JPH11232717A - 光学記録装置、その製造方法及び磁界発生装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 記録媒体の厚さを薄くして記録密度を高める
ことができる光学記録装置、その製造方法及び磁界発生
装置を提供すること。 【解決手段】 磁気光学効果を応用した記録媒体１に対
して照射する光を発生する光発生手段と、前記光発生手
段により発生された光を前記記録媒体に集光する集光手
段４１、４３と、前記記録媒体に対して印加する磁界を
発生する磁界発生手段４２とを有しており、前記記録媒
体に集光される光の光路が、前記磁界発生手段に形成さ
れている径が１５０μｍ以下の貫通穴５５を含むように
構成する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、磁気光学効果を応
用した記録媒体を用いる光学記録装置、その製造方法及
び磁界発生装置に関し、特に光を発生・集光する光ピッ
クアップ装置と磁界を発生する磁界発生装置により記録
媒体の所定の位置に磁界を印加し、光を照射してデータ
の記録あるいは再生を行う光学記録装置、その製造方法
及び磁界発生装置に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】近年、動画、静止画等のビデオデータを
デジタル的に記録する技術の発達に伴い、大容量のデー
タが取り扱われるようになってきている。このため、従
来、一般的に用いられてきた磁気を利用した記録媒体、
例えばフロッピーディスク等の磁気ディスクに代わっ
て、さらにデータ密度が高い、光を利用した記録媒体、
例えば光磁気ディスクや相変化光ディスク等の光ディス
クが普及しつつある。このような光ディスクの光学記録
装置においては、光ディスク上のデータを再生する位置
にレーザ光を照射して集光し、照射した光の反射光をモ
ニターすることによりデータを読みとる方法を用いてい
るため、データ密度は、集光されるレーザ光のスポット
サイズに依存することとなる。即ち、レーザ光のスポッ
トサイズが小さいほどデータ密度を高めることができ
る。

【０００３】このレーザ光のスポットサイズは、レーザ
光の波長：λに比例し、レンズの開口数：ＮＡに反比例
する特性を有していることから、光ディスクのデータ密
度を高めるために、レーザ光の波長：λの短波長化及び
レンズの開口数：ＮＡの高ＮＡ化という２つの開発が継
続して行われている。ここで、レンズの開口数：ＮＡ
は、集光する光の角度：θと光が集光される媒質中の屈
折率：ｎを用いて、式（１）で表される。

【数１】ＮＡ＝ｎ×ｓｉｎθ・・・（１） 従って、屈折率：ｎが１である空気中に集束経路を設け
た場合においては、レンズの開口数：ＮＡを１よりも高
くすることは、実質的に不可能である。

【０００４】そこで、レンズの開口数：ＮＡをより高め
る方法として、レンズ媒質とディスクとの間の空気層の
厚さを極力薄くして、光学的に空気層がない状態、即ち
光学的に接触状態とすることにより、レンズの開口数：
ＮＡを１以上にする試みがある（例えば、Ｔｅｒｒｉｓ
ｅｔ ａｌ．，Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．６５
（４），ｐ３８８−ｐ３９０，２５ Ｊｕｌｙ，１９９
４，あるいは、Ｔｅｒｒｉｓ ｅｔ ａｌ．，Ａｐｐ
ｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ，６８（２），ｐ１４１−ｐ１
４３，８ Ｊａｎｕａｒｙ，１９９６）。

【０００５】レンズの開口数：ＮＡの高ＮＡ化の方法あ
るいは、レーザ光の波長：λの短波長化の方法のいずれ
の方法に関しても、光ディスクの傾斜に関する光学的な
許容範囲は、より厳しくなる方向にあり、上記いずれの
方法を選択する場合においても、光学的な許容範囲を広
げるための手段として、光ディスクの厚さを薄くする手
段が採用されつつある。この場合、単純に光ディスクの
厚さを薄くすると、強度が低下してしまうために、薄い
光ディスクを２枚張り合わせる方法や、光ディスク上に
ＵＶ硬化樹脂等によりレーザ光が透過可能なカバー層を
形成する方法が用いられている。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】上述した光ディスクの
うち光磁気ディスクを用いる従来の光学記録装置におい
ては、レーザ光を照射する光ピックアップ装置の光学部
品と磁界を発生する磁界発生装置のコイルは、光磁気デ
ィスクを介して対向する位置に配置されている。しか
し、光磁気ディスクの厚さを薄くする場合には、従来の
配置場所ではなく、磁界発生装置のコイルを光ピックア
ップ装置の光学部品側に配置することが、磁界発生装置
のコイルからデータが記録される光磁気ディスクの位置
までの距離が近い点で有効と考えられている。

