JP2000178022A - ゼオライト・ベ―タ構造を有するケイ酸第一スズ分子ふるい - Google Patents

ゼオライト・ベ―タ構造を有するケイ酸第一スズ分子ふるい

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JP2000178022A
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 ゼオライト・ベータ構造を有する新しいタイ
プのケイ酸第一スズ分子ふるいの提供を目的とする。 【解決手段】 少なくともSnO2及びSiO2四面体酸
化物単位(及び随意的にTiO2及びGeO2単位)を含
む三次元骨格構造を有しており、さらに以下の実験式を
有している分子ふるい。 (SnxTiySi1-x-y-zGez)O2 ここで、xはスズ、yはチタン、及びzはゲルマニウム
のそれぞれのモル分率である。並びに、これらの分子ふ
るいの製法とこの分子ふるいを触媒として用いた有機化
合物の過酸化物による選択的酸化方法である。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は分子ふるいに関し、
詳しくは結晶質ケイ酸第一スズ分子ふるいに関するもの
である。更に、本発明は該分子ふるいの製法とその分子
ふるいを触媒として使用する方法に関している。
【0002】
【従来の技術】ゼオライトは微孔性の三次元骨格構造を
有する結晶性アルミノシリケート分子ふるいである。一
般的に、結晶性ゼオライトは角を共有するAlO2とS
iO2四面体で形成され、均一な寸法の孔開口部を有し
ていること、かなりのイオン交換容量を持っているこ
と、そして永続的な結晶構造を構成するいずれの原子も
それほど置換せずにその結晶内部の空隙全体に分散され
た吸着相を可逆的に脱着する能力を有していることを特
徴としている。
【0003】米国特許No.RE28,341に述べられている
ゼオライト・ベータは種々の反応において触媒効果を有
することから最近かなり注目されているゼオライトであ
る。ゼオライト・ベータは通常テトラエチルアンモニウ
ムとアルカリ性陽イオンの存在下の塩基性媒体中で合成
され、そのSi/Alモル比は5〜100の範囲である。ゼ
オライト・ベータ構造を有しているがその骨格にチタン
を含んでいる分子ふるいはES−A−2,037,596に述べ
られており、この特許もチタン含有物質を過酸化水素、
有機過酸化物あるいはヒドロペルオキサイドを酸化剤と
して用いる有機化合物の選択的酸化反応における触媒と
して用いることができることを開示している。
【0004】WO−A−97/33830は中性付近のpHでフッ
化物陰イオンを鉱化剤として用いるゼオライト・ベータ
の合成について開示している。これらの物質は幅広い化
学組成範囲でのより優れた熱的安定性とSiOあるいは
SiOH欠陥の濃度の低さを示している。また、Blasco
らはJ.Phys.Chem.B,1998,102,p.75でこれも幅広
いSi/Al範囲でのWO−A−97/33830の手順を用い
てのベータ構造へのチタンの組み込みについて開示して
いる。これらの物質はより高い疎水性を持つ。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】これらの先行技術とは
対照的な少なくともSnO2及びSiO2四面体単位で構
成されたゼオライト・ベータ構造を有する新しいタイプ
の分子ふるいを提供することを目的とする。
【0006】
【課題を解決するための手段】本発明は、少なくともS
iO2四面体及びSnO2四面体単位を有する微孔性三次
元構造と、結晶学的レギュラーポアシステム(a crysta
llographically regular pore system)と、そして、焼
成された無水ベースで (SnxTiySi1-x-y-zGez)O2 の実験式とを持つ結晶性ケイ酸第一スズ分子ふるいであ
って、xはスズのモル分率であって0.001〜0.1であり、
yはチタンのモル分率であって0〜0.1であり、及びz
はゲルマニウムのモル分率であって0〜0.08未満であ
り、並びに、組成物がゼオライト・ベータの特異的X線
回折パターンを有することを特徴とする結晶性ケイ酸第
一スズ分子ふるいである。
【0007】
【発明の実施の形態】本発明は、一連の新しい結晶質ケ
イ酸第一スズ分子ふるいであって、チタンとゲルマニウ
