JP3175761B2 - ショットキバリア半導体装置の製造方法 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明はショットキバリア形
抵抗性フィールドプレートを備えた半導体装置の製造方
法に関する。

【０００２】

【従来の技術】図１に示すようにショットキバリア形抵
抗性フィールドプレートを備えたショットキバリアダイ
オードが知られている。図１において、ＧａＡｓのｎ⁺
形半導体領域１とＧａＡｓのｎ形半導体領域（エピタキ
シャル成長）２とから成る半導体基体３の上面には、Ｔ
ｉ層４とＡｌ層５とから成るショットキバリア電極６が
設けられ、更に、ショットキバリア電極６を囲むよう
に、シート抵抗の相対的に小さい第１の部分７とシート
抵抗が第１の部分７よりも大きい第２の部分８とシート
抵抗が第２の部分８よりも大きい第３の部分９とを有す
るＴｉ酸化物層から成るショットキバリア形抵抗性フィ
ールドプレート１０と、絶縁層（シリコン酸化膜）１１
と、金属（チタン）フィールドプレート１２と、アルミ
ニウムから成る接続電極層１３とが設けられている。ま
た、半導体基体３の下面には金とゲルマニウムとニッケ
ルとの合金層と金層とから成るオーミック電極層１４が
設けられている。図１の半導体装置には、半導体領域２
に対して絶縁層１１を介在しない形のショットキバリア
形抵抗性フィールドプレート１０を有するので、整流障
壁の周辺部における電界の集中を大幅に低減することが
できる。即ち、ショットキバリア電極６とｎ形半導体領
域２との間に逆耐圧が印加された時には、ショットキバ
リア電極６とｎ形半導体領域２との間にショットキバリ
アに基づく空乏層及びショットキバリア抵抗性フィール
ドプレート１０とｎ形半導体領域２との間のショットキ
バリアに基づく空乏層が発生し、これらが連続して一体
化する。ここで、ショットキバリア形抵抗性フィールド
プレート１０の抵抗値がショットキバリア電極６から素
子外周部に向って３段階に増加していることから、フィ
ールドプレート１０にはこの内周側から外周側に向って
電位が徐々に変化する電位勾配が生じる。この結果、シ
ョットキバリア電極６の周辺近傍のｎ形半導体領域２に
電界が集中し難いような空乏層の広がりが得られ、周辺
耐圧が向上する。また、ｎ形半導体領域２に対して絶縁
層１１を介して対向する金属フィールドプレート１２が
設けられているので、高速転流時即ち順方向バイアスか
ら逆方向バイアスに高速に切り換えた時においては、こ
の金属フィールドプレート１２が上記の電界集中をショ
ットキバリア形抵抗性フィールドプレート１０に代って
良好に緩和するように働き、高速転流時において周辺耐
圧が低下することを防止する。なお、ショットキバリア
形抵抗性フィールドプレート１０と絶縁層１１を介した
金属フィールドプレート１２との作用効果は、例えば特
開平２−２８３７５号公報に記載されている。ところ
で、３段階にシート抵抗が変化する抵抗性フィールドプ
レート１０を容易に形成するために、抵抗性フィールド
プレート１０をＴｉ層４に連続するように形成したＴｉ
層の酸化によって形成する。即ち、図４に示すようにＡ
ｌ層５ａをＴｉ層４ａの上面全部を覆うように形成し、
図５に示すようにＡｌ層５ａの外周部を環状にエッチン
グで除去してマスクとして機能するＡｌ層５ｂを残し、
Ｔｉ層４ａの露出した部分を熱酸化させて抵抗性フィー
ルドプレートとしての第１のＴｉ酸化物層４ｂを形成す
る。従来方法では、その後、図２（Ａ）に示すようにＡ
ｌ層５ｂの中央部分をレジスト層１５で覆い、図２
（Ｂ）に示すようにこの外周部分をエッチングで除去し
てＴｉ層４ａを露出させ、Ａｌ層５ｃをマスクとして使
用してＴｉ層４ａの新たに露出した部分を熱酸化させて
第２のショットキバリア形抵抗性フィールドプレートと
しての第２のＴｉ酸化物層４ｃを得ると同時に第１のシ
ョットキバリア形抵抗性フィールドプレートとしての第
１のＴｉ酸化物層４ｂの酸化の程度を強める。次に、図
１に示すパターンに絶縁層１１を形成し、ここから露出
している第１のＴｉ酸化物層４ｂの外周部分を酸化させ
て図１に示す第３の部分９を得る。第１のＴｉ酸化物層
４ｂの内周部分は図１の第２の部分８に対応し、第２の
Ｔｉ酸化物層４ｃは図１の第１の部分７に対応する。こ
れにより、シート抵抗が内周側から外周側に３段階に順
に高くなっている第１、第２及び第３の部分７、８、９
から成る抵抗性フィールドプレート１０が得られる。そ
の後、図１に示す金属フィールドプレート１２及び接続
電極層１３を設ける。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】上記従来の製造方法で
は、図２のＡｌ層５ｂをエッチングするために、水酸化
ナトリウムを使用するので、Ｔｉ酸化物層４ｂは強くは
エッチングされないが、この上面が軽くエッチングされ
る。これにより、Ｔｉ酸化物層４ｂのシート抵抗が変化
するばかりでなく、上面がエッチング除去されたＴｉ酸
化物層４ｂとシリコン酸化膜から成る絶縁層１１との密
着性が悪化する。このため、図１に示す絶縁層１１がＴ
ｉ酸化物層４ｂの上面から剥離することがある。図１の
ショットキバリアダイオードでは、抵抗性フィールドプ
レート１０によって耐圧特性が支配的に決まるため、こ
のように絶縁層１１が剥離すると抵抗性フィールドプレ
ート１０のシート抵抗が微妙に変化し所望の耐圧特性が
得られない。また、従来方法では抵抗性フィールドプレ
ート１０の第３の部分を絶縁層１１をマスクとして形成
するため、その後の金属フィールドプレート１２及び接
続電極層１３の形成のためのエッチング工程で第３の部
分９もエッチングされ、抵抗性フィールドプレート１０
を所望のシート抵抗にすることができず、所望の耐圧特
性が得られないことがある。