【０００７】ところが、磁界発生装置のコイルを光ピッ
クアップ装置の光学部品側に配置させる場合において
は、レーザ光が通過する光路をコイルに確保しなければ
ならないため、コイルの中心部分に不透明な磁性材料を
配置することが不可能になり、磁界発生装置として機能
させることができなくなる。また、光ピックアップ装置
の光学部品と光磁気ディスクとの間隔に余裕がないの
で、磁界発生装置のコイルの厚さを薄く形成しなければ
ならないという制約がある。

【０００８】さらに、磁界発生装置のコイルから強い磁
界を有効に発生させるには、コイルの中心の穴径を有効
に小さくすると共に、コイルの中心付近の配線において
極力無駄なスペースを削除する必要があるが、一般のプ
リント基板配線技術における穴明け工程においては打ち
抜き工程が用いられており、その位置合わせ精度が５０
μｍ程度であるために、中心の穴径に加えて径において
少なくとも１００μｍ以上の余裕が必要となり、実質的
に１００μｍ以下の径の穴を形成することは困難であ
る。さらには、磁界発生装置のコイルの中心付近に形成
するコンタクトホールの径を５０μｍ以下にすること
は、一般のプリント基板配線技術としては困難な精度で
あるために、このコンタクトホールの存在もコイルの中
心の穴径を大きくしなければならない理由の１つとなっ
ている。

【０００９】本発明は、上述した事情から成されたもの
であり、記録媒体の厚さを薄くして記録密度を高めるこ
とができる光学記録装置、その製造方法及び磁界発生装
置を提供することを目的とする。

【００１０】

【課題を解決するための手段】上記目的は、この発明に
あっては、磁気光学効果を応用した記録媒体に対して、
磁界を印加し、光を照射してデータの記録あるいは再生
を行う光学記録装置において、前記光を発生する光発生
手段と、前記光発生手段により発生された光を前記記録
媒体に集光する集光手段と、前記磁界を発生する磁界発
生手段とを有しており、前記記録媒体に集光される光の
光路が、前記磁界発生手段に形成されている径が１５０
μｍ以下の貫通穴を含むことにより達成される。

【００１１】上記構成によれば、記録媒体に集光される
光の光路となる貫通穴を磁界発生手段に小径で形成する
ようにしていので、磁界発生手段の発生磁界を強めるこ
とができる。

【００１２】

【発明の実施の形態】以下、この発明の好適な実施形態
を添付図面に基づいて詳細に説明する。なお、以下に述
べる実施形態は、この発明の好適な具体例であるから、
技術的に好ましい種々の限定が付されているが、この発
明の範囲は、以下の説明において、特にこの発明を限定
する旨の記載がない限り、これらの形態に限られるもの
ではない。

【００１３】図１は、本発明の光学記録装置の実施形態
である光磁気ディスク装置の一例を示す概略ブロック図
である。この光磁気ディスク装置１Ａは、光磁気ディス
ク１の回転軸に配置されているモータ２と、光磁気ディ
スク１の記録面側に配置されているヘッド３と、このヘ
ッド３に接続されているヘッド増幅器４、フォーカスマ
トリックス回路５、トラッキングマトリックス回路８、
位相補償回路６、９、増幅器７、１０で大略構成されて
いる。

【００１４】モータ２は、光磁気ディスク１を所定の速
度で回転させるように機能する。ヘッド３は、所定の装
置（図示せず）から供給される記録信号を光磁気ディス
ク１に書き込むと共に、光磁気ディスク１に書き込まれ
た記録信号を読み取ってＭＯ再生信号として出力するよ
うに機能する。また、ヘッド３は、光磁気ディスク１に
照射するレーザ光のトラッキング及びフォーカスの調整
に利用するサーボ用信号を、ヘッド増幅器４を介してフ
ォーカスマトリックス回路５及びトラッキングマトリッ
クス回路８に出力するように機能する。

