JPH06195796A - 光磁気記録用磁気ヘッドおよび光磁気記録装置 - Google Patents
光磁気記録用磁気ヘッドおよび光磁気記録装置Info
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- JPH06195796A JPH06195796A JP5216931A JP21693193A JPH06195796A JP H06195796 A JPH06195796 A JP H06195796A JP 5216931 A JP5216931 A JP 5216931A JP 21693193 A JP21693193 A JP 21693193A JP H06195796 A JPH06195796 A JP H06195796A
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- G11B11/10—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field
- G11B11/105—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field using a beam of light or a magnetic field for recording by change of magnetisation and a beam of light for reproducing, i.e. magneto-optical, e.g. light-induced thermomagnetic recording, spin magnetisation recording, Kerr or Faraday effect reproducing
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- G11B11/10532—Heads
- G11B11/10534—Heads for recording by magnetising, demagnetising or transfer of magnetisation, by radiation, e.g. for thermomagnetic recording
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- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/147—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive with cores being composed of metal sheets, i.e. laminated cores with cores composed of isolated magnetic layers, e.g. sheets
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- G—PHYSICS
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- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Magnetic Heads (AREA)
- Thin Magnetic Films (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 発生磁界が飽和することなく、良好な信号記
録に必要な２００〜３００ Oe の磁界の発生が可能とし
た光磁気記録用磁気ヘッドを提供する。 【構成】 高透磁率、高飽和磁束密度を有する磁性体薄
膜を絶縁膜を挟んで複数積層することにより、コアが構
成されていることを特徴とする。
録に必要な２００〜３００ Oe の磁界の発生が可能とし
た光磁気記録用磁気ヘッドを提供する。 【構成】 高透磁率、高飽和磁束密度を有する磁性体薄
膜を絶縁膜を挟んで複数積層することにより、コアが構
成されていることを特徴とする。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、磁界変調方式により、
光磁気記録媒体に情報信号の記録を行なうための光磁気
記録用磁気ヘッドおよび光磁気記録装置に関するもので
ある。
光磁気記録媒体に情報信号の記録を行なうための光磁気
記録用磁気ヘッドおよび光磁気記録装置に関するもので
ある。
【０００２】
【従来の技術】光磁気ディスクなどの光磁気記録媒体に
高密度で情報を記録する光磁気記録装置には、磁界変調
方式によるものが知られている。この方式では、記録媒
体に対して、レーザ光を直径１μｍ程度の光スポットに
収束して照射し、他方、磁気ヘッドにより、情報信号で
変調された磁界を上記レーザ光の照射部位に印加するこ
とで情報信号の記録を行なう。
高密度で情報を記録する光磁気記録装置には、磁界変調
方式によるものが知られている。この方式では、記録媒
体に対して、レーザ光を直径１μｍ程度の光スポットに
収束して照射し、他方、磁気ヘッドにより、情報信号で
変調された磁界を上記レーザ光の照射部位に印加するこ
とで情報信号の記録を行なう。
【０００３】一般的に知られている磁界変調方式の光磁
気記録装置は、図１６に示すような構成を成している。
ここで使用される光磁気記録媒体１はディスク状であ
り、透明基板上に信号記録層を形成した構造になってい
る。上記ディスク１はスピンドルモータ２で回転駆動さ
れる。この時、ディスク１の上面側には浮上式磁気ヘッ
ド３が、また、下面側には上記磁気ヘッド３に相対向し
て光学ヘッド４が配置される。上記磁気ヘッド３は、サ
スペンション５の先端に保持され、また、光学ヘッド４
と上記サスペンション５の固定端とは、連結部材６によ
り、互いに連結されて、光磁気ユニットを構成してい
る。上記連結部材６はリニアモータ７に取付けられてお
