ITMI972337A1 - Dispositivo schottky di potenza ad alta tensione con strato metallico di barriera di alluminio distanziato da un primo anello diffuso - Google Patents
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Description
CAMPO DELL*INVENZIONE
Quest'invenzione si riferisce ai diodi Schottky,e più in particolare si riferisce ad un diodo SchottJcy per alta tensione con elevata velocità di disinserzione^
FONDAMENTI DELL'INVENZIONE
I diodi Schottky sono molto ben noti e normalmente impiegano un materiale di funzionamento-lavoro di tipo pregiato che è in contatto con una superficie di silicio N- ottenuto con crescita epitassiale. Il diodo SchottJcy ha un vantaggio rispetto ad un diodo di giunzione P/N per un ripristino di inversione ad alta velocità, che permette il loro uso in applicazioni a frequenza molto elevata.I diodi SchottJcy della tecnica precedente a tensione più elevata frequentemente impiegano una diffusione anulare di protezione P+ che racchiude il ed è in contatto con il metallo di contatto. Tali dispositivi della tecnica precedente, ed un processo per la loro fabbricazione, sono tipicamente illustrati nel brevetto USANò. 4.899.199 a nome Herbert Gould. L'anello di protezione, per la tensione più bassa, provoca una bassa corrente di perdita e una caratteristica di interruzione a valanga molto rapida.
Attualmente i diodi Schottky noti sono solitamente previsti per una tensione inferiore a circa 200 volt. Tuttavia, quando la tensione di inversione aumenta, è necessario un silicio epitassiale di resistività superiore. Pertanto la corrente di conduzione può provocare una caduta di tensione positiva nel silicio epitassiale superiore ad una caduta di un diodo (circa 0,7 volt) . Quindi questo provoca la polarizzazione in conduzione delle giunzione N-/P+ per iniettare conduttori di corrente minoritari durante la conduzione normale. Il vantaggi0 principale di disinserzione di alta velocità viene quindi perduto.
BREVE SOMMARIO DELL'INVENZIONE
La presente invenzione fornisce un nuovo dìodo Schottky che ha un valore di tensione superiore a circa 400 volt, mentre ancora mantiene caratteristiche di funzionamento a velocità elevata e di tensione a valanga elevata dei diodi Schottky di tensione inferiore.
In accordo con la presente invenzione, il primo anello di protezione P+ è volutamente distanziato dal metallo di contatto per un piccolo traferro nella superficie di silicio epitassiale N-, che può impoverirsi completamente a bassa tensione durante la polarizzazione di inversione. Conseguentemente l'anello P+ flottante non inietterà i conduttori minoritari durante la conduzione di corrente in avanti e, durante la polarizzazione inversa, esso viene collegato rapidamente, tramite le regioni di impoverimento, al metallo di contatto per agire come un anello di protezione per disperdere il campo elettrico sulla periferia del dispositivo. In accordo con un'altra caratteristica dell'invenzione, il metallo di Schottky è scelto di alluminio. Mentre l'alluminio non è un metallo di funzionamento-lavoro di tipo pregiato normalmente scelto per i diodi Schottky (solitamente molibdeno, tungsteno, platino, palladio e simili), è stato rilevato che l'alluminio lavora bene nel diodo Schottky a tensione elevata (superiore a circa 400 volt) ed esso semplifica la sua fabbricazione.
Come un'ulteriore caratteristica dell'invenzione, viene utilizzata la riduzione del tempo di vita per il corpo del substrato di silicio. L'elemento di riduzione del teupo di vita può essere una diffusione di metallo pesante, per esempio oro, o può essere ottenuta con un trattamento di radiazioni adatte.
Come ulteriore caratteristica dell'invenzione, uno strato di resistenza di diffusione che collega le regioni di anodo e catodo può essere usata per fornire una prestazione di tensione di inversione più. elevata e affidabile. Il resistore di diffusione può, per esempio essere un qualsiasi materiale di alta resistività adatto, come un silicio amorfo (approssimativamente 1800 Angstrora).
