JPS5878472A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
- Publication number
- JPS5878472A JPS5878472A JP17680281A JP17680281A JPS5878472A JP S5878472 A JPS5878472 A JP S5878472A JP 17680281 A JP17680281 A JP 17680281A JP 17680281 A JP17680281 A JP 17680281A JP S5878472 A JPS5878472 A JP S5878472A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- schottky barrier
- diode
- burning
- insulating film
- barrier diode
- Prior art date
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- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 13
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 7
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 6
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 abstract description 27
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 3
- 210000001015 abdomen Anatomy 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/86—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable only by variation of the electric current supplied, or only the electric potential applied, to one or more of the electrodes carrying the current to be rectified, amplified, oscillated or switched
- H01L29/861—Diodes
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
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- Physics & Mathematics (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は半導体装置、特に高周波で使用されるショット
キバリヤダイオードの構造に関するものである。
キバリヤダイオードの構造に関するものである。
ショットキバリヤダイオードは半導体と金属との接触に
よシ整流作用を示す半導体装置であシ、その電気的特性
はＰ−Ｎ接合のダイオードに較べて高周波整流特性が極
めて優れているという特徴をもっている。従って特殊な
用途を除いて通常シ冒、）キパリャダイオードは高周波
用として設計されて込る。
よシ整流作用を示す半導体装置であシ、その電気的特性
はＰ−Ｎ接合のダイオードに較べて高周波整流特性が極
めて優れているという特徴をもっている。従って特殊な
用途を除いて通常シ冒、）キパリャダイオードは高周波
用として設計されて込る。
一般にショットキバリヤダイ−オードの構造は電１図（
ａ）ＶＣ上部平面図、（ｂ）に断面図を示すように、半
導体基板１１に絶１ｌｆｌ［１２を被着させ所要の藺積
の窓を絶縁膜に設けて、そこにショットキバリヤを形成
する金属１３ｔ−半導体基板に接触させたものである。
ａ）ＶＣ上部平面図、（ｂ）に断面図を示すように、半
導体基板１１に絶１ｌｆｌ［１２を被着させ所要の藺積
の窓を絶縁膜に設けて、そこにショットキバリヤを形成
する金属１３ｔ−半導体基板に接触させたものである。
この様な構造をしたシ、トキバリ′ヤダイオードの欠点
は過電圧、−電流に弱く、接合部周辺において焼損をう
けやすいという欠点をもつヤいることである。この欠点
を除くために従来第２図に示す断面図のようにショット
キバリヤの周縁部にＰ−Ｎ接合２４を設けて耐焼損性を
上げる方法が用いられている。しかしＰ−Ｎ接合のある
構造はショットキバリヤダイオードの優れた高周波特性
がＰ−Ｎ接合の特性で制限されてしまうという欠点をも
っている。
は過電圧、−電流に弱く、接合部周辺において焼損をう
けやすいという欠点をもつヤいることである。この欠点
を除くために従来第２図に示す断面図のようにショット
キバリヤの周縁部にＰ−Ｎ接合２４を設けて耐焼損性を
上げる方法が用いられている。しかしＰ−Ｎ接合のある
構造はショットキバリヤダイオードの優れた高周波特性
がＰ−Ｎ接合の特性で制限されてしまうという欠点をも
っている。
ショットキバリヤダイオードの焼損はショットキバリヤ
の周縁部、絶縁膜との境界部で発生している。これは焼
損をうけたショットキノ（リャダイオードを詳細に調査
すればあきらかである。
の周縁部、絶縁膜との境界部で発生している。これは焼
損をうけたショットキノ（リャダイオードを詳細に調査
すればあきらかである。
本発明の目的はこの様な欠点を除去しショットキバリヤ
ダイオードの耐焼損性を高周波特性を犠牲にすることな
く改善した構造を提供することである。
ダイオードの耐焼損性を高周波特性を犠牲にすることな
く改善した構造を提供することである。
本発明はショットキバリヤダイオードノ絶縁１［とショ
ットキバリヤとの境界部の長さく以下周囲長という）ｔ