り、従って、上記リニアモータ７の駆動により、光学ヘ
ッド４と磁気ヘッド３とは一体となって、ディスク１の
半径方向へ移送される構成となっている。
気記録装置は、図１６に示すような構成を成している。
ここで使用される光磁気記録媒体１はディスク状であ
り、透明基板上に信号記録層を形成した構造になってい
る。上記ディスク１はスピンドルモータ２で回転駆動さ
れる。この時、ディスク１の上面側には浮上式磁気ヘッ
ド３が、また、下面側には上記磁気ヘッド３に相対向し
て光学ヘッド４が配置される。上記磁気ヘッド３は、サ
スペンション５の先端に保持され、また、光学ヘッド４
と上記サスペンション５の固定端とは、連結部材６によ
り、互いに連結されて、光磁気ユニットを構成してい
る。上記連結部材６はリニアモータ７に取付けられてお
り、従って、上記リニアモータ７の駆動により、光学ヘ
ッド４と磁気ヘッド３とは一体となって、ディスク１の
半径方向へ移送される構成となっている。
【０００４】上記磁界変調方式の光磁気記録装置におい
て、ディスク１に情報信号の記録を行なう場合は、スピ
ンドルモータ２で、上記ディスク１を高速に回転させた
状態で、光学ヘッド４より、レーザ光８をディスク１の
信号記録層上に照射し、直径１μｍ程度の光スポットと
して結像する。これによって、信号記録層の温度がキュ
リー温度以上に上昇する。同時に、上記昇温部位に対し
て、上記磁気ヘッド３は、磁気ヘッド駆動手段９によ
り、情報信号に応じて変調されたバイアス磁界を印加す
る。これにより、信号記録層の磁化の方向がバイアス磁
界の方向に向き、信号記録層上に情報信号が記録され
る。
て、ディスク１に情報信号の記録を行なう場合は、スピ
ンドルモータ２で、上記ディスク１を高速に回転させた
状態で、光学ヘッド４より、レーザ光８をディスク１の
信号記録層上に照射し、直径１μｍ程度の光スポットと
して結像する。これによって、信号記録層の温度がキュ
リー温度以上に上昇する。同時に、上記昇温部位に対し
て、上記磁気ヘッド３は、磁気ヘッド駆動手段９によ
り、情報信号に応じて変調されたバイアス磁界を印加す
る。これにより、信号記録層の磁化の方向がバイアス磁
界の方向に向き、信号記録層上に情報信号が記録され
る。
【０００５】このような光磁気記録装置に使用される光
磁気記録用磁気ヘッドの構成を、図１５に示す。ここ
で、（ｂ）は磁気ヘッドの全体斜視図であり、（ａ）は
そのコアの拡大図である。ここで、Ｃはコアで、一般的
には、高透磁率のフェライトにより構成される。また、
ＷはコアＣの主磁極に巻回されたコイルである。前記磁
気ヘッドは、ディスクの高速回転にともなって生じる空
気流により、ディスクとの間に微小な間隔を保ちなが
ら、浮上走行するために、空気力学的な浮上面形状を有
するスライダーＳＬを具有しており、これを非磁性のセ
ラミックなどで構成している。そして、コアＣとスライ
ダーＳＬとは、ガラスＧにより融着されている。
磁気記録用磁気ヘッドの構成を、図１５に示す。ここ
で、（ｂ）は磁気ヘッドの全体斜視図であり、（ａ）は
そのコアの拡大図である。ここで、Ｃはコアで、一般的
には、高透磁率のフェライトにより構成される。また、
ＷはコアＣの主磁極に巻回されたコイルである。前記磁
気ヘッドは、ディスクの高速回転にともなって生じる空
気流により、ディスクとの間に微小な間隔を保ちなが
ら、浮上走行するために、空気力学的な浮上面形状を有
するスライダーＳＬを具有しており、これを非磁性のセ
ラミックなどで構成している。そして、コアＣとスライ
ダーＳＬとは、ガラスＧにより融着されている。
【０００６】
【発明が解決しようとしている課題】図５は、従来の光
磁気記録用磁気ヘッドにおけるコイルに流す記録電流と
磁気ヘッドの発生磁界の関係を示すグラフである。な
お、ここで示すのは、標準的な従来の磁気ヘッドの一例
であり、コアは、その飽和磁束密度が５ｋＧのフェライ
トにより構成され、また、磁極寸法が０．１５ｍｍ×
０．１５ｍｍ、コイル巻回数が２０回である。ここで、
一般には、光磁気ディスクに良好な状態で信号記録を行
なうために、２００〜３００Ｏｅのバイアス磁界を印加
する必要がある。このグラフによると、記録電流が小さ
い場合には、発生磁界が記録電流に比例するのである
が、記録電流の増加にともなって、やがて、発生磁界が
飽和する。これは、コア内部での磁束密度がフェライト
の飽和磁束密度を越えて増大することができないことに
よるものである。
磁気記録用磁気ヘッドにおけるコイルに流す記録電流と
磁気ヘッドの発生磁界の関係を示すグラフである。な
お、ここで示すのは、標準的な従来の磁気ヘッドの一例
であり、コアは、その飽和磁束密度が５ｋＧのフェライ
トにより構成され、また、磁極寸法が０．１５ｍｍ×
０．１５ｍｍ、コイル巻回数が２０回である。ここで、
一般には、光磁気ディスクに良好な状態で信号記録を行
なうために、２００〜３００Ｏｅのバイアス磁界を印加
する必要がある。このグラフによると、記録電流が小さ
い場合には、発生磁界が記録電流に比例するのである
が、記録電流の増加にともなって、やがて、発生磁界が
飽和する。これは、コア内部での磁束密度がフェライト
の飽和磁束密度を越えて増大することができないことに
よるものである。
【０００７】しかも、飽和磁界の大きさは、図示のよう
に、記録信号の周波数ｆに依存し、周波数ｆが高くなる
程、飽和磁界は低下する傾向にある。このような現象
は、記録信号の周波数ｆが高い程、磁気ヘッドにおける
高周波損失（主に、コアを構成する磁性材料に固有の性
質）が増大するため磁気ヘッドが発熱し、それにともな
って、コアを構成するフェライトの飽和磁束密度が低下
することに帰因するものである。一例として、従来の光
磁気記録用磁気ヘッドのコアに使用されるフェライトの
飽和磁束密度Ｂｓの温度依存性を図６に示す。図示のよ
うに、フェライトの飽和磁束密度Ｂｓは常温（２５℃）
では５ｋＧであるが、温度の上昇とともに低下し、１０
０℃においては約３ｋＧとなるのである。
に、記録信号の周波数ｆに依存し、周波数ｆが高くなる
程、飽和磁界は低下する傾向にある。このような現象
