JP2003176141A - 光学機器部品用石英ガラスブランク、その製造方法及びその使用 - Google Patents
光学機器部品用石英ガラスブランク、その製造方法及びその使用Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 わずかな誘起性吸収を示し、同時に圧密及び
圧密減少特性に関して最適化された、波長２５０ｎｍ以
下の紫外線を透過する光学機器部品用合成石英ガラスブ
ランクを提供し、加えて上記のタイプの光学機器部品の
費用効果的製造方法及びそのような部品の適切な使用を
提供する。 【解決手段】 本発明による石英ガラスブランクは下記
の特性によって特徴づけられる：酸素欠損部位が実質的
に存在しないガラス構造、Ｈ2−含有量：０．１×１０
16分子／ｃｍ3ないし４．０×１０16分子／ｃｍ3の範
囲、ＯＨ−含有量：１２５ｗｔ−ｐｐｍないし４５０ｗ
ｔ−ｐｐｍの範囲、ＳｉＨ基−含有量：５×１０16分子
／ｃｍ3未満、屈折率不均質性、△ｎ：２ｐｐｍ未満、
ひずみ複屈折：２ｎｍ／ｃｍ。
圧密減少特性に関して最適化された、波長２５０ｎｍ以
下の紫外線を透過する光学機器部品用合成石英ガラスブ
ランクを提供し、加えて上記のタイプの光学機器部品の
費用効果的製造方法及びそのような部品の適切な使用を
提供する。 【解決手段】 本発明による石英ガラスブランクは下記
の特性によって特徴づけられる：酸素欠損部位が実質的
に存在しないガラス構造、Ｈ2−含有量：０．１×１０
16分子／ｃｍ3ないし４．０×１０16分子／ｃｍ3の範
囲、ＯＨ−含有量：１２５ｗｔ−ｐｐｍないし４５０ｗ
ｔ−ｐｐｍの範囲、ＳｉＨ基−含有量：５×１０16分子
／ｃｍ3未満、屈折率不均質性、△ｎ：２ｐｐｍ未満、
ひずみ複屈折：２ｎｍ／ｃｍ。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は２５０ｎｍ以下の波
長を有する紫外線を透過する光学機器部品用石英ガラス
ブランクに関するものである。
長を有する紫外線を透過する光学機器部品用石英ガラス
ブランクに関するものである。
【０００２】さらに本発明はＳｉ含有化合物の火炎加水
分解によって少なくとも一つの第一シリンダ形石英ガラ
スプレフォームを製造することを含んでなる前記石英ガ
ラスブランクの製造方法に関する。その際ＳｉＯ2粒子
が形成され、回転する担体上に層となって沈着して多孔
性スート体 (soot body) を形成する；前記スート体は
その後ガラス化され、その容量全体を通じて不均一なＨ
2濃度プロフィールを示す石英ガラスプレフォームを生
成する。
分解によって少なくとも一つの第一シリンダ形石英ガラ
スプレフォームを製造することを含んでなる前記石英ガ
ラスブランクの製造方法に関する。その際ＳｉＯ2粒子
が形成され、回転する担体上に層となって沈着して多孔
性スート体 (soot body) を形成する；前記スート体は
その後ガラス化され、その容量全体を通じて不均一なＨ
2濃度プロフィールを示す石英ガラスプレフォームを生
成する。
【０００３】さらに本発明は２５０ｎｍ以下の波長の紫
外線と共にマイクロリトグラフィーに使用するための部
品の製造に石英ガラスブランクを使用することにも関係
する。
外線と共にマイクロリトグラフィーに使用するための部
品の製造に石英ガラスブランクを使用することにも関係
する。
【０００４】
【従来の技術】石英ガラスから作られる光学機器部品
は、特に半導体チップの高度集積回路の製造のために使
用されるマイクロリトグラフィー装置において例えば光
学的ファイバーの形で、または照明用光学部品として、
高エネルギー紫外線レーザの透過のために使用されてい
る。近代的マイクロリトグラフィー装置の照明系は波長
２４８ｎｍ（ＫｒＦレーザ）または１９３ｎｍ（ＡｒＦ
レーザ）の高エネルギーパルスＵＶ線を発生するエキシ
マレーザを備えている。
は、特に半導体チップの高度集積回路の製造のために使
用されるマイクロリトグラフィー装置において例えば光
学的ファイバーの形で、または照明用光学部品として、
高エネルギー紫外線レーザの透過のために使用されてい
る。近代的マイクロリトグラフィー装置の照明系は波長
２４８ｎｍ（ＫｒＦレーザ）または１９３ｎｍ（ＡｒＦ
レーザ）の高エネルギーパルスＵＶ線を発生するエキシ
マレーザを備えている。
【０００５】短波長ＵＶ線は合成石英ガラスから作られ
る光学機器部品に欠損を生じ、吸収作用をもたらすかも
知れない。照射条件とは別に、欠損生成のタイプ及び程
度、及びこれによって生じる吸収効果は、使用した石英
ガラスの質（これは主として、密度、屈折率プロフィー
ル及び均一性等の構造特性、並びに化学的組成の関数で
ある）に依存する。
る光学機器部品に欠損を生じ、吸収作用をもたらすかも
知れない。照射条件とは別に、欠損生成のタイプ及び程
度、及びこれによって生じる吸収効果は、使用した石英
ガラスの質（これは主として、密度、屈折率プロフィー
ル及び均一性等の構造特性、並びに化学的組成の関数で
ある）に依存する。
【０００６】照射条件と一つには材料特異的因子との関
係、また照射条件と誘導される吸収、αin、との関係は
次のモデル式によってあらわすことができる： αin＝ａ×εb×Ｐ （１）
係、また照射条件と誘導される吸収、αin、との関係は
次のモデル式によってあらわすことができる： αin＝ａ×εb×Ｐ （１）
【０００７】上記式中、ａ及びｂは材料特異的因子であ
り、ε及びＰはそれぞれエネルギー密度及びパルス数を
あらわす。
り、ε及びＰはそれぞれエネルギー密度及びパルス数を
あらわす。
【０００８】このように、誘起される構造欠損の数及び
これらの欠損によって生じる吸収は、衝突するレーザパ
ルス数、これらのパルスのエネルギー密度及び材料特異
的因子に依存する。
これらの欠損によって生じる吸収は、衝突するレーザパ
ルス数、これらのパルスのエネルギー密度及び材料特異
的因子に依存する。
【０００９】高エネルギーＵＶ光照射の際のダメージ挙
動に石英ガラスの化学的組成が影響を与えることは、既
に例えばＥＰ−Ａ１ ４０１ ８４５に述べられてい
る。この特許公報によると、照射ダメージに対する高い
抵抗は、高純度、１００ないし約１０００ｗｔ−ｐｐｍ
のＯＨ−含有量、及び１ｃｍ3（石英ガラスの体積）あ
たり５×１０16分子以上という比較的高い水素濃度を特
徴とする石英ガラスによって実現する。さらに、公知の
合成石英ガラスは５ｎｍ／ｃｍ未満のひずみ複屈折を有
し、酸素欠損部位がほとんどない。
動に石英ガラスの化学的組成が影響を与えることは、既
に例えばＥＰ−Ａ１ ４０１ ８４５に述べられてい
る。この特許公報によると、照射ダメージに対する高い
抵抗は、高純度、１００ないし約１０００ｗｔ−ｐｐｍ
のＯＨ−含有量、及び１ｃｍ3（石英ガラスの体積）あ
たり５×１０16分子以上という比較的高い水素濃度を特
徴とする石英ガラスによって実現する。さらに、公知の
合成石英ガラスは５ｎｍ／ｃｍ未満のひずみ複屈折を有
し、酸素欠損部位がほとんどない。
【００１０】ＥＰ−Ａ１ ４０１ ８４５も珪素含有化
合物の火炎加水分解による合成石英ガラスの製造方法を
記載している。これらの方法の特徴的要因は出発原料物
質と、沈着したＳｉＯ2粒子のガラス化のタイプであ
る。ＳｉＣｌ4が火炎加水分解による合成石英ガラスの
製造における一般的出発原料物質である。しかし、その
他の物質類、例えばシランまたはシロキサン等の塩素フ
リー珪素含有有機化合物も一般的に使われる。いずれに
せよ、この方法は回転する物質上へＳｉＯ2層を沈着さ
せることを含んでなる。上記物質の表面温度が十分高け
れば、ＳｉＯ2粒子は沈着した際直接ガラス質に変化す
る（直接ガラス化）。これに対していわゆる“スート法
(soot procedure) ”では、ＳｉＯ2粒子の沈着中、温
度は十分低く保たれ、多孔性スート体が形成される。多
孔性スート体ではＳｉＯ2は全くガラス化しないか、ま
たはわずかにガラス化するに過ぎない。石英ガラス生成
下におけるガラス化は、スート法ではその後のスート体
の焼結によって実現する。上に述べた製造方法は両方
共、高純度の密度の高い透明な石英ガラスを製造する。
スート法の製造コストは直接ガラス化法に比較して低
い。
合物の火炎加水分解による合成石英ガラスの製造方法を
記載している。これらの方法の特徴的要因は出発原料物
質と、沈着したＳｉＯ2粒子のガラス化のタイプであ
る。ＳｉＣｌ4が火炎加水分解による合成石英ガラスの
製造における一般的出発原料物質である。しかし、その
他の物質類、例えばシランまたはシロキサン等の塩素フ
リー珪素含有有機化合物も一般的に使われる。いずれに
せよ、この方法は回転する物質上へＳｉＯ2層を沈着さ
せることを含んでなる。上記物質の表面温度が十分高け
れば、ＳｉＯ2粒子は沈着した際直接ガラス質に変化す
る（直接ガラス化）。これに対していわゆる“スート法
(soot procedure) ”では、ＳｉＯ2粒子の沈着中、温
度は十分低く保たれ、多孔性スート体が形成される。多
孔性スート体ではＳｉＯ2は全くガラス化しないか、ま
たはわずかにガラス化するに過ぎない。石英ガラス生成
下におけるガラス化は、スート法ではその後のスート体
の焼結によって実現する。上に述べた製造方法は両方
共、高純度の密度の高い透明な石英ガラスを製造する。
スート法の製造コストは直接ガラス化法に比較して低
い。
【００１１】通常、上記ブランクはアニール段階を受け
る。このアニール段階は機械的応力を減らし、仮想温度
(fictive temperature) を均一に分布させる。ＥＰ−
Ａ１４０１ ８４５はアニールプログラムを提案してい
る。上記プログラムではブランクを約１１００℃の温度
に５０時間さらし、その後２℃／ｈの冷却速度でゆっく
りと９００℃まで冷却し、最後に密閉炉中で室温まで冷
却する。提案の温度領域では、成分類、特に水素のブラ
ンクからの拡散がブランクの化学的組成の局所的変化を
起こし、ブランクの表面領域とより内部の領域との間に
濃度勾配を形成する。そこで、水素の好ましい欠損回復
特性を利用して上記石英ガラスの放射線抵抗性を改善す
るために、ＥＰ−Ａ１ ４０１８４５は、引き続き水素
含有環境中で高温で石英ガラスブランクを水素処理する
ことを勧めている。
る。このアニール段階は機械的応力を減らし、仮想温度
(fictive temperature) を均一に分布させる。ＥＰ−
Ａ１４０１ ８４５はアニールプログラムを提案してい
る。上記プログラムではブランクを約１１００℃の温度
に５０時間さらし、その後２℃／ｈの冷却速度でゆっく
りと９００℃まで冷却し、最後に密閉炉中で室温まで冷
却する。提案の温度領域では、成分類、特に水素のブラ
ンクからの拡散がブランクの化学的組成の局所的変化を
起こし、ブランクの表面領域とより内部の領域との間に
濃度勾配を形成する。そこで、水素の好ましい欠損回復
特性を利用して上記石英ガラスの放射線抵抗性を改善す
るために、ＥＰ−Ａ１ ４０１８４５は、引き続き水素
含有環境中で高温で石英ガラスブランクを水素処理する
ことを勧めている。
【００１２】文献には長期間ＵＶ線にさらして吸収を増
加させる種々のダメージパターンに関する多数の報告が
ある。例えば、誘起性吸収は直線的に増加するかも知れ
ず、または最初の増加後飽和を示すかも知れない。また
別の研究結果では、観察された吸収バンドは先ず最初に
レーザ不活化後数分以内に消失し、レーザの再活性化で
速やかに再出現し、前のレベルに戻ることである。この
挙動は“急速ダメージプロセス”（ＲＤＰ）と呼ばれ、
石英ガラスの網目構造の欠損部位を飽和する水素分子に
基づく、ただし欠損部位における結合強度は非常に低
く、その成分が放射線に再被曝するときには直ちに壊れ
る。もう一つの公知のダメージパターンでは、構造欠損
は蓄積し、吸収が突然強く増加した際に最高に達するよ
うにみえる。後者のダメージ挙動における吸収の強い増
加は上記文献では“ＳＡＴ効果”と呼ばれている。
加させる種々のダメージパターンに関する多数の報告が
ある。例えば、誘起性吸収は直線的に増加するかも知れ
ず、または最初の増加後飽和を示すかも知れない。また
別の研究結果では、観察された吸収バンドは先ず最初に
レーザ不活化後数分以内に消失し、レーザの再活性化で
速やかに再出現し、前のレベルに戻ることである。この
挙動は“急速ダメージプロセス”（ＲＤＰ）と呼ばれ、
石英ガラスの網目構造の欠損部位を飽和する水素分子に
基づく、ただし欠損部位における結合強度は非常に低
く、その成分が放射線に再被曝するときには直ちに壊れ
る。もう一つの公知のダメージパターンでは、構造欠損
は蓄積し、吸収が突然強く増加した際に最高に達するよ
うにみえる。後者のダメージ挙動における吸収の強い増
加は上記文献では“ＳＡＴ効果”と呼ばれている。
【００１３】ＥＰ−Ａ１ ４０１８４５から公知の石英
ガラスはＵＶ照射への被曝に反応して比較的小さい吸収
増加を示し、したがってこの石英ガラスは短波長ＵＶ照
射に対する高度の抵抗性が特徴である。しかし、吸収の
誘導または低下した透過性とは別に、例えば蛍光発生や
屈折率の変化等に導くその他のダメージメカニズムが存
在するかも知れない。
ガラスはＵＶ照射への被曝に反応して比較的小さい吸収
増加を示し、したがってこの石英ガラスは短波長ＵＶ照
射に対する高度の抵抗性が特徴である。しかし、吸収の
誘導または低下した透過性とは別に、例えば蛍光発生や
屈折率の変化等に導くその他のダメージメカニズムが存
在するかも知れない。
【００１４】これに関連した公知の現象は、高エネルギ
ー密度のレーザ光にさらしたとき、またはその後に起こ
るいわゆる“圧密（compaction）”プロセスである。こ
の効果は密度の局所的増加及びそれに続く屈折率の増加
に導き、これにより上記光学機器部品の光学特性を悪化
させる。
ー密度のレーザ光にさらしたとき、またはその後に起こ
るいわゆる“圧密（compaction）”プロセスである。こ
の効果は密度の局所的増加及びそれに続く屈折率の増加
に導き、これにより上記光学機器部品の光学特性を悪化
させる。
【００１５】しかし反対の効果も起こり得る；すなわち
光学機器石英ガラス部品を、低エネルギー密度ではある
が高パルス数のレーザ光にさらす場合である。これらの
条件下では“圧密減少(decompaction)”が認められ（文
献では“rarefaction”とも呼ばれている）、これは屈
折率のその後の減少を伴う。この効果も光学的特性を悪
化させる。これはヴァン ペスキ(C.K.Van Peski)、モ
ートン（R.Morton）、及びボル（Z.Bor）による文献に
報告されている（“数百億パルスの低レベル１９３ｎｍ
エキシマレーザによって照射したヒューズドシリカの挙
動(Behaviour of fused silica irradiated by low lev
el 193 nm eximer laser for tens od billions of pul