【００１５】フォーカスマトリックス回路５は、ヘッド
３より供給されたサーボ用信号からフォーカスエラー信
号を算出し、位相補償回路６に出力するように機能す
る。位相補償回路６は、フォーカスマトリックス回路５
より供給されたフォーカスエラー信号の位相補償を行
い、位相補償した信号を増幅器７を介して例えば図３に
示すヘッド３の駆動用アクチュエーター４５に出力する
ように機能する。トラッキングマトリックス回路８は、
ヘッド３より供給されたサーボ用信号からトラッキング
エラー信号を算出し、位相補償回路９に出力するように
機能する。位相補償回路９は、トラッキングマトリック
ス回路８より供給されたトラッキングエラー信号の位相
補償を行い、位相補償した信号を増幅器１０を介して例
えば図３に示すヘッド３の駆動用アクチュエータ４５に
出力するように機能する。

【００１６】図２は、上記ヘッドの詳細例を示す構成図
である。このヘッド３は、記録信号を光磁気ディスク１
に書き込み、また光磁気ディスク１に書き込まれた記録
信号を読み取る磁界発生装置３Ａ及び光ピックアップ装
置３Ｂを備えている。磁界発生装置３Ａは、増幅器３６
及び磁界変調コイル（磁界発生手段）４２を備えてい
る。光ピックアップ装置３Ｂは、半導体レーザ（光発生
手段）２１、コリメータレンズ２２、整形プリズム２
３、ビームスプリッタ２４、２６、３２、レンズ２７、
３１、シリンドリカルレンズ２８、光検出器２９、３
３、３４、１／２波長板３０、差動増幅器３５及び対物
レンズ（集光手段）４１を備えている。

【００１７】半導体レーザ２１は、所定の波長のレーザ
光を発生し、コリメータレンズ２２に入射させるように
機能する。コリメータレンズ２２は、半導体レーザ２１
からのレーザ光を平行光線に整え、整形プリズム２３を
介してビームスプリッタ２４に入射させるように機能す
る。ビームスプリッタ２４は、整形プリズム２３からの
レーザ光を対物レンズ４１に入射させると共に、対物レ
ンズ４１を透過したレーザ光（戻り光）をビームスプリ
ッタ２６に向けて反射させるように機能する。

【００１８】光磁気ヘッド部２５は、光ピックアップ装
置３Ｂの対物レンズ４１と磁界発生装置３Ａの磁界変調
コイル４２等を有し、データ再生時には、対物レンズ４
１により、ビームスプリッタ２４からのレーザ光を光磁
気ディスク１の基板１Ａを介して記録層１Ｂに照射さ
せ、記録層１Ｂで反射された戻り光をビームスプリッタ
２４に入射させ、データ記録時には、磁界変調コイル４
２により、増幅器３６を介して供給される記録信号に対
応する強度の磁界をレーザ光の照射位置に印加するよう
に機能する。

【００１９】ビームスプリッタ２６は、ビームスプリッ
タ２４によって反射された戻り光を所定の割合で、反射
させてレンズ２７に入射させると共に、透過させて１／
２波長板３０を介してレンズ３１に入射させるように機
能する。レンズ２７は、ビームスプリッタ２６からの戻
り光（平行光線）を収束光にし、非点収差を与えるシリ
ンドリカルレンズ２８を介して光検出器２９に入射させ
るように機能する。光検出器２９は、受光部が４分割さ
れており、それぞれの受光部に入射したレーザ光を電気
信号に変換し、サーボ用信号としてヘッドアンプ４に出
力するように機能する。

【００２０】レンズ３１は、１／２波長板３０からの戻
り光を収束光にし、ビームスプリッタ３２に入射させる
ように機能する。ビームスプリッタ３２は、レンズ３１
からの収束光を、透過させて光検出器３３に入射させる
と共に、反射させて光検出器３４に入射させるように機
能する。光検出器３３及び光検出器３４は、ビームスプ
リッタ３２からの戻り光の光量に対応する電気信号を、
それぞれ差動増幅器３５に出力するように機能する。差
動増幅器３５は、光検出器１４の出力と光検出器１５の
出力の差を計算し、その計算結果をＭＯ再生信号として
所定の装置（図示せず）に出力するように機能する。