は、記録信号の周波数ｆが高い程、磁気ヘッドにおける
高周波損失（主に、コアを構成する磁性材料に固有の性
質）が増大するため磁気ヘッドが発熱し、それにともな
って、コアを構成するフェライトの飽和磁束密度が低下
することに帰因するものである。一例として、従来の光
磁気記録用磁気ヘッドのコアに使用されるフェライトの
飽和磁束密度Ｂｓの温度依存性を図６に示す。図示のよ
うに、フェライトの飽和磁束密度Ｂｓは常温（２５℃）
では５ｋＧであるが、温度の上昇とともに低下し、１０
０℃においては約３ｋＧとなるのである。
【０００８】さて、近年このような光磁気記録装置にお
いて、信号記録の高速化に対する要求が強くなり、これ
にともない記録信号の周波数を高くする必要がある。と
ころが、上述のように、記録信号の周波数を高くした場
合には、磁気ヘッドにおける高周波損失の増大のため、
飽和磁界が低下し、例えば、図５に示したように、記録
信号の周波数を１０ＭＨｚ以上とした場合、記録電流を
いくら増大しても、良好な信号記録に必要な２００Ｏｅ
以上の発生磁界を得ることはできない。このように、記
録信号の周波数は、磁気ヘッドの能力により制限される
ため、より高速で信号記録することができないという問
題点がある。
いて、信号記録の高速化に対する要求が強くなり、これ
にともない記録信号の周波数を高くする必要がある。と
ころが、上述のように、記録信号の周波数を高くした場
合には、磁気ヘッドにおける高周波損失の増大のため、
飽和磁界が低下し、例えば、図５に示したように、記録
信号の周波数を１０ＭＨｚ以上とした場合、記録電流を
いくら増大しても、良好な信号記録に必要な２００Ｏｅ
以上の発生磁界を得ることはできない。このように、記
録信号の周波数は、磁気ヘッドの能力により制限される
ため、より高速で信号記録することができないという問
題点がある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明は、以上述べたよ
うな従来の光磁気記録用磁気ヘッドにおける問題点を解
決するものであり、高透磁率、高飽和磁束密度を有する
磁性体薄膜を、絶縁膜を挟んで、複数積層して、光磁気
記録用磁気ヘッドのコアを構成したことを特徴とするも
のである。
うな従来の光磁気記録用磁気ヘッドにおける問題点を解
決するものであり、高透磁率、高飽和磁束密度を有する
磁性体薄膜を、絶縁膜を挟んで、複数積層して、光磁気
記録用磁気ヘッドのコアを構成したことを特徴とするも
のである。
【００１０】また、本発明は、高透磁率、高飽和磁束密
度を有する磁性体薄膜を、絶縁膜を挟んで、複数積層し
た積層体を両側より基板で挟むことにより、光磁気記録
用磁気ヘッドのコアを構成したことを特徴とするもので
ある。さらには、上記基板はフェライトからなることを
特徴とするものである。
度を有する磁性体薄膜を、絶縁膜を挟んで、複数積層し
た積層体を両側より基板で挟むことにより、光磁気記録
用磁気ヘッドのコアを構成したことを特徴とするもので
ある。さらには、上記基板はフェライトからなることを
特徴とするものである。
【００１１】また、本発明は、上記磁性体薄膜の厚さを
１０μｍ以下とすることにより、磁気ヘッドの特性を高
めるようにしたものである。
１０μｍ以下とすることにより、磁気ヘッドの特性を高
めるようにしたものである。
【００１２】また、本発明は、上記磁性体薄膜がＦｅ−
Ａｌ−Ｓｉ合金（センダスト）、Ｆｅ−Ｎｉ合金（パー
マロイ）、Ｆｅ−（Ｍ）合金、ＦｅＮｉ−（Ｍ）合金、
ＦｅＣｏ−（Ｍ）合金、Ｃｏ−（Ｍ）合金（ただし、
（Ｍ）は、Ｓｉ，Ｂ，Ｃ，Ｐ，Ｎ，Ａｌ，Ｍｏ，Ｔｉ，
Ｚｒ，Ｎｂ，Ｈｆ，Ｔａ，Ｙのうち、少なくとも一種類
以上の元素を含むものとする）のうちのいずれかにより
構成されることを特徴とするものである。
Ａｌ−Ｓｉ合金（センダスト）、Ｆｅ−Ｎｉ合金（パー
マロイ）、Ｆｅ−（Ｍ）合金、ＦｅＮｉ−（Ｍ）合金、
ＦｅＣｏ−（Ｍ）合金、Ｃｏ−（Ｍ）合金（ただし、
（Ｍ）は、Ｓｉ，Ｂ，Ｃ，Ｐ，Ｎ，Ａｌ，Ｍｏ，Ｔｉ，
Ｚｒ，Ｎｂ，Ｈｆ，Ｔａ，Ｙのうち、少なくとも一種類
以上の元素を含むものとする）のうちのいずれかにより
構成されることを特徴とするものである。
【００１３】また、本発明は、磁性材料からなる基板の
両面に、高透磁率、高飽和磁束密度を有する磁性体薄膜
が、絶縁膜を挟んで、複数積層して光磁気記録用磁気ヘ
ッドのコアを構成したことを特徴とするものである。
両面に、高透磁率、高飽和磁束密度を有する磁性体薄膜
が、絶縁膜を挟んで、複数積層して光磁気記録用磁気ヘ
ッドのコアを構成したことを特徴とするものである。
【００１４】また、本発明は、少なくとも片面に、高透
磁率、高飽和磁束密度を有する磁性体薄膜が、絶縁膜を
挟んで、複数積層された基板を２以上貼り合わせて、光
磁気記録用磁気ヘッドのコアを構成したことを特徴とす
るものである。さらには、上記基板はフェライトからな
ることを特徴とするものである。
磁率、高飽和磁束密度を有する磁性体薄膜が、絶縁膜を
挟んで、複数積層された基板を２以上貼り合わせて、光
磁気記録用磁気ヘッドのコアを構成したことを特徴とす
るものである。さらには、上記基板はフェライトからな
ることを特徴とするものである。
【００１５】また、本発明は、上記磁性体薄膜の厚さを
１０μｍ以下とすることにより、磁気ヘッドの特性を高
めるようにしたものである。
１０μｍ以下とすることにより、磁気ヘッドの特性を高
めるようにしたものである。
【００１６】また、本発明は、上記磁性体薄膜が、Ｆｅ
−Ａｌ−Ｓｉ合金（センダスト）、Ｆｅ−Ｎｉ合金（パ
ーマロイ）、Ｆｅ−（Ｍ）合金、ＦｅＮｉ−（Ｍ）合
金、ＦｅＣｏ−（Ｍ）合金、Ｃｏ−（Ｍ）合金（ただし
（Ｍ）はＳｉ，Ｂ，Ｃ，Ｐ，Ｎ，Ａｌ，Ｍｏ，Ｔｉ，Ｚ
ｒ，Ｎｂ，Ｈｆ，Ｔａ，Ｙのうち、少なくとも一種類以
上の元素を含むものとする）のうちのいずれかにより構
成されることを特徴とするものである。
−Ａｌ−Ｓｉ合金（センダスト）、Ｆｅ−Ｎｉ合金（パ
ーマロイ）、Ｆｅ−（Ｍ）合金、ＦｅＮｉ−（Ｍ）合
金、ＦｅＣｏ−（Ｍ）合金、Ｃｏ−（Ｍ）合金（ただし
