HUT73312A - Method and apparatus for producing integrated circuit devices, and integrated circuit device - Google Patents

Method and apparatus for producing integrated circuit devices, and integrated circuit device Download PDF

Info

Publication number
HUT73312A
HUT73312A HU9500783A HU9500783A HUT73312A HU T73312 A HUT73312 A HU T73312A HU 9500783 A HU9500783 A HU 9500783A HU 9500783 A HU9500783 A HU 9500783A HU T73312 A HUT73312 A HU T73312A
Authority
HU
Hungary
Prior art keywords
integrated circuit
integrated circuits
edges
slicing
layer
Prior art date
Application number
HU9500783A
Other languages
English (en)
Other versions
HU9500783D0 (en
Inventor
Pierre Badehi
Original Assignee
Badehi
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Badehi filed Critical Badehi
Publication of HU9500783D0 publication Critical patent/HU9500783D0/hu
Publication of HUT73312A publication Critical patent/HUT73312A/hu

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/50—Multistep manufacturing processes of assemblies consisting of devices, each device being of a type provided for in group H01L27/00 or H01L29/00
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
    • H01L21/77—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate
    • H01L21/78—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
    • H01L25/065—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L27/00
    • H01L25/0652—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L27/00 the devices being arranged next and on each other, i.e. mixed assemblies
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
    • H01L25/065—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L27/00
    • H01L25/0657—Stacked arrangements of devices
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2225/00—Details relating to assemblies covered by the group H01L25/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2225/03—All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00
    • H01L2225/04—All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00 the devices not having separate containers
    • H01L2225/065—All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00 the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L27/00
    • H01L2225/06503—Stacked arrangements of devices
    • H01L2225/06551—Conductive connections on the side of the device
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2225/00—Details relating to assemblies covered by the group H01L25/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2225/03—All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00
    • H01L2225/04—All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00 the devices not having separate containers
    • H01L2225/065—All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00 the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L27/00
    • H01L2225/06503—Stacked arrangements of devices
    • H01L2225/06579—TAB carriers; beam leads
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2225/00—Details relating to assemblies covered by the group H01L25/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2225/03—All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00
    • H01L2225/04—All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00 the devices not having separate containers
    • H01L2225/065—All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00 the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L27/00
    • H01L2225/06503—Stacked arrangements of devices
    • H01L2225/06589—Thermal management, e.g. cooling
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/93—Batch processes
    • H01L24/95—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips
    • H01L24/96—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips the devices being encapsulated in a common layer, e.g. neo-wafer or pseudo-wafer, said common layer being separable into individual assemblies after connecting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/00013—Fully indexed content
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/102—Material of the semiconductor or solid state bodies
    • H01L2924/1025—Semiconducting materials
    • H01L2924/10251—Elemental semiconductors, i.e. Group IV
    • H01L2924/10253—Silicon [Si]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/12—Passive devices, e.g. 2 terminal devices
    • H01L2924/1204—Optical Diode
    • H01L2924/12042—LASER
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/14—Integrated circuits

