JPS6020585A - シヨツトキ−バリア・ダイオ−ド - Google Patents
シヨツトキ−バリア・ダイオ−ドInfo
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- JPS6020585A JPS6020585A JP12896883A JP12896883A JPS6020585A JP S6020585 A JPS6020585 A JP S6020585A JP 12896883 A JP12896883 A JP 12896883A JP 12896883 A JP12896883 A JP 12896883A JP S6020585 A JPS6020585 A JP S6020585A
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- Japan
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- metal electrode
- guard ring
- barrier metal
- schottky barrier
- barrier diode
- Prior art date
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- Pending
Links
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- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 22
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- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/86—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable only by variation of the electric current supplied, or only the electric potential applied, to one or more of the electrodes carrying the current to be rectified, amplified, oscillated or switched
- H01L29/861—Diodes
- H01L29/872—Schottky diodes
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(イ)産業上の利用分野
本発明はショットキーバリア・ダイオードの高速スイッ
チング特性の改良に関する。
チング特性の改良に関する。
(ロ)従来技術
ショットキーバリア・ダイオードは第1図に示す如く、
N型のシリコン半導体基板(1)にリング状にP+型の
ガードリング(2)を設け、表面σ)シリコン酸化膜(
3)に設けたコンタクト孔を介してバリアメタル電極(
4)を形成している。バリアメタル電極(4)はMo
、 N iおよび半田を積層して形成し、その周縁はガ
ードリング(2)のほぼ中央に位置している。
N型のシリコン半導体基板(1)にリング状にP+型の
ガードリング(2)を設け、表面σ)シリコン酸化膜(
3)に設けたコンタクト孔を介してバリアメタル電極(
4)を形成している。バリアメタル電極(4)はMo
、 N iおよび半田を積層して形成し、その周縁はガ
ードリング(2)のほぼ中央に位置している。
斯る構造に依れば、ガードリング(2)はバリアメタル
電極(4)の周縁で発生する電界集中を低減させてリー
ク電流を小さくさせている。
電極(4)の周縁で発生する電界集中を低減させてリー
ク電流を小さくさせている。
近年スイッチングレギュレータ等の普及によりそれに用
いる出力ダイオードは高周波スイッチング特性を要求さ
れてきた。斯る用途にスイッチングタイムの小さく、ス
イッチングロスの非常に少いショットキーバリア・ダイ
オードが利用されている。上述したガードリング(2)
はショットキーバリア・ダイオードの高耐圧化には寄与
するが、反面ガードリング(2)の接合容量のためにス
イッチングタイムが増加する欠点がある。
いる出力ダイオードは高周波スイッチング特性を要求さ
れてきた。斯る用途にスイッチングタイムの小さく、ス
イッチングロスの非常に少いショットキーバリア・ダイ
オードが利用されている。上述したガードリング(2)
はショットキーバリア・ダイオードの高耐圧化には寄与
するが、反面ガードリング(2)の接合容量のためにス
イッチングタイムが増加する欠点がある。
(ハ)発明の目的
本発明は斯上した欠点に鑑みてなされ、従来の欠点を大
rjJに改善した高周波スイッチング特性の良好なショ
ットキーバリアーダイオードを提供するものである。
rjJに改善した高周波スイッチング特性の良好なショ
ットキーバリアーダイオードを提供するものである。
に)発明の構成
本発明は第2図に示す如く、−導電型の半導体基板(1
])と基板00表面と接触するバIJ ’fメタル電極
α4)と逆導電型のガードリングα渇とを具備するショ
ットキーバリア・ダイオードにおいて、ガードリンクα
乃とバリアメタル電極04)の周縁を離間させてガード
リングα鎧の接合容量をバリアメタル電極α沿より分離
する様に構成される。
])と基板00表面と接触するバIJ ’fメタル電極