（Ｍ）はＳｉ，Ｂ，Ｃ，Ｐ，Ｎ，Ａｌ，Ｍｏ，Ｔｉ，Ｚ
ｒ，Ｎｂ，Ｈｆ，Ｔａ，Ｙのうち、少なくとも一種類以
上の元素を含むものとする）のうちのいずれかにより構
成されることを特徴とするものである。
【００１７】
【実施例】図１は本発明による光磁気記録用磁気ヘッド
の一実施例を示すもので、図１において、（ａ）はコア
Ｃの拡大図、（ｂ）は磁気ヘッドの全体斜視図である。
なお、ここでは、図１５において示した従来例と同一部
分については、同一符号で示して、この部分についての
構成、機能の説明は省略する。また、図１に示す磁気ヘ
ッドは、図１６に示す記録装置に用いられる。なお、コ
アＣは、高透磁率、高飽和磁束密度の磁性体薄膜ｍを、
絶縁膜ｉを挟んで、複数積層することにより構成され
る。磁性体薄膜ｍの材質としては、例えば、飽和磁束密
度が７ｋＧ〜１１ｋＧのＦｅ−Ａｌ−Ｓｉ合金（センダ
スト）が用いられる。また、絶縁膜ｉには、電気抵抗が
十分に大きいＳｉＯ2 や樹脂材料が用いられる。コアＣ
を高い周波数で励磁する際に、コアＣ内に発生するうず
電流によって、磁気特性が低下することを防ぐため、磁
性体薄膜ｍは、その厚さを薄くした方がよい。コイルＷ
は図１６で示した駆動手段９に接続されている。
の一実施例を示すもので、図１において、（ａ）はコア
Ｃの拡大図、（ｂ）は磁気ヘッドの全体斜視図である。
なお、ここでは、図１５において示した従来例と同一部
分については、同一符号で示して、この部分についての
構成、機能の説明は省略する。また、図１に示す磁気ヘ
ッドは、図１６に示す記録装置に用いられる。なお、コ
アＣは、高透磁率、高飽和磁束密度の磁性体薄膜ｍを、
絶縁膜ｉを挟んで、複数積層することにより構成され
る。磁性体薄膜ｍの材質としては、例えば、飽和磁束密
度が７ｋＧ〜１１ｋＧのＦｅ−Ａｌ−Ｓｉ合金（センダ
スト）が用いられる。また、絶縁膜ｉには、電気抵抗が
十分に大きいＳｉＯ2 や樹脂材料が用いられる。コアＣ
を高い周波数で励磁する際に、コアＣ内に発生するうず
電流によって、磁気特性が低下することを防ぐため、磁
性体薄膜ｍは、その厚さを薄くした方がよい。コイルＷ
は図１６で示した駆動手段９に接続されている。
【００１８】これについて、図７を参照して説明する。
図７は、センダスト積層膜ｍの膜厚ｔが５，１０，１５
μｍの各場合について、コアの透磁率の周波数特性の実
測結果を示すグラフである。ここで、絶縁膜ｉの厚さは
０．５μｍ、総膜厚は１００μｍである。グラフより明
らかであるように、約１０ＭＨｚよりも低い周波数にお
いては、センダスト積層膜ｍは、その膜厚ｔが薄い方
が、透磁率が小さくなる傾向にある。しかし、約１０Ｍ
Ｈｚよりも高い周波数においては、逆に、センダスト
は、その膜厚が小さい方が、透磁率が大きく、周波数特
性が高周波域まで伸びている。一般に、前記のような光
磁気記録用の磁気ヘッドにおいて十分な性能を得るため
には、コアの透磁率を３００以上にすることが要求され
ている。従来のフェライトにより構成したコアにおいて
は、透磁率を３００に確保できる周波数の上限が約２０
ＭＨｚであった。これに対し、本発明においては、セン
ダストの膜厚ｔ＝１５μｍとした場合、上述の性能とほ
ぼ同等の性能が得られる。また、ｔ＝１０μｍとした場
合、周波数特性は約２５ＭＨｚまで、また、ｔ＝５μｍ
とした場合、約４０ＭＨｚまで、それぞれ、高周波域を
伸ばすことが確認されている。
図７は、センダスト積層膜ｍの膜厚ｔが５，１０，１５
μｍの各場合について、コアの透磁率の周波数特性の実
測結果を示すグラフである。ここで、絶縁膜ｉの厚さは
０．５μｍ、総膜厚は１００μｍである。グラフより明
らかであるように、約１０ＭＨｚよりも低い周波数にお
いては、センダスト積層膜ｍは、その膜厚ｔが薄い方
が、透磁率が小さくなる傾向にある。しかし、約１０Ｍ
Ｈｚよりも高い周波数においては、逆に、センダスト
は、その膜厚が小さい方が、透磁率が大きく、周波数特
性が高周波域まで伸びている。一般に、前記のような光
磁気記録用の磁気ヘッドにおいて十分な性能を得るため
には、コアの透磁率を３００以上にすることが要求され
ている。従来のフェライトにより構成したコアにおいて
は、透磁率を３００に確保できる周波数の上限が約２０
ＭＨｚであった。これに対し、本発明においては、セン
ダストの膜厚ｔ＝１５μｍとした場合、上述の性能とほ
ぼ同等の性能が得られる。また、ｔ＝１０μｍとした場
合、周波数特性は約２５ＭＨｚまで、また、ｔ＝５μｍ
とした場合、約４０ＭＨｚまで、それぞれ、高周波域を
伸ばすことが確認されている。
【００１９】近年、記録周波数の高周波化に対する要求
が高くなりつつあることを考慮すると、センダスト積層
膜ｍは、その膜厚ｔを、最大でｔ１５μｍ、望ましくは
１０μｍ以下とする必要がある。また、絶縁膜は、通
常、非磁性であるため、磁束の大部分が磁性体薄膜に集
中するから、このため、磁性体薄膜の飽和磁束密度を７
ｋＧ、絶縁膜の厚さを磁性体薄膜の厚さのｘ％とする
と、コア全体の実効的な飽和磁束密度は、７ｋＧ×（１
００／１００＋ｘ）となる。それでも、なお、従来使用
されているフェライトの飽和磁束密度４ｋＧ〜６ｋＧを
上まわるためには、絶縁膜の厚さを磁性体薄膜の厚さの
１６％以下とすればよい。
が高くなりつつあることを考慮すると、センダスト積層
膜ｍは、その膜厚ｔを、最大でｔ１５μｍ、望ましくは
１０μｍ以下とする必要がある。また、絶縁膜は、通
常、非磁性であるため、磁束の大部分が磁性体薄膜に集
中するから、このため、磁性体薄膜の飽和磁束密度を７
ｋＧ、絶縁膜の厚さを磁性体薄膜の厚さのｘ％とする
と、コア全体の実効的な飽和磁束密度は、７ｋＧ×（１
００／１００＋ｘ）となる。それでも、なお、従来使用
されているフェライトの飽和磁束密度４ｋＧ〜６ｋＧを
上まわるためには、絶縁膜の厚さを磁性体薄膜の厚さの
１６％以下とすればよい。
【００２０】一般的には、光磁気記録用磁気ヘッドのコ
アＣの厚さは１５０μｍ程度であるから、例えば、磁性
体薄膜ｍの厚さを５μｍ、絶縁膜ｉの厚さを０．５μｍ
とすると、積層数は約２７となる。
