JP2000030203A - 磁気ヘッド用コイル、光磁気記録用磁気ヘッドおよび光磁気記録装置 - Google Patents
磁気ヘッド用コイル、光磁気記録用磁気ヘッドおよび光磁気記録装置Info
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- G11B11/10—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field
- G11B11/105—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field using a beam of light or a magnetic field for recording by change of magnetisation and a beam of light for reproducing, i.e. magneto-optical, e.g. light-induced thermomagnetic recording, spin magnetisation recording, Kerr or Faraday effect reproducing
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- Recording Or Reproducing By Magnetic Means (AREA)
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 磁気特性劣化を招かずに、所望強度の磁界を
発生させるのが困難。 【解決手段】 導電性材料膜のスパイラル状コイルパタ
ーン及びコイルパターンに接続された２つの端子より構
成された平板状磁気ヘッド用コイルにおいて、コイルパ
ターンの断面形状は略矩形であり、コイルパターンの最
小ピッチＰ［μｍ］、ピッチＰが最小である部分におけ
る断面形状の幅Ｗ［μｍ］及び高さＨ［μｍ］は、１５
［μｍ］≦Ｐ≦７０［μｍ］、１．８５−０．０１２Ｐ
≦Ｈ／Ｗ≦７．５−０．０６Ｐ、を満足し、さらに磁性
材料のコアを取り付けない状態で、コイルの２つの端子
間のインピーダンスＺ０が、等価的にインダクタンスＬ
０、インダクタンスＬ０に並列な高周波抵抗Ｒｐ０およ
びインダクタンスＬ０に直列で周波数に依存しない直流
抵抗Ｒｓで構成される場合に、１０ＭＨｚにおけるイン
ダクタンスＬ０［μＨ］が、Ｌ０≦０．８５［μＨ］を
満足する。
発生させるのが困難。 【解決手段】 導電性材料膜のスパイラル状コイルパタ
ーン及びコイルパターンに接続された２つの端子より構
成された平板状磁気ヘッド用コイルにおいて、コイルパ
ターンの断面形状は略矩形であり、コイルパターンの最
小ピッチＰ［μｍ］、ピッチＰが最小である部分におけ
る断面形状の幅Ｗ［μｍ］及び高さＨ［μｍ］は、１５
［μｍ］≦Ｐ≦７０［μｍ］、１．８５−０．０１２Ｐ
≦Ｈ／Ｗ≦７．５−０．０６Ｐ、を満足し、さらに磁性
材料のコアを取り付けない状態で、コイルの２つの端子
間のインピーダンスＺ０が、等価的にインダクタンスＬ
０、インダクタンスＬ０に並列な高周波抵抗Ｒｐ０およ
びインダクタンスＬ０に直列で周波数に依存しない直流
抵抗Ｒｓで構成される場合に、１０ＭＨｚにおけるイン
ダクタンスＬ０［μＨ］が、Ｌ０≦０．８５［μＨ］を
満足する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は磁界変調記録方式に
よって光磁気記録媒体に情報信号の記録を行う光磁気記
録媒体に情報信号を記録するための光磁気記録装置、光
磁気記録装置に使用される光磁気記録用磁気ヘッド、光
磁気記録用磁気ヘッドに使用される磁気ヘッド用コイル
に関する。
よって光磁気記録媒体に情報信号の記録を行う光磁気記
録媒体に情報信号を記録するための光磁気記録装置、光
磁気記録装置に使用される光磁気記録用磁気ヘッド、光
磁気記録用磁気ヘッドに使用される磁気ヘッド用コイル
に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来より光磁気ディスク等の光磁気記録
媒体に、高密度で情報信号を記録する光磁気記録装置に
は、磁界変調方式を用いたものが知られている。この方
式の装置は光ヘッドと磁気ヘッドとを備え、光ヘッドに
より光磁気記録媒体の磁気記録層にレーザ光を微小な光
スポットに収束して照射するとともに、磁気ヘッドによ
り光磁気記録媒体のレーザ光の照射部位に、情報信号に
よって変調された磁界を垂直方向に印加し、これにより
光磁気記録媒体に情報信号の記録を行うのである。
媒体に、高密度で情報信号を記録する光磁気記録装置に
は、磁界変調方式を用いたものが知られている。この方
式の装置は光ヘッドと磁気ヘッドとを備え、光ヘッドに
より光磁気記録媒体の磁気記録層にレーザ光を微小な光
スポットに収束して照射するとともに、磁気ヘッドによ
り光磁気記録媒体のレーザ光の照射部位に、情報信号に
よって変調された磁界を垂直方向に印加し、これにより
光磁気記録媒体に情報信号の記録を行うのである。
【０００３】従来このような光磁気記録装置には、例え
ば特開平６−３０９６０７号公報に示されるような構成
の磁気ヘッドが使用されていた。図９にはこのような従
来の磁気ヘッドの構成を断面図により示す。
ば特開平６−３０９６０７号公報に示されるような構成
の磁気ヘッドが使用されていた。図９にはこのような従
来の磁気ヘッドの構成を断面図により示す。
【０００４】ここで５０はフェライト等の磁性材料から
成るコア、５１はコアの磁極ｐ３の周囲にマグネットワ
イヤ（銅等の導電性材料から成る導体線の周囲にポリウ
レタン等の絶縁皮膜を形成した細い電線）を巻き付けて
形成したコイルである。ここでコイル５１に電流を供給
することによって、コア５０の磁極ｐ３の端面から磁界
が発生し、光磁気記録媒体に垂直に印加されるのであ
る。
成るコア、５１はコアの磁極ｐ３の周囲にマグネットワ
イヤ（銅等の導電性材料から成る導体線の周囲にポリウ
レタン等の絶縁皮膜を形成した細い電線）を巻き付けて
形成したコイルである。ここでコイル５１に電流を供給
することによって、コア５０の磁極ｐ３の端面から磁界
が発生し、光磁気記録媒体に垂直に印加されるのであ
る。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】ところで近年、情報信
号の記録の高速化に対する要求が高まり、それに伴って
磁界の変調周波数を高くする必要が生じている。しかし
ながら上記の従来の光磁気記録用磁気ヘッドのようにコ
イルをマグネットワイヤで構成する場合に、製造が可能
な導体線の断面形状、大きさには制限があり任意にはで
きない。またマグネットワイヤを構成する導体線の直径
を５０μｍ以下とし、コイルを小さくした場合にはマグ
ネットワイヤを図９に示したように縦横に整列するよう
にしてコイルを製造するのは困難となり、巻き付けの乱
れが発生する。このためコイルの外径は大きくなる。ま
たコイルの形状が図９に示したように縦長であるとコイ
ルのインダクタンスは増大し、磁気ヘッドの磁界の発生
効率は減少するが、特に導体線の直径が５０μｍ以下で
ある細いマグネットワイヤで縦長ではなく偏平でインダ
クタンスの小さいコイルを製造するのは非常に困難であ
る。このため磁界の変調周波数をより高めようとした場
合には、変調周波数やコイルのインダクタンスに比例し
た高い駆動電圧を磁気ヘッドのコイルに印加しなければ
ならないので光磁気記録装置の消費電力が増大するとい
う問題点があった。またマグネットワイヤにおける表皮
効果や近接効果を原因とするコイルの高周波抵抗を十分
に低減することもできず、このため磁気ヘッドにおける
高周波損失が増大し、これによる磁気ヘッドの発熱が磁
気ヘッドの磁気特性の劣化を招き、所望の強度の磁界の
発生が困難になるという問題点があった。このような問
題点は特に磁界の最高変調周波数を８ＭＨｚ以上とする
場合に深刻であった。
号の記録の高速化に対する要求が高まり、それに伴って
磁界の変調周波数を高くする必要が生じている。しかし
ながら上記の従来の光磁気記録用磁気ヘッドのようにコ
イルをマグネットワイヤで構成する場合に、製造が可能
な導体線の断面形状、大きさには制限があり任意にはで
きない。またマグネットワイヤを構成する導体線の直径
を５０μｍ以下とし、コイルを小さくした場合にはマグ
ネットワイヤを図９に示したように縦横に整列するよう
にしてコイルを製造するのは困難となり、巻き付けの乱
れが発生する。このためコイルの外径は大きくなる。ま
たコイルの形状が図９に示したように縦長であるとコイ
ルのインダクタンスは増大し、磁気ヘッドの磁界の発生
効率は減少するが、特に導体線の直径が５０μｍ以下で
ある細いマグネットワイヤで縦長ではなく偏平でインダ
クタンスの小さいコイルを製造するのは非常に困難であ
る。このため磁界の変調周波数をより高めようとした場
合には、変調周波数やコイルのインダクタンスに比例し
た高い駆動電圧を磁気ヘッドのコイルに印加しなければ
ならないので光磁気記録装置の消費電力が増大するとい
う問題点があった。またマグネットワイヤにおける表皮
効果や近接効果を原因とするコイルの高周波抵抗を十分
に低減することもできず、このため磁気ヘッドにおける
高周波損失が増大し、これによる磁気ヘッドの発熱が磁
気ヘッドの磁気特性の劣化を招き、所望の強度の磁界の
発生が困難になるという問題点があった。このような問
題点は特に磁界の最高変調周波数を８ＭＨｚ以上とする
場合に深刻であった。
【０００６】
【課題を解決するための手段および作用】本発明は、導
電性材料の膜から成るスパイラル状のコイルパターンお
よび前記コイルパターンに接続された２つの端子より構
成された平板状の磁気ヘッド用コイルにおいて、前記コ
イルパターンの断面形状は略矩形であり、前記コイルパ
ターンの最小のピッチＰ［μｍ］、ピッチＰが最小であ
る部分における前記断面形状の幅Ｗ［μｍ］および高さ
Ｈ［μｍ］は次の式（１０）および（１１） １５［μｍ］≦Ｐ≦７０［μｍ］ …（１０） １．８５−０．０１２Ｐ≦Ｈ／Ｗ≦７．５−０．０６Ｐ …（１１） をともに満足し、さらに少なくとも磁性材料から成るコ
アを取り付けない状態において、前記コイルの前記２つ
の端子間のインピーダンスＺ０が、等価的にインダクタ
ンスＬ０、インダクタンスＬ０に並列な高周波抵抗Ｒｐ
０およびインダクタンスＬ０に直列で周波数に依存しな
い直流抵抗Ｒｓで構成されるものと見なした場合に、１
０ＭＨｚにおけるインダクタンスＬ０［μＨ］が次の式
（５） Ｌ０≦０．８５［μＨ］ …（５） を満足することを特徴とする。
電性材料の膜から成るスパイラル状のコイルパターンお
よび前記コイルパターンに接続された２つの端子より構
成された平板状の磁気ヘッド用コイルにおいて、前記コ
イルパターンの断面形状は略矩形であり、前記コイルパ
ターンの最小のピッチＰ［μｍ］、ピッチＰが最小であ
る部分における前記断面形状の幅Ｗ［μｍ］および高さ
Ｈ［μｍ］は次の式（１０）および（１１） １５［μｍ］≦Ｐ≦７０［μｍ］ …（１０） １．８５−０．０１２Ｐ≦Ｈ／Ｗ≦７．５−０．０６Ｐ …（１１） をともに満足し、さらに少なくとも磁性材料から成るコ
アを取り付けない状態において、前記コイルの前記２つ
の端子間のインピーダンスＺ０が、等価的にインダクタ
ンスＬ０、インダクタンスＬ０に並列な高周波抵抗Ｒｐ
０およびインダクタンスＬ０に直列で周波数に依存しな
い直流抵抗Ｒｓで構成されるものと見なした場合に、１
０ＭＨｚにおけるインダクタンスＬ０［μＨ］が次の式
（５） Ｌ０≦０．８５［μＨ］ …（５） を満足することを特徴とする。
【０００７】さらに１０ＭＨｚにおけるインダクタンス
Ｌ０［μＨ］、２０ＭＨｚにおける高周波抵抗Ｒｐ０
［Ω］、および直流抵抗Ｒｓ［Ω］が次の式（６）およ
び（８） Ｒｐ０≧Ｌ０×１５００ …（６） Ｒｓ≦２ …（８） を満足することを特徴とする。
Ｌ０［μＨ］、２０ＭＨｚにおける高周波抵抗Ｒｐ０
［Ω］、および直流抵抗Ｒｓ［Ω］が次の式（６）およ
び（８） Ｒｐ０≧Ｌ０×１５００ …（６） Ｒｓ≦２ …（８） を満足することを特徴とする。
【０００８】さらに１０ＭＨｚにおけるインダクタンス
Ｌ０［μＨ］、および２０ＭＨｚにおける高周波抵抗Ｒ
ｐ０［Ω］が次の式（７） Ｒｐ０≧Ｌ０×２０００ …（７） を満足することを特徴とする。
Ｌ０［μＨ］、および２０ＭＨｚにおける高周波抵抗Ｒ
ｐ０［Ω］が次の式（７） Ｒｐ０≧Ｌ０×２０００ …（７） を満足することを特徴とする。
【０００９】さらに少なくとも前記コイルパターンの内
の１層は前記磁気ヘッド用コイルの光磁気記録媒体と対
向する下面側に設けられ、前記各コイルパターンの間隔
Ｔｂ［μｍ］、前記下面側に設けられた前記コイルパタ
ーンの端面と前記磁気ヘッド用コイルの下面の間隔Ｔｃ
［μｍ］、および前記磁気ヘッド用コイルの厚さＴ［μ
ｍ］は次の式（１３）、（１４）および（１５） ２［μｍ］≦Ｔｂ≦７０［μｍ］ …（１３） Ｔｃ≦１．５Ｈ …（１４） ５０［μｍ］≦Ｔ≦４５０［μｍ］ …（１５） を満足することを特徴とする。
の１層は前記磁気ヘッド用コイルの光磁気記録媒体と対
向する下面側に設けられ、前記各コイルパターンの間隔
Ｔｂ［μｍ］、前記下面側に設けられた前記コイルパタ
ーンの端面と前記磁気ヘッド用コイルの下面の間隔Ｔｃ
［μｍ］、および前記磁気ヘッド用コイルの厚さＴ［μ
ｍ］は次の式（１３）、（１４）および（１５） ２［μｍ］≦Ｔｂ≦７０［μｍ］ …（１３） Ｔｃ≦１．５Ｈ …（１４） ５０［μｍ］≦Ｔ≦４５０［μｍ］ …（１５） を満足することを特徴とする。
【００１０】さらに前記コイルパターンの巻数の合計
Ｎ、前記コイルパターンの最内周の最小半径ｒ１［ｍ
ｍ］および最外周の最大半径ｒ２［ｍｍ］は次の式（１
６）、（１７）および（１８） １４≦Ｎ≦４０ …（１６） ｒ１≦０．２［ｍｍ］ …（１７） ｒ２≦１．１［ｍｍ］ …（１８） を満足することを特徴とする。
Ｎ、前記コイルパターンの最内周の最小半径ｒ１［ｍ
ｍ］および最外周の最大半径ｒ２［ｍｍ］は次の式（１
６）、（１７）および（１８） １４≦Ｎ≦４０ …（１６） ｒ１≦０．２［ｍｍ］ …（１７） ｒ２≦１．１［ｍｍ］ …（１８） を満足することを特徴とする。
【００１１】また本発明は、導電性材料の膜から成るス
パイラル状のコイルパターンおよび前記コイルパターン
に接続された２つの端子より構成された平板状の磁気ヘ
ッド用コイルにおいて、前記コイルの中央には光の透過
部が形成され、前記コイルパターンの断面形状は略矩形
であり、前記コイルパターンの最小のピッチＰ［μ
ｍ］、ピッチＰが最小である部分における前記断面形状
の幅Ｗ［μｍ］および高さＨ［μｍ］は次の式（２９）
および（３０） １５［μｍ］≦Ｐ≦５０［μｍ］ …（２９） １．８５−０．０１２Ｐ≦Ｈ／Ｗ≦７．５−０．０６Ｐ …（３０） をともに満足し、さらに少なくとも磁性材料から成るコ
アを取り付けない状態において、前記コイルの前記２つ
の端子間のインピーダンスＺ０が、等価的にインダクタ
ンスＬ０、インダクタンスＬ０に並列な高周波抵抗Ｒｐ
０およびインダクタンスＬ０に直列で周波数に依存しな
い直流抵抗Ｒｓで構成されるものと見なした場合に、１
０ＭＨｚにおけるインダクタンスＬ０［μＨ］が次の式
（２４） Ｌ０≦１．４［μＨ］ …（２４） を満足することを特徴とする。
パイラル状のコイルパターンおよび前記コイルパターン
に接続された２つの端子より構成された平板状の磁気ヘ
ッド用コイルにおいて、前記コイルの中央には光の透過
部が形成され、前記コイルパターンの断面形状は略矩形
であり、前記コイルパターンの最小のピッチＰ［μ
ｍ］、ピッチＰが最小である部分における前記断面形状
の幅Ｗ［μｍ］および高さＨ［μｍ］は次の式（２９）
および（３０） １５［μｍ］≦Ｐ≦５０［μｍ］ …（２９） １．８５−０．０１２Ｐ≦Ｈ／Ｗ≦７．５−０．０６Ｐ …（３０） をともに満足し、さらに少なくとも磁性材料から成るコ
アを取り付けない状態において、前記コイルの前記２つ
の端子間のインピーダンスＺ０が、等価的にインダクタ
ンスＬ０、インダクタンスＬ０に並列な高周波抵抗Ｒｐ
０およびインダクタンスＬ０に直列で周波数に依存しな
い直流抵抗Ｒｓで構成されるものと見なした場合に、１
０ＭＨｚにおけるインダクタンスＬ０［μＨ］が次の式
（２４） Ｌ０≦１．４［μＨ］ …（２４） を満足することを特徴とする。
【００１２】さらに１０ＭＨｚにおけるインダクタンス
Ｌ０［μＨ］、２０ＭＨｚにおける高周波抵抗Ｒｐ０
［Ω］、および直流抵抗Ｒｓ［Ω］が次の式（２５）お
よび（２７） Ｒｐ０≧Ｌ０×１２００［Ω］ …（２５） Ｒｓ≦６［Ω］ …（２７） を満足することを特徴とする。
Ｌ０［μＨ］、２０ＭＨｚにおける高周波抵抗Ｒｐ０
［Ω］、および直流抵抗Ｒｓ［Ω］が次の式（２５）お
よび（２７） Ｒｐ０≧Ｌ０×１２００［Ω］ …（２５） Ｒｓ≦６［Ω］ …（２７） を満足することを特徴とする。
【００１３】さらに１０ＭＨｚにおけるインダクタンス
Ｌ０［μＨ］、および２０ＭＨｚにおける高周波抵抗Ｒ
ｐ０［Ω］が次の式（２６） Ｒｐ０≧Ｌ０×１５００ …（２６） を満足することを特徴とする。
Ｌ０［μＨ］、および２０ＭＨｚにおける高周波抵抗Ｒ
ｐ０［Ω］が次の式（２６） Ｒｐ０≧Ｌ０×１５００ …（２６） を満足することを特徴とする。
【００１４】さらに少なくとも前記コイルパターンの内
の１層は前記磁気ヘッド用コイルの光磁気記録媒体と対
向する下面側に設けられ、前記各コイルパターンの間隔
Ｔｂ［μｍ］、前記下面側に設けられた前記コイルパタ
ーンの端面と前記磁気ヘッド用コイルの下面の間隔Ｔｃ
［μｍ］、および前記磁気ヘッド用コイルの厚さＴ［μ
ｍ］は次の式（３２）、（３３）および（３４） ２［μｍ］≦Ｔｂ≦７０［μｍ］ …（３２） Ｔｃ≦１．５Ｈ …（３３） ３０［μｍ］≦Ｔ≦３００［μｍ］ …（３４） を満足することを特徴とする。
の１層は前記磁気ヘッド用コイルの光磁気記録媒体と対
向する下面側に設けられ、前記各コイルパターンの間隔
Ｔｂ［μｍ］、前記下面側に設けられた前記コイルパタ
ーンの端面と前記磁気ヘッド用コイルの下面の間隔Ｔｃ
［μｍ］、および前記磁気ヘッド用コイルの厚さＴ［μ
ｍ］は次の式（３２）、（３３）および（３４） ２［μｍ］≦Ｔｂ≦７０［μｍ］ …（３２） Ｔｃ≦１．５Ｈ …（３３） ３０［μｍ］≦Ｔ≦３００［μｍ］ …（３４） を満足することを特徴とする。
【００１５】さらに前記コイルパターンの巻数の合計
Ｎ、前記コイルパターンの最内周の最小半径ｒ１［ｍ
ｍ］および最外周の最大半径ｒ２［ｍｍ］は次の式（３
５）、（３６）および（３７） ２０≦Ｎ≦７０ …（３５） ｒ１≦０．１３［ｍｍ］ …（３６） ｒ２≦１．０［ｍｍ］ …（３７） を満足することを特徴とする。
Ｎ、前記コイルパターンの最内周の最小半径ｒ１［ｍ
ｍ］および最外周の最大半径ｒ２［ｍｍ］は次の式（３
５）、（３６）および（３７） ２０≦Ｎ≦７０ …（３５） ｒ１≦０．１３［ｍｍ］ …（３６） ｒ２≦１．０［ｍｍ］ …（３７） を満足することを特徴とする。
【００１６】さらに少なくとも磁性材料から成るコアを
取り付けない状態において、前記コイルのインピーダン
スの大きさ｜Ｚ０｜が極大となる自己共振周波数ｆｒ０
［ＭＨｚ］、および１０ＭＨｚにおけるインダクタンス
Ｌ０［μＨ］が次の式（９）
取り付けない状態において、前記コイルのインピーダン
スの大きさ｜Ｚ０｜が極大となる自己共振周波数ｆｒ０
［ＭＨｚ］、および１０ＭＨｚにおけるインダクタンス
Ｌ０［μＨ］が次の式（９）
【００１７】
【数３】 を満足することを特徴とする。
【００１８】さらに前記コイルパターンは２層以上４層
以下に形成されたことを特徴とする。
以下に形成されたことを特徴とする。
【００１９】さらに前記コイルパターンにおける前記ピ
ッチＰ［μｍ］および前記幅Ｗ［μｍ］は次の式（１