【００２１】図３は、上記光磁気ヘッド部の第１の詳細
例を示す構成図である。この光磁気ヘッド部２５は、円
筒形状のケーシング４４の一端面に対物レンズ４１が取
り付けられ、ケーシング４４の他端面に磁界変調コイル
４２が取り付けられ、ケーシング４４の内部の磁界変調
コイル４２寄りに先玉レンズ（集光手段）４３が取り付
けられ、ケーシング４４の外部の対物レンズ４１寄りに
駆動用アクチュエータ４５が取り付けられた構成となっ
ている。ここで、先玉レンズ４３は、球面と平面よりな
る半球レンズを用いている。

【００２２】このような構成において、ビームスプリッ
タ２４からのレーザ光は、対物レンズ４１で収束され、
先玉レンズ４３に入射されて光磁気ディスク１上に照射
される。即ち、レーザ光は、対物レンズ４１と先玉レン
ズ４３の２つの収束手段により、光磁気ディスク１上に
集光される。このとき、フォーカスとトラッキングの調
整が、増幅器７、１０からのフォーカスエラー信号とト
ラッキングエラー信号に応じて駆動用アクチュエータ４
５により行われる。また、所定の装置から供給される記
録信号に対応する磁界が、磁界変調コイル４２により発
生され、レーザ光の照射位置に印加される。

【００２３】図４は、上記磁界変調コイルのより詳細な
形状例を示す断面側面図である。この磁界変調コイル４
２は、螺旋状の導体パターン（導電部）５１が円盤状の
絶縁層（絶縁部）５２で覆われており、さらに導体パタ
ーン５１は磁界変調コイル４２の中心の貫通穴５５部分
において外部と電気的な接続が可能な導体５０と接続さ
れた構成となっている。

【００２４】このような構成の磁界変調コイル４２の製
造方法を、図５〜図１０を参照して説明する。先ず、図
５に示すように、例えばメッキ用フォトレジストでなる
幅が５μｍ、高さが約１５μｍ、周期が１３μｍのパタ
ーン５３を、例えばステンレスでなるベース５４上に形
成する。なお、ベース５４の材質は、パターン５３の形
成が可能な導電体であれば良く、例えばアルミニウムを
用いても良い。そして、図６に示すように、例えば銅
（Ｃｕ）でなる導体パターン５１を、パターン５３が形
成されているベース５４上にパターン５３とほぼ同じ厚
さ形成する。その後、パターン５３をアセトン等の溶剤
により除去し、図７に示すように、絶縁層５２をパター
ン５３の除去面に形成した後、ベース５４を剥離し、図
８に示すように、絶縁層５２をベース５４の剥離面にも
形成する。

【００２５】ここで、導体パターン５１の形成方法は、
例えば電界メッキ方法が用いられる。絶縁層５２の材質
は、電気的絶縁性及びコイルの使用環境に耐えられる耐
薬品性を有し、かつ図９に示す穴開け工程が可能な材料
であれば良く、例えば低温焼成が可能なポリイミド（例
えば宇部興産（株）社製：ユピコート）が用いられる。
この絶縁層５２の形成方法は、例えばスクリーン印刷法
等により塗布した後、１６０°Ｃ程度の温度で焼成する
方法が用いられる。これにより、導体パターン５１の抵
抗を上昇させることなく、絶縁層５２を厚さ１０μｍ程
度に形成することが可能である。

【００２６】また、ベース５４の剥離方法は、ベース５
４がステンレスでなるときは機械的に剥がす方法、ベー
ス５４がアルミニウムでなるときはアルカリ系の溶剤に
浸して溶解させる方法等が用いられる。次に、図９に示
すように、絶縁層５２の中心に貫通穴５５を形成するた
めに、絶縁層５２を貫通穴５５に対応した形状のマスク
で覆い、貫通穴５５となる部分の絶縁層５２を除去す
る。ここで、絶縁層５２の除去方法は、例えばアブレー
ション加工が用いられる。このアブレーション加工条件
は、例えばエキシマレーザ光を加工面において１パルス
当り１．０Ｊ／ｃｍ² 程度のエネルギ密度となるように
照射する。