アＣの厚さは１５０μｍ程度であるから、例えば、磁性
体薄膜ｍの厚さを５μｍ、絶縁膜ｉの厚さを０．５μｍ
とすると、積層数は約２７となる。
【００２１】前述のＦｅ−Ａｌ−Ｓｉ（センダスト）の
磁性体薄膜より成るコアの実効的な飽和磁束密度Ｂｓの
温度依存性を図４に示す。
磁性体薄膜より成るコアの実効的な飽和磁束密度Ｂｓの
温度依存性を図４に示す。
【００２２】図示のように、Ｆｅ−Ａｌ−Ｓｉの磁性体
薄膜を、絶縁膜を挟んで、積層したコアの実効的な飽和
磁束密度Ｂｓは、常温（２５℃）で、約６．４ｋＧであ
る。また、温度の上昇とともに低下するのであるが、そ
の割合は、図６に示したフェライトと比較して穏やかで
あり、１００℃においても飽和磁束密度Ｂｓは５．５ｋ
Ｇと高い。
薄膜を、絶縁膜を挟んで、積層したコアの実効的な飽和
磁束密度Ｂｓは、常温（２５℃）で、約６．４ｋＧであ
る。また、温度の上昇とともに低下するのであるが、そ
の割合は、図６に示したフェライトと比較して穏やかで
あり、１００℃においても飽和磁束密度Ｂｓは５．５ｋ
Ｇと高い。
【００２３】このようにフェライトとは異なった温度依
存性を示すのは、Ｆｅ−Ａｌ−Ｓｉ合金のキュリー温度
が４００〜５００℃であり、フェライトのキュリー温度
１５０〜２５０℃と比較して高いからである。本実施例
の磁気ヘッドの記録電流と発生磁界強度の関係を図３に
示す。記録信号の周波数が１０〜２０ＭＨｚであっても
３００Ｏｅ以下で発生磁界が飽和することはなく、良好
な信号記録に必要な２００Ｏｅ以上の発生磁界を得るこ
とができる。
存性を示すのは、Ｆｅ−Ａｌ−Ｓｉ合金のキュリー温度
が４００〜５００℃であり、フェライトのキュリー温度
１５０〜２５０℃と比較して高いからである。本実施例
の磁気ヘッドの記録電流と発生磁界強度の関係を図３に
示す。記録信号の周波数が１０〜２０ＭＨｚであっても
３００Ｏｅ以下で発生磁界が飽和することはなく、良好
な信号記録に必要な２００Ｏｅ以上の発生磁界を得るこ
とができる。
【００２４】また、このような、飽和磁束密度が高く、
キュリー温度が高いという特性は、Ｆｅ−Ａｌ−Ｓｉ合
金（センダスト）のみでなく、Ｆｅ−Ｎｉ合金（パーマ
ロイ）、Ｆｅ−（Ｍ）合金、ＦｅＮｉ−（Ｍ）合金、Ｆ
ｅＣｏ−（Ｍ）合金、Ｃｏ−（Ｍ）合金（ただし（Ｍ）
はＳｉ，Ｂ，Ｃ，Ｐ，Ｎ，Ａｌ，Ｍｏ，Ｔｉ，Ｚｒ，Ｎ
ｂ，Ｈｆ，Ｔａ，Ｙのうち少なくとも一種類以上の元素
を含む）などの磁性材料が共通して有しているものであ
り、これらの材料によってコアを構成してもよい。
キュリー温度が高いという特性は、Ｆｅ−Ａｌ−Ｓｉ合
金（センダスト）のみでなく、Ｆｅ−Ｎｉ合金（パーマ
ロイ）、Ｆｅ−（Ｍ）合金、ＦｅＮｉ−（Ｍ）合金、Ｆ
ｅＣｏ−（Ｍ）合金、Ｃｏ−（Ｍ）合金（ただし（Ｍ）
はＳｉ，Ｂ，Ｃ，Ｐ，Ｎ，Ａｌ，Ｍｏ，Ｔｉ，Ｚｒ，Ｎ
ｂ，Ｈｆ，Ｔａ，Ｙのうち少なくとも一種類以上の元素
を含む）などの磁性材料が共通して有しているものであ
り、これらの材料によってコアを構成してもよい。
【００２５】このようなコアは、あらかじめ所望の形状
に加工された磁性体薄膜（金属箔）を、絶縁層である樹
脂を介して、複数積層し接着することにより作製される
か、または、特開昭６１−２３９４１２号公報に示され
るように、磁性体薄膜を樹脂を介して複数積層した構成
のコア素材を、エネルギービーム例えばレーザ光によ
り、所定の形状に切断することにより作製してもよく、
このような方法であれば製造が容易であり、かつ歩留り
もよいのである。
に加工された磁性体薄膜（金属箔）を、絶縁層である樹
脂を介して、複数積層し接着することにより作製される
か、または、特開昭６１−２３９４１２号公報に示され
るように、磁性体薄膜を樹脂を介して複数積層した構成
のコア素材を、エネルギービーム例えばレーザ光によ
り、所定の形状に切断することにより作製してもよく、
このような方法であれば製造が容易であり、かつ歩留り
もよいのである。
【００２６】また、必ずしも、コアの全体が前述実施例
のように、磁性体薄膜の積層構造より成っている必要は
ない。例えば、図２に示す実施例では、比較的厚いフェ
ライト（例えば５０μｍ）の基板Ｐ１，Ｐ２により、前
述実施例と同様の磁性体薄膜ｍ、絶縁膜ｉの積層体を、
両側から挟み込むことにより、コアを構成することもで
きる。もちろん、この実施例においても、前述実施例と
同様の効果が得られ、また、フェライトの基板Ｐ１，Ｐ
２で積層体を挟み込むため、機械的強度が増し、後加
工、組立工程におけるコアの破損を防ぐ効果も得られ
る。ここで積層体を挟む基板はフェライト以外の非磁性
のセラミックであってもよい。
のように、磁性体薄膜の積層構造より成っている必要は
ない。例えば、図２に示す実施例では、比較的厚いフェ
ライト（例えば５０μｍ）の基板Ｐ１，Ｐ２により、前
述実施例と同様の磁性体薄膜ｍ、絶縁膜ｉの積層体を、
両側から挟み込むことにより、コアを構成することもで
きる。もちろん、この実施例においても、前述実施例と
同様の効果が得られ、また、フェライトの基板Ｐ１，Ｐ
２で積層体を挟み込むため、機械的強度が増し、後加
工、組立工程におけるコアの破損を防ぐ効果も得られ
る。ここで積層体を挟む基板はフェライト以外の非磁性
のセラミックであってもよい。
【００２７】また、このような構成とする場合には、磁
性体薄膜と絶縁膜とを、基板上に、スパッタ成膜等の薄
膜形成手法を用いて、作製してもよい。
性体薄膜と絶縁膜とを、基板上に、スパッタ成膜等の薄
膜形成手法を用いて、作製してもよい。
【００２８】たとえば、図２に示した実施例は、磁性材
料のフェライトの基板Ｐ１上に、スパッタ成膜により、
磁性体薄膜と絶縁膜とを交互に薄膜形成した積層体を形
成した後、フェライトの基板Ｐ２を貼り合わせたコア素
材を、所定の形状に加工することにより作製される。
料のフェライトの基板Ｐ１上に、スパッタ成膜により、
磁性体薄膜と絶縁膜とを交互に薄膜形成した積層体を形
成した後、フェライトの基板Ｐ２を貼り合わせたコア素
材を、所定の形状に加工することにより作製される。
【００２９】図８は、このようなコア素材の断面を示す
