ガス導入口、１３は窒素ガス排出口であ
る。図１にみるようにスート体２は、縦型加熱炉の石英
製炉芯管１内に支持部材（図示せず）に支持されて懸架
される。次いで石英製炉芯管１の周囲に設けた加熱用ヒ
ーターでスート体を加熱するとともに石英製炉芯管１の
下部に設けた水蒸気導入口７および水素ガス導入口８か
ら水蒸気および水素ガスが導入され透明ガラス化が達成
される。前記水蒸気および水素ガスの導入量は、水蒸気
導入口７および水素ガス導入口８に連結する導入管に設
けた流量コントローラーにより制御する。前記石英製炉
芯管の頭部には水素ガス希釈室１１が配設されそこに窒
素ガス導入口１２から窒素ガスが導入され、石英製炉芯
管１の遮蔽蓋体１０から漏洩する水素ガスが希釈され窒
素ガス排出口１３から外部に排出される。一方、石英製
炉芯管１内の排ガスは該管の上部に設けた排ガス排出口
９から外部に排出される。加熱され透明ガラス化された
合成石英ガラス体は支持部材により回転されながらゆっ
くり上方に引き上げられる。また、前記石英製炉芯管１
に供給される水蒸気は、水５を内蔵する水蒸気発生装置
４にキャリアガスを導入し、バブリングし、発生した水
蒸気を前記キャリアガスに随伴した状態で導入される。
このように本発明の縦型加熱炉にあっては、水素ガスが
いずれも爆発限界濃度範囲以下に希釈されて排気される
ところから、水素ガスによる爆発が起こることがなく、
安全にスート体の透明ガラス化できる。
【００１１】上記透明ガラス化に次いで必要に応じて均
質化処理、成型およびアニール処理等が採られる。前記
均質化処理は耐火炉中で１８００℃以上の高温に保持す
ることで行われ、成型は１６００℃以上の高温のルツボ
内で行われる。さらに、アニール処理は石英ガラスの徐
冷点（１１２０℃）近傍の比較的低温で行われるもの
の、処理時間が１０時間以上と長い。このように前記均
質化処理、成型およびアニール処理は処理温度が高いま
たは長いことから、炉材、治具および雰囲気等からの不
純物により合成石英ガラス体の汚染が起こる。特にＮａ
による汚染が重大で、ＡｒＦエキシマレーザーの透過率
の低下に大きく影響する。そのため均質化処理としては
例えば特開平７−２６７６６２号公報に記載するような
炉材を使用しない均質化処理手段を採用するのが推奨さ
れるが、何れにしても均質化処理、成型およびアニール
処理による合成石英ガラス成型体の汚染が起こる。しか
しＮａの含有量が２４〜６０ｐｐｂの範囲内であれば、
波長２６０ｎｍ以下の連続紫外線を長時間照射すること
で合成石英ガラス部材の透過率を容易に回復することが
できる。特にＡｒＦエキシマレーザーの透過率は、内部
透過率で９９．８％以上にまで回復できる。前記連続紫
外線を照射するランプとしては、主波長２５３．７ｎｍ
及び１８４．９ｎｍの低圧水銀ランプ、波長１７２ｎｍ
のＸｅエキシマランプ、或は波長２２２ｎｍのＫｒＣｌ
エキシマランプが挙げられる。また、紫外線の照度は少
なくとも１ｍＷ／ｃｍ2、照射時間は５０時間以上とす
るのがよい。
質化処理、成型およびアニール処理等が採られる。前記
均質化処理は耐火炉中で１８００℃以上の高温に保持す
ることで行われ、成型は１６００℃以上の高温のルツボ
内で行われる。さらに、アニール処理は石英ガラスの徐
冷点（１１２０℃）近傍の比較的低温で行われるもの
の、処理時間が１０時間以上と長い。このように前記均
質化処理、成型およびアニール処理は処理温度が高いま
たは長いことから、炉材、治具および雰囲気等からの不
純物により合成石英ガラス体の汚染が起こる。特にＮａ
による汚染が重大で、ＡｒＦエキシマレーザーの透過率
の低下に大きく影響する。そのため均質化処理としては
例えば特開平７−２６７６６２号公報に記載するような
炉材を使用しない均質化処理手段を採用するのが推奨さ
れるが、何れにしても均質化処理、成型およびアニール
処理による合成石英ガラス成型体の汚染が起こる。しか
しＮａの含有量が２４〜６０ｐｐｂの範囲内であれば、
波長２６０ｎｍ以下の連続紫外線を長時間照射すること
で合成石英ガラス部材の透過率を容易に回復することが
できる。特にＡｒＦエキシマレーザーの透過率は、内部
透過率で９９．８％以上にまで回復できる。前記連続紫
外線を照射するランプとしては、主波長２５３．７ｎｍ
及び１８４．９ｎｍの低圧水銀ランプ、波長１７２ｎｍ
のＸｅエキシマランプ、或は波長２２２ｎｍのＫｒＣｌ
エキシマランプが挙げられる。また、紫外線の照度は少
