JP2000228527A5 - - Google Patents

Download PDF

Info

Publication number
JP2000228527A5
JP2000228527A5 JP1999345498A JP34549899A JP2000228527A5 JP 2000228527 A5 JP2000228527 A5 JP 2000228527A5 JP 1999345498 A JP1999345498 A JP 1999345498A JP 34549899 A JP34549899 A JP 34549899A JP 2000228527 A5 JP2000228527 A5 JP 2000228527A5
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
conductive layer
impurity region
impurity
conductive
semiconductor
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP1999345498A
Other languages
English (en)
Japanese (ja)
Other versions
JP2000228527A (ja
JP4531175B2 (ja
Filing date
Publication date
Application filed filed Critical
Priority to JP34549899A priority Critical patent/JP4531175B2/ja
Priority claimed from JP34549899A external-priority patent/JP4531175B2/ja
Publication of JP2000228527A publication Critical patent/JP2000228527A/ja
Publication of JP2000228527A5 publication Critical patent/JP2000228527A5/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP4531175B2 publication Critical patent/JP4531175B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

JP34549899A 1998-12-03 1999-12-03 半導体装置の作製方法 Expired - Fee Related JP4531175B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP34549899A JP4531175B2 (ja) 1998-12-03 1999-12-03 半導体装置の作製方法

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP34474698 1998-12-03
JP10-344746 1998-12-03
JP34549899A JP4531175B2 (ja) 1998-12-03 1999-12-03 半導体装置の作製方法

Publications (3)

Publication Number Publication Date
JP2000228527A JP2000228527A (ja) 2000-08-15
JP2000228527A5 true JP2000228527A5 (zh) 2007-01-25
JP4531175B2 JP4531175B2 (ja) 2010-08-25

Family

ID=26577855

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP34549899A Expired - Fee Related JP4531175B2 (ja) 1998-12-03 1999-12-03 半導体装置の作製方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP4531175B2 (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7652294B2 (en) 2000-03-08 2010-01-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof

Families Citing this family (34)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6872604B2 (en) 2000-06-05 2005-03-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method of fabricating a light emitting device
JP2012089878A (ja) * 2000-08-25 2012-05-10 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 発光装置
JP4850328B2 (ja) * 2000-08-29 2012-01-11 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
JP2002076352A (ja) * 2000-08-31 2002-03-15 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 表示装置及びその作製方法
SG136795A1 (en) * 2000-09-14 2007-11-29 Semiconductor Energy Lab Semiconductor device and manufacturing method thereof
JP5046451B2 (ja) * 2000-09-22 2012-10-10 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体表示装置の作製方法
US6509616B2 (en) * 2000-09-29 2003-01-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and its manufacturing method
JP5046452B2 (ja) 2000-10-26 2012-10-10 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
JP4316831B2 (ja) * 2000-11-28 2009-08-19 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
JP4954366B2 (ja) 2000-11-28 2012-06-13 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
JP3522216B2 (ja) * 2000-12-19 2004-04-26 シャープ株式会社 薄膜トランジスタおよびその製造方法ならびに液晶表示装置
JP4932081B2 (ja) * 2000-12-27 2012-05-16 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
JP4801262B2 (ja) * 2001-01-30 2011-10-26 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
JP4693257B2 (ja) * 2001-02-21 2011-06-01 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
JP4593256B2 (ja) * 2001-02-28 2010-12-08 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
SG160191A1 (en) 2001-02-28 2010-04-29 Semiconductor Energy Lab Semiconductor device and manufacturing method thereof
US7112844B2 (en) 2001-04-19 2006-09-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
JP4044360B2 (ja) * 2001-04-19 2008-02-06 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置およびその作製方法
JP4831885B2 (ja) 2001-04-27 2011-12-07 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
JP3961240B2 (ja) 2001-06-28 2007-08-22 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
JP2006269808A (ja) * 2005-03-24 2006-10-05 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置および画像表示装置
US7588970B2 (en) 2005-06-10 2009-09-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
JP5090708B2 (ja) 2006-10-20 2012-12-05 株式会社ジャパンディスプレイイースト 画像表示装置とその製造方法
KR100749478B1 (ko) * 2006-11-21 2007-08-14 삼성에스디아이 주식회사 고상 결정화 장치 및 이를 이용한 박막 트랜지스터의 제조방법
JP2007134730A (ja) * 2006-12-01 2007-05-31 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 表示装置
KR100958640B1 (ko) 2008-06-09 2010-05-20 삼성모바일디스플레이주식회사 커패시터와 박막 트랜지스터를 갖는 기판, 이를 구비한평판 디스플레이 장치 및 상기 커패시터와 박막트랜지스터를 갖는 기판의 제조방법
JP2012043819A (ja) * 2008-08-29 2012-03-01 Ulvac Japan Ltd 薄膜トランジスタの製造方法及び薄膜トランジスタ
JP2011158910A (ja) * 2011-03-02 2011-08-18 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 表示装置の作製方法
JP5380560B2 (ja) * 2012-02-08 2014-01-08 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置、半導体装置、表示モジュール及び電子機器
JP6446204B2 (ja) * 2014-08-27 2018-12-26 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置
JP6851166B2 (ja) * 2015-10-12 2021-03-31 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
JP6579086B2 (ja) * 2016-11-15 2019-09-25 信越半導体株式会社 デバイス形成方法
JP6412181B2 (ja) * 2017-02-22 2018-10-24 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
WO2023157293A1 (ja) * 2022-02-21 2023-08-24 シャープディスプレイテクノロジー株式会社 表示装置

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7652294B2 (en) 2000-03-08 2010-01-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
US7728334B2 (en) 2000-03-08 2010-06-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2000228527A5 (zh)
JP2000183356A5 (zh)
JP2000194014A5 (zh)
JP2000216399A5 (zh)
JP2002026312A (ja) 半導体装置
JP2000243975A5 (zh)
US7678627B2 (en) Process for producing thin film transistor having LDD region
TW554444B (en) Manufacturing method for liquid crystal display
JP2690067B2 (ja) アクティブマトリクス基板
JP2005064344A (ja) 薄膜半導体装置の製造方法、薄膜半導体装置、電気光学装置及び電子機器
KR970022464A (ko) Cmos박막반도체장치 및 그 제조방법
JPH01218070A (ja) Mosトランジスタ
US20190006523A1 (en) Semiconductor device, and method for manufacturing same
JPH04290467A (ja) アクティブマトリクス基板
JPH0697694B2 (ja) 相補型薄膜トランジスタ
JPH0864830A (ja) アクティブマトリクス基板およびその製造方法
JPH1079516A (ja) 半導体装置およびその作製方法
JP3257519B2 (ja) 静電保護素子回路、静電保護回路を有する半導体装置
JP3143102B2 (ja) Mis型トランジスタ
JPH1079517A (ja) 半導体装置およびその作製方法
JP2004303791A (ja) 薄膜トランジスタ構造及びその製造方法
JP3092186B2 (ja) 薄膜トランジスタの製造方法
JPS6131633B2 (zh)
JP2005064123A (ja) 薄膜トランジスタおよび表示装置
US20130056766A1 (en) Semiconductor device, and method for producing same