Si deve notare che un anello di protezione di tipo P+ distanziato è illustrato nel brevetto USA NO. 5.418,185. Tale dispositivo, tuttavia è un dispositivo a conduzione laterale costruito su un substrato di tipo P. L’anello di protezione di tale brevetto viene usato per ridurre l'effetto di un transistore parassita PNP formato dall'anello di protezione di tipo P+, dal silicio epitassiale di tipo N e dal substrato di tipo P, In contrasto, la presente invenzione è un dispositivo di conduzione verticale senza una struttura di corpo di tipo P.
Altre caratteristiche e vantaggi della presente invenzione diverranno facilmente evidenti dalla descrizione seguente dell'invenzione che fa riferimento ai disegni allegati.
BREVE DESCRIZIONE DEI DISEGNI
- La Figura 1 illustra una sezione trasversale di un diodo Schottky della tecnica precedente con un anello di protezione di tipo P+;
- La Figura 2 è una sezione trasversale, simile a quella di Figura 1, di un diodo Scbottky realizzato in accordo con l'invenzione. DESCRIZIONE DETTAGLIATA DEI DISEGNI
Con riferimento dapprima alla Figura 1, viene illustrato un substrato di silicio di diodo Schotticy della tecnica precedente, in sezione trasversale· La topologia può avere una qualsiasi forma desiderata, per esempio, può essere un substrato di silìcio quadrato o simile. Il dispositivo o substrato di silìcio illustrato è simile a quello del brevetto USA No. 4.899.199 e comprende un corpo N+ sottile 10 di silicio monocristallino. Uno strato sottile di silicio N- 11 viene fatto crescere in modo epitassiale sopra il corpo N+ 10.
Usando la lavorazione fotolitografia convenzionale, uno strato di ossido viene depositato sopra lo strato N- 11 e viene aperta una finestra anulare, un bordo 12 della quale rimane, ed un anello di protezione di tipo P+ 13 viene diffuso nello strato N- 11.
Lo strato di ossido che si sovrappone all'area di silicio N- e parte dell'anello P+ sono quindi rimossi. Un metallo di contatto Schottky di molibdeno 14 viene quindi depositato sulla superficie esposta N- e sulla porzione interna dell'anello P 13.
Questo contatto è, a sua volta, coperto con un materiale di contatto 15, che permette un facile collegamento al molibdeno 14 e che agisce come un sigillante per mantenere il molibdeno sull'ossido. Un contatto inferiore 16 è collegato convenzionalmente con la superficie inferiore della regione N+ 10 per completare il dispositivo.
Il dispositivo di Figura 1 è convenzionalmente utilizzato per i diodi Schottky aventi una capacità di tensione di inversione fino a circa 200 volt.
Questi dispositivi hanno una bassa corrente di perdita di inversione nella polarizzazione di inversione ed hanno una caratteristica di tensione di guasto elevata. Essi sono anche estremamente rapidi, cosa che permette il loro uso ad alta frequenza.
Tuttavia, quando il valore dì tensione di inversione del disposi-
tivo viene aumentata, la resistività della regione 11 deve essere aumentata. Pertanto la corrente dì conduzione che attraversa questa resistenza maggiore 20 può provocare una caduta di tensione lungo la resistenza effettiva 20 del dispositivo per aumentare fino ad un valore superiore ad una caduta del diodo (circa 0,7 volt) . Quando questo si verifica, la regione P+ 13 provocherà delle vacanze dì elettroni nella regione 11 durante la conduzione di corrente normale. Questi conduttori minoritari quindi provocano un aumento della carica di ricupero di inversione ed un aumento sostanziale del tempo di disinserzione, in tal modo negando i vantaggi del diodo Schottky.
La Figura 2 illustra una sezione trasversale del dispositivo della presente invenzione nella quale parti simili a quelle di Figura 1 hanno gli stessi numeri di identificazione.