Description

A találmány tárgya eljárás és berendezés integrált áramköri eszközök előállítására, és közvetetten magukra a találmány szerint gyártott integrált áramköri eszközökre is irányul.
Az integrált áramköri eszközök gyártásakor a technika állása szerint nélkülözhetetlen művelet a tokozás, amely az integrált áramköri félvezető chip, általában szilíciumchip mechanikai és környezeti védelmét, továbbá meghatározott elektromos összeköttetéseit és összeköttetési lehetőségeit, külső elektromos végződéseit biztosítja.
Napjainkban a félvezető eszközök tokozására lényegében háromféle technológiát alkalmaznak: a huzalkötési (wire bonding), a szalag automatikus kötési (tape automatic bonding: TAB) és a flip chip technológiákat.
A szalagkötési technológiánál hőenergiát és ultrahang-energiát használnak a chipen lévő és a tokozáson lévő csatlakozási felületeket összekötő arany összekötőhuzalok forrasztására illetve hegesztésére.
A TAB technológia összekötőhuzalok helyett réz fóliaszalagot használ. A réz fóliaszalag az áramköri tömbök és tokozások kombinációinak
Aktaszámunk: 81203-4131A/S0V
-2megfelelő konfigurációval rendelkezik, és magában foglalja a megfelelő réz sávmintákat az egyes vezetékek egyenként vagy csoportosan csatlakoztathatók a chipen lévő csatlakozófelületekhez.
A flip chip technológia olyan integrált áramköri tömbökön alapul, amelyek az összekötőrészek felületén kiképezett forrasz-felületidomokkal rendelkeznek, így lehetővé teszik az elektronikus áramköri tömb áramköri oldalával lefelé történő fordítását és közvetlenül a hordozóra történő forrasztást. Csatlakozóhuzalokra tehát nincs szükség, és jelentős megtakarítás érhető el a tokozás helyigénye szempontjából is.
A fenti technológiák mindegyikének megvannak a maguk korlátái. A huzalkötési és a TAB technológiák nem küszöbölik ki a hibás összeköttetések lehetőségét, továbbá az integrált áramköri tömb ki van téve a túlzott hőhatásnak és a mechanikai nyomásoknak. Mindkét technológiánál problémát jelent, hogy az integrált áramköri eszközök tömb/tokozási felület aránya, korlátozott intervallumban, általában 10 % és 60 % között lehet.
A flip chip technológia kiküszöböli a tokozás problémáit, az összeköttetéseknél azonban nehézséget jelent a forraszidomok egységes kialakítása és a hőtágulásból adódó illesztetlenség, amely behatárolja a használható hordozóanyagok körét, lényegében a szilíciumra és a szilíciumhoz hasonló hőtágulási karakterisztikával rendelkező anyagokra.
A találmánnyal célunk olyan megoldás kifejlesztése, amelynek révén az integrált áramköri eszközök ismert gyártási technológiáival kapcsolatos problémák kiküszöbölhetők vagy csökkenthetők és a hagyományosnál ki• · · • ·
-3sebb méretű és kisebb tömegű, ugyanakkor tökéletesebb elektromos jellemzőkkel rendelkező integrált áramkörök állíthatók elő.
A kitűzött feladat megoldására a találmány szerint olyan eljárást dolgoztunk ki, amelynek keretében egy első és egy második sík felülettel rendelkező félvezető szeleten integrált áramkörök sokaságát állítjuk elő, amely integrált áramkörök mindegyike körülhatárolt idomrészeket foglal magában, ahol a találmány szerint a félvezető szelet mindkét sík felületét védőanyag réteggel látjuk el, majd a félvezető szeletet és a kapcsolódó védőanyagot együtt daraboljuk, és ezáltal előtokozott integrált áramköri eszközök sokaságát állítjuk elő.
A találmány szerinti eljárás során előnyösen a félvezető szelet feldarabolásakor az idomrészekben metszetfelületeket hozunk létre.
A szeletelés során előnyösen két szomszédos integrált áramkörhöz tartozó közös idomrészekben hozunk létre metszetfelületeket, és ezáltal a két szomszédos integrált áramkör elektromos érintkezőfelületeit valósítjuk meg.
A találmány szerinti eljárás alternatív változata keretében egy félvezető szeleten integrált áramkörök sokaságát állítjuk elő, amely integrált áramkörök mindegyike idomrészeket foglal magában, ahol a találmány szerint a félvezető szeletet daraboljuk, és ezáltal integrált áramköri elemek sokaságát határozzuk meg, továbbá a darabolás során az idomrészekben metszetfelületeket hozunk létre.
A darabolás során előnyösen számos idomrészt vágunk ketté, amely idomrészek közül egyes idomrészek két szomszédos integrált áramkör közül csak az egyikkel, más idomrészek mindkét szomszédos idomrésszel kapcso-4latban vannak, és így mindkét szomszédos integrált áramkör számára elektromos érintkezési felületeket határoznak meg.
A találmány szerinti eljárás során előnyösen egy további eljárási lépés keretében az integrált áramkörök szeletelt élfelületeit vezetőréteggel látjuk el, és a különböző idomrészekkel összeköttetésben lévő vezetőréteg részeket egymástól elektromosan elválasztjuk.
A fenti eljárás során előnyösen a vezetőréteg létrehozása előtt az integrált áramkörök szeletelési élei mentén elektromos szigetelőréteget alakítunk ki.
A találmány szerinti eljárás keretében előnyösen a vezetőréteg megvalósítása során az integrált áramkör szeletelési élfelületeken kívüli részein is vezetőréteg bevonatot képezünk.
A találmány szerinti eljárás során előnyösen a darabolás keretében a szeletelési vonalakat előrajzoljuk, majd a félvezető szeletet ezek mentén maratjuk.
A találmány szerinti eljárás további alternatív változata keretében integrált áramkörök sokaságát állítjuk elő, amely integrált áramkörök mindegyike külszíni idomrész élfelületekkel rendelkezik, ahol a javaslat szerint az integrált áramkörök sokasága és egy áramköri lap között a külszíni idomrész élfelületeken keresztül létesítünk elektromos összeköttetést.
A találmány szerinti eljárás keretében előnyösen a félvezető szelet darabolását olyan szeletelési vonalak mentén végezzük, hogy a kapott integrált áramkörök szeletelési élei mentén a szilícium hordozónak nincs külszíni felülete.
• · · · · · • · · · · · · · . φ
-5Α találmány szerinti eljárás során előnyösen a darabolást megelőzően az integrált áramkörök sík felületeit védő szigetelő rétegekkel, élfelületeit pedig epoxi-bevonattal látjuk el.
A találmány szerinti eljárás keretében az integrált áramköri eszközök legalább egyik külső sík felületén hőkontaktust alakítunk ki, amely hőelvezetéshez csatlakoztatható.
A találmány szerinti eljárás keretében előnyösen az integrált áramköri eszközben integrálisán kiképezett alapréteget alakítunk ki.
A találmány szerinti eljárás során előnyösen integrált áramköröket hordozó félvezető szeleteket egymáson elrendezve kapcsolunk össze, és többrétegű integrált áramköri eszközöket állítunk elő.
A találmány szerinti eljárás keretében előnyösen az integrált áramköri eszközöket élfelületeik mentén csatlakoztatjuk egy szerelőelemre.
A védőanyagréteget előnyösen az EPROM eszközök törlésére használt sugárzás szempontjából átbocsátó (transzparens) anyagból alakítjuk ki.
A találmány szerinti eljárás keretében az integrált áramköri eszközök elektromos kontaktusait (érintkezőfelületeit), beleértve az integrált áramkörök idomrészeinek külszíni élfelületeit, előnyösen korróziómentesítő kezelésnek vetjük alá.
A találmány szerinti eljárás további alternatív változata keretében mechanikus védelmet és elektromos szigetelést biztosító tokba foglalt félvezető elemet állítunk elő, amely félvezető elem az élei mentén számos külszíni keresztmetszeti felületű idomrésszel rendelkezik, ahol a találmány szerint az idomrészek külszíni keresztmetszeti felületei és külső áramkörök közötti elektromos összeköttetéseket alakítunk ki.
-6A félvezető elem előállítása keretében előnyösen félvezető szeletet védőanyag rétegekkel látunk el, és a félvezető szeletet ezt követően, a védőanyag rétegekkel együtt daraboljuk a félvezető elemeket megvalósító tömbökre.
A kitűzött feladat megoldására továbbá olyan berendezést alakítottunk ki, amelynek félvezető szeleten körülhatárolt idomrészekkel rendelkező integrált áramkörök sokaságát előállító berendezése és a félvezető szeletet sík felületeit tokozóréteggel ellátó berendezése van, továbbá a találmány szerint a félvezető szeletet a kapcsolódó tokozórétegekkel együtt a tokozott integrált áramköri eszközöknek megfelelő méretre daraboló szeletelőeszközzel rendelkezik.
A találmány szerinti berendezésben a szeletelőeszköz az integrált áramkörök idomrészeiben külszíni keresztmetszeti felületeket állít elő.
A találmány szerint előnyös, ha a szeletelőeszköz olyan idomrészeket vág ketté, amelyek a félvezető szeleten szomszédos integrált áramkörökhöz tartoznak, így egyidejűleg két vagy több szomszédos integrált áramkör elektromos érintkezőfelületei valósulnak meg.
A találmány szerinti berendezés alternatív változatának félvezető szeleten integrált áramkörök sokaságát előállító berendezése van, ahol az integrált áramkörök mindegyike körülhatárolt idomrészeket foglal magában, továbbá - a találmány szerint - a berendezésnek a félvezető szelet integrált áramkörök sokaságának megfelelő darabolására alkalmas szeletelőeszköze van, amely integrált áramköri elemek sokaságát valósítja meg, és az integrált áramkörök idomrészeiben külszíni keresztmetszeti élfelületeket állít elő.