ses)"、J.Non-Cryst.Solids 265巻（２０００）、２８
５−２８９ページ）。こうして圧密及び圧密減少は、必
ずしも放射線誘導性吸収を増加させない欠損であるが、
むしろ光学機器部品の使用寿命を制限するかもしれな
い。
光学機器石英ガラス部品を、低エネルギー密度ではある
が高パルス数のレーザ光にさらす場合である。これらの
条件下では“圧密減少(decompaction)”が認められ（文
献では“rarefaction”とも呼ばれている）、これは屈
折率のその後の減少を伴う。この効果も光学的特性を悪
化させる。これはヴァン ペスキ(C.K.Van Peski)、モ
ートン（R.Morton）、及びボル（Z.Bor）による文献に
報告されている（“数百億パルスの低レベル１９３ｎｍ
エキシマレーザによって照射したヒューズドシリカの挙
動(Behaviour of fused silica irradiated by low lev
el 193 nm eximer laser for tens od billions of pul
ses)"、J.Non-Cryst.Solids 265巻（２０００）、２８
５−２８９ページ）。こうして圧密及び圧密減少は、必
ずしも放射線誘導性吸収を増加させない欠損であるが、
むしろ光学機器部品の使用寿命を制限するかもしれな
い。
【００１６】
【発明が解決しようとする課題】こうして本発明の課題
は、低い程度の誘起性吸収を示し、同時にその圧密及び
圧密減少特性に関して最適化された、波長２５０ｎｍ以
下の紫外線を透過する光学機器部品用合成石英ガラスブ
ランクを提供することである。上記のタイプの光学機器
部品の費用効果の高い製造方法及びそのような部品の適
切な使用を提供することも本発明の課題である。
は、低い程度の誘起性吸収を示し、同時にその圧密及び
圧密減少特性に関して最適化された、波長２５０ｎｍ以
下の紫外線を透過する光学機器部品用合成石英ガラスブ
ランクを提供することである。上記のタイプの光学機器
部品の費用効果の高い製造方法及びそのような部品の適
切な使用を提供することも本発明の課題である。
【００１７】
【課題を解決するための手段】提供すべきブランクに関
して、この課題は本発明において諸特性の下記の組み合
わせを有するブランクの実施態様によって解決する： ・酸素欠損部位がほとんどないガラス構造、 ・０．１×１０16分子／ｃｍ3ないし４．０×１０16分
子／ｃｍ3の範囲のＨ2−含有量、 ・１２５ｗｔ−ｐｐｍないし４５０ｗｔ−ｐｐｍの範囲
のＯＨ−含有量、 ・５×１０16分子／ｃｍ3未満のＳｉＨ基−含有量、 ・２ｐｐｍ未満の屈折率不均質性、△ｎ、 ・２ｎｍ／ｃｍ未満のひずみ複屈折。
して、この課題は本発明において諸特性の下記の組み合
わせを有するブランクの実施態様によって解決する： ・酸素欠損部位がほとんどないガラス構造、 ・０．１×１０16分子／ｃｍ3ないし４．０×１０16分
子／ｃｍ3の範囲のＨ2−含有量、 ・１２５ｗｔ−ｐｐｍないし４５０ｗｔ−ｐｐｍの範囲
のＯＨ−含有量、 ・５×１０16分子／ｃｍ3未満のＳｉＨ基−含有量、 ・２ｐｐｍ未満の屈折率不均質性、△ｎ、 ・２ｎｍ／ｃｍ未満のひずみ複屈折。
【００１８】このような関係において、酸素欠損部位が
ほとんどないガラス構造とは、酸素不足欠損及び酸素過
剰欠損の濃度がシェルビー法の検出限界以下であるガラ
ス構造を意味する。この検出法は“水素とヒドロキシル
−フリーガラス質シリカとの反応(Reaction of hydroge
n with hydroxyl-free vitreous silica)"(J.Appl.Phy
s．５１巻、５号、１９８０年５月、２５８９−２５９
３ページ）に発表された。定量的意味では、これは石英
ガラス１グラムあたりのガラス構造内に酸素不足欠損及
び酸素過剰欠損が約１０17以下しかないことを意味す
る。
ほとんどないガラス構造とは、酸素不足欠損及び酸素過
剰欠損の濃度がシェルビー法の検出限界以下であるガラ
ス構造を意味する。この検出法は“水素とヒドロキシル
−フリーガラス質シリカとの反応(Reaction of hydroge
n with hydroxyl-free vitreous silica)"(J.Appl.Phy
s．５１巻、５号、１９８０年５月、２５８９−２５９
３ページ）に発表された。定量的意味では、これは石英
ガラス１グラムあたりのガラス構造内に酸素不足欠損及
び酸素過剰欠損が約１０17以下しかないことを意味す
る。
【００１９】理想的条件下では、上記のパラメータ類は
上記光学機器部品の全体に均一に分布している。上記の
濃度は上記光学機器部品の透過量に関係する。ＯＨ−含
有量はドッド（D.M.Dodd）らの方法によるＩＲ吸収の測
定によって決定される（“ヒューズドシリカ中のＯＨの
光学的測定 (Optical determinations of OH in fused
silica)"、J.Appl.Phys．３７巻（１９６６）、３９１
１ページ）。Ｈ2−含有量は最初にコチムチェンコ(Khot
imchenko)らによって提案されたラマン法によって測定
される（“ラマン散乱及び質量測定法を使用する石英ガ
ラスに溶解している水素含有量の測定(Determination t
he content of hydrogen dissolved in quartz glass u
sing the methods of Raman scattering and mass spec
trometry)"、Zhurnal Prikladnoi Spektroskopii、４６
巻、６号、１９８７年６月、９８７−９９１ページ）。
ＳｉＨ基の含有量は、較正のために下記のシェルビー
（Ｓｈｅｌｂｙ）の化学反応を用い、ラマンスペクトル
法によって測定する：Ｓｉ−Ｏ−Ｓｉ＋Ｈ2→Ｓｉ−Ｈ
＋Ｓｉ−ＯＨ（“水素とヒドロキシル−フリーガラス質
シリカとの反応”、J.Appl.Phys．５１巻、５号、１９
８０年５月、２５８９−２５９３ページ）。
上記光学機器部品の全体に均一に分布している。上記の
濃度は上記光学機器部品の透過量に関係する。ＯＨ−含
有量はドッド（D.M.Dodd）らの方法によるＩＲ吸収の測
定によって決定される（“ヒューズドシリカ中のＯＨの
光学的測定 (Optical determinations of OH in fused
silica)"、J.Appl.Phys．３７巻（１９６６）、３９１
１ページ）。Ｈ2−含有量は最初にコチムチェンコ(Khot
imchenko)らによって提案されたラマン法によって測定
される（“ラマン散乱及び質量測定法を使用する石英ガ
ラスに溶解している水素含有量の測定(Determination t
he content of hydrogen dissolved in quartz glass u
sing the methods of Raman scattering and mass spec
trometry)"、Zhurnal Prikladnoi Spektroskopii、４６
巻、６号、１９８７年６月、９８７−９９１ページ）。
ＳｉＨ基の含有量は、較正のために下記のシェルビー
（Ｓｈｅｌｂｙ）の化学反応を用い、ラマンスペクトル
法によって測定する：Ｓｉ−Ｏ−Ｓｉ＋Ｈ2→Ｓｉ−Ｈ
＋Ｓｉ−ＯＨ（“水素とヒドロキシル−フリーガラス質
シリカとの反応”、J.Appl.Phys．５１巻、５号、１９
８０年５月、２５８９−２５９３ページ）。
【００２０】屈折率の不均質性、△ｎ、は波長６３３ｎ
ｍ（Ｈｅ−Ｎｅレーザ）で干渉測定法によって測定す
る。△ｎは、透過のために使用する光学機器部品の断面
（“透明開口 (clear aperture) ”領域（ＣＡ領域）と
も呼ばれる）を通って測定される屈折率分布の最大値と
最小値との差である。透明開口領域は透過方向に垂直な
平面上への透過量の投影によって測定される。
ｍ（Ｈｅ−Ｎｅレーザ）で干渉測定法によって測定す
る。△ｎは、透過のために使用する光学機器部品の断面
（“透明開口 (clear aperture) ”領域（ＣＡ領域）と
も呼ばれる）を通って測定される屈折率分布の最大値と
最小値との差である。透明開口領域は透過方向に垂直な
平面上への透過量の投影によって測定される。
【００２１】ひずみ複屈折は、“ガラスレーザディスク
中の残留複屈折分布の、横断ゼーマン レーザによる測
定 (Measurement of the residual birefringence dist
ribution in glass laser disk by transverse Zeeman
laser)"(Electronics and Communications in Japan、
２部、７４巻、５号、１９９１；電子情報通信学会論文
誌７３−Ｃ−１巻、１０号、１９９０、６５２−６５７
から翻訳）に記載された方法によって６３３ｎｍの波長
で（Ｈｅ−Ｎｅ−レーザ）干渉測定法によって測定す
る。
中の残留複屈折分布の、横断ゼーマン レーザによる測
定 (Measurement of the residual birefringence dist
ribution in glass laser disk by transverse Zeeman
laser)"(Electronics and Communications in Japan、
２部、７４巻、５号、１９９１；電子情報通信学会論文
誌７３−Ｃ−１巻、１０号、１９９０、６５２−６５７
から翻訳）に記載された方法によって６３３ｎｍの波長
で（Ｈｅ−Ｎｅ−レーザ）干渉測定法によって測定す
る。
【００２２】主として短波長ＵＶ線に対する高度の抵抗
に焦点を置いた今日までの文献中の石英ガラスの質に比
較して、本発明によるブランクを作る石英ガラス材料は
比較的低い水素含有量と中程度のＯＨ−含有量とを特徴
とする。これらの特性を示す石英ガラスは前記の“スー
ト法”または“直接ガラス化”のいずれによっても容易
に得られない。通常、直接ガラス化はＯＨ−含有量４５
０ないし１２００ｗｔ−ｐｐｍ、Ｈ2−含有量約１×１
０18分子／ｃｍ3を有する石英ガラスを生成するが、ス
ート法による石英ガラスの製造方法では、数ｗｔ−ｐｐ
ｍから２００ｗｔ−ｐｐｍまでの低いＯＨ−含有量を示
す品質となるのが一般的である。
に焦点を置いた今日までの文献中の石英ガラスの質に比
較して、本発明によるブランクを作る石英ガラス材料は
比較的低い水素含有量と中程度のＯＨ−含有量とを特徴
とする。これらの特性を示す石英ガラスは前記の“スー
ト法”または“直接ガラス化”のいずれによっても容易
に得られない。通常、直接ガラス化はＯＨ−含有量４５
０ないし１２００ｗｔ−ｐｐｍ、Ｈ2−含有量約１×１
０18分子／ｃｍ3を有する石英ガラスを生成するが、ス
ート法による石英ガラスの製造方法では、数ｗｔ−ｐｐ
ｍから２００ｗｔ−ｐｐｍまでの低いＯＨ−含有量を示
す品質となるのが一般的である。
【００２３】上記の特性を有する石英ガラスブランクか
ら作られる光学機器部品では圧密及び圧密減少に至るダ
メージメカニズムが排除されるかまたは少なくとも劇的
に減少することが判明した。その上、この種の部品類を
適切に使用する際の屈折率の変化が完全に排除されるか
または大きく回避される結果、本発明によるブランクか
ら作られる光学機器部品の使用寿命が上記のダメージメ
カニズムによって制限されることはない。
ら作られる光学機器部品では圧密及び圧密減少に至るダ
メージメカニズムが排除されるかまたは少なくとも劇的
に減少することが判明した。その上、この種の部品類を
適切に使用する際の屈折率の変化が完全に排除されるか
または大きく回避される結果、本発明によるブランクか
ら作られる光学機器部品の使用寿命が上記のダメージメ
カニズムによって制限されることはない。
【００２４】このような上記諸特性の組み合わせが短波
長ＵＶ線ダメージの受けやすさに及ぼす影響が実験的に
証明された。これを以下に詳細に説明する。これらの実
験の結果、１２５ｗｔ−ｐｐｍ未満の低ＯＨ−含有量、
すなわちスート法により製造された石英ガラスの典型的
ＯＨ−含有量は圧密に導き、他方、４５０ｗｔ−ｐｐｍ
より高いＯＨ−含有量を有する石英ガラス質は圧密減少
傾向の上昇、及び（−上記スート材料に水素が含まれる
場合には−）急速ダメージプロセス（ＲＤＰ）と呼ばれ
るダメージ挙動を示すことが明らかになった。
長ＵＶ線ダメージの受けやすさに及ぼす影響が実験的に
証明された。これを以下に詳細に説明する。これらの実
験の結果、１２５ｗｔ−ｐｐｍ未満の低ＯＨ−含有量、
すなわちスート法により製造された石英ガラスの典型的
ＯＨ−含有量は圧密に導き、他方、４５０ｗｔ−ｐｐｍ
より高いＯＨ−含有量を有する石英ガラス質は圧密減少
傾向の上昇、及び（−上記スート材料に水素が含まれる
場合には−）急速ダメージプロセス（ＲＤＰ）と呼ばれ
るダメージ挙動を示すことが明らかになった。
【００２５】ＲＤＰに導くダメージメカニズムは４．０
×１０16分子／ｃｍ3を超えるＨ2−含有量で最も顕著で
ある。その上この種の石英ガラスは高い圧密減少傾向を
示し、他方０．１×１０16分子／ｃｍ3未満のＨ2−含有
量では水素の欠損修復効果（上記）は非常に小さく、そ
の結果、上記光学機器部品の適切な使用中に許容できな
い透過ロスが起こる。
×１０16分子／ｃｍ3を超えるＨ2−含有量で最も顕著で
ある。その上この種の石英ガラスは高い圧密減少傾向を
示し、他方０．１×１０16分子／ｃｍ3未満のＨ2−含有
量では水素の欠損修復効果（上記）は非常に小さく、そ
の結果、上記光学機器部品の適切な使用中に許容できな
い透過ロスが起こる。
【００２６】これに対して、本発明によるブランクは圧
密及び圧密減少両方に関して最適化され、短波長ＵＶ線
の誘起性吸収をほとんど示さない。この最適化により、
光学特性の均一性が厳しく要求される光学機器部品にお
いてさえ、スート法により製造された石英ガラスの使用
が容易になる。
密及び圧密減少両方に関して最適化され、短波長ＵＶ線
の誘起性吸収をほとんど示さない。この最適化により、
光学特性の均一性が厳しく要求される光学機器部品にお
いてさえ、スート法により製造された石英ガラスの使用
が容易になる。
【００２７】上記ブランクのＯＨ−含有量を２００ｗｔ
−ｐｐｍないし３５０ｗｔ−ｐｐｍの範囲にすることが
特に好都合であることが判明した、なぜならばこのＯＨ
−含有量は一方では圧密減少と圧密との間の好ましい調
和を示し、他方圧密減少と急速ダメージプロセスとの好
ましい調和を示すからである。
−ｐｐｍないし３５０ｗｔ−ｐｐｍの範囲にすることが
特に好都合であることが判明した、なぜならばこのＯＨ
−含有量は一方では圧密減少と圧密との間の好ましい調
和を示し、他方圧密減少と急速ダメージプロセスとの好
ましい調和を示すからである。
【００２８】Ｈ2−含有量は１×１０16分子／ｃｍ3ない
