JP2000200906A5 - - Google Patents
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Description
また、セル領域2TCを取り囲むように浮遊電位の複数のp型半導体領域28が同心状に形成され、電界緩和リング領域2TGを形成している。なお、セル領域2TCおよび電界緩和リング領域2TGの構造を総称して、エミッタ側構造2とする。
図42にフリーホイールダイオードを内蔵したIGBT90の断面構成を示す。IGBT90の基本構成は、図39を用いて説明したトランジスタQ1Lと同様であり、同一の構成には同一の符号を付し、重複する説明は省略する。なお、図42におけるエミッタ側構造2は、図39におけるエミッタ側構造2Tに対応しており、両者は実質的に同じものである。また、図39におけるシリコン基板1Tはn型ベース層1と呼称する。
本発明に係る請求項14記載の電力用半導体装置は、前記第1の半導体層の厚み方向の中央部よりも、前記第2ユニットの集合体よりの位置に、少なくとも、前記第1および第2のユニットの集合体の形成領域の広さに対応する広さで形成された、金属層あるいは不純物濃度が前記第1の半導体層よりも高濃度の第1導電型の第2の半導体層をさらに備えている。
本発明に係る請求項18記載の電力用半導体装置の製造方法は、第1導電型の第1の半導体基板を準備し、前記第1の半導体基板の第1の主面の表面内に選択的に第2導電型の第1の半導体領域を形成し、前記第1の半導体領域の表面内に選択的に第1導電型の第2の半導体領域を形成し、少なくとも、前記第2の半導体領域と前記第1の半導体基板の間の前記第1の半導体領域の表面に接するように第1のゲート絶縁膜を形成し、前記第1のゲート絶縁膜上に第1のゲート電極を形成して第1ユニットの集合体を形成する工程(a)と、第1導電型の第2の半導体基板を準備し、前記第2の半導体基板の第1の主面の表面内に選択的に第2導電型の第3の半導体領域を形成し、前記第3の半導体領域の表面内に選択的に第1導電型の第4の半導体領域を形成し、少なくとも、前記第4の半導体領域と前記第2の半導体基板の間の前記第3の半導体領域の表面に接するように第2のゲート絶縁膜を形成し、前記第2のゲート絶縁膜上に第2のゲート電極を形成して第2ユニットの集合体を形成する工程(b)と、前記第1および第2の半導体基板のそれぞれの第2の主面どうしを貼り合わせ法により接合する工程(c)とを備えている。
IGBT100はnチャネル型であり、図1および図2に示すように、n型のシリコン基板1(n型ベース層1と呼称する場合あり)の上主面表面内において、不純物濃度1×1016〜1×1019/cm3程度のp型ベース領域8が形成され、当該p型ベース領域8を深さ方向に貫通するように複数のトレンチ型のゲート電極11が並列に形成されている。なお、ゲート電極11の周囲にはゲート絶縁膜が形成されている。ゲート電極11の間のp型ベース領域8の表面内には、p型不純物を比較的高濃度(1×1019〜1×1021/cm3程度)に含んだp型半導体領域12が選択的に形成されている。p型半導体領域12はp型ベース領域8と後述するエミッタ電極19との電気的接続が良好に行われることを目的として設けられている。
そして、シリコン基板1の下主面上には不純物濃度1×1017〜1×1019/cm3程度のn型バッファ層3が形成され、n型バッファ層3の主面内には不純物濃度1×1017〜1×1021/cm3程度のp型コレクタ層4がp型ベース領域8の形成領域にほぼ対応して選択的に形成され、p型コレクタ層4と間隔を開けてp型コレクタ層4を囲むように不純物濃度1×1017〜1×1021/cm3程度のn型カソード領域6が選択的に形成された構成となっている。なお、p型コレクタ層4およびn型カソード領域6はシリコン基板1とは距離を隔てて形成されている。
また、コレクタ端子Cに印加される負電圧が大きくなり、p型コレクタ層4とn型バッファ層3のpn接合の耐圧、いわゆる逆耐圧を超えた場合や、上記pn接合にリーク電流がある場合にはn型バッファ層3、p型コレクタ層4、コレクタ電極5pを経て、コレクタ端子Cに達する経路にも電流は流れる。
そして、コレクタ端子Cに正電圧が印加された状態で、ゲート端子Gの電圧がオン電圧となった場合、コレクタ端子C、コレクタ電極5p、p型コレクタ層4、n型バッファ層3、n型ベース層1、p型ベース領域8中のチャネル、n型エミッタ領域9、エミッタ電極19を経て、エミッタ端子Eに達する電流が流れる。
ダイオード13は、アノード層ANがダイオード接続端子H上に接触するように載置されている。そして、ダイオード13のカソード層KNは、ワイヤボンディングによりコレクタ端子Cに電気的に接続されている。
<B.実施の形態2>
<B−1.装置構成>
本発明に係る電力用半導体装置の実施の形態2を図6〜図9を用いて説明する。図6はフリーホイールダイオードを内蔵したIGBT200の構成を示す断面図である。なお、図6において、図1を用いて説明したIGBT100と同一の構成については同一の符号を付し、重複する説明は省略する。
<B−1.装置構成>
本発明に係る電力用半導体装置の実施の形態2を図6〜図9を用いて説明する。図6はフリーホイールダイオードを内蔵したIGBT200の構成を示す断面図である。なお、図6において、図1を用いて説明したIGBT100と同一の構成については同一の符号を付し、重複する説明は省略する。
その後、アノード領域14および低抵抗導電体層16に接触するようにn型不純物を高濃度に含んだn型半導体層を形成し、カソード領域15とすることで、電流抑制用のダイオードと並列に、コレクタ端子Cに接続される導電体層が同時に形成される。
なお、IGBT200とIGBT200Aとの大きな相違点は、IGBT200Aではカソード領域15が低抵抗導電体層16にも接触し、絶縁層7が最外部コレクタ電極17にまで達していない点と、低抵抗導電体層16がIGBT200では金属材料で形成されているのに対し、IGBT200Aでは高濃度n型半導体層で形成されている点である。しかし、コレクタ電極5pおよびカソード電極5nは、高濃度n型半導体層(すなわち低抵抗導電体層16)とアノード領域14のpn接合で分離することができるので、IGBT200および200Aの構成は実質的に同等である。
<C.実施の形態3>
<C−1.装置構成>
本発明に係る電力用半導体装置の実施の形態3を図10〜図12を用いて説明する。図10はフリーホイールダイオードを内蔵したIGBT300の構成を示す断面図である。なお、図10において、図1を用いて説明したIGBT100と同一の構成については同一の符号を付し、重複する説明は省略する。
<C−1.装置構成>
本発明に係る電力用半導体装置の実施の形態3を図10〜図12を用いて説明する。図10はフリーホイールダイオードを内蔵したIGBT300の構成を示す断面図である。なお、図10において、図1を用いて説明したIGBT100と同一の構成については同一の符号を付し、重複する説明は省略する。
そして、コレクタ電極5pおよびカソード電極5nの間には絶縁層7が形成されている。なお、最外部電極20はコレクタ端子Cに接続されている。
また、シリコン基板1の下主面表面内には、n型バッファ層3が選択的に形成され、n型バッファ層3の表面内にはn型不純物を比較的高濃度に含んだn型半導体層で構成されたn型カソード領域6が選択的に形成されている。そして、n型バッファ層3、n型カソード領域6、シリコン基板1の表面に接触するように金属のカソード電極5kが形成されている。また、カソード電極5kはカソード端子Kに電気的に接続されている。そして、n型バッファ層3を取り囲むように浮遊電位の複数のp型半導体領域28bが同心状に形成されている。なお、n型バッファ層3、n型カソード領域6、p型半導体領域28bを総称してカソード側構造2Kとする。なお、p型半導体領域28aおよび28bは、最も内側のものはそれぞれアノード電位およびカソード電位となっており、それ以外は浮遊電位となっている。
ここで、n型カソード領域6はカソード電極5kとn型バッファ層3とのオーミックコンタクトを達成するための層であり、シリコン基板1はpinダイオードのi層に対応する層である。
なお、アノード側構造2ANの製造方法は従来のフリーホイールダイオードの製造方法と同様であり、カソード側構造2Kは、一般的なイオン注入法により、シリコン基板1表面内にn型バッファ層3を選択的に形成し、n型バッファ層3の表面内にn型カソード領域6を選択的に形成し、n型バッファ層3を囲むようにp型半導体領域28bを形成することで得られる。
最後に、図33に示すように、n型バッファ層3、n型カソード領域6、シリコン基板1の表面に接触するように、例えばアルミニウムの合金で構成されるカソード電極5kを形成することでフリーホイールダイオード600が完成する。
Claims (3)
- 前記第1の半導体層は、前記第1ユニットの集合体側と、前記第2ユニットの集合体側とで、結晶面方位および結晶軸方位のうち少なくとも一方が異なっており、
前記ライフタイム設定領域は、前記第1ユニットの集合体側の前記第1の半導体層と、前記第2ユニットの集合体側の前記第1の半導体層の境界領域である、請求項11記載の電力用半導体装置。 - 前記第1の半導体層の厚み方向の中央部よりも、前記第2ユニットの集合体よりの位置に、少なくとも、前記第1および第2のユニットの集合体の形成領域の広さに対応する広さで形成された、金属層あるいは不純物濃度が前記第1の半導体層よりも高濃度の第1導電型の第2の半導体層をさらに備える、請求項10記載の電力用半導体装置。
- (a)第1導電型の第1の半導体基板を準備し、前記第1の半導体基板の第1の主面の表面内に選択的に第2導電型の第1の半導体領域を形成し、前記第1の半導体領域の表面内に選択的に第1導電型の第2の半導体領域を形成し、少なくとも、前記第2の半導体領域と前記第1の半導体基板の間の前記第1の半導体領域の表面に接するように第1のゲート絶縁膜を形成し、前記第1のゲート絶縁膜上に第1のゲート電極を形成して第1ユニットの集合体を形成する工程と、
(b)第1導電型の第2の半導体基板を準備し、前記第2の半導体基板の第1の主面の表面内に選択的に第2導電型の第3の半導体領域を形成し、前記第3の半導体領域の表面内に選択的に第1導電型の第4の半導体領域を形成し、少なくとも、前記第4の半導体領域と前記第2の半導体基板の間の前記第3の半導体領域の表面に接するように第2のゲート絶縁膜を形成し、前記第2のゲート絶縁膜上に第2のゲート電極を形成して第2ユニットの集合体を形成する工程と、
(c)前記第1および第2の半導体基板のそれぞれの第2の主面どうしを貼り合わせ法により接合する工程と、を備える電力用半導体装置の製造方法。
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