２） ０．５５≦Ｗ／Ｐ≦０．８ …（１２） を満足することを特徴とする。
ッチＰ［μｍ］および前記幅Ｗ［μｍ］は次の式（１
２） ０．５５≦Ｗ／Ｐ≦０．８ …（１２） を満足することを特徴とする。
【００２０】また本発明は、磁性材料から成るコアおよ
び平板状のコイルを備えた光磁気記録用磁気ヘッドにお
いて、前記コイルは導電性材料の膜から成るスパイラル
状のコイルパターンおよび前記コイルパターンに接続さ
れた２つの端子より構成され、前記コイルパターンの断
面形状は略矩形であり、前記コイルパターンの最小のピ
ッチＰ［μｍ］、ピッチＰが最小である部分における前
記断面形状の幅Ｗ［μｍ］および高さＨ［μｍ］は次の
式（１０）および（１１） １５［μｍ］≦Ｐ≦７０［μｍ］ …（１０） １．８５−０．０１２Ｐ≦Ｈ／Ｗ≦７．５−０．０６Ｐ …（１１） をともに満足し、さらに前記コイルの前記２つの端子間
のインピーダンスＺ１が、等価的にインダクタンスＬ
１、インダクタンスＬ１に並列な高周波抵抗Ｒｐ１およ
びインダクタンスＬ１に直列で周波数に依存しない直流
抵抗Ｒｓで構成されるものと見なした場合に、１０ＭＨ
ｚにおけるインダクタンスＬ１［μＨ］が次の式（１） Ｌ１≦１．４［μＨ］ …（１） を満足することを特徴とする。
び平板状のコイルを備えた光磁気記録用磁気ヘッドにお
いて、前記コイルは導電性材料の膜から成るスパイラル
状のコイルパターンおよび前記コイルパターンに接続さ
れた２つの端子より構成され、前記コイルパターンの断
面形状は略矩形であり、前記コイルパターンの最小のピ
ッチＰ［μｍ］、ピッチＰが最小である部分における前
記断面形状の幅Ｗ［μｍ］および高さＨ［μｍ］は次の
式（１０）および（１１） １５［μｍ］≦Ｐ≦７０［μｍ］ …（１０） １．８５−０．０１２Ｐ≦Ｈ／Ｗ≦７．５−０．０６Ｐ …（１１） をともに満足し、さらに前記コイルの前記２つの端子間
のインピーダンスＺ１が、等価的にインダクタンスＬ
１、インダクタンスＬ１に並列な高周波抵抗Ｒｐ１およ
びインダクタンスＬ１に直列で周波数に依存しない直流
抵抗Ｒｓで構成されるものと見なした場合に、１０ＭＨ
ｚにおけるインダクタンスＬ１［μＨ］が次の式（１） Ｌ１≦１．４［μＨ］ …（１） を満足することを特徴とする。
【００２１】さらに１０ＭＨｚにおけるインダクタンス
Ｌ１［μＨ］、２０ＭＨｚにおける高周波抵抗Ｒｐ１
［Ω］、および直流抵抗Ｒｓ［Ω］が次の式（２）およ
び（８） Ｒｐ１≧Ｌ１×１５００ …（２） Ｒｓ≦２［Ω］ …（８） を満足することを特徴とする。
Ｌ１［μＨ］、２０ＭＨｚにおける高周波抵抗Ｒｐ１
［Ω］、および直流抵抗Ｒｓ［Ω］が次の式（２）およ
び（８） Ｒｐ１≧Ｌ１×１５００ …（２） Ｒｓ≦２［Ω］ …（８） を満足することを特徴とする。
【００２２】さらに１０ＭＨｚにおけるインダクタンス
Ｌ１［μＨ］、および２０ＭＨｚにおける高周波抵抗Ｒ
ｐ１［Ω］が次の式（３） Ｒｐ１≧Ｌ１×２０００ …（３） を満足することを特徴とする。
Ｌ１［μＨ］、および２０ＭＨｚにおける高周波抵抗Ｒ
ｐ１［Ω］が次の式（３） Ｒｐ１≧Ｌ１×２０００ …（３） を満足することを特徴とする。
【００２３】さらに少なくとも前記コイルパターンの内
の１層は前記コイルの光磁気記録媒体と対向する下面側
に設けられ、前記各コイルパターンの間隔Ｔｂ［μ
ｍ］、前記下面側に設けられた前記コイルパターンの端
面と前記コイルの下面の間隔Ｔｃ［μｍ］、および前記
コイルの厚さＴ［μｍ］は次の式（１３）、（１４）お
よび（１５） ２［μｍ］≦Ｔｂ≦７０［μｍ］ …（１３） Ｔｃ≦１．５Ｈ …（１４） ５０［μｍ］≦Ｔ≦４５０［μｍ］ …（１５） を満足することを特徴とする。
の１層は前記コイルの光磁気記録媒体と対向する下面側
に設けられ、前記各コイルパターンの間隔Ｔｂ［μ
ｍ］、前記下面側に設けられた前記コイルパターンの端
面と前記コイルの下面の間隔Ｔｃ［μｍ］、および前記
コイルの厚さＴ［μｍ］は次の式（１３）、（１４）お
よび（１５） ２［μｍ］≦Ｔｂ≦７０［μｍ］ …（１３） Ｔｃ≦１．５Ｈ …（１４） ５０［μｍ］≦Ｔ≦４５０［μｍ］ …（１５） を満足することを特徴とする。
【００２４】さらに前記コイルパターンの巻数の合計
Ｎ、前記コイルパターンの最内周の最小半径ｒ１［ｍ
ｍ］および最外周の最大半径ｒ２［ｍｍ］は次の式（１
６）、（１７）および（１８） １４≦Ｎ≦４０ …（１６） ｒ１≦０．２［ｍｍ］ …（１７） ｒ２≦１．１［ｍｍ］ …（１８） を満足することを特徴とする。
Ｎ、前記コイルパターンの最内周の最小半径ｒ１［ｍ
ｍ］および最外周の最大半径ｒ２［ｍｍ］は次の式（１
６）、（１７）および（１８） １４≦Ｎ≦４０ …（１６） ｒ１≦０．２［ｍｍ］ …（１７） ｒ２≦１．１［ｍｍ］ …（１８） を満足することを特徴とする。
【００２５】前記光磁気記録用磁気ヘッドには光磁気記
録媒体上を摺動するための摺動面または浮上走行するた
めの浮上面が形成され、前記コイルの光磁気記録媒体と
対向する下面と前記摺動面または浮上面の最下点との間
隔ｄ［μｍ］は次の式（１９） ｄ≦２００［μｍ］ …（１９） を満足することを特徴とする。
録媒体上を摺動するための摺動面または浮上走行するた
めの浮上面が形成され、前記コイルの光磁気記録媒体と
対向する下面と前記摺動面または浮上面の最下点との間
隔ｄ［μｍ］は次の式（１９） ｄ≦２００［μｍ］ …（１９） を満足することを特徴とする。
【００２６】また本発明は、平板状のコイルを備えた光
磁気記録用磁気ヘッドにおいて、前記コイルは導電性材
料の膜から成るスパイラル状のコイルパターンおよび前
記コイルパターンに接続された２つの端子より構成さ
れ、前記コイルの中央には光の透過部が形成され、前記
コイルパターンの断面形状は略矩形であり、前記コイル
パターンの最小のピッチＰ［μｍ］、ピッチＰが最小で
ある部分における前記断面形状の幅Ｗ［μｍ］および高
さＨ［μｍ］は次の式（２９）および（３０） １５［μｍ］≦Ｐ≦５０［μｍ］ …（２９） １．８５−０．０１２Ｐ≦Ｈ／Ｗ≦７．５−０．０６Ｐ …（３０） をともに満足し、さらに前記コイルの前記２つの端子間
のインピーダンスＺ１が、等価的にインダクタンスＬ
１、インダクタンスＬ１に並列な高周波抵抗Ｒｐ１およ
びインダクタンスＬ１に直列で周波数に依存しない直流
抵抗Ｒｓで構成されるものと見なした場合に、１０ＭＨ
ｚにおけるインダクタンスＬ１［μＨ］が次の式（２
０） Ｌ１≦１．４［μＨ］ …（２０） を満足することを特徴とする。
磁気記録用磁気ヘッドにおいて、前記コイルは導電性材
料の膜から成るスパイラル状のコイルパターンおよび前
記コイルパターンに接続された２つの端子より構成さ
れ、前記コイルの中央には光の透過部が形成され、前記
コイルパターンの断面形状は略矩形であり、前記コイル
パターンの最小のピッチＰ［μｍ］、ピッチＰが最小で
ある部分における前記断面形状の幅Ｗ［μｍ］および高
さＨ［μｍ］は次の式（２９）および（３０） １５［μｍ］≦Ｐ≦５０［μｍ］ …（２９） １．８５−０．０１２Ｐ≦Ｈ／Ｗ≦７．５−０．０６Ｐ …（３０） をともに満足し、さらに前記コイルの前記２つの端子間
のインピーダンスＺ１が、等価的にインダクタンスＬ
１、インダクタンスＬ１に並列な高周波抵抗Ｒｐ１およ
びインダクタンスＬ１に直列で周波数に依存しない直流
抵抗Ｒｓで構成されるものと見なした場合に、１０ＭＨ
ｚにおけるインダクタンスＬ１［μＨ］が次の式（２
０） Ｌ１≦１．４［μＨ］ …（２０） を満足することを特徴とする。
【００２７】さらに１０ＭＨｚにおけるインダクタンス
Ｌ１［μＨ］、２０ＭＨｚにおける高周波抵抗Ｒｐ１
［Ω］、および直流抵抗Ｒｓ［Ω］が次の式（２１）お
よび（２７） Ｒｐ１≧Ｌ１×１２００ …（２１） Ｒｓ≦６［Ω］ …（２７） を満足することを特徴とする。
Ｌ１［μＨ］、２０ＭＨｚにおける高周波抵抗Ｒｐ１
［Ω］、および直流抵抗Ｒｓ［Ω］が次の式（２１）お
よび（２７） Ｒｐ１≧Ｌ１×１２００ …（２１） Ｒｓ≦６［Ω］ …（２７） を満足することを特徴とする。
【００２８】さらに１０ＭＨｚにおけるインダクタンス
Ｌ１［μＨ］、および２０ＭＨｚにおける高周波抵抗Ｒ
ｐ１［Ω］が次の式（２２） Ｒｐ１≧Ｌ１×１５００ …（２２） を満足することを特徴とする。
Ｌ１［μＨ］、および２０ＭＨｚにおける高周波抵抗Ｒ
ｐ１［Ω］が次の式（２２） Ｒｐ１≧Ｌ１×１５００ …（２２） を満足することを特徴とする。
【００２９】さらに少なくとも前記コイルパターンの内
の１層は前記コイルの光磁気記録媒体と対向する下面側
に設けられ、前記各コイルパターンの間隔Ｔｂ［μ
ｍ］、前記下面側に設けられた前記コイルパターンの端
面と前記コイルの下面の間隔Ｔｃ［μｍ］、および前記
コイルの厚さＴ［μｍ］は次の式（３２）、（３３）お
よび（３４） ２［μｍ］≦Ｔｂ≦７０［μｍ］ …（３２） Ｔｃ≦１．５Ｈ …（３３） ３０［μｍ］≦Ｔ≦３００［μｍ］ …（３４） を満足することを特徴とする。
の１層は前記コイルの光磁気記録媒体と対向する下面側
に設けられ、前記各コイルパターンの間隔Ｔｂ［μ
ｍ］、前記下面側に設けられた前記コイルパターンの端
面と前記コイルの下面の間隔Ｔｃ［μｍ］、および前記
コイルの厚さＴ［μｍ］は次の式（３２）、（３３）お
よび（３４） ２［μｍ］≦Ｔｂ≦７０［μｍ］ …（３２） Ｔｃ≦１．５Ｈ …（３３） ３０［μｍ］≦Ｔ≦３００［μｍ］ …（３４） を満足することを特徴とする。
【００３０】さらに前記コイルパターンの巻数の合計
Ｎ、前記コイルパターンの最内周の最小半径ｒ１［ｍ
ｍ］および最外周の最大半径ｒ２［ｍｍ］は次の式（３
５）、（３６）および（３７） ２０≦Ｎ≦７０ …（３５） ｒ１≦０．１３［ｍｍ］ …（３６） ｒ２≦１．０［ｍｍ］ …（３７） を満足することを特徴とする。
Ｎ、前記コイルパターンの最内周の最小半径ｒ１［ｍ
ｍ］および最外周の最大半径ｒ２［ｍｍ］は次の式（３
５）、（３６）および（３７） ２０≦Ｎ≦７０ …（３５） ｒ１≦０．１３［ｍｍ］ …（３６） ｒ２≦１．０［ｍｍ］ …（３７） を満足することを特徴とする。
【００３１】さらに前記光磁気記録用磁気ヘッドには光
磁気記録媒体上を摺動するための摺動面または浮上走行
するための浮上面が形成され、前記コイルの光磁気記録
媒体と対向する下面と前記摺動面または浮上面の最下点
との間隔ｄ［μｍ］は次の式（３８） ｄ≦１００［μｍ］ …（３８） を満足することを特徴とする。
磁気記録媒体上を摺動するための摺動面または浮上走行
するための浮上面が形成され、前記コイルの光磁気記録
媒体と対向する下面と前記摺動面または浮上面の最下点
との間隔ｄ［μｍ］は次の式（３８） ｄ≦１００［μｍ］ …（３８） を満足することを特徴とする。
【００３２】さらに前記コイルのインピーダンスの大き
さ｜Ｚ１｜が極大となる自己共振周波数ｆｒ１［ＭＨ
ｚ］、および１０ＭＨｚにおけるインダクタンスＬ１
［μＨ］が次の式（４）
さ｜Ｚ１｜が極大となる自己共振周波数ｆｒ１［ＭＨ
ｚ］、および１０ＭＨｚにおけるインダクタンスＬ１
［μＨ］が次の式（４）
【００３３】
【数４】 を満足することを特徴とする。
【００３４】さらに前記コイルパターンは２層以上４層
以下に形成されたことを特徴とする。
以下に形成されたことを特徴とする。
【００３５】さらに前記コイルパターンにおける前記ピ
ッチＰ［μｍ］および前記幅Ｗ［μｍ］は次の式（１
２） ０．５５≦Ｗ／Ｐ≦０．８ …（１２） を満足することを特徴とする。
ッチＰ［μｍ］および前記幅Ｗ［μｍ］は次の式（１
２） ０．５５≦Ｗ／Ｐ≦０．８ …（１２） を満足することを特徴とする。
【００３６】さらに本発明による光磁気記録用磁気ヘッ
ドはレンズを備えたことを特徴とする。
ドはレンズを備えたことを特徴とする。
【００３７】また本発明は、光磁気記録媒体に光を照射
する光ヘッド、および前記光磁気記録媒体に情報信号で
変調された磁界を印加する磁気ヘッドとを備えた光磁気
記録装置において、前記磁気ヘッドは上記の特徴のいず
れかを備えた光磁気記録用磁気ヘッドであることを特徴
とする。
する光ヘッド、および前記光磁気記録媒体に情報信号で
変調された磁界を印加する磁気ヘッドとを備えた光磁気
記録装置において、前記磁気ヘッドは上記の特徴のいず
れかを備えた光磁気記録用磁気ヘッドであることを特徴
とする。
【００３８】従って本発明による磁気ヘッド用コイル、
光磁気記録用磁気ヘッドおよび光磁気記録装置を使用す
れば従来の装置における前述の問題点を良好に解決する
ことができるのである。
光磁気記録用磁気ヘッドおよび光磁気記録装置を使用す
れば従来の装置における前述の問題点を良好に解決する
ことができるのである。
【００３９】
【実施例】以下本発明による磁気ヘッド用コイル、光磁
気記録用磁気ヘッドおよび光磁気記録装置について具体
的な実施例を挙げて説明する。 ［第１の実施例］図１に本発明の第１の実施例である磁
気ヘッド１の構成を側断面図により示す。また図３に本
発明の第１の実施例である光磁気記録装置の概略構成を
示す。
気記録用磁気ヘッドおよび光磁気記録装置について具体
的な実施例を挙げて説明する。 ［第１の実施例］図１に本発明の第１の実施例である磁
気ヘッド１の構成を側断面図により示す。また図３に本
発明の第１の実施例である光磁気記録装置の概略構成を
示す。
【００４０】図１に示すように、磁気ヘッド１はコア２
０、コイル２１およびそれらを搭載するスライダー２２
から構成される。１１は情報信号が記録される光磁気記
録媒体である光磁気ディスクである。スライダー２２は
潤滑性および耐摩耗性に優れた樹脂材料やセラミックか
ら成り、その光磁気ディスク１１と対向する下面は、光
磁気ディスク１１上を摺動するための摺動面Ａｓまたは
光磁気ディスク１１上を浮上走行するための浮上面Ａｆ
とされる。図１には磁気ヘッド１が光磁気ディスク１１
上を摺動する状態を示す。コア２０はフェライト等の軟
磁性材料から成り四角板状でその中央には、突出した四
角柱状の磁極ｐ１が光磁気ディスク１１の表面に略垂直
に対向するように形成される。磁極ｐ１の端面は各辺が
５０〜２００μｍ程度の四角形である。またコイル２１
は平板状であり、その中央部には孔ｈ１が形成される。
コイル２１は光磁気ディスク１１の表面に対して略平行
となるようにコア２０の下面に取り付けられ、孔ｈ１の
内部にはコア２０の磁極ｐ１がコイル２１の下面より５
０μｍ程度突出するようにして配設される。
０、コイル２１およびそれらを搭載するスライダー２２
から構成される。１１は情報信号が記録される光磁気記
録媒体である光磁気ディスクである。スライダー２２は
潤滑性および耐摩耗性に優れた樹脂材料やセラミックか
ら成り、その光磁気ディスク１１と対向する下面は、光
磁気ディスク１１上を摺動するための摺動面Ａｓまたは
光磁気ディスク１１上を浮上走行するための浮上面Ａｆ
とされる。図１には磁気ヘッド１が光磁気ディスク１１
上を摺動する状態を示す。コア２０はフェライト等の軟
磁性材料から成り四角板状でその中央には、突出した四
角柱状の磁極ｐ１が光磁気ディスク１１の表面に略垂直
に対向するように形成される。磁極ｐ１の端面は各辺が
５０〜２００μｍ程度の四角形である。またコイル２１
は平板状であり、その中央部には孔ｈ１が形成される。
コイル２１は光磁気ディスク１１の表面に対して略平行
となるようにコア２０の下面に取り付けられ、孔ｈ１の
内部にはコア２０の磁極ｐ１がコイル２１の下面より５
０μｍ程度突出するようにして配設される。
【００４１】図３において、１１は情報信号が記録され
る光磁気記録媒体としての光磁気ディスクであり、透明
な材料から成る基板１２、および基板１２上に形成さ
れ、磁性材料から成る磁気記録層１３により構成され
る。光磁気ディスク１１はスピンドルモータ３によって
回転駆動される。光磁気ディスク１１の上面側には図１
に示した磁気ヘッド１が、また下面側には磁気ヘッド１
と対向して光ヘッド２が配置される。
る光磁気記録媒体としての光磁気ディスクであり、透明
な材料から成る基板１２、および基板１２上に形成さ
れ、磁性材料から成る磁気記録層１３により構成され
る。光磁気ディスク１１はスピンドルモータ３によって
回転駆動される。光磁気ディスク１１の上面側には図１
に示した磁気ヘッド１が、また下面側には磁気ヘッド１
と対向して光ヘッド２が配置される。
【００４２】磁気ヘッド１は弾性を有する支持部材４の
先端に摺動面Ａｓまたは浮上面Ａｆが光磁気ディスク１
１の上面に対向するように保持される。支持部材４の基
端は連結部材５に取り付けられる。また光ヘッド２は光
磁気ディスク１１の下面に対向するように連結部材５に
取り付けられる。磁気ヘッド１と光ヘッド２は図示しな
い移送手段によって一体的に光磁気ディスク１１の径方
向の任意の位置に移送される。
先端に摺動面Ａｓまたは浮上面Ａｆが光磁気ディスク１
１の上面に対向するように保持される。支持部材４の基
端は連結部材５に取り付けられる。また光ヘッド２は光
磁気ディスク１１の下面に対向するように連結部材５に
取り付けられる。磁気ヘッド１と光ヘッド２は図示しな
い移送手段によって一体的に光磁気ディスク１１の径方
向の任意の位置に移送される。
【００４３】磁気ヘッド１のコイル２１には磁気ヘッド
駆動回路６が、磁気ヘッド駆動回路６には記録信号生成
回路７が接続される。
駆動回路６が、磁気ヘッド駆動回路６には記録信号生成
回路７が接続される。
【００４４】光ヘッド２はレーザ光源、光センサ、光学
系等より構成される。レーザ光源にはレーザ駆動回路８
が、また光センサには増幅回路９が接続される。
系等より構成される。レーザ光源にはレーザ駆動回路８
が、また光センサには増幅回路９が接続される。
【００４５】光磁気ディスク１１に情報信号を記録する
場合には、スピンドルモータ３により光磁気ディスク１
１を回転させる。これにより磁気ヘッド１は光磁気ディ
スク１１上を摺動または浮上走行する。記録信号生成回
路７は入力端子Ｔ１から入力された情報信号に符号化等
の処理を行って記録信号を生成し磁気ヘッド駆動回路６
に送出する。磁気ヘッド駆動回路６は記録信号によって
変調された電流を磁気ヘッド１のコイル２１に供給す
る。コイルに供給される電流の振幅は±７０ｍＡから±
１６０ｍＡの間で、最高変調周波数は８ＭＨｚ以上であ
る。
場合には、スピンドルモータ３により光磁気ディスク１
１を回転させる。これにより磁気ヘッド１は光磁気ディ
スク１１上を摺動または浮上走行する。記録信号生成回
路７は入力端子Ｔ１から入力された情報信号に符号化等
の処理を行って記録信号を生成し磁気ヘッド駆動回路６
に送出する。磁気ヘッド駆動回路６は記録信号によって
変調された電流を磁気ヘッド１のコイル２１に供給す
る。コイルに供給される電流の振幅は±７０ｍＡから±
１６０ｍＡの間で、最高変調周波数は８ＭＨｚ以上であ
る。
【００４６】これにより磁気ヘッド１の磁極ｐ１の先端
からは情報信号で変調された磁界が発生し、光磁気ディ
スク１１の磁気記録層１３に垂直方向に印加される。同
時にレーザ駆動回路８からの電流供給によって光ヘッド
２のレーザ光源がレーザ光を発生する。レーザ光は光学
系によって磁気記録層１３の磁界の印加領域に微小な光
スポットに収束して照射される。その結果磁気記録層１
３には、印加される磁界の方向の変化に対応して磁化の
方向が変化する磁化領域が形成され、これにより情報信
号が記録される。
からは情報信号で変調された磁界が発生し、光磁気ディ
スク１１の磁気記録層１３に垂直方向に印加される。同
時にレーザ駆動回路８からの電流供給によって光ヘッド
２のレーザ光源がレーザ光を発生する。レーザ光は光学
系によって磁気記録層１３の磁界の印加領域に微小な光
スポットに収束して照射される。その結果磁気記録層１
３には、印加される磁界の方向の変化に対応して磁化の
方向が変化する磁化領域が形成され、これにより情報信
号が記録される。
【００４７】またこのようにして記録された情報信号を