ものであり、ここで破線で示すのは貼り合わせた面であ
る。ｍは磁性体薄膜、ｉは絶縁膜、Ｔは積層体である。
ものであり、ここで破線で示すのは貼り合わせた面であ
る。ｍは磁性体薄膜、ｉは絶縁膜、Ｔは積層体である。
【００３０】また、図９は、図８において、フェライト
の基板Ｐ１，Ｐ２の代わりに非磁性材料のセラミックの
基板Ｓ１，Ｓ２を使用した例である。
の基板Ｐ１，Ｐ２の代わりに非磁性材料のセラミックの
基板Ｓ１，Ｓ２を使用した例である。
【００３１】このようなスパッタ成膜によれば、厚さが
１０μｍ以下の磁性体薄膜を容易に形成することができ
るため、前述したように透磁率の高周波特性を伸ばすに
はきわめて効果的である。
１０μｍ以下の磁性体薄膜を容易に形成することができ
るため、前述したように透磁率の高周波特性を伸ばすに
はきわめて効果的である。
【００３２】一方、スパッタ成膜によって、所定の厚さ
の磁路を形成するために、１００〜１５０μｍの厚さの
積層体Ｔを形成する場合、薄膜形成の回数が多いため、
作製に要する時間が増大し、また、膜に作用する応力に
より、成膜の不良を発生し易くなるのであり、積層体Ｔ
の厚さは１００μｍ以下とするのが望ましい。
の磁路を形成するために、１００〜１５０μｍの厚さの
積層体Ｔを形成する場合、薄膜形成の回数が多いため、
作製に要する時間が増大し、また、膜に作用する応力に
より、成膜の不良を発生し易くなるのであり、積層体Ｔ
の厚さは１００μｍ以下とするのが望ましい。
【００３３】そこで、図８に示す例のように、基板にフ
ェライト等の磁性材料を使用した場合には、フェライト
基板も磁路を構成するため、所定の厚さの磁路を形成す
るために必要な積層体Ｔの厚さを、その分だけ薄くする
ことができ、作製時間の短縮、成膜不良の防止に効果的
である。
ェライト等の磁性材料を使用した場合には、フェライト
基板も磁路を構成するため、所定の厚さの磁路を形成す
るために必要な積層体Ｔの厚さを、その分だけ薄くする
ことができ、作製時間の短縮、成膜不良の防止に効果的
である。
【００３４】例えば、１５０μｍの厚さの磁路を形成す
る場合、２枚のフェライトの基板Ｐ１，Ｐ２の厚さを各
々５０μｍとすれば、積層体Ｔの厚さは５０μｍとする
ことができる。なお、この場合、磁路の一部分は、飽和
磁束密度が小さく、キュリー温度の低いフェライトによ
り構成されるのであるが、磁性体薄膜からなる積層体の
飽和磁束密度を十分に大きく、また、キュリー温度を十
分に高くすれば、それでも、なお十分に効果を得ること
ができる。
る場合、２枚のフェライトの基板Ｐ１，Ｐ２の厚さを各
々５０μｍとすれば、積層体Ｔの厚さは５０μｍとする
ことができる。なお、この場合、磁路の一部分は、飽和
磁束密度が小さく、キュリー温度の低いフェライトによ
り構成されるのであるが、磁性体薄膜からなる積層体の
飽和磁束密度を十分に大きく、また、キュリー温度を十
分に高くすれば、それでも、なお十分に効果を得ること
ができる。
【００３５】図１０は他の実施例であり、これは、フェ
ライトからなる基板Ｐ１，Ｐ２上に、各々、スパッタ成
膜により、磁性体薄膜ｍと絶縁膜ｉの積層体Ｔ1 ，Ｔ2
を形成した上、フェライトからなる基板Ｐ１，Ｐ２を、
各々、積層体Ｔ1 ，Ｔ2 を形成した側の面で貼り合わせ
たコア素材である。
ライトからなる基板Ｐ１，Ｐ２上に、各々、スパッタ成
膜により、磁性体薄膜ｍと絶縁膜ｉの積層体Ｔ1 ，Ｔ2
を形成した上、フェライトからなる基板Ｐ１，Ｐ２を、
各々、積層体Ｔ1 ，Ｔ2 を形成した側の面で貼り合わせ
たコア素材である。
【００３６】また、図１１は、フェライトの代わりに、
非磁性のセラミックからなる基板Ｓ１，Ｓ２を使用した
例である。
非磁性のセラミックからなる基板Ｓ１，Ｓ２を使用した
例である。
【００３７】これらの実施例は、２枚の基板Ｓ１，Ｓ２
の各々に、磁性体薄膜ｍと絶縁膜ｉとの積層体Ｔ１，Ｔ
２を形成している。そのため、所定の厚さの磁路の形成
に必要な、各々の積層体の厚さは、さらに、薄くするこ
とが可能であって、前述したように、作製時間の短縮、
成膜不良の防止に対して効果がある。
の各々に、磁性体薄膜ｍと絶縁膜ｉとの積層体Ｔ１，Ｔ
２を形成している。そのため、所定の厚さの磁路の形成
に必要な、各々の積層体の厚さは、さらに、薄くするこ
とが可能であって、前述したように、作製時間の短縮、
成膜不良の防止に対して効果がある。
【００３８】以下、さらに、その他の実施例を示す。図
１２に示す実施例においては、フェライトからなる基板
Ｐの両面に、スパッタ成膜により、磁性体薄膜ｍと絶縁
膜ｉの積層体Ｔ１，Ｔ２を形成し、コア素材とされる。
１２に示す実施例においては、フェライトからなる基板
Ｐの両面に、スパッタ成膜により、磁性体薄膜ｍと絶縁
膜ｉの積層体Ｔ１，Ｔ２を形成し、コア素材とされる。
【００３９】図１３に示す実施例においては、これは、
フェライトからなる基板Ｐ１，Ｐ２上に、各々、スパッ
タ成膜により、磁性体薄膜ｍと絶縁膜ｉの積層体Ｔ１，
Ｔ２を形成した上、基板Ｐ１，Ｐ２を、各々、積層体Ｔ
１，Ｔ２を形成していない側の面で貼り合わせコア素材
とされる。
フェライトからなる基板Ｐ１，Ｐ２上に、各々、スパッ
タ成膜により、磁性体薄膜ｍと絶縁膜ｉの積層体Ｔ１，
Ｔ２を形成した上、基板Ｐ１，Ｐ２を、各々、積層体Ｔ
１，Ｔ２を形成していない側の面で貼り合わせコア素材
とされる。
【００４０】図１４に示す実施例においては、非磁性の
セラミックよりなる基板Ｓ１，Ｓ２上に各々スパッタ成
膜により、磁性体薄膜ｍと、絶縁膜ｉの積層体Ｔ１，Ｔ
２とを形成し、基板Ｓ１，Ｓ２の、各々、積層体Ｔ１，
Ｔ２を形成した面で、フェライトからなる基板Ｐを、両
側から挟むように貼り合わせて、コア素材とされるので
ある。
セラミックよりなる基板Ｓ１，Ｓ２上に各々スパッタ成
膜により、磁性体薄膜ｍと、絶縁膜ｉの積層体Ｔ１，Ｔ
２とを形成し、基板Ｓ１，Ｓ２の、各々、積層体Ｔ１，
Ｔ２を形成した面で、フェライトからなる基板Ｐを、両
側から挟むように貼り合わせて、コア素材とされるので
ある。
【００４１】以上の実施例において、基板がフェライト