- 7A szeletelőeszköz előnyösen az integrált áramkörök idomrészeit is kettévágja, köztük olyan idomrészeket is, amelyek a félvezető szeleten szomszédos két integrált áramkör közül az egyikhez, vagy a másikhoz tartoznak, ily módon mindkét szomszédos integrált áramkör számára elektromos érintkezési felületek lesznek meghatározva.
A találmány szerint előnyös, ha a feldarabolt félvezető szelet szeletelési élfelületeit vezető rétegbevonattal ellátó, és a különböző idomrészek között összeköttetést biztosító vezetőréteg részek elektromos szeparálását megvalósító eszköze van.
A találmány szerint előnyös, ha a szeletelési élfelületek mentén a vezetőréteg felvitelét megelőzően elektromosan szigetelő rétegbevonat van.
A találmány szerint előnyös, ha a vezetőréteg az integrált áramkör élfelületein kívüli konduktív bevonatot is magában foglal.
A találmány szerint előnyös, ha a szeletelőeszköz előrajzoló eszközt és ezt követő maróeszközt foglal magában.
A találmány szerinti berendezés további alternatív változatának integrált áramkörök sokaságát előállító eszköze van, amely integrált áramkörök mindegyike külszíni idomrész élfelületekkel rendelkezik. A találmány lényege, hogy az integrált áramkörök sokasága és legalább egy áramköri lap között az idomrészek külszíni élfelületein keresztül elektromos összeköttetéseket létesítő eszköze van.
A találmány szerinti berendezésnél előnyös, ha a szeletelőeszköz olyan szeletelési vonalak mentén szeletel, hogy a kapott integrált áramkörök szeletelési élfelületei mentén külszíni szilíciumhordozó nem keletkezik.
-8A találmány szerinti berendezés egy további előnyös változatának a félvezető szelet darabolását megelőzően az integrált áramkörök sík felületeit védő szigetelőréteggel ellátó, az élfelületeket pedig epoxi bevonattal ellátó eszköze van.
A találmány szerinti berendezésnek továbbá előnyösen egy hőelvezetőhöz (hűtőtönkhöz) csatlakoztatható termikus kontaktust az integrált áramköri eszközök legalább egyik külső sík felületetén kialakító eszköze van.
A találmány szerinti berendezésnek előnyösen továbbá az integrált áramköri eszközökben integrális alapréteget megvalósító eszköze van.
A találmány szerinti berendezésnek továbbá adott esetben integrált áramköröket hordozó félvezető szeletek egymáson való elrendezésével kialakított összetett szerkezetű integrált áramköri tömbből többrétegű integrált áramköri eszközöket előállító berendezése van.
A találmány szerinti berendezésnek továbbá előnyöse az integrált áramköri eszközöket élfelületeik mentén szerelési elemre szerelő berendezése van.
A találmány szerinti berendezés szempontjából előnyös, ha a védőanyag réteg az EPROM eszközök törlésére használt sugárzás szempontjából átbocsátó (transzparens) réteg.
A találmány szerinti berendezésnek továbbá előnyösen az integrált áramköri eszközök elektromos érintkező felületei és az idomrészek élfelületei számára korróziómegelőző védelmet biztosító kezelést végző eszköze van.
- 10A találmány szerinti integrált áramköri eszköz külső felületeién konduktív savók vannak kialakítva, amelyek elektromos kapcsolatban vannak a vezető idomrészek külszíni élfelület szakaszaival.
A konduktív sávok előnyösen az integrált áramköri eszköz élfelületei mentén vannak kialakítva.
A konduktív sávok adott esetben átnyúlhatnak az integrált áramköri eszköz sík felületeire is.
A találmány szerinti integrált áramköri eszköz előnyös változatánál a konduktív sávok az integrált áramköri eszköz külső felületén az integrált áramköri tömbök vezető idomrészeinek külszíni élfelület részeit köti össze, és létesít közöttük elektromos kapcsolatot.
A találmány szerinti integrált áramköri eszköz további előnyös változata egymástól kölcsönösen szigetelt szilíciumrészek sokaságát foglalja magában.
A találmány szerinti integrált áramköri eszköz előnyösen legalább egy olyan szilícumelemmel rendelkezik, amely mechanikusan és elektromosan is szigetelve van az eszköz külső felületétől.
A találmány szerinti integrált áramköri eszköz továbbá előnyösen sík külső felületén hőelvezetöhöz vagy hütőtönkhöz csatlakoztatható, integrálisán kialakított termikus kontaktussal rendelkezik.
A találmány szerinti integrált áramköri eszköznek előnyösen integrálisán kialakított alaprétege van.
A találmány szerinti integrált áramköri eszköz további előnyös változatánál a konduktív sávok az eszköz külső felületén vannak kialakítva, és az ·· · ·
- 11 élfelületek mentén a vezető idomrészek külszíni élfelület szakaszait kötik össze.
A találmányt a továbbiakban a rajz alapján ismertetjük. A rajzon:
Az 1. ábrán a találmány szerint kialakított integrált áramköri eszköz példaként! kiviteli alakjának vázlatát tüntettük fel, nézetben;
A 2. ábrán a tokozó védőanyag réteg félvezető szelethez való kapcsolódását szemléltettük;
A 3. ábrán a tokozó védőanyag réteggel ellátott félvezető szelet integrált áramköri tömböket képező idomokra történő felosztását szemléltettük;
A 4A, 4B, 4C, 4D és 4E ábrák az integrált áramköri eszközök találmány szerinti eljárással történő előállításának egy-egy mozzanatát szemléltetik, oldalmetszetben;
Az 5. ábrán egy a találmány szerint kialakított integrált áramköri eszköz példakénti kiviteli alakjának részletét tüntettük fel, nézetben;
A 6. ábra egy a találmány szerint kialakított elötokozott integrált áramköri tömb példakénti kiviteli alakját mutatja, nézetben;
A 7. ábrán a 6. ábra szerinti integrált áramköri tömb a vezetőréteg felvitele és a fotoreziszt litográfia lépései után látható;
A 8. ábrán a találmány szerint kialakított integrált áramköri eszköz egy további, különösen függőleges - oszlopszerü - szerelésre alkalmas, példakénti kialakítása látható, nézetben;
A 9. ábrán a találmány szerint kialakított példakénti integrált áramköri tömb részletét tüntettük fel, nézetben;
• · * · · · β··φ ··· ··· .
• · Μ» ·« * *
-9A találmány szerinti berendezés további alternatív változatának mechanikusan védő és elektromosan szigetelő tokozás belsejében elrendezett félvezető elem előállítására szolgáló berendezése van, ahol a tokozás külszíni élfelületei mentén elektromos érintkező idomrészek külszíni keresztmetszeti élfelületekkel rendelkeznek, ahol a találmány szerint a berendezésnek továbbá a konduktív külszíni keresztmetszeti élfelületek és külső áramkörök között elektromos összeköttetéseket létrehozó berendezése van.
A találmány szerinti berendezés további előnyös változatánál a félvezető elem előállítására szolgáló berendezésnek egy félvezető szelet sík felületeit védőanyag rétegekkel ellátó, és a félvezető szeletet integrált áramköri tömböknek megfelelően daraboló szeletelőeszköze van.
A kitűzött feladat megoldására a fentieken túlmenően integrált áramköri eszközt alakítottunk ki, amely célszerűen a találmány szerinti eljárással és berendezéssel állítható elő.
A találmány szerinti integrált áramköri eszköz elektromosan szigetelő és mechanikus védelmet biztosító anyagból kialakított alsó és felső felületrétegekkel rendelkezik, továbbá a találmány szerint elektromosan szigetelő élfelületei vannak, amelyek elektromosan vezető idomrészek külszíni élfelület szakaszait foglalják magukban.
A találmány szerinti integrált áramköri eszköz előnyösen egymáshoz elrendezve egymáshoz kapcsolódó szilícium chipeket foglal magában.
A találmány szerinti integrált áramköri eszköz további előnyös változatánál a szilícium chipek az összetett szerkezetű integrált áramköri tömbön belül egymástól kölcsönösen szigetelve vannak.
- 12Α 10. ábrán egy a találmány szerint kialakított, összetett szerkezetű integrált áramköri tömb példakénti kiviteli alakját tüntettük fel, nézetben;
A 11 A, 11B, 1 IC és 11D ábrákon, valamint a HE, 11F, 11G, 11H, 111, 11J, 11K, 11L és 11M ábrákon a találmány szerint kialakított összetett szerkezetű integrált áramköri tömb előállításának egy-egy mozzanatát szemléltettük, függőleges metszetben;
A 12A és 12B ábrákon a találmány szerinti eljárás és berendezés példakénti kiviteli alakját folyamatábraszerüen, blokkvázlat szinten szemléltettük.
Amint az 1. ábrából kitűnik, a találmány szerinti eljárással megvalósított példakénti integrált áramköri eszköz 10 integrált áramköri tömbje 12 elektromos kontaktusokkal rendelkezik, amelyek a 10 integrált áramköri tömb oldalsó 14 peremfelületei mentén helyezkednek el. Példánk esetében a 12 elektromos kontaktusok a 14 peremfelületekről átnyúlnak a 16 sík felszínre is. A 12 elektromos kontaktusok ezen elrendezése lehetővé teszi a 10 integrált áramköri tömbök vízszintes és függőleges elrendezését élcsatlakoztatását és tömbcsatlakoztatását - egyaránt. A 10 integrált áramköri tömb integrális alapfelszínnel és/vagy 18 alapfelületi kontaktusokkal is rendelkezhet.
Példánk esetében a 10 integrált áramköri tömb 19 hőközvetítö felületrészekkel - termikus kontaktusokkal - van ellátva, amelyek a felfelé néző 16 sík felszínen és/vagy mindkét sík felületen megtalálhatók. A 19 hőközvetítő felületrészek mindazonáltal opcionális elemei a találmány szerinti megoldásnak.
- 13 .··. :··. '·*· .·’ ·· ·»· j