再生する場合には、光磁気ディスク１１を回転させなが
ら、光ヘッド２により、記録時よりも低パワーのレーザ
光が磁気記録層１３に照射される。レーザ光の磁気記録
層１３からの反射光の偏光面は、磁気記録層１３に形成
された磁化領域の磁化の方向に対応して回転する。これ
を光ヘッド２の光センサによって検出し、その検出信号
を増幅回路９によって増幅する。さらに情報信号再生回
路１０によって増幅された検出信号より情報信号を再生
し、出力端子Ｔ２より出力する。
再生する場合には、光磁気ディスク１１を回転させなが
ら、光ヘッド２により、記録時よりも低パワーのレーザ
光が磁気記録層１３に照射される。レーザ光の磁気記録
層１３からの反射光の偏光面は、磁気記録層１３に形成
された磁化領域の磁化の方向に対応して回転する。これ
を光ヘッド２の光センサによって検出し、その検出信号
を増幅回路９によって増幅する。さらに情報信号再生回
路１０によって増幅された検出信号より情報信号を再生
し、出力端子Ｔ２より出力する。
【００４８】次に図２にコイル２１の構成を示す。
（ａ）は上面方向から見た図、（ｂ）は側断面図、
（ｃ）は下面方向から見た図である。
（ａ）は上面方向から見た図、（ｂ）は側断面図、
（ｃ）は下面方向から見た図である。
【００４９】コイル２１は非導電性材料、例えば樹脂材
料から成る薄板である基材３０、基材３０のコア２０と
対向する側（上面側）に形成され、銅等の導電性材料の
膜から成るコイルパターン３１ａ、感光性樹脂材料等の
非導電性材料の膜から成る絶縁部材３２ａ、コイルパタ
ーン３１ａを覆う保護コート３３ａ、基材３０の光磁気
ディスク１１と対向する側（下面側）に形成され、銅等
の導電性材料の膜から成るコイルパターン３１ｂ、感光
性樹脂材料等の非導電性材料の膜から成る絶縁部材３２
ｂ、コイルパターン３１ｂを覆う保護コート３３ｂから
構成される。
料から成る薄板である基材３０、基材３０のコア２０と
対向する側（上面側）に形成され、銅等の導電性材料の
膜から成るコイルパターン３１ａ、感光性樹脂材料等の
非導電性材料の膜から成る絶縁部材３２ａ、コイルパタ
ーン３１ａを覆う保護コート３３ａ、基材３０の光磁気
ディスク１１と対向する側（下面側）に形成され、銅等
の導電性材料の膜から成るコイルパターン３１ｂ、感光
性樹脂材料等の非導電性材料の膜から成る絶縁部材３２
ｂ、コイルパターン３１ｂを覆う保護コート３３ｂから
構成される。
【００５０】コイル２１の中央には磁極配設部である孔
ｈ１が形成され、コイルパターン３１ａと３１ｂは、孔
ｈ１の周囲にスパイラル状に形成される。
ｈ１が形成され、コイルパターン３１ａと３１ｂは、孔
ｈ１の周囲にスパイラル状に形成される。
【００５１】またコイルパターン３１ａの内周部とコイ
ルパターン３１ｂの内周部とは、孔ｈ１の近傍に形成さ
れたスルーホール等の接続部３４ａを介して接続され
る。またコイルパターン３１ａと３１ｂとをリード線等
の電流中継部材を介して磁気ヘッド駆動回路６に接続し
て電流を供給するために、コイル２１の上面側には第１
の端子３５ａと第２の端子３５ｂとが形成され、コイル
パターン３１ａの外周部は第１の端子３５ａに、コイル
パターン３１ｂの外周部は接続部３４ｂを介して第２の
端子３５ｂに接続される。これによって第１の端子３５
ａと第２の端子３５ｂとの間にはコイルパターン３１ａ
および３１ｂが直列に接続され、第１の端子３５ａと第
２の端子３５ｂよりコイルパターン３１ａおよび３１ｂ
へ電流を供給することにより磁極ｐ１の端面から磁界が
発生し、光磁気ディスク１１に垂直に印加される。
ルパターン３１ｂの内周部とは、孔ｈ１の近傍に形成さ
れたスルーホール等の接続部３４ａを介して接続され
る。またコイルパターン３１ａと３１ｂとをリード線等
の電流中継部材を介して磁気ヘッド駆動回路６に接続し
て電流を供給するために、コイル２１の上面側には第１
の端子３５ａと第２の端子３５ｂとが形成され、コイル
パターン３１ａの外周部は第１の端子３５ａに、コイル
パターン３１ｂの外周部は接続部３４ｂを介して第２の
端子３５ｂに接続される。これによって第１の端子３５
ａと第２の端子３５ｂとの間にはコイルパターン３１ａ
および３１ｂが直列に接続され、第１の端子３５ａと第
２の端子３５ｂよりコイルパターン３１ａおよび３１ｂ
へ電流を供給することにより磁極ｐ１の端面から磁界が
発生し、光磁気ディスク１１に垂直に印加される。
【００５２】ここで図１に示したような軟磁性材料から
成るコア２０を備えた磁気ヘッド１におけるコイル２１
の第１の端子３５ａ、第２の端子３５ｂ間のインピーダ
ンスＺ１は等価的に図６に示すようにインダクタンスＬ
１、インダクタンスＬ１に並列な高周波抵抗Ｒｐ１、イ
ンダクタンスＬ１に直列で周波数に依存しない直流抵抗
Ｒｓで構成された等価回路で表わすことができる。また
少なくともコア２０を取り付けないコイル２１（コイル
２１単独）の第１の端子３５ａ、第２の端子３５ｂ間の
インピーダンスＺ０も等価的に図６に示したようにイン
ダクタンスＬ０、インダクタンスＬ０に並列な高周波抵
抗Ｒｐ０、インダクタンスＬ０に直列で周波数に依存し
ない直流抵抗Ｒｓで構成された等価回路で表わすことが
できる。
成るコア２０を備えた磁気ヘッド１におけるコイル２１
の第１の端子３５ａ、第２の端子３５ｂ間のインピーダ
ンスＺ１は等価的に図６に示すようにインダクタンスＬ
１、インダクタンスＬ１に並列な高周波抵抗Ｒｐ１、イ
ンダクタンスＬ１に直列で周波数に依存しない直流抵抗
Ｒｓで構成された等価回路で表わすことができる。また
少なくともコア２０を取り付けないコイル２１（コイル
２１単独）の第１の端子３５ａ、第２の端子３５ｂ間の
インピーダンスＺ０も等価的に図６に示したようにイン
ダクタンスＬ０、インダクタンスＬ０に並列な高周波抵
抗Ｒｐ０、インダクタンスＬ０に直列で周波数に依存し
ない直流抵抗Ｒｓで構成された等価回路で表わすことが
できる。
【００５３】ここでインダクタンスＬ１はコイル２１へ
の供給電流の変調周波数と駆動電圧等に関係する。また
高周波抵抗Ｒｐ１は、コイル２１への供給電流の変調周
波数、および磁気ヘッド１における交流的な電力損失等
に関連する。また直流抵抗Ｒｓは、コイル２１に印加さ
れる駆動電圧、および磁気ヘッド１における直流的な電
力損失等に関連する。これらを考慮し、コイル２１の駆
動電圧を高めることなく変調周波数を高め、しかも磁気
ヘッド１における直流的、および交流的な電力損失を十
分に低減するには、コイル２１の電気特性をインダクタ
ンスＬ１、高周波抵抗Ｒｐ１および直流抵抗Ｒｓによっ
て評価し、それぞれが望ましい範囲内となるようにしな
ければならないのである。
の供給電流の変調周波数と駆動電圧等に関係する。また
高周波抵抗Ｒｐ１は、コイル２１への供給電流の変調周
波数、および磁気ヘッド１における交流的な電力損失等
に関連する。また直流抵抗Ｒｓは、コイル２１に印加さ
れる駆動電圧、および磁気ヘッド１における直流的な電
力損失等に関連する。これらを考慮し、コイル２１の駆
動電圧を高めることなく変調周波数を高め、しかも磁気
ヘッド１における直流的、および交流的な電力損失を十
分に低減するには、コイル２１の電気特性をインダクタ
ンスＬ１、高周波抵抗Ｒｐ１および直流抵抗Ｒｓによっ
て評価し、それぞれが望ましい範囲内となるようにしな
ければならないのである。
【００５４】またコア２０を取り付けた状態においては
コア２０が磁化することにより磁束を発生するので、コ
イル２１のインダクタンスＬ１は、コア２０を取り付け
ない状態（コイル２１単独）におけるインダクタンスＬ
０よりも大きい。またコイル２１単独の高周波抵抗Ｒｐ
０は主にコイルパターンにおける近接効果や表皮効果の
影響で生じるが、コア２０が取り付けられた状態におい
ては、高周波抵抗Ｒｐ１にはさらにコア２０における高
周波損失の影響も加わる。このようにコア２０を取り付
けた状態におけるコイル２１の電気特性は、コイル２１
自体のみではなくコア２０にも影響されるのである。従
って望ましいコイル２１の電気特性を得るには、まず磁
性材料からなるコア２０を取り付けない状態においてコ
イル２１の電気特性を評価し、さらにコア２０を取り付
けた状態においても評価を行うことが必要である。ただ
し直流抵抗Ｒｓはコア２０の取り付けの有無には関わら
ない。なお磁気ヘッドの交流的な電力損失はコイル２１
の高周波損失Ｒｐ１またはＲｐ０に逆比例するので、Ｒ
ｐ０およびＲｐ１の値は大きいほど望ましい。
コア２０が磁化することにより磁束を発生するので、コ
イル２１のインダクタンスＬ１は、コア２０を取り付け
ない状態（コイル２１単独）におけるインダクタンスＬ
０よりも大きい。またコイル２１単独の高周波抵抗Ｒｐ
０は主にコイルパターンにおける近接効果や表皮効果の
影響で生じるが、コア２０が取り付けられた状態におい
ては、高周波抵抗Ｒｐ１にはさらにコア２０における高
周波損失の影響も加わる。このようにコア２０を取り付
けた状態におけるコイル２１の電気特性は、コイル２１
自体のみではなくコア２０にも影響されるのである。従
って望ましいコイル２１の電気特性を得るには、まず磁
性材料からなるコア２０を取り付けない状態においてコ
イル２１の電気特性を評価し、さらにコア２０を取り付
けた状態においても評価を行うことが必要である。ただ
し直流抵抗Ｒｓはコア２０の取り付けの有無には関わら
ない。なお磁気ヘッドの交流的な電力損失はコイル２１
の高周波損失Ｒｐ１またはＲｐ０に逆比例するので、Ｒ
ｐ０およびＲｐ１の値は大きいほど望ましい。
【００５５】また特に変調周波数が高い場合には上記の
インダクタンスＬ０，Ｌ１、高周波抵抗Ｒｐ０，Ｒｐ
１、および直流抵抗Ｒｓの他に、第１の端子３５ａ、第
２の端子３５ｂ間の静電容量が問題となる。コア２０を
取り付けない状態、コア２０を取り付けた状態における
コイル２１のインダクタンスをそれぞれＬ０，Ｌ１、上
記の静電容量をＣとすると、コア２０を取り付けない状
態におけるコイル２１の自己共振周波数ｆｒ０は略
インダクタンスＬ０，Ｌ１、高周波抵抗Ｒｐ０，Ｒｐ
１、および直流抵抗Ｒｓの他に、第１の端子３５ａ、第
２の端子３５ｂ間の静電容量が問題となる。コア２０を
取り付けない状態、コア２０を取り付けた状態における
コイル２１のインダクタンスをそれぞれＬ０，Ｌ１、上
記の静電容量をＣとすると、コア２０を取り付けない状
態におけるコイル２１の自己共振周波数ｆｒ０は略
【００５６】
【数５】 、コア２０を取り付けた状態におけるコイル２１の自己
共振周波数ｆｒ１は略
共振周波数ｆｒ１は略
【００５７】
【数６】 である。この自己共振周波数ｆｒ０，ｆｒ１が低いと、
コイル２１への供給電流の変調周波数を高くするのが困
難となるので、少なくとも自己共振周波数ｆｒ０，ｆｒ
１はコイル２１への供給電流の最高変調周波数よりも十
分に高いことが望ましいのである。
コイル２１への供給電流の変調周波数を高くするのが困
難となるので、少なくとも自己共振周波数ｆｒ０，ｆｒ
１はコイル２１への供給電流の最高変調周波数よりも十
分に高いことが望ましいのである。
【００５８】次にコイル２１の望ましい電気特性につい
て具体的に説明する。情報信号の記録時にコイル２１へ
加えられるべき駆動電圧はコイル２１への供給電流の最
高変調周波数とインダクタンスＬ１に比例するので、駆
動電圧を高めることなく変調周波数を高くするにはイン
ダクタンスＬ１を低減する必要がある。例えば最高変調
周波数を８ＭＨｚ以上とするにはインダクタンスＬ１
［μＨ］は次の式（１） Ｌ１≦１．４［μＨ］ …（１） を満足するのが望ましい。
て具体的に説明する。情報信号の記録時にコイル２１へ
加えられるべき駆動電圧はコイル２１への供給電流の最
高変調周波数とインダクタンスＬ１に比例するので、駆
動電圧を高めることなく変調周波数を高くするにはイン
ダクタンスＬ１を低減する必要がある。例えば最高変調
周波数を８ＭＨｚ以上とするにはインダクタンスＬ１
［μＨ］は次の式（１） Ｌ１≦１．４［μＨ］ …（１） を満足するのが望ましい。
【００５９】また高周波抵抗Ｒｐ１が大きいほど交流的
な電力損失は小さい。しかも磁気ヘッドに供給される電
流にはその波形が矩形に近いほど最高変調周波数を越え
る周波数成分も含まれる。従って磁気ヘッドの消費電力
を低減するには、周波数２０ＭＨｚにおける高周波抵抗
Ｒｐ１［Ω］が次の式（２） Ｒｐ１≧Ｌ１×１５００ …（２） を満足するのが望ましい。
な電力損失は小さい。しかも磁気ヘッドに供給される電
流にはその波形が矩形に近いほど最高変調周波数を越え
る周波数成分も含まれる。従って磁気ヘッドの消費電力
を低減するには、周波数２０ＭＨｚにおける高周波抵抗
Ｒｐ１［Ω］が次の式（２） Ｒｐ１≧Ｌ１×１５００ …（２） を満足するのが望ましい。
【００６０】さらに次の式（３） Ｒｐ１≧Ｌ１×２０００ …（３） を満足すれば、より一層望ましい。
【００６１】またコイル２１の第１の端子３５ａ、第２
の端子３５ｂ間の静電容量Ｃを１．４［ｐＦ］以下とす
れば、インピーダンスの大きさ｜Ｚ１｜が極大となる周
波数ｆｒ１［ＭＨｚ］、および１０ＭＨｚにおけるイン
ダクタンスＬ１が次の式（４）
の端子３５ｂ間の静電容量Ｃを１．４［ｐＦ］以下とす
れば、インピーダンスの大きさ｜Ｚ１｜が極大となる周
波数ｆｒ１［ＭＨｚ］、および１０ＭＨｚにおけるイン
ダクタンスＬ１が次の式（４）
【００６２】
【数７】 を満足するので、コイル２１の自己共振周波数ｆｒ１を
最高変調周波数よりも十分に高くすることができる。
最高変調周波数よりも十分に高くすることができる。
【００６３】さらに本願発明者の検討によると、突出し
た磁極を有するコアを取り付けた状態において上記の式
（１）および（２）を満足するには、式（１）および
（２）のそれぞれに対応してコイル２１のコア２０を取
り付けない状態における電気特性（コイル２１単独の電
気特性）、即ちインダクタンスＬ０［μＨ］、および周
波数２０ＭＨｚにおける高周波抵抗Ｒｐ０［Ω］は次の
式（５）および（６） Ｌ０≦０．８５［μＨ］ …（５） Ｒｐ０≧Ｌ０×１５００ …（６） を満足するのが望ましい。
た磁極を有するコアを取り付けた状態において上記の式
（１）および（２）を満足するには、式（１）および
（２）のそれぞれに対応してコイル２１のコア２０を取
り付けない状態における電気特性（コイル２１単独の電
気特性）、即ちインダクタンスＬ０［μＨ］、および周
波数２０ＭＨｚにおける高周波抵抗Ｒｐ０［Ω］は次の
式（５）および（６） Ｌ０≦０．８５［μＨ］ …（５） Ｒｐ０≧Ｌ０×１５００ …（６） を満足するのが望ましい。
【００６４】さらに次の式（７） Ｒｐ０≧Ｌ０×２０００ …（７） を満足すれば、より一層望ましい。
【００６５】またコイル２１単独のインピーダンスの大
きさ｜Ｚ０｜が極大となる自己共振周波数ｆｒ０［ＭＨ
ｚ］、および１０ＭＨｚにおけるインダクタンスＬ０が
次の式（９）
きさ｜Ｚ０｜が極大となる自己共振周波数ｆｒ０［ＭＨ
ｚ］、および１０ＭＨｚにおけるインダクタンスＬ０が
次の式（９）
【００６６】
【数８】 を満足するのが望ましい。
【００６７】また直流抵抗Ｒｓが小さいほど磁気ヘッド
の直流的な電力損失は小さい。従って磁気ヘッドの消費
電力を低減するには直流抵抗Ｒｓ［Ω］は（コア２０の
取り付けの有無には関わらず）次の式（８） Ｒｓ≦２［Ω］ …（８） を満足するのが望ましい。
の直流的な電力損失は小さい。従って磁気ヘッドの消費
電力を低減するには直流抵抗Ｒｓ［Ω］は（コア２０の
取り付けの有無には関わらず）次の式（８） Ｒｓ≦２［Ω］ …（８） を満足するのが望ましい。
【００６８】なお上記のインダクタンスＬ０およびＬ１
は周波数１０ＭＨｚにおける値、高周波抵抗Ｒｐ０およ
びＲｐ１は周波数２０ＭＨｚにおける値である。またイ
ンダクタンスＬ０およびＬ１、直流抵抗Ｒｓ、高周波抵
抗Ｒｐ０およびＲｐ１、自己共振周波数ｆｒ０およびｆ
ｒ１は、第１の端子３５ａと第２の端子３５ｂとの間で
測定される値である。測定の際に電流供給のためのリー
ド線などの導電性部材がコイル２１の第１の端子３５ａ
および第２の端子３５ｂに接続されていると、これらが
測定値に影響を与えるため、コイル２１の第１の端子３
５ａおよび第２の端子３５ｂにこのような導電性部材は
取り付けない状態で測定を行わなければならない。
は周波数１０ＭＨｚにおける値、高周波抵抗Ｒｐ０およ
びＲｐ１は周波数２０ＭＨｚにおける値である。またイ
ンダクタンスＬ０およびＬ１、直流抵抗Ｒｓ、高周波抵
抗Ｒｐ０およびＲｐ１、自己共振周波数ｆｒ０およびｆ
ｒ１は、第１の端子３５ａと第２の端子３５ｂとの間で
測定される値である。測定の際に電流供給のためのリー
ド線などの導電性部材がコイル２１の第１の端子３５ａ
および第２の端子３５ｂに接続されていると、これらが
測定値に影響を与えるため、コイル２１の第１の端子３
５ａおよび第２の端子３５ｂにこのような導電性部材は
取り付けない状態で測定を行わなければならない。
【００６９】具体的にはインダクタンスＬ０およびＬ
１、直流抵抗Ｒｓ、高周波抵抗Ｒｐ０およびＲｐ１は以
下に説明する方法によって測定することができる。まず
抵抗計等を用いて第１の端子３５ａおよび第２の端子３
５ｂの間の直流抵抗Ｒｓを測定する。次にインピーダン
スアナライザ、例えばＨＥＷＬＥＴＴ ＰＡＣＫＡＲＤ
社製のＮＥＴＷＯＲＫ／ＳＰＥＣＴＲＵＭ ＡＮＡＬＹ
ＺＥＲ ４１９５Ａ等を用いて第１の端子３５ａおよび
第２の端子３５ｂ間のインピーダンスＺ０またはＺ１を
所定の周波数において測定する。次に得られたインピー
ダンスＺ０またはＺ１の測定値、および先に測定した直
流抵抗Ｒｓより１０ＭＨｚにおけるインダクタンスＬ０
またはＬ１、および２０ＭＨｚにおける高周波抵抗Ｒｐ
０またはＲｐ１を算出する。例えば周波数ｆにおけるイ
ンピーダンスＺ０の測定値がＲ０，Ｘ０（但しＺ０＝Ｒ
０＋ｊＸ０、即ちＲ０はＺ０の実数部、Ｘ０はＺ０の虚
数部）、ΔＲ０＝Ｒ０−Ｒｓとすると、Ｒｐ０およびＬ
０は次式（３９）および（４０）によって算出される。
１、直流抵抗Ｒｓ、高周波抵抗Ｒｐ０およびＲｐ１は以
下に説明する方法によって測定することができる。まず
抵抗計等を用いて第１の端子３５ａおよび第２の端子３
５ｂの間の直流抵抗Ｒｓを測定する。次にインピーダン
スアナライザ、例えばＨＥＷＬＥＴＴ ＰＡＣＫＡＲＤ
社製のＮＥＴＷＯＲＫ／ＳＰＥＣＴＲＵＭ ＡＮＡＬＹ
ＺＥＲ ４１９５Ａ等を用いて第１の端子３５ａおよび
第２の端子３５ｂ間のインピーダンスＺ０またはＺ１を
所定の周波数において測定する。次に得られたインピー
ダンスＺ０またはＺ１の測定値、および先に測定した直
流抵抗Ｒｓより１０ＭＨｚにおけるインダクタンスＬ０
またはＬ１、および２０ＭＨｚにおける高周波抵抗Ｒｐ
０またはＲｐ１を算出する。例えば周波数ｆにおけるイ
ンピーダンスＺ０の測定値がＲ０，Ｘ０（但しＺ０＝Ｒ
０＋ｊＸ０、即ちＲ０はＺ０の実数部、Ｘ０はＺ０の虚
数部）、ΔＲ０＝Ｒ０−Ｒｓとすると、Ｒｐ０およびＬ
０は次式（３９）および（４０）によって算出される。
【００７０】 Ｒｐ０＝（ΔＲ０2 ＋Ｘ０2 ）／ΔＲ０ …（３９） Ｌ０＝（ΔＲ０2 ＋Ｘ０2 ）／２πｆＸ０ …（４０） 同様に周波数ｆにおけるインピーダンスＺ１の測定値が
Ｒ１，Ｘ１（但しＺ１＝Ｒ１＋ｊＸ１、即ちＲ１はＺ１
の実数部、Ｘ１はＺ１の虚数部）、ΔＲ１＝Ｒ１−Ｒｓ
とすると、Ｒｐ０およびＬ０は次式（４１）および（４
２）によって算出される。
Ｒ１，Ｘ１（但しＺ１＝Ｒ１＋ｊＸ１、即ちＲ１はＺ１
の実数部、Ｘ１はＺ１の虚数部）、ΔＲ１＝Ｒ１−Ｒｓ
とすると、Ｒｐ０およびＬ０は次式（４１）および（４
２）によって算出される。
【００７１】 Ｒｐ１＝（ΔＲ１2 ＋Ｘ１2 ）／ΔＲ１ …（４１） Ｌ１＝（ΔＲ１2 ＋Ｘ１2 ）／２πｆＸ１ …（４２） また同様にインピーダンスアナライザを用いて周波数を
掃引（ｓｗｅｅｐ）してインピーダンスの大きさ｜Ｚ０
｜および｜Ｚ１｜が極大となる周波数を特定し、これを
自己共振周波数ｆｒ０およびｆｒ１とする。