【００２７】そして、この貫通穴５５の加工工程におい
て、アブレーション加工により絶縁層５２のみが除去さ
れ、導電パターン５１は除去されない条件とすることに
より、貫通穴５５の加工面において、導電パターン５１
を露出させた部分５１ａを形成することが可能となる。
最後に、図１０に示すように、導体５０を貫通穴５５の
内周面から絶縁層５２の一端面にかけて成膜する。ここ
で、導体５０の成膜方法は、例えばスパッタリング法等
が用いられる。これにより、導電パターン５１の露出し
た部分５１ａと導体５０が接触するので、その部分にお
いて電気的な導通を得ることができ、両端子を形成する
ことができる。以上により、磁界変調コイル４２が完成
する。

【００２８】上述した磁界変調コイル４２においては、
絶縁層５２の材質であるポリイミドが、１６０°Ｃとい
う１７０°Ｃ以下の低温焼成が可能な材料であるので、
絶縁層５２の形成工程において、導電パターン５１の材
質である銅を酸化させずに形成することができる。さら
に、このポリイミドは、エキシマレーザ光を用いたアブ
レーション加工に適しているので、上記貫通穴５５の加
工工程において、高効率な加工を行うことができる。

【００２９】ここで、貫通穴５５を形成する際に用いる
マスクは、例えば図１１に示すように、貫通穴５５を形
成するためにアブレーション加工を行う円形状の部分６
０、即ちマスクの内周部が導体パターン５１の内周部の
一部と重なるように配置される。このような配置とする
ことにより、アブレーション加工時において多少の位置
ずれが発生しても、貫通穴５５の加工を安定して行える
と共に、導体パターン５１が露出した部分５１ａを安定
して形成することができる。

【００３０】より具体的には、エキシマレーザ光は、約
１２０μｍの径の照射スポットとなるようにして、絶縁
層５２上に照射されることとなるが、絶縁層５２の加工
を行う条件においては導体パターン５１はエキシマレー
ザ光によってアブレーション加工はなされず、導体パタ
ーン５１の内周部は１１０μｍの径を有しているので、
貫通穴５５の径は導体パターン５１の内周部の径と等し
くなる。従って、照射スポットが例えば５μｍ位置ずれ
を起しても、貫通穴５５が形成される１１０μｍの径の
領域の全面が照射部分となるので、貫通穴５５の形成位
置は変化しないこととなり、位置ずれの許容範囲が広く
なる。

【００３１】また、導電パターン５１の露出した部分５
１ａと導体５０との導通接続がなされる部分は、導体パ
ターン５１の側面だけではなく、上面も含まれることか
ら、貫通穴５５の加工工程に打ち抜き加工あるいはドリ
ル加工を用いた場合と比較して、導通面積を容易に広く
することが可能であるので、結果的に、スパッタリング
法等を用いて形成される導体５０の厚さを薄くすること
ができる。さらには、エキシマレーザ光を用いたアブレ
ーション加工により形成された貫通穴５５の断面は、多
少のテーパ角を有しているので、貫通穴５５の加工工程
に打ち抜き加工あるいはドリル加工を用いた場合と比較
して、より導通特性に適した穴形状を作製することがで
きる。

【００３２】また、貫通穴５５の位置合わせ精度を高め
ることが可能であるので、導電パターン５１の径を小さ
くして、発生させる磁界を強めることができると共に、
アブレーション加工により貫通穴５５と導体パターン５
１が露出した部分５１ａの形成を同時に行うことによ
り、従来のコンタクトホールのために必要であった領域
を削除することが可能となり、導電パターン５１の径を
さらに小さくして、発生させる磁界をさらに強めること
ができる。

【００３３】即ち、従来と同じ電流を導電パターン５１
に供給した場合、導電パターン５１の半径が小さくなっ
たことにより、発生する磁界は強くなると共に、従来と
同じ巻数であると抵抗値が低くなるので発生する熱量は
小さくなり、消費電力を小さくすることができる。より
具体的には、貫通穴５５の加工工程に打ち抜き加工ある
いはドリル加工を用いた場合は、穴明け時に導電パター
ン５１が破損しないように位置決めマージンを５０μｍ
程度とる必要があるので、導電パターン５１の最内径は
２５０μｍとすることが限界であったが、貫通穴５５の
加工工程にアブレーション加工を用いた場合は、導電パ
ターン５１の最内径を１５０μｍ以下とすることが可能
となる。