α4)と逆導電型のガードリングα渇とを具備するショ
ットキーバリア・ダイオードにおいて、ガードリンクα
乃とバリアメタル電極04)の周縁を離間させてガード
リングα鎧の接合容量をバリアメタル電極α沿より分離
する様に構成される。
(ホ)実施例
本発明によるショットキーバリア・ダイオードは第2図
の如く、N型のシリコン半導体基板αυを用意し、基板
α0表面にシリコン酸化膜α■を形成した後、ポロンの
選択拡散により基板(II)表面にリング状のP+型の
ガードリンクα湯を形成する。半導体基板0】)の比抵
抗は形成するショットキーバリア・ダイオードの耐圧に
よって選び、50V系では1.5Ωα、100■系では
4Ω歯のものを使用する。バリアメタル電極(141は
シリコン酸化膜(13)ヲ選択的に除去してコンタクト
孔(1つを設け、MO,Ni。
の如く、N型のシリコン半導体基板αυを用意し、基板
α0表面にシリコン酸化膜α■を形成した後、ポロンの
選択拡散により基板(II)表面にリング状のP+型の
ガードリンクα湯を形成する。半導体基板0】)の比抵
抗は形成するショットキーバリア・ダイオードの耐圧に
よって選び、50V系では1.5Ωα、100■系では
4Ω歯のものを使用する。バリアメタル電極(141は
シリコン酸化膜(13)ヲ選択的に除去してコンタクト
孔(1つを設け、MO,Ni。
Alの順にスパッタリングてより積層して形成する。
本発明の最大の特徴はバリアメタル電極04)の基板接
触部分の周縁とガードリング02とを離間させているこ
とにある。即ちガードリンク02はバリアメタル電極α
沿の周縁より外側にO〜10μ程度離間させている。こ
の離間距離りはショットキーバリア・ダイオードの耐圧
により選択され、30V系では少し離間させ、150V
系では10μ程度離間させる。
触部分の周縁とガードリング02とを離間させているこ
とにある。即ちガードリンク02はバリアメタル電極α
沿の周縁より外側にO〜10μ程度離間させている。こ
の離間距離りはショットキーバリア・ダイオードの耐圧
により選択され、30V系では少し離間させ、150V
系では10μ程度離間させる。
斯上した本発明の構造に依ればショットキーバリア・ダ
イオードに逆バイアスを印加して空乏層によりガードリ
ンク0渇と接続されてバリアメタル電極α荀の周縁での
電界の集中は発生せず従来と同様の耐圧を得られる。ま
たガードリング(121のPN接合容量はバリアメタル
電極(I4)と接続されないので接合容量による高周波
スイッチング特性の劣化を防止できる。
イオードに逆バイアスを印加して空乏層によりガードリ
ンク0渇と接続されてバリアメタル電極α荀の周縁での
電界の集中は発生せず従来と同様の耐圧を得られる。ま
たガードリング(121のPN接合容量はバリアメタル
電極(I4)と接続されないので接合容量による高周波
スイッチング特性の劣化を防止できる。
具体的には半導体基板0】)として8Ωαのシリコンを
用い、直径2朋のバリアメタル電極αaを形成した15
0V系のショットキーバリア・ダイオードでは、従来構
造ではスイッチングタイムが1.8nsであったが、本
発明の構造でLを10μで設計するとスイッチングタイ
ムが1.1nsまで向上できた。
用い、直径2朋のバリアメタル電極αaを形成した15
0V系のショットキーバリア・ダイオードでは、従来構
造ではスイッチングタイムが1.8nsであったが、本
発明の構造でLを10μで設計するとスイッチングタイ
ムが1.1nsまで向上できた。
(へ)効果
本発明に依ればガードリンク(12をバリアメタル電極
α4)の周縁より耐圧に応じた距離りだけ離間させるこ
とによりショットキーバリアーダイオードの高耐圧特性
を維持したままで高周波スイッチング特性を改善できる
利点を有する。この結果スイッチングレギュレータ等の
高周波化をめられる用途への利用を図れ、スイッチング
ロス低減に寄与する。
α4)の周縁より耐圧に応じた距離りだけ離間させるこ
とによりショットキーバリアーダイオードの高耐圧特性
を維持したままで高周波スイッチング特性を改善できる
利点を有する。この結果スイッチングレギュレータ等の
高周波化をめられる用途への利用を図れ、スイッチング
ロス低減に寄与する。
第1図は従来例を説明する断面図、第2図は本発明を説
明する断面図である。 (I])は半導体基板、 (121はガードリング、
03)はシリコン酸化膜、 (14)はバリアメタル電
極、(2)はコンタクト孔である。 第1図 を 一一一
明する断面図である。 (I])は半導体基板、 (121はガードリング、
03)はシリコン酸化膜、 (14)はバリアメタル電
極、(2)はコンタクト孔である。 第1図 を 一一一
Claims (1)
- (1) −導電型の半導体基板と該基板表面に接触する
バリアメタル電極と該電極の周縁に対応して設けられた
逆導電壓のガードリングとを具備するショットキーバリ
ア・ダイオードに於(1て、前記ガードリングとバリア
メタル電極の周縁とを離間させて前記ガードリングの接
合容量を前記)(リアメタル電極より分離することを特
徴とするショットキーバリア・ダイオード。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP12896883A JPS6020585A (ja) | 1983-07-14 | 1983-07-14 | シヨツトキ−バリア・ダイオ−ド |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP12896883A JPS6020585A (ja) | 1983-07-14 | 1983-07-14 | シヨツトキ−バリア・ダイオ−ド |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6020585A true JPS6020585A (ja) | 1985-02-01 |