掃引（ｓｗｅｅｐ）してインピーダンスの大きさ｜Ｚ０
｜および｜Ｚ１｜が極大となる周波数を特定し、これを
自己共振周波数ｆｒ０およびｆｒ１とする。
【００７２】次に上記のようなコイル２１の電気特性に
ついてさらに本願発明者が検討を行った結果、以下に説
明するような特徴を有するコイルパターンによって上記
の式（５）〜（９）を満足する望ましい電気特性を有す
るコイル２１が実現し得ることが確認できた。
ついてさらに本願発明者が検討を行った結果、以下に説
明するような特徴を有するコイルパターンによって上記
の式（５）〜（９）を満足する望ましい電気特性を有す
るコイル２１が実現し得ることが確認できた。
【００７３】まずコイル２１は平板状であり中心軸を同
一とするように形成し、直列に接続された２層以上４層
以下のスパイラル状のコイルパターン、即ち本実施例に
おいてはコイルパターン３１ａおよび３１ｂの２層から
成る。コイルパターンが１層または５層以上であるとイ
ンダクタンスＬ０を増大させることなく十分に磁界の発
生効率を高くするのが困難である。またコイルパターン
が５層以上であるとコイルの厚さが増大する結果コア２
０の磁極ｐ１が高くなり、コア２０における高周波損失
が増大する。またコイルパターンを３層または４層とす
るにはコイルパターンを積層形成すればよいが、その場
合には本実施例よりも製造工程が複雑となる。またコイ
ル２１の上面側と下面側に同数のコイルパターンを形成
すれば製造時や使用時の温度の変化に伴う伸縮はコイル
２１の両面で同等に発生するので、コイル２１の変形を
防止できる。従って本実施例のようにコイル２１の上面
側と下面側の両方に各１層のコイルパターンを設けるの
が最も望ましい。
一とするように形成し、直列に接続された２層以上４層
以下のスパイラル状のコイルパターン、即ち本実施例に
おいてはコイルパターン３１ａおよび３１ｂの２層から
成る。コイルパターンが１層または５層以上であるとイ
ンダクタンスＬ０を増大させることなく十分に磁界の発
生効率を高くするのが困難である。またコイルパターン
が５層以上であるとコイルの厚さが増大する結果コア２
０の磁極ｐ１が高くなり、コア２０における高周波損失
が増大する。またコイルパターンを３層または４層とす
るにはコイルパターンを積層形成すればよいが、その場
合には本実施例よりも製造工程が複雑となる。またコイ
ル２１の上面側と下面側に同数のコイルパターンを形成
すれば製造時や使用時の温度の変化に伴う伸縮はコイル
２１の両面で同等に発生するので、コイル２１の変形を
防止できる。従って本実施例のようにコイル２１の上面
側と下面側の両方に各１層のコイルパターンを設けるの
が最も望ましい。
【００７４】またコイルパターンの断面形状は略矩形で
あり、そのピッチ（もし位置によって異なる場合にはそ
の最小値）をＰ、ピッチＰが最小である部分における前
記断面形状の幅をＷ、高さをＨとする。またコイルパタ
ーンの最内周の最小半径（コイルパターン３１ａおよび
３１ｂの中心Ｘから最内周までの距離の最小値）をｒ
１、コイルパターンの最外周の最大半径（コイルパター
ン３１ａおよび３１ｂの中心Ｘから最外周までの距離の
最大値）をｒ２とする。またコイルパターンの巻数（コ
イルパターン３１ａと３１ｂの巻数の合計）をＮとす
る。
あり、そのピッチ（もし位置によって異なる場合にはそ
の最小値）をＰ、ピッチＰが最小である部分における前
記断面形状の幅をＷ、高さをＨとする。またコイルパタ
ーンの最内周の最小半径（コイルパターン３１ａおよび
３１ｂの中心Ｘから最内周までの距離の最小値）をｒ
１、コイルパターンの最外周の最大半径（コイルパター
ン３１ａおよび３１ｂの中心Ｘから最外周までの距離の
最大値）をｒ２とする。またコイルパターンの巻数（コ
イルパターン３１ａと３１ｂの巻数の合計）をＮとす
る。
【００７５】コイルパターンのピッチＰを小さくするほ
どコイル２１のインダクタンスＬ０は小さくすることが
できるので望ましい。ところがもしピッチＰを小さくす
るのにともなって幅Ｗおよび高さＨも小さくしたとする
と、コイルパターンの断面積が小さくなるのでコイルパ
ターンの直流抵抗Ｒｓは大きくなり、またコイルパター
ンの周囲の長さ（２Ｗ＋２Ｈ）が小さくなるので表皮効
果によって高周波抵抗Ｒｐ０が減少し望ましくない。し
かし逆に高さＨを過度に大きくするとコイルが厚くな
り、磁界の発生効率が低下する。また静電容量Ｃが増大
する結果自己共振周波数ｆｒ０が低下する。さらに製造
も困難となる。従ってコイルパターンのピッチＰに応じ
て、高さＨ（またはＨ／Ｗ）の範囲は以下のように適切
に選ぶ必要がある。具体的にはコイル２１の電気特性が
上記の式（５）〜（９）を満足するには、コイルパター
ンのピッチＰ［μｍ］、幅Ｗ［μｍ］、高さＨ［μｍ］
は次の式（１０）および（１１） １５［μｍ］≦Ｐ≦７０［μｍ］ …（１０） １．８５−０．０１２Ｐ≦Ｈ／Ｗ≦７．５−０．０６Ｐ …（１１） をともに満足するのが望ましい。
どコイル２１のインダクタンスＬ０は小さくすることが
できるので望ましい。ところがもしピッチＰを小さくす
るのにともなって幅Ｗおよび高さＨも小さくしたとする
と、コイルパターンの断面積が小さくなるのでコイルパ
ターンの直流抵抗Ｒｓは大きくなり、またコイルパター
ンの周囲の長さ（２Ｗ＋２Ｈ）が小さくなるので表皮効
果によって高周波抵抗Ｒｐ０が減少し望ましくない。し
かし逆に高さＨを過度に大きくするとコイルが厚くな
り、磁界の発生効率が低下する。また静電容量Ｃが増大
する結果自己共振周波数ｆｒ０が低下する。さらに製造
も困難となる。従ってコイルパターンのピッチＰに応じ
て、高さＨ（またはＨ／Ｗ）の範囲は以下のように適切
に選ぶ必要がある。具体的にはコイル２１の電気特性が
上記の式（５）〜（９）を満足するには、コイルパター
ンのピッチＰ［μｍ］、幅Ｗ［μｍ］、高さＨ［μｍ］
は次の式（１０）および（１１） １５［μｍ］≦Ｐ≦７０［μｍ］ …（１０） １．８５−０．０１２Ｐ≦Ｈ／Ｗ≦７．５−０．０６Ｐ …（１１） をともに満足するのが望ましい。
【００７６】さらにＷ／Ｐは大きい方がコイルの直流抵
抗Ｒｓを下げることができる。しかしＷ／Ｐを過度に大
きくすると隣接するコイルパターンとの間の近接効果に
よって高周波抵抗Ｒｐ０が低下し、また静電容量Ｃが増
大する結果、自己共振周波数ｆｒ０が低下する。したが
ってＷ／Ｐは次の式（１２） ０．５５≦Ｗ／Ｐ≦０．８ …（１２） を満足する適切な範囲とするのが望ましい。
抗Ｒｓを下げることができる。しかしＷ／Ｐを過度に大
きくすると隣接するコイルパターンとの間の近接効果に
よって高周波抵抗Ｒｐ０が低下し、また静電容量Ｃが増
大する結果、自己共振周波数ｆｒ０が低下する。したが
ってＷ／Ｐは次の式（１２） ０．５５≦Ｗ／Ｐ≦０．８ …（１２） を満足する適切な範囲とするのが望ましい。
【００７７】また磁界の発生効率を高めるにはコイルパ
ターン３１ａと３１ｂの間隔Ｔｂおよびコイル２１の光
磁気ディスク１１と対向する下面側に設けられるコイル
パターン３１ｂの端面とコイル２１の下面（保護コート
３３ｂの表面）の間隔Ｔｃ（保護コート３３ｂの厚さに
ほぼ等しい）を十分に小さくするとともにコイル２１の
全体の厚さＴを小さくし、コイルパターン３１ａおよび
３１ｂを光磁気ディスク１１に近接させる必要がある。
しかしながら間隔Ｔｂを過度に小さくするとコイルパタ
ーン３１ａとコイルパターン３１ｂの間の近接効果によ
って高周波抵抗Ｒｐ０が低下したり、静電容量Ｃが増大
するため自己共振周波数ｆｒ０が低下する。このため間
隔Ｔｂ［μｍ］、間隔Ｔｃ［μｍ］および厚さＴ［μ
ｍ］は次の式（１３）、（１４）および（１５） ２［μｍ］≦Ｔｂ≦７０［μｍ］ …（１３） Ｔｃ≦１．５Ｈ［μｍ］ …（１４） ５０［μｍ］≦Ｔ≦４５０［μｍ］ …（１５） を満足するのが望ましい。
ターン３１ａと３１ｂの間隔Ｔｂおよびコイル２１の光
磁気ディスク１１と対向する下面側に設けられるコイル
パターン３１ｂの端面とコイル２１の下面（保護コート
３３ｂの表面）の間隔Ｔｃ（保護コート３３ｂの厚さに
ほぼ等しい）を十分に小さくするとともにコイル２１の
全体の厚さＴを小さくし、コイルパターン３１ａおよび
３１ｂを光磁気ディスク１１に近接させる必要がある。
しかしながら間隔Ｔｂを過度に小さくするとコイルパタ
ーン３１ａとコイルパターン３１ｂの間の近接効果によ
って高周波抵抗Ｒｐ０が低下したり、静電容量Ｃが増大
するため自己共振周波数ｆｒ０が低下する。このため間
隔Ｔｂ［μｍ］、間隔Ｔｃ［μｍ］および厚さＴ［μ
ｍ］は次の式（１３）、（１４）および（１５） ２［μｍ］≦Ｔｂ≦７０［μｍ］ …（１３） Ｔｃ≦１．５Ｈ［μｍ］ …（１４） ５０［μｍ］≦Ｔ≦４５０［μｍ］ …（１５） を満足するのが望ましい。
【００７８】またコイルパターンの巻数Ｎは小さいほど
インダクタンスＬ０は小さくなって望ましいが、磁界の
発生効率が低下し、所望の強度の磁界を発生させるため
に必要な電流は増大する。従って巻数Ｎは次の式（１
６） １４≦Ｎ≦４０ …（１６） で示す適切な範囲内とする必要がある。
インダクタンスＬ０は小さくなって望ましいが、磁界の
発生効率が低下し、所望の強度の磁界を発生させるため
に必要な電流は増大する。従って巻数Ｎは次の式（１
６） １４≦Ｎ≦４０ …（１６） で示す適切な範囲内とする必要がある。
【００７９】またコイルパターンの最内周の最小半径ｒ
１は小さいほど磁界の発生効率を高めることができ、コ
イルパターンの最外周の最大半径ｒ２は小さいほどイン
ダクタンスＬ０を小さくすることができる。従って最内
周の最小半径ｒ１［ｍｍ］および最外周の最大半径ｒ２
［ｍｍ］は次の式（１７）および（１８） ｒ１≦０．２［ｍｍ］ …（１７） ｒ２≦１．１［ｍｍ］ …（１８） を満足するのが望ましい。
１は小さいほど磁界の発生効率を高めることができ、コ
イルパターンの最外周の最大半径ｒ２は小さいほどイン
ダクタンスＬ０を小さくすることができる。従って最内
周の最小半径ｒ１［ｍｍ］および最外周の最大半径ｒ２
［ｍｍ］は次の式（１７）および（１８） ｒ１≦０．２［ｍｍ］ …（１７） ｒ２≦１．１［ｍｍ］ …（１８） を満足するのが望ましい。
【００８０】以上説明した本発明の第１の実施例におけ
るコイル２１の実施形態のいくつかを具体的な諸元とと
もに以下に示す。 ◆第１の実施形態 コイルパターン３１ａと３１ｂを銅から成る膜で構成
し、そのピッチＰを６０μｍ、高さＨを５５μｍ、およ
び幅Ｗを３７μｍとする。これらは上記の式（１０）お
よび（１１）を満足し、さらに式（１２）も満足する。
るコイル２１の実施形態のいくつかを具体的な諸元とと
もに以下に示す。 ◆第１の実施形態 コイルパターン３１ａと３１ｂを銅から成る膜で構成
し、そのピッチＰを６０μｍ、高さＨを５５μｍ、およ
び幅Ｗを３７μｍとする。これらは上記の式（１０）お
よび（１１）を満足し、さらに式（１２）も満足する。
【００８１】コイルパターン３１ａと３１ｂの間隔Ｔｂ
を４０μｍ、コイルパターン３１ｂの端面とコイル２１
の下面（保護コート３３ｂの表面）の間隔Ｔｃ（保護コ
ート３３ｂの厚さにほぼ等しい）を２０μｍ、コイル２
１の厚さＴを１９０μｍとする。これらは式（１３）、
（１４）および（１５）を満足する。
を４０μｍ、コイルパターン３１ｂの端面とコイル２１
の下面（保護コート３３ｂの表面）の間隔Ｔｃ（保護コ
ート３３ｂの厚さにほぼ等しい）を２０μｍ、コイル２
１の厚さＴを１９０μｍとする。これらは式（１３）、
（１４）および（１５）を満足する。
【００８２】またコイルパターンの巻数Ｎを２８．５
（コイルパターン３１ａと３１ｂの巻数はともに１４．
２５）とする。これは式（１６）を満足する。
（コイルパターン３１ａと３１ｂの巻数はともに１４．
２５）とする。これは式（１６）を満足する。
【００８３】またコイルパターンの最内周の最小半径ｒ
１を０．１２ｍｍ、最外周の最大半径ｒ２を１．００ｍ
ｍとする。これらは上記の式（１７）および（１８）を
満足する。
１を０．１２ｍｍ、最外周の最大半径ｒ２を１．００ｍ
ｍとする。これらは上記の式（１７）および（１８）を
満足する。
【００８４】また上記の諸元を有するコイル２１のコア
２０を取り付けない状態における電気特性（コイル２１
単独の電気特性）を測定したところ、１０ＭＨｚにおけ
るインダクタンスＬ０は０．７６μＨ、２０ＭＨｚにお
ける高周波抵抗Ｒｐ０は１７００Ω、直流抵抗Ｒｓは
０．８８Ω、自己共振周波数ｆｒ０は２２６ＭＨｚであ
った。これらは上記の式（５）〜（９）を満足する。
２０を取り付けない状態における電気特性（コイル２１
単独の電気特性）を測定したところ、１０ＭＨｚにおけ
るインダクタンスＬ０は０．７６μＨ、２０ＭＨｚにお
ける高周波抵抗Ｒｐ０は１７００Ω、直流抵抗Ｒｓは
０．８８Ω、自己共振周波数ｆｒ０は２２６ＭＨｚであ
った。これらは上記の式（５）〜（９）を満足する。
【００８５】さらにこのコイル２１にフェライトからな
るコア２０を取り付けて磁気ヘッド１とし、コイル２１
の電気特性の測定を行ったところ１０ＭＨｚにおけるイ
ンダクタンスＬ１は１．３８μＨ、２０ＭＨｚにおける
高周波抵抗Ｒｐ１は２９９０Ω、自己共振周波数ｆｒ１
は１６８ＭＨｚであった。これらは上記の式（１）〜
（４）を満足する。
るコア２０を取り付けて磁気ヘッド１とし、コイル２１
の電気特性の測定を行ったところ１０ＭＨｚにおけるイ
ンダクタンスＬ１は１．３８μＨ、２０ＭＨｚにおける
高周波抵抗Ｒｐ１は２９９０Ω、自己共振周波数ｆｒ１
は１６８ＭＨｚであった。これらは上記の式（１）〜
（４）を満足する。
【００８６】本実施形態は特に供給電流の最高変調周波
数が８ＭＨｚ以上である場合の使用に適している。 ◆第２の実施形態 コイルパターン３１ａと３１ｂを銅から成る膜で構成
し、そのピッチＰを４０μｍ、高さＨを５０μｍ、およ
び幅Ｗを２５μｍとする。これらは上記の式（１０）お
よび（１１）を満足し、さらに式（１２）も満足する。
数が８ＭＨｚ以上である場合の使用に適している。 ◆第２の実施形態 コイルパターン３１ａと３１ｂを銅から成る膜で構成
し、そのピッチＰを４０μｍ、高さＨを５０μｍ、およ
び幅Ｗを２５μｍとする。これらは上記の式（１０）お
よび（１１）を満足し、さらに式（１２）も満足する。
【００８７】コイルパターン３１ａと３１ｂの間隔Ｔｂ
を４０μｍ、コイルパターン３１ｂの端面とコイル２１
の下面（保護コート３３ｂの表面）の間隔Ｔｃ（保護コ
ート３３ｂの厚さにほぼ等しい）を２０μｍ、コイル２
１の厚さＴを１８０μｍとする。これらは式（１３）、
（１４）および（１５）を満足する。
を４０μｍ、コイルパターン３１ｂの端面とコイル２１
の下面（保護コート３３ｂの表面）の間隔Ｔｃ（保護コ
ート３３ｂの厚さにほぼ等しい）を２０μｍ、コイル２
１の厚さＴを１８０μｍとする。これらは式（１３）、
（１４）および（１５）を満足する。
【００８８】またコイルパターンの巻数Ｎを２８．５
（コイルパターン３１ａと３１ｂの巻数はともに１４．
２５）とする。これは式（１６）を満足する。
（コイルパターン３１ａと３１ｂの巻数はともに１４．
２５）とする。これは式（１６）を満足する。
【００８９】またコイルパターンの最内周の最小半径ｒ
１を０．１２ｍｍ、最外周の最大半径ｒ２を０．７１ｍ
ｍとする。これらは上記の式（１７）および（１８）を
満足する。
１を０．１２ｍｍ、最外周の最大半径ｒ２を０．７１ｍ
ｍとする。これらは上記の式（１７）および（１８）を
満足する。
【００９０】また上記の諸元を有するコイル２１のコア
２０を取り付けない状態における電気特性（コイル２１
単独の電気特性）を測定したところ、１０ＭＨｚにおけ
るインダクタンスＬ０は０．６８μＨ、２０ＭＨｚにお
ける高周波抵抗Ｒｐ０は１５５０Ω、直流抵抗Ｒｓは
０．９７Ω、自己共振周波数ｆｒ０は２５１ＭＨｚであ
った。これらは上記の式（５）〜（９）を満足する。
２０を取り付けない状態における電気特性（コイル２１
単独の電気特性）を測定したところ、１０ＭＨｚにおけ
るインダクタンスＬ０は０．６８μＨ、２０ＭＨｚにお
ける高周波抵抗Ｒｐ０は１５５０Ω、直流抵抗Ｒｓは
０．９７Ω、自己共振周波数ｆｒ０は２５１ＭＨｚであ
った。これらは上記の式（５）〜（９）を満足する。
【００９１】さらにこのコイル２１にフェライトからな
るコア２０を取り付けて磁気ヘッド１とし、コイル２１
の電気特性の測定を行ったところ１０ＭＨｚにおけるイ
ンダクタンスＬ１は１．２３μＨ、２０ＭＨｚにおける
高周波抵抗Ｒｐ１は２７００Ω、自己共振周波数ｆｒ１
は１８７ＭＨｚであった。これらは上記の式（１）〜
（４）を満足する。
るコア２０を取り付けて磁気ヘッド１とし、コイル２１
の電気特性の測定を行ったところ１０ＭＨｚにおけるイ
ンダクタンスＬ１は１．２３μＨ、２０ＭＨｚにおける
高周波抵抗Ｒｐ１は２７００Ω、自己共振周波数ｆｒ１
は１８７ＭＨｚであった。これらは上記の式（１）〜
（４）を満足する。
【００９２】本実施形態は第１の実施形態よりもインダ
クタンスＬ１が小さく、特に供給電流の最高変調周波数
が１１ＭＨｚ以上である場合の使用に適している。 ◆第３の実施形態 コイルパターン３１ａと３１ｂを銅から成る膜で構成
し、そのピッチＰを３０μｍ、高さＨを４５μｍ、およ
び幅Ｗを１８μｍとする。これらは上記の式（１０）お
よび（１１）を満足し、さらに式（１２）も満足する。
クタンスＬ１が小さく、特に供給電流の最高変調周波数
が１１ＭＨｚ以上である場合の使用に適している。 ◆第３の実施形態 コイルパターン３１ａと３１ｂを銅から成る膜で構成
し、そのピッチＰを３０μｍ、高さＨを４５μｍ、およ
び幅Ｗを１８μｍとする。これらは上記の式（１０）お
よび（１１）を満足し、さらに式（１２）も満足する。
【００９３】コイルパターン３１ａと３１ｂの間隔Ｔｂ
を４０μｍ、コイルパターン３１ｂの端面とコイル２１
の下面（保護コート３３ｂの表面）の間隔Ｔｃ（保護コ
ート３３ｂの厚さにほぼ等しい）を２０μｍ、コイル２
１の厚さＴを１７０μｍとする。これらは式（１３）、
（１４）および（１５）を満足する。
を４０μｍ、コイルパターン３１ｂの端面とコイル２１
の下面（保護コート３３ｂの表面）の間隔Ｔｃ（保護コ
ート３３ｂの厚さにほぼ等しい）を２０μｍ、コイル２
１の厚さＴを１７０μｍとする。これらは式（１３）、
（１４）および（１５）を満足する。
【００９４】またコイルパターンの巻数Ｎを３２．５
（コイルパターン３１ａと３１ｂの巻数はともに１６．
２５）とする。これは式（１６）を満足する。
（コイルパターン３１ａと３１ｂの巻数はともに１６．
２５）とする。これは式（１６）を満足する。
【００９５】またコイルパターンの最内周の最小半径ｒ
１を０．１２ｍｍ、最外周の最大半径ｒ２を０．６２ｍ
ｍとする。これらは上記の式（１７）および（１８）を
満足する。
１を０．１２ｍｍ、最外周の最大半径ｒ２を０．６２ｍ
ｍとする。これらは上記の式（１７）および（１８）を
満足する。
【００９６】また上記の諸元を有するコイル２１のコア
２０を取り付けない状態における電気特性（コイル２１
単独の電気特性）を測定したところ、１０ＭＨｚにおけ
るインダクタンスＬ０は０．７７μＨ、２０ＭＨｚにお
ける高周波抵抗Ｒｐ０は１７６０Ω、直流抵抗Ｒｓは
１．５８Ω、自己共振周波数ｆｒ０は２２５ＭＨｚであ
った。これらは上記の式（５）〜（９）を満足する。
２０を取り付けない状態における電気特性（コイル２１
単独の電気特性）を測定したところ、１０ＭＨｚにおけ
るインダクタンスＬ０は０．７７μＨ、２０ＭＨｚにお
ける高周波抵抗Ｒｐ０は１７６０Ω、直流抵抗Ｒｓは
１．５８Ω、自己共振周波数ｆｒ０は２２５ＭＨｚであ
った。これらは上記の式（５）〜（９）を満足する。
【００９７】さらにこのコイル２１にフェライトからな
るコア２０を取り付けて磁気ヘッド１とし、コイル２１
の電気特性の測定を行ったところ１０ＭＨｚにおけるイ
ンダクタンスＬ１は１．３９μＨ、２０ＭＨｚにおける