Amint a 2. ábrán látható - és a 4A ábra is szemlélteti egy példakénti 20 félvezető szelet - előnyösen szilíciumszelet - 22 integrált áramköri idomokra van felosztva. A 20 félvezető szelet aktív felületén önmagában ismert, hagyományos technológiával, előnyösen 28 epoxirétegen keresztül 26 szigetelő lezáróréteg van kialakítva (4A ábra). A 26 szigetelő lezáróréteg általában például üveg, alumínium-oxid, berillium-oxid, zafír vagy más alkalmas szigetelő szubsztrátum.
A 26 szigetelő lezáróréteg az optikai vagy infra-berendezések sugárzási hullámhossztartományában a sugárzás számára transzparens.
Amikor a 20 félvezető szeletet, például szilíciumszeletet a találmány szerint használjuk fel, a hagyományos szilíciumszelet gyártás bizonyos lépései elhagyhatók. Nincs szükség például az integrált áramköri idomok fölött a passziváló rétegben kiképzett ablakokon keresztül végzett műveletekre, továbbá hátoldali csiszolásra vagy hátoldali fémréteg bevonatra.
A komplett 20 félvezető szelet kialakítható integrális alapfelülettel, hagyományos litográfiái technológiával, tetszőleges alkalmas belső elhelyezéssel. Egy lehetséges alternatíva, hogy a 4A ábra szerinti művelet előtt a 24 aktív felszínen hagyományos technológiával egy alapréteg konfigurációt viszünk fel, úgy, hogy az alapréteg a 24 aktív felszín és a 28 epoxiréteg között helyezkedik el.
A 4A ábra szerinti műveleti lépést követően a 20 félvezető szeletet meghatározott vastagságra - általában 200 mikron - lecsiszoljuk, amint az a 4B ábrán látható. A rétegvastagság ezen csökkentését a 20 félvezető szelet 26 szigetelő lezáró réteggel történt megerősítése teszi lehetővé.
• ·
- 14A rétegvastagság opcionális csökkentését követően a 20 félvezető szelet alsó felületébe berajzoljuk a 22 integrált áramköri idomok válaszvonalait. A 22 integrált áramköri idomok között így a 4C ábrán látható 30 előrajzolt csatornák húzódnak, amelyek a rétegvastagságot mintegy 100 mikron körüli értékre csökkentik. Ezek a 30 előrajzolt csatornák a 4C ábrán kívül a
3. ábrán is láthatók.
A 4C ábra szerinti művelet után a 20 félvezető szelet anyagát a 30 előrajzolt csatornák mentén hagyományos maróoldat alkalmazásával, például 24 % káliumhidroxid, 63 % víz és 13 % izopropanol tartalmú maróoldattal kimaratjuk egészen a 28 epoxirétegig, amint az a 4D és az 5. ábrákon látható.
Amint az 5. ábrából kitűnik, a példaként! 22 integrált áramköri idom 32 szigetelőréteget és 34 fém-felületrészeket foglal magában. A fémfelületet 36 felső szigetelőréteg borítja. A 36 felső szigetelőréteg fölött helyezkedik el a 38 alapréteg.
Amint a 4D ábrán látható, a szilíciumréteg kimaratásának eredményeképpen egymástól elválasztott 40 tömbök jönnek létre, amelyek tipikusan 100 mikron rétegvastagságú szilíciumtömbök.
A szilícium kimaratása után a 40 tömbök felületére 44 epoxirétegen keresztül 42 szigetelő tokozóréteg kerül, amint az a 4E ábrán látható. A 44 epoxiréteg anyaga a 40 tömbök közötti kimart csatornákat is kitölti.
Amint a 4E ábrán látható, a 40 tömbök, valamint a 26 szigetelő lezáró réteg és a 42 szigetelő tokozóréteg által alkotott szendvicsszerkezet 50 szeletelési vonalak mentén lesz feldarabolva. Az 5.0 szeletelési vonalak a szomszédos 40 tömbök között helyezkednek el. A találmány lényeges jellemzője,
- 15 hogy az 50 szeletelési vonalak úgy helyezkednek el, hogy a darabolással különválasztott chipek oldaléléi a szilícium - a 40 tömbök - 39 pereméleitől legalább d távolságban vannak, amint az az 5. ábrán is látható.
A találmány szerinti eljárás fontos jellemzője, hogy a szendvicsszerkezet feldarabolása az 50 szeletelési vonalak mentén a 34 fém idomrészeket is érinti, amelyeknél ily módon külszíni keresztmetszeti felületként létrejönnek a 40 tömbök 51 érintkezőfelületei. A szendvicsszerkezet említett feldarabolása továbbá a 38 alapréteget is érinti, amelynek következtében létrejönnek az alapfelületi 52 érintkezőfelületek.
A 6. ábrán a feldarabolás nyomán kialakult előtokozott integrált áramköri tömbök egyike látható. A tömb az 51 és 52 érintkezőfelületek kivételével teljes oldalfelülete mentén 53 epoxi oldalperemmel van ellátva, amely a 26 szigetelő lezáróréteg és a 42 szigetelő tokozóréteg között helyezkedik el.
A találmány előnyös kiviteli alakjánál a 40 tömbök teljes külső felülete vagy legalábbis oldalfelületei vezető rétegbevonattal, például alumíniumréteggel láthatók el, előnyösen vákuumgőzölés útján. Standard fotoreziszt technológiát alkalmazva a vezető rétegbevonat a 7. ábra szerint szelektív módon kimarható, ily módon egymástól elektromosan szigetelt 62 vezetősávok alakíthatók ki. A 62 vezetősávok mindegyike egy-egy különböző 51 illetve 52 érintkezőfelülettel van konduktív kapcsolatban. Ugyanezen eljárási művelet keretében alakíthatók ki a 19 hőközvetítő felületrészek, amint az a
7. ábrán látható.
A konduktív rétegek előnyösen nikkelbevonattal, adott esetben aranybevonattal és/vagy forraszbevonattal láthatók el, hagyományos eljárással. A
8. ábra a találmány szerint kialakított integrált áramköri eszköz olyan alternatív változatát mutatja, amelynél legalább egyik 70 oldalperem felületen az összes kontaktus megtalálható. Ily módon a 70 oldalperem felület teljesíti a csatlakoztatási felület funkciót, lehetővé téve a nyomtatott áramköri kártyára való szerelést, az integrált áramköri eszköz vertikális szerelése céljából. A példakénti változatnál 72 vezetősávok kötik össze a különböző oldalperemeken lévő 51 érintkezőfelületeket a 70 oldalperemen található 74 vezetösávokkal. A 72 vezetősávok kialakíthatók az integrált áramköri tömb mindkét sík felszínén.
A 9. ábrán a találmány egy további opcionális jellemzőjét szemléltetjük. Amint az ábrán látható, az integrált áramkör 40 tömbjének szubsztrátum szigetelése úgy van kialakítva, hogy a szubsztrátumot külön előrajzolt vonalak mentén a 4C-4D ábrákon szemléltetett módon kimaratjuk, és a szilícium szubsztrátum így elválasztott 76 szakaszai közötti csatornákat epoxi gyantával töltjük ki, 78 epoxiszakaszokat hozva létre.
A 10. ábra a találmány szerint kialakított összetett szerkezetű 100 integrált áramköri tömböt mutat. Az összetett szerkezetű 100 integrált áramköri tömb 102 integrált áramköri tömböket foglal magában, amelyek oszlopszerű elrendezésben, vertikálisan csatlakoznak egymáshoz. A 102 integrált áramköri tömbök hordozhatnak azonos vagy különböző integrált áramköröket is. A szomszédos 102 integrált áramköri tömbök adott esetben szigetelten illeszkednek egymáshoz, külön szigetelőréteg beiktatása nélkül is.
Az összetett szerkezetű 100 integrált áramköri tömb viszonylag vékony, környezeti szempontból védett, mechanikusan megerősített felépítésű
- 17 és 114 oldalfelületein 112 elektromos kontaktusok sokaságával rendelkezik. A 112 elektromos kontaktusok fölül ráhajlanak az összetett szerkezetű 100 integrált áramköri tömb 116 sík felszínére. Ez a elrendezés lehetővé teszi, hogy az összetett szerkezetű 100 integrált áramköri tömböt akár sík felületi, akár élcsatlakozással - horizontálisan illetve vertikálisan - szereljük egy nyomtatott áramköri kártyára. Megjegyezzük, hogy az összetett szerkezetű 100 integrált áramköri tömb egy vagy több integrálisán kiképezett alapsíkkal (a rajzon nem ábrázoltuk), valamint 118 alapfelületi kontaktusokkal rendelkeztek. Az oszlopszerűen egymáson elrendezett 102 integrált áramköri tömbök között adott esetben lehet néhány speciális integrált áramköri tömb, például ASIC, amelyek segítségével komplex összeköttetések valósíthatók meg az egymáson elrendezett 102 integrált áramköri tömbök áramkörei között.
A találmány alternatív jellemzője szerint az összetett szerkezetű 100 integrált áramköri tömb 116 sík felszínén - vagy mindkét sík felszínén és 114 oldalfelületein is - kialakíthatók 119 hőközvetítő felületrészek. Ezek kialakítása a találmány szempontjából opcionális lehetőség.
Az alábbiakban all A, 11B... 11M ábrák alapján tekintsük át az öszszetett szerkezetű 100 integrált áramköri tömb előállításának lépéseit. Az eljárás kezdeti lépései megegyeznek, vagy legalábbis hasonlóak a 10 áramköri tömb előállításával kapcsolatban a 4A ... 4D ábrák alapján ismertetett lépésekkel. Amint a 11A ábrán látható, egy komplett 120 szilíciumszelet 124 aktív felszínével 128 epoxirétegen keresztül 126 szigetelő lezáróréteggel van ellátva. A 126 szigetelő lezáróréteg anyaga tipikusan üveg, alumínium-oxid, berillium-oxid, zafír vagy más alkalmas szigetelő szubsztrátum.
-18Α 120 szilíciumszelet hagyományos technológiával bármely alkalmas részén integrális alapfelszinnel van ellátva. Adott esetben a 11A ábra szerinti technológiai lépést megelőzően hagyományos technológiával egy konfigurált alapfelület alakítható ki a 124 aktív felszínen, úgy, hogy az alapfelület a 124 aktív felszín és a 128 epoxiréteg között helyezkedjen el.
A 11A ábra szerinti technológiai lépést követően a 120 szilíciumszelet vastagságát adott vastagságra (tipikusan 200 mikron) csiszoljuk le, amint az a 11B ábrán látható.
Ezen opcionális lépés után a 120 szilíciumszeletet hátfelületén előre meghatározott előrajzolt vonalak mentén 130 előrajzolt csatornákkal barázdáljuk, amelyek révén mélységben is körvonalazódnak a 120 szilíciumszelet 122 integrált áramköri idomai. A 130 előrajzolt csatornák mélysége tipikusan 100 mikron, tehát az előrajzolt vonalak mentén a 120 szilíciumszelet vastagsága ennek megfelelően csökken (11C ábra).