からなるか、または、複数の積層体からコア素材が構成
される場合には、個々の積層体の厚さを、磁路の所定の
厚さに比べて、薄くすることが可能であるから、前述し
たように、作製時間の短縮、成膜不良の防止に対して効
果がある。
からなるか、または、複数の積層体からコア素材が構成
される場合には、個々の積層体の厚さを、磁路の所定の
厚さに比べて、薄くすることが可能であるから、前述し
たように、作製時間の短縮、成膜不良の防止に対して効
果がある。
【００４２】また、本発明による光磁気記録用磁気ヘッ
ドのコアの形状は、実施例に示した“コ”の字型に限ら
れるものではなく、その他“Ｅ”字型、棒状のコアや、
磁路の一部にギャップを設けたコアであってもよい。
ドのコアの形状は、実施例に示した“コ”の字型に限ら
れるものではなく、その他“Ｅ”字型、棒状のコアや、
磁路の一部にギャップを設けたコアであってもよい。
【００４３】また、基板をフェライトで構成する場合に
は、特に、Ｍｎ−Ｚｎフェライトを用いるとよく、また
基板を非磁性材料で構成する場合には、ＣａＯ−ＴｉＯ
2 ，ＮｉＯ−ＣａＯ−ＴｉＯ2 ，ＮｉＯ−ＭｇＯ−Ｔｉ
Ｏ2 ，ＭｎＯ−ＮｉＯ等のセラミックか、または結晶化
ガラスを用いるとよい。スパッタ成膜により、これらの
基板上に積層体を形成する場合に作用する応力による成
膜不良を防止するためには、これら基板材料の熱膨張率
を、形成される磁性体薄膜に一致させるのが望ましく、
例えば、その値は１００×１０-7〜１５０×１０-7／℃
程度である。
は、特に、Ｍｎ−Ｚｎフェライトを用いるとよく、また
基板を非磁性材料で構成する場合には、ＣａＯ−ＴｉＯ
2 ，ＮｉＯ−ＣａＯ−ＴｉＯ2 ，ＮｉＯ−ＭｇＯ−Ｔｉ
Ｏ2 ，ＭｎＯ−ＮｉＯ等のセラミックか、または結晶化
ガラスを用いるとよい。スパッタ成膜により、これらの
基板上に積層体を形成する場合に作用する応力による成
膜不良を防止するためには、これら基板材料の熱膨張率
を、形成される磁性体薄膜に一致させるのが望ましく、
例えば、その値は１００×１０-7〜１５０×１０-7／℃
程度である。
【００４４】また、磁気ヘッドの形態は、空気浮上型に
限られるものではなく、光磁気記録媒体の表面に摺動さ
せるタイプや、光磁気記録媒体との間の距離をアクチュ
エータにより制御するタイプであってもよい。また、光
磁気記録媒体はディスク状に限られるものではなく、シ
ート状、テープ状であってもよい。
限られるものではなく、光磁気記録媒体の表面に摺動さ
せるタイプや、光磁気記録媒体との間の距離をアクチュ
エータにより制御するタイプであってもよい。また、光
磁気記録媒体はディスク状に限られるものではなく、シ
ート状、テープ状であってもよい。
【００４５】
【発明の効果】以上述べたように、本発明による光磁気
記録用磁気ヘッドは、高透磁率、高飽和磁束密度を有す
る磁性体薄膜を、絶縁膜を挟んで複数積層することによ
り、コアを構成したことを特徴とするものであり、記録
信号の周波数を１０ＭＨｚ以上とした場合でも、良好な
信号記録に必要な２００Ｏｅ以上の磁界を発生すること
が可能であり、近年の信号記録の高速化に対する要求に
応えることができるのである。
記録用磁気ヘッドは、高透磁率、高飽和磁束密度を有す
る磁性体薄膜を、絶縁膜を挟んで複数積層することによ
り、コアを構成したことを特徴とするものであり、記録
信号の周波数を１０ＭＨｚ以上とした場合でも、良好な
信号記録に必要な２００Ｏｅ以上の磁界を発生すること
が可能であり、近年の信号記録の高速化に対する要求に
応えることができるのである。
【図１】本発明による光磁気記録用磁気ヘッドの構成図
である。
である。
【図２】コアの構成の他の実施例を示す図である。
【図３】本発明による光磁気記録用磁気ヘッドの記録電
流と発生磁界の関係を示すグラフである。
流と発生磁界の関係を示すグラフである。
【図４】本発明による光磁気記録用磁気ヘッドのコアの
飽和磁束密度の温度特性を示すグラフである。
飽和磁束密度の温度特性を示すグラフである。
【図５】従来の光磁気記録用磁気ヘッドの記録電流と発
生磁界の関係を示すグラフである。
生磁界の関係を示すグラフである。
【図６】従来の光磁気記録用磁気ヘッドのコアの飽和磁
束密度の温度特性を示すグラフである。
束密度の温度特性を示すグラフである。
【図７】本発明による光磁気記録用磁気ヘッドのコアの
透磁率の周波数特性を示すグラフである。
透磁率の周波数特性を示すグラフである。
【図８】本発明による光磁気記録用磁気ヘッドのコア素
材の構成の実施例を示す図である。
材の構成の実施例を示す図である。
【図９】本発明による光磁気記録用磁気ヘッドのコア素
材の構成の実施例を示す図である。
材の構成の実施例を示す図である。
【図１０】本発明による光磁気記録用磁気ヘッドのコア
素材の構成の実施例を示す図である。
素材の構成の実施例を示す図である。
【図１１】本発明による光磁気記録用磁気ヘッドのコア
素材の構成の実施例を示す図である。
素材の構成の実施例を示す図である。
【図１２】本発明による光磁気記録用磁気ヘッドのコア
素材の構成の実施例を示す図である。
素材の構成の実施例を示す図である。
【図１３】本発明による光磁気記録用磁気ヘッドのコア
素材の構成の実施例を示す図である。
素材の構成の実施例を示す図である。
【図１４】本発明による光磁気記録用磁気ヘッドのコア
素材の構成の実施例を示す図である。
素材の構成の実施例を示す図である。
【図１５】従来の光磁気記録用磁気ヘッドの構成を示す
図である。
図である。
【図１６】光磁気記録用装置の概略構成図である。
Ｃ コア ｍ 磁性体薄膜 ｉ 絶縁膜 Ｔ 積層体 Ｐ フェライトからなる基板 Ｓ 非磁性のセラミックからなる基板
Claims (13)
- 【請求項１】 高透磁率、高飽和磁束密度を有する磁性
体薄膜を、絶縁膜を挟んで複数積層することにより、コ
アが構成されていることを特徴とする光磁気記録用磁気
ヘッド。 - 【請求項２】 高透磁率、高飽和磁束密度を有する磁性
体薄膜を、絶縁膜を挟んで複数積層した積層体を両側よ
り基板で挟むことにより、コアが構成されていることを