高周波抵抗Ｒｐ１は３１６０Ω、自己共振周波数ｆｒ１
は１６７ＭＨｚであった。これらは上記の式（１）〜
（４）を満足する。
るコア２０を取り付けて磁気ヘッド１とし、コイル２１
の電気特性の測定を行ったところ１０ＭＨｚにおけるイ
ンダクタンスＬ１は１．３９μＨ、２０ＭＨｚにおける
高周波抵抗Ｒｐ１は３１６０Ω、自己共振周波数ｆｒ１
は１６７ＭＨｚであった。これらは上記の式（１）〜
（４）を満足する。
【００９８】本実施形態は特に供給電流の最高変調周波
数が８ＭＨｚ以上である場合の使用に適している。さら
に巻数Ｎが第１および第２の実施形態よりも多いので磁
界発生効率をより高めることができる。 ◆第４の実施形態 コイルパターン３１ａと３１ｂを銅から成る膜で構成
し、そのピッチＰを３０μｍ、高さＨを４５μｍ、およ
び幅Ｗを１８μｍとする。これらは上記の式（１０）お
よび（１１）を満足し、さらに式（１２）も満足する。
数が８ＭＨｚ以上である場合の使用に適している。さら
に巻数Ｎが第１および第２の実施形態よりも多いので磁
界発生効率をより高めることができる。 ◆第４の実施形態 コイルパターン３１ａと３１ｂを銅から成る膜で構成
し、そのピッチＰを３０μｍ、高さＨを４５μｍ、およ
び幅Ｗを１８μｍとする。これらは上記の式（１０）お
よび（１１）を満足し、さらに式（１２）も満足する。
【００９９】コイルパターン３１ａと３１ｂの間隔Ｔｂ
を４０μｍ、コイルパターン３１ｂの端面とコイル２１
の下面（保護コート３３ｂの表面）の間隔Ｔｃ（保護コ
ート３３ｂの厚さにほぼ等しい）を２０μｍ、コイル２
１の厚さＴを１７０μｍとする。これらは式（１３）、
（１４）および（１５）を満足する。
を４０μｍ、コイルパターン３１ｂの端面とコイル２１
の下面（保護コート３３ｂの表面）の間隔Ｔｃ（保護コ
ート３３ｂの厚さにほぼ等しい）を２０μｍ、コイル２
１の厚さＴを１７０μｍとする。これらは式（１３）、
（１４）および（１５）を満足する。
【０１００】またコイルパターンの巻数Ｎを２８．５
（コイルパターン３１ａと３１ｂの巻数はともに１４．
２５）とする。これは式（１６）を満足する。
（コイルパターン３１ａと３１ｂの巻数はともに１４．
２５）とする。これは式（１６）を満足する。
【０１０１】またコイルパターンの最内周の最小半径ｒ
１を０．１２ｍｍ、最外周の最大半径ｒ２を０．５６ｍ
ｍとする。これらは上記の式（１７）および（１８）を
満足する。
１を０．１２ｍｍ、最外周の最大半径ｒ２を０．５６ｍ
ｍとする。これらは上記の式（１７）および（１８）を
満足する。
【０１０２】また上記の諸元を有するコイル２１のコア
２０を取り付けない状態における電気特性（コイル２１
単独の電気特性）を測定したところ、１０ＭＨｚにおけ
るインダクタンスＬ０は０．５２μＨ、２０ＭＨｚにお
ける高周波抵抗Ｒｐ０は１１７０Ω、直流抵抗Ｒｓは
１．３６Ω、自己共振周波数ｆｒ０は２９８ＭＨｚであ
った。これらは上記の式（５）〜（９）を満足する。
２０を取り付けない状態における電気特性（コイル２１
単独の電気特性）を測定したところ、１０ＭＨｚにおけ
るインダクタンスＬ０は０．５２μＨ、２０ＭＨｚにお
ける高周波抵抗Ｒｐ０は１１７０Ω、直流抵抗Ｒｓは
１．３６Ω、自己共振周波数ｆｒ０は２９８ＭＨｚであ
った。これらは上記の式（５）〜（９）を満足する。
【０１０３】さらにこのコイル２１にフェライトからな
るコア２０を取り付けて磁気ヘッド１とし、コイル２１
の電気特性の測定を行ったところ１０ＭＨｚにおけるイ
ンダクタンスＬ１は０．９５μＨ、２０ＭＨｚにおける
高周波抵抗Ｒｐ１は２０２０Ω、自己共振周波数ｆｒ１
は２２０ＭＨｚであった。これらは上記の式（１）〜
（４）を満足する。
るコア２０を取り付けて磁気ヘッド１とし、コイル２１
の電気特性の測定を行ったところ１０ＭＨｚにおけるイ
ンダクタンスＬ１は０．９５μＨ、２０ＭＨｚにおける
高周波抵抗Ｒｐ１は２０２０Ω、自己共振周波数ｆｒ１
は２２０ＭＨｚであった。これらは上記の式（１）〜
（４）を満足する。
【０１０４】本実施形態は第１および第２の実施形態よ
りもインダクタンスＬ１が小さく、特に供給電流の最高
変調周波数が１４ＭＨｚ以上である場合の使用に適して
いる。
りもインダクタンスＬ１が小さく、特に供給電流の最高
変調周波数が１４ＭＨｚ以上である場合の使用に適して
いる。
【０１０５】またコイル２１の電気特性を望ましいもの
とするには上述のようにコイルパターンの諸元を適切な
ものとするのみではなく、コア２０を周波数１０ＭＨｚ
における比透磁率の実数部μ′が３００以上で虚数部
μ″が１６００以下である軟磁性材料で構成することが
望ましい。このような材料として例えばＴＤＫ社製のＭ
ｎ−ＺｎフェライトＨＲ５２やＨＲ５４、または住友特
殊金属社製のＭｎ−ＺｎフェライトＨ３Ｆ７やＨ３Ｆ８
が使用できる。
とするには上述のようにコイルパターンの諸元を適切な
ものとするのみではなく、コア２０を周波数１０ＭＨｚ
における比透磁率の実数部μ′が３００以上で虚数部
μ″が１６００以下である軟磁性材料で構成することが
望ましい。このような材料として例えばＴＤＫ社製のＭ
ｎ−ＺｎフェライトＨＲ５２やＨＲ５４、または住友特
殊金属社製のＭｎ−ＺｎフェライトＨ３Ｆ７やＨ３Ｆ８
が使用できる。
【０１０６】さらに磁気ヘッド１により効率的に光磁気
ディスク１１に磁界を印加するには上記のコイル２１を
光磁気ディスク１１に十分に近接するように配設する必
要がある。このためコイル２１の光磁気ディスク１１と
対向する下面と摺動面Ａｓまたは浮上面Ａｆの最下点
（即ち光磁気ディスク１１の表面）との間隔ｄ［μｍ］
は次の式（１９） ｄ≦２００［μｍ］ …（１９） を満足するのが望ましい。また保護コート３３ｂを潤滑
性および耐摩耗性に優れた材料で構成することによって
コイル２１の光磁気ディスク１１と対向する下面（保護
コート３３ｂの表面）を摺動面Ａｓまたは浮上面Ａｆと
してもよい。この場合にはｄ＝０となる。 ［第２の実施例］図４に本発明の第２の実施例である磁
気ヘッド１の構成を側断面図により示す。また図５に本
発明の第２の実施例である光磁気記録装置の概略構成を
示す。
ディスク１１に磁界を印加するには上記のコイル２１を
光磁気ディスク１１に十分に近接するように配設する必
要がある。このためコイル２１の光磁気ディスク１１と
対向する下面と摺動面Ａｓまたは浮上面Ａｆの最下点
（即ち光磁気ディスク１１の表面）との間隔ｄ［μｍ］
は次の式（１９） ｄ≦２００［μｍ］ …（１９） を満足するのが望ましい。また保護コート３３ｂを潤滑
性および耐摩耗性に優れた材料で構成することによって
コイル２１の光磁気ディスク１１と対向する下面（保護
コート３３ｂの表面）を摺動面Ａｓまたは浮上面Ａｆと
してもよい。この場合にはｄ＝０となる。 ［第２の実施例］図４に本発明の第２の実施例である磁
気ヘッド１の構成を側断面図により示す。また図５に本
発明の第２の実施例である光磁気記録装置の概略構成を
示す。
【０１０７】図４に示すように磁気ヘッド１はレンズ２
３、コイル２１およびそれらを搭載するスライダー２２
から構成される。１１は情報信号が記録される光磁気記
録媒体である光磁気ディスクである。スライダー２２は
潤滑性および耐摩耗性に優れた樹脂材料やセラミックか
ら成り、その光磁気ディスク１１と対向する下面は、光
磁気ディスク１１上を摺動するための摺動面Ａｓまたは
光磁気ディスク１１上を浮上走行するための浮上面Ａｆ
とされる。図４では磁気ヘッド１が光磁気ディスク１１
上を浮上走行する状態を示す。コイル２１の構成は図２
に示した第１の実施例におけるものと同一であるので詳
細な説明は省略する。
３、コイル２１およびそれらを搭載するスライダー２２
から構成される。１１は情報信号が記録される光磁気記
録媒体である光磁気ディスクである。スライダー２２は
潤滑性および耐摩耗性に優れた樹脂材料やセラミックか
ら成り、その光磁気ディスク１１と対向する下面は、光
磁気ディスク１１上を摺動するための摺動面Ａｓまたは
光磁気ディスク１１上を浮上走行するための浮上面Ａｆ
とされる。図４では磁気ヘッド１が光磁気ディスク１１
上を浮上走行する状態を示す。コイル２１の構成は図２
に示した第１の実施例におけるものと同一であるので詳
細な説明は省略する。
【０１０８】レンズ２３は半球状でガラス等の光を透過
する材料から成り、その底面には突出部ｐ２が形成され
る。また本実施例においてはコイル２１の孔ｈ１は光の
透過部であって、孔ｈ１の内部にはレンズ２３の突出部
ｐ２が配設される。レンズ２３の突出部ｐ２は光磁気デ
ィスク１１に対向し、またその先端は十分に光磁気ディ
スク１１の表面に接近させた状態で、突出部ｐ２の先端
よりレーザ光を光磁気ディスク１１の磁気記録層１３に
照射すればレーザ光を小さな光スポットに集束させるこ
とができる。
する材料から成り、その底面には突出部ｐ２が形成され
る。また本実施例においてはコイル２１の孔ｈ１は光の
透過部であって、孔ｈ１の内部にはレンズ２３の突出部
ｐ２が配設される。レンズ２３の突出部ｐ２は光磁気デ
ィスク１１に対向し、またその先端は十分に光磁気ディ
スク１１の表面に接近させた状態で、突出部ｐ２の先端
よりレーザ光を光磁気ディスク１１の磁気記録層１３に
照射すればレーザ光を小さな光スポットに集束させるこ
とができる。
【０１０９】また本実施例においては磁気ヘッド１はフ
ェライト等の軟磁性材料から成るコアを備えていてもい
なくてもどちらでもよい。ただし光ヘッドが磁気ヘッド
１の上方に配置されるため、もしコアを備えるとしても
コアの中央には孔等の光の透過部を形成する必要がある
から突出した磁極を形成できない。またコイル２１の孔
ｈ１は光の透過部であるから孔ｈ１内に光を透過しない
フェライト等の材料から成る磁極を配置することもでき
ない。そこでフェライト等の軟磁性材料から成り平板状
で中央に光の透過部例えば孔が形成されたコアをコイル
２１の上面とレンズ２３の間に取り付ければよい。
ェライト等の軟磁性材料から成るコアを備えていてもい
なくてもどちらでもよい。ただし光ヘッドが磁気ヘッド
１の上方に配置されるため、もしコアを備えるとしても
コアの中央には孔等の光の透過部を形成する必要がある
から突出した磁極を形成できない。またコイル２１の孔
ｈ１は光の透過部であるから孔ｈ１内に光を透過しない
フェライト等の材料から成る磁極を配置することもでき
ない。そこでフェライト等の軟磁性材料から成り平板状
で中央に光の透過部例えば孔が形成されたコアをコイル
２１の上面とレンズ２３の間に取り付ければよい。
【０１１０】図５において１１は情報信号が記録される
光磁気記録媒体としての光磁気ディスクであり、透明な
材料から成る基板１２、および基板１２上に形成され、
磁性材料から成る磁気記録層１３により構成される。光
磁気ディスク１１はスピンドルモータ３によって回転駆
動される。光磁気ディスク１１の上面側には図４に示し
た磁気ヘッド１が、また磁気ヘッド１の上方には光ヘッ
ド２が配置される。
光磁気記録媒体としての光磁気ディスクであり、透明な
材料から成る基板１２、および基板１２上に形成され、
磁性材料から成る磁気記録層１３により構成される。光
磁気ディスク１１はスピンドルモータ３によって回転駆
動される。光磁気ディスク１１の上面側には図４に示し
た磁気ヘッド１が、また磁気ヘッド１の上方には光ヘッ
ド２が配置される。
【０１１１】磁気ヘッド１は弾性を有する支持部材４の
先端に摺動面Ａｓまたは浮上面Ａｆが光磁気ディスク１
１の上面に対向するように保持される。支持部材４の基
端は連結部材５に取り付けられる。また光ヘッド２も連
結部材５に取り付けられる。磁気ヘッド１と光ヘッド２
は図示しない移送手段によって一体的に光磁気ディスク
１１の径方向の任意の位置に移送される。
先端に摺動面Ａｓまたは浮上面Ａｆが光磁気ディスク１
１の上面に対向するように保持される。支持部材４の基
端は連結部材５に取り付けられる。また光ヘッド２も連
結部材５に取り付けられる。磁気ヘッド１と光ヘッド２
は図示しない移送手段によって一体的に光磁気ディスク
１１の径方向の任意の位置に移送される。
【０１１２】磁気ヘッド１のコイル２１には磁気ヘッド
駆動回路６が、磁気ヘッド駆動回路６には記録信号生成
回路７が接続される。
駆動回路６が、磁気ヘッド駆動回路６には記録信号生成
回路７が接続される。
【０１１３】光ヘッド２はレーザ光源、光センサ、光学
系等より構成される。レーザ光源にはレーザ駆動回路８
が、また光センサには増幅回路９が接続される。
系等より構成される。レーザ光源にはレーザ駆動回路８
が、また光センサには増幅回路９が接続される。
【０１１４】光磁気ディスク１１に情報信号を記録する
場合には、スピンドルモータ３により光磁気ディスク１
１を回転させる。これにより磁気ヘッド１は光磁気ディ
スク１１上を摺動または浮上走行する。記録信号生成回
路７は入力端子Ｔ１から入力された情報信号に符号化等
の処理を行って記録信号を生成し磁気ヘッド駆動回路６
に送出する。磁気ヘッド駆動回路６は記録信号によって
変調された電流を磁気ヘッド１のコイル２１に供給す
る。コイルに供給される電流の振幅は±７０ｍＡから±
１６０ｍＡの間で、最高変調周波数は８ＭＨｚ以上であ
る。
場合には、スピンドルモータ３により光磁気ディスク１
１を回転させる。これにより磁気ヘッド１は光磁気ディ
スク１１上を摺動または浮上走行する。記録信号生成回
路７は入力端子Ｔ１から入力された情報信号に符号化等
の処理を行って記録信号を生成し磁気ヘッド駆動回路６
に送出する。磁気ヘッド駆動回路６は記録信号によって
変調された電流を磁気ヘッド１のコイル２１に供給す
る。コイルに供給される電流の振幅は±７０ｍＡから±
１６０ｍＡの間で、最高変調周波数は８ＭＨｚ以上であ
る。
【０１１５】これにより磁気ヘッド１からは情報信号で
変調された磁界が発生し、光磁気ディスク１１の磁気記
録層１３に垂直方向に印加される。同時にレーザ駆動回
路８からの電流供給によって光ヘッド２のレーザ光源が
レーザ光を発生する。レーザ光は光ヘッド２の光学系お
よび磁気ヘッド１に搭載されたレンズ２３を通して磁気
記録層１３の磁界の印加領域に微小な光スポットに収束
して照射される。その結果、磁気記録層１３には、印加
される磁界の方向の変化に対応し、磁化の方向が変化す
る磁化領域が形成され、これにより情報信号が記録され
る。
変調された磁界が発生し、光磁気ディスク１１の磁気記
録層１３に垂直方向に印加される。同時にレーザ駆動回
路８からの電流供給によって光ヘッド２のレーザ光源が
レーザ光を発生する。レーザ光は光ヘッド２の光学系お
よび磁気ヘッド１に搭載されたレンズ２３を通して磁気
記録層１３の磁界の印加領域に微小な光スポットに収束
して照射される。その結果、磁気記録層１３には、印加
される磁界の方向の変化に対応し、磁化の方向が変化す
る磁化領域が形成され、これにより情報信号が記録され
る。
【０１１６】またこのようにして記録された情報信号を
再生する場合には、光磁気ディスク１１を回転させなが
ら、光ヘッド２により、記録時よりも低パワーのレーザ
光が磁気記録層１３に照射される。レーザ光の磁気記録
層１３からの反射光の偏光面は、磁気記録層１３に形成
された磁化領域の磁化の方向に対応して回転する。これ
を光ヘッド２の光センサによって検出し、その検出信号
を増幅回路９によって増幅する。さらに情報信号再生回
路１０によって増幅された検出信号より情報信号を再生
し、出力端子Ｔ２より出力する。
再生する場合には、光磁気ディスク１１を回転させなが
ら、光ヘッド２により、記録時よりも低パワーのレーザ
光が磁気記録層１３に照射される。レーザ光の磁気記録
層１３からの反射光の偏光面は、磁気記録層１３に形成
された磁化領域の磁化の方向に対応して回転する。これ
を光ヘッド２の光センサによって検出し、その検出信号
を増幅回路９によって増幅する。さらに情報信号再生回
路１０によって増幅された検出信号より情報信号を再生
し、出力端子Ｔ２より出力する。
【０１１７】なおレンズ２３は光ヘッド２より光磁気デ
ィスク１１に照射するレーザ光をより一層小さな光スポ
ットに収束させる目的で設けられたものである。ただし
レーザ光の光スポットをより小さくする必要がなけれ
ば、磁気ヘッド１は必ずしもレンズ２３を備える必要は
なく、代わりにレーザ光を透過する部材（例えばガラス
板）を設けてもよいし、またはこのような部材を設けな
くてもよい。ただし本実施例においては磁気ヘッド１の
上方に光ヘッド２が配置されるので、少なくとも磁気ヘ
ッド１のコイル２１には孔ｈ１等の光の透過部を設けて
おく必要がある。
ィスク１１に照射するレーザ光をより一層小さな光スポ
ットに収束させる目的で設けられたものである。ただし
レーザ光の光スポットをより小さくする必要がなけれ
ば、磁気ヘッド１は必ずしもレンズ２３を備える必要は
なく、代わりにレーザ光を透過する部材（例えばガラス
板）を設けてもよいし、またはこのような部材を設けな
くてもよい。ただし本実施例においては磁気ヘッド１の
上方に光ヘッド２が配置されるので、少なくとも磁気ヘ
ッド１のコイル２１には孔ｈ１等の光の透過部を設けて
おく必要がある。
【０１１８】また本実施例においても磁気ヘッド１にお
けるコイル２１の第１の端子３５ａ、第２の端子３５ｂ
間のインピーダンスＺ１は等価的に図６に示したように
インダクタンスＬ１、インダクタンスＬ１に並列な高周
波抵抗Ｒｐ１、インダクタンスＬ１に直列で周波数に依
存しない直流抵抗Ｒｓで構成された等価回路で表わすこ
とができる。また少なくともコア２０を取り付けないコ
イル２１（コイル２１単独）の第１の端子３５ａ、第２
の端子３５ｂ間のインピーダンスＺ０も等価的に図６に
示したようにインダクタンスＬ０、インダクタンスＬ０
に並列な高周波抵抗Ｒｐ０、インダクタンスＬ０に直列
で周波数に依存しない直流抵抗Ｒｓで構成された等価回
路で表わすことができる。もし磁気ヘッド１がコアを備
えない場合には、磁気ヘッド１におけるコイル２１のイ
ンダクタンスＬ１および高周波抵抗Ｒｐ１はコイル２１
単独のインダクタンスＬ０および高周波抵抗Ｒｐ０に等
しい。また直流抵抗Ｒｓはコアの取り付けの有無には関
わらない。またコイル２１単独の高周波抵抗Ｒｐ０は主
にコイルパターンにおける近接効果や表皮効果の影響で
生じるが、コア２０が取り付けられた磁気ヘッド１のコ
イル２１の高周波抵抗Ｒｐ１にはさらにコア２０におけ
る高周波損失の影響も加わる。高周波抵抗Ｒｐ１やＲｐ
０はその値が大きいほど交流的な電力損失が小さく望ま
しい。
けるコイル２１の第１の端子３５ａ、第２の端子３５ｂ
間のインピーダンスＺ１は等価的に図６に示したように
インダクタンスＬ１、インダクタンスＬ１に並列な高周
波抵抗Ｒｐ１、インダクタンスＬ１に直列で周波数に依
存しない直流抵抗Ｒｓで構成された等価回路で表わすこ
とができる。また少なくともコア２０を取り付けないコ
イル２１（コイル２１単独）の第１の端子３５ａ、第２
の端子３５ｂ間のインピーダンスＺ０も等価的に図６に
示したようにインダクタンスＬ０、インダクタンスＬ０
に並列な高周波抵抗Ｒｐ０、インダクタンスＬ０に直列
で周波数に依存しない直流抵抗Ｒｓで構成された等価回
路で表わすことができる。もし磁気ヘッド１がコアを備
えない場合には、磁気ヘッド１におけるコイル２１のイ
ンダクタンスＬ１および高周波抵抗Ｒｐ１はコイル２１
単独のインダクタンスＬ０および高周波抵抗Ｒｐ０に等
しい。また直流抵抗Ｒｓはコアの取り付けの有無には関
わらない。またコイル２１単独の高周波抵抗Ｒｐ０は主
にコイルパターンにおける近接効果や表皮効果の影響で
生じるが、コア２０が取り付けられた磁気ヘッド１のコ
イル２１の高周波抵抗Ｒｐ１にはさらにコア２０におけ
る高周波損失の影響も加わる。高周波抵抗Ｒｐ１やＲｐ
０はその値が大きいほど交流的な電力損失が小さく望ま
しい。
【０１１９】本実施例においては少なくとも突出した磁
極を備えたコアは設けられないので、上記の第１の実施
例とは磁気ヘッド１のコイル２１の電気特性、およびそ