A következő lépésben a 120 szilíciumszeletet a 130 előrajzolt csatornák mentén egészen a 128 epoxirétegig kimaratjuk, így a 122 integrált áramköri idomokat egymástól elválasztjuk (11D ábra). Ezzel eljutottunk ahhoz a fázishoz, ahol a 122 integrált áramköri idomok például az 5. ábrán látható szerkezettel rendelkeznek.
Az összetett szerkezetű 100 integrált áramköri tömb előállításánál a következő lépés a második, majd a többi 150 szilíciumszelet összekapcsolása a 11D ábra szerinti szerkezettel, célszerűen 152 epoxirétegen keresztül, amint az a 11E ábrán látható. A 152 epoxiréteg funkciója egyrészt a kötés biztosítása, másrészt a szomszédos 122 integrált áramköri idomok szilícium szubsztrátumai közötti hézagok kitöltése, így a 122 integrált áramköri idő- 19mok kölcsönös szigetelése, amely kiegészíti a 122 integrált áramköri idomok külön-külön oxid passzíváié rétege által biztosított szigetelést.
A 11E ábrán látható lépés után a 150 szilíciumszelet vastagságát a 11F ábrán látható módon csökkentjük, majd az integrált áramköri idomok előrajzolása és az előrajzolt csatornák bemaratása illetőleg a szomszédos integrált áramköri idomok további maratással történő teljes elválasztása a 11G és 11H ábrák szerint, a fent ismertetett módon történik.
A 11H ábrán látható lépést követően az újabb 160 szilíciumszeletet 162 epoxirétegen keresztül kapcsoljuk a már meglévő szendvics szerkezethez. Amint a 111 ábrán látható, a 162 epoxiréteg kitölti a szomszédos 163 integrált áramköri idomok közötti hézagokat is. Ezt követően a 160 szilíciumszelet vastagságának lecsiszolása, majd a 103 előrajzolt csatornák bemunkálása és teljes mélységben történő kimaratása a 11J, 11K és 1 IL ábrák szerint, a fentiekkel (4B-4D, illetve 11B-11D ábrák) megegyezően történik.
A fent ismertetett eljárási lépések az összetett szerkezetű 100 integrált áramköri tömb szilíciumszeleteinek számától függően ismételhetők mindaddig, amíg a 11M ábrán látható összetett szerkezetet elérjük. Amint a 11M ábrából kitűnik, a legalsó szilíciumszelet 164 integrált áramköri idomai közötti hézagokat 172 epoxiréteggel töltjük ki, amely egyúttal kötést biztosít a legalsó áramköri réteg és az alsó 170 szigetelő tokozóréteg között.
Amint a 4E ábrával kapcsolatban ismertettük, a több szeletből álló szendvicsszerkezet darabolása a szomszédos 122, 163 ... 174 integrált áramköri idomok szomszédos peremélei között húzódó szeletelési vonalak mentén történik, és ily módon előtokozott integrált áramköri eszközök sokaságát kapjuk. Lényeges mozzanata a találmány szerinti eljárásnak, hogy a
-204Ε illetve 11M ábrákon látható szendvicsszerkezetek szeletelése fémfelületrészeket (lásd a 34 fém-felületrészeket) is érint, és ezáltal a szeletelés révén egyúttal felületi kontaktusokat is létrehozunk. Ezeket a kontaktusfelületeket célszerűen korróziómentesítő kezelésnek vetjük alá.
A 11M ábrán látható összetett szendvics szerkezet szeletelése továbbá az alapsíkot is érinti, aminek következtében alapfelületi kontaktusok is keletkeznek, amelyeket ugyancsak célszerű korrózió elleni védelemmel ellátni. Az összetett szerkezetű integrált áramköri tömb tokozását képező 126 szigetelő lezáró réteg és 170 szigetelő tokozó réteg között a kontaktusfelületek kivételével ugyancsak végig perifériális epoxi szigetelést alakítunk ki.
Amint az 1-9. ábrákon látható példakénti változatnál, úgy a 10. ábra szerinti összetett szerkezetű 100 integrált áramköri tömbnél is az áramköri idom egésze, vagy legalább az élfelületei konduktív bevonattal, például alumínium vezetőréteggel láthatók el, amelyet célszerűen vákuumgőzöléssel alakítunk ki. Standard fotoreziszt litográfiái technológiát alkalmazva a konduktív bevonat szelektív maratása útján képezhető ki a 10. ábrán látható összetett szerkezetű 100 integrált áramköri tömb 112 elektromos kontaktusai, amelyek mindegyike más-más kontaktfelülettel van összeköttetésben. A 112 elektromos kontaktusokat megvalósító konduktív sávok az összetett 100 integrált áramköri tömb különböző áramkörei között, valamint külső áramkörökkel is összeköttetéseket létesíthetnek.
A konduktív réteg vákuumgőzölésével és az azt követő fotoreziszt litográfiával a 118 alapfelületi kontaktusok és a 119 hőközvetítő felületrészek is előnyösen kialakíthatók.
-21 A konduktív rétegek célszerűen nikkelbevonattal vannak ellátva, de adott esetben aranybevonattal és forraszbevonattal is rendelkezhetnek, amelyek hagyományos technológiával állíthatók elő. Javasolt megfelelő korróziómegelőző védelemről is gondoskodni.
Megjegyezzük, hogy az összetett szerkezetű 100 integrált áramköri tömb nem csak azonos szeletből származó integrált áramköri eszközökből állhat, hanem tartalmazhat különböző származású, vagy akár különböző technológiákkal előállított integrált áramköri idomokat is. Az összetett szerkezet részeit képező áramköri idomok külön-külön, vagy csoportonként bármely alkalmas technológiával előállíthatok. Célszerű, ha az összetett szerkezet javasolt tömbformába rendezése előtt a tömböt alkotó áramköri idomokat - illetve az azokat tartalmazó szeleteket - a hatékonyság növelése érdekben szortírozzuk.
Az összetett szerkezetű 100 integrált áramköri tömbben nagy hővezető képességű szubsztrátumok beépítésével a hőszórási jellemzők javíthatók, jobb hőelosztás érhető el.
A találmány szerinti berendezést - a javasolt eljárással összhangban a 12A-12B ábrák alapján ismertetjük. Amint az ábrákból kitűnik, önmagában ismert hagyományos szeletgyártó berendezéssel állítjuk elő a 20 szeleteket. A 20 szeletek 24 aktív felszínére 182 kötőanyag állomáson - ahol a 20 szeletet az epoxigyanta tökéletesebb eloszlása érdekében előnyösen forgatjuk - a 28 epoxirétegen keresztül a 26 szigetelő lezáró réteget visszük fel. A következő lépésben a kötött 20 szelet vastagságát a nem-aktív oldal felől 184 csiszolóberendezés segítségével adott értékre csökkentjük. A 184 • ·
-22 csiszolóberendezés például 32BTGW típusjelű berendezés lehet, 12.5 A jelű csiszolóanyaggal felszerelve, amely például a Speedfarm Machines Co. Ltd. (Anglia) gyártmányaként kereskedelmi forgalomban beszerezhető.
A lecsiszolt 20 szelet nem-aktív felületére 186 előrajzoló eszköz segítségével előrajzoljuk a 4C ábra szerinti csatornákat. A 186 előrajzoló eszköz például a Kulicke and Soffa 775 típusjelű berendezés lehet, nikkelbevonattal ellátott gyémántheggyel.
Az elörajzolt szeletet ezután hömérsékletvezérelt 188 marófurdőben maratjuk, amely 190 szilíciummarató oldatot tartalmaz. Kereskedelmi forgalomban elérhető berendezés erre a célra például egy Chemkleen fürdő és egy WHRV cirkulátor, amelyek a Wafab Inc. (USA) cég gyártmányai. Megfelelő hagyományos szilíciummarató folyadék például az Isofoim Silicon maróoldat, amely a Micro-Image Technology Ltd. (Anglia) cég terméke. A szeleteket maratás után hagyományos módon öblítjük. Az eljárási lépés végén a 4D ábrán szemléltetett közbenső terméket kapjuk.
A következő lépés keretében a 192 kötőanyag állomáson a szelet nem-aktív oldalához 44 epoxiréteggel 42 szigetelő tokozóréteget kapcsolunk. A 192 kötőanyag állomás célszerűen megegyezhet a 182 kötőanyag állomással.
Az így kapott közbenső termék lényegében a 4E ábra szerinti szendvicsszerkezet.
Következő lépésben 194 szeletelőeszköz segítségével az előrajzolt majd kimart sávok mentén különválasztjuk a 40 tömböket, amelyek példakénti változata a 6. ábrán látható. A 40 tömböket ezután 196 fürdőben korróziómegelőző kezelésnek vetjük alá. A 196 fürdő 198 krómozó oldatot
-23tartalmaz. Alkalmas krómozó oldatokat ismertetnek például az US-2.507.956, 2.851.385 és 2.796.370 szabadalmi leírások.
Az integrált áramköri tömb konduktív felületrészeinek kialakítása példánk esetében a 200 vákuumgözölögtető berendezésben történik. Alkalmas berendezés lehet például a Matériái Research Corporation (USA) 903M típusú berendezése.
Az integrált áramköri tömb 7. ábrán feltüntetett 51 és 52 érintkezőfelületeinek kialakítására a 202 fotóreziszt fürdő szolgál, amely például DuPont vagy Shipley gyártmányként kereskedelmi forgalomban kapható. Fotóreziszt anyagként használható például a DuPont Primecoat vagy a Shipley Eagle márkanevű terméke.
A fotóreziszt réteget előnyösen 204 lézer scannerrel konfiguráljuk, előre meghatározott kimaratási minták szerint. A fotóreziszt réteget ezután 206 előhívó fürdőben hívjuk elő, majd 210 marató fürdőben 208 fémmaró oldattal kezeljük. Ennek eredményeképpen kapjuk a 7. ábra szerinti vezetőfelület konfigurációt.
Az előhívott konduktív sávokat (7. ábra) ezután 212 nemelektrolitikus bevonatképző berendezésben külső rétegbevonattal látjuk el. A 212 nem-elektrolitikus bevonatképző berendezés az Okuno (japán) cég kereskedelmi forgalomban lévő berendezése lehet.
Hangsúlyozzuk, hogy a konduktív sávok előállítása a példaként említet fotolitográfiai technológiától eltérően, más ismert módszerekkel is megvalósítható. Megfelelő alternatív technológia lehet például a közvetlen beírás (direct writing).
• ·
-24A találmány egyéb jellemzőiben sem korlátozódik a fent ismertetett kiviteli példákra. Az igényelt oltalmi kört az alábbi igénypontokban fogalmazzuk meg.

