JPS60157268A - シヨツトキバリアダイオ−ド - Google Patents
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- JPS60157268A JPS60157268A JP1268584A JP1268584A JPS60157268A JP S60157268 A JPS60157268 A JP S60157268A JP 1268584 A JP1268584 A JP 1268584A JP 1268584 A JP1268584 A JP 1268584A JP S60157268 A JPS60157268 A JP S60157268A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/86—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable only by variation of the electric current supplied, or only the electric potential applied, to one or more of the electrodes carrying the current to be rectified, amplified, oscillated or switched
- H01L29/861—Diodes
- H01L29/872—Schottky diodes
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- Engineering & Computer Science (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、ショットキバリアダイオードに関する。
一般にショットキバリアダイオード（以下、Ｓ。
Ｂ 、Ｄ・ と称す）は逆方向リーク電流が太きいため
に、従来では第１図に示されるようなＰＮ接合を有する
ガードリング方式のＳ、Ｂ、Ｄ、が用いられている。第
１図において、１は、高濃度のＮ型シリコ７層２の上面
に同じＮ型の低濃度のエピタキシャル層３が形成されて
成る半導体基板であり、この半導体基板１の上面にはシ
ョットキバリアを形成する金属層４が形成される。５は
、シリコンの酸化物ＳｉＯ□から成る絶縁膜であり、６
は金属電極である。半導体基板１には、逆方向リーク電
流を防止するために絶縁膜５の周縁部に清って逆導電型
のガードリング７が形成される。
に、従来では第１図に示されるようなＰＮ接合を有する
ガードリング方式のＳ、Ｂ、Ｄ、が用いられている。第
１図において、１は、高濃度のＮ型シリコ７層２の上面
に同じＮ型の低濃度のエピタキシャル層３が形成されて
成る半導体基板であり、この半導体基板１の上面にはシ
ョットキバリアを形成する金属層４が形成される。５は
、シリコンの酸化物ＳｉＯ□から成る絶縁膜であり、６
は金属電極である。半導体基板１には、逆方向リーク電
流を防止するために絶縁膜５の周縁部に清って逆導電型
のガードリング７が形成される。
このような逆導電型のガードリンク７が設けられた従来
例のｓ、Ｂ：ｎ、では、ガードリング７と半導体基板１
との間に形成されるＰＮ接合のために、逆方向電圧をか
けた場合に容量の増加が起こったり、あるいは逆回復時
間が長くなったりして高周波特性が劣化するという難点
があった。
例のｓ、Ｂ：ｎ、では、ガードリング７と半導体基板１
との間に形成されるＰＮ接合のために、逆方向電圧をか
けた場合に容量の増加が起こったり、あるいは逆回復時
間が長くなったりして高周波特性が劣化するという難点
があった。
本発明の目的は、上述の技術的課題を解決し、逆方向電
圧をかけた場合にも高周波特性を劣化させることなく、
逆方向リーク電流の防止を可能にしたＳ、Ｂ、Ｄ・を提
供することである。
圧をかけた場合にも高周波特性を劣化させることなく、
逆方向リーク電流の防止を可能にしたＳ、Ｂ、Ｄ・を提
供することである。
以下、図面によって本発明の実施例について詳細に説明
する。第２図は、本発明の一実施例の断面図であり、第
１図に対応する部分には同一の参照符を付す。同図にお
いて、１はＮ型またはＰ型（この実施例ではＮ型）の半
導体基板であり、この半導体基板１は高濃度のＮ型７９
１７層２の上面に同じＮ型の低濃度のエピタキシャル層
３を成長させることによって形成される。５は、シリコ
ンの酸化物ＳｉＯ２から成る絶縁膜であり、６は、アル
ミニウム等から成る金属電極である。
する。第２図は、本発明の一実施例の断面図であり、第
１図に対応する部分には同一の参照符を付す。同図にお
いて、１はＮ型またはＰ型（この実施例ではＮ型）の半
導体基板であり、この半導体基板１は高濃度のＮ型７９
１７層２の上面に同じＮ型の低濃度のエピタキシャル層
３を成長させることによって形成される。５は、シリコ
ンの酸化物ＳｉＯ２から成る絶縁膜であり、６は、アル
ミニウム等から成る金属電極である。
半導体基板１上には、絶縁膜５の内周縁部に沿って、シ
ョットキバリアを形成する第１金属層８がリング状にシ
リサイド形成、即ち、蒸着などの手法によって半導体基