【０００４】そこで、本発明の目的は、シート抵抗が複
数段階に変化しているショットキバリア形フィールドプ
レートを有する半導体装置を良好に形成することができ
る方法を提供することにある。

【０００５】

【課題を解決するための手段】上記課題を解決し、上記
目的を達成するための本発明は、半導体基体の一方の主
面上にショットキバリアを形成することが可能な金属か
ら成る第１の金属層を形成する工程と、前記第１の金属
層を覆うように配置された第２の金属層を形成する工程
と、前記第２の金属層の中央部分を環状に囲む周辺部分
をエッチングで除去して前記第１の金属層の第１の周辺
部分を露出させる工程と、前記第１の金属層の前記第１
の周辺部分に酸化処理を施して第１のショットキバリア
形抵抗性フィールドプレート用金属酸化物層を形成する
工程と、前記エッチング後に残った前記第２の金属層の
中央部分及び前記第１の周辺部分の上にレジスト層を形
成し、前記第２の金属層の前記レジスト層で覆われた中
央部分を環状に囲む周辺部分をエッチングで除去して前
記第１の金属層の前記第１の周辺部分の内側に隣接した
第２の周辺部分を露出させる工程と、前記レジスト層を
除去する工程と、前記第２の金属層の中央部分をマスク
として使用して前記第１の金属層の前記第２の周辺部分
に酸化処理を施して第２のショットキバリア形抵抗性フ
ィールドプレート用金属酸化物層を形成すると同時に前
記第１のショットキバリア形抵抗性フィールドプレート
用金属酸化物層にも酸化処理を施してこの酸化の程度を
高める工程とを備えていることを特徴とするショットキ
バリア半導体装置の製造方法に係わるものである。な
お、請求項２に示す金属フィールドプレートを設け、こ
の工程の後に抵抗性フィールドプレート用金属酸化物層
の外周部分の酸化を強める工程を設けることができる。
また、請求項３に示すように接続電極層を設ける工程を
付加することができる。