Claims (54)

  1. SZABADALMI IGÉNYPONTOK
    1. Eljárás integrált áramköri eszközök előállítására, amelynek keretében egy első és egy második sík felülettel rendelkező félvezető szeleten integrált áramkörök sokaságát állítjuk elő, amely integrált áramkörök mindegyike körülhatárolt idomrészeket foglal magában, azzal jellemezve, hogy a félvezető szelet (20) mindkét sík felületét védőanyag réteggel látjuk el, majd a félvezető szeletet (20) és a kapcsolódó védőanyagot együtt daraboljuk, és ezáltal előtokozott integrált áramköri eszközök sokaságát állítjuk elő.
  2. 2. Az 1. igénypont szerinti eljárás, azzal jellemezve, hogy a félvezető szelet (20) feldarabolásakor az idomrészekben metszetfelületeket hozunk létre.
  3. 3. A 2. igénypont szerinti eljárás, azzal jellemezve, hogy a szeletelés során két szomszédos integrált áramkörhöz tartozó közös idomrészekben hozunk létre metszetfelületeket, és ezáltal a két szomszédos integrált áramkör elektromos érintkezőfelületeit valósítjuk meg.
  4. 4. Eljárás integrált áramköri eszközök előállítására, amelynek keretében egy félvezető szeleten integrált áramkörök sokaságát állítjuk elő, amely integrált áramkörök mindegyike idomrészeket foglal magában, azzal jellemezve, hogy a félvezető szeletet (20) daraboljuk, és ezáltal integrált áramköri elemek sokaságát határozzuk meg, továbbá a darabolás során az idomrészekben metszetfelületeket hozunk létre.
  5. 5. A 4. igénypont szerinti eljárás, azzal jellemezve, hogy a darabolás során számos idomrészt vágunk ketté, amely idomrészek közül egyes idomrészek két szomszédos integrált áramkör közül csak az egyikkel, más idomrészek mindkét szomszédos idomrésszel kapcsolatban vannak, és így mindkét szomszédos integrált áramkör számára elektromos érintkezési felületeket határoznak meg.
  6. 6. Az 1-5. igénypontok bármelyike szerinti eljárás, azzal jellemezve, hogy egy további eljárási lépés keretében az integrált áramkörök szeletelt élfelületeit vezetöréteggel látjuk el, és a különböző idomrészekkel összeköttetésben lévő vezetőréteg részeket egymástól elektromosan elválasztjuk.
  7. 7. A 6. igénypont szerinti eljárás, azzal jellemezve, hogy a vezetőréteg létrehozása előtt az integrált áramkörök szeletelés! élei mentén elektromos szigetelőréteget alakítunk ki.
  8. 8. A 6. igénypont szerinti eljárás, azzal jellemezve, hogy a vezetöréteg megvalósítása során az integrált áramkör szeletelési élfelületeken kívüli részein is vezetőréteg bevonatot képezünk.
    * 4« A «· ««*· ί» • · » * ·· ··· 4 · ·« • * ♦ 4» * · ··· ··4
  9. 9. Az 1-8. igénypontok bármelyike szerinti eljárás, azzal jellemezve, hogy a darabolás keretében a szeletelési vonalakat (50) előrajzoljuk, majd a félvezető szeletet (20) ezek mentén maratjuk.
  10. 10. Eljárás integrált áramköri eszközök előállítására, amelynek keretében integrált áramkörök sokaságát állítjuk elő, amely integrált áramkörök mindegyike külszíni idomrész élfelületekkel rendelkezik, azzal jellemezve, hogy az integrált áramkörök sokasága és egy áramköri lap között a külszíni idomrész élfelületeken keresztül létesítünk elektromos összeköttetést.
  11. 11. Az 1-9. igénypontok bármelyike szerinti eljárás, azzal jellemezve, hogy a félvezető szelet (20) darabolását olyan szeletelési vonalak mentén végezzük, hogy a kapott integrált áramkörök szeletelési élei mentén a szilícium hordozónak nincs külszíni felülete.
  12. 12. Az 1-9. igénypontok bármelyike, vagy all. igénypont szerinti eljárás, azzal jellemezve, hogy a darabolást megelőzően az integrált áramkörök sík felületeit védő szigetelő rétegekkel, élfelületeit pedig epoxibevonattal látjuk el.
  13. 13. Az 1-12. igénypontok bármelyike szerinti eljárás, azzal jellemezve, hogy az integrált áramköri eszközök legalább egyik külső sík felületén hőkontaktust alakítunk ki, amely hőelvezetéshez csatlakoztatható.
    • e ··· »«* * • · · ·
  14. 14. Az 1-13. igénypontok bármelyike szerinti eljárás, azzal jellemezve, hogy az integrált áramköri eszközben integrálisán kiképezett alapréteget (38) alakítunk ki.
  15. 15. Az 1-14. igénypontok bármelyike szerinti eljárás, azzal jellemezve, hogy integrált áramköröket hordozó félvezető szeleteket (20, 120) egymáson elrendezve kapcsolunk össze, és többrétegű integrált áramköri eszközöket állítunk elő.
  16. 16. Az 1-15. igénypontok bármelyike szerinti eljárás, azzal jellemezve, hogy az integrált áramköri eszközöket élfelületeik mentén csatlakoztatjuk egy szerelőelenjre.
  17. 17. Az 1-16. igénypontok bármelyike szerinti eljárás, azzal jellemezve, hogy a védőanyag réteget az EPROM eszközök törlésére használt sugárzás szempontjából átbocsátó (transzparens) anyagból alakítjuk ki.
  18. 18. Az 1-17. igénypontok bármelyike szerinti eljárás, azzal jellemezve, hogy az integrált áramköri eszközök elektromos kontaktusait (érintkezőfelületeit), beleértve az integrált áramkörök idomrészeinek külszíni élfelületeit, korróziómentesítő kezelésnek vetjük alá.
    -29·· ···· 9« *»>· • · · « * · »· ·»· 999· • 9 · ·« ·· ··· 1»9
  19. 19. Eljárás félvezető eszközök előállítására, amelynek keretében mechanikus védelmet és elektromos szigetelést biztosító tokba foglalt félvezető elemet állítunk elő, amely félvezető elem az élei mentén számos külszíni keresztmetszeti felületű idomrésszel rendelkezik, azzal jellemezve, hogy az idomrészek külszíni keresztmetszeti felületei és külső áramkörök közötti elektromos összeköttetéseket alakítunk ki.
  20. 20. A 19. igénypont szerinti eljárás, azzal jellemezve, hogy a félvezető elem előállítása keretében félvezető szeletet (20) védőanyag rétegekkel látunk el, és a félvezető szeletet (20) ezt követően, a védőanyag rétegekkel együtt daraboljuk a félvezető elemeket megvalósító tömbökre (40).
  21. 21. Berendezés integrált áramköri eszközök előállítására, amelynek félvezető szeleten körülhatárolt idomrészekkel rendelkező integrált áramkörök sokaságát előállító berendezése és a félvezető szeletet sík felületeit tokozóréteggel ellátó berendezése van, azzal jellemezve, hogy a félvezető szeletet (20) a kapcsolódó tokozórétegekkel együtt a tokozott integrált áramköri eszközöknek megfelelő méretre daraboló szeletelőeszközzel (194) rendelkezik.
  22. 22. A 21. igénypont szerinti berendezés, azzal jellemezve, hogy a szeletelőeszköz (194) az integrált áramkörök idomrészeiben külszíni keresztmetszeti felületeket állít elő.
    -30• · <··· ·« ···« • · · · · « ·· ·Μ ·«« · • · · 9« ·· ··· *· 9
  23. 23. Α 22. igénypont szerinti berendezés, azzal jellemezve, hogy a szeletelőeszköz (194) olyan idomrészeket vág ketté, amelyek a félvezető szeleten (20) szomszédos integrált áramkörökhöz tartoznak, így egyidejűleg két vagy több szomszédos integrált áramkör elektromos érintkezőfelületei valósulnak meg.
  24. 24. Berendezés integrált áramköri eszközök kialakítására, amelynek félvezető szeleten integrált áramkörök sokaságát előállító berendezése van, ahol az integrált áramkörök mindegyike körülhatárolt idomrészeket foglal magában, azzal jellemezve, hogy a félvezető szelet (20) integrált áramkörök sokaságának megfelelő darabolására alkalmas szeletelőeszköze (194) van, amely integrált áramköri elemek sokaságát valósítja meg, és az integrált áramkörök idomrészeiben külszíni keresztmetszeti élfelületeket állít elő.
  25. 25. A 24. igénypont szerinti berendezés, azzal jellemezve, hogy a szeletelőeszköz (194) az integrált áramkörök idomrészeit is kettévágja, köztük olyan idomrészeket is, amelyek a félvezető szeleten (20) szomszédos két integrált áramkör közül az egyikhez, vagy a másikhoz tartoznak, ily módon mindkét szomszédos integrált áramkör számára elektromos érintkezési felületek lesznek meghatározva.
  26. 26. A 21-25. igénypontok bármelyike szerinti berendezés, azzal jellemezve, hogy a feldarabolt félvezető szelet (20) szeletelési élfelületeit vezető rétegbevonattal ellátó, és a különböző idomrészek között
    -31 összeköttetést biztosító vezetőréteg részek elektromos szeparálását megvalósító eszköze van.
  27. 27. A 26. igénypont szerinti berendezés, azzal jellemezve, hogy a szeletelési élfelületek mentén a vezetöréteg felvitelét megelőzően elektromosan szigetelő rétegbevonat van.
  28. 28. A 26. igénypont szerinti berendezés, azzal jellemezve, hogy a vezetőréteg az integrált áramkör élfelületein kívüli konduktív bevonatot is magában foglal.
  29. 29. A 21-28. igénypontok bármelyike szerinti berendezés, azzal jellemezve, hogy a szeletelöeszköz (194) előrajzoló eszközt (186) és ezt követő maróeszközt foglal magában.
  30. 30. Berendezés integrált áramköri eszközök előállítására, amelynek integrált áramkörök sokaságát előállító eszköze van, amely integrált áramkörök mindegyike külszíni idomrész élfelületekkel rendelkezik, azzal jellemezve, hogy az integrált áramkörök sokasága és legalább egy áramköri lap között az idomrészek külszíni élfelületein keresztül elektromos összeköttetéseket létesítő eszköze van.
  31. 31. A 21-29. igénypontok öármelyíke szerinti berendezés, azzal jellemezve, hogy a szeletelőeszköz (194) olyan szeletelési vonalak mentén szeletel, hogy a kapott integrált áramkörök szeletelési élfelületei mentén külszíni szilíciumhordozó nem keletkezik.
  32. 32. A 21-29. igénypontok bármelyike, vagy a 31. igénypont szerinti berendezés, azzal jellemezve, hogy a félvezető szelet (20) darabolását megelőzően az integrált áramkörök sík felületeit védő szigetelőréteggel ellátó, az élfelületeket pedig epoxi bevonattal ellátó eszköze van.
  33. 33. A 21-32. igénypontok bármelyike szerinti berendezés, azzal jellemezve, hogy egy hőelvezetőhöz (hűtőtönkhöz) csatlakoztatható termikus kontaktust az integrált áramköri eszközök legalább egyik külső sík felületeién kialakító eszköze van.
  34. 34. A 21-33. igénypontok bármelyike szerinti berendezés, azzal jellemezve, hogy az integrált áramköri eszközökben integrális alapréteget (38) megvalósító eszköze van.
  35. 35. A 21-34. igénypontok bármelyike szerinti berendezés, azzal jellemezve, hogy integrált áramköröket hordozó félvezető szeletek (120) egymáson való elrendezésével kialakított összetett szerkezetű integrált áramköri tömbből (100) többrétegű integrált áramköri eszközöket előállító berendezése van.
  36. 36. A 21-35. igénypontok bármelyike szerinti berendezés, azzal jellemezve, hogy az integrált áramköri eszközöket élfelületeik mentén szerelési elemre szerelő berendezése van.
  37. 37. A 21-36. igénypontok bármelyike szerinti berendezés, azzal jellemezve, hogy a védőanyag réteg az EPROM eszközök törlésére használt sugárzás szempontjából átbocsátó (transzparens) réteg.
  38. 38. A 21-37. igénypontok bármelyike szerinti berendezés, azzal jellemezve, hogy az integrált áramköri eszközök elektromos érintkező felületei és az idomrészek élfelületei számára korróziómegelöző védelmet biztosító kezelést végző eszköze van.
  39. 39. Berendezés félvezető eszközök előállítására, amelynek mechanikusan védő és elektromosan szigetelő tokozás belsejében elrendezett félvezető elem előállítására szolgáló berendezése van, ahol a tokozás külszíni élfelületei mentén elektromos érintkező idomrészek külszíni keresztmetszeti élfelületekkel rendelkeznek, azzal jellemezve, hogy a konduktív külszíni keresztmetszeti élfelületek és külső áramkörök között elektromos összeköttetéseket létrehozó berendezése van.
  40. 40. A 39. igénypont szerinti berendezés, azzal jellemezve, hogy a félvezető elem előállítására szolgáló berendezésnek egy félvezető szelet (20) sík felületeit védőanyag rétegekkel ellátó, és a félvezető szeletet (20) integ• ·
    -34rált áramköri tömböknek (10) megfelelően daraboló szeletelőeszköze (194) van.
  41. 41. Integrált áramköri eszköz, azzal jellemezve, hogy az 1-20. igénypontok bármelyike szerinti eljárással van előállítva.
  42. 42. Integrált áramköri eszköz, azzal jellemezve, hogy a 21-40. igénypontok bármelyike szerinti berendezéssel van kialakítva.
  43. 43. Integrált áramköri eszköz, amely elektromosan szigetelő és mechanikus védelmet biztosító anyagból kialakított alsó és felső felületrétegekkel rendelkezik, azzal jellemezve, hogy elektromosan szigetelő élfelületei vannak, amelyek elektromosan vezető idomrészek külszíni élfelület szakaszait foglalják magukban.
  44. 44. A 43. igénypont szerinti integrált áramköri eszköz, azzal jellemezve, hogy egymáson elrendezve egymáshoz kapcsolódó szilícium chipeket foglal magában.
  45. 45. A 44. igénypont szerinti integrált áramköri eszköz, azzal jellemezve, hogy a szilícium chipek az összetett szerkezetű integrált áramköri tömbön (100) belül egymástól kölcsönösen szigetelve vannak.
  46. 46. A 41-45. igénypontok bármelyike szerinti integrált áramköri eszköz, azzal jellemezve, hogy külső felületetén konduktív sávok vannak ki-35- alakítva, amelyek elektromos kapcsolatban vannak a vezető idomrészek külszíni élfelület szakaszaival.
  47. 47. A 46. igénypont szerinti integrált áramköri eszköz, azzal jellemezve, hogy a konduktív sávok az integrált áramköri eszköz élfelületei mentén varrnak kialakítva.
  48. 48. A 47. igénypont szerinti integrált áramköri eszköz, azzal jellemezve, hogy a konduktív sávok átnyúlnak az integrált áramköri eszköz sík felületeire is.
  49. 49. A 41-48, igénypontok bármelyike szerinti integrált áramköri eszköz, azzal jellemezve, hogy a konduktív sávok az integrált áramköri eszköz külső felületén az integrált áramköri tömbök (102) vezető idomrészeinek külszíni élfelület részeit köti össze, és létesít közöttük elektromos kapcsolatot.
  50. 50. A 41-49. igénypontok bármelyike szerinti integrált áramköri eszköz, azzal jellemezve, hogy egymástól kölcsönösen szigetelt szilíciumrészek sokaságát foglalja magában.
  51. 51. A 41-50. igénypontok bármelyike szerinti integrált áramköri eszköz, azzal jellemezve, hogy legalább egy olyan szilicumelemmel rendelkezik, amely mechanikusan és elektromosan is szigetelve van az eszköz külső felületétől.
    • ·
  52. 52. A 41-51. igénypontok bármelyike szerinti integrált áramköri eszköz, azzal jellemezve, hogy sík külső felületén höelvezetőhöz vagy hütőtönkhöz csatlakoztatható, integrálisán kialakított termikus kontaktussal rendelkezik.
  53. 53. A 41-52. igénypontok bármelyike szerinti integrált áramköri eszköz, azzal jellemezve, hogy integrálisán kialakított alaprétege (38) van.
  54. 54. A 41-53. igénypontok bármelyike szerinti integrált áramköri eszköz, azzal jellemezve, hogy a konduktív sávok az eszköz külső felületén vannak kialakítva, és az élfelületek mentén a vezető idomrészek külszíni élfelület szakaszait kötik össze.
HU9500783A 1992-09-14 1992-09-14 Method and apparatus for producing integrated circuit devices, and integrated circuit device HUT73312A (en)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PCT/EP1992/002134 WO1994007267A1 (en) 1992-09-14 1992-09-14 Methods and apparatus for producing integrated circuit devices