−故意に長くして耐焼損性を向上させるものでダイオー
ドの中心部分に絶縁腹部を設けそのまわ〕にショットキ
バリヤを形成することを特徴とするものである。
ットキバリヤとの境界部の長さく以下周囲長という）ｔ
−故意に長くして耐焼損性を向上させるものでダイオー
ドの中心部分に絶縁腹部を設けそのまわ〕にショットキ
バリヤを形成することを特徴とするものである。
本発明によれば所要のショットキバリヤの面積に対して
周囲長を長くすることができ、単位周囲長あたシの焼損
エネルギーを一定とした場合、ショットキバリヤダイオ
ード全体の焼損エネルギーを大きくすることができて耐
焼損性を向上させることができるという効果を得ること
ができる。
周囲長を長くすることができ、単位周囲長あたシの焼損
エネルギーを一定とした場合、ショットキバリヤダイオ
ード全体の焼損エネルギーを大きくすることができて耐
焼損性を向上させることができるという効果を得ること
ができる。
以下、図面を参照して本発明の一実施例を説明する。
第３図に本発明による一実施例會示す、第３図（ａ）、
（ｂ）はそれぞれ本実施例によるショットキバリヤダ
イオードの構造を示す平面図と断面図である。
（ｂ）はそれぞれ本実施例によるショットキバリヤダ
イオードの構造を示す平面図と断面図である。
ショットキバリヤは部分３６であシ、ダイオードの中心
部分は半導体基板３１と金属３３との間に絶縁膜３５が
設けている。
部分は半導体基板３１と金属３３との間に絶縁膜３５が
設けている。
第１図の従来構造のダイオードと同一面積のショットキ
バリヤを得るには、例えば第１図のショト午バリヤを直
径８μｍの円形とすると、第３図の実施例の場合はショ
ットキバリヤの内周円の直径ｔ−６μｍ外周円の直径ｔ
ｌＯμｍにすればよい。
バリヤを得るには、例えば第１図のショト午バリヤを直
径８μｍの円形とすると、第３図の実施例の場合はショ
ットキバリヤの内周円の直径ｔ−６μｍ外周円の直径ｔ
ｌＯμｍにすればよい。
このとき、周囲長は第１図の構造の場合、πを円周率と
すると、８πμｍであ〕、第３図の構造の場合は１６π
μｍとなシ周囲長の比は２倍を得ることができ、耐焼損
性も約２倍にすることができる。
すると、８πμｍであ〕、第３図の構造の場合は１６π
μｍとなシ周囲長の比は２倍を得ることができ、耐焼損
性も約２倍にすることができる。
周囲長を長くすることは本実施例の形状に限らず、例え
ば四角形をした形等の場合でも同様の効果を得ることが
できることはいうまでもない。
ば四角形をした形等の場合でも同様の効果を得ることが
できることはいうまでもない。
第１図は従来のショットキバリヤダイオードの構造を示
すもので（ａ）は平面図、（ｂ）は断面図を示す。 第２図はＰ−Ｎ接合を有する従来のショットキバリヤダ
イオードの構造を示す断面図を示す、第３図は本発明の
一実施例によるショットキバリヤダイオードの構造を示
すもので、（ａ）は平面図、（ｂ）は断面図を示す。 １１．３１・・・・・・半導体基板、１２，３２．３５
・・・・・・絶縁膜、１３．３３・・・・・・ショット
キバリヤ金属、２４・・・・・・Ｐ−Ｎ接合％３６・・
・・・・ショットキバリヤ。 爲 １図 ｔｂ＞ 篤、３図 、ｂノ
すもので（ａ）は平面図、（ｂ）は断面図を示す。 第２図はＰ−Ｎ接合を有する従来のショットキバリヤダ
イオードの構造を示す断面図を示す、第３図は本発明の
一実施例によるショットキバリヤダイオードの構造を示
すもので、（ａ）は平面図、（ｂ）は断面図を示す。 １１．３１・・・・・・半導体基板、１２，３２．３５
・・・・・・絶縁膜、１３．３３・・・・・・ショット
キバリヤ金属、２４・・・・・・Ｐ−Ｎ接合％３６・・
・・・・ショットキバリヤ。 爲 １図 ｔｂ＞ 篤、３図 、ｂノ
Claims (1)
- 半導体基板上に絶縁膜を設け、その外周に沿って金属−
半導体接合部を形成したことｔ−特徴とする半導体装置
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17680281A JPS5878472A (ja) | 1981-11-04 | 1981-11-04 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17680281A JPS5878472A (ja) | 1981-11-04 | 1981-11-04 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5878472A true JPS5878472A (ja) | 1983-05-12 |
Family
ID=16020091
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17680281A Pending JPS5878472A (ja) | 1981-11-04 | 1981-11-04 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5878472A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62501112A (ja) * | 1984-11-30 | 1987-04-30 | ロ−ベルト ボツシユ ゲゼルシヤフト ミツト ベシユレンクテル ハフツング | 金属化被覆を有する半導体装置 |
-
1981
- 1981-11-04 JP JP17680281A patent/JPS5878472A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62501112A (ja) * | 1984-11-30 | 1987-04-30 | ロ−ベルト ボツシユ ゲゼルシヤフト ミツト ベシユレンクテル ハフツング | 金属化被覆を有する半導体装置 |
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