In accordo con un’importante caratteristica della presente invenzione, il primo anello P+ 30 (corrispondente all'anello 13 di Figura 1) è distanziato all'esterno rispetto al confine esterno del contatto metallico di barriera 31 (che corrisponde al contatto 14 di Figura 1 ) , Tuttavia in accordo con una caratteristica dell'invenzione, il metallo di barriera 31 è alluminio in contrasto con uno dei materiali di funzionamento- lavoro pregiati usuali usati normalmente per un dispositivo Schottky.
Il dispositivo di Figura 2 ha anch'esso un secondo anello P+ 32 che circonda ed è distanziato dall'anello 30. Anelli addizionali possono essere aggiunti per dispositivi a tensione maggiore.
Per formare la struttura di Figura 2, uno strato di ossido 40 ha una pluralità di finestre a forma di anello 41 e 42 formate nel suo interno e gli anelli P+ 30 e 32, rispettivamente, sono diffusi attraverso questa finestre. Una finestra centrale 42 viene quindi formata nell ossido 40, e uno strato di alluminio viene quindi depositato sopra l'intera superficie superiore e in contatto con lo strato epitassiale centrale N- 11 e gli anelli P+ 30 e 32. Si noti che l'alluminio aderisce bene all'ossido. L' alluminio viene quindi attaccato chimicamente per definire contatti a forma di anello 50 e 51 e il contatto di barriera centrale 31.
Come parte critica del processo il primo anello P+ 30 è distanziato da, ma è vicino alla periferia esterna del contatto 31 nella regione N-. Questo traferro è illustrato come traferro "X" di Figura 2, ed è dimensionato per essere completamente impoverito ad una tensione di inversione istantanea relativamente bassa. Tipicamente per una tensione di inversione di targa di circa 600 volt, la regione N- 11 avrà uno spessore di 60 micron e sarà un materiale con conduzione di 19,0 ohm.cm. Il traferro "X" sarà di circa 10 micron.
La nuova struttura opera ad una tensione di inversione elevata, per esempio , superiore a 400 volt. Durante la conduzione normale, l’anello 30 non è collegato al contatto 31 e non inietterà vacanze, anche se esiste una caduta di tensione di conduzione nel silicio, superiore a 0,7 volt. Tuttavia durante la polarizzazione di inversione, il traferro "X" si impoverisce rapidamente e l'anello 30 è collegato al contatto 31 e agisce per disperdere il canpo elettrico nel bordo del contatto 31 prima che il campo abbia raggiunto un valore elevato. Si noti che il contatto di alluminio 31 si sovrappone anche all'ossido 40 e agisce anche come una piastra di campo. L'uso di alluminio cerne metallo di barriera permette una lavorazione semplificata e aderisce bene all'ossido. Come ulteriore caratteristica dell'invenzione, degli atomi di riduzione del tempo di durata di metallo pesante, per esempio, oro, possono essere diffusi nel corpo di silicio 10. Può anche essere usata l'irradiazione di elettroni.
Uno strato di silicio amorfo 50, come circa uno spessore di 1800 Angstrom, può essere aggiunto come un resistore di diffusione per fornire una prestazione di tensione di inversione più affidabile. Sebbene la presente invenzione sia stata descritta in relazione alle sue forme di realizzazione particolari, molte altre varianti e modifiche e altri usi saranno evidenti alle persone esperte della tecnica. Pertanto è preferito che la presente invenzione sia limitata non dalla specifica rivelazione illustrata ma solo dalle rivendicazioni allegate.
Claims (8)
- RIVENDICAZIONI 1- Un diodo schottky per alta tensione comprendente un substrato di silicio monocristallino avente un corpo N+ e uno strato di silicio epitassiale N- sopra detto corpo N+; una barriera di Schottky strato di contatto disposto sopra e in contatto con la superficie superiore di detto strato di silicio epitassiale N-; ed un anello di protezione di diffusione P+ diffuso nella superficie di detto strato epitassiale e che circonda la periferia di detta barriera di Schottky che forma lo strato; la periferia interna di detto anello di protezione di diffusione P+ essendo distanziata dalla periferia esterna di detta barriera di Schottky che forma lo strato di contatto con un traferro laterale di spaziatura determinata; un secondo strato di contatto disposto sul fondo di detto corpo N+ per definire un dispositivo di conduzione verticale; detto traferro laterale essendo sufficientemente piccolo di modo che il silicio in detto traferro viene completamente impoverito quando la tensione di inversione fra detto secondo strato di contatto e detta barriera di Schottky che formano il contatto raggiunge una limitata frazione della tensione invertita di targa totale che deve essere sopportata da detto dispositivo.