特徴とする光磁気用磁気ヘッド。 - 【請求項３】 上記基板はフェライトからなることを特
徴とする請求項２に記載の光磁気記録用磁気ヘッド。 - 【請求項４】 該磁性体薄膜の厚さが１０μｍ以下であ
ることを特徴とする請求項１，２，３のいずれかに記載
の光磁気記録用磁気ヘッド。 - 【請求項５】 該磁性体薄膜がＦｅ−Ａｌ−Ｓｉ合金
（センダスト）、Ｆｅ−Ｎｉ合金（パーマロイ）、Ｆｅ
−（Ｍ）合金、ＦｅＮｉ−（Ｍ）合金、ＦｅＣｏ−
（Ｍ）合金、Ｃｏ−（Ｍ）合金（ただし、（Ｍ）はＳ
ｉ，Ｂ，Ｃ，Ｐ，Ｎ，Ａｌ，Ｍｏ，Ｔｉ，Ｚｒ，Ｎｂ，
Ｈｆ，Ｔａ，Ｙのうち、少なくとも一種類以上の元素を
含むものとする）のうちのいずれかにより構成されるこ
とを特徴とする請求項１，２，３，４のいずれかに記載
の光磁気記録用磁気ヘッド。 - 【請求項６】 光磁気記録媒体に光を収束照射する光ヘ
ッドと、光の照射部位に情報信号により変調されたバイ
アス磁界を印加する磁気ヘッドとを備えた光磁気記録装
置において、該磁気ヘッドは、請求項１，２，３，４，
５のいずれかに記載の光磁気記録用磁気ヘッドであるこ
とを特徴とする光磁気記録装置。 - 【請求項７】 磁性材料からなる基板の両面に、高透磁
率、高飽和磁束密度を有する磁性体薄膜が、絶縁膜を挟
んで、複数積層された構成のコアを備えたことを特徴と
する光磁気記録用磁気ヘッド。 - 【請求項８】 少なくとも片面に、高透磁率、高飽和磁
束密度を有する磁性体薄膜が、絶縁膜を挟んで、複数積
層された基板を２以上貼り合わせた構成のコアを備えた
ことを特徴とする光磁気記録用磁気ヘッド。 - 【請求項９】 上記基板はフェライトからなることを特
徴とする請求項７または８に記載の光磁気記録用磁気ヘ
ッド。 - 【請求項１０】 上記磁性体薄膜の厚さが１０μｍ以下
であることを特徴とする請求項７，８，９のいずれかに
記載の光磁気記録用磁気ヘッド。 - 【請求項１１】 上記磁性体薄膜がＦｅ−Ａｌ−Ｓｉ合
金（センダスト）、Ｆｅ−Ｎｉ合金（パーマロイ）、Ｆ
ｅ−（Ｍ）合金、ＦｅＮｉ−（Ｍ）合金、ＦｅＣｏ
（Ｍ）合金、Ｃｏ−（Ｍ）合金、（ただし（Ｍ）はＳ
ｉ，Ｂ，Ｃ，Ｐ，Ｎ，Ａｌ，Ｍｏ，Ｔｉ，Ｚｒ，Ｎｂ，
Ｈｆ，Ｔａ，Ｙのうち、少なくとも一種類以上の元素を
含むものとする）のうちのいずれかにより構成されるこ
とを特徴とする請求項７，８，９，１０のいずれかに記
載の光磁気記録用磁気ヘッド。 - 【請求項１２】 光磁気記録媒体に光を収束照射する光
ヘッドと、光の照射部位に情報信号により変調されたバ
イアス磁界を印加する磁気ヘッドとを備えた光磁気記録
装置において、上記磁気ヘッドは、磁性材料または非磁
性材料からなる基板に、高透磁率、高飽和磁束密度を有
する磁性体薄膜が、絶縁膜を挟んで、複数積層されたコ
アを備えたことを特徴とする光磁気記録装置。 - 【請求項１３】 光磁気記録媒体に光を収束照射する光
ヘッドと、光の照射部位に情報信号により変調されたバ
イアス磁界を印加する磁気ヘッドとを備えた光磁気記録
装置において、上記磁気ヘッドは、請求項７，８，９，
１０，１１のいずれかに記載の光磁気記録用磁気ヘッド
であることを特徴とする光磁気記録装置。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5216931A JPH06195796A (ja) | 1992-08-28 | 1993-08-10 | 光磁気記録用磁気ヘッドおよび光磁気記録装置 |
| EP93306773A EP0590791A1 (en) | 1992-08-28 | 1993-08-26 | Magnetooptical recording magnetic head and magnetooptical recording apparatus |
| US08/603,191 US5986976A (en) | 1992-08-28 | 1996-02-20 | Magnetooptical recording head for a recording apparatus including a laminated core having a plurality of magnetic thin films sandwiching insulating films therebetween |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25186492 | 1992-08-28 | ||
| JP4-251864 | 1992-08-28 | ||
| JP5216931A JPH06195796A (ja) | 1992-08-28 | 1993-08-10 | 光磁気記録用磁気ヘッドおよび光磁気記録装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06195796A true JPH06195796A (ja) | 1994-07-15 |
Family
ID=26521721
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5216931A Pending JPH06195796A (ja) | 1992-08-28 | 1993-08-10 | 光磁気記録用磁気ヘッドおよび光磁気記録装置 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5986976A (ja) |
| EP (1) | EP0590791A1 (ja) |
| JP (1) | JPH06195796A (ja) |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3507360B2 (ja) | 1998-05-07 | 2004-03-15 | キヤノン株式会社 | 磁気ヘッド用平面コイル部品、光磁気記録用磁気ヘッドおよび光磁気記録装置 |
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