【０００６】

【発明の効果】各請求項の発明によれば、第２の金属層
を選択的にエッチングする時にショットキバリア形抵抗
性フィールドプレート用金属酸化物層をレジスト層で覆
うので、金属酸化物層のエッチングが防止され、ショッ
トキバリア形抵抗性フィールドプレートを良好に得るこ
とができる。また、請求項２の発明では金属フィールド
プレートを所定パターンにエッチングで形成した後、ま
た、請求項３の発明では接続電極層を所定パターンにエ
ッチングで形成した後に、絶縁層の外周部分を除去して
抵抗性フィールドプレート用金属酸化物層の外周部分を
露出させ、ここの酸化を強めるので、抵抗性フィールド
プレート用金属酸化物層の厚みの低減を防いで、抵抗変
化の段数の多いフィールドプレートを良好に得ることが
でき、半導体装置の製造歩留りを向上させることができ
る。また絶縁層の抵抗性フィ−ルドプレ−トからの剥離
を防ぐことができる。

【０００７】

【実施形態及び実施例】次に、図３〜図１１を参照して
本発明の実施形態及び実施例を説明する。なお、図３〜
図１１において図１及び図２と実質的に同一の部分には
同一の符号が付されている。また、半導体基体３及びＴ
ｉ層４、４ａは斜線を省いて示されている。

【０００８】本実施例で製造するショットキバリアダイ
オード（半導体装置）は、図１１に示す構造を有し、図
１の抵抗性フィールドプレート１０の第２及び第３の部
分８、９の厚みが少し厚い第２及び第３の部分８ａ、９
ａを有する他は図１と実質的に同一に構成されている。
即ち、本実施例は図１１の第２及び第３の部分８ａ、９
ａの形成方法において従来の方法と相違し、その他は従
来と実質的に同一なものである。以下、ショットキバリ
アダイオードの製造方法を詳しく説明する。

【０００９】まず、図３に示すＧａＡｓのｎ⁺ 形半導体
領域１の上にエピタキシャル成長法によって高抵抗のＧ
ａＡｓのｎ形半導体領域２を形成した３−５族化合物半
導体から成る半導体基体３を用意する。

【００１０】次に、半導体基体３の一方の主面上に、真
空蒸着法によって図４に示すように第１の金属層として
厚さ約５０オングストローム即ち０．００５μｍのチタ
ン（Ｔｉ）層４ａを形成し、連続してこの上に厚さ約２
μｍの第２の金属層としてアルミニウム（Ａｌ）層５ａ
を形成する。また、半導体基体３の下面にＡｕとＧｅと
Ｎｉの合金とＡｕとを連続して真空蒸着してオーミック
電極層１４を形成する。

【００１１】次に、レジスト層１６を形成し、これをマ
スクとして使用して図４のＡｌ層５ａの外周部分即ち素
子周辺部分を周知のエッチング液（例えば水酸化ナトリ
ウム溶液）によるエッチングによって環状に除去し、図
５に示すマスクとして機能するＡｌ層５ｂを得る。レジ
スト層１６を除去した後にＡｌ層５ｂをマスクとして空
気中（酸化性雰囲気中）で３００℃、２０分間の熱処理
をＴｉ層４ａに施す。これにより、Ｔｉ層４ａのＡｌ層
５ｂで覆われていない露出部分が熱酸化されて酸化の程
度の低い金属酸化物層としての第１のＴｉ酸化物層４ｂ
が図５に示すように得られる。この第１のＴｉ酸化物層
４ｂは全てがＴｉＯ2 にならない酸素不足のＴｉ酸化物
から成り、ＴｉＯ2 層のシート抵抗よりも低いシート抵
抗を有するものである。また、第１のＴｉ酸化物層４ｂ
はショットキバリア形抵抗性フィールドプレートとして
機能する。なお、図５において、Ａｌ層５ｂはＴｉ層４
ａよりも厚く形成され、且つＴｉよりも酸化されにくい
ので、マスクとして機能し、この下にはＴｉ層４ａが残
存する。

【００１２】次に、図６に示すようにＡｌ層５ｂの中央
部分の上面にレジスト層１７ａを形成し、同時に第１の
Ｔｉ酸化物層４ｂの上面にレジスト層１７ｂを形成す
る。このレジスト層１７ａはＡｌ層５ｂの外周部分を環
状に露出させるように形成する。また、第１のＴｉ酸化
物層４ｂの上面のレジスト層１７ｂは第１のＴｉ酸化物
層４ｂの内周側の一部を被覆しないように形成する。こ
れは、フォトリゾグラフィー工程における露光時のマス
クずれを考慮したものである。もし、第２のＴｉ酸化物
層４ｂとＡｌ層５ｂとの境界までＴｉ酸化物層４ｂを覆
うレジスト層１７ｂを延長させると、マスクずれで、レ
ジスト層１７ｂがＡｌ層の外縁上まで延在するおそれが
ある。これを防ぐために本実施例ではレジスト層１７ｂ
の内縁とＡｌ層５ｂの外縁との間隔が約１０μｍに設定
されている。

