JPS5950116B2 - 拡散．合金型半導体装置 - Google Patents
拡散．合金型半導体装置Info
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- JPS5950116B2 JPS5950116B2 JP15702776A JP15702776A JPS5950116B2 JP S5950116 B2 JPS5950116 B2 JP S5950116B2 JP 15702776 A JP15702776 A JP 15702776A JP 15702776 A JP15702776 A JP 15702776A JP S5950116 B2 JPS5950116 B2 JP S5950116B2
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- alloy
- semiconductor device
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/1015—Shape
- H01L2924/10155—Shape being other than a cuboid
- H01L2924/10158—Shape being other than a cuboid at the passive surface
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- Die Bonding (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は合金型と拡散型を併用して半導体基板の内部に
Ｐ−Ｎ接合を形成した合金・拡散型半導体装置に関する
。
Ｐ−Ｎ接合を形成した合金・拡散型半導体装置に関する
。
半導体基板の内部に整流作用を示すＰ−Ｎ接合Ｊを形成
する場合、一般に合金型あるいは拡散型をそれぞれ単独
に用いてＰ−Ｎ接合を形成する場合が多い。
する場合、一般に合金型あるいは拡散型をそれぞれ単独
に用いてＰ−Ｎ接合を形成する場合が多い。
半導体装置として完成するために前記の合金型によるも
のは、半導体基板と反対導電型を形成する一方の主表面
は、基板の周縁部を残して合金層−が形成されるので、
主表面にＰ−Ｎ接合端部が露出する。
のは、半導体基板と反対導電型を形成する一方の主表面
は、基板の周縁部を残して合金層−が形成されるので、
主表面にＰ−Ｎ接合端部が露出する。
露出したＰ−Ｎ接合の端部を化学的エッチングを施し清
浄にした後、シリコーンゴム、ワニス等で表面保護する
。また、拡散型によるものは拡散層を形成後、適″当な
方法で半導体基板の両面にオーミックコンタクトを形成
し、ベベリングまたはグループエッチ後、シリコーンゴ
ムまたはワニス等でＰ−Ｎ接合部を表面保護する。
浄にした後、シリコーンゴム、ワニス等で表面保護する
。また、拡散型によるものは拡散層を形成後、適″当な
方法で半導体基板の両面にオーミックコンタクトを形成
し、ベベリングまたはグループエッチ後、シリコーンゴ
ムまたはワニス等でＰ−Ｎ接合部を表面保護する。
しかし、上記の構造においては次のような欠点がある。
（１）表面保護材の種類と半導体基板に形成されたＰ−
Ｎ接合の構造上、特に合金型においては表面保護が困難
で逆耐圧の径時劣化があること。
Ｎ接合の構造上、特に合金型においては表面保護が困難
で逆耐圧の径時劣化があること。
（２）装置として完成するために、半導体基板その他の
構成部品を収納する容器の完全な気密封止が必要となり
、最終的に完成した装置のコストが高くなること。（３
）拡散型による場合には前述のようにＰ−Ｎ接合形成の
ための拡散後、両主表面に適当なオーミックコンタクト
を設けるために、工程・工数が多くなり、結局装置のコ
スト高を招来させること。
構成部品を収納する容器の完全な気密封止が必要となり
、最終的に完成した装置のコストが高くなること。（３
）拡散型による場合には前述のようにＰ−Ｎ接合形成の
ための拡散後、両主表面に適当なオーミックコンタクト
を設けるために、工程・工数が多くなり、結局装置のコ
スト高を招来させること。
（４）拡散型では合金型に比較して逆耐圧のバラツキは
少ないが、Ｐ−Ｎ接合の特質からサージ耐量が劣ること
。
少ないが、Ｐ−Ｎ接合の特質からサージ耐量が劣ること
。
本発明は上述の諸点を改善するものであり合金型、拡散
型のそれぞれのもつ特有の性質から長所を引き出し、相
補つて電気的特性の優れた高耐圧の半導体装置を安価に
得ることを可能にした拡散・合金型半導体装置を提供す
るものである。
型のそれぞれのもつ特有の性質から長所を引き出し、相
補つて電気的特性の優れた高耐圧の半導体装置を安価に
得ることを可能にした拡散・合金型半導体装置を提供す
るものである。
以下に本発明の拡散・合金型半導体装置を得るための実
施例を説明する。第１図は、本発明に係る拡散・合金型
半導体装置の一実施例である。
施例を説明する。第１図は、本発明に係る拡散・合金型
半導体装置の一実施例である。
同図Ａは例えばＮ導電型の半導体基板１に両主表面から
基板１と反対導電型を示す不純物元素を拡散してＰ型拡
散層２を形成する。次いで洞図Ｂに示すように半導体基
板１の一方の主表面１ａから周縁部に環状溝３をＰ−Ｎ
接合部４をつき抜けるように形成する。
基板１と反対導電型を示す不純物元素を拡散してＰ型拡
散層２を形成する。次いで洞図Ｂに示すように半導体基
板１の一方の主表面１ａから周縁部に環状溝３をＰ−Ｎ
接合部４をつき抜けるように形成する。
なお、環状溝３は後で述べる合金層を形成してから設け
てもよいｏ 次いで同図Ｃに示すように、基板１の一方の主表面１ａ
から周縁部を残して該基板１と反対導電型を示す元素若
しくはその元素を含む金属例えばアルミニユム薄板を、
他方の主表面１ｂに基板１と同じ導電型を示す元素若し
くはその元素を含む金属例えば五価の元素を含む銀系の
ハードソルダ薄板をそれぞれ加熱合金せしめ、合金層５
および６を前記拡散層２をつき抜けるように形成する。
てもよいｏ 次いで同図Ｃに示すように、基板１の一方の主表面１ａ
から周縁部を残して該基板１と反対導電型を示す元素若
しくはその元素を含む金属例えばアルミニユム薄板を、