【００３４】従って、例えば導電パターン５１の最内径
が２５０μｍから１１０μｍになると、導電パターン５
１の中心線上で約３０μｍ離れた位置における発生磁界
を約５０％程度高めることができる。また、導電パター
ン５１のインピーダンスを小さくすることが可能となる
ので、磁界変調コイル４２の動作周波数（電流の反転周
波数）を電気回路に負荷を与えることなく高めることが
できる。

【００３５】図１２は、上記光磁気ヘッド部の第２の詳
細例を示す構成図であり、図３と同一構成箇所は同符号
を付して説明を省略する。この光磁気ヘッド部１２５
は、先玉レンズ１４３の一部が磁界変調コイル４２に形
成されている貫通穴５５に挿入可能な凸部１４３ａとな
るように形成された構成となっている。

【００３６】このような構成の光磁気ヘッド部１２５に
おいても、上記光磁気ヘッド部の第１の詳細例で述べた
効果と同様の効果を得ることができる。特に、光路とな
る凸部１４３ａの径を磁界変調コイル４２内に形成され
ている導体パターン５１の最内周の径にほぼ近付けるこ
とが可能となるので、先玉レンズ１４３の実装工程にお
ける対物レンズ４１に対する位置マージンを広げること
ができる。よって、先玉レンズ１４３の凸部１４３ａの
径に対して、磁界変調コイル４２の導体パターン５１を
極力小さくすることが可能となるので、導体パターン５
１の径をさらに小さくすることができる。

【００３７】また、先玉レンズ１４３に凸部１４３ａが
形成されていることにより、磁界変調コイル４２におけ
る厚さの制限を緩めることが可能となるので、導体パタ
ーン５１の厚さを厚くすることができる。従って、導体
パターン５１の抵抗値を低くすることができ、上記光磁
気ヘッド部の第１の詳細例で述べた効果よりも高い効果
を得ることができる。さらには、先玉レンズ１４３と磁
界変調コイル４２との組み立て工程においては、凸部１
４３ａを貫通穴５５に挿入すれば光学的な位置合わせを
用いる必要がなくなるので、組み立て工程の簡素化が容
易となる。

【００３８】図１３は、上記光磁気ヘッド部の第３の詳
細例を示す構成図であり、図１２と同一構成箇所は同符
号を付して説明を省略する。この光磁気ヘッド部２２５
は、先玉レンズ１４３に形成された凸部１４３ａが光磁
気ディスク１と光学的に接触状態とされた構成となって
いる。このような構成の光磁気ヘッド部２２５において
も、上記光磁気ヘッド部の第２の詳細例で述べた効果と
同様の効果を得ることができる。

【００３９】特に、磁界変調コイル４２の動作周波数
（電流の反転周波数）を電気回路に負荷を与えることな
く高めることができるという効果は、浮上量を安定させ
るためのヘッド速度に影響されるため、充分な記録密度
を得るために高い転送レートが要求されるヘッドがスラ
イダー上に形成されるニアフィールド記録においては、
凸部１４３ａが光磁気ディスク１と光学的に接触状態に
あるので、より一層高まることになる。

【００４０】図１４は、上記光磁気ヘッド部の第４の詳
細例を示す構成図であり、図１２と同一構成箇所は同符
号を付して説明を省略する。この光磁気ヘッド部３２５
は、磁界変調コイル１４２の導体パターン１５１の構造
が２層となっており、磁界変調コイル１４２の中心付近
に形成されている貫通穴１５５の形成部分において、２
層に形成された導体パターン１５１の導通がなされた構
成となっている。

【００４１】この磁界変調コイル１４２の製造方法は、
上記磁界変調コイル４２の製造方法において、図８に示
した工程が終了した状態の別個に形成された２つパター
ン部材を貼り合わせた後、図９に示した工程と同様にア
ブレーション加工により絶縁層の除去加工を行って貫通
穴１５５を形成し、、図１０に示した工程と同様に導体
を形成する方法により製造することができる。このよう
な構成の光磁気ヘッド部３２５においても、上記光磁気
ヘッド部の第２及び第３の詳細例で述べた効果と同様の
効果を得ることができる。特に、コイルの巻数を容易に
増加させることが可能となり、発生磁界をさらに高める
ことができる。

