JP2005294772A - 半導体装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 ダイオードは、SiC基板1に形成されたn型半導体領域2とp+型半導体領域3とからなるpn接合4によって構成されている。SiC基板1の表面のアノード電極5を囲む領域には、このダイオードを保護するための表面安定化膜7が形成されている。表面安定化膜7は、SiCと同程度の線膨張係数を有するSiO2−B2O3−ZnOからなる亜鉛系ガラスで構成され、例えば1.5μm以上の厚い膜厚を有している。
【選択図】 図2
Description
図1は、本実施の形態の高耐圧半導体装置(パワーデバイス)を示す平面図、図2は、図1のII−II線に沿った断面図である。
図4は、電界緩和リングを有するダイオードに適用した実施の形態を示す断面図である。なお、図4において図1で示した符号と同一のものは、その説明を省略する。
図5は、プレーナ型ダイオードに適用した実施の形態を示す断面図である。なお、図5において図1で示した符号と同一のものは、その説明を省略する。
図6は、電界緩和リングを有するプレーナ型ダイオードに適用した実施の形態を示す断面図である。なお、図6において図2示した符号と同一のものは、その説明を省略する。
2 n型半導体領域
3 p+型半導体領域
3a、3b 電界緩和リング
4 pn接合
5 アノード電極
6 カソード電極
7 表面安定化膜
8 反応層
9 樹脂パッケージ
10 リード
Claims (10)
- 炭化珪素からなる半導体基板の主面にpn接合が形成され、前記半導体基板の主面上に表面安定化膜が形成された半導体装置であって、
前記表面安定化膜は、前記炭化珪素との熱膨張係数差が±10%以内の絶縁材料からなることを特徴とする半導体装置。 - 請求項1記載の半導体装置において、前記表面安定化膜と前記pn接合との界面には、前記絶縁材料と前記炭化珪素とが熱反応することによって形成された反応層が介在していることを特徴とする半導体装置。
- 請求項1記載の半導体装置において、前記絶縁材料は、SiO2−B2O3−ZnOからなる亜鉛系ガラス、PbO−SiO2−Al2O3からなる鉛系ガラスまたはZnO−PbO−SiO2−Al2O3からなる亜鉛−鉛系ガラスであることを特徴とする半導体装置。
- 請求項1記載の半導体装置において、前記pn接合によってダイオードが構成されていることを特徴とする半導体装置。
- 請求項4記載の半導体装置において、前記ダイオードは、さらに電界緩和リングを有することを特徴とする半導体装置。
- 請求項1記載の半導体装置において、前記表面安定化膜の膜厚は、1.5μm以上であることを特徴とする半導体装置。
- 請求項1記載の半導体装置において、前記表面安定化膜は、前記半導体基板の主面に形成された溝の内部に形成されていることを特徴とする半導体装置。
- 請求項1記載の半導体装置において、前記pn接合は、前記半導体基板の主面にエピタキシャル成長させた第1導電型の第1半導体領域と、前記第1半導体領域上にエピタキシャル成長させた第2導電型の第2半導体領域とからなることを特徴とする半導体装置。
- 請求項1記載の半導体装置において、前記pn接合は、前記半導体基板の主面にエピタキシャル成長させた第1導電型の第1半導体領域と、前記第1半導体領域の一部に不純物をイオン注入して形成した第2導電型の第2半導体領域とからなることを特徴とする半導体装置。
- 請求項1記載の半導体装置において、前記半導体基板は、樹脂パッケージに封止されていることを特徴とする半導体装置。
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Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010219224A (ja) * | 2009-03-16 | 2010-09-30 | Toshiba Corp | 電力用半導体装置 |
KR101007092B1 (ko) | 2008-10-27 | 2011-01-10 | 엘지이노텍 주식회사 | 반도체 발광소자 및 그 제조방법 |
JP2012069961A (ja) * | 2011-10-18 | 2012-04-05 | Toshiba Corp | 電力用半導体装置 |
US8188506B2 (en) | 2008-09-30 | 2012-05-29 | Lg Innotek Co., Ltd. | Semiconductor light emitting device |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH10116828A (ja) * | 1996-10-14 | 1998-05-06 | Hitachi Ltd | ガラス被覆半導体装置及びその製造方法 |
JP2003197921A (ja) * | 2001-12-26 | 2003-07-11 | Kansai Electric Power Co Inc:The | 高耐電圧半導体装置 |
JP2004506312A (ja) * | 1999-09-13 | 2004-02-26 | アクレオ アーベー | 半導体素子のための保護層 |
-
2004
- 2004-04-06 JP JP2004111690A patent/JP2005294772A/ja active Pending
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH10116828A (ja) * | 1996-10-14 | 1998-05-06 | Hitachi Ltd | ガラス被覆半導体装置及びその製造方法 |
JP2004506312A (ja) * | 1999-09-13 | 2004-02-26 | アクレオ アーベー | 半導体素子のための保護層 |
JP2003197921A (ja) * | 2001-12-26 | 2003-07-11 | Kansai Electric Power Co Inc:The | 高耐電圧半導体装置 |
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8188506B2 (en) | 2008-09-30 | 2012-05-29 | Lg Innotek Co., Ltd. | Semiconductor light emitting device |
US8319249B2 (en) | 2008-09-30 | 2012-11-27 | Lg Innotek Co., Ltd. | Semiconductor light emitting device |
US8952414B2 (en) | 2008-09-30 | 2015-02-10 | Lg Innotek Co., Ltd. | Semiconductor light emitting device |
KR101007092B1 (ko) | 2008-10-27 | 2011-01-10 | 엘지이노텍 주식회사 | 반도체 발광소자 및 그 제조방법 |
JP2010219224A (ja) * | 2009-03-16 | 2010-09-30 | Toshiba Corp | 電力用半導体装置 |
US8232593B2 (en) | 2009-03-16 | 2012-07-31 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Power semiconductor device |
JP2012069961A (ja) * | 2011-10-18 | 2012-04-05 | Toshiba Corp | 電力用半導体装置 |
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