れを実現し得るコイルパターンの諸元が異なる。以下本
実施例におけるコイル２１の望ましい電気特性について
説明する。
極を備えたコアは設けられないので、上記の第１の実施
例とは磁気ヘッド１のコイル２１の電気特性、およびそ
れを実現し得るコイルパターンの諸元が異なる。以下本
実施例におけるコイル２１の望ましい電気特性について
説明する。
【０１２０】まず情報信号の記録時に駆動電圧を高める
ことなく変調周波数を高くするにはインダクタンスＬ１
を低減する必要がある。例えば最高変調周波数を８ＭＨ
ｚ以上とするにはインダクタンスＬ１［μＨ］は次の式
（２０） Ｌ１≦１．４［μＨ］ …（２０） を満足するのが望ましい。
ことなく変調周波数を高くするにはインダクタンスＬ１
を低減する必要がある。例えば最高変調周波数を８ＭＨ
ｚ以上とするにはインダクタンスＬ１［μＨ］は次の式
（２０） Ｌ１≦１．４［μＨ］ …（２０） を満足するのが望ましい。
【０１２１】また高周波抵抗Ｒｐ１が大きいほど交流的
な電力損失は小さい。しかも磁気ヘッド１のコイル２１
に供給される電流にはその波形が矩形に近いほど最高変
調周波数を越える周波数成分も含まれる。従って磁気ヘ
ッド１の消費電力を低減するには、周波数２０ＭＨｚに
おける高周波抵抗Ｒｐ１［Ω］が次の式（２１） Ｒｐ１≧Ｌ１×１２００ …（２１） を満足するのが望ましい。
な電力損失は小さい。しかも磁気ヘッド１のコイル２１
に供給される電流にはその波形が矩形に近いほど最高変
調周波数を越える周波数成分も含まれる。従って磁気ヘ
ッド１の消費電力を低減するには、周波数２０ＭＨｚに
おける高周波抵抗Ｒｐ１［Ω］が次の式（２１） Ｒｐ１≧Ｌ１×１２００ …（２１） を満足するのが望ましい。
【０１２２】さらに次の式（２２） Ｒｐ１≧Ｌ１×１５００ …（２２） を満足すれば、より一層望ましい。
【０１２３】またコイル２１の第１の端子３５ａおよび
第２の端子３５ｂ間の静電容量Ｃを１．４［ｐＦ］以下
とすれば、インピーダンスの大きさ｜Ｚ１｜が極大とな
る周波数ｆｒ１［ＭＨｚ］、および１０ＭＨｚにおける
インダクタンスＬ１が次の式（２３）（ただし式（２
３）は式（４）と同一である）
第２の端子３５ｂ間の静電容量Ｃを１．４［ｐＦ］以下
とすれば、インピーダンスの大きさ｜Ｚ１｜が極大とな
る周波数ｆｒ１［ＭＨｚ］、および１０ＭＨｚにおける
インダクタンスＬ１が次の式（２３）（ただし式（２
３）は式（４）と同一である）
【０１２４】
【数９】 を満足するので、コイル２１の自己共振周波数ｆｒ１を
最高変調周波数よりも十分に高くすることができる。
最高変調周波数よりも十分に高くすることができる。
【０１２５】さらに本願発明者の検討によると、磁気ヘ
ッド１のコイル２１の電気特性が上記の式（２０）およ
び（２１）を満足するには、式（２０）および（２１）
のそれぞれに対応し、コアを取り付けない状態における
コイル２１の電気特性（コイル２１単独の電気特性）、
即ちインダクタンスＬ０［μＨ］、および周波数２０Ｍ
Ｈｚにおける高周波抵抗Ｒｐ０［Ω］は次の式（２４）
および（２５） Ｌ０≦１．４［μＨ］ …（２４） Ｒｐ０≧Ｌ０×１２００ …（２５） を満足するのが望ましい。
ッド１のコイル２１の電気特性が上記の式（２０）およ
び（２１）を満足するには、式（２０）および（２１）
のそれぞれに対応し、コアを取り付けない状態における
コイル２１の電気特性（コイル２１単独の電気特性）、
即ちインダクタンスＬ０［μＨ］、および周波数２０Ｍ
Ｈｚにおける高周波抵抗Ｒｐ０［Ω］は次の式（２４）
および（２５） Ｌ０≦１．４［μＨ］ …（２４） Ｒｐ０≧Ｌ０×１２００ …（２５） を満足するのが望ましい。
【０１２６】さらに次の式（２６） Ｒｐ０≧Ｌ０×１５００ …（２６） を満足すれば、より一層望ましい。
【０１２７】またコイル２１単独のインピーダンスの大
きさ｜Ｚ０｜が極大となる周波数ｆｒ０［ＭＨｚ］、お
よび１０ＭＨｚにおけるインダクタンスＬ０が次の式
（２８）（ただし式（２８）は式（９）と同一である）
きさ｜Ｚ０｜が極大となる周波数ｆｒ０［ＭＨｚ］、お
よび１０ＭＨｚにおけるインダクタンスＬ０が次の式
（２８）（ただし式（２８）は式（９）と同一である）
【０１２８】
【数１０】 を満足するのが望ましい。
【０１２９】もし磁気ヘッド１がコアを備えていない場
合にはＬ１＝Ｌ０、Ｒｐ１＝Ｒｐ０であるから式（２
４）、（２５）および（２６）のそれぞれを満足すれ
ば、必然的に式（２０）、（２１）および（２２）を満
足することができる。
合にはＬ１＝Ｌ０、Ｒｐ１＝Ｒｐ０であるから式（２
４）、（２５）および（２６）のそれぞれを満足すれ
ば、必然的に式（２０）、（２１）および（２２）を満
足することができる。
【０１３０】また直流抵抗Ｒｓが小さいほど磁気ヘッド
の直流的な電力損失は小さい。従って磁気ヘッドの消費
電力を低減するには直流抵抗Ｒｓ［Ω］は（コアの取り
付けの有無には関わらず）次の式（２７） Ｒｓ≦６［Ω］ …（２７） を満足することが望ましい。
の直流的な電力損失は小さい。従って磁気ヘッドの消費
電力を低減するには直流抵抗Ｒｓ［Ω］は（コアの取り
付けの有無には関わらず）次の式（２７） Ｒｓ≦６［Ω］ …（２７） を満足することが望ましい。
【０１３１】なお本実施例においては少なくとも第１の
実施例のような突出した磁極を有するコアは設けられ
ず、磁極で発生する高周波損失が無いので、式（２
１）、（２２）、（２５）および（２６）に示す高周波
抵抗Ｒｐ１およびＲｐ０の下限、および式（２７）に示
す直流抵抗Ｒｓの上限が式（２）、（３）、（６）、
（７）および（８）に示した第１の実施例とは異なるの
である。
実施例のような突出した磁極を有するコアは設けられ
ず、磁極で発生する高周波損失が無いので、式（２
１）、（２２）、（２５）および（２６）に示す高周波
抵抗Ｒｐ１およびＲｐ０の下限、および式（２７）に示
す直流抵抗Ｒｓの上限が式（２）、（３）、（６）、
（７）および（８）に示した第１の実施例とは異なるの
である。
【０１３２】なお本実施例においてもインダクタンスＬ
０およびＬ１は周波数１０ＭＨｚにおける値、高周波抵
抗Ｒｐ０およびＲｐ１は周波数２０ＭＨｚにおける値で
ある。またインダクタンスＬ０およびＬ１、直流抵抗Ｒ
ｓ、高周波抵抗Ｒｐ０およびＲｐ１、自己共振周波数ｆ
ｒ０およびｆｒ１は、第１の端子３５ａと第２の端子３
５ｂとの間で測定される値である。測定の際に電流供給
のためのリード線などの導電性部材がコイル２１の第１
の端子３５ａおよび第２の端子３５ｂに接続されている
と、これらが測定値に影響を与えるため、コイル２１の
第１の端子３５ａおよび第２の端子３５ｂにこのような
導電性部材は取り付けない状態で測定を行わなければな
らない。具体的な測定の方法は第１の実施例において説
明した通りである。
０およびＬ１は周波数１０ＭＨｚにおける値、高周波抵
抗Ｒｐ０およびＲｐ１は周波数２０ＭＨｚにおける値で
ある。またインダクタンスＬ０およびＬ１、直流抵抗Ｒ
ｓ、高周波抵抗Ｒｐ０およびＲｐ１、自己共振周波数ｆ
ｒ０およびｆｒ１は、第１の端子３５ａと第２の端子３
５ｂとの間で測定される値である。測定の際に電流供給
のためのリード線などの導電性部材がコイル２１の第１
の端子３５ａおよび第２の端子３５ｂに接続されている
と、これらが測定値に影響を与えるため、コイル２１の
第１の端子３５ａおよび第２の端子３５ｂにこのような
導電性部材は取り付けない状態で測定を行わなければな
らない。具体的な測定の方法は第１の実施例において説
明した通りである。
【０１３３】次に上記のようなコイルの電気特性につい
て本願発明者が検討を行った結果、以下に説明するよう
な特徴を有するコイルパターンによって上記の式（２
４）から（２８）を満足する望ましい電気特性を有する
コイル２１が実現し得ることが確認できた。
て本願発明者が検討を行った結果、以下に説明するよう
な特徴を有するコイルパターンによって上記の式（２
４）から（２８）を満足する望ましい電気特性を有する
コイル２１が実現し得ることが確認できた。
【０１３４】まず図２にも示したようにコイル２１は平
板状であり、中心軸を同一とするように形成し直列に接
続された２層以上４層以下のスパイラル状のコイルパタ
ーン、即ち本実施例においてはコイルパターン３１ａお
よび３１ｂから成る。コイルパターンが１層または５層
以上であるとインダクタンスＬ０を増大させることなく
十分に磁界の発生効率を高くするのが困難である。また
コイルパターンが５層以上であるとコイルの厚さが増大
する結果コア２０の磁極ｐ１が高くなり、コア２０にお
ける高周波損失が増大する。またコイルパターンを３層
または４層とするにはコイルパターンを積層形成すれば
よいが、その場合には本実施例よりも製造工程が複雑と
なる。またコイル２１の上面側と下面側に同数のコイル
パターンを形成すれば製造時や使用時の温度の変化に伴
う伸縮はコイル２１の両面で同等に発生するので、コイ
ル２１の変形を防止できる。従って本実施例のようにコ
イル２１の上面側と下面側の両方に各１層のコイルパタ
ーンを設けるのが最も望ましい。
板状であり、中心軸を同一とするように形成し直列に接
続された２層以上４層以下のスパイラル状のコイルパタ
ーン、即ち本実施例においてはコイルパターン３１ａお
よび３１ｂから成る。コイルパターンが１層または５層
以上であるとインダクタンスＬ０を増大させることなく
十分に磁界の発生効率を高くするのが困難である。また
コイルパターンが５層以上であるとコイルの厚さが増大
する結果コア２０の磁極ｐ１が高くなり、コア２０にお
ける高周波損失が増大する。またコイルパターンを３層
または４層とするにはコイルパターンを積層形成すれば
よいが、その場合には本実施例よりも製造工程が複雑と
なる。またコイル２１の上面側と下面側に同数のコイル
パターンを形成すれば製造時や使用時の温度の変化に伴
う伸縮はコイル２１の両面で同等に発生するので、コイ
ル２１の変形を防止できる。従って本実施例のようにコ
イル２１の上面側と下面側の両方に各１層のコイルパタ
ーンを設けるのが最も望ましい。
【０１３５】またコイルパターンの断面形状は略矩形で
あり、そのピッチ（もし位置によって異なる場合にはそ
の最小値）をＰ、ピッチＰが最小である部分における前
記断面形状の幅をＷ、高さをＨとする。またコイルパタ
ーンの最内周の最小半径（コイルパターン３１ａおよび
３１ｂの中心Ｘから最内周までの距離の最小値）をｒ
１、コイルパターンの最外周の最大半径（コイルパター
ン３１ａおよび３１ｂの中心Ｘから最外周までの距離の
最大値）をｒ２とする。またコイルパターンの巻数（コ
イルパターン３１ａと３１ｂの巻数の合計）をＮとす
る。
あり、そのピッチ（もし位置によって異なる場合にはそ
の最小値）をＰ、ピッチＰが最小である部分における前
記断面形状の幅をＷ、高さをＨとする。またコイルパタ
ーンの最内周の最小半径（コイルパターン３１ａおよび
３１ｂの中心Ｘから最内周までの距離の最小値）をｒ
１、コイルパターンの最外周の最大半径（コイルパター
ン３１ａおよび３１ｂの中心Ｘから最外周までの距離の
最大値）をｒ２とする。またコイルパターンの巻数（コ
イルパターン３１ａと３１ｂの巻数の合計）をＮとす
る。
【０１３６】コイルパターンのピッチＰを小さくするほ
どコイル２１のインダクタンスＬ０は小さくすることが
できるので望ましい。ところがもしピッチＰを小さくす
るのにともなって幅Ｗおよび高さＨも小さくしたとする
と、コイルパターンの断面積が小さくなるのでコイルパ
ターンの直流抵抗Ｒｓは大きくなり、またコイルパター
ンの周囲の長さ（２Ｗ＋２Ｈ）が小さくなるので表皮効
果によって高周波抵抗Ｒｐ０が減少し望ましくない。し
かし逆に高さＨを過度に大きくするとコイルが厚くな
り、磁界の発生効率が低下する。また静電容量Ｃが増大
する結果、自己共振周波数ｆｒ０が低下する。さらに製
造も困難となる。従ってコイルパターンのピッチＰに応
じて、高さＨ（またはＨ／Ｗ）の範囲は以下のように適
切に選ぶ必要がある。具体的にはコイル２１の電気特性
が上記の式（２４）〜（２８）を満足するには、コイル
パターンのピッチＰ［μｍ］、幅Ｗ［μｍ］、高さＨ
［μｍ］は次の式（２９）および（３０） １５［μｍ］≦Ｐ≦５０［μｍ］ …（２９） １．８５−０．０１２Ｐ≦Ｈ／Ｗ≦７．５−０．０６Ｐ …（３０） をともに満足するのが望ましい。
どコイル２１のインダクタンスＬ０は小さくすることが
できるので望ましい。ところがもしピッチＰを小さくす
るのにともなって幅Ｗおよび高さＨも小さくしたとする
と、コイルパターンの断面積が小さくなるのでコイルパ
ターンの直流抵抗Ｒｓは大きくなり、またコイルパター
ンの周囲の長さ（２Ｗ＋２Ｈ）が小さくなるので表皮効
果によって高周波抵抗Ｒｐ０が減少し望ましくない。し
かし逆に高さＨを過度に大きくするとコイルが厚くな
り、磁界の発生効率が低下する。また静電容量Ｃが増大
する結果、自己共振周波数ｆｒ０が低下する。さらに製
造も困難となる。従ってコイルパターンのピッチＰに応
じて、高さＨ（またはＨ／Ｗ）の範囲は以下のように適
切に選ぶ必要がある。具体的にはコイル２１の電気特性
が上記の式（２４）〜（２８）を満足するには、コイル
パターンのピッチＰ［μｍ］、幅Ｗ［μｍ］、高さＨ
［μｍ］は次の式（２９）および（３０） １５［μｍ］≦Ｐ≦５０［μｍ］ …（２９） １．８５−０．０１２Ｐ≦Ｈ／Ｗ≦７．５−０．０６Ｐ …（３０） をともに満足するのが望ましい。
【０１３７】さらにＷ／Ｐは大きい方がコイルの直流抵
抗Ｒｓを下げることができる。しかしＷ／Ｐを過度に大
きくすると隣接するコイルパターンとの間の近接効果に
よって高周波抵抗Ｒｐ０が低下し、また静電容量Ｃが増
大する結果、自己共振周波数ｆｒ０が低下する。したが
ってＷ／Ｐは次の式（３１）（ただし式（３１）は式
（１２）と同一である） ０．５５≦Ｗ／Ｐ≦０．８ …（３１） を満足する適切な範囲とするのが望ましい。
抗Ｒｓを下げることができる。しかしＷ／Ｐを過度に大
きくすると隣接するコイルパターンとの間の近接効果に
よって高周波抵抗Ｒｐ０が低下し、また静電容量Ｃが増
大する結果、自己共振周波数ｆｒ０が低下する。したが
ってＷ／Ｐは次の式（３１）（ただし式（３１）は式
（１２）と同一である） ０．５５≦Ｗ／Ｐ≦０．８ …（３１） を満足する適切な範囲とするのが望ましい。
【０１３８】また磁界の発生効率を高めるにはコイルパ
ターン３１ａと３１ｂの間隔Ｔｂおよびコイル２１の光
磁気ディスク１１と対向する下面側に設けられるコイル
パターン３１ｂの端面とコイル２１の下面（保護コート
３３ｂの表面）の間隔Ｔｃ（保護コート３３ｂの厚さに
ほぼ等しい）を十分に小さくするとともにコイル２１の
全体の厚さＴを小さくし、コイルパターン３１ａおよび
３１ｂを光磁気ディスク１１に近接させる必要がある。
しかしながら間隔Ｔｂを過度に小さくするとコイルパタ
ーン３１ａとコイルパターン３１ｂの間の近接効果によ
って高周波抵抗Ｒｐ０が低下したり、静電容量Ｃが増大
するため自己共振周波数ｆｒ０が低下する。このため間
隔Ｔｂ［μｍ］、間隔Ｔｃ［μｍ］および厚さＴ［μ
ｍ］は次の式（３２）、（３３）および（３４） ２［μｍ］≦Ｔｂ≦７０［μｍ］ …（３２） Ｔｃ≦１．５Ｈ［μｍ］ …（３３） ３０［μｍ］≦Ｔ≦３００［μｍ］ …（３４） を満足するのが望ましい。
ターン３１ａと３１ｂの間隔Ｔｂおよびコイル２１の光
磁気ディスク１１と対向する下面側に設けられるコイル
パターン３１ｂの端面とコイル２１の下面（保護コート
３３ｂの表面）の間隔Ｔｃ（保護コート３３ｂの厚さに
ほぼ等しい）を十分に小さくするとともにコイル２１の
全体の厚さＴを小さくし、コイルパターン３１ａおよび
３１ｂを光磁気ディスク１１に近接させる必要がある。
しかしながら間隔Ｔｂを過度に小さくするとコイルパタ
ーン３１ａとコイルパターン３１ｂの間の近接効果によ
って高周波抵抗Ｒｐ０が低下したり、静電容量Ｃが増大
するため自己共振周波数ｆｒ０が低下する。このため間
隔Ｔｂ［μｍ］、間隔Ｔｃ［μｍ］および厚さＴ［μ
ｍ］は次の式（３２）、（３３）および（３４） ２［μｍ］≦Ｔｂ≦７０［μｍ］ …（３２） Ｔｃ≦１．５Ｈ［μｍ］ …（３３） ３０［μｍ］≦Ｔ≦３００［μｍ］ …（３４） を満足するのが望ましい。
【０１３９】またコイルパターンの巻数Ｎは第１の実施
例ほどには小さくしなくともインダクタンスＬ０は小さ
くなる。むしろ磁界の発生効率を低下させないためには
第１の実施例よりも巻数Ｎは大きいほうが望ましく次の
式（３５） ２０≦Ｎ≦７０ …（３５） で示す適切な範囲内とする必要がある。
例ほどには小さくしなくともインダクタンスＬ０は小さ
くなる。むしろ磁界の発生効率を低下させないためには
第１の実施例よりも巻数Ｎは大きいほうが望ましく次の
式（３５） ２０≦Ｎ≦７０ …（３５） で示す適切な範囲内とする必要がある。
【０１４０】また本実施例においては突出した磁極を形
成したコアは備えないので、それによる磁界の発生効率
の低下を補うために、コイルパターンの最内周の最小半
径ｒ１および最外周の最大半径ｒ２を第１の実施例より
も小さくする必要がある。従ってコイルパターンの最内
周の最小半径ｒ１［ｍｍ］および最外周の最大半径ｒ２
［ｍｍ］は次の式（３６）および（３７） ｒ１≦０．１３［ｍｍ］ …（３６） ｒ２≦１．０［ｍｍ］ …（３７） を満足するのが望ましい。
成したコアは備えないので、それによる磁界の発生効率
の低下を補うために、コイルパターンの最内周の最小半
径ｒ１および最外周の最大半径ｒ２を第１の実施例より
も小さくする必要がある。従ってコイルパターンの最内
周の最小半径ｒ１［ｍｍ］および最外周の最大半径ｒ２
［ｍｍ］は次の式（３６）および（３７） ｒ１≦０．１３［ｍｍ］ …（３６） ｒ２≦１．０［ｍｍ］ …（３７） を満足するのが望ましい。
【０１４１】以上説明した本発明の第２の実施例におけ
るコイル２１の実施形態のいくつかを具体的な諸元とと
もに以下に示す。 ◆第５の実施形態 コイルパターン３１ａと３１ｂを銅から成る膜で構成
し、そのピッチＰを３５μｍ、高さＨを５０μｍ、およ
び幅Ｗを２２μｍとする。これらは上記の式（２９）お
よび（３０）を満足し、さらに式（３１）も満足する。
るコイル２１の実施形態のいくつかを具体的な諸元とと
もに以下に示す。 ◆第５の実施形態 コイルパターン３１ａと３１ｂを銅から成る膜で構成
し、そのピッチＰを３５μｍ、高さＨを５０μｍ、およ
び幅Ｗを２２μｍとする。これらは上記の式（２９）お
よび（３０）を満足し、さらに式（３１）も満足する。
【０１４２】コイルパターン３１ａと３１ｂの間隔Ｔｂ
を３０μｍ、コイルパターン３１ｂの端面とコイル２１
の下面（保護コート３３ｂの表面）の間隔Ｔｃ（保護コ
ート３３ｂの厚さにほぼ等しい）を１５μｍ、コイル２
１の厚さＴを１６０μｍとする。これらは式（３２）、
（３３）および（３４）を満足する。
を３０μｍ、コイルパターン３１ｂの端面とコイル２１
の下面（保護コート３３ｂの表面）の間隔Ｔｃ（保護コ
ート３３ｂの厚さにほぼ等しい）を１５μｍ、コイル２
１の厚さＴを１６０μｍとする。これらは式（３２）、
（３３）および（３４）を満足する。
【０１４３】またコイルパターンの巻数Ｎを４０．５
（コイルパターン３１ａと３１ｂの巻数はともに２０．
２５）とする。これは式（３５）を満足する。
（コイルパターン３１ａと３１ｂの巻数はともに２０．
２５）とする。これは式（３５）を満足する。
【０１４４】またコイルパターンの最内周の最小半径ｒ
１を０．０７ｍｍ、最外周の最大半径ｒ２を０．７９ｍ
ｍとする。これらは上記の式（３６）および（３７）を
満足する。
１を０．０７ｍｍ、最外周の最大半径ｒ２を０．７９ｍ
ｍとする。これらは上記の式（３６）および（３７）を
満足する。
【０１４５】また上記の諸元を有するコイル２１のコア
２０を取り付けない状態における電気特性（コイル２１
単独の電気特性）を測定したところ、１０ＭＨｚにおけ
るインダクタンスＬ０は１．１５μＨ、２０ＭＨｚにお
