JPS58110082A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPS58110082A JPS58110082A JP20878381A JP20878381A JPS58110082A JP S58110082 A JPS58110082 A JP S58110082A JP 20878381 A JP20878381 A JP 20878381A JP 20878381 A JP20878381 A JP 20878381A JP S58110082 A JPS58110082 A JP S58110082A
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- oxide film
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Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 14
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 7
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 10
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 6
- 241000293849 Cordylanthus Species 0.000 claims abstract description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract 3
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 abstract description 6
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 abstract description 6
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 abstract description 4
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 abstract description 2
- 239000012808 vapor phase Substances 0.000 abstract description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 2
- 210000003323 beak Anatomy 0.000 abstract 1
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 230000006837 decompression Effects 0.000 abstract 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 abstract 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 abstract 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 abstract 1
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 4
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- FRIKWZARTBPWBN-UHFFFAOYSA-N [Si].O=[Si]=O Chemical compound [Si].O=[Si]=O FRIKWZARTBPWBN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 230000002378 acidificating effect Effects 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/86—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable only by variation of the electric current supplied, or only the electric potential applied, to one or more of the electrodes carrying the current to be rectified, amplified, oscillated or switched
- H01L29/861—Diodes
- H01L29/872—Schottky diodes
Landscapes
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は半導体装置の製造方法に係ＤＪにシ１．トキー
パリャダイオードの製造方法に関する。
パリャダイオードの製造方法に関する。
ショットキーバリヤダイオードは、半導体集積回路に広
く用いられている。このダイオードのコンタクト部分に
あるシリコンー二酸化シリコン（８１−８１０，）界面
拡圧の固定電荷のため、コンタクトの端で空乏層がせま
くな夛、電界が集中してリーク電流が生じ、耐圧が下が
る。このため、コンタクト周辺にｐｎ接合ガードリング
やフィールドプレート等の対策をして、リークを防いで
いる。
く用いられている。このダイオードのコンタクト部分に
あるシリコンー二酸化シリコン（８１−８１０，）界面
拡圧の固定電荷のため、コンタクトの端で空乏層がせま
くな夛、電界が集中してリーク電流が生じ、耐圧が下が
る。このため、コンタクト周辺にｐｎ接合ガードリング
やフィールドプレート等の対策をして、リークを防いで
いる。
しかしながら、これらの対策のため、寄生の容量が増加
したシ、占有面積が大きくなる等の欠点が新たに生じる
ことになる。
したシ、占有面積が大きくなる等の欠点が新たに生じる
ことになる。
本発明の目的は、かかる従来接衝の欠点を解決し、占有
面積が小さくかつリークの少ないシ、。
面積が小さくかつリークの少ないシ、。
トキーパリャーダイオードを有する半導体装置の製造方
決を提供するととＫある。
決を提供するととＫある。
以下図面を参照して１本発明の製造方法を詳細に説明す
る。
る。
まず、第１図（ａ） Ｋ示すように、半導体基板１１例
えばｎ形シリコンエピタキシャル層上に％非酸化性絶縁
膜２１例えば減圧気相成長窒化膜（１０００Ａの厚さ）
を設ける。次に８１図（ｂ）に示すように。
えばｎ形シリコンエピタキシャル層上に％非酸化性絶縁
膜２１例えば減圧気相成長窒化膜（１０００Ａの厚さ）
を設ける。次に８１図（ｂ）に示すように。
酸化雰囲気中で熱処理することによって、酸化膜３を５
０００＾及至１００００Ａの厚さに形成する。
０００＾及至１００００Ａの厚さに形成する。
このとき、窒化膜２とシリコン基＆ｌとの間の酸化膜３
が、鳥のくちばし状のテーパが付くように。
が、鳥のくちばし状のテーパが付くように。
条件設定する。すなわち、８００℃の酸嵩雰囲中で約６
００分の間熱処理することが好ましい、しかる後、窒化
膜２を除去して、露出したシリコン基＆１の主面に、鳥
のくちばし状の酸化膜３を覆うように、電極４例えば１
．２＃ｍの厚さのアル々ニウム（Ａｊ ）膜を形成しく
第１ 図（Ｃ） ’）、アロイ熱処理して、ショットキ
ーバリヤダイオードを形成する。
００分の間熱処理することが好ましい、しかる後、窒化
膜２を除去して、露出したシリコン基＆１の主面に、鳥
のくちばし状の酸化膜３を覆うように、電極４例えば１
．２＃ｍの厚さのアル々ニウム（Ａｊ ）膜を形成しく
第１ 図（Ｃ） ’）、アロイ熱処理して、ショットキ
ーバリヤダイオードを形成する。
このようにして形成されたシ１．トキーバリャダイオー
ドは、酸化膜にテーパが付いているので。
ドは、酸化膜にテーパが付いているので。
空乏層端の電界集中が弱められて、逆方向の降伏電圧が
改善され、ｐｎ接合ガードリング等よシも曳好な効果が
得られる。
改善され、ｐｎ接合ガードリング等よシも曳好な効果が
得られる。
本発明Ｋかかるシ１．トキーバリャダイオードを、高集
積度論理回路例えば集積シ、、トキ論理（Ｉｎｔｅｇｒ
ａｔｅｄ ５ｃｈｏｔｔｋａｙ １０ｇ１ｃ）回路また
はシ璽ットキ集積注入論理（８ｃｈｏｔｔｋｅｙ １”
Ｌ）回路等の素子に応用すれば高集積化、高信頼度化に
着しい効果を及ぼすことがでＩＩ。
積度論理回路例えば集積シ、、トキ論理（Ｉｎｔｅｇｒ
ａｔｅｄ ５ｃｈｏｔｔｋａｙ １０ｇ１ｃ）回路また
はシ璽ットキ集積注入論理（８ｃｈｏｔｔｋｅｙ １”
Ｌ）回路等の素子に応用すれば高集積化、高信頼度化に
着しい効果を及ぼすことがでＩＩ。
第１図（１）及至館１図（ａは１本発明の一寮施例を工
場層に説明するための半導体装置の断面図である。伺、
図において、 １・・・・・・半導体基板、２・・・・・・窒化膜、３
・・・・・・酸化膜、４・・・・・・電極である。
場層に説明するための半導体装置の断面図である。伺、
図において、 １・・・・・・半導体基板、２・・・・・・窒化膜、３
・・・・・・酸化膜、４・・・・・・電極である。
Claims (1)
- 一導電型の半導体基板の主面に１選択的に酸化膜をその
端部の断面が鳥のくちばし状になるように形成し、前記
酸化膜に囲まれた部分の前記半導体基板の表面及び前記
酸化膜の前記端部を覆う金属電極を形成し、前記金属電
極を一方の電極とし前記半導体基板を他方の電極とする
シ、、トキーパリアダイオードを形成することを特徴と
する半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20878381A JPS58110082A (ja) | 1981-12-23 | 1981-12-23 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20878381A JPS58110082A (ja) | 1981-12-23 | 1981-12-23 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58110082A true JPS58110082A (ja) | 1983-06-30 |
Family
ID=16562025
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20878381A Pending JPS58110082A (ja) | 1981-12-23 | 1981-12-23 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58110082A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH10178186A (ja) * | 1996-10-15 | 1998-06-30 | Internatl Rectifier Corp | 高電圧ショットキーダイオード |
-
1981
- 1981-12-23 JP JP20878381A patent/JPS58110082A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH10178186A (ja) * | 1996-10-15 | 1998-06-30 | Internatl Rectifier Corp | 高電圧ショットキーダイオード |
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