板１上に被着された後、後述のシリサイド形成温度で熱
処理されてシリサイド化（ケイ化物化）されてガードリ
ングとされる。
ョットキバリアを形成する第１金属層８がリング状にシ
リサイド形成、即ち、蒸着などの手法によって半導体基
板１上に被着された後、後述のシリサイド形成温度で熱
処理されてシリサイド化（ケイ化物化）されてガードリ
ングとされる。
さらに半導体基板１上には、ガードリングとしての第１
金属層８で外囲された領域内に１シヨツトキバリアを形
成する第２金属層９がシリサイド形成される。
金属層８で外囲された領域内に１シヨツトキバリアを形
成する第２金属層９がシリサイド形成される。
本発明のＳ、Ｂ、Ｄ、では、第１金属の半導体基板１に
対する障壁高さ島が、第２金属の半導体基板１に対する
障壁高さ鳥よりも高＜（ａｔ＞Ｘ）なるように第１．第
２金属を選定しており、さらに第１金属層８のシリサイ
ド形成温度Ｔ１、即ちシリサイド化するだめの熱処理温
度を第２金属層９のノリサイド形成温度Ｔ２よりも高＜
（ＴＩ＞Ｔ２） ｌ、ている。
対する障壁高さ島が、第２金属の半導体基板１に対する
障壁高さ鳥よりも高＜（ａｔ＞Ｘ）なるように第１．第
２金属を選定しており、さらに第１金属層８のシリサイ
ド形成温度Ｔ１、即ちシリサイド化するだめの熱処理温
度を第２金属層９のノリサイド形成温度Ｔ２よりも高＜
（ＴＩ＞Ｔ２） ｌ、ている。
このように第１金属層８のシリサイド形成温度を第２金
属層９のシリサイド形成温度よりも高くしているのは、
第２金属層９は第１金属層８か形成された後に形成され
るので、第２金属層９のノリサイド形成温度が、既に形
成されている第１金属層８の特性に影響を与えないよう
にするためである。
属層９のシリサイド形成温度よりも高くしているのは、
第２金属層９は第１金属層８か形成された後に形成され
るので、第２金属層９のノリサイド形成温度が、既に形
成されている第１金属層８の特性に影響を与えないよう
にするためである。
この実施例では、第１金属として障壁高さ島−〇、７〜
０．９〔θＶ〕の白金が用いられており、第２金属とし
て障壁高さ％＝０．４５〜０．５５ （θＶ〕のクロム
が用いられている。この実施例の第１金属層８、即ち白
金層のシリサイド形成温度は５００〜６００°Ｃであり
、第２金属層９、即ちクロム層のノリサイド形成温度は
４００，４５０℃である。
０．９〔θＶ〕の白金が用いられており、第２金属とし
て障壁高さ％＝０．４５〜０．５５ （θＶ〕のクロム
が用いられている。この実施例の第１金属層８、即ち白
金層のシリサイド形成温度は５００〜６００°Ｃであり
、第２金属層９、即ちクロム層のノリサイド形成温度は
４００，４５０℃である。
第３図は、Ｓ、Ｂ、Ｄ・の特性を示す図であシ、同図に
おいてラインＡは、半導体基板に対する障壁高さが高い
場合、即ち本発明の第１金属に対応した特性を示してお
り、ラインＢは半導体基板に対する障壁高さが低い場合
、即ち本発明の第２金属に対応した特性を示している。
おいてラインＡは、半導体基板に対する障壁高さが高い
場合、即ち本発明の第１金属に対応した特性を示してお
り、ラインＢは半導体基板に対する障壁高さが低い場合
、即ち本発明の第２金属に対応した特性を示している。
本発明のＳ、Ｂ、Ｄ・では、障壁高さか高い第１金属を
絶縁膜５０周縁部に治って形成してガードリングとして
いるので、逆方向特性は、この第１金属によって規定さ
れることになり、したがって第３図に示されるように逆
方向電流ＩＲが小さくなり、逆方向リーク電流の防止が
可能となる。一方、順方向特性は、障壁高さが低い第２
金属によって規定されるので第３図に示されるように順
方向電圧ＶＦは、小さくなる。
絶縁膜５０周縁部に治って形成してガードリングとして
いるので、逆方向特性は、この第１金属によって規定さ
れることになり、したがって第３図に示されるように逆
方向電流ＩＲが小さくなり、逆方向リーク電流の防止が
可能となる。一方、順方向特性は、障壁高さが低い第２
金属によって規定されるので第３図に示されるように順
方向電圧ＶＦは、小さくなる。
したがって、第１金属と第２金属の障壁高さの差が太き
ければ大きいほどＢ、Ｂ、Ｄ・の特性は向上することに
なる。
ければ大きいほどＢ、Ｂ、Ｄ・の特性は向上することに
なる。
このように本発明のＳ、Ｂ、Ｄ・では、従来のようなＰ
Ｎ接合を有することなく逆方向リーク電流の防止を図る
ことができ、逆方向電圧をかけた場合にＰＮ接合を有す
る従来例のＳ、Ｂ、Ｄ・のように高周波特性が劣化する
ことがない。
Ｎ接合を有することなく逆方向リーク電流の防止を図る
ことができ、逆方向電圧をかけた場合にＰＮ接合を有す
る従来例のＳ、Ｂ、Ｄ・のように高周波特性が劣化する
ことがない。
以上のように本発明によれば、Ｎ型寸たはＰ型半導体基
板上には、絶縁膜の周縁部に清って、／ヨットキバリア
を形成する第１金属層かリング状にシリサイド形成され
てガードリンク゛とされ、１）１■記半導体基板上の前
記ガードリングで外囲された領域内には、ンヨットキバ
リアを形成する第２金属層がシリサイド形成され、第１
金属の前記半導体基板に対する障壁高さを第２金属の前
記半導体基板に対する障壁高さよりも高く、かつ、第１
金属層のノリサイド形成温度を第２金属層のノリサイド