ムがその骨格に存在することができる分子ふるいであ
る。それらを生産工程、及び分子ふるいを反応に用いた
工程に関係している。従って、本発明のひとつの実施態
様は少なくともSiO2四面体及びSnO2四面体単位を
有する微孔性三次元構造と、結晶学的レギュラーポアシ
ステムと、そして、焼成された無水ベースで (SnxTiySi1-x-y-zGez)O2 の実験式を有し、ここで、xはスズのモル分率で0.001
〜0.1、yはチタンのモル分率で0〜0.1、及びzはゲル
マニウムのモル分率で0〜0.08未満であり、上記組成物
がゼオライト・ベータの特異的X線回折パターンを有し
ていることを特徴としている。
【0008】本発明の別の実施態様は上に述べた分子ふ
るいの製法である。この製法はケイ素の供給源、スズの
供給源、有機鋳型剤(R)の供給源、随意にチタンの供
給源、随意にゲルマニウムの供給源、フッ化物の供給
源、及び随意に過酸化水素の供給源を含む反応混合物を
形成するステップと、上記混合物をpH6〜12において結
晶性分子ふるいを形成するのに十分な温度及び時間で反
応させるステップで構成されており、上記混合物がモル
比で、 SiO2:aR2O:bSnO2:cGeO2:dTiO2:eF:f
22:gH2O で示される組成を有しており、ここでaは0.06〜0.5の
値を有し、bは0.001〜0.1の値を有し、cは0〜0.08の
値を有し、dは0〜0.1の値を有し、eは0.1〜2の値を
有し、fは0〜0.5の値を有し、及び、gは4〜50の値
を有している。
【0009】さらに別の実施態様は、酸化生成物を提供
する酸化条件下で、上記の分子ふるいを含んだ触媒の存
在下で有機化合物と過酸化物と反応させる方法である。
【0010】本発明による結晶性分子ふるいは少なくと
もSiO2四面体及びSnO2四面体単位を有する微孔性
三次元構造と、結晶学的レギュラーポアシステムと、そ
して、焼成された無水ベースで (SnxTiySi1-x-y-zGez)O2 の実験式とを有する結晶性分子ふるいである。ここで、
xはスズのモル分率で0.001〜0.1、yはチタンのモル分
率で0〜0.1、及びzはゲルマニウムのモル分率で0〜
0.08未満である。更に、その分子ふるいはゼオライト・
ベータの構造を有している。
【0011】これらの分子ふるいは水熱結晶化作用を用
いて調製され、この工程においてはスズの供給源、ケイ
素の供給源、有機鋳型剤の供給源、随意にゲルマニウム
の供給源、随意にチタンの供給源、フッ化物供給源、随
意に過酸化水素の供給源、及び水をくみ合わせることに
よって反応混合物が調製される。ケイ素の供給源として
はコロイド状シリカ、アモルファス状シリカ、薫蒸シリ
カ、シリカゲル、及びテトラアルキルオルトケイ酸など
がある。スズの供給源としてはハロゲン化スズ、スズア
ルコキシド、酸化スズ、金属性スズ、アルカリ性及びア
ルカリ土類第一スズ塩、並びにアルキルスズ化合物など
がある。好ましい供給源は四塩化スズである。スズアル
コキシドの例としてはスズブトオキシド、スズエトキシ
ド、及びスズプロポキシドが含まれる。有機鋳型剤には
テトラエチルアンモニウムイオンなどのテトラアルキル
アンモニウムイオン、1,4−ジアザバイシクロ2,
2,2オクタンなどのアザ−ポリサイクリック化合物、
ジメチルジベンジルアンモニウムイオンなどのジアルキ
ルジベンジルアンモニウムイオン及び4,4′トリメチ
レンビス(N−ベンジル,N−メチルピペリジニウム)
イオンなどのビス−ピペリジニウムイオンなどがある。
これらのイオンは水酸化物あるいはハロゲン化物として
加えてもよい。ゲルマニウム供給源としてはゲルマニウ
ム化合物、ゲルマニウムアルコキシド、及び酸化ゲルマ
ニウムがある。また、チタン供給源としてはチタニウム
アクロキシド及びハロゲン化チタンがある。好ましいチ
タニウムアルコキシドはチタニウムテトラエトキシド、
チタニウムイソプロポキシド、及びチタニウムテトラブ
トキシドである。
【0012】この反応混合物はまた、フッ化水素酸又フ
ッ化アンモニウムなどのフッ化物供給源、そして随意的
に過酸化水素+水を含んでいる。
【0013】一般的に、ケイ酸第一スズ分子ふるいを調
製するために用いられる水熱プロセスは SiO2:aR2O:bSnO2:cGeO2:dTiO2:eF:f
22:gH2O の式で示される上に述べたような供給源を用いて反応混
合物を形成するステップを含んでおり、この式でaは0.
06〜0.5の値を有し、bは0.001〜0.1の値を有し、cは
0〜0.08の値を有し、dは0〜0.1の値を有し、eは0.1
〜2の値を有し、fは0〜0.5の値を有し、及び、gは
4〜50の値を有している。この反応混合物はスズ、ケイ
素、随意にチタン、随意にゲルマニウム、有機鋳型剤、
水、随意に過酸化水素及びフッ化物のそれぞれの供給源
を望ましい混合物をつくるためのいずれかの順番で混合
することによって調製される。この混合物のpHは6〜12
であることが必要で、好ましくは7.5〜9.5の範囲であ
る。必要であれば、混合物のpHはHF及び/又はNH4
Fを混合することで調節することができる。チタンとの
錯体を形成し、それを溶液中に保持するために過酸化水
素を加えることもできる。
【0014】反応混合物を形成したら、次にそれを90〜
200℃、好ましくは120〜180℃の温度下で2日から50日
間、そして好ましくは10日から25日間、密封容器内で、
自生圧力下で反応させる。所定の時間後、混合物をろ過
して固形物を単離し、それを脱イオン水で洗浄して、空
気中で乾燥させる。
【0015】結晶化を促進するためには、反応混合物に
対する種結晶としてゼオライト・ベータ結晶を加えるの
が好ましい。これらの結晶は乾燥固形物、適切な溶液、
例えば水、アルコール、あるいは予備形成ゲル、つまり
核を含んだゲルに懸濁させた状態などの形状で添加する
ことができる。好ましいゼオライト・ベータ種結晶はス
ペイン特許出願P9501552(現在ではES−A−212414
2)の教示に従って調製されたものである。
【0016】単離された分子ふるいはゼオライト・ベー
タに特徴的な、少なくとも表1に示すようなピークと強
度を有するX線回折パターンを有することを特徴として
いる。表1に示す強度は各ピークの強度を最も強い線
(I0)との関係によって得られる相対強度である。こ
の強度は100×I/I0の式で与えられ、vs=80〜100,s
=60〜80,m=15〜60及びw=0〜15と定義されるvs,
s,m及びwで表されるものである。
【0017】
【表1】
【0018】合成された時点で、本発明の分子ふるいは
そのふるいの微孔内に一定の有機鋳型剤とふっ化物イオ
ンを含んでいる。このゼオライトを活性化するために
は、つまり吸着あるいは触媒反応に活性を示すようにす
るには、これらの鋳型剤及びフッ化物を除去することが
必要である。これは通常はその分子ふるいを300℃〜100
0℃の温度でほとんどすべての有機鋳型剤及びフッ化物
を除去するのに十分な時間、通常は1〜10時間焼成する
ことで達成される。
【0019】本発明による焼成した分子ふるいは有機化
合物と過酸化水素、有機性酸化物あるいは水化酸化物と
の種々の選択的な酸化反応の触媒作用において有用であ
る。これらの選択的な酸化反応としては、アルケン類の
アルコール類やケトン類への酸化、アルコール類のケト
ン類への酸化、芳香族化合物のヒドロキシ化、オレフィ
ン類のエポキシ化、及びチオエーテル類のスルホキシド
類あるいはスルホン類への酸化などが含まれる。これら
の反応は先行技術で公知の工程によって行うことができ
る。上記の過酸化物のうち、過酸化水素が好ましく、特
に水溶液であることが好ましい。水中での過酸化水素の
重量%は2〜70重量%とかなり広い範囲で変更でき、20
〜50重量%の範囲であることが好ましい。
【0020】これらのプロセスは20℃〜90℃の温度、そ
して好ましくは30℃〜80℃の温度範囲で実行される。こ