ける高周波抵抗Ｒｐ０は２５５０Ω、直流抵抗Ｒｓは
１．８５Ω、自己共振周波数ｆｒ０は１７６ＭＨｚであ
った。これらは上記の式（２４）〜（２８）を満足す
る。
２０を取り付けない状態における電気特性（コイル２１
単独の電気特性）を測定したところ、１０ＭＨｚにおけ
るインダクタンスＬ０は１．１５μＨ、２０ＭＨｚにお
ける高周波抵抗Ｒｐ０は２５５０Ω、直流抵抗Ｒｓは
１．８５Ω、自己共振周波数ｆｒ０は１７６ＭＨｚであ
った。これらは上記の式（２４）〜（２８）を満足す
る。
【０１４６】さらに上記のコイル２１を取り付けた磁気
ヘッド１（ただしコアは備えないものとした）におい
て、コイル２１の電気特性の測定を行ったところ１０Ｍ
ＨｚにおけるインダクタンスＬ１は１．１５μＨ、２０
ＭＨｚにおける高周波抵抗Ｒｐ１は２５５０Ωでそれぞ
れＬ０およびＲｐ０に等しかった。また自己共振周波数
ｆｒ１は１７６ＭＨｚであった。これらは上記の式（２
０）〜（２３）を満足する。
ヘッド１（ただしコアは備えないものとした）におい
て、コイル２１の電気特性の測定を行ったところ１０Ｍ
ＨｚにおけるインダクタンスＬ１は１．１５μＨ、２０
ＭＨｚにおける高周波抵抗Ｒｐ１は２５５０Ωでそれぞ
れＬ０およびＲｐ０に等しかった。また自己共振周波数
ｆｒ１は１７６ＭＨｚであった。これらは上記の式（２
０）〜（２３）を満足する。
【０１４７】本実施形態は特に供給電流の最高変調周波
数が１１ＭＨｚ以上である場合の使用に適している。 ◆第６の実施形態 コイルパターン３１ａと３１ｂを銅から成る膜で構成
し、そのピッチＰを２５μｍ、高さＨを５０μｍ、およ
び幅Ｗを１５μｍとする。これらは上記の式（２９）お
よび（３０）を満足し、さらに式（３１）も満足する。
数が１１ＭＨｚ以上である場合の使用に適している。 ◆第６の実施形態 コイルパターン３１ａと３１ｂを銅から成る膜で構成
し、そのピッチＰを２５μｍ、高さＨを５０μｍ、およ
び幅Ｗを１５μｍとする。これらは上記の式（２９）お
よび（３０）を満足し、さらに式（３１）も満足する。
【０１４８】コイルパターン３１ａと３１ｂの間隔Ｔｂ
を３０μｍ、コイルパターン３１ｂの端面とコイル２１
の下面（保護コート３３ｂの表面）の間隔Ｔｃ（保護コ
ート３３ｂの厚さにほぼ等しい）を１５μｍ、コイル２
１の厚さＴを１６０μｍとする。これらは式（３２）、
（３３）および（３４）を満足する。
を３０μｍ、コイルパターン３１ｂの端面とコイル２１
の下面（保護コート３３ｂの表面）の間隔Ｔｃ（保護コ
ート３３ｂの厚さにほぼ等しい）を１５μｍ、コイル２
１の厚さＴを１６０μｍとする。これらは式（３２）、
（３３）および（３４）を満足する。
【０１４９】またコイルパターンの巻数Ｎを４８．５
（コイルパターン３１ａと３１ｂの巻数はともに２４．
２５）とする。これは式（３５）を満足する。
（コイルパターン３１ａと３１ｂの巻数はともに２４．
２５）とする。これは式（３５）を満足する。
【０１５０】またコイルパターンの最内周の最小半径ｒ
１を０．０７ｍｍ、最外周の最大半径ｒ２を０．６９ｍ
ｍとする。これらは上記の式（３６）および（３７）を
満足する。
１を０．０７ｍｍ、最外周の最大半径ｒ２を０．６９ｍ
ｍとする。これらは上記の式（３６）および（３７）を
満足する。
【０１５１】また上記の諸元を有するコイル２１のコア
２０を取り付けない状態における電気特性（コイル２１
単独の電気特性）を測定したところ、１０ＭＨｚにおけ
るインダクタンスＬ０は１．３３μＨ、２０ＭＨｚにお
ける高周波抵抗Ｒｐ０は２９４０Ω、直流抵抗Ｒｓは
２．８０Ω、自己共振周波数ｆｒ０は１６３ＭＨｚであ
った。これらは上記の式（２４）〜（２８）を満足す
る。
２０を取り付けない状態における電気特性（コイル２１
単独の電気特性）を測定したところ、１０ＭＨｚにおけ
るインダクタンスＬ０は１．３３μＨ、２０ＭＨｚにお
ける高周波抵抗Ｒｐ０は２９４０Ω、直流抵抗Ｒｓは
２．８０Ω、自己共振周波数ｆｒ０は１６３ＭＨｚであ
った。これらは上記の式（２４）〜（２８）を満足す
る。
【０１５２】さらに上記のコイル２１を取り付けた磁気
ヘッド１（ただしコアは備えないものとした）におい
て、コイル２１の電気特性の測定を行ったところ１０Ｍ
ＨｚにおけるインダクタンスＬ１は１．３３μＨ、２０
ＭＨｚにおける高周波抵抗Ｒｐ１は２９４０Ωでそれぞ
れＬ０およびＲｐ０に等しかった。また、自己共振周波
数ｆｒ１は１６３ＭＨｚであった。これらは上記の式
（２０）〜（２３）を満足する。
ヘッド１（ただしコアは備えないものとした）におい
て、コイル２１の電気特性の測定を行ったところ１０Ｍ
ＨｚにおけるインダクタンスＬ１は１．３３μＨ、２０
ＭＨｚにおける高周波抵抗Ｒｐ１は２９４０Ωでそれぞ
れＬ０およびＲｐ０に等しかった。また、自己共振周波
数ｆｒ１は１６３ＭＨｚであった。これらは上記の式
（２０）〜（２３）を満足する。
【０１５３】本実施形態は特に供給電流の最高変調周波
数が８ＭＨｚ以上である場合の使用に適している。さら
に巻数Ｎが第５の実施形態よりも多いので磁界発生効率
をより高めることができる。 ◆第７の実施形態 コイルパターン３１ａと３１ｂを銅から成る膜で構成
し、そのピッチＰを２５μｍ、高さＨを５０μｍ、およ
び幅Ｗを１５μｍとする。これらは上記の式（２９）お
よび（３０）を満足し、さらに式（３１）も満足する。
数が８ＭＨｚ以上である場合の使用に適している。さら
に巻数Ｎが第５の実施形態よりも多いので磁界発生効率
をより高めることができる。 ◆第７の実施形態 コイルパターン３１ａと３１ｂを銅から成る膜で構成
し、そのピッチＰを２５μｍ、高さＨを５０μｍ、およ
び幅Ｗを１５μｍとする。これらは上記の式（２９）お
よび（３０）を満足し、さらに式（３１）も満足する。
【０１５４】コイルパターン３１ａと３１ｂの間隔Ｔｂ
を３０μｍ、コイルパターン３１ｂの端面とコイル２１
の下面（保護コート３３ｂの表面）の間隔Ｔｃ（保護コ
ート３３ｂの厚さにほぼ等しい）を１５μｍ、コイル２
１の厚さＴを１６０μｍとする。これらは式（３２）、
（３３）および（３４）を満足する。
を３０μｍ、コイルパターン３１ｂの端面とコイル２１
の下面（保護コート３３ｂの表面）の間隔Ｔｃ（保護コ
ート３３ｂの厚さにほぼ等しい）を１５μｍ、コイル２
１の厚さＴを１６０μｍとする。これらは式（３２）、
（３３）および（３４）を満足する。
【０１５５】またコイルパターンの巻数Ｎを４０．５
（コイルパターン３１ａと３１ｂの巻数はともに２０．
２５）とする。これは式（３５）を満足する。
（コイルパターン３１ａと３１ｂの巻数はともに２０．
２５）とする。これは式（３５）を満足する。
【０１５６】またコイルパターンの最内周の最小半径ｒ
１を０．０７ｍｍ、最外周の最大半径ｒ２を０．５９ｍ
ｍとする。これらは上記の式（３６）および（３７）を
満足する。
１を０．０７ｍｍ、最外周の最大半径ｒ２を０．５９ｍ
ｍとする。これらは上記の式（３６）および（３７）を
満足する。
【０１５７】また上記の諸元を有するコイル２１のコア
２０を取り付けない状態における電気特性（コイル２１
単独の電気特性）を測定したところ、１０ＭＨｚにおけ
るインダクタンスＬ０は０．９２μＨ、２０ＭＨｚにお
ける高周波抵抗Ｒｐ０は２０００Ω、直流抵抗Ｒｓは
２．０３Ω、自己共振周波数ｆｒ０は２０３ＭＨｚであ
った。これらは上記の式（２４）〜（２８）を満足す
る。
２０を取り付けない状態における電気特性（コイル２１
単独の電気特性）を測定したところ、１０ＭＨｚにおけ
るインダクタンスＬ０は０．９２μＨ、２０ＭＨｚにお
ける高周波抵抗Ｒｐ０は２０００Ω、直流抵抗Ｒｓは
２．０３Ω、自己共振周波数ｆｒ０は２０３ＭＨｚであ
った。これらは上記の式（２４）〜（２８）を満足す
る。
【０１５８】さらに上記のコイル２１を取り付けた磁気
ヘッド１（ただしコアは備えないものとした）におい
て、コイル２１の電気特性の測定を行ったところ１０Ｍ
ＨｚにおけるインダクタンスＬ１は０．９２μＨ、２０
ＭＨｚにおける高周波抵抗Ｒｐ１は２０００Ωでそれぞ
れＬ０およびＲｐ０に等しかった。また、自己共振周波
数ｆｒ１は２０３ＭＨｚであった。これらは上記の式
（２０）〜（２３）を満足する。
ヘッド１（ただしコアは備えないものとした）におい
て、コイル２１の電気特性の測定を行ったところ１０Ｍ
ＨｚにおけるインダクタンスＬ１は０．９２μＨ、２０
ＭＨｚにおける高周波抵抗Ｒｐ１は２０００Ωでそれぞ
れＬ０およびＲｐ０に等しかった。また、自己共振周波
数ｆｒ１は２０３ＭＨｚであった。これらは上記の式
（２０）〜（２３）を満足する。
【０１５９】本実施形態は特に供給電流の最高変調周波
数が１４ＭＨｚ以上である場合の使用に適している。
数が１４ＭＨｚ以上である場合の使用に適している。
【０１６０】また前述したように本実施例においては磁
気ヘッド１はコアは備えないかまたはコアを備えるとし
てもコアには突出した磁極を設けることはできないの
で、突出した磁極を備えた第１の実施例に比較すると磁
界の発生効率は小さい。従って本実施例においては磁界
の発生効率の低下を補うためには上記のコイル２１を光
磁気ディスク１１により近接するように配設する必要が
ある。このためコイル２１の光磁気ディスク１１と対向
する下面と摺動面Ａｓまたは浮上面Ａｆの最下点（即ち
光磁気ディスク１１の表面）との間隔ｄ［μｍ］は次の
式（３８） ｄ≦１００［μｍ］ …（３８） を満足するのが望ましい。また保護コート３３ｂを潤滑
性および耐摩耗性に優れた材料で構成することによって
コイル２１の光磁気ディスク１１と対向する下面（保護
コート３３ｂの表面）を摺動面Ａｓまたは浮上面Ａｆと
してもよい。この場合にはｄ＝０となる。
気ヘッド１はコアは備えないかまたはコアを備えるとし
てもコアには突出した磁極を設けることはできないの
で、突出した磁極を備えた第１の実施例に比較すると磁
界の発生効率は小さい。従って本実施例においては磁界
の発生効率の低下を補うためには上記のコイル２１を光
磁気ディスク１１により近接するように配設する必要が
ある。このためコイル２１の光磁気ディスク１１と対向
する下面と摺動面Ａｓまたは浮上面Ａｆの最下点（即ち
光磁気ディスク１１の表面）との間隔ｄ［μｍ］は次の
式（３８） ｄ≦１００［μｍ］ …（３８） を満足するのが望ましい。また保護コート３３ｂを潤滑
性および耐摩耗性に優れた材料で構成することによって
コイル２１の光磁気ディスク１１と対向する下面（保護
コート３３ｂの表面）を摺動面Ａｓまたは浮上面Ａｆと
してもよい。この場合にはｄ＝０となる。
【０１６１】また上記の第１および第２の実施例におい
て説明したコイル２１は以下に説明する方法によって製
造することができる。図７の（ａ）〜（ｅ）および図８
の（ｆ）〜（ｊ）にはコイル１３の製造工程を示す。
て説明したコイル２１は以下に説明する方法によって製
造することができる。図７の（ａ）〜（ｅ）および図８
の（ｆ）〜（ｊ）にはコイル１３の製造工程を示す。
【０１６２】（ａ）は原板研磨の工程である。アルミニ
ウム、銅、亜鉛等の導電性材料から成り、厚さが０．１
ｍｍ程度で表面が平坦で平滑な原板４０ａを用意する。
さらに原板４０ａの表面にその構成材料に応じて特殊な
表面処理、例えば特開平８−２７９６７２号公報に開示
された化学的処理または物理研磨と化学的処理の両方を
施すことによって、後述する感光性樹脂材料の感光波長
（例えば３６５ｎｍ）における表面拡散反射率を２０％
以下とする。
ウム、銅、亜鉛等の導電性材料から成り、厚さが０．１
ｍｍ程度で表面が平坦で平滑な原板４０ａを用意する。
さらに原板４０ａの表面にその構成材料に応じて特殊な
表面処理、例えば特開平８−２７９６７２号公報に開示
された化学的処理または物理研磨と化学的処理の両方を
施すことによって、後述する感光性樹脂材料の感光波長
（例えば３６５ｎｍ）における表面拡散反射率を２０％
以下とする。
【０１６３】（ｂ）は感光性樹脂材料塗布の工程であ
る。ブレードコータにより原板４０ａの表面に感光性樹
脂材料４１ａを均一に所定の厚さとなるように塗布す
る。特に感光性樹脂材料４１ａを特開平６−２８３８３
０号公報に開示された液状感光性樹脂組成物、具体的に
はエチレン性不飽和結合濃度が１０-2〜２×１０-4ｍｏ
ｌ／ｇで、かつ分子量が５００〜１０００００であるエ
チレン性不飽和結合を有するプレポリマーもしくはオリ
ゴマーとエチレン性不飽和化合物単量体から成る液状感
光性樹脂組成物とすると、ピッチＰが１５〜１００μ
ｍ、高さＨが１５〜２００μｍ、幅Ｗが１０〜８０μ
ｍ、Ｈ／Ｗが１〜７であるコイルパターンの形成が可能
であり、コイルパターンのピッチＰ、幅Ｗおよび高さＨ
が上記の式（１０）、（１１）、（１２）または（２
９）、（３０）、（３１）を満足するものとするのに最
適である。
る。ブレードコータにより原板４０ａの表面に感光性樹
脂材料４１ａを均一に所定の厚さとなるように塗布す
る。特に感光性樹脂材料４１ａを特開平６−２８３８３
０号公報に開示された液状感光性樹脂組成物、具体的に
はエチレン性不飽和結合濃度が１０-2〜２×１０-4ｍｏ
ｌ／ｇで、かつ分子量が５００〜１０００００であるエ
チレン性不飽和結合を有するプレポリマーもしくはオリ
ゴマーとエチレン性不飽和化合物単量体から成る液状感
光性樹脂組成物とすると、ピッチＰが１５〜１００μ
ｍ、高さＨが１５〜２００μｍ、幅Ｗが１０〜８０μ
ｍ、Ｈ／Ｗが１〜７であるコイルパターンの形成が可能
であり、コイルパターンのピッチＰ、幅Ｗおよび高さＨ
が上記の式（１０）、（１１）、（１２）または（２
９）、（３０）、（３１）を満足するものとするのに最
適である。
【０１６４】（ｃ）は露光の工程である。ガラス基板４
２ａ上にクロム等の金属膜４３ａによって多数のコイル
パターンと端子とが形成されたマスク４４ａを原板４０
ａの表面に対向して配置し、高圧水銀ランプを光源とす
る平行な紫外線の光束をマスク４４ａを通して照射する
ことによって原板４０ａに塗布した感光性樹脂材料４１
ａを露光する。ここで紫外線を平行な光束とするととも
に前述のように原板４０ａの表面拡散反射率を２０％以
下としたことにより、金属膜４３ａの直下においては感
光性樹脂材料の反応が完全に防止される結果、断面が矩
形でＨ／Ｗが１〜７であるコイルパターンの形成が可能
となる。
２ａ上にクロム等の金属膜４３ａによって多数のコイル
パターンと端子とが形成されたマスク４４ａを原板４０
ａの表面に対向して配置し、高圧水銀ランプを光源とす
る平行な紫外線の光束をマスク４４ａを通して照射する
ことによって原板４０ａに塗布した感光性樹脂材料４１
ａを露光する。ここで紫外線を平行な光束とするととも
に前述のように原板４０ａの表面拡散反射率を２０％以
下としたことにより、金属膜４３ａの直下においては感
光性樹脂材料の反応が完全に防止される結果、断面が矩
形でＨ／Ｗが１〜７であるコイルパターンの形成が可能
となる。
【０１６５】（ｄ）は現像の工程であり、露光された原
板４０ａを現像処理し、感光性樹脂材料４１ａの露光部
分または非露光部分のみを選択的に除去する。感光性樹
脂材料４１ａの残存部分はコイルの絶縁部材３２ａとな
る。
板４０ａを現像処理し、感光性樹脂材料４１ａの露光部
分または非露光部分のみを選択的に除去する。感光性樹
脂材料４１ａの残存部分はコイルの絶縁部材３２ａとな
る。
【０１６６】（ｅ）はメッキの工程である。原板４０ａ
の表面の感光性樹脂材料４１ａの除去部分に、メッキに
よって銅等の導電性材料の膜からなるコイルパターン３
１ａ、第１の端子３５ａおよび第２の端子３５ｂ（図示
せず）を形成する。コイルパターン３１ａの厚さは感光
性樹脂材料４１ａ（絶縁部材３２ａ）と同等とする。
の表面の感光性樹脂材料４１ａの除去部分に、メッキに
よって銅等の導電性材料の膜からなるコイルパターン３
１ａ、第１の端子３５ａおよび第２の端子３５ｂ（図示
せず）を形成する。コイルパターン３１ａの厚さは感光
性樹脂材料４１ａ（絶縁部材３２ａ）と同等とする。
【０１６７】さらにコイルパターン３１ｂと絶縁部材３
２ｂが表面に形成された原板４０ｂも原板４０ａと同様
に上記の工程（ａ）〜（ｅ）によって作成する。
２ｂが表面に形成された原板４０ｂも原板４０ａと同様
に上記の工程（ａ）〜（ｅ）によって作成する。
【０１６８】（ｆ）は貼り合わせの工程である。原板４
０ａと４０ｂとをコイルパターン３１ａと３１ｂとが対
向し正確に位置が重なり合うように、間にポリイミド等
の樹脂材料から成る厚さが２〜７０μｍのシートである
基材３０を挟み、接着剤を用いて貼り合わせる。ただし
コイルパターン３１ａと３１ｂとの間の接着剤の層が十
分な絶縁機能を有する場合には、基材３０を間に挟む必
要はない。
０ａと４０ｂとをコイルパターン３１ａと３１ｂとが対
向し正確に位置が重なり合うように、間にポリイミド等
の樹脂材料から成る厚さが２〜７０μｍのシートである
基材３０を挟み、接着剤を用いて貼り合わせる。ただし
コイルパターン３１ａと３１ｂとの間の接着剤の層が十
分な絶縁機能を有する場合には、基材３０を間に挟む必
要はない。
【０１６９】（ｇ）は原板除去の工程である。原板４０
ａと４０ｂをコイルパターン３１ａ，３１ｂおよび絶縁
部材３２ａ，３２ｂより剥離して除去する。または原板
４０ａと４０ｂを酸またはアルカリ溶液によって溶解し
て除去する。コイルパターン３１ａと絶縁部材３２ａお
よびコイルパターン３１ｂと絶縁部材３２ｂはそれぞれ
原板４０ａ，４０ｂの表面に密着形成されていたから、
原板４０ａおよび４０ｂの除去後に露出するコイルパタ
ーン３１ａと絶縁部材３２ａの表面およびコイルパター
ン３１ｂと絶縁部材３２ｂの表面はそれぞれ面一に形成
され、コイルパターン３１ａ，３１ｂは表面から突出す
ることはない。また原板４０ａ，４０ｂの表面性がその
まま転写されているから非常に平坦で平滑である。
ａと４０ｂをコイルパターン３１ａ，３１ｂおよび絶縁
部材３２ａ，３２ｂより剥離して除去する。または原板
４０ａと４０ｂを酸またはアルカリ溶液によって溶解し
て除去する。コイルパターン３１ａと絶縁部材３２ａお
よびコイルパターン３１ｂと絶縁部材３２ｂはそれぞれ
原板４０ａ，４０ｂの表面に密着形成されていたから、
原板４０ａおよび４０ｂの除去後に露出するコイルパタ
ーン３１ａと絶縁部材３２ａの表面およびコイルパター
ン３１ｂと絶縁部材３２ｂの表面はそれぞれ面一に形成
され、コイルパターン３１ａ，３１ｂは表面から突出す
ることはない。また原板４０ａ，４０ｂの表面性がその
まま転写されているから非常に平坦で平滑である。
【０１７０】（ｈ）は接続部形成の工程である。コイル
パターン３１ａおよび３１ｂの一部にスルーホール等の
接続部３４ａ、および３４ｂ（図示せず）を形成し、接
続部３４ａおよび３４ｂ内にメッキによって銅等の導電
性材料の膜を形成するか、または導電性材料を含むペー
ストを充填することにより、コイルパターン３１ａと３
１ｂとを接続する。
パターン３１ａおよび３１ｂの一部にスルーホール等の
接続部３４ａ、および３４ｂ（図示せず）を形成し、接
続部３４ａおよび３４ｂ内にメッキによって銅等の導電
性材料の膜を形成するか、または導電性材料を含むペー
ストを充填することにより、コイルパターン３１ａと３
１ｂとを接続する。
【０１７１】（ｉ）は保護コート形成の工程である。コ
イルパターン３１ａおよび絶縁部材３２ａ上に保護コー
ト３３ａを、コイルパターン３１ｂおよび絶縁部材３２
ｂ上に保護コート３３ｂを樹脂材料の塗布、または樹脂
材料から成るシートの貼り付けによって形成する。ここ
でコイルパターン３１ａと絶縁部材３２ａの表面、およ
びコイルパターン３１ｂと絶縁部材３２ｂの表面は平坦
で平滑であるから、保護コート３３ａおよび３３ｂはそ
の厚さが上記の式（１４）または（３３）を満足するよ
うに薄く均一で、その表面を平坦で平滑に形成すること
ができる。
イルパターン３１ａおよび絶縁部材３２ａ上に保護コー
ト３３ａを、コイルパターン３１ｂおよび絶縁部材３２