し３×１０16分子／ｃｍ3の範囲内であるのが好まし
い。上記範囲内のＨ2−含有量を有する石英ガラスブラ
ンクは水素の好ましい欠損修復効果を特に高レベルで提
供するだけでなく、圧密減少も著しく防止する。その上
この最適化は、スート法によって作られた石英ガラス
を、圧密及び圧密減少が使用寿命を制限する重大な影響
をもたらすような用途に使用することを可能にした。
し３×１０16分子／ｃｍ3の範囲内であるのが好まし
い。上記範囲内のＨ2−含有量を有する石英ガラスブラ
ンクは水素の好ましい欠損修復効果を特に高レベルで提
供するだけでなく、圧密減少も著しく防止する。その上
この最適化は、スート法によって作られた石英ガラス
を、圧密及び圧密減少が使用寿命を制限する重大な影響
をもたらすような用途に使用することを可能にした。
【００２９】
【発明の実施の形態】石英ガラスブランクの製造方法に
関して上記の課題は、本発明において冒頭に記載した方
法に基づいて石英ガラスプレフォームを均質化処理にか
けることによって解決する；上記均質化処理において、
平均値からの最大偏差２５％を有する径方向のＨ2濃度
プロフィールが確立され、上記平均値は０．１×１０16
分子／ｃｍ3ないし４．０×１０16分子／ｃｍ3の範囲内
である。
関して上記の課題は、本発明において冒頭に記載した方
法に基づいて石英ガラスプレフォームを均質化処理にか
けることによって解決する；上記均質化処理において、
平均値からの最大偏差２５％を有する径方向のＨ2濃度
プロフィールが確立され、上記平均値は０．１×１０16
分子／ｃｍ3ないし４．０×１０16分子／ｃｍ3の範囲内
である。
【００３０】本発明による方法において、０．１×１０
16分子／ｃｍ3ないし４．０×１０1 6分子／ｃｍ3の範囲
内の平均Ｈ2濃度が確立される。急速ダメージプロセス
に導くダメージメカニズムは４．０×１０16分子／ｃｍ
3を超えるＨ2−含有量において特に顕著であり、他方
０．１×１０16分子／ｃｍ3未満のＨ2濃度においては水
素の欠損修復効果（上記）は非常に小さくなり、上記光
学機器部品の適切な使用中に許容できない透過ロスが起
こる。
16分子／ｃｍ3ないし４．０×１０1 6分子／ｃｍ3の範囲
内の平均Ｈ2濃度が確立される。急速ダメージプロセス
に導くダメージメカニズムは４．０×１０16分子／ｃｍ
3を超えるＨ2−含有量において特に顕著であり、他方
０．１×１０16分子／ｃｍ3未満のＨ2濃度においては水
素の欠損修復効果（上記）は非常に小さくなり、上記光
学機器部品の適切な使用中に許容できない透過ロスが起
こる。
【００３１】スート体はこの製造プロセスの技術的面か
らの結果として水素を含む。スート体からガラス化法に
よって作られる石英ガラスプレフォームは通常、その容
量全体に不均一なＨ2濃度プロフィールを示す。Ｈ2濃度
プロフィールが不均一であるのはガラス化の際のスート
体の温度処理の結果である。石英ガラスにおける水素の
拡散速度は高いため、スート体または石英ガラスプレフ
ォームの表面に近い領域では、中心により近い領域に比
べて、ガラス化時の水素の消失は速い。本発明による方
法ではその後の均一化処理段階によってこの濃度勾配は
完全にまたは大きく除去される。この段階は石英ガラス
プレフォームに、平均値から最大２５％偏る径方向のＨ
2濃度プロフィールを確立する。
らの結果として水素を含む。スート体からガラス化法に
よって作られる石英ガラスプレフォームは通常、その容
量全体に不均一なＨ2濃度プロフィールを示す。Ｈ2濃度
プロフィールが不均一であるのはガラス化の際のスート
体の温度処理の結果である。石英ガラスにおける水素の
拡散速度は高いため、スート体または石英ガラスプレフ
ォームの表面に近い領域では、中心により近い領域に比
べて、ガラス化時の水素の消失は速い。本発明による方
法ではその後の均一化処理段階によってこの濃度勾配は
完全にまたは大きく除去される。この段階は石英ガラス
プレフォームに、平均値から最大２５％偏る径方向のＨ
2濃度プロフィールを確立する。
【００３２】上に記載した公知の方法とは異なり、本発
明による方法は先ず最初に石英ガラスプレフォームの水
素含有量を要求されるレベル（径方向のＨ2−濃度勾配
を許容するレベル）に確定し、その後均質化処理段階に
よって上記水素を石英ガラスプレフォーム全体に均一に
分布させる。均質化処理段階中に上に指定した範囲内の
平均Ｈ2−含有量が確立できるように、均質化処理前に
は石英ガラスプレフォームに十分量の水素が存在するこ
とが必要である。この目的で、均質化処理前に、上記石
英ガラスプレフォームの容量平均−Ｈ2−含有量は、Ｈ2
レベルが少なくともＨ2−濃度の所望平均値になるよう
に決められる。以後、均質化処理前の石英ガラスプレフ
ォームの水素含有量を“初期水素含有量”と呼ぶことに
する。
明による方法は先ず最初に石英ガラスプレフォームの水
素含有量を要求されるレベル（径方向のＨ2−濃度勾配
を許容するレベル）に確定し、その後均質化処理段階に
よって上記水素を石英ガラスプレフォーム全体に均一に
分布させる。均質化処理段階中に上に指定した範囲内の
平均Ｈ2−含有量が確立できるように、均質化処理前に
は石英ガラスプレフォームに十分量の水素が存在するこ
とが必要である。この目的で、均質化処理前に、上記石
英ガラスプレフォームの容量平均−Ｈ2−含有量は、Ｈ2
レベルが少なくともＨ2−濃度の所望平均値になるよう
に決められる。以後、均質化処理前の石英ガラスプレフ
ォームの水素含有量を“初期水素含有量”と呼ぶことに
する。
【００３３】均質化処理は、石英ガラスプレフォーム中
の最初は大きかった径方向Ｈ2濃度勾配を効果的に除去
し、または減らす。
の最初は大きかった径方向Ｈ2濃度勾配を効果的に除去
し、または減らす。
【００３４】水素が石英ガラスプレフォームの容量全体
に、より均一に分布すればするほど、上記石英ガラスプ
レフォームから作られた光学機器部品または光学機器部
品類の光学的特性はより良くなる。これに関連して、均
質化処理が、平均値からの最大偏差が１５％である径方
向Ｈ2−濃度プロフィールをもたらすような方法が好ま
しい。
に、より均一に分布すればするほど、上記石英ガラスプ
レフォームから作られた光学機器部品または光学機器部
品類の光学的特性はより良くなる。これに関連して、均
質化処理が、平均値からの最大偏差が１５％である径方
向Ｈ2−濃度プロフィールをもたらすような方法が好ま
しい。
【００３５】上に説明した石英ガラスプレフォームの初
期水素含有量を確立する目的で、Ｈ 2−含有−気体のも
とでスート体をガラス化することによって石英ガラスプ
レフォームを製造するのが好都合であることが判明し
た。上記スート体を取り巻く気体中の水素の分圧によ
り、水素のスート体からの拡散は減り、スート体の自由
表面と内部領域との径方向Ｈ2−濃度勾配は、水素含有
気体が存在しない場合に比べて小さくなる。これはその
後の均質化処理中における均一な径方向Ｈ2−濃度プロ
フィールの確立を容易にする。しかし水素分圧が高い
と、石英ガラスプレフォームへの水素の追加的取り込み
が若干起こるかもしれない。これは外側（表面）のより
高い濃度と内側のより低い濃度との間にＨ2−濃度勾配
を形成させるかもしれない。この勾配もその後の均質化
処理によって除去されまたは減少する。
期水素含有量を確立する目的で、Ｈ 2−含有−気体のも
とでスート体をガラス化することによって石英ガラスプ
レフォームを製造するのが好都合であることが判明し
た。上記スート体を取り巻く気体中の水素の分圧によ
り、水素のスート体からの拡散は減り、スート体の自由
表面と内部領域との径方向Ｈ2−濃度勾配は、水素含有
気体が存在しない場合に比べて小さくなる。これはその
後の均質化処理中における均一な径方向Ｈ2−濃度プロ
フィールの確立を容易にする。しかし水素分圧が高い
と、石英ガラスプレフォームへの水素の追加的取り込み
が若干起こるかもしれない。これは外側（表面）のより
高い濃度と内側のより低い濃度との間にＨ2−濃度勾配
を形成させるかもしれない。この勾配もその後の均質化
処理によって除去されまたは減少する。
【００３６】ガラス化において使用されるＨ2−含有気
体は、Ｈ2／Ｈｅ気体またはＨ2／Ｎ2気体またはＨ2／Ｈ
2Ｏ気体であるのが好ましい。Ｈ2／Ｈ2Ｏ気体は、例え
ばスート体に含まれる水が、ガラス化炉のグラファイト
元素に由来する炭素と反応したときに形成される。
体は、Ｈ2／Ｈｅ気体またはＨ2／Ｎ2気体またはＨ2／Ｈ
2Ｏ気体であるのが好ましい。Ｈ2／Ｈ2Ｏ気体は、例え
ばスート体に含まれる水が、ガラス化炉のグラファイト
元素に由来する炭素と反応したときに形成される。
【００３７】これに引き続き、または別個に、必要な初
期水素含有量を確立する処理段階を行うことが好まし
い。この段階では石英ガラスプレフォームを、水素含有
量を減らす温度処理にかける。石英ガラスプレフォーム
からの水素の拡散は初期水素含有量を微調整する特に適
した手段である。
期水素含有量を確立する処理段階を行うことが好まし
い。この段階では石英ガラスプレフォームを、水素含有
量を減らす温度処理にかける。石英ガラスプレフォーム
からの水素の拡散は初期水素含有量を微調整する特に適
した手段である。
【００３８】好ましい処理段階において、均質化処理は
石英ガラスプレフォームをねじったり折り返したりする
ことによって行われる。これは石英ガラスプレフォーム
に含まれる水素を立体的あらゆる方向に均一に分布する
ことができる。石英ガラスプレフォームを一度または数
回折り返すことは、脈理が回転軸に垂直な平面に留まる
ことを阻止する（プレフォームをねじるだけならば、脈
理は上記平面に留まる）。石英ガラスのねじり及び折り
返しによる均質化はＤＥ４２０４４０６Ｃ２及びＥＰ−
Ａ１６７３８８８に記載されている。本発明による上記
のブランクの諸特性を有する石英ガラスは“スート法”
または“直接ガラス化”からは容易に得られないことは
前に述べた。これらの製造方法の難しさは主として平均
ＯＨ−含有量を１２５ｗｔ−ｐｐｍから４５０ｗｔ−ｐ
ｐｍの範囲にすることと関係する。約３００ｗｔ−ｐｐ
ｍより高いＯＨ−含有量の確立は、スート法ではスート
体のガラス化中の泡の生成のために問題であり、一方約
３００ｗｔ−ｐｐｍ未満のＯＨ−含有量は直接ガラス化
によっては実質的に達成不可能である。
石英ガラスプレフォームをねじったり折り返したりする
ことによって行われる。これは石英ガラスプレフォーム
に含まれる水素を立体的あらゆる方向に均一に分布する
ことができる。石英ガラスプレフォームを一度または数
回折り返すことは、脈理が回転軸に垂直な平面に留まる
ことを阻止する（プレフォームをねじるだけならば、脈
理は上記平面に留まる）。石英ガラスのねじり及び折り
返しによる均質化はＤＥ４２０４４０６Ｃ２及びＥＰ−
Ａ１６７３８８８に記載されている。本発明による上記
のブランクの諸特性を有する石英ガラスは“スート法”
または“直接ガラス化”からは容易に得られないことは
前に述べた。これらの製造方法の難しさは主として平均
ＯＨ−含有量を１２５ｗｔ−ｐｐｍから４５０ｗｔ−ｐ
ｐｍの範囲にすることと関係する。約３００ｗｔ−ｐｐ
ｍより高いＯＨ−含有量の確立は、スート法ではスート
体のガラス化中の泡の生成のために問題であり、一方約
３００ｗｔ−ｐｐｍ未満のＯＨ−含有量は直接ガラス化
によっては実質的に達成不可能である。
【００３９】この点において本発明はもう一つの改良を
提案する；すなわち均質化処理が第一の石英ガラスプレ
フォームと第二の石英ガラスプレフォームとを混合して
平均ＯＨ−含有量が１２５ｗｔ−ｐｐｍないし４５０ｗ
ｔ−ｐｐｍ、特に２００ｗｔ−ｐｐｍないし３５０ｗｔ
−ｐｐｍの範囲内にある混合石英ガラスを形成する段階
を含む。
提案する；すなわち均質化処理が第一の石英ガラスプレ
フォームと第二の石英ガラスプレフォームとを混合して
平均ＯＨ−含有量が１２５ｗｔ−ｐｐｍないし４５０ｗ
ｔ−ｐｐｍ、特に２００ｗｔ−ｐｐｍないし３５０ｗｔ
−ｐｐｍの範囲内にある混合石英ガラスを形成する段階
を含む。
【００４０】例えば、本発明による方法において、ブラ
ンクは異なるＯＨ−含有量を有する少なくとも二種類の
石英ガラス質を混合することによって得られ、その際第
一の石英ガラスプレフォーム（以後“第一石英ガラス”
と呼ぶ）は確立すべき平均ＯＨ−含有量に比較して低い
ＯＨ−含有量を有し、第二の石英ガラスプレフォーム
（以後は“第二石英ガラス”と呼ぶ）は確立すべき平均
ＯＨ−含有量に比較してより高いＯＨ−含有量を有す
る。その後均質化段階により、混合石英ガラスを生成す
る。ここでは第二石英ガラスに対する第一石英ガラスの
選択された質量比によって、第一石英ガラスのＯＨ−含
有量と第二石英ガラスのＯＨ−含有量との平均ＯＨ−含
有量が確立される。この方法は１２５ｗｔ−ｐｐｍない
し４５０ｗｔ−ｐｐｍの範囲のＯＨ−含有量を有する混
合石英ガラスの対費用効果のある製造方法である。
ンクは異なるＯＨ−含有量を有する少なくとも二種類の
石英ガラス質を混合することによって得られ、その際第
一の石英ガラスプレフォーム（以後“第一石英ガラス”
と呼ぶ）は確立すべき平均ＯＨ−含有量に比較して低い
ＯＨ−含有量を有し、第二の石英ガラスプレフォーム
（以後は“第二石英ガラス”と呼ぶ）は確立すべき平均
ＯＨ−含有量に比較してより高いＯＨ−含有量を有す
る。その後均質化段階により、混合石英ガラスを生成す
る。ここでは第二石英ガラスに対する第一石英ガラスの
選択された質量比によって、第一石英ガラスのＯＨ−含
有量と第二石英ガラスのＯＨ−含有量との平均ＯＨ−含
有量が確立される。この方法は１２５ｗｔ−ｐｐｍない
し４５０ｗｔ−ｐｐｍの範囲のＯＨ−含有量を有する混
合石英ガラスの対費用効果のある製造方法である。
【００４１】第一及び第二石英ガラスを、上記ガラス類
を軟化させ、その後型中で均質化するか、または異なる
石英ガラス質から作られた成形体（form bodies）を互
いにねじり回し、その後折り返しによって均質化すると
いうやり方で混合する。
を軟化させ、その後型中で均質化するか、または異なる
石英ガラス質から作られた成形体（form bodies）を互
いにねじり回し、その後折り返しによって均質化すると
いうやり方で混合する。
【００４２】石英ガラス質の混合は、本発明によるブラ
ンクのその他の成分のそれぞれの平均濃度も確立する−
これは特にＨ2及びＳｉＨ基の含有量に関して言える。
ンクのその他の成分のそれぞれの平均濃度も確立する−
これは特にＨ2及びＳｉＨ基の含有量に関して言える。
【００４３】上記混合石英ガラスで得られた諸特性は本
発明によるブランクの諸特性に対応する；詳細は上記の
説明を参照されたい。
発明によるブランクの諸特性に対応する；詳細は上記の
説明を参照されたい。
【００４４】第二石英ガラスプレフォームの特に好まし
い製造方法において、ＳｉＯ2粒子を形成し、回転担体
に沈着させ、その後直接ガラス化する。この場合、石英
ガラスの複数の質が混合される。そのうち少なくとも一
つはスート法によって生成し、他の少なくとも一つは直
接ガラス化法によって生成する。これらの石英ガラス質
は本発明による平均ＯＨ−含有量を確立するのに特に適
する。スート法によって作られるスート体のガラス化中
の泡の発生を阻止するために、最大３００ｗｔ−ｐｐｍ
レベルのＯＨ−含有量を確立することが必要である。こ
の目的で、スート体を乾燥気体中で脱水処理するのが普
通である。これによりＯＨ−含有量をｐｐｂレベルに低
下させることができる。ガラス化及びその後の均質化
後、スート法によって作った石英ガラスのＨ2−含有量
は通常、検出限界１×１０15分子／ｃｍ3より低い。こ
れに対して、直接ガラス化法により火炎加水分解によっ
て作られる石英ガラスは、その処理の詳細によると、数
百ｗｔ−ｐｐｍの比較的高いＯＨ−含有量と１０17分子
／ｃｍ3を超える高いＨ2−含有量を有するのが普通であ
る。これら２種類の石英ガラス質の適切量の混合によっ
て、設定されるＨ2−含有量に関して最適化され、好ま
しくはＯＨ−含有量に関しても最適化された混合石英ガ
ラスが費用効果的な方法で得られる。
い製造方法において、ＳｉＯ2粒子を形成し、回転担体
に沈着させ、その後直接ガラス化する。この場合、石英
ガラスの複数の質が混合される。そのうち少なくとも一
つはスート法によって生成し、他の少なくとも一つは直
接ガラス化法によって生成する。これらの石英ガラス質
は本発明による平均ＯＨ−含有量を確立するのに特に適
する。スート法によって作られるスート体のガラス化中
の泡の発生を阻止するために、最大３００ｗｔ−ｐｐｍ
レベルのＯＨ−含有量を確立することが必要である。こ
の目的で、スート体を乾燥気体中で脱水処理するのが普
通である。これによりＯＨ−含有量をｐｐｂレベルに低
下させることができる。ガラス化及びその後の均質化
後、スート法によって作った石英ガラスのＨ2−含有量
は通常、検出限界１×１０15分子／ｃｍ3より低い。こ
れに対して、直接ガラス化法により火炎加水分解によっ
て作られる石英ガラスは、その処理の詳細によると、数
百ｗｔ−ｐｐｍの比較的高いＯＨ−含有量と１０17分子
／ｃｍ3を超える高いＨ2−含有量を有するのが普通であ
る。これら２種類の石英ガラス質の適切量の混合によっ
て、設定されるＨ2−含有量に関して最適化され、好ま
しくはＯＨ−含有量に関しても最適化された混合石英ガ
ラスが費用効果的な方法で得られる。
【００４５】特に上に説明したように、スート法によっ
て製造された石英ガラスの化学的組成に対する直接ガラ
ス化法によって製造された石英ガラスの化学的組成の典
型的差に関しては、第一石英ガラスが１０ｗｔ−ｐｐｍ
ないし３００ｗｔ−ｐｐｍの範囲のＯＨ−含有量を有
し、第二石英ガラスが４００ｗｔ−ｐｐｍないし１３０
０ｗｔ−ｐｐｍの範囲のＯＨ−含有量を有するような処
理法が好ましい。
て製造された石英ガラスの化学的組成に対する直接ガラ
ス化法によって製造された石英ガラスの化学的組成の典
型的差に関しては、第一石英ガラスが１０ｗｔ−ｐｐｍ
ないし３００ｗｔ−ｐｐｍの範囲のＯＨ−含有量を有
し、第二石英ガラスが４００ｗｔ−ｐｐｍないし１３０
０ｗｔ−ｐｐｍの範囲のＯＨ−含有量を有するような処
理法が好ましい。
【００４６】これに関して、第一石英ガラスの一石英ガ
ラス体を第二石英ガラスの一石英ガラス体の回りに巻き
付け、生成した配列を折り返すことによって石英ガラス
質を混合することが特に好都合であることが証明され
た。最も簡単な事例シナリオにおいて、上記石英ガラス
体類は；処理の第一段階で軟化し、互いに隣接して平行
に置かれ、縦方向軸に平行な回転軸の回りに互いにねじ
り巻きつく長いシリンダー類（チューブおよび／または
棒）からなる。回転軸に垂直な平面に残る脈理はこの配
列を一回または数回折り返すことによって全て除去され
る。
ラス体を第二石英ガラスの一石英ガラス体の回りに巻き
付け、生成した配列を折り返すことによって石英ガラス
質を混合することが特に好都合であることが証明され
た。最も簡単な事例シナリオにおいて、上記石英ガラス
体類は；処理の第一段階で軟化し、互いに隣接して平行
に置かれ、縦方向軸に平行な回転軸の回りに互いにねじ
り巻きつく長いシリンダー類（チューブおよび／または
棒）からなる。回転軸に垂直な平面に残る脈理はこの配
列を一回または数回折り返すことによって全て除去され
る。
【００４７】石英ガラスブランクの使用に関して、上記
の課題は本発明によって、与えられたパルス数、Ｐ、で
石英ガラスを選択することによって解決する。この石英
ガラスは最小水素含有量、ＣH2min、及び最大水素含有
量、ＣH2maxを有する（これらは以下の規定式にしたが
う）： ＣH2min［分子／ｃｍ3］＝１．０×１０6ε2Ｐ （２） ＣH2max［分子／ｃｍ3］＝２．０×１０18ε （３） （ε＝パルスエネルギー密度、ｍＪ／ｃｍ2）
の課題は本発明によって、与えられたパルス数、Ｐ、で
石英ガラスを選択することによって解決する。この石英
ガラスは最小水素含有量、ＣH2min、及び最大水素含有
量、ＣH2maxを有する（これらは以下の規定式にしたが
う）： ＣH2min［分子／ｃｍ3］＝１．０×１０6ε2Ｐ （２） ＣH2max［分子／ｃｍ3］＝２．０×１０18ε （３） （ε＝パルスエネルギー密度、ｍＪ／ｃｍ2）
【００４８】規定式（２）及び（３）にしたがう水素含
有量の確立は短波長ＵＶ線ダメージ挙動に対して石英ガ
ラスを最適化する。規定式（２）は最小水素濃度を照射
条件（パルスエネルギー密度及びパルス数）の関数とす
る；この最小水素濃度未満では水素の欠損−修復効果は
非常に小さく、光学機器部品の適切な使用中に許容でき
ない透過ロスがある。これに対して、規定式（３）は水
素含有量の上限を照射条件（パルスエネルギー密度及び
パルス数）の関数として決める。これを超えるとＲＤＰ
に導くダメージメカニズム効果が顕著になる。上記の水
素濃度は石英ガラスブランクから作られる光学機器部品
における最高の照射負荷にさらされる石英ガラスブラン
クの断面に関する。通常、この断面は部品の中心、すな
わち石英ガラスブランクの中心に相当する。
有量の確立は短波長ＵＶ線ダメージ挙動に対して石英ガ
ラスを最適化する。規定式（２）は最小水素濃度を照射
条件（パルスエネルギー密度及びパルス数）の関数とす
る；この最小水素濃度未満では水素の欠損−修復効果は
非常に小さく、光学機器部品の適切な使用中に許容でき
ない透過ロスがある。これに対して、規定式（３）は水
素含有量の上限を照射条件（パルスエネルギー密度及び
パルス数）の関数として決める。これを超えるとＲＤＰ
に導くダメージメカニズム効果が顕著になる。上記の水
素濃度は石英ガラスブランクから作られる光学機器部品
における最高の照射負荷にさらされる石英ガラスブラン
クの断面に関する。通常、この断面は部品の中心、すな
わち石英ガラスブランクの中心に相当する。
【００４９】もしもパルスエネルギー密度εが最低０．
００５ｍＪ／ｃｍ2で、下記の規定式に従うＯＨ−含有
量、ＣOH、が選択されれば、理想的状態にさらにより近
づく： ＣOH［ｗｔ−ｐｐｍ］＝１．７００×ε0.4 ± ５０ （４）
００５ｍＪ／ｃｍ2で、下記の規定式に従うＯＨ−含有
量、ＣOH、が選択されれば、理想的状態にさらにより近
づく： ＣOH［ｗｔ−ｐｐｍ］＝１．７００×ε0.4 ± ５０ （４）
【００５０】理想的状態においては圧密も圧密減少も起
きない。しかし実際的条件のもとでは実際的照射条件及
び石英ガラスの特性によって、圧密か圧密減少かいずれ
かが認められる。驚いたことに、ＯＨ−含有量が規定式
（４）にしたがう石英ガラスは上記の理想的状態に極め
て近いことが見いだされた。すなわち０．００５ｍＪ／
ｃｍ2ないし０．１ｍＪ／ｃｍ2のパルスエネルギー密
度、ε、において２５０ｎｍ未満の短波長のＵＶ線にさ
らされたとき、上記石英ガラスは明白な圧密も実質的圧
密減少も示さない。
きない。しかし実際的条件のもとでは実際的照射条件及
び石英ガラスの特性によって、圧密か圧密減少かいずれ
かが認められる。驚いたことに、ＯＨ−含有量が規定式
（４）にしたがう石英ガラスは上記の理想的状態に極め
て近いことが見いだされた。すなわち０．００５ｍＪ／
ｃｍ2ないし０．１ｍＪ／ｃｍ2のパルスエネルギー密
度、ε、において２５０ｎｍ未満の短波長のＵＶ線にさ
らされたとき、上記石英ガラスは明白な圧密も実質的圧
密減少も示さない。
【００５１】上記の下限ε＝０．００５ｍＪ／ｃｍ2に
近いパルスエネルギー密度では、規定式（４）にしたが
い、平均ＯＨ−含有量は１５４ｗｔ−ｐｐｍないし２５
４ｗｔ−ｐｐｍと計算される。
近いパルスエネルギー密度では、規定式（４）にしたが
い、平均ＯＨ−含有量は１５４ｗｔ−ｐｐｍないし２５
４ｗｔ−ｐｐｍと計算される。
【００５２】規定式（４）は、０．０３ｍＪ／ｃｍ2未
満のパルスエネルギー密度、より好ましくは０．０１ｍ
Ｊ／ｃｍ2未満のパルスエネルギー密度で低い圧密及び
低い圧密減少両方をもたらすＯＨ−含有量を決める際に
特に有用であることが判明した。ε＝０．０１ｍＪ／ｃ
ｍ2という上限では、規定式（４）にしたがいＯＨ−含
有量は２１９ｗｔ−ｐｐｍないし３１９ｗｔ−ｐｐｍの
範囲と計算される。
満のパルスエネルギー密度、より好ましくは０．０１ｍ
Ｊ／ｃｍ2未満のパルスエネルギー密度で低い圧密及び
低い圧密減少両方をもたらすＯＨ−含有量を決める際に
特に有用であることが判明した。ε＝０．０１ｍＪ／ｃ
ｍ2という上限では、規定式（４）にしたがいＯＨ−含
有量は２１９ｗｔ−ｐｐｍないし３１９ｗｔ−ｐｐｍの
範囲と計算される。
【００５３】
【実施例】次に本発明を実施の形態及び図面によって詳
細に説明する。図１の線図はパルスエネルギー密度、ε
（ｍＪ／ｃｍ2；図では“エネルギー密度”と記され
る）、に対してプロットしたＯＨ−含有量、ＣＯＨ（ｗ
ｔ−ｐｐｍ；図では“ＯＨ−含有量”と記される）を示
す。示された曲線はＯＨ−含有量の異なる種々の石英ガ
ラス質で行われたダメージ測定に基づく。この測定は波
長１９３ｎｍの波長のレーザ光及び２０ないし５０ナノ
秒のレーザパルス長さで行われる。レーザパルス長さは
リバーマン（V.Liberman）、ロスシルド（M.Rothscil
d）、セドラセク（J.H.C.Sedlacek）、ウッタロ（R.S.U
ttaro）、グレンヴィル（A.Grenville）の報告“ヒュー
ズドシリカのエキシマレーザ誘起性−高密度化；スケー
リング法則に与えるレーザ誘起性及び材料等級による影
響（Excimer-laser-induced densification of fused s
ilica:laser-fluence and material-agrade effects on
scaling law)"(Journal Non-Cryst.Solids ２４４巻
（１９９９）１５９−１７１ページ）に記載された方法
によって測定する。
細に説明する。図１の線図はパルスエネルギー密度、ε
（ｍＪ／ｃｍ2；図では“エネルギー密度”と記され
る）、に対してプロットしたＯＨ−含有量、ＣＯＨ（ｗ
ｔ−ｐｐｍ；図では“ＯＨ−含有量”と記される）を示
す。示された曲線はＯＨ−含有量の異なる種々の石英ガ
ラス質で行われたダメージ測定に基づく。この測定は波
長１９３ｎｍの波長のレーザ光及び２０ないし５０ナノ
秒のレーザパルス長さで行われる。レーザパルス長さは
リバーマン（V.Liberman）、ロスシルド（M.Rothscil
d）、セドラセク（J.H.C.Sedlacek）、ウッタロ（R.S.U
ttaro）、グレンヴィル（A.Grenville）の報告“ヒュー
ズドシリカのエキシマレーザ誘起性−高密度化；スケー
リング法則に与えるレーザ誘起性及び材料等級による影
響（Excimer-laser-induced densification of fused s
ilica:laser-fluence and material-agrade effects on
scaling law)"(Journal Non-Cryst.Solids ２４４巻
（１９９９）１５９−１７１ページ）に記載された方法
によって測定する。
【００５４】上記の条件下で測定する測定点は菱形とし
て示される。曲線は圧密も圧密減少も示さないＣOH／ε
の一組をあらわす。曲線の上の領域（１）は圧密領域に
相当し、曲線下の領域（２）は圧密減少が認められる領
域に対応する。この曲線は下記の式によって近似的に描
くことができる： ＣOH［ｗｔ−ｐｐｍ］＝１，７００×ε［ｍＪ／ｃ
ｍ2］0.4 こうして上記曲線及びこの等式を使って、０ないし０．
１５ｍＪ／ｃｍ2のいかなるエネルギーパルス密度にお
いても、圧密も圧密減少も示さない石英ガラスの要求さ
れるＯＨ−含有量を選択することができる。
て示される。曲線は圧密も圧密減少も示さないＣOH／ε
の一組をあらわす。曲線の上の領域（１）は圧密領域に
相当し、曲線下の領域（２）は圧密減少が認められる領
域に対応する。この曲線は下記の式によって近似的に描
くことができる： ＣOH［ｗｔ−ｐｐｍ］＝１，７００×ε［ｍＪ／ｃ
ｍ2］0.4 こうして上記曲線及びこの等式を使って、０ないし０．
１５ｍＪ／ｃｍ2のいかなるエネルギーパルス密度にお
いても、圧密も圧密減少も示さない石英ガラスの要求さ
れるＯＨ−含有量を選択することができる。
【００５５】図２は、一定のパルスエネルギー密度、
０．０３ｍＪ／ｃｍ2、において圧密及び圧密減少の発
生をパルス数（図では“パルス”と記されるＸ軸）の関
数として描いたものである。Ｙ軸はこの特定の実施例に
おける入射光の波長６３３ｎｍの波長部分の波面ひずみ
（wavefront distortion）を示す。波面ひずみは、入射
の結果であり、平らな波面が屈折率の空間的不均質性に
よって妨害される。このため波面ひずみは圧密または圧
密減少の発生の尺度である。図２の菱形はＯＨ−含有量
２５０ｗｔ−ｐｐｍ、Ｈ2−含有量３×１０16分子／ｃ
ｍ3を有する石英ガラスで測定した実験値に相当する。
圧密過程は明らかである。図２の丸印はＯＨ−含有量１
２００ｗｔ−ｐｐｍ、Ｈ2−含有量１×１０18分子／ｃ
ｍ3を有する石英ガラスで測定した実験値に相当する。
圧密減少過程が明らかである。白い四角形として示され
る最適化された石英ガラスにおける測定値では、圧密も
圧密減少も見られない。この石英ガラスのＯＨ−含有量
は４２５ｗｔ−ｐｐｍである。
０．０３ｍＪ／ｃｍ2、において圧密及び圧密減少の発
生をパルス数（図では“パルス”と記されるＸ軸）の関
数として描いたものである。Ｙ軸はこの特定の実施例に
おける入射光の波長６３３ｎｍの波長部分の波面ひずみ
（wavefront distortion）を示す。波面ひずみは、入射
の結果であり、平らな波面が屈折率の空間的不均質性に