なくとも１ｍＷ／ｃｍ2、照射時間は５０時間以上とす
るのがよい。
【００１２】
【発明の実施の形態】次に本発明の実施例について述べ
るがこれによって本発明はなんら限定されるものではな
い。
るがこれによって本発明はなんら限定されるものではな
い。
【００１３】なお、以下の実施例及び比較例の物性値は
以下の測定方法で求めた値である。 ｉ）屈折率分布：フィゾー型干渉計による測定法。 ｉｉ）複屈折量：直交ニコル法による測定法。 ｉｉｉ）脈理：目視。 ｉｖ）１９３ｎｍ内部透過率：１９３ｎｍにおける石英
ガラスの理論透過率９０．８６％からレイリー散乱にお
けるロスとして知れる０．１８％を減じた９０．６８％
を用いて、厚さ１０ｍｍにおける見掛け透過率Ｔ％に対
し、式（Ｔ／９０．６８）×１００より求める測定法。 ｖ）水素分子濃度：Ｖ．Ｓ．Ｋｈｏｔｉｍｃｈｅｎｋｏ
ｅｔ ａｌ．， Ｊ．Ａｐｐｌ． Ｓｐｅｃｔｒｏｓ
ｃ．，４６． ６３２〜６３５（１９８７）に記載の測
定法。
以下の測定方法で求めた値である。 ｉ）屈折率分布：フィゾー型干渉計による測定法。 ｉｉ）複屈折量：直交ニコル法による測定法。 ｉｉｉ）脈理：目視。 ｉｖ）１９３ｎｍ内部透過率：１９３ｎｍにおける石英
ガラスの理論透過率９０．８６％からレイリー散乱にお
けるロスとして知れる０．１８％を減じた９０．６８％
を用いて、厚さ１０ｍｍにおける見掛け透過率Ｔ％に対
し、式（Ｔ／９０．６８）×１００より求める測定法。 ｖ）水素分子濃度：Ｖ．Ｓ．Ｋｈｏｔｉｍｃｈｅｎｋｏ
ｅｔ ａｌ．， Ｊ．Ａｐｐｌ． Ｓｐｅｃｔｒｏｓ
ｃ．，４６． ６３２〜６３５（１９８７）に記載の測
定法。
【００１４】
【実施例】実施例１ 四塩化珪素を酸素ガスに同伴させて酸水素火炎中に導入
し、火炎加水分解して形成したすす状シリカを回転する
耐熱性基体上に堆積させスート体を得た。得られたスー
ト体は外部が低密度で中心部が相対的に高い密度を示
し、平均的な嵩密度が１．２ｇ／ｃｍ3であった。この
スート体を予備加熱炉（図示せず）内で酸素２０ｖｏｌ
％、窒素８０ｖｏｌ％の雰囲気内で１０００℃に加熱
し、８時間密度が均一になるように仮焼結した。前記仮
焼結によりスート体の嵩密度は１．５ｇ／ｃｍ3に増大
し、また全体の密度分布ば低減した。次いでスート体を
図１に示す縦型加熱炉の石英製炉芯管１内に懸架し、水
蒸気導入口７から水蒸気をまた水素を水素導入口８から
導入した。前記水蒸気は、水蒸気発生装置４にＨｅガス
を導入し、同装置内の水をバブリングすることで得た水
蒸気随伴Ｈｅガスである。そして石英製炉芯管内の雰囲
気を水蒸気５ｖｏｌ％、水素４０ｖｏｌ％、Ｈｅ５５ｖ
ｏｌ％の混合雰囲気に調整した。前記調整は石英製炉芯
管に開口する水蒸気導入口７水素導入口８に接続する管
に設けた流量コントローラー（図示せず）による。前記
石英製炉芯管１はその周囲に設けた加熱ヒーター３で加
熱され１５５０℃に昇温される。スート体は透明ガラス
化とともに上方に支持部材により徐々に引き上げられ
る。得られた石英ガラス体中のＯＨ濃度は９０ｐｐｍ
で、水素濃度は２×１０18分子／ｃｍ3であった。この
石英ガラス体を高純度のグラファイト坩堝内に載置し、
窒素置換した雰囲気で１８００℃に加熱し自重で外径２
５０ｍｍ、高さ１００ｍｍの円盤状に成型した。
し、火炎加水分解して形成したすす状シリカを回転する
耐熱性基体上に堆積させスート体を得た。得られたスー
ト体は外部が低密度で中心部が相対的に高い密度を示
し、平均的な嵩密度が１．２ｇ／ｃｍ3であった。この
スート体を予備加熱炉（図示せず）内で酸素２０ｖｏｌ
％、窒素８０ｖｏｌ％の雰囲気内で１０００℃に加熱
し、８時間密度が均一になるように仮焼結した。前記仮
焼結によりスート体の嵩密度は１．５ｇ／ｃｍ3に増大
し、また全体の密度分布ば低減した。次いでスート体を
図１に示す縦型加熱炉の石英製炉芯管１内に懸架し、水
蒸気導入口７から水蒸気をまた水素を水素導入口８から
導入した。前記水蒸気は、水蒸気発生装置４にＨｅガス
を導入し、同装置内の水をバブリングすることで得た水
蒸気随伴Ｈｅガスである。そして石英製炉芯管内の雰囲
気を水蒸気５ｖｏｌ％、水素４０ｖｏｌ％、Ｈｅ５５ｖ
ｏｌ％の混合雰囲気に調整した。前記調整は石英製炉芯
管に開口する水蒸気導入口７水素導入口８に接続する管
に設けた流量コントローラー（図示せず）による。前記
石英製炉芯管１はその周囲に設けた加熱ヒーター３で加