Publications (2)

Publication Number Publication Date
HU9500783D0 HU9500783D0 (en) 1995-05-29
HUT73312A true HUT73312A (en) 1996-07-29

Family

ID=8165681

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
HU9500783A HUT73312A (en) 1992-09-14 1992-09-14 Method and apparatus for producing integrated circuit devices, and integrated circuit device

Country Status (23)

Country Link
US (2) US5455455A (hu)
EP (1) EP0660967B1 (hu)
JP (1) JP3621093B2 (hu)
KR (1) KR100310220B1 (hu)
AT (1) ATE200593T1 (hu)
AU (1) AU2554192A (hu)
BG (1) BG99554A (hu)
CA (1) CA2144323C (hu)
DE (1) DE69231785T2 (hu)
DK (1) DK0660967T3 (hu)
EC (1) ECSP930975A (hu)
FI (1) FI951142A (hu)
GT (1) GT199300053A (hu)
HU (1) HUT73312A (hu)
IL (1) IL106710A (hu)
MA (1) MA25277A1 (hu)
MX (1) MX9305603A (hu)
MY (1) MY129454A (hu)
NO (1) NO950960L (hu)
PL (1) PL169823B1 (hu)
PT (1) PT101354A (hu)
WO (1) WO1994007267A1 (hu)
ZA (1) ZA936039B (hu)