よって妨害される。このため波面ひずみは圧密または圧
密減少の発生の尺度である。図２の菱形はＯＨ−含有量
２５０ｗｔ−ｐｐｍ、Ｈ2−含有量３×１０16分子／ｃ
ｍ3を有する石英ガラスで測定した実験値に相当する。
圧密過程は明らかである。図２の丸印はＯＨ−含有量１
２００ｗｔ−ｐｐｍ、Ｈ2−含有量１×１０18分子／ｃ
ｍ3を有する石英ガラスで測定した実験値に相当する。
圧密減少過程が明らかである。白い四角形として示され
る最適化された石英ガラスにおける測定値では、圧密も
圧密減少も見られない。この石英ガラスのＯＨ−含有量
は４２５ｗｔ−ｐｐｍである。
【００５６】これらのタイプの石英ガラス及び比較サン
プルの実施例を表１に列挙する。
プルの実施例を表１に列挙する。
【００５７】
【表１】
【００５８】表１は化学組成の異なる石英ガラスブラン
クで得られた、種々の照射条件下における照射測定結果
を示す。表の右側からの３カラムは個々のブランクの圧
密、圧密減少または吸収の発生を示す質的記載である。
クで得られた、種々の照射条件下における照射測定結果
を示す。表の右側からの３カラムは個々のブランクの圧
密、圧密減少または吸収の発生を示す質的記載である。
【００５９】カラム２から７までに列挙される特性は、
外径２４０ｍｍ、厚さ６０ｍｍのシリンダ形石英ガラス
ブランクで測定する。これらのサンプルは波長１９３ｎ
ｍのエキシマレーザ照射で操作するマイクロリトグラフ
ィー装置のレンズを製造するためのブランクである。レ
ンズ製造中、後になって除去すべき若干の剰余分を除け
ば、ブランクの寸法はレンズ寸法に一致する。このブラ
ンクから作られたレンズの透明開口面積は、レンズの円
形面積からレンズホールダーによって取られる数ミリメ
ートルの端と厚さとを引くことによって決定される。表
１のカラム“０ ±”は酸素欠損部位の濃度を示し、カラ
ム“△ｎ”は透明開口領域全体で測定された屈折率の差
を示し、カラム“Λ”は透明開口領域における最大複屈
折を示す。
外径２４０ｍｍ、厚さ６０ｍｍのシリンダ形石英ガラス
ブランクで測定する。これらのサンプルは波長１９３ｎ
ｍのエキシマレーザ照射で操作するマイクロリトグラフ
ィー装置のレンズを製造するためのブランクである。レ
ンズ製造中、後になって除去すべき若干の剰余分を除け
ば、ブランクの寸法はレンズ寸法に一致する。このブラ
ンクから作られたレンズの透明開口面積は、レンズの円
形面積からレンズホールダーによって取られる数ミリメ
ートルの端と厚さとを引くことによって決定される。表
１のカラム“０ ±”は酸素欠損部位の濃度を示し、カラ
ム“△ｎ”は透明開口領域全体で測定された屈折率の差
を示し、カラム“Λ”は透明開口領域における最大複屈
折を示す。
【００６０】照射実験では、２５×２５×２００ｍｍ3
の棒状サンプルをそれぞれの石英ガラスブランクから生
成し、同じ方法を用いて実験用サンプル（対置する２５
×２５ｍｍ2の面積を磨く）を製造した。
の棒状サンプルをそれぞれの石英ガラスブランクから生
成し、同じ方法を用いて実験用サンプル（対置する２５
×２５ｍｍ2の面積を磨く）を製造した。
【００６１】圧密または圧密減少に関するサンプル類の
ダメージ挙動を調べるために、上記サンプル類を波長１
９３ｎｍのＵＶ線にさらした。その際表１、カラム８、
に記載したようにパルスエネルギー密度を変化させた。
これらの各実験においては５０億パルス（パルス数）を
使用した。
ダメージ挙動を調べるために、上記サンプル類を波長１
９３ｎｍのＵＶ線にさらした。その際表１、カラム８、
に記載したようにパルスエネルギー密度を変化させた。
これらの各実験においては５０億パルス（パルス数）を
使用した。
【００６２】カラム“誘起性吸収”は、吸収増加に導く
二つのダメージメカニズム、すなわち“吸収の直線的増
加”と上記の急速ダメージプロセスとをまとめたもので
ある。誘起性吸収に関してサンプルのダメージ挙動を研
究するために、サンプルをここでもカラム８に記載した
パルスエネルギー密度で１９３ｎｍの波長のＵＶ照射に
さらした。合計１００万パルス（パルス数）でＲＤＰを
十分測定できる。一方、吸収の直線的増加を測定するた
めには最低１０億のパルス（パルス数）が必要である。
この測定は、サンプル透過後のレーザ光の密度の減少を
測定してサンプルの透過ロスを決定するという方法で行
われる。
二つのダメージメカニズム、すなわち“吸収の直線的増
加”と上記の急速ダメージプロセスとをまとめたもので
ある。誘起性吸収に関してサンプルのダメージ挙動を研
究するために、サンプルをここでもカラム８に記載した
パルスエネルギー密度で１９３ｎｍの波長のＵＶ照射に
さらした。合計１００万パルス（パルス数）でＲＤＰを
十分測定できる。一方、吸収の直線的増加を測定するた
めには最低１０億のパルス（パルス数）が必要である。
この測定は、サンプル透過後のレーザ光の密度の減少を
測定してサンプルの透過ロスを決定するという方法で行
われる。
【００６３】圧密及び圧密減少は、照射実験後に、波長
６３３ｎｍで、照射領域対非照射領域の屈折率の相対的
増加または減少を市販の干渉計（Ｚｙｇｏ ＧＰ１−Ｘ
Ｐ）を使用して測定するというやり方で測定した。
６３３ｎｍで、照射領域対非照射領域の屈折率の相対的
増加または減少を市販の干渉計（Ｚｙｇｏ ＧＰ１−Ｘ
Ｐ）を使用して測定するというやり方で測定した。
【００６４】被検サンプル１から９までを製造した石英
ガラスブランクの製造方法を次に具体的に述べる：
ガラスブランクの製造方法を次に具体的に述べる：
【００６５】１．ブランク１から４までこれらの石英ガ
ラスはスート法によって製造される。
ラスはスート法によって製造される。
【００６６】スート体の製造方法
酸素−水素バーナーを使用してＳｉＯ2粒子を外径４０
ｍｍの酸化アルミニウム担体チューブに沈着させ、多孔
性スート体を形成する。上記酸素−水素バーナーにガラ
ス原料と燃焼物質とを供給する。これらは各酸素−水素
バーナーのそれぞれのバーナー炎でＳｉＯ2に変化す
る。沈着過程中、バーナーは縦方向軸に沿って、空間的
に固定された反転する２点間を振幅１５ｃｍで所定のよ
うに連続的に移動し、これによって連続的ＳｉＯ2層が
担体チューブ上に、またはこうして形成されたスート体
の表面に沈着する。スート体の外径が約３００ｍｍにな
るまでこれを続ける。
ｍｍの酸化アルミニウム担体チューブに沈着させ、多孔
性スート体を形成する。上記酸素−水素バーナーにガラ
ス原料と燃焼物質とを供給する。これらは各酸素−水素
バーナーのそれぞれのバーナー炎でＳｉＯ2に変化す
る。沈着過程中、バーナーは縦方向軸に沿って、空間的
に固定された反転する２点間を振幅１５ｃｍで所定のよ
うに連続的に移動し、これによって連続的ＳｉＯ2層が
担体チューブ上に、またはこうして形成されたスート体
の表面に沈着する。スート体の外径が約３００ｍｍにな
るまでこれを続ける。
【００６７】沈着操作が終わり、担体チューブを除去し
た後、得られたスート体を脱水処理にかけ、製造方法の
技術的細部によって導入されたヒドロキシル基を除去す
る。
た後、得られたスート体を脱水処理にかけ、製造方法の
技術的細部によって導入されたヒドロキシル基を除去す
る。
【００６８】ブランク１からブランク３までの脱水処理
脱水の目的で、スートチューブを減圧室内で約８時間約
９００℃の温度で加熱処理する。この処理はスートチュ
ーブ全体に約２５０ｗｔ−ｐｐｍの実質的に均一なヒド
ロキシル基濃度（ＯＨ−含有量）を確立する。
９００℃の温度で加熱処理する。この処理はスートチュ
ーブ全体に約２５０ｗｔ−ｐｐｍの実質的に均一なヒド
ロキシル基濃度（ＯＨ−含有量）を確立する。
【００６９】ブランク４の脱水処理
脱水の目的で上記スートチューブを垂直に置かれた脱水
炉に入れ、９００度の塩素含有ガス中で最初の処理にか
ける。処理持続時間は約８時間である。この加熱処理は
ヒドロキシル基濃度（ＯＨ−含有量）を１０ｗｔ−ｐｐ
ｍ未満のレベルにする。
炉に入れ、９００度の塩素含有ガス中で最初の処理にか
ける。処理持続時間は約８時間である。この加熱処理は
ヒドロキシル基濃度（ＯＨ−含有量）を１０ｗｔ−ｐｐ
ｍ未満のレベルにする。
【００７０】ブランク１及びブランク４に使用したガラ
ス化プロセス その後、処理したスートチューブを垂直に置かれている
温度約１，４００℃の減圧ガラス化炉中で焼結する。そ
の際スートチューブはリング形の加熱ゾーンに入れら
れ、その後加熱される。ガラス化プロセスが終わると、
分子水素は焼結した（ガラス化した）石英ガラスチュー
ブにもはや検出されない（＜１×１０15分子／ｃ
ｍ3）。ＯＨ−含有量は表１に記載された範囲である。
ス化プロセス その後、処理したスートチューブを垂直に置かれている
温度約１，４００℃の減圧ガラス化炉中で焼結する。そ
の際スートチューブはリング形の加熱ゾーンに入れら
れ、その後加熱される。ガラス化プロセスが終わると、
分子水素は焼結した（ガラス化した）石英ガラスチュー
ブにもはや検出されない（＜１×１０15分子／ｃ
ｍ3）。ＯＨ−含有量は表１に記載された範囲である。
【００７１】ブランク２及び２ａに使用したガラス化プ
ロセス 脱水処理の終了後、処理したスートチューブを約１，４
００℃の温度で垂直に置かれている減圧ガラス化炉中で
焼結する。その際スートチューブはリング形の加熱ゾー
ンに入れられ、その後加熱される。この段階中、水素含
有ガスがガラス化炉内に保持される。上記ガスの水素分
圧は１０ｍｂａｒである。この処理後、焼結（ガラス
化）石英ガラスチューブはその壁を横切って不均一な水
素プロフィールを示す；すなわち水素濃度はチューブの
外側表面及びチューブの内側表面のレベルからチューブ
壁の中心のレベルにと放射状に減少する。この処理後、
壁の厚さを横切る平均Ｈ2−含有量は約４×１０16分子
／ｃｍ3である。ＯＨ−含有量は表１に記載した範囲で
ある。
ロセス 脱水処理の終了後、処理したスートチューブを約１，４
００℃の温度で垂直に置かれている減圧ガラス化炉中で
焼結する。その際スートチューブはリング形の加熱ゾー
ンに入れられ、その後加熱される。この段階中、水素含
有ガスがガラス化炉内に保持される。上記ガスの水素分
圧は１０ｍｂａｒである。この処理後、焼結（ガラス
化）石英ガラスチューブはその壁を横切って不均一な水
素プロフィールを示す；すなわち水素濃度はチューブの
外側表面及びチューブの内側表面のレベルからチューブ
壁の中心のレベルにと放射状に減少する。この処理後、
壁の厚さを横切る平均Ｈ2−含有量は約４×１０16分子
／ｃｍ3である。ＯＨ−含有量は表１に記載した範囲で
ある。
【００７２】ブランク３に使用したガラス化プロセス
ブランク３の処理ずみスートチューブをその後温度約
１，４００℃の、垂直に置かれた減圧ガラス化炉中で焼
結する。その際スートチューブはリング形の加熱ゾーン
に入れられ、その後加熱される。この段階中、水素含有
ガスがガラス化炉内に保持される。その水素分圧は１５
０ｍｂａｒである。この処理後、焼結（ガラス化）石英
ガラスチューブはその壁を横切って不均一な水素プロフ
ィールを示す；すなわち水素濃度はチューブの外側表面
及びチューブの内側表面のレベルからチューブの壁の中
心のレベルにと放射状に減少する。この処理後、壁の厚
さを横切る平均Ｈ2−含有量は約２×１０17分子／ｃｍ3
である。ＯＨ−含有量は表１に記載した範囲である。
１，４００℃の、垂直に置かれた減圧ガラス化炉中で焼
結する。その際スートチューブはリング形の加熱ゾーン
に入れられ、その後加熱される。この段階中、水素含有
ガスがガラス化炉内に保持される。その水素分圧は１５
０ｍｂａｒである。この処理後、焼結（ガラス化）石英
ガラスチューブはその壁を横切って不均一な水素プロフ
ィールを示す；すなわち水素濃度はチューブの外側表面
及びチューブの内側表面のレベルからチューブの壁の中
心のレベルにと放射状に減少する。この処理後、壁の厚
さを横切る平均Ｈ2−含有量は約２×１０17分子／ｃｍ3
である。ＯＨ−含有量は表１に記載した範囲である。
【００７３】ブランク１からブランク４までの再成形プ
ロセス及び均質化 焼結（ガラス化）石英ガラスチューブを再成形及び均質
化処理（ねじり及び折り返し）によって外径３００ｍ
ｍ、長さ１００ｍｍを有する大きいシリンダに変える。
上記ブランクをアニール段階で大気圧の空気中で１，１
００℃に加熱し、この温度に約１０時間保ち、１℃／ｈ
の冷却速度で冷やす。その後余剰量、すなわち半径３０
ｍｍ及び軸の両側２０ｍｍを除去し、ブランクからの水
素の拡散の結果形成される水素濃度勾配を取り除く。ブ
ランクのＯＨ−含有量及び水素含有量は表１に記載した
レベルに一致する。ブランク３を除いて、ＳｉＨ基の濃
度は５×１０16分子／ｃｍ3未満である（全ての場合で
透明開口領域内を測定）。ひずみ複屈折は２ｎｍ／ｃｍ
未満と測定され、屈折率分布は十分に均一で、その最大
値と最小値との差は２×１０-6未満である。酸素欠損部
位の濃度は１、２及び３のブランクでは１ｇあたり１×
１０17未満であることが確認されるが、ブランク４はよ
り高い濃度の酸素欠損部位を示す。
ロセス及び均質化 焼結（ガラス化）石英ガラスチューブを再成形及び均質
化処理（ねじり及び折り返し）によって外径３００ｍ
ｍ、長さ１００ｍｍを有する大きいシリンダに変える。
上記ブランクをアニール段階で大気圧の空気中で１，１
００℃に加熱し、この温度に約１０時間保ち、１℃／ｈ
の冷却速度で冷やす。その後余剰量、すなわち半径３０
ｍｍ及び軸の両側２０ｍｍを除去し、ブランクからの水
素の拡散の結果形成される水素濃度勾配を取り除く。ブ
ランクのＯＨ−含有量及び水素含有量は表１に記載した
レベルに一致する。ブランク３を除いて、ＳｉＨ基の濃
度は５×１０16分子／ｃｍ3未満である（全ての場合で
透明開口領域内を測定）。ひずみ複屈折は２ｎｍ／ｃｍ
未満と測定され、屈折率分布は十分に均一で、その最大
値と最小値との差は２×１０-6未満である。酸素欠損部
位の濃度は１、２及び３のブランクでは１ｇあたり１×
１０17未満であることが確認されるが、ブランク４はよ
り高い濃度の酸素欠損部位を示す。
【００７４】均質化段段階によってシリンダの全容量に
おける上記成分類の分布は均一になる。これはブランク
２及び２ａの水素含有量に関して特に重要である。
おける上記成分類の分布は均一になる。これはブランク
２及び２ａの水素含有量に関して特に重要である。
【００７５】２．ブランク５及び６
これらの石英ガラスは直接ガラス化法によって製造され
る。
る。
【００７６】沈着プロセス
酸素−水素バーナーを使用して、中心軸の周囲に回転し
ているディスク型基板上に微細ＳｉＯ2粒子を沈着させ
る。上記ＳｉＯ2粒子は酸素−水素炎の熱によって、棒
状石英ガラスブランクを形成しながら直接ガラス化され
る。使用した出発原料は塩素を実質的に含まない（塩素
含有量は１ｗｔ−ｐｐｍ未満）石英ガラスブランクにな
る。この方法のこの段階では水素含有量はまだ１×１０
18分子／ｃｍ3と高い。
ているディスク型基板上に微細ＳｉＯ2粒子を沈着させ
る。上記ＳｉＯ2粒子は酸素−水素炎の熱によって、棒
状石英ガラスブランクを形成しながら直接ガラス化され
る。使用した出発原料は塩素を実質的に含まない（塩素
含有量は１ｗｔ−ｐｐｍ未満）石英ガラスブランクにな
る。この方法のこの段階では水素含有量はまだ１×１０
18分子／ｃｍ3と高い。
【００７７】ブランク５及び６のＯＨ−含有量の調節手
段 表１は、ブランク５と６とでは一特性、すなわちそれら
のＯＨ−含有量だけが異なることを示している。ＯＨ−
含有量は、沈着過程における基板温度の調節によって、
酸素−水素バーナーへの水素及び酸素の供給を増加また
は減少させることによって一定レベルに調節される。温
度上昇はＯＨ−含有量をより高くし、一方より低いＯＨ
−含有量は温度を下げることによって得られる。
段 表１は、ブランク５と６とでは一特性、すなわちそれら
のＯＨ−含有量だけが異なることを示している。ＯＨ−
含有量は、沈着過程における基板温度の調節によって、
酸素−水素バーナーへの水素及び酸素の供給を増加また
は減少させることによって一定レベルに調節される。温
度上昇はＯＨ−含有量をより高くし、一方より低いＯＨ
−含有量は温度を下げることによって得られる。
【００７８】ブランク５及び６の再成形プロセス及び均
質化 均質化の目的で、石英ガラスブランクをその後石英ガラ
ス旋盤で砕き、続いて約２，０００℃の温度に加熱し、
この過程でねじる。この目的に適した均質化法はＥＰ−
Ａ１６７３８８８に記載されている。ねじりを繰り返し
た後、立体的三方向に脈理のない、直径８０ｍｍ、長さ
約８００ｍｍの丸い棒状の石英ガラスブランクが生成す
る。上記丸い棒をその後窒素気流下で注型用金型を用い
て温度１，７００℃で加熱再成形することによって、外
径３００ｍｍ及び長さ１００ｍｍを有する円形石英ガラ
スシリンダにする。上記石英ガラスシリンダを大気圧の
空気中のアニール段階で１，１００℃に加熱し、この温
度に約１００時間保持し、その後１℃／ｈの冷却速度で
冷やす。その後余剰量を、すなわち半径３０ｍｍ及び軸
方向の両端２０ｍｍを除去し、ブランクから水素が拡散
する結果形成させる水素濃度勾配を取り除く。ブランク
の水素含有量は約２×１０16分子／ｃｍ3で、ＯＨ−含
有量は約９００ｗｔ−ｐｐｍ（ブランク５）または６０
０ｗｔ−ｐｐｍ（ブランク６）である。ひずみ複屈折は
最大２ｎｍ／ｃｍ未満と測定され、屈折率分布は十分均
一で、その最大及び最小値間の差は２×１０-6未満であ
る。こうして得られた石英ガラスシリンダも、これ以上
処理することなくマイクロリトグラフィー装置の光学レ
ンズの製造のためのブランクとして適切に使用できる。
質化 均質化の目的で、石英ガラスブランクをその後石英ガラ
ス旋盤で砕き、続いて約２，０００℃の温度に加熱し、
この過程でねじる。この目的に適した均質化法はＥＰ−
Ａ１６７３８８８に記載されている。ねじりを繰り返し
た後、立体的三方向に脈理のない、直径８０ｍｍ、長さ
約８００ｍｍの丸い棒状の石英ガラスブランクが生成す
る。上記丸い棒をその後窒素気流下で注型用金型を用い
て温度１，７００℃で加熱再成形することによって、外
径３００ｍｍ及び長さ１００ｍｍを有する円形石英ガラ
スシリンダにする。上記石英ガラスシリンダを大気圧の
空気中のアニール段階で１，１００℃に加熱し、この温
度に約１００時間保持し、その後１℃／ｈの冷却速度で
冷やす。その後余剰量を、すなわち半径３０ｍｍ及び軸
方向の両端２０ｍｍを除去し、ブランクから水素が拡散
する結果形成させる水素濃度勾配を取り除く。ブランク
の水素含有量は約２×１０16分子／ｃｍ3で、ＯＨ−含
有量は約９００ｗｔ−ｐｐｍ（ブランク５）または６０
０ｗｔ−ｐｐｍ（ブランク６）である。ひずみ複屈折は
最大２ｎｍ／ｃｍ未満と測定され、屈折率分布は十分均
一で、その最大及び最小値間の差は２×１０-6未満であ
る。こうして得られた石英ガラスシリンダも、これ以上
処理することなくマイクロリトグラフィー装置の光学レ
ンズの製造のためのブランクとして適切に使用できる。
【００７９】
３．ブランク７からブランク９まで
ブランク７からブランク９までは同じ石英ガラスからな
る。この石英ガラス質はスート法によって生成した石英
ガラスと直接ガラス化法によって生成した石英ガラスと
の混合によって得られる。
る。この石英ガラス質はスート法によって生成した石英
ガラスと直接ガラス化法によって生成した石英ガラスと
の混合によって得られる。
【００８０】この目的のために、ブランク２または２ａ
の石英ガラスから作られる石英ガラス棒及びブランク６
の石英ガラスから作られるもう一つの石英ガラス棒を別
々に作り、その後混合する。上記２種類の石英ガラス質
の相対的量は、上記混合石英ガラスに波長１９３ｎｍの
ＵＶ線をパルスエネルギーε＝０．０３ｍＪ／ｃｍ2で
照射した際にＯＨ−含有量が次の規定式にしたがって決
まるように、選択される。 ＣOH［ｗｔ−ｐｐｍ］＝１７００×ε0.4 （εの単位はｍＪ／ｃｍ2） 例えば、ε＝０．０３ｍＪ／ｃｍ2では、混合石英ガラ
ス中に確立されるＯＨ−含有量は上の規定式にしたがっ
て約４２５ｗｔ−ｐｐｍと計算される（正確な計算では
４１８ｗｔ−ｐｐｍとなる）。
の石英ガラスから作られる石英ガラス棒及びブランク６
の石英ガラスから作られるもう一つの石英ガラス棒を別
々に作り、その後混合する。上記２種類の石英ガラス質
の相対的量は、上記混合石英ガラスに波長１９３ｎｍの
ＵＶ線をパルスエネルギーε＝０．０３ｍＪ／ｃｍ2で
照射した際にＯＨ−含有量が次の規定式にしたがって決
まるように、選択される。 ＣOH［ｗｔ−ｐｐｍ］＝１７００×ε0.4 （εの単位はｍＪ／ｃｍ2） 例えば、ε＝０．０３ｍＪ／ｃｍ2では、混合石英ガラ
ス中に確立されるＯＨ−含有量は上の規定式にしたがっ
て約４２５ｗｔ−ｐｐｍと計算される（正確な計算では
４１８ｗｔ−ｐｐｍとなる）。
【００８１】ブランク２（またはブランク２ａ）及びブ
ランク６の石英ガラスのＯＨ−含有量はそれぞれ２５０
ｗｔ−ｐｐｍ及び６００ｗｔ−ｐｐｍであるから、混合
石英ガラスのＯＨ−含有量を４２５ｗｔ−ｐｐｍのレベ
ルに調節するにはこの２種類の石英ガラス質の同量が必
要である。これらの石英ガラスは１本８ｋｇの石英ガラ
ス棒の形で提供される。上記２種類の石英ガラス棒を互
いにねじるためには、これらの棒を先ず最初にそれらの
縦方向面が直接接触するように置き、それから棒を約２
０００℃の温度に加熱する。棒は軟化し、相互回転軸の
回りに回転し、縦方向軸に平行に延び、混合石英ガラス
が生成する。ＥＰ−Ａ１６７３８８８に記載のようにね
じり及び折り返しを繰り返すことによって残っていた脈
理は完全に除去される。
ランク６の石英ガラスのＯＨ−含有量はそれぞれ２５０
ｗｔ−ｐｐｍ及び６００ｗｔ−ｐｐｍであるから、混合
石英ガラスのＯＨ−含有量を４２５ｗｔ−ｐｐｍのレベ
ルに調節するにはこの２種類の石英ガラス質の同量が必
要である。これらの石英ガラスは１本８ｋｇの石英ガラ
ス棒の形で提供される。上記２種類の石英ガラス棒を互
いにねじるためには、これらの棒を先ず最初にそれらの
縦方向面が直接接触するように置き、それから棒を約２
０００℃の温度に加熱する。棒は軟化し、相互回転軸の
回りに回転し、縦方向軸に平行に延び、混合石英ガラス
が生成する。ＥＰ−Ａ１６７３８８８に記載のようにね
じり及び折り返しを繰り返すことによって残っていた脈
理は完全に除去される。
【００８２】外径３００ｍｍ、長さ１００ｍｍを有する
円形混合石英ガラスシリンダはその後、窒素気流下の注
型用金型を用いる温度１，７００℃の加熱再成形段階に
よって形成される。上記石英ガラスシリンダは大気圧の
空気中におけるアニール段階で１，１００℃に加熱さ
れ、この温度に約５０時間保持され、それから１℃／ｈ
の冷却速度で冷やされる。その後余剰量を、すなわち半
径３０ｍｍ及び軸方向の両端２０ｍｍを除去し、ブラン
クから水素が拡散する結果形成させる水素濃度勾配を取
り除く。上記ブランクの水素含有量及びＯＨ−含有量は
それぞれ約２×１０16分子／ｃｍ3及び約４２５ｗｔ−
ｐｐｍであり、それは原料ブランク２及び６のＯＨ−含
有量の平均値に相当する。ひずみ複屈折は最大２ｎｍ／
ｃｍ未満で、屈折率分布はその最大値と最小値との差が
２×１０-6未満であり、十分均一である。
円形混合石英ガラスシリンダはその後、窒素気流下の注
型用金型を用いる温度１，７００℃の加熱再成形段階に
よって形成される。上記石英ガラスシリンダは大気圧の
空気中におけるアニール段階で１，１００℃に加熱さ
れ、この温度に約５０時間保持され、それから１℃／ｈ
の冷却速度で冷やされる。その後余剰量を、すなわち半
径３０ｍｍ及び軸方向の両端２０ｍｍを除去し、ブラン
クから水素が拡散する結果形成させる水素濃度勾配を取
り除く。上記ブランクの水素含有量及びＯＨ−含有量は
それぞれ約２×１０16分子／ｃｍ3及び約４２５ｗｔ−
ｐｐｍであり、それは原料ブランク２及び６のＯＨ−含
有量の平均値に相当する。ひずみ複屈折は最大２ｎｍ／
ｃｍ未満で、屈折率分布はその最大値と最小値との差が
２×１０-6未満であり、十分均一である。
【００８３】こうして得られた石英ガラスブランクはそ
れ以上処理せずとも、マイクロリトグラフィー装置の光
学レンズの製造におけるブランクとして適切に使用でき
る。
れ以上処理せずとも、マイクロリトグラフィー装置の光
学レンズの製造におけるブランクとして適切に使用でき
る。
【００８４】Ｈ2−含有量の上限及び下限の選択手段
Ｈ2−含有量の上限及び下限の選択は典型的パルスエネ
ルギー密度０．０３ｍＪ／ｃｍ2を使用した規定式
（２）及び（３）に基づく。 ＣH2min［分子／ｃｍ3］＝１．０×１０6×（０．０３）2Ｐ （２） ＣH2max［分子／ｃｍ3］＝２．０×１０18×（０．０３） （３） ε＝０．０３ｍＪ／ｃｍ2及び最大パルス数１×１０12
では、石英ガラスに確立される最小Ｈ2−含有量及び最
大Ｈ2−含有量はそれぞれ９×１０14分子／ｃｍ3及び６
×１０16分子／ｃｍ3と計算される。
ルギー密度０．０３ｍＪ／ｃｍ2を使用した規定式
（２）及び（３）に基づく。 ＣH2min［分子／ｃｍ3］＝１．０×１０6×（０．０３）2Ｐ （２） ＣH2max［分子／ｃｍ3］＝２．０×１０18×（０．０３） （３） ε＝０．０３ｍＪ／ｃｍ2及び最大パルス数１×１０12
では、石英ガラスに確立される最小Ｈ2−含有量及び最
大Ｈ2−含有量はそれぞれ９×１０14分子／ｃｍ3及び６
×１０16分子／ｃｍ3と計算される。
【００８５】所定のＨ2−含有量は、上記のようにブラ
ンクを１，１００℃でアニール、その間拡散プロセスを
考慮することによって確立される。
ンクを１，１００℃でアニール、その間拡散プロセスを
考慮することによって確立される。
【００８６】均質化の目的で、石英ガラスブランクをそ
の後石英ガラス旋盤で砕き、続いて約２，０００℃の温
度に加熱し、その過程でねじる。この目的に適した均質
化法はＥＰ−Ａ１６７３８８８に記載されている。ねじ
りを繰り返した後、立体的三方向に脈理のない、直径８
０ｍｍ、長さ約８００ｍｍの丸い棒状の石英ガラスブラ
ンクが生成する。
の後石英ガラス旋盤で砕き、続いて約２，０００℃の温
度に加熱し、その過程でねじる。この目的に適した均質
化法はＥＰ−Ａ１６７３８８８に記載されている。ねじ
りを繰り返した後、立体的三方向に脈理のない、直径８
０ｍｍ、長さ約８００ｍｍの丸い棒状の石英ガラスブラ
ンクが生成する。
【００８７】上記丸い棒をその後、窒素気流下で注型用
金型を用いて温度１，７００℃で加熱再形成することに
よって、外径２４０ｍｍ及び長さ８０ｍｍを有する円形
石英ガラスシリンダにする。石英ガラスシリンダを大気
圧下の空気中で１，１００℃に加熱し、その後２℃／ｈ
の冷却速度で９００℃に冷やすという追加的アニール段
階後、ひずみ複屈折は２ｎｍ／ｃｍ未満と測定され、屈
折率分布は、その最大値と最小値の差が２×１０-6未満
で、十分に均質である。Ｈ2−及びＯＨ−含有量がそれ
ぞれ約２×１０16分子／ｃｍ3及び約４２５ｗｔ−ｐｐ
ｍである２５×２５×２００ｍｍ3の棒状サンプルがブ
ランクの中心部分から得られる。
金型を用いて温度１，７００℃で加熱再形成することに
よって、外径２４０ｍｍ及び長さ８０ｍｍを有する円形
石英ガラスシリンダにする。石英ガラスシリンダを大気
圧下の空気中で１，１００℃に加熱し、その後２℃／ｈ
の冷却速度で９００℃に冷やすという追加的アニール段
階後、ひずみ複屈折は２ｎｍ／ｃｍ未満と測定され、屈
折率分布は、その最大値と最小値の差が２×１０-6未満
で、十分に均質である。Ｈ2−及びＯＨ−含有量がそれ
ぞれ約２×１０16分子／ｃｍ3及び約４２５ｗｔ−ｐｐ
ｍである２５×２５×２００ｍｍ3の棒状サンプルがブ
ランクの中心部分から得られる。
【００８８】結果の評価
圧密、圧密減少及び誘起性吸収の発生に関して、表１に
列挙したデータはブランク２及び７がそれぞれ０．０１
及び０．０３ｍＪ／ｃｍ2のエネルギー密度で最も良い
結果を与えることを示している。ブランク２と比較して
若干より高いＨ 2−含有量を有するブランク２ａはエネ
ルギー密度０．０３ｍＪ／ｃｍ2で紫外線照射した際に
圧密を示す（図２参照）；これは特殊の用途によっては
或る程度許容されるかも知れない。概してブランク６
は、０．０７５ｍＪ／ｃｍ2と比較的高いエネルギー密
度ではあったが、圧密、圧密減少、及び誘起性吸収に関
してよい結果を示す。ブランク６の比較的高いＯＨ−含
有量は、圧密を示す固有の傾向に導くものであるとはい
え、ブランク６はその比較的高いＯＨ−含有量のため
に、スート法によって製造された比較的低いＯＨ−含有
量を特徴とするブランクと混合するのに特に適する。
列挙したデータはブランク２及び７がそれぞれ０．０１
及び０．０３ｍＪ／ｃｍ2のエネルギー密度で最も良い
結果を与えることを示している。ブランク２と比較して
若干より高いＨ 2−含有量を有するブランク２ａはエネ
ルギー密度０．０３ｍＪ／ｃｍ2で紫外線照射した際に
圧密を示す（図２参照）；これは特殊の用途によっては
或る程度許容されるかも知れない。概してブランク６
は、０．０７５ｍＪ／ｃｍ2と比較的高いエネルギー密
度ではあったが、圧密、圧密減少、及び誘起性吸収に関
してよい結果を示す。ブランク６の比較的高いＯＨ−含
有量は、圧密を示す固有の傾向に導くものであるとはい
え、ブランク６はその比較的高いＯＨ−含有量のため
に、スート法によって製造された比較的低いＯＨ−含有
量を特徴とするブランクと混合するのに特に適する。
【図１】圧密または圧密減少の発生を、石英ガラスのＯ
Ｈ−含有量及び照射のパルスエネルギー密度の関数とし
てあらわす線図である。
Ｈ−含有量及び照射のパルスエネルギー密度の関数とし
てあらわす線図である。
【図２】圧密または圧密減少の発生を、石英ガラスのＯ
Ｈ−含有量及び一定のパルスエネルギー密度におけるパ
ルス数の関数として説明する線図である。
Ｈ−含有量及び一定のパルスエネルギー密度におけるパ
ルス数の関数として説明する線図である。
フロントページの続き
(71)出願人 599089712
ヘレウス・クアルツグラース・ゲゼルシャ
フト・ミット・ベシュレンクテル・ハフツ
ング・ウント・コンパニー・コマンディッ
ト・ゲゼルシャフト
Ｈｅｒａｅｕｓ Ｑｕａｒｚｇｌａｓ Ｇ
ｍｂＨ ＆ Ｃｏ． ＫＧ
ドイツ連邦共和国、63450 ハナウ、クア
ルツシュトラーセ
Ｑｕａｒｚｓｔｒａｓｓｅ， 63450 Ｈ
ａｎａｕ， Ｇｅｒｍａｎｙ
(72)発明者 ボド・キューン
ドイツ連邦共和国、63450 ハナウ、ア
ム・バルプラッツ ７
(72)発明者 ブルーノ・イェビング
ドイツ連邦共和国、63755 アルツェナウ、
ヤーンストラーセ 17
(72)発明者 マルチン・トゥロマー
ドイツ連邦共和国、36381 シュリュヒテ
ルン、フォルストハウスヴェク ３
(72)発明者 シュテファン・オクス
ドイツ連邦共和国、65520 バート・カン
ベルク、ブルクストラーセ 27
(72)発明者 シュテファン・カイザー
ドイツ連邦共和国、63452 ハナウ、クル
フュルステンストラーセ 33
(72)発明者 ヤン・フィドラ
ドイツ連邦共和国、63456 ハナウ、ビケ
ンストラーセ １
(72)発明者 シュテファン・トーマス
ドイツ連邦共和国、63538 グロスクロツ
ェンブルク、ベルリナー・ストラーセ ７
Ｆターム(参考） 4G014 AH00 AH15 AH21
Claims (15)
- 【請求項１】 波長２５０ｎｍ以下の紫外線を透過する
光学機器部品用石英ガラスブランクにおいて、酸素欠損
部位を実質上含まず、Ｈ2−含有量が０．１×１０16分
子／ｃｍ3ないし４．０×１０16分子／ｃｍ3の範囲であ
り、ＯＨ−含有量が１２５ｗｔ−ｐｐｍないし４５０ｗ
ｔ−ｐｐｍの範囲であり、ＳｉＨ基含有量が５×１０16
分子／ｃｍ3未満であり、屈折率不均質性、△ｎ、が２
ｐｐｍ未満、ひずみ複屈折が２ｎｍ／ｃｍ未満であるガ
ラス構造によって特徴づけられる前記石英ガラスブラン
ク。 - 【請求項２】 ＯＨ−含有量が２００ｗｔ−ｐｐｍない
し３５０ｗｔ−ｐｐｍの範囲内であることを特徴とする
請求項１に記載の石英ガラスブランク。 - 【請求項３】 Ｈ2−含有量が１×１０16分子／ｃｍ3な
いし３×１０16分子／ｃｍ3であることを特徴とする請
求項１または２に記載の石英ガラスブランク。 - 【請求項４】 請求項１ないし３のいずれか１項に記載
の石英ガラスブランクの製造方法であって、前記製造方
法は珪素含有化合物を火炎加水分解し、それによってＳ
ｉＯ2粒子が形成され、前記ＳｉＯ2粒子は回転する担体
上に層状に沈着し、多孔性スート体 (soot body) を生
成し、前記スート体はその後ガラス化され、全体的に不
均一なＨ2プロフィールを有することを特徴とする少な
くとも一つの第一のシリンダ形石英ガラスプレフォーム
を製造することを含んでなり、石英ガラスプレフォーム
を均質化処理にかけ、その際径方向の（ｒａｄｉａｌ）
Ｈ2濃度プロフィールは、０．１×１０16分子／ｃｍ3な
いし４．０×１０16分子／ｃｍ3の平均値からの最大偏
差が２５％を超えないように確立されることを特徴とす
る前記製造方法。 - 【請求項５】 均質化処理によって、平均値からの最大
偏差が１５％を示す径方向Ｈ2濃度プロフィールが確立
されることを特徴とする請求項４に記載の製造方法。 - 【請求項６】 石英ガラスプレフォームがＨ2−含有気
体中でスート体をガラス化することによって製造される
ことを特徴とする請求項４に記載の製造方法。 - 【請求項７】 ガラス化に用いられるＨ2−含有気体が
Ｈ2／Ｈｅ気体またはＨ2／Ｎ2気体またはＨ2／Ｈ2Ｏ気
体であることを特徴とする請求項６に記載の製造方法。 - 【請求項８】 石英ガラスプレフォームを水素含有量低
下−アニール処理にかけることを特徴とする請求項４ま
たは５に記載の製造方法。 - 【請求項９】 均質化処理が前記石英ガラスブランクの
ねじり−及び折り返し段階を含むことを特徴とする請求
項４に記載の石英ガラスブランクの製造方法。 - 【請求項１０】 前記均質化処理が第一石英ガラスプレ
フォームと第二石英ガラスプレフォームとを混合して平
均ＯＨ−含有量が１２５ｗｔ−ｐｐｍないし４５０ｗｔ
−ｐｐｍの範囲、特に２００ｗｔ−ｐｐｍないし３５０
ｗｔ−ｐｐｍの範囲である混合石英ガラスを生成するこ
とを含み、その際０．１×１０16分子／ｃｍ3ないし
４．０×１０16分子／ｃｍ3のＨ2−含有量が確立される
ことを特徴とする請求項４に記載の製造方法。 - 【請求項１１】 第二石英ガラスプレフォームの製造が
ＳｉＯ2粒子の形成及び回転する担体上への前記粒子の
沈着、及びその後の直接ガラス化を含むことを特徴とす
る請求項１０に記載の製造方法。 - 【請求項１２】 前記第一石英ガラスが１０ｗｔ−ｐｐ
ｍないし３００ｗｔ−ｐｐｍの範囲のＯＨ−含有量を有
し、前記第二石英ガラスが４００ｗｔ−ｐｐｍないし１
３００ｗｔ−ｐｐｍの範囲のＯＨ−含有量を有すること
を特徴とする請求項１０に記載の製造方法。 - 【請求項１３】 波長２５０ｎｍ以下の紫外線と組み合
わせてマイクロリトグラフィーに使用する部品を製造す
るための請求項１ないし３のいずれか１項に記載の石英
ガラスブランクの使用であって、与えられたパルス数、
Ｐ、のための石英ガラスが選択され、前記石英ガラスは
最小水素含有量、ＣH2min、及び最大水素含有量、Ｃ
H2max、を有し、その両方が下記の規定式にしたがうこ
とを特徴とする前記使用： ＣH2min［分子／ｃｍ3］＝１．０×１０6ε2Ｐ （２） ＣH2max［分子／ｃｍ3］＝２．０×１０16ε （３） （ε＝パルスエネルギー密度、ｍＪ／ｃｍ2） - 【請求項１４】 ＯＨ−含有量、ＣOH、を有する石英ガ
ラスが、与えられたパルスエネルギー密度、ε、が少な
くとも０．００５ｍＪ／ｃｍ2である紫外線と共に使用
するために選択され、前記ＣOHが下記の規定式： ＣOH［ｗｔ−ｐｐｍ］＝１．７×１０3×ε0.4±５０ （４） にしたがうことを特徴とする請求項１３に記載の使用。 - 【請求項１５】 エネルギー密度、ε、が０．０３ｍＪ
／ｃｍ2未満、特に０．０１ｍＪ／ｃｍ2未満であること
を特徴とする請求項１３または１４に記載の石英ガラス
ブランクの使用。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE10159961A DE10159961C2 (de) | 2001-12-06 | 2001-12-06 | Quarzglasrohling für ein optisches Bauteil sowie Verfahren zur Herstellung und Verwendung desselben |
| DE10159961.7 | 2001-12-06 |
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003176141A true JP2003176141A (ja) | 2003-06-24 |
| JP2003176141A5 JP2003176141A5 (ja) | 2005-10-27 |
| JP4565805B2 JP4565805B2 (ja) | 2010-10-20 |
Family
ID=7708266
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2002353981A Expired - Lifetime JP4565805B2 (ja) | 2001-12-06 | 2002-12-05 | 光学機器部品用石英ガラスブランクの製造方法及びその使用 |
Country Status (7)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US7080527B2 (ja) |
| EP (1) | EP1318124B1 (ja) |
| JP (1) | JP4565805B2 (ja) |
| KR (1) | KR100842203B1 (ja) |
| AT (1) | ATE280139T1 (ja) |
| DE (1) | DE10159961C2 (ja) |
| TW (1) | TW583150B (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2013500228A (ja) * | 2009-07-23 | 2013-01-07 | コーニング インコーポレイテッド | 飽和誘起吸収石英ガラス及び作製方法 |
Families Citing this family (17)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1134197B1 (en) * | 1999-08-12 | 2014-05-07 | Nikon Corporation | Method for preparation of synthetic vitreous silica |
| EP1288169A1 (de) * | 2001-08-30 | 2003-03-05 | Schott Glas | Verfahren zur Wasserstoffbeladung von Quarzglaskörpern zur Verbesserung der Brechzahlhomogenität und der Laserfestigkeit bei gleichzeitiger Einhaltung einer vorgegebenen Spannungsdoppelbrechung und danach hergestellte Quarzglaskörper |
| DE10159959A1 (de) * | 2001-12-06 | 2003-06-26 | Heraeus Quarzglas | Quarzglasrohling für ein optisches Bauteil und Verwendung desselben |
| US6992753B2 (en) | 2003-12-24 | 2006-01-31 | Carl Zeiss Smt Ag | Projection optical system |
| US7534733B2 (en) * | 2004-02-23 | 2009-05-19 | Corning Incorporated | Synthetic silica glass optical material having high resistance to laser induced damage |
| DE102004009577B3 (de) * | 2004-02-25 | 2005-03-03 | Heraeus Quarzglas Gmbh & Co. Kg | Verfahren zur Herstellung eines optischen Bauteils |
| DE102004017031B4 (de) * | 2004-04-02 | 2008-10-23 | Heraeus Quarzglas Gmbh & Co. Kg | Optisches Bauteil aus Quarzglas, Verfahren zur Herstellung des Bauteils und Verwendung desselben |
| DE102004018887B4 (de) * | 2004-04-15 | 2009-04-16 | Heraeus Quarzglas Gmbh & Co. Kg | Verfahren für die Herstellung eines Bauteils aus Quarzglas zum Einsatz mit einer UV-Strahlenquelle und Verfahren für die Eignungsdiagnose eines derartigen Quarzglas-Bauteils |
| US7589039B2 (en) * | 2004-12-29 | 2009-09-15 | Corning Incorporated | Synthetic silica having low polarization-induced birefringence, method of making same and lithographic device comprising same |
| US7506521B2 (en) * | 2004-12-29 | 2009-03-24 | Corning Incorporated | High transmission synthetic silica glass and method of making same |
| TWI312768B (en) * | 2004-12-30 | 2009-08-01 | Corning Incorporate | Synthetic silica having low polarization-induced birefringence, method of making same and lithographic device comprising same |
| DE102005017752B4 (de) | 2005-04-15 | 2016-08-04 | Heraeus Quarzglas Gmbh & Co. Kg | Optisches Bauteil aus Quarzglas, Verfahren zur Herstellung des Bauteils und Verwendung desselben |
| DE102005017739B4 (de) * | 2005-04-15 | 2009-11-05 | Heraeus Quarzglas Gmbh & Co. Kg | Halter aus Quarzglas für die Prozessierung von Halbleiterwafern und Verfahren zur Herstellung des Halters |
| US20070059533A1 (en) * | 2005-09-12 | 2007-03-15 | Burdette Steven R | Thermal reflow of glass and fused silica body |
| DE102006043368B4 (de) * | 2005-09-16 | 2019-01-10 | Corning Inc. | Synthetisches Kieselsäureglas und Verfahren zur Herstellung desselben |