【００１３】次に、レジスト層１７ａ、１７ｂをマスク
としてＡｌ層５ｂの外周部分を周知の水酸化ナトリウム
によるエッチングで除去し、図７に示すように図５より
も面積が狭いＡｌ層５ｃを残存させ、Ｔｉ層４ａの一部
を露出させる。次に、レジスト層１７ａ、１７ｂを除去
した後に、Ａｌ層５ｃをマスクとしてＴｉ層４ａの新し
く露出した部分及び第１のＴｉ酸化物層４ｂを空気中
（酸化性雰囲気中）で２２０℃、１５分間熱処理する。
この熱処理温度は第１のＴｉ酸化物層４ｂを形成した時
の熱処理温度よりも低く設定する。この結果、Ｔｉ層４
ａの新たに露出した部分は図８に示す第２のＴｉ酸化物
層４ｃとなる。なお、第１のＴｉ酸化物層４ｂも酸化さ
れ、シート抵抗値が幾らか高くなる。従って、図８の第
１のＴｉ酸化物層４ｂのシート抵抗及び抵抗率は第２の
Ｔｉ酸化物層４ｃのシート抵抗及び抵抗率よりも高くな
る。第２のＴｉ酸化物層４ｃは第１のＴｉ酸化物層４ｂ
と同様に完全なＴｉＯ₂ ではなくて酸素不足のＴｉ酸化
物から成り、ショットキバリア形フィールドプレートと
して機能する。なお、図８のＡｌ層５ｃは図１１のＡｌ
層５に相当し、Ｔｉ層４ａは図１１のＴｉ層４に相当す
る。

【００１４】次に、Ａｌ層５ｃ及び第１及び第２のＴｉ
酸化物層４ｂ、４ｃの上面全部に周知プラズマＣＶＤ又
は光ＣＶＤ法によってシリコン酸化膜から成る絶縁層を
形成し、これを選択的にエッチングすることによってＡ
ｌ層５ｃの中央部分を露出させ、図８に示すようにＡｌ
層５ｃの外周部分と第１及び第２のＴｉ酸化物層４ｂ、
４ｃの全部を覆う絶縁層１１ａを形成する。なお、絶縁
層１１ａをエッチングによって所定パターンとせずにマ
スクを使用してシリコン酸化物を選択的に蒸着させるこ
とによって得ることもできる。

【００１５】次、Ａｌ層５ｃ及び絶縁層１１ａの上面全
体に、第３の金属層としてのＴｉ層と第４の金属層とし
てのＡｌ層とを連続的に真空蒸着した後に、レジストマ
スク（図示せず）を使用してこれ等の外周部分をエッチ
ングで除去して図９のＴｉ層から成る金属フィールドプ
レート１２とＡｌ層１３ａとを形成する。なお、Ｔｉ層
のエッチングにはフッ化水素液を使用し、Ａｌ層のエッ
チングには水酸化ナトリウム液を使用する。図９におい
て金属フィールドプレート１２とＡｌ層１３ａの外側の
破線の部分はこれ等のエッチングによる除去部分を示
す。

【００１６】次に、レジストマスク（図示せず）を使用
して図９のＡｌ層１３ａの外周部分をエッチングで除去
して図９に示す所定パターンの接続電極層１３を形成す
る。

【００１７】次に、レジストマスク（図示せず）を使用
して図１０の絶縁層１１ａの外周部分をエッチングして
図１０に示すように第１のＴｉ酸化物層４ｂの外周部分
を絶縁層１１から露出させる。

【００１８】次に、絶縁層１１をマスクとして第１のＴ
ｉ酸化物層４ｂの露出部分に対して空気中（酸化性雰囲
気中）で２４０℃、６０分間熱処理を施し、図１１に示
す抵抗性フィールドプレート１０の第３の部分９ａを形
成する。この第３の部分９ａは第１のＴｉ酸化物層４ｂ
の酸化の程度を強くしたＴｉ酸化物層である。これによ
り、第２のＴｉ酸化物層４ｃが抵抗性フィールドプレー
ト１０の第１の部分７となり、第２のＴｉ酸化物層４ｂ
の残部が第２の部分８ａとなる。図１１の第１、第２及
び第３の部分７、８ａ、９ａのシート抵抗及び抵抗率は
図１の第１、第２及び第３の部分７、８，９と同様にこ
の順番に段階的に高くなる。従って、図１１のショット
キバリアダイオードにおいても図１のショットキバリア
ダイオードと同様に耐圧特性が向上する。