【００４２】上述した各磁界変調コイルの製造方法にお
いては、貫通穴の形成にエキシマレーザ光によるアブレ
ーション加工法を用いた例を示したが、導体パターンを
加工することなく、絶縁層のみを加工する加工法であれ
ば、例えば炭酸ガスレーザを用いたアブレーション加工
法であっても構わない。さらには、アブレーション加工
に限定する必要はなく、例えばパウダービームエッチン
グ法であっても構わない。但し、パウダービームエッチ
ング法においては、磁界変調コイルに直接マスクを形成
する必要があるので、アブレーション加工法に比べ、加
工効率が若干低下する。さらに、絶縁層の材質としてポ
リイミドを用いた例を示したが、ポリイミドに限定され
る必要はなく、アブレーション加工可能であれば例えば
アクリルあるいはエポキシさらにはガラエポを用いるこ
とができる。

【００４３】

【発明の効果】以上のように、本発明によれば、記録媒
体の厚さを薄くして記録密度を高めることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の光学記録装置の実施形態である光磁気
ディスク装置の一例を示す概略ブロック図。

【図２】図１の光磁気ディスク装置のヘッドの詳細例を
示す構成図。

【図３】図１の光磁気ディスク装置の光磁気ヘッド部の
第１の詳細例を示す構成図。

【図４】図３の光磁気ヘッド部の磁界変調コイルのより
詳細な形状例を示す断面側面図。

【図５】図４の磁界変調コイルの製造方法を示す第１の
図。

【図６】図４の磁界変調コイルの製造方法を示す第２の
図。

【図７】図４の磁界変調コイルの製造方法を示す第３の
図。

【図８】図４の磁界変調コイルの製造方法を示す第４の
図。

【図９】図４の磁界変調コイルの製造方法を示す第５の
図。

【図１０】図４の磁界変調コイルの製造方法を示す第６
の図。

【図１１】図４の磁界変調コイルの製造方法で使用する
マスクの配置例を示す平面図。

【図１２】図１の光磁気ディスク装置の光磁気ヘッド部
の第２の詳細例を示す構成図。

【図１３】図１の光磁気ディスク装置の光磁気ヘッド部
の第３の詳細例を示す構成図。

【図１４】図１の光磁気ディスク装置の光磁気ヘッド部
の第４の詳細例を示す構成図。

【符号の説明】

１Ａ・・・光磁気ディスク装置、１・・・光磁気ディス
ク、３・・・ヘッド、３Ａ・・・磁界発生装置、３Ｂ・
・・光ピックアップ装置、２５、１２５、２２５、３２
５・・・光磁気ヘッド部、４１・・・対物レンズ、４
２、１４２・・・磁界変調コイル、４３・・・先玉レン
ズ、４４・・・ケーシング、４５・・・駆動用アクチュ
エータ、５０・・・導体、５１、１５１・・・導体パタ
ーン、５２・・・絶縁層、５５、１５５・・・貫通穴、
１４３ａ・・・凸部