熱され１５５０℃に昇温される。スート体は透明ガラス
化とともに上方に支持部材により徐々に引き上げられ
る。得られた石英ガラス体中のＯＨ濃度は９０ｐｐｍ
で、水素濃度は２×１０18分子／ｃｍ3であった。この
石英ガラス体を高純度のグラファイト坩堝内に載置し、
窒素置換した雰囲気で１８００℃に加熱し自重で外径２
５０ｍｍ、高さ１００ｍｍの円盤状に成型した。
【００１５】上記成型体の周囲のグラファイトとの接触
部分を十分にＨＦエッチング処理で除去し、次いでアニ
ール処理を施した。該アニール処理では大気中で１１５
０℃に２０時間保持した。該処理後、石英ガラス成型体
は６００℃まで５℃／時間の降温速度で徐冷され、次い
で自然冷却された。得られた成型体の屈折率分布（Δ
ｎ）は１×１０-6、複屈折率は１ｎｍ／ｃｍ以下で、３
方向脈理や層状構造がみれなかった。またＯＨ基濃度は
９０ｐｐｍ、水素分子濃度は１．５×１０18分子／ｃｍ
3であった。前記成型体から直径６０ｍｍ、厚さ１０ｍ
ｍの試料を切り出し、透過率を測定した。また同じ試料
を用いてＡｒＦエキシマレーザーを２０ｍＪ／ｃｍ2の
エネルギー密度で、２００Ｈｚで所定のパルス数照射
し、その時の透過率変化を測定した。その結果、ＡｒＦ
エキシマレーザーの未照射時の透過率は９９．８％、Ａ
ｒＦエキシマレーザーの１×１０5パルス照射後の透過
率は９９．８％、ＡｒＦエキシマレーザーの２×１０7
パルス照射後の透過率は９９．７％であった。また、レ
ーザー照射に伴う石英ガラスの収縮もみられなかった。
部分を十分にＨＦエッチング処理で除去し、次いでアニ
ール処理を施した。該アニール処理では大気中で１１５
０℃に２０時間保持した。該処理後、石英ガラス成型体
は６００℃まで５℃／時間の降温速度で徐冷され、次い
で自然冷却された。得られた成型体の屈折率分布（Δ
ｎ）は１×１０-6、複屈折率は１ｎｍ／ｃｍ以下で、３
方向脈理や層状構造がみれなかった。またＯＨ基濃度は
９０ｐｐｍ、水素分子濃度は１．５×１０18分子／ｃｍ
3であった。前記成型体から直径６０ｍｍ、厚さ１０ｍ
ｍの試料を切り出し、透過率を測定した。また同じ試料
を用いてＡｒＦエキシマレーザーを２０ｍＪ／ｃｍ2の
エネルギー密度で、２００Ｈｚで所定のパルス数照射
し、その時の透過率変化を測定した。その結果、ＡｒＦ
エキシマレーザーの未照射時の透過率は９９．８％、Ａ
ｒＦエキシマレーザーの１×１０5パルス照射後の透過
率は９９．８％、ＡｒＦエキシマレーザーの２×１０7
パルス照射後の透過率は９９．７％であった。また、レ
ーザー照射に伴う石英ガラスの収縮もみられなかった。
【００１６】実施例２〜７、比較例１〜６ 実施例１と同様にして作成した仮焼結スート体を水蒸気
濃度及び水素濃度を変えた雰囲気中で１５５０℃で加熱
し透明ガラス化した。得られた石英ガラス体のレーザー
照射による透過率変化を測定し、未照射とＡｒＦエキシ
マレーザー１×１０5パルス照射後との透過率の差を初
期特性、未照射時とＡｒＦエキシマレーザー２×１０7
パルス照射後との透過率の差を長期特性としてＡｒＦエ
キシマレーザーに対する石英ガラスの特性を調べた。ま
た、その時の石英ガラス中の水素濃度を求めた。それら
の結果を表１に示す。
濃度及び水素濃度を変えた雰囲気中で１５５０℃で加熱
し透明ガラス化した。得られた石英ガラス体のレーザー
照射による透過率変化を測定し、未照射とＡｒＦエキシ
マレーザー１×１０5パルス照射後との透過率の差を初
期特性、未照射時とＡｒＦエキシマレーザー２×１０7
パルス照射後との透過率の差を長期特性としてＡｒＦエ
キシマレーザーに対する石英ガラスの特性を調べた。ま
た、その時の石英ガラス中の水素濃度を求めた。それら
の結果を表１に示す。
【００１７】
【表１】
【００１８】上記表１にみるように水蒸気濃度１〜２０
ｖｏｌ％、水素濃度２０〜９０ｖｏｌ％を含有する雰囲
気中でスート体を透明ガラス化した合成石英ガラスは水
素濃度が５×１０17分子／ｃｍ3以上となり長期特性に
優れる。これに対し、水蒸気濃度及び水素濃度が前記範
囲から逸脱した雰囲気中で透明ガラス化した合成石英ガ
ラスは比較例１〜５に示すように水素含有濃度が低く、
長期特性に劣る。なお、上記比較例６の石英ガラスは水
素含有量が多く、かつ優れた長期特性を示すが、石英ガ
ラス中に気泡が残存し好適な石英ガラスではなかった。
ｖｏｌ％、水素濃度２０〜９０ｖｏｌ％を含有する雰囲
気中でスート体を透明ガラス化した合成石英ガラスは水
素濃度が５×１０17分子／ｃｍ3以上となり長期特性に
優れる。これに対し、水蒸気濃度及び水素濃度が前記範
囲から逸脱した雰囲気中で透明ガラス化した合成石英ガ
ラスは比較例１〜５に示すように水素含有濃度が低く、
長期特性に劣る。なお、上記比較例６の石英ガラスは水
素含有量が多く、かつ優れた長期特性を示すが、石英ガ
ラス中に気泡が残存し好適な石英ガラスではなかった。
【００１９】実施例８〜１０、比較例７、８ 実施例２における透明ガラス化を、石英製炉芯管内の雰
囲気中の水蒸気濃度を１０ｖｏｌ％、水素濃度を５０ｖ
ｏｌ％とするとともに、ガラス化温度を表２の温度とし
た以外、実施例２と同様にして石英ガラス体を得た。得
られた各石英ガラス体について、水素分子濃度を測定
し、その結果を表２に示す。
囲気中の水蒸気濃度を１０ｖｏｌ％、水素濃度を５０ｖ
ｏｌ％とするとともに、ガラス化温度を表２の温度とし
た以外、実施例２と同様にして石英ガラス体を得た。得
られた各石英ガラス体について、水素分子濃度を測定
し、その結果を表２に示す。
【００２０】
【表２】
【００２１】上記表２にみるように透明ガラス化温度が
１３５０℃では溶け残りと思われる白濁部があった。ま
た、透明ガラス化温度が１７５０℃では炉芯管が変形し
非常に危険であった。
１３５０℃では溶け残りと思われる白濁部があった。ま
た、透明ガラス化温度が１７５０℃では炉芯管が変形し
非常に危険であった。
【００２２】
【発明の効果】本発明の製造方法では、エキシマレーザ
ーに対して高い透過率を有すると共に、耐レーザー性に
も優れた光学用石英ガラスが水蒸気及び水素含有雰囲気
中での透明ガラス化で容易に製造でき、その製造コスト
を低く維持できる。しかも得られた光学用石英ガラスは
大型であっても、均一な透過率及び耐レーザー性を示し
大口径、肉厚化したＡｒＦエキシマレーザー用光学石英
ガラス部材が良好に作成できる。さらに本発明で使用す
る縦型加熱炉にあっては、水素ガスの漏洩に基づく爆発
がなく安全に透明ガラス化ができ、その工業的価値は高
いものがある。
ーに対して高い透過率を有すると共に、耐レーザー性に
も優れた光学用石英ガラスが水蒸気及び水素含有雰囲気
中での透明ガラス化で容易に製造でき、その製造コスト
を低く維持できる。しかも得られた光学用石英ガラスは
大型であっても、均一な透過率及び耐レーザー性を示し
大口径、肉厚化したＡｒＦエキシマレーザー用光学石英
ガラス部材が良好に作成できる。さらに本発明で使用す
る縦型加熱炉にあっては、水素ガスの漏洩に基づく爆発
がなく安全に透明ガラス化ができ、その工業的価値は高
いものがある。
【図１】本発明の所理路の概略断面図である。
１：石英製炉芯管 ２：スート体 ３：加熱ヒーター ４：蒸気発生装置 ５：水 ６：キャリアガス導入口 ７：蒸気導入口 ８：水素導入口 ９：排気ガス排出口 １０：遮蔽蓋体 １１：水素ガス希釈室 １２：窒素ガス導入口 １３：窒素ガス排出口
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 藤ノ木 朗 福島県郡山市田村町金屋字川久保88番地 信越石英株式会社石英技術研究所内 Ｆターム(参考） 4G014 AH15 4G062 AA04 BB02 CC07 NN20 5F046 CA04 CB19
Claims (7)
- 【請求項１】高純度の揮発性珪素化合物を火炎加水分解
して生成するすす状シリカを基体上に堆積させて多孔質
シリカ母材を形成したのち、該多孔質シリカ母材を水蒸
気及び水素を含有する雰囲気中で透明ガラス化すること
を特徴とするエキシマレーザー用光学石英ガラスの製造
方法。 - 【請求項２】水蒸気及び水素を含有する雰囲気中の水蒸
気濃度が１〜２０ｖｏｌ％、水素濃度が２０〜９０ｖｏ
ｌ％の範囲であることを特徴とする請求項１に記載のエ
キシマレーザー用光学石英ガラスの製造方法。 - 【請求項３】透明ガラス化温度が１４００℃〜１７００
℃の範囲であることを特徴とする請求項１に記載のエキ
シマレーザー用光学石英ガラスの製造方法。 - 【請求項４】透明ガラス化前に多孔質シリカ母材を不活
性ガス又は酸化性ガス雰囲気中で予備加熱処理すること
を特徴とする請求項１ないし３のいずれか１に記載のエ
キシマレーザー用光学石英ガラスの製造方法。 - 【請求項５】予備加熱温度が８００〜１４００℃の範囲