【００１９】上述から明らかなように、第２のＴｉ酸化
物層４ｃを得るためにＴｉ層４ａの外周部分の上のＡｌ
層５ｂを除去する際に、Ａｌ層５ｂの中央部分をレジス
ト層１７ａで覆うのみでなく、第１のＴｉ酸化物層４ｂ
もレジスト層１７ｂで覆うので、Ａｌ層５ｂのエッチン
グ時に第１のＴｉ酸化物層４ｂがレジスト層１７ｂによ
ってエッチング液（水酸化ナトリウム液）から保護さ
れ、第１のＴｉ酸化物層４ｂの表面のエッチングが防止
され、このシート抵抗のバラツキ変化が生じないばかり
でなく、絶縁層１１との密着性を確保することができ、
第１のＴｉ酸化物層４ｂからの絶縁層１１の剥離を防ぐ
ことができる。また、本実施例によれば、金属フィール
ドプレート１２及び接続電極層１３をエッチングで所定
パターンに形成した後に、ショットキバリア形抵抗性フ
ィールドプレート１０の第３の部分９ａの形成部分を絶
縁層１１から露出させるので、金属フィールドプレート
１２及び接続電極層１３のエッチングによって第３の部
分９ａがエッチングされない。従って、耐圧特性に影響
の大きいショットキバリア形抵抗性フィールドプレート
１０の厚み及び抵抗値の精度を向上させることができ、
所望の耐圧特性を高い歩留りで得ることができる。な
お、抵抗性フィールドプレート（第１のフィールドプレ
ート）１０と金属フィールドプレート（第２のフィール
ドプレート）１２との組み合せ効果も図１のショットキ
バリアダイオードと同様に得ることができる。また、シ
ョットキバリア電極６に接続された抵抗性フィールドプ
レート１０を容易に形成することができる。

【００２０】

【変形例】本発明は上述の実施例に限定されるものでな
く、例えば次の変形が可能なものである。 （１） 抵抗性フィールドプレート１０のシート抵抗を
２段に変化させること、又は４段以上に変化させること
もできる。 （２） 抵抗性フィールドプレート１０の最外周部分に
金属製の等電位リングを付加することができる。 （３） 第３の部分９ａを従来と同様に図８の工程で形
成することができる。 即ち、図８の段階で絶縁層１１ａを図１０と同様に外周
部分の無いパターンとし、ここから露出した第１のＴｉ
酸化物層４ｂの外周部分を酸化させて第３の部分９ａを
形成し、その後に金属フィールドプレート１２及び接続
電極層１３を設けることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】従来のショットキバリアダイオードを示す断面
図である。

【図２】図１のショットキバリアダイオードの従来の製
造工程を説明するための断面図である。

【図３】実施例の半導体基体を示す断面図である。

【図４】図１の半導体基体にＴｉ層とＡｌ層を形成した
ものを示す断面図である。

【図５】図４のＡｌ層の外周部分を除去してＴｉ層の外
周部分を酸化したものを示す断面図である。

【図６】図５のＡｌ層の外周部分をエッチングするため
のレジスト層を設けたものを示す断面図である。

【図７】図６のＡｌ層の外周部分を除去したものを示す
断面図である。

【図８】熱酸化処理を施し、第１及び第２のＴｉ酸化物
層を形成し、更に絶縁層を設けたものを示す断面図であ
る。

【図９】図８に示すものの上に金属フィールドプレート
とＡｌ層とを設けたものを示す断面図である。

【図１０】図９のＡｌ層を所定パターンにエッチング
し、且つ絶縁層の外周部分を除去したものを示す断面図
である。

【図１１】本実施例の完成したショットキバリアダイオ
ードを示す断面図である。

【符号の説明】

３ 半導体基体 ４ Ｔｉ層 ５ Ａｌ層 ６ ショットキバリア電極 ７、８ａ、９ａ 第１、第２及び第３の部分 １０ 抵抗性フィールドプレート １１ 絶縁層 １２ 金属フィールドプレート １３ 接続電極層

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.⁷，ＤＢ名) H01L 29/872

Claims (3)

(57)【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 半導体基体の一方の主面上にショットキ
   バリアを形成することが可能な金属から成る第１の金属
   層を形成する工程と、 前記第１の金属層を覆うように配置された第２の金属層
   を形成する工程と、 前記第２の金属層の中央部分を環状に囲む周辺部分をエ
   ッチングで除去して前記第１の金属層の第１の周辺部分
   を露出させる工程と、 前記第１の金属層の前記第１の周辺部分に酸化処理を施
   して第１のショットキバリア形抵抗性フィールドプレー
   ト用金属酸化物層を形成する工程と、 前記エッチング後に残った前記第２の金属層の中央部分
   及び前記第１の周辺部分の上にレジスト層を形成し、前
   記第２の金属層の前記レジスト層で覆われた中央部分を
   環状に囲む周辺部分をエッチングで除去して前記第１の
   金属層の前記第１の周辺部分の内側に隣接した第２の周
   辺部分を露出させる工程と、 前記レジスト層を除去する工程と、 前記第２の金属層の中央部分をマスクとして使用して前
   記第１の金属層の前記第２の周辺部分に酸化処理を施し
   て第２のショットキバリア形抵抗性フィールドプレート
   用金属酸化物層を形成すると同時に前記第１のショット
   キバリア形抵抗性フィールドプレート用金属酸化物層に
   も酸化処理を施してこの酸化の程度を高める工程とを備
   えていることを特徴とするショットキバリア半導体装置
   の製造方法。
2. 【請求項２】 更に、 前記第２の金属層の周辺部分と少なくとも前記第１及び
   第２のショットキバリア形抵抗性フィールドプレート用
   金属酸化物層を含む前記第１の金属層の酸化物層の全表
   面とを被覆するように絶縁層を形成する工程と、 エッチング後に残存している前記第２の金属層の中央部
   分と前記絶縁層の上に第３の金属層を形成する工程と、 前記第３の金属層をエッチングして前記第２の金属層の
   中央部分に接触し、前記第２の金属層の周辺部分と前記
   第１の金属層の酸化物層の内周側部分とに前記絶縁層を
   介して対向するように金属フィールドプレートを形成す
   る工程と、 前記絶縁層の前記金属フィールドプレートから離れた位
   置の環状部分を除去して前記第１のショットキバリア形
   抵抗性フィールドプレート用金属酸化物層の周辺部分を
   露出させる工程と、 前記第１のショットキバリア形抵抗性フィールドプレー
   ト用金属酸化物層の前記周辺部分に対して酸化処理を施
   してそのシート抵抗を高める工程とを備えていることを
   特徴とする請求項１記載のショットキバリア半導体装置
   の製造方法。
3. 【請求項３】 更に、 前記第２の金属層の周辺部分と少なくとも前記第１及び
   第２のショットキバリア形抵抗性フィールドプレート用
   金属酸化物層を含む前記第１の金属層の酸化物層の全表
   面とを被覆するように絶縁層を形成する工程と、 エッチング後に残存している前記第２の金属層の中央部
   分と前記絶縁層の上に第３の金属層を形成する工程と、 前記第３の金属層の上に接続電極用の第４の金属層を形
   成する工程と、 前記第３及び第４の金属層をエッチングして、前記第３
   の金属層が前記第２の金属層の中央部分に接触し、前記
   第２の金属層の周辺部分と前記第１の金属層の酸化物層
   の内周側部分とに前記絶縁層を介して対向するように金
   属フィールドプレートを形成する工程と、 前記第４の金属層の周辺部分をエッチングして所定パタ
   ーンの接続電極層を形成する工程と、 前記絶縁層の前記金属フィールドプレートから離れた位
   置の環状部分を除去して前記第１のショットキバリア形
   抵抗性フィールドプレート用金属酸化物層の周辺部分を
   露出させる工程と、 前記第１のショットキバリア形抵抗性フィールドプレー
   ト用金属酸化物層の前記周辺部分に対して酸化処理を施
   してそのシート抵抗を高める工程とを備えていることを
   特徴とする請求項１記載のショットキバリア半導体装置
   のの製造方法