Claims (25)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 磁気光学効果を応用した記録媒体に対し
   て、磁界を印加し、光を照射してデータの記録あるいは
   再生を行う光学記録装置において、 前記光を発生する光発生手段と、 前記光発生手段により発生された光を前記記録媒体に集
   光する集光手段と、 前記磁界を発生する磁界発生手段とを有しており、 前記記録媒体に集光される光の光路が、前記磁界発生手
   段に形成されている径が１５０μｍ以下の貫通穴を含む
   ことを特徴とする光学記録装置。
2. 【請求項２】 前記磁界発生手段の内部に形成されてい
   る導電部が、前記貫通穴部分において電気的な接続がと
   られている請求項１に記載の光学記録装置。
3. 【請求項３】 前記貫通穴の軸方向の径が、前記磁界発
   生手段の内部に形成されている導電部により変化してい
   る請求項１に記載の光学記録装置。
4. 【請求項４】 前記集光手段の一部が凸部に形成されて
   おり、前記凸部が前記貫通穴に配置されている請求項１
   に記載の光学記録装置。
5. 【請求項５】 前記貫通穴が、アブレーション加工によ
   り形成されている請求項１に記載の光学記録装置。
6. 【請求項６】 前記アブレーション加工は、エキシマレ
   ーザ光を用いた加工法である請求項５に記載の光学記録
   装置。
7. 【請求項７】 前記アブレーション加工は、炭酸ガスレ
   ーザ光を用いた加工法である請求項５に記載の光学記録
   装置。
8. 【請求項８】 前記磁界発生手段の内部に形成されてい
   る絶縁部が、ポリイミドでなる請求項１に記載の光学記
   録装置。
9. 【請求項９】 前記磁界発生手段の内部に形成されてい
   る絶縁部が、１７０°Ｃ以下で焼成可能なポリイミドで
   なる請求項１に記載の光学記録装置。
10. 【請求項１０】 前記集光手段は、２つのレンズを用い
    ている請求項１に記載の光学記録装置。
11. 【請求項１１】 磁気光学効果を応用した記録媒体に照
    射する光を発生する光発生手段と、 前記光発生手段により発生された光を前記記録媒体に集
    光する集光手段と、 前記記録媒体に印加する磁界を発生する磁界発生手段と
    を有し、 前記記録媒体に対して、磁界を印加し、光を照射してデ
    ータの記録あるいは再生を行う光学記録装置の製造方法
    において、 前記記録媒体に集光される光の光路の一部となる貫通穴
    を、レーザ光を用いたアブレーション加工により前記磁
    界発生手段に形成する工程を含むことを特徴とする光学
    記録装置の製造方法。
12. 【請求項１２】 前記レーザ光の照射面積が、加工部分
    よりも広い請求項１１に記載の光学記録装置の製造方
    法。
13. 【請求項１３】 前記貫通穴の形成工程にて、前記磁界
    発生手段の内部に形成されている導電部の電気的な接続
    部分の加工を行う請求項１１に記載の光学記録装置の製
    造方法。
14. 【請求項１４】 前記貫通穴を前記集光手段に形成され
    ている凸部にはめ合わせることにより、前記磁界発生手
    段と集光手段との位置合わせを行う請求項１１に記載の
    光学記録装置の製造方法。
15. 【請求項１５】 前記アブレーション加工は、エキシマ
    レーザ光を用いた加工法である請求項１１に記載の光学
    記録装置の製造方法。
16. 【請求項１６】 前記アブレーション加工は、炭酸ガス
    レーザ光を用いた加工法である請求項１１に記載の光学
    記録装置の製造方法。
17. 【請求項１７】 前記貫通穴が加工される前記磁界発生
    手段の内部に形成されている絶縁部が、ポリイミドでな
    る請求項１１に記載の光学記録装置の製造方法。
18. 【請求項１８】 前記貫通穴が加工される前記磁界発生
    手段の内部の絶縁部が、１７０°Ｃ以下で焼成可能なポ
    リイミドでなる請求項１１に記載の光学記録装置の製造
    方法。
19. 【請求項１９】 径が１５０μｍ以下の貫通穴を有する
    磁界発生装置であり、 内部に形成されている導電部が、前記貫通穴部分におい
    て電気的な接続がとられていることを特徴とする磁界発
    生装置。
20. 【請求項２０】 前記貫通穴の軸方向の径が、内部に形
    成されている導電部により変化している請求項１９に記
    載の磁界発生装置。
21. 【請求項２１】 前記貫通穴が、アブレーション加工に
    より形成されている請求項１９に記載の磁界発生装置。
22. 【請求項２２】 前記アブレーション加工は、エキシマ
    レーザ光を用いた加工法である請求項２１に記載の磁界
    発生装置。
23. 【請求項２３】 前記アブレーション加工は、炭酸ガス
    レーザ光を用いた加工法である請求項２１に記載の磁界
    発生装置。
24. 【請求項２４】 内部に形成されている絶縁部が、ポリ
    イミドでなる請求項１９に記載の磁界発生装置。
25. 【請求項２５】 内部に形成されている絶縁部が、１７
    ０°Ｃ以下で焼成可能なポリイミドでなる請求項１９に
    記載の磁界発生装置。