れらの工程を大気圧で実行してもよいが、反応媒体中で
のガス性反応物の可溶性を上昇させるのには高圧下で行
うのが望ましく、又好ましい。反応媒体あるいは共溶媒
はメタノール、水、アセトニトリル、イソプロパノー
ル、アセトン、及びエタノールで構成されるグループか
ら選択することができる。
【0021】上のいずれのプロセスもバッチモードと連
続モードのいずれでも行うことができる。バッチモード
の場合、有機性反応物だけ、あるいはそれを溶媒に解か
したもののいずれかを有効な量の触媒の存在下で過酸化
水素と混合させる。一般的に触媒の有機化合物に対する
重量%は0.5〜50重量%の範囲で変化しても差し支えな
い。接触は有効な時間、通常は0.2〜24時間の時間範囲
で行われる。
【0022】そのプロセスが連続モードで行われる場
合、公知のいずれのプロセス技術を用いても差し支えな
い。これらには固定床プロセス、継続撹拌タンク・プロ
セス、放射床プロセスなどが含まれる。これらのプロセ
スにおいて、背圧を最小限に抑えるためには、ペレッ
ト、押し出し成型物、球、不規則な形状の粒子など粒子
状の形態で触媒を用いるのが有利である。この分子ふる
いは結合剤を用いても、あるいは用いなくてもこれらの
形状に加工することができる。結合剤を用いた場合、シ
リカ、アルミナ、シリカ−アルミナ、粘土などいずれの
公知の結合剤でも用いることができる。
【0023】最後に、有機化合物:過酸化物のモル比は
20:1〜0.7:1のかなり広い範囲で変更することがで
きる。
【0024】
【実施例】本発明をさらに十分に説明するために、以下
に実施例を述べる。
【0025】実施例1 ゼオライト・ベータをスペイン特許出願No.P9501552
(現在はES−A−2124142)に従って以下の手順で調
製した。
【0026】容器内で、4.33gの水に1.85gのAlCl
3・6H2Oを溶解した。この溶液に45.24gの水酸化テ
トラエチルアンモニウム(TEAOH)(水溶液で35重
量%)を加えた。次に、40gのテトラエチルオルトケイ
酸(TEOS)を加えて、その混合物をTEOSの加水
分解で形成されたエタノールが蒸発するまで撹拌した。
このゲルの最終組成は以下の通りであった。 SiO2:0.28TEA2O:0.02Al23:6.5H2
【0027】得られた溶液をテトラフルオロエチレン管
ステンレススチールオートクレーブに移して140℃まで
加温し、撹拌して3日間反応させた。生成物を遠心分離
で回収して純粋で洗浄して、100℃で乾燥させた。生成
物はゼオライト・ベータの構造を有していることが認め
られ、結晶度は90%であった。
【0028】上記ゼオライト・ベータのサンプルは、1
gの合成したゼオライトを60gのHNO3(60重量%)
を用い80℃で24時間処理して脱アルミ化させた。固形物
をろ過で回収して蒸留水で洗浄し、100℃で乾燥した。
この生成ゼオライトの結晶化度は70%であることが認め
られ、Si/Al比は化学分析で2,000以上であることと
判定された。
【0029】前記ゼオライト・ベータ種結晶を用いてゼ
オライト・ベータ構造を有するケイ酸第一スズの合成を
行った。
【0030】容器内で30gのTEOSと32.99gのTE
AOH(35重量%)を混合させた。90分後、2.75gの水
に0.43gのSnCl4・5H2O(98%)を解かした溶液
を加えて、TEOSの加水分解で形成されたエタノール
が蒸発するまでその混合物を撹拌した。澄んだ溶液に3.
2gのHF(48重量%)を加えたところ、濃いペースト
状のものが得られた。最後に、1.75gの水に0.36gの脱
アルミ化ゼオライト・ベータを懸濁させたものを加え
た。得られたペーストの最終組成は以下の式で示される
ものであった。 SiO2:0.27TEA2O:0.008SnO2:0.54HF:7.5
2
【0031】このペーストをテトラフルオロエチレン管
ステンレススチールオートクレーブに入れて140℃まで
過熱し、撹拌しながら11日間反応させた。11日後に生成
物をろ過で回収して、X線回折分析を行ったところ、ゼ
オライト・ベータ構造を有していること、及び95%の結
晶化度を有していることが認められた。さらに化学分析
を行ったところ、この生成物が1.62重量%のスズを含ん
でいることが示された。この生成物を580℃の温度で3
時間焼成したところ、その結晶化度は維持されていた。
焼成無水ベースでのこの物質の実験式は以下の通りであ
ることが分かった。 (Si0.992Sn0.008)O2
【0032】
【実施例2】この実施例はゼオライト・ベータ構造を有
するケイ酸第一スズの合成を示すものである。容器内に
45gのTEOSと0.41gのチタニウムテトラエトキシド
を加えて、この溶液に49.89gのTEAOHと7.04gの
過酸化水素(35重量%)を加えた。90分後に2gの水に
0.64gのSnCl4・5H2Oを解かした溶液を加え、T
EOSの加水分解で形成されたエタノールが蒸発するま
でその混合物を撹拌した。この溶液に4.94gのHF(48
重量%)を加え、濃いペースト状のものを得た。最後に
2.5gの水に(実施例1で調製された)脱アルミ化ゼオ
ライト・ベータ種結晶を0.55gを懸濁させた懸濁液を加
えた。ゲルの最終組成は以下の実験式で示される。 SiO2:0.27TEA2O:0.008SnO2:0.008TiO2
0.54HF:0.33H22:7.5H2
【0033】このペースト状のものをテトラフルオロエ
チレン管ステンレススチールオートクレーブに入れて、
140℃に加熱し、撹拌しながら20日間放置した。この時
間の経過後、生成物をろ過で回収したところ、骨格にケ
イ素、スズ、及びチタンを含みゼオライト・ベータのX
線回折パターンを有する生成物が得られた。この生成物
の結晶化度をそのX線回折パターンで測定したところ、
95%であった。このサンプルの一部を分析したところ、
それが0.72重量%のスズと0.25重量%のチタンを含んで
いることが示された。580℃で焼成した後も、このケイ
酸第一スズ分子ふるいはその結晶化度を維持した。焼成
無水ベースでのこの生成物の実験式は以下の通りである
と判定された。 (Si0.988Sn0.008Ti0.003)O2
【0034】実施例3 この実施例はSn、Ge及びTi含有ゼオライト・ベー
タの合成について示すものである。
【0035】容器内で、30gのテトラエチルオルトシリ
ケート(TEOS)と0.27gのTi(OEt)4を、33.2
6gの水酸化テトラエチルアンモニウム(TEAOH)
(35重量%)と4.69gのH22(35重量%)を含む溶液
内で25℃の温度で撹拌しながら加水分解させた。1時間
後、2gの水に0.42gのSnCl4・5H2Oを解かした
溶液を加えた。30分後、0.13gのGeO2を加え、その
溶液を、TEOSの加水分解で形成されたエタノールが
蒸発するまで25℃の温度で撹拌した。黄色の澄んだこの
溶液に3.29gのHF(48重量%)を加えたところ、黄色
の濃いペースト状のものが得られた。最後に2gの水に
(実施例1で調製された)脱アルミ化ゼオライト・ベー
タ種0.38gを懸濁させたものを添加した。このゲルの最
終組成は以下の通りであった。 SiO2:0.27TEA2O:0.008SnO2:0.008TiO2
0.54HF:0.33H22:7.5H2
【0036】このペースト状のものをテトラフルオロエ
チレン管ステンレススチールオートクレーブに入れて、
60rpmで回転させながら15日間140℃で加温した。
【0037】結晶後に得られた生成物をろ過、蒸留水で
洗浄、及び100℃で乾燥したところ、Sn,Ge,Ti
−ベータ・サンプルが得られた。この生成物は100%の
結晶化度のゼオライト・ベータのX線回折パターンを示
した。化学分析を行ったところ、この物質は1.65重量%
のスズ、0.5重量%のチタン、そして1重量%のゲルマ
ニウムを含んでいることが示された。固形物は580℃で
3時間焼成したところ、その結晶化度は維持されてい
た。
【0038】焼成して無水ベースでのこの物質の実験式
は以下のように計算された。 (Si0.979Sn0.009Ge0.008Ti0.004)O2
【0039】
【発明の効果】本発明によるケイ酸第一スズ分子ふるい
はオレフィンエポキシ化、及び芳香族化合物のヒドロキ
シル化などの選択的酸化プロセスにおける触媒として有