- 2. Il diodo della rivendicazione 1, nel quale detto dispositivo ha un valore di tensione di inversione superiore a 400 volt.
- 3. Il diodo della rivendicazione 1, nel quale detto metallo che forma la barriera di Schottky è alluminio.
- 4. Il diodo della rivendicazione 1, nel quale detta superficie di detto substrato di silicio ha su di esso uno strato di ossido; detto strato di ossido avendo una finestra centrale che espone la superficie di detto strato N- e che ha una finestra a forma di anello che espone almeno una porzione della superficie di detta diffusione P+; detto metallo che forma la barriera di Schottky essendo in contatto con detto strato N- e con detta diffusione P+ attraverso detta finestra centrale e detta finestra saganata ad anello e almeno parzialmente sovrapponendosi e aderendo ai bordi di detto ossido che circonda dette finestre.
- 5. Il diodo della rivendicazione 1, nel quale la durata di vita di detto corpo N+ viene ridotta.
- 6. Il diodo della rivendicazione 1, il quale inoltre include atomi di metallo pesante che riducono la durata di vita distribuiti attraverso detto silicio.
- 7. il diodo della rivendicazione 1, il quale inoltre include un resistore di dispersione che è sovrapposto a e che collega la regione di anodo alla regione di catodo.
- 8. Il diodo della rivendicazione 13, nel quale detto resistore di dispersione è uno strato di silicio amorfo.
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Families Citing this family (35)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE69834321T2 (de) * | 1998-07-31 | 2006-09-14 | Freescale Semiconductor, Inc., Austin | Halbleiterstruktur für Treiberschaltkreise mit Pegelverschiebung |
| DE19838108B4 (de) * | 1998-08-21 | 2005-05-25 | Infineon Technologies Ag | Randstruktur für Hochvolt-Halbleiterbauelemente |
| US6573538B2 (en) * | 1998-11-12 | 2003-06-03 | International Business Machines Corporation | Semiconductor device with internal heat dissipation |
| US6066884A (en) * | 1999-03-19 | 2000-05-23 | Lucent Technologies Inc. | Schottky diode guard ring structures |
| JP2001168351A (ja) | 1999-12-13 | 2001-06-22 | Fuji Electric Co Ltd | 半導体装置 |
| US6486524B1 (en) * | 2000-02-22 | 2002-11-26 | International Rectifier Corporation | Ultra low Irr fast recovery diode |
| US6525389B1 (en) * | 2000-02-22 | 2003-02-25 | International Rectifier Corporation | High voltage termination with amorphous silicon layer below the field plate |
| US6699775B2 (en) * | 2000-02-22 | 2004-03-02 | International Rectifier Corporation | Manufacturing process for fast recovery diode |
| US6753580B1 (en) * | 2000-05-05 | 2004-06-22 | International Rectifier Corporation | Diode with weak anode |
| KR100364923B1 (ko) * | 2000-06-13 | 2002-12-16 | 주식회사 케이이씨 | 쇼트키베리어다이오드 및 그 제조방법 |
| US6690037B1 (en) | 2000-08-31 | 2004-02-10 | Agere Systems Inc. | Field plated Schottky diode |
| JP4357753B2 (ja) * | 2001-01-26 | 2009-11-04 | 株式会社東芝 | 高耐圧半導体装置 |
| US20020195613A1 (en) * | 2001-04-02 | 2002-12-26 | International Rectifier Corp. | Low cost fast recovery diode and process of its manufacture |
| US6657273B2 (en) * | 2001-06-12 | 2003-12-02 | International Rectifirer Corporation | Termination for high voltage schottky diode |