にあることを特徴とする請求項４に記載のエキシマレー
ザー用光学石英ガラスの製造方法。 - 【請求項６】多孔質シリカ母材を透明ガラス化する縦型
加熱炉において、前記加熱炉が石英製炉芯管とその上部
に配設する水素ガス希釈室からなり、前記石英製炉芯管
の下部に水蒸気および水素導入口が、上部に排ガス排出
口が開口し、かつ前記水素ガス希釈室に窒素導入口およ
び窒素排出口が開口することを特徴とする縦型加熱炉。 - 【請求項７】水蒸気導入口が水蒸気発生装置に接続し、
該水蒸気発生装置で発生する水蒸気をキャリアガスに随
伴して供給することを特徴とする請求項６記載の縦型加
熱炉。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP07195299A JP4493060B2 (ja) | 1999-03-17 | 1999-03-17 | エキシマレーザー用光学石英ガラスの製造方法 |
| US09/527,655 US6508084B1 (en) | 1999-03-17 | 2000-03-17 | Method for producing optical quartz glass for excimer lasers and vertical-type heating furnace |
| EP00105686A EP1036772B1 (en) | 1999-03-17 | 2000-03-17 | Method for producing optical quartz glass for excimer lasers and vertical-type heating furnace |
| DE60018493T DE60018493T2 (de) | 1999-03-17 | 2000-03-17 | Verfahren zum Herstellen von optischem Quarzglas für Excimerlaser und Heizofen vom verticalem Typ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP07195299A JP4493060B2 (ja) | 1999-03-17 | 1999-03-17 | エキシマレーザー用光学石英ガラスの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000264650A true JP2000264650A (ja) | 2000-09-26 |
| JP4493060B2 JP4493060B2 (ja) | 2010-06-30 |
Family
ID=13475341
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP07195299A Expired - Lifetime JP4493060B2 (ja) | 1999-03-17 | 1999-03-17 | エキシマレーザー用光学石英ガラスの製造方法 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6508084B1 (ja) |
| EP (1) | EP1036772B1 (ja) |
| JP (1) | JP4493060B2 (ja) |
| DE (1) | DE60018493T2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003176141A (ja) * | 2001-12-06 | 2003-06-24 | Shinetsu Quartz Prod Co Ltd | 光学機器部品用石英ガラスブランク、その製造方法及びその使用 |
| JP2006188424A (ja) * | 2004-12-29 | 2006-07-20 | Corning Inc | 高透過率合成シリカガラスおよびその製造方法 |
| JP2009203144A (ja) * | 2008-02-29 | 2009-09-10 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 石英ガラスの製造方法 |
| JP2013006722A (ja) * | 2011-06-23 | 2013-01-10 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 合成石英ガラス母材の製造方法及び合成石英ガラス母材 |