形成温度よりも高くしたので、従来技術のようにＰＮ接
合を有すること々く逆方向リーク電流の防止を図ること
が可能になるとともに、逆方向電圧をかけた場合に容量
の増加を小さくすることができるので高周波特性の優れ
たものが得られる。
板上には、絶縁膜の周縁部に清って、／ヨットキバリア
を形成する第１金属層かリング状にシリサイド形成され
てガードリンク゛とされ、１）１■記半導体基板上の前
記ガードリングで外囲された領域内には、ンヨットキバ
リアを形成する第２金属層がシリサイド形成され、第１
金属の前記半導体基板に対する障壁高さを第２金属の前
記半導体基板に対する障壁高さよりも高く、かつ、第１
金属層のノリサイド形成温度を第２金属層のノリサイド
形成温度よりも高くしたので、従来技術のようにＰＮ接
合を有すること々く逆方向リーク電流の防止を図ること
が可能になるとともに、逆方向電圧をかけた場合に容量
の増加を小さくすることができるので高周波特性の優れ
たものが得られる。
第１図は従来例のＳ、 Ｂ、 Ｄ、の断面図、第２図は
本発明の一実施例の断面図、第３図はＳ、Ｂ、Ｄ・の特
性図である。 １ ・半導体基板、５・・絶縁膜、８・・第１金属層、
９・・第２金属層。 出 願 人 ローム株式会社 代 理 人 弁理士岡田和秀
本発明の一実施例の断面図、第３図はＳ、Ｂ、Ｄ・の特
性図である。 １ ・半導体基板、５・・絶縁膜、８・・第１金属層、
９・・第２金属層。 出 願 人 ローム株式会社 代 理 人 弁理士岡田和秀
Claims (1)
- ｉｌｌ Ｎ型またはＰ型半導体基板上には、絶縁膜の内
周縁部に浴って、ショットキバリアを形成する第１金属
層がリング状にシリサイド形成されてガードリンク゛と
され、前記半導体基板上の前記ガードリングで外囲され
た領域内には、ショットキバリアを一形成する第２金属
層がシリサイド形成され、第１金属の前記半導体基板に
対する障壁高さを第２金属の前記・半導体基板に対する
障壁高さよりも高く、かつ、第１金属層のシリサイド形
成温度を第２金属層のシリサイド形成温度よりも高くし
たことを特徴とするショットキバリアダイオード。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1268584A JPS60157268A (ja) | 1984-01-26 | 1984-01-26 | シヨツトキバリアダイオ−ド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1268584A JPS60157268A (ja) | 1984-01-26 | 1984-01-26 | シヨツトキバリアダイオ−ド |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60157268A true JPS60157268A (ja) | 1985-08-17 |
Family
ID=11812227
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1268584A Pending JPS60157268A (ja) | 1984-01-26 | 1984-01-26 | シヨツトキバリアダイオ−ド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60157268A (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0368127A2 (en) * | 1988-11-11 | 1990-05-16 | Sanken Electric Co., Ltd. | High-voltage semiconductor device having a rectifying barrier, and method of fabrication |
| WO1991004581A1 (en) * | 1989-09-21 | 1991-04-04 | Unisearch Limited | Guard barrier for schottky barrier devices |
| WO1999062112A1 (de) * | 1998-05-26 | 1999-12-02 | Infineon Technologies Ag | Verfahren zur herstellung von schottky-dioden |
| WO1999062113A3 (de) * | 1998-05-26 | 2002-10-03 | Infineon Technologies Ag | Verfahren zur herstellung von schottky-dioden |
| GB2451124A (en) * | 2007-07-20 | 2009-01-21 | X Fab Uk Ltd | Schottky diode with overlaid polysilicon guard ring |
| WO2012098636A1 (ja) * | 2011-01-17 | 2012-07-26 | 富士通株式会社 | 半導体装置及びその製造方法 |