| JP2003069045A (ja) * | 2001-08-22 | 2003-03-07 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置 |
| US7129558B2 (en) * | 2002-11-06 | 2006-10-31 | International Rectifier Corporation | Chip-scale schottky device |
| US6936905B2 (en) * | 2003-04-24 | 2005-08-30 | Shye-Lin Wu | Two mask shottky diode with locos structure |
| JP2006210667A (ja) * | 2005-01-28 | 2006-08-10 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置 |
| US7820473B2 (en) | 2005-03-21 | 2010-10-26 | Semiconductor Components Industries, Llc | Schottky diode and method of manufacture |
| US7279390B2 (en) * | 2005-03-21 | 2007-10-09 | Semiconductor Components Industries, L.L.C. | Schottky diode and method of manufacture |
| US7525178B2 (en) * | 2005-10-25 | 2009-04-28 | International Rectifier Corporation | Semiconductor device with capacitively coupled field plate |
| US7821095B2 (en) * | 2006-07-14 | 2010-10-26 | Semiconductor Components Industries, Llc | Method of forming a Schottky diode and structure therefor |
| US7633135B2 (en) * | 2007-07-22 | 2009-12-15 | Alpha & Omega Semiconductor, Ltd. | Bottom anode Schottky diode structure and method |
| US7750426B2 (en) * | 2007-05-30 | 2010-07-06 | Intersil Americas, Inc. | Junction barrier Schottky diode with dual silicides |
| US8338906B2 (en) * | 2008-01-30 | 2012-12-25 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Schottky device |
| US7960781B2 (en) * | 2008-09-08 | 2011-06-14 | Semiconductor Components Industries, Llc | Semiconductor device having vertical charge-compensated structure and sub-surface connecting layer and method |
| US9000550B2 (en) | 2008-09-08 | 2015-04-07 | Semiconductor Components Industries, Llc | Semiconductor component and method of manufacture |
| US7902075B2 (en) * | 2008-09-08 | 2011-03-08 | Semiconductor Components Industries, L.L.C. | Semiconductor trench structure having a sealing plug and method |
| CN102790097B (zh) * | 2012-08-10 | 2014-08-06 | 江苏能华微电子科技发展有限公司 | 功率二极管器件及其制备方法 |
| US9716187B2 (en) | 2015-03-06 | 2017-07-25 | Semiconductor Components Industries, Llc | Trench semiconductor device having multiple trench depths and method |
| US10431699B2 (en) | 2015-03-06 | 2019-10-01 | Semiconductor Components Industries, Llc | Trench semiconductor device having multiple active trench depths and method |
| DE102016120301A1 (de) * | 2016-10-25 | 2018-04-26 | Infineon Technologies Ag | Leistungshalbleitervorrichtungs-Abschlussstruktur |
| US10388801B1 (en) * | 2018-01-30 | 2019-08-20 | Semiconductor Components Industries, Llc | Trench semiconductor device having shaped gate dielectric and gate electrode structures and method |
| US10439075B1 (en) | 2018-06-27 | 2019-10-08 | Semiconductor Components Industries, Llc | Termination structure for insulated gate semiconductor device and method |
| US10566466B2 (en) | 2018-06-27 | 2020-02-18 | Semiconductor Components Industries, Llc | Termination structure for insulated gate semiconductor device and method |
Family Cites Families (30)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3599054A (en) * | 1968-11-22 | 1971-08-10 | Bell Telephone Labor Inc | Barrier layer devices and methods for their manufacture |
| US3586542A (en) * | 1968-11-22 | 1971-06-22 | Bell Telephone Labor Inc | Semiconductor junction devices |