Families Citing this family (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001247318A (ja) * | 2000-03-03 | 2001-09-11 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 合成石英ガラス光学部材及びその製造方法 |
| US20050199484A1 (en) * | 2004-02-10 | 2005-09-15 | Franek Olstowski | Ozone generator with dual dielectric barrier discharge and methods for using same |
| DE102004017031B4 (de) * | 2004-04-02 | 2008-10-23 | Heraeus Quarzglas Gmbh & Co. Kg | Optisches Bauteil aus Quarzglas, Verfahren zur Herstellung des Bauteils und Verwendung desselben |
| JP4487783B2 (ja) * | 2005-01-25 | 2010-06-23 | 旭硝子株式会社 | ＴｉＯ２を含有するシリカガラスの製造方法およびＴｉＯ２を含有するシリカガラスを用いたＥＵＶリソグラフィ用光学部材 |
| US20070049482A1 (en) * | 2005-08-11 | 2007-03-01 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Synthetic quartz glass substrate for excimer lasers and making method |
| DE102005043289B3 (de) * | 2005-09-09 | 2006-09-14 | Heraeus Tenevo Gmbh | Verfahren zur Herstellung eines Halbzeugs für ein optisches Bauteil hoher Homogenität, zur Durchführung des Verfahrens geeigneter Rohling sowie Verwendung des Rohlings und des Halbzeugs |
| JP6536185B2 (ja) * | 2014-06-13 | 2019-07-03 | 信越化学工業株式会社 | 合成石英ガラス基板の製造方法 |
| CN112629274B (zh) * | 2020-12-24 | 2024-01-09 | 安徽省绩溪县华宇防火滤料有限公司 | 一种玻纤生产过程中的余热回收系统 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63159231A (ja) * | 1986-12-22 | 1988-07-02 | Mitsubishi Cable Ind Ltd | 光フアイバ母材製造装置 |
| JPH11240728A (ja) * | 1998-02-27 | 1999-09-07 | Asahi Glass Co Ltd | 合成石英ガラス光学部材の製造方法 |
Family Cites Families (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4519373A (en) | 1982-09-30 | 1985-05-28 | The Garrett Corporation | Internal combustion engine having a variably engagable slipping wet clutch for driving a supercharger |
| EP0401845B2 (en) * | 1989-06-09 | 2001-04-11 | Heraeus Quarzglas GmbH & Co. KG | Optical members and blanks of synthetic silica glass and method for their production |