| DE102008049325B4 (de) * | 2008-09-29 | 2011-08-25 | Heraeus Quarzglas GmbH & Co. KG, 63450 | Verfahren zur Herstellung eines rohrförmigen Halbzeugs aus Quarzglas sowie Halbzeug aus Quarzglas |
| JP5935765B2 (ja) * | 2012-07-10 | 2016-06-15 | 信越化学工業株式会社 | ナノインプリントモールド用合成石英ガラス、その製造方法、及びナノインプリント用モールド |
Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03109223A (ja) * | 1989-09-22 | 1991-05-09 | Asahi Glass Co Ltd | 石英ガラスおよびその製造方法 |
| JPH06199539A (ja) * | 1992-12-28 | 1994-07-19 | Shinetsu Quartz Prod Co Ltd | エキシマレーザー用光学石英ガラス部材及びその製造方法 |
| JPH0959034A (ja) * | 1995-08-22 | 1997-03-04 | Sumitomo Metal Ind Ltd | 合成石英ガラス材及びその製造方法 |
| JPH09235134A (ja) * | 1995-12-27 | 1997-09-09 | Shinetsu Quartz Prod Co Ltd | 遠紫外線用高純度合成シリカガラス及びその製造方法 |
| JP2000264650A (ja) * | 1999-03-17 | 2000-09-26 | Shinetsu Quartz Prod Co Ltd | エキシマレーザー用光学石英ガラスの製造方法および縦型加熱炉 |
| JP2003246641A (ja) * | 2001-12-06 | 2003-09-02 | Shinetsu Quartz Prod Co Ltd | 光学部材用石英ガラスブランク、その製造方法及びその使用 |
Family Cites Families (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| ATE116448T1 (de) * | 1989-06-09 | 1995-01-15 | Heraeus Quarzglas | Optische teile und rohlinge aus synthetischem siliziumdioxidglas und verfahren zu ihrer herstellung. |
| EP0546196B1 (en) | 1991-06-29 | 1997-05-02 | Shin-Etsu Quartz Products Co., Ltd. | Synthetic quartz glass optical member for excimer laser and production thereof |
| US5326729A (en) * | 1992-02-07 | 1994-07-05 | Asahi Glass Company Ltd. | Transparent quartz glass and process for its production |
| DE4204406C2 (de) * | 1992-02-14 | 1995-04-06 | Heraeus Quarzglas | Verfahren zur Herstellung eines homogenen, schlierenfreien Körpers aus Quarzglas oder aus einem hochkieselsäurehaltigen Glas durch Umformen eines stabförmigen Ausgangskörpers |
| JP3194667B2 (ja) * | 1994-03-26 | 2001-07-30 | 信越石英株式会社 | 光学用合成石英ガラス成形体及びその製造方法 |
| US5707908A (en) * | 1995-01-06 | 1998-01-13 | Nikon Corporation | Silica glass |
| US6087283A (en) | 1995-01-06 | 2000-07-11 | Nikon Corporation | Silica glass for photolithography |
| US5616159A (en) * | 1995-04-14 | 1997-04-01 | Corning Incorporated | Method of forming high purity fused silica having high resistance to optical damage |
| JP2001524920A (ja) * | 1997-05-15 | 2001-12-04 | ショット エムエル ゲーエムベーハー | 均一でストリークのない石英ガラス板の製造方法および装置 |
| EP0917523B1 (en) | 1997-05-20 | 2003-07-30 | Heraeus Quarzglas GmbH & Co. KG | Synthetic silica glass used with uv-rays and method producing the same |
| EP1061052B1 (en) * | 1998-01-30 | 2003-07-30 | Asahi Glass Co., Ltd. | Synthetic silica glass optical members and process for the production thereof |
-
2001
- 2001-12-06 DE DE10159961A patent/DE10159961C2/de not_active Expired - Lifetime
-
2002
- 2002-10-25 TW TW091125264A patent/TW583150B/zh not_active IP Right Cessation
- 2002-12-04 EP EP02027123A patent/EP1318124B1/de not_active Expired - Lifetime
- 2002-12-04 KR KR1020020076622A patent/KR100842203B1/ko active IP Right Grant
- 2002-12-04 AT AT02027123T patent/ATE280139T1/de not_active IP Right Cessation
- 2002-12-05 JP JP2002353981A patent/JP4565805B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 2002-12-05 US US10/310,349 patent/US7080527B2/en not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03109223A (ja) * | 1989-09-22 | 1991-05-09 | Asahi Glass Co Ltd | 石英ガラスおよびその製造方法 |
| JPH06199539A (ja) * | 1992-12-28 | 1994-07-19 | Shinetsu Quartz Prod Co Ltd | エキシマレーザー用光学石英ガラス部材及びその製造方法 |
| JPH0959034A (ja) * | 1995-08-22 | 1997-03-04 | Sumitomo Metal Ind Ltd | 合成石英ガラス材及びその製造方法 |
| JPH09235134A (ja) * | 1995-12-27 | 1997-09-09 | Shinetsu Quartz Prod Co Ltd | 遠紫外線用高純度合成シリカガラス及びその製造方法 |
| JP2000264650A (ja) * | 1999-03-17 | 2000-09-26 | Shinetsu Quartz Prod Co Ltd | エキシマレーザー用光学石英ガラスの製造方法および縦型加熱炉 |
| JP2003246641A (ja) * | 2001-12-06 | 2003-09-02 | Shinetsu Quartz Prod Co Ltd | 光学部材用石英ガラスブランク、その製造方法及びその使用 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2013500228A (ja) * | 2009-07-23 | 2013-01-07 | コーニング インコーポレイテッド | 飽和誘起吸収石英ガラス及び作製方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US20030115905A1 (en) | 2003-06-26 |
| DE10159961C2 (de) | 2003-12-24 |
| TW583150B (en) | 2004-04-11 |
| KR20030047752A (ko) | 2003-06-18 |
| US7080527B2 (en) | 2006-07-25 |
| EP1318124A2 (de) | 2003-06-11 |
| KR100842203B1 (ko) | 2008-06-30 |
| EP1318124A3 (de) | 2003-07-02 |
| EP1318124B1 (de) | 2004-10-20 |
| ATE280139T1 (de) | 2004-11-15 |
| DE10159961A1 (de) | 2003-06-26 |
| JP4565805B2 (ja) | 2010-10-20 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
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|
| A621 | Written request for application examination |
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|
| A977 | Report on retrieval |
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|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
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|
| A601 | Written request for extension of time |
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|
| A602 | Written permission of extension of time |
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|
| A601 | Written request for extension of time |
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|
| A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20081210 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
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|
| A02 | Decision of refusal |
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|
| A521 | Request for written amendment filed |
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|
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| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20100803 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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|
| R250 | Receipt of annual fees |
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|
| R250 | Receipt of annual fees |
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|
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|
| R250 | Receipt of annual fees |
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|
| R250 | Receipt of annual fees |
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|
| R250 | Receipt of annual fees |
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|
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|
| R250 | Receipt of annual fees |
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|
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|
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|
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