他方の主表面１ｂに基板１と同じ導電型を示す元素若し
くはその元素を含む金属例えば五価の元素を含む銀系の
ハードソルダ薄板をそれぞれ加熱合金せしめ、合金層５
および６を前記拡散層２をつき抜けるように形成する。
合金層５および６を形成するときの加熱によつて上記ア
ルミニユムおよびハードソルダ薄板と一緒に例えばモリ
ブデン、タングステン等からなる温度補償板７，８も溶
着する。温度補償板７は外径寸法が合金層５とほぼ同じ
外径であり、環状溝３の内側に位置し、後述の表面保護
材を施すのに十分な間隔を保持してある。
ルミニユムおよびハードソルダ薄板と一緒に例えばモリ
ブデン、タングステン等からなる温度補償板７，８も溶
着する。温度補償板７は外径寸法が合金層５とほぼ同じ
外径であり、環状溝３の内側に位置し、後述の表面保護
材を施すのに十分な間隔を保持してある。
次に同図Ｄに示すように基板１の一方の主表面１ａに形
成した環状溝３内にガラス等の表面保護材９を充填し拡
散によつて形成したＰ−Ｎ接合４ａを保護する。その後
、適当な容器に収納するか、または容器なしで半導体装
置として使用することが可能となる。
成した環状溝３内にガラス等の表面保護材９を充填し拡
散によつて形成したＰ−Ｎ接合４ａを保護する。その後
、適当な容器に収納するか、または容器なしで半導体装
置として使用することが可能となる。
以上の説明から明らかなようにアノード側で主となる整
流部分は合金層５であり、表面保護処理の必要なＰ−Ｎ
接合の表面露出部分は、拡散接合層４ａとなる。
流部分は合金層５であり、表面保護処理の必要なＰ−Ｎ
接合の表面露出部分は、拡散接合層４ａとなる。
また、アノード側温度補償板７の外周縁と環状溝３ない
しは半導体基板１の主表面１ａの外周縁までの距離が比
較的長いので、例えばガラスによる表面の保護が確実と
なる。
しは半導体基板１の主表面１ａの外周縁までの距離が比
較的長いので、例えばガラスによる表面の保護が確実と
なる。
さらに、本発明の装置は合金型と拡散型を併用している
ために、半導体基板と温度補償板とのオーミツクコンタ
クト強度、順電圧降下、サージ耐量等の他に機械的およ
び電気的特性で合金型と拡散型の長所を利用している。
ために、半導体基板と温度補償板とのオーミツクコンタ
クト強度、順電圧降下、サージ耐量等の他に機械的およ
び電気的特性で合金型と拡散型の長所を利用している。
ガラスによる表面保護を施しているので、収納容器を不
要とするいわゆるパツケージレスのままで使用すること
も可能であり、この種の半導体装置を安価に提供できる
。
要とするいわゆるパツケージレスのままで使用すること
も可能であり、この種の半導体装置を安価に提供できる
。
図面の第１図Ａ，Ｂ，ＣおよびＤは、本発明の半導体装
置を得るための工程説明図である。 １・・・・・・半導体基板、２・・・・・・拡散層、３
・・・・・・環状溝、５，６・・・・・・合金層、９・
・・・・・表面保護材。
置を得るための工程説明図である。 １・・・・・・半導体基板、２・・・・・・拡散層、３
・・・・・・環状溝、５，６・・・・・・合金層、９・
・・・・・表面保護材。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 一導電型を有するシリコン基板の両主表面から該基
板と反対導電型を示す不純物元素を拡散して、Ｐ−Ｎ−
Ｐ若しくはＮ−Ｐ−Ｎ型の拡散接合層が形成され、さら
に一方の主表面に前記基板と反対導電型を示す元素若し
くはその元素を含む金属を、他方の主表面に前記基板と
同じ導電型を示す元素若しくはその元素を含む金属を前
記基板の少なくとも片面の周縁部を残して合金されてい
るとともに、該合金層が前記拡散接合層よりも深く形成
されていることを特徴とする拡散・合金型半導体装置。 ２ 前記合金層の形成されていない前記基板の周縁部に
前記拡散層をつき抜ける深さの環状溝が形成され、該溝
にガラス表面保護材が充填されていることを特徴とする
特許請求の範囲第１項記載の拡散・合金型半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15702776A JPS5950116B2 (ja) | 1976-12-24 | 1976-12-24 | 拡散．合金型半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15702776A JPS5950116B2 (ja) | 1976-12-24 | 1976-12-24 | 拡散．合金型半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5380169A JPS5380169A (en) | 1978-07-15 |
| JPS5950116B2 true JPS5950116B2 (ja) | 1984-12-06 |
Family
ID=15640573
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15702776A Expired JPS5950116B2 (ja) | 1976-12-24 | 1976-12-24 | 拡散．合金型半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5950116B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| SU1114253A1 (ru) * | 1983-02-03 | 1987-03-23 | Научно-Исследовательский Институт Производственного Объединения "Тэз Им.М.И.Калинина" | Способ изготовлени выпр мительных элементов |
-
1976
- 1976-12-24 JP JP15702776A patent/JPS5950116B2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5380169A (en) | 1978-07-15 |
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