Family
ID=14997859
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP12896883A Pending JPS6020585A (ja) | 1983-07-14 | 1983-07-14 | シヨツトキ−バリア・ダイオ−ド |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6020585A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5081510A (en) * | 1988-11-11 | 1992-01-14 | Sanken Electric Co., Ltd. | High-voltage semiconductor device having a rectifying barrier, and method of fabrication |
US5418185A (en) * | 1993-01-21 | 1995-05-23 | Texas Instruments Incorporated | Method of making schottky diode with guard ring |
FR2755794A1 (fr) * | 1996-10-15 | 1998-05-15 | Int Rectifier Corp | Diode schottky de puissance pour haute tension, ayant un metal de barriere fait d'aluminium et ecarte du premier anneau diffuse |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5121747A (ja) * | 1974-08-16 | 1976-02-21 | Hitachi Ltd | Koteideetahatsuseihoshiki |
JPS57126172A (en) * | 1981-01-27 | 1982-08-05 | Toshiba Corp | Schottky barrier diode |
-
1983
- 1983-07-14 JP JP12896883A patent/JPS6020585A/ja active Pending
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5121747A (ja) * | 1974-08-16 | 1976-02-21 | Hitachi Ltd | Koteideetahatsuseihoshiki |
JPS57126172A (en) * | 1981-01-27 | 1982-08-05 | Toshiba Corp | Schottky barrier diode |
Cited By (6)
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---|---|---|---|---|
US5081510A (en) * | 1988-11-11 | 1992-01-14 | Sanken Electric Co., Ltd. | High-voltage semiconductor device having a rectifying barrier, and method of fabrication |
US5418185A (en) * | 1993-01-21 | 1995-05-23 | Texas Instruments Incorporated | Method of making schottky diode with guard ring |
US5539237A (en) * | 1993-01-21 | 1996-07-23 | Texas Instruments Incorporated | Schottky diode with guard ring |
FR2755794A1 (fr) * | 1996-10-15 | 1998-05-15 | Int Rectifier Corp | Diode schottky de puissance pour haute tension, ayant un metal de barriere fait d'aluminium et ecarte du premier anneau diffuse |
JPH10178186A (ja) * | 1996-10-15 | 1998-06-30 | Internatl Rectifier Corp | 高電圧ショットキーダイオード |
US5859465A (en) * | 1996-10-15 | 1999-01-12 | International Rectifier Corporation | High voltage power schottky with aluminum barrier metal spaced from first diffused ring |
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