用である。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 スサナ バレンシア バレンシア スペイン 46022 バレンシア,アベンデ ィア デ ロス ナラニョス エス/エ ヌ,ユニバーシダッド ポリテクニカ デ バレンシア,インスティテュート デ テクノロジア クイミカ (72)発明者 アベリノ コルマ カノス スペイン 46022 バレンシア,アベンデ ィア デ ロス ナラニョス エス/エ ヌ,ユニバーシダッド ポリテクニカ デ バレンシア,インスティテュート デ テクノロジア クイミカ

Claims (11)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 少なくともSiO2四面体及びSnO2
    面体単位を有する微孔性三次元構造と、結晶学的レギュ
    ラーポアシステム(a crystallographicallyregular po
    re system)と、そして、焼成された無水ベースで (SnxTiySi1-x-y-zGez)O2 の実験式とを持つ結晶性ケイ酸第一スズ分子ふるいであ
    って、xはスズのモル分率であって0.001〜0.1であり、
    yはチタンのモル分率であって0〜0.1であり、及びz
    はゲルマニウムのモル分率であって0〜0.08未満であ
    り、並びに、組成物がゼオライト・ベータの特異的X線
    回折パターンを有することを特徴とする結晶性ケイ酸第
    一スズ分子ふるい。
  2. 【請求項2】 ケイ素の供給源、スズの供給源、有機鋳
    型剤(R)の供給源、随意にチタンの供給源、随意にゲ
    ルマニウムの供給源、フッ化物の供給源、及び随意に過
    酸化水素の供給源を含む反応混合物を形成するステップ
    と、上記混合物をpH6〜12において結晶性分子ふるいを
    形成するのに十分な温度及び時間で反応させるステップ
    で構成されており、上記混合物がモル比で、 SiO2:aR2O:bSnO2:cGeO2:dTiO2:eF:f
    22:gH2O で示される組成を有しており、ここでaは0.06〜0.5の
    値を有し、bは0.001〜0.1の値を有し、cは0〜0.08の
    値を有し、dは0〜0.1の値を有し、eは0.1〜2の値を
    有し、fは0〜0.5の値を有し、及び、gは4〜50の値
    を有していることを特徴とする請求項1記載の結晶性ケ
    イ酸第一スズ分子ふるいの製法。
  3. 【請求項3】 反応温度が90℃〜200℃であり、反応時
    間が2〜50日である請求項2記載の製法。
  4. 【請求項4】 Rの供給源がテトラアルキルアンモニウ
    ムイオン、アザポリサイクリック化合物、ジアルキルジ
    ベンジルアンモニウムイオン及びビスピペリジニウム化
    合物によって構成される群から選択される請求項2又は
    3の製法。
  5. 【請求項5】 Rの供給源がテトラエチルアンモニウム
    イオン、1,4−ジアザバイシクロ−2,2,2オクタ
    ン、ジメチルベンジルアンモニウムイオン及び4,4′
    トリメチレンビス(N−ベンジルN−メチルピペリジニ
    ウム)イオンで構成される群から選択される請求項4の
    製法。
  6. 【請求項6】 スズの供給源がハロゲン化スズ、スズア
    ルコシド及び酸化スズで構成される群から選択される請
    求項2〜5のいずれか1項に記載の製法。
  7. 【請求項7】 チタンの供給源がチタニウムアルコキシ
    ド及びハロゲン化チタンで構成される群から選択される
    請求項2〜6のいずれか1項に記載の製法。
  8. 【請求項8】 ケイ素の供給源がコロイド状シリカ、ア
    モルファス状シリカ、燻蒸シリカ、シリカゲル及びテト
    ラアルキルオルトケイ酸で構成される群から選択される
    請求項2〜7のいずれか1項に記載の製法。
  9. 【請求項9】 ゲルマニウムの供給源がハロゲン化ゲル
    マニウム、ゲルマニウムアルコキシド、及び酸化ゲルマ
    ニウムで構成される群から選択される請求項2〜8のい
    ずれか1項による製法。
  10. 【請求項10】 結晶性分子ふるいが300〜1000℃の温
    度でフッ化物及び有機鋳型剤を除去するのに十分な時間
    焼成されることを特徴とする請求項2〜9のいずれか1
    項に記載の製法。
  11. 【請求項11】 酸化生成物をつくりだすための酸化条
    件下で、請求項1に記載の結晶性ケイ酸第一スズを含む
    触媒の存在下で有機化合物を過酸化物と反応させるステ
    ップを含む有機化合物を選択的に酸化する方法。
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