| JPH0653593B2 (ja) | 1989-06-09 | 1994-07-20 | 信越石英株式会社 | 合成シリカガラス光学体及びその製造方法 |
| JPH03247522A (ja) | 1990-02-21 | 1991-11-05 | Sumitomo Metal Ind Ltd | 合成石英ガラスの製造方法 |
| DE69109026T2 (de) * | 1990-09-07 | 1995-12-07 | Mitsubishi Chem Corp | Silica-Glas Pulver und Verfahren seiner Herstellung und daraus hergestellter Silica-Glasgegenstand. |
| US5326729A (en) * | 1992-02-07 | 1994-07-05 | Asahi Glass Company Ltd. | Transparent quartz glass and process for its production |
| JP2821074B2 (ja) | 1992-11-30 | 1998-11-05 | 信越石英株式会社 | 耐紫外線レーザー用光学部材の製造方法 |
| JPH06234536A (ja) | 1993-02-10 | 1994-08-23 | Fujikura Ltd | 光ファイバ母材の製造装置 |
| JPH06267662A (ja) | 1993-03-15 | 1994-09-22 | Hitachi Lighting Ltd | 照明制御システム |
| JPH0784327A (ja) * | 1993-09-17 | 1995-03-31 | Hitachi Medical Corp | Ｘ線透視撮影装置 |
| JP2686044B2 (ja) | 1994-07-05 | 1997-12-08 | 古河電気工業株式会社 | 光ファイバ用母材の製造装置 |
| JP2862001B2 (ja) | 1998-04-03 | 1999-02-24 | 旭硝子株式会社 | 石英ガラス光学部材の製造方法 |
-
1999
- 1999-03-17 JP JP07195299A patent/JP4493060B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
2000
- 2000-03-17 US US09/527,655 patent/US6508084B1/en not_active Expired - Fee Related
- 2000-03-17 EP EP00105686A patent/EP1036772B1/en not_active Expired - Lifetime
- 2000-03-17 DE DE60018493T patent/DE60018493T2/de not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63159231A (ja) * | 1986-12-22 | 1988-07-02 | Mitsubishi Cable Ind Ltd | 光フアイバ母材製造装置 |
| JPH11240728A (ja) * | 1998-02-27 | 1999-09-07 | Asahi Glass Co Ltd | 合成石英ガラス光学部材の製造方法 |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003176141A (ja) * | 2001-12-06 | 2003-06-24 | Shinetsu Quartz Prod Co Ltd | 光学機器部品用石英ガラスブランク、その製造方法及びその使用 |
| JP4565805B2 (ja) * | 2001-12-06 | 2010-10-20 | 信越石英株式会社 | 光学機器部品用石英ガラスブランクの製造方法及びその使用 |
| JP2006188424A (ja) * | 2004-12-29 | 2006-07-20 | Corning Inc | 高透過率合成シリカガラスおよびその製造方法 |
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