| US3694719A (en) * | 1970-11-27 | 1972-09-26 | Rca Corp | Schottky barrier diode |
| US3783049A (en) * | 1971-03-31 | 1974-01-01 | Trw Inc | Method of platinum diffusion |
| US3855612A (en) * | 1972-01-03 | 1974-12-17 | Signetics Corp | Schottky barrier diode semiconductor structure and method |
| DE2341311C3 (de) * | 1973-08-16 | 1981-07-09 | Licentia Patent-Verwaltungs-Gmbh, 6000 Frankfurt | Verfahren zum Einstellen der Lebensdauer von Ladungsträgern in Halbleiterkörpern |
| US4063964A (en) * | 1976-12-27 | 1977-12-20 | International Business Machines Corporation | Method for forming a self-aligned schottky barrier device guardring |
| US4373166A (en) * | 1978-12-20 | 1983-02-08 | Ibm Corporation | Schottky Barrier diode with controlled characteristics |
| JPS55138273A (en) * | 1979-04-11 | 1980-10-28 | Fujitsu Ltd | Transistor |
| JPS56148871A (en) * | 1980-04-21 | 1981-11-18 | Nec Corp | Schottky barrier diode |
| US4253105A (en) * | 1980-07-03 | 1981-02-24 | Rca Corporation | Semiconductor power device incorporating a schottky barrier diode between base and emitter of a PNP device |
| US4405934A (en) * | 1981-04-13 | 1983-09-20 | Texas Instruments Incorporated | NPM Anti-saturation clamp for NPN logic gate transistor |
| JPS58110082A (ja) * | 1981-12-23 | 1983-06-30 | Nec Corp | 半導体装置の製造方法 |
| DE3219598A1 (de) * | 1982-05-25 | 1983-12-01 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Schottky-leistungsdiode |
| JPS59189679A (ja) * | 1983-04-13 | 1984-10-27 | Hitachi Ltd | ダイオ−ド |
| JPS59232467A (ja) * | 1983-06-16 | 1984-12-27 | Toshiba Corp | ガ−ドリング付きシヨツトキ−バリヤ−ダイオ−ド |
| JPS6020585A (ja) * | 1983-07-14 | 1985-02-01 | Sanyo Electric Co Ltd | シヨツトキ−バリア・ダイオ−ド |
| US4641174A (en) * | 1983-08-08 | 1987-02-03 | General Electric Company | Pinch rectifier |
| US4899199A (en) * | 1983-09-30 | 1990-02-06 | International Rectifier Corporation | Schottky diode with titanium or like layer contacting the dielectric layer |
| US4536945A (en) * | 1983-11-02 | 1985-08-27 | National Semiconductor Corporation | Process for producing CMOS structures with Schottky bipolar transistors |
| GB2151844A (en) * | 1983-12-20 | 1985-07-24 | Philips Electronic Associated | Semiconductor devices |
| JPS60206179A (ja) * | 1984-03-30 | 1985-10-17 | Nec Corp | 半導体装置 |
| JPS61114574A (ja) * | 1984-11-09 | 1986-06-02 | Hitachi Ltd | 半導体装置 |
| JPS6236860A (ja) * | 1985-08-09 | 1987-02-17 | Sanyo Electric Co Ltd | シヨツトキ−バリア・ダイオ−ド |
| JP2577345B2 (ja) * | 1985-09-20 | 1997-01-29 | 株式会社東芝 | 半導体装置 |
| US4901120A (en) * | 1987-06-10 | 1990-02-13 | Unitrode Corporation | Structure for fast-recovery bipolar devices |
| US5027166A (en) * | 1987-12-04 | 1991-06-25 | Sanken Electric Co., Ltd. | High voltage, high speed Schottky semiconductor device and method of fabrication |
| JPH0610700Y2 (ja) * | 1988-11-04 | 1994-03-16 | オリジン電気株式会社 | ショットキバリアダイオード |
| JPH0425255U (it) * | 1990-06-22 | 1992-02-28 | ||
| US5418185A (en) * | 1993-01-21 | 1995-05-23 | Texas Instruments Incorporated | Method of making schottky diode with guard ring |
-
1996
- 1996-10-15 US US08/729,873 patent/US5859465A/en not_active Expired - Lifetime
-
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