| WO2012098635A1 (ja) * | 2011-01-17 | 2012-07-26 | 富士通株式会社 | 半導体装置及びその製造方法 |
| JP2014063948A (ja) * | 2012-09-24 | 2014-04-10 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 炭化珪素半導体装置の製造方法 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS541614A (en) * | 1977-06-06 | 1979-01-08 | Shaken Kk | Phototypesetter and similar machine |
| JPS55154778A (en) * | 1979-05-22 | 1980-12-02 | Toshiba Corp | Manufacture of schottky barrier type semiconductor device |
-
1984
- 1984-01-26 JP JP1268584A patent/JPS60157268A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS541614A (en) * | 1977-06-06 | 1979-01-08 | Shaken Kk | Phototypesetter and similar machine |
| JPS55154778A (en) * | 1979-05-22 | 1980-12-02 | Toshiba Corp | Manufacture of schottky barrier type semiconductor device |
Cited By (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0368127A2 (en) * | 1988-11-11 | 1990-05-16 | Sanken Electric Co., Ltd. | High-voltage semiconductor device having a rectifying barrier, and method of fabrication |
| EP0579286A2 (en) * | 1988-11-11 | 1994-01-19 | Sanken Electric Co., Ltd. | Method of fabricating a semiconductor device with Schottky barrier |
| EP0579286A3 (en) * | 1988-11-11 | 1994-09-07 | Sanken Electric Co Ltd | Method of fabricating a semiconductor device with schottky barrier |
| WO1991004581A1 (en) * | 1989-09-21 | 1991-04-04 | Unisearch Limited | Guard barrier for schottky barrier devices |
| WO1999062112A1 (de) * | 1998-05-26 | 1999-12-02 | Infineon Technologies Ag | Verfahren zur herstellung von schottky-dioden |
| US6448162B1 (en) | 1998-05-26 | 2002-09-10 | Infineon Technologies Ag | Method for producing schottky diodes |
| WO1999062113A3 (de) * | 1998-05-26 | 2002-10-03 | Infineon Technologies Ag | Verfahren zur herstellung von schottky-dioden |
| GB2451124A (en) * | 2007-07-20 | 2009-01-21 | X Fab Uk Ltd | Schottky diode with overlaid polysilicon guard ring |
| WO2012098636A1 (ja) * | 2011-01-17 | 2012-07-26 | 富士通株式会社 | 半導体装置及びその製造方法 |
| WO2012098635A1 (ja) * | 2011-01-17 | 2012-07-26 | 富士通株式会社 | 半導体装置及びその製造方法 |
| JP5585665B2 (ja) * | 2011-01-17 | 2014-09-10 | 富士通株式会社 | 半導体装置及びその製造方法 |
| JP2014063948A (ja) * | 2012-09-24 | 2014-04-10 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 炭化珪素半導体装置の製造方法 |
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