ｂ上に保護コート３３ｂを樹脂材料の塗布、または樹脂
材料から成るシートの貼り付けによって形成する。ここ
でコイルパターン３１ａと絶縁部材３２ａの表面、およ
びコイルパターン３１ｂと絶縁部材３２ｂの表面は平坦
で平滑であるから、保護コート３３ａおよび３３ｂはそ
の厚さが上記の式（１４）または（３３）を満足するよ
うに薄く均一で、その表面を平坦で平滑に形成すること
ができる。
【０１７２】（ｊ）は外形加工の工程である。上記の工
程で多数形成されたコイル２１の各々の中央部に孔ｈ１
を形成し、さらに各コイル２１を所定の形状に切断して
分離する。孔ｈ１の形成や切断には、レーザ加工、また
は打ち抜き加工を用いることができる。
程で多数形成されたコイル２１の各々の中央部に孔ｈ１
を形成し、さらに各コイル２１を所定の形状に切断して
分離する。孔ｈ１の形成や切断には、レーザ加工、また
は打ち抜き加工を用いることができる。
【０１７３】このようにして上記の製造方法によれば、
第１および第２の実施例において説明した各部分の寸法
を特徴として有するコイル２１を容易に製造することが
できるのである。
第１および第２の実施例において説明した各部分の寸法
を特徴として有するコイル２１を容易に製造することが
できるのである。
【０１７４】
【発明の効果】以上説明したように本発明による磁気ヘ
ッド用コイルおよび光磁気記録用磁気ヘッドにおいて
は、コイルは平板状であり、導電性材料の膜から成る２
層以上４層以下のスパイラル状のコイルパターンによっ
て構成される。さらにコイルパターンの諸元を前述した
ように最適にすることによって、従来のマグネットワイ
ヤで構成したコイルに比較してインダクタンスおよび直
流抵抗が十分に低減され、また高周波抵抗は十分に大き
くすることができる。これにより磁界の最高変調周波数
を高くした場合の磁気ヘッドの高周波損失は減少するの
で磁気ヘッドの発熱が磁気ヘッドの磁気特性の劣化を招
いたり、所望の強度の磁界の発生が困難になるという問
題点が解決される。またコイルに印加する駆動電圧も低
減できるので光磁気記録装置の消費電力を増大させるこ
となく磁界の最高変調周波数を８ＭＨｚ以上とすること
ができ、情報信号の記録速度が向上するのである。
ッド用コイルおよび光磁気記録用磁気ヘッドにおいて
は、コイルは平板状であり、導電性材料の膜から成る２
層以上４層以下のスパイラル状のコイルパターンによっ
て構成される。さらにコイルパターンの諸元を前述した
ように最適にすることによって、従来のマグネットワイ
ヤで構成したコイルに比較してインダクタンスおよび直
流抵抗が十分に低減され、また高周波抵抗は十分に大き
くすることができる。これにより磁界の最高変調周波数
を高くした場合の磁気ヘッドの高周波損失は減少するの
で磁気ヘッドの発熱が磁気ヘッドの磁気特性の劣化を招
いたり、所望の強度の磁界の発生が困難になるという問
題点が解決される。またコイルに印加する駆動電圧も低
減できるので光磁気記録装置の消費電力を増大させるこ
となく磁界の最高変調周波数を８ＭＨｚ以上とすること
ができ、情報信号の記録速度が向上するのである。
【図１】本発明の第１の実施例である光磁気記録用磁気
ヘッドの構成を示す図である。
ヘッドの構成を示す図である。
【図２】本発明による磁気ヘッド用コイルの構成を示す
図である。
図である。
【図３】本発明の第１の実施例である光磁気記録装置の
概略構成を示す図である。
概略構成を示す図である。
【図４】本発明の第２の実施例である光磁気記録用磁気
ヘッドの構成を示す図である。
ヘッドの構成を示す図である。
【図５】本発明の第２の実施例である光磁気記録装置の
概略構成を示す図である。
概略構成を示す図である。
【図６】コイルの等価回路を示す図である。
【図７】本発明による磁気ヘッド用コイルの製造工程を
示す図である。
示す図である。
【図８】本発明による磁気ヘッド用コイルの製造工程を
示す図である。
示す図である。
【図９】従来の光磁気記録用磁気ヘッドの構成を示す図
である。
である。
１ 磁気ヘッド ２ 光ヘッド ３ スピンドルモータ ４ 支持部材 ５ 連結部材 ６ 磁気ヘッド駆動回路 ７ 記録信号生成回路 ８ レーザ駆動回路 ９ 増幅回路 １０ 情報信号再生回路 １１ 光磁気ディスク １２ 基板 １３ 磁気記録層 ２０ コア ２１ コイル ２２ スライダー ２３ レンズ ３０ 基材 ３１ａ，３１ｂ コイルパターン ３２ａ，３２ｂ 絶縁部材 ３３ａ，３３ｂ 保護コート ３４ａ，３４ｂ 接続部 ３５ａ 第１の端子 ３５ｂ 第２の端子 ４０ａ，４０ｂ 原板 ４１ａ 感光性樹脂材料 ４２ａ ガラス基板 ４３ａ 金属膜 ４４ａ マスク
Claims (30)
- 【請求項１】 導電性材料の膜から成るスパイラル状の
コイルパターンおよび前記コイルパターンに接続された
２つの端子より構成された平板状の磁気ヘッド用コイル
において、前記コイルパターンの断面形状は略矩形であ
り、前記コイルパターンの最小のピッチＰ［μｍ］、ピ
ッチＰが最小である部分における前記断面形状の幅Ｗ
［μｍ］および高さＨ［μｍ］は次の式（１０）および
（１１） １５［μｍ］≦Ｐ≦７０［μｍ］ …（１０） １．８５−０．０１２Ｐ≦Ｈ／Ｗ≦７．５−０．０６Ｐ …（１１） をともに満足し、さらに少なくとも磁性材料から成るコ
アを取り付けない状態において、前記コイルの前記２つ
の端子間のインピーダンスＺ０が、等価的にインダクタ
ンスＬ０、インダクタンスＬ０に並列な高周波抵抗Ｒｐ
０およびインダクタンスＬ０に直列で周波数に依存しな
い直流抵抗Ｒｓで構成されるものと見なした場合に、１
０ＭＨｚにおけるインダクタンスＬ０［μＨ］が次の式
（５） Ｌ０≦０．８５［μＨ］ …（５） を満足することを特徴とする磁気ヘッド用コイル。 - 【請求項２】 さらに１０ＭＨｚにおけるインダクタン
スＬ０［μＨ］、２０ＭＨｚにおける高周波抵抗Ｒｐ０
［Ω］、および直流抵抗Ｒｓ［Ω］が次の式（６）およ
び（８） Ｒｐ０≧Ｌ０×１５００ …（６） Ｒｓ≦２［Ω］ …（８） を満足することを特徴とする請求項１に記載の磁気ヘッ
ド用コイル。 - 【請求項３】 さらに１０ＭＨｚにおけるインダクタン
スＬ０［μＨ］、および２０ＭＨｚにおける高周波抵抗
Ｒｐ０［Ω］が次の式（７） Ｒｐ０≧Ｌ０×２０００ …（７） を満足することを特徴とする請求項２に記載の磁気ヘッ
ド用コイル。 - 【請求項４】 少なくとも前記コイルパターンの内の１
層は前記磁気ヘッド用コイルの光磁気記録媒体と対向す
る下面側に設けられ、前記各コイルパターンの間隔Ｔｂ
［μｍ］、前記下面側に設けられた前記コイルパターン
の端面と前記磁気ヘッド用コイルの下面の間隔Ｔｃ［μ
ｍ］、および前記磁気ヘッド用コイルの厚さＴ［μｍ］
は次の式（１３）、（１４）および（１５） ２［μｍ］≦Ｔｂ≦７０［μｍ］ …（１３） Ｔｃ≦１．５Ｈ …（１４） ５０［μｍ］≦Ｔ≦４５０［μｍ］ …（１５） を満足することを特徴とする請求項１から３のいずれか
に記載の磁気ヘッド用コイル。 - 【請求項５】 前記コイルパターンの巻数の合計Ｎ、前
記コイルパターンの最内周の最小半径ｒ１［ｍｍ］およ
び最外周の最大半径ｒ２［ｍｍ］は次の式（１６）、
（１７）および（１８） １４≦Ｎ≦４０ …（１６） ｒ１≦０．２［ｍｍ］ …（１７） ｒ２≦１．１［ｍｍ］ …（１８） を満足することを特徴とする請求項１から３のいずれか
に記載の磁気ヘッド用コイル。 - 【請求項６】 導電性材料の膜から成るスパイラル状の
コイルパターンおよび前記コイルパターンに接続された
２つの端子より構成された平板状の磁気ヘッド用コイル
において、前記コイルの中央には光の透過部が形成さ
れ、前記コイルパターンの断面形状は略矩形であり、前
記コイルパターンの最小のピッチＰ［μｍ］、ピッチＰ
が最小である部分における前記断面形状の幅Ｗ［μｍ］
および高さＨ［μｍ］は次の式（２９）および（３０） １５［μｍ］≦Ｐ≦５０［μｍ］ …（２９） １．８５−０．０１２Ｐ≦Ｈ／Ｗ≦７．５−０．０６Ｐ …（３０） をともに満足し、さらに少なくとも磁性材料から成るコ
アを取り付けない状態において、前記コイルの前記２つ
の端子間のインピーダンスＺ０が、等価的にインダクタ
ンスＬ０、インダクタンスＬ０に並列な高周波抵抗Ｒｐ
０およびインダクタンスＬ０に直列で周波数に依存しな
い直流抵抗Ｒｓで構成されるものと見なした場合に、１
０ＭＨｚにおけるインダクタンスＬ０［μＨ］が次の式
（２４） Ｌ０≦１．４［μＨ］ …（２４） を満足することを特徴とする磁気ヘッド用コイル。 - 【請求項７】 さらに１０ＭＨｚにおけるインダクタン
スＬ０［μＨ］、２０ＭＨｚにおける高周波抵抗Ｒｐ０
［Ω］、および直流抵抗Ｒｓ［Ω］が次の式（２５）お
よび（２７） Ｒｐ０≧Ｌ０×１２００ …（２５） Ｒｓ≦６［Ω］ …（２７） を満足することを特徴とする請求項６に記載の磁気ヘッ
ド用コイル。 - 【請求項８】 さらに１０ＭＨｚにおけるインダクタン
スＬ０［μＨ］、および２０ＭＨｚにおける高周波抵抗
Ｒｐ０［Ω］が次の式（２６） Ｒｐ０≧Ｌ０×１５００ …（２６） を満足することを特徴とする請求項７に記載の磁気ヘッ
ド用コイル。 - 【請求項９】 少なくとも前記コイルパターンの内の１
層は前記磁気ヘッド用コイルの光磁気記録媒体と対向す
る下面側に設けられ、前記各コイルパターンの間隔Ｔｂ
［μｍ］、前記下面側に設けられた前記コイルパターン
の端面と前記磁気ヘッド用コイルの下面の間隔Ｔｃ［μ
ｍ］、および前記磁気ヘッド用コイルの厚さＴ［μｍ］
は次の式（３２）、（３３）および（３４） ２［μｍ］≦Ｔｂ≦７０［μｍ］ …（３２） Ｔｃ≦１．５Ｈ …（３３） ３０［μｍ］≦Ｔ≦３００［μｍ］ …（３４） を満足することを特徴とする請求項６から８のいずれか
に記載の磁気ヘッド用コイル。 - 【請求項１０】 前記コイルパターンの巻数の合計Ｎ、
前記コイルパターンの最内周の最小半径ｒ１［ｍｍ］お
よび最外周の最大半径ｒ２［ｍｍ］は次の式（３５）、
（３６）および（３７） ２０≦Ｎ≦７０ …（３５） ｒ１≦０．１３［ｍｍ］ …（３６） ｒ２≦１．０［ｍｍ］ …（３７） を満足することを特徴とする請求項６から８のいずれか
に記載の磁気ヘッド用コイル。 - 【請求項１１】 少なくとも磁性材料から成るコアを取
り付けない状態において、前記コイルのインピーダンス
の大きさ｜Ｚ０｜が極大となる自己共振周波数ｆｒ０
［ＭＨｚ］、および１０ＭＨｚにおけるインダクタンス
Ｌ０［μＨ］が次の式（９） 【数１】 を満足することを特徴とする請求項１から３または６か
ら８のいずれかに記載の磁気ヘッド用コイル。 - 【請求項１２】 前記コイルパターンは２層以上４層以
下に形成されたことを特徴とする請求項１から３または
６から８のいずれかに記載の磁気ヘッド用コイル。 - 【請求項１３】 前記コイルパターンにおける前記ピッ
チＰ［μｍ］および前記幅Ｗ［μｍ］は次の式（１２） ０．５５≦Ｗ／Ｐ≦０．８ …（１２） を満足することを特徴とする請求項１から３または６か
ら８のいずれかに記載の磁気ヘッド用コイル。 - 【請求項１４】 磁性材料から成るコアおよび平板状の
コイルを備えた光磁気記録用磁気ヘッドにおいて、前記
コイルは導電性材料の膜から成るスパイラル状のコイル
パターンおよび前記コイルパターンに接続された２つの
端子より構成され、前記コイルパターンの断面形状は略
矩形であり、前記コイルパターンの最小のピッチＰ［μ
ｍ］、ピッチＰが最小である部分における前記断面形状
の幅Ｗ［μｍ］および高さＨ［μｍ］は次の式（１０）
および（１１） １５［μｍ］≦Ｐ≦７０［μｍ］ …（１０） １．８５−０．０１２Ｐ≦Ｈ／Ｗ≦７．５−０．０６Ｐ …（１１） をともに満足し、さらに前記コイルの前記２つの端子間
のインピーダンスＺ１が、等価的にインダクタンスＬ
１、インダクタンスＬ１に並列な高周波抵抗Ｒｐ１およ
びインダクタンスＬ１に直列で周波数に依存しない直流
抵抗Ｒｓで構成されるものと見なした場合に、１０ＭＨ
ｚにおけるインダクタンスＬ１［μＨ］が次の式（１） Ｌ１≦１．４［μＨ］ …（１） を満足することを特徴とする光磁気記録用磁気ヘッド。 - 【請求項１５】 さらに１０ＭＨｚにおけるインダクタ
ンスＬ１［μＨ］、２０ＭＨｚにおける高周波抵抗Ｒｐ
１［Ω］、および直流抵抗Ｒｓ［Ω］が次の式（２）お
よび（８） Ｒｐ１≧Ｌ１×１５００ …（２） Ｒｓ≦２［Ω］ …（８） を満足することを特徴とする請求項１４に記載の光磁気
記録用磁気ヘッド。 - 【請求項１６】 さらに１０ＭＨｚにおけるインダクタ
ンスＬ１［μＨ］、および２０ＭＨｚにおける高周波抵
抗Ｒｐ１［Ω］が次の式（３） Ｒｐ１≧Ｌ１×２０００ …（３） を満足することを特徴とする請求項１５に記載の光磁気
記録用磁気ヘッド。 - 【請求項１７】 少なくとも前記コイルパターンの内の
１層は前記コイルの光磁気記録媒体と対向する下面側に
設けられ、前記各コイルパターンの間隔Ｔｂ［μｍ］、
前記下面側に設けられた前記コイルパターンの端面と前
記コイルの下面の間隔Ｔｃ［μｍ］、および前記コイル
の厚さＴ［μｍ］は次の式（１３）、（１４）および
（１５） ２［μｍ］≦Ｔｂ≦７０［μｍ］ …（１３） Ｔｃ≦１．５Ｈ …（１４） ５０［μｍ］≦Ｔ≦４５０［μｍ］ …（１５） を満足することを特徴とする請求項１４から１６のいず
れかに記載の光磁気記録用磁気ヘッド。 - 【請求項１８】 前記コイルパターンの巻数の合計Ｎ、
前記コイルパターンの最内周の最小半径ｒ１［ｍｍ］お
よび最外周の最大半径ｒ２［ｍｍ］は次の式（１６）、
（１７）および（１８） １４≦Ｎ≦４０ …（１６） ｒ１≦０．２［ｍｍ］ …（１７） ｒ２≦１．１［ｍｍ］ …（１８） を満足することを特徴とする請求項１４から１６のいず
れかに記載の光磁気記録用磁気ヘッド。 - 【請求項１９】 前記光磁気記録用磁気ヘッドには光磁
気記録媒体上を摺動するための摺動面または浮上走行す
るための浮上面が形成され、前記コイルの光磁気記録媒
体と対向する下面と前記摺動面または浮上面の最下点と
の間隔ｄ［μｍ］は次の式（１９） ｄ≦２００［μｍ］ …（１９） を満足することを特徴とする請求項１４から１６のいず
れかに記載の光磁気記録用磁気ヘッド。 - 【請求項２０】 平板状のコイルを備えた光磁気記録用
磁気ヘッドにおいて、前記コイルは導電性材料の膜から
成るスパイラル状のコイルパターンおよび前記コイルパ
ターンに接続された２つの端子より構成され、前記コイ
ルの中央には光の透過部が形成され、前記コイルパター
ンの断面形状は略矩形であり、前記コイルパターンの最
小のピッチＰ［μｍ］、ピッチＰが最小である部分にお
ける前記断面形状の幅Ｗ［μｍ］および高さＨ［μｍ］
は次の式（２９）および（３０） １５［μｍ］≦Ｐ≦５０［μｍ］ …（２９） １．８５−０．０１２Ｐ≦Ｈ／Ｗ≦７．５−０．０６Ｐ …（３０） をともに満足し、さらに前記コイルの前記２つの端子間
のインピーダンスＺ１が、等価的にインダクタンスＬ
１、インダクタンスＬ１に並列な高周波抵抗Ｒｐ１およ
びインダクタンスＬ１に直列で周波数に依存しない直流
抵抗Ｒｓで構成されるものと見なした場合に、１０ＭＨ
ｚにおけるインダクタンスＬ１［μＨ］が次の式（２
０） Ｌ１≦１．４［μＨ］ …（２０） を満足することを特徴とする光磁気記録用磁気ヘッド。 - 【請求項２１】 さらに１０ＭＨｚにおけるインダクタ
ンスＬ１［μＨ］、２０ＭＨｚにおける高周波抵抗Ｒｐ
１［Ω］、および直流抵抗Ｒｓ［Ω］が次の式（２１）
および（２７） Ｒｐ１≧Ｌ１×１２００ …（２１） Ｒｓ≦６［Ω］ …（２７） を満足することを特徴とする請求項２０に記載の光磁気
記録用磁気ヘッド。 - 【請求項２２】 さらに１０ＭＨｚにおけるインダクタ
ンスＬ１［μＨ］、および２０ＭＨｚにおける高周波抵
抗Ｒｐ１［Ω］が次の式（２２） Ｒｐ１≧Ｌ１×１５００ …（２２） を満足することを特徴とする請求項２１に記載の光磁気
記録用磁気ヘッド。 - 【請求項２３】 少なくとも前記コイルパターンの内の
１層は前記コイルの光磁気記録媒体と対向する下面側に
設けられ、前記各コイルパターンの間隔Ｔｂ［μｍ］、
前記下面側に設けられた前記コイルパターンの端面と前
記コイルの下面の間隔Ｔｃ［μｍ］、および前記コイル
の厚さＴ［μｍ］は次の式（３２）、（３３）および
（３４） ２［μｍ］≦Ｔｂ≦７０［μｍ］ …（３２） Ｔｃ≦１．５Ｈ …（３３） ３０［μｍ］≦Ｔ≦３００［μｍ］ …（３４） を満足することを特徴とする請求項２０から２２のいず
れかに記載の光磁気記録用磁気ヘッド。 - 【請求項２４】 前記コイルパターンの巻数の合計Ｎ、
前記コイルパターンの最内周の最小半径ｒ１［ｍｍ］お
よび最外周の最大半径ｒ２［ｍｍ］は次の式（３５）、
（３６）および（３７） ２０≦Ｎ≦７０ …（３５） ｒ１≦０．１３［ｍｍ］ …（３６） ｒ２≦１．０［ｍｍ］ …（３７） を満足することを特徴とする請求項２０から２２のいず
れかに記載の光磁気記録用磁気ヘッド。 - 【請求項２５】 前記光磁気記録用磁気ヘッドには光磁
気記録媒体上を摺動するための摺動面または浮上走行す
るための浮上面が形成され、前記コイルの光磁気記録媒
体と対向する下面と前記摺動面または浮上面の最下点と
の間隔ｄ［μｍ］は次の式（３８） ｄ≦１００［μｍ］ …（３８） を満足することを特徴とする請求項２０から２２のいず
れかに記載の光磁気記録用磁気ヘッド。 - 【請求項２６】 前記コイルのインピーダンスの大きさ
｜Ｚ１｜が極大となる自己共振周波数ｆｒ１［ＭＨ
ｚ］、および１０ＭＨｚにおけるインダクタンスＬ１
［μＨ］が次の式（４） 【数２】 を満足することを特徴とする請求項１４から１６または
２０から２２のいずれかに記載の光磁気記録用磁気ヘッ
ド。 - 【請求項２７】 前記コイルパターンは２層以上４層以
下に形成されたことを特徴とする請求項１４から１６ま
たは２０から２２のいずれかに記載の磁気ヘッド用コイ
ル。 - 【請求項２８】 前記コイルパターンにおける前記ピッ
チＰ［μｍ］および前記幅Ｗ［μｍ］は次の式（１２） ０．５５≦Ｗ／Ｐ≦０．８ …（１２） を満足することを特徴とする請求項１４から１６または
２０から２２のいずれかに記載の光磁気記録用磁気ヘッ
ド。 - 【請求項２９】 さらにレンズを備えたことを特徴とす
る請求項２０から２２のいずれかに記載の光磁気記録用
磁気ヘッド。 - 【請求項３０】 光磁気記録媒体に光を照射する光ヘッ
ド、および前記光磁気記録媒体に情報信号で変調された
磁界を印加する磁気ヘッドとを備えた光磁気記録装置に
おいて、前記磁気ヘッドは請求項１４から２９のいずれ
かに記載の光磁気記録用磁気ヘッドであることを特徴と
する光磁気記録装置。
Priority Applications (8)
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| PCT/JP1999/002317 WO1999057717A1 (fr) | 1998-05-07 | 1999-04-30 | Bobine pour tete magnetique, tete magnetique, et enregistreur magneto-optique |
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|---|---|---|---|
| JP12473498 | 1998-05-07 | ||
| JP10-124734 | 1998-05-07 | ||
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|---|---|---|---|
| JP11075275A Pending JP2000030203A (ja) | 1998-05-07 | 1999-03-19 | 磁気ヘッド用コイル、光磁気記録用磁気ヘッドおよび光磁気記録装置 |
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