Families Citing this family (141)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE69231785T2 (de) * 1992-09-14 2001-11-15 Shellcase Ltd Verfahren zum herstellen integrierte schaltungsanordnungen
IL106892A0 (en) * 1993-09-02 1993-12-28 Pierre Badehi Methods and apparatus for producing integrated circuit devices
IL108359A (en) * 1994-01-17 2001-04-30 Shellcase Ltd Method and device for creating integrated circular devices
US6117707A (en) * 1994-07-13 2000-09-12 Shellcase Ltd. Methods of producing integrated circuit devices
US5851845A (en) * 1995-12-18 1998-12-22 Micron Technology, Inc. Process for packaging a semiconductor die using dicing and testing
US5637916A (en) * 1996-02-02 1997-06-10 National Semiconductor Corporation Carrier based IC packaging arrangement
US5904546A (en) * 1996-02-12 1999-05-18 Micron Technology, Inc. Method and apparatus for dicing semiconductor wafers
US5952725A (en) 1996-02-20 1999-09-14 Micron Technology, Inc. Stacked semiconductor devices
US5682065A (en) 1996-03-12 1997-10-28 Micron Technology, Inc. Hermetic chip and method of manufacture
FR2748350B1 (fr) * 1996-05-06 2000-07-13 Solaic Sa Composant electronique sous forme de circuit integre pour insertion a chaud dans un substrat et procedes pour sa fabrication
US6784023B2 (en) * 1996-05-20 2004-08-31 Micron Technology, Inc. Method of fabrication of stacked semiconductor devices
US5930652A (en) * 1996-05-28 1999-07-27 Motorola, Inc. Semiconductor encapsulation method
WO1997047040A1 (en) * 1996-05-30 1997-12-11 Shellcase Ltd. I.c. device with concealed conductor lines
US6881611B1 (en) * 1996-07-12 2005-04-19 Fujitsu Limited Method and mold for manufacturing semiconductor device, semiconductor device and method for mounting the device
US20010003049A1 (en) * 1996-07-12 2001-06-07 Norio Fukasawa Method and mold for manufacturing semiconductor device, semiconductor device, and method for mounting the device
US5956605A (en) * 1996-09-20 1999-09-21 Micron Technology, Inc. Use of nitrides for flip-chip encapsulation
US6184063B1 (en) * 1996-11-26 2001-02-06 Texas Instruments Incorporated Method and apparatus for breaking and separating a wafer into die using a multi-radii dome
US5953588A (en) * 1996-12-21 1999-09-14 Irvine Sensors Corporation Stackable layers containing encapsulated IC chips
US5903437A (en) * 1997-01-17 1999-05-11 International Business Machines Corporation High density edge mounting of chips
US5818107A (en) * 1997-01-17 1998-10-06 International Business Machines Corporation Chip stacking by edge metallization
US6077757A (en) * 1997-05-15 2000-06-20 Nec Corporation Method of forming chip semiconductor devices
US5863813A (en) * 1997-08-20 1999-01-26 Micron Communications, Inc. Method of processing semiconductive material wafers and method of forming flip chips and semiconductor chips
US6096576A (en) 1997-09-02 2000-08-01 Silicon Light Machines Method of producing an electrical interface to an integrated circuit device having high density I/O count
DE19739684B4 (de) * 1997-09-10 2006-04-13 Robert Bosch Gmbh Verfahren zur Herstellung von Chipstapeln
JP3526731B2 (ja) * 1997-10-08 2004-05-17 沖電気工業株式会社 半導体装置およびその製造方法
KR100273704B1 (ko) * 1997-12-20 2000-12-15 윤종용 반도체기판제조방법
JP3514101B2 (ja) * 1998-01-28 2004-03-31 セイコーエプソン株式会社 半導体装置及びその製造方法並びに電子機器
IL123207A0 (en) * 1998-02-06 1998-09-24 Shellcase Ltd Integrated circuit device
US6008070A (en) 1998-05-21 1999-12-28 Micron Technology, Inc. Wafer level fabrication and assembly of chip scale packages
JP2000012745A (ja) * 1998-06-24 2000-01-14 Nec Corp 半導体パッケージおよびその製造方法
US6303986B1 (en) 1998-07-29 2001-10-16 Silicon Light Machines Method of and apparatus for sealing an hermetic lid to a semiconductor die
US6903451B1 (en) 1998-08-28 2005-06-07 Samsung Electronics Co., Ltd. Chip scale packages manufactured at wafer level
KR100269540B1 (ko) * 1998-08-28 2000-10-16 윤종용 웨이퍼 상태에서의 칩 스케일 패키지 제조 방법
US6339251B2 (en) 1998-11-10 2002-01-15 Samsung Electronics Co., Ltd Wafer grooves for reducing semiconductor wafer warping
US6483736B2 (en) 1998-11-16 2002-11-19 Matrix Semiconductor, Inc. Vertically stacked field programmable nonvolatile memory and method of fabrication
US6227941B1 (en) * 1998-11-17 2001-05-08 Advanced Micro Devices, Inc. Support structure with multi-layer support material for use during package removal from a multi-layer integrated circuit device
FR2788375B1 (fr) 1999-01-11 2003-07-18 Gemplus Card Int Procede de protection de puce de circuit integre
JP3556503B2 (ja) * 1999-01-20 2004-08-18 沖電気工業株式会社 樹脂封止型半導体装置の製造方法
US6182342B1 (en) 1999-04-02 2001-02-06 Andersen Laboratories, Inc. Method of encapsulating a saw device
US6544880B1 (en) 1999-06-14 2003-04-08 Micron Technology, Inc. Method of improving copper interconnects of semiconductor devices for bonding
US6168965B1 (en) 1999-08-12 2001-01-02 Tower Semiconductor Ltd. Method for making backside illuminated image sensor
JP2001094005A (ja) * 1999-09-22 2001-04-06 Oki Electric Ind Co Ltd 半導体装置及び半導体装置の製造方法
IL133453A0 (en) * 1999-12-10 2001-04-30 Shellcase Ltd Methods for producing packaged integrated circuit devices and packaged integrated circuit devices produced thereby
US6452265B1 (en) 2000-01-28 2002-09-17 International Business Machines Corporation Multi-chip module utilizing a nonconductive material surrounding the chips that has a similar coefficient of thermal expansion
CN100521257C (zh) * 2000-02-15 2009-07-29 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司 发射辐射半导体器件及其制造方法
DE10006738C2 (de) * 2000-02-15 2002-01-17 Osram Opto Semiconductors Gmbh Lichtemittierendes Bauelement mit verbesserter Lichtauskopplung und Verfahren zu seiner Herstellung
SG106050A1 (en) * 2000-03-13 2004-09-30 Megic Corp Method of manufacture and identification of semiconductor chip marked for identification with internal marking indicia and protection thereof by non-black layer and device produced thereby
JP4403631B2 (ja) * 2000-04-24 2010-01-27 ソニー株式会社 チップ状電子部品の製造方法、並びにその製造に用いる擬似ウエーハの製造方法
JP2001313350A (ja) * 2000-04-28 2001-11-09 Sony Corp チップ状電子部品及びその製造方法、並びにその製造に用いる疑似ウエーハ及びその製造方法
JP3631956B2 (ja) 2000-05-12 2005-03-23 富士通株式会社 半導体チップの実装方法
DE20111659U1 (de) * 2000-05-23 2001-12-13 Osram Opto Semiconductors Gmbh Bauelement für die Optoelektronik
US6875640B1 (en) * 2000-06-08 2005-04-05 Micron Technology, Inc. Stereolithographic methods for forming a protective layer on a semiconductor device substrate and substrates including protective layers so formed
JP2002043251A (ja) * 2000-07-25 2002-02-08 Fujitsu Ltd 半導体装置の製造方法及び半導体装置
EP2323164B1 (en) 2000-08-14 2015-11-25 SanDisk 3D LLC Multilevel memory array and method for making same
EP1356718A4 (en) * 2000-12-21 2009-12-02 Tessera Tech Hungary Kft PACKAGED INTEGRATED CIRCUITS AND METHOD FOR THE PRODUCTION THEREOF
US20020117753A1 (en) * 2001-02-23 2002-08-29 Lee Michael G. Three dimensional packaging
US6897514B2 (en) 2001-03-28 2005-05-24 Matrix Semiconductor, Inc. Two mask floating gate EEPROM and method of making
US7498196B2 (en) 2001-03-30 2009-03-03 Megica Corporation Structure and manufacturing method of chip scale package
US6707591B2 (en) 2001-04-10 2004-03-16 Silicon Light Machines Angled illumination for a single order light modulator based projection system
US6747781B2 (en) 2001-06-25 2004-06-08 Silicon Light Machines, Inc. Method, apparatus, and diffuser for reducing laser speckle
US6782205B2 (en) 2001-06-25 2004-08-24 Silicon Light Machines Method and apparatus for dynamic equalization in wavelength division multiplexing
US6525953B1 (en) 2001-08-13 2003-02-25 Matrix Semiconductor, Inc. Vertically-stacked, field-programmable, nonvolatile memory and method of fabrication
US6841813B2 (en) 2001-08-13 2005-01-11 Matrix Semiconductor, Inc. TFT mask ROM and method for making same
US6829092B2 (en) 2001-08-15 2004-12-07 Silicon Light Machines, Inc. Blazed grating light valve
US6930364B2 (en) * 2001-09-13 2005-08-16 Silicon Light Machines Corporation Microelectronic mechanical system and methods
US6797537B2 (en) * 2001-10-30 2004-09-28 Irvine Sensors Corporation Method of making stackable layers containing encapsulated integrated circuit chips with one or more overlaying interconnect layers
DE10164800B4 (de) 2001-11-02 2005-03-31 Infineon Technologies Ag Verfahren zur Herstellung eines elektronischen Bauelements mit mehreren übereinander gestapelten und miteinander kontaktierten Chips
DE10153609C2 (de) * 2001-11-02 2003-10-16 Infineon Technologies Ag Verfahren zur Herstellung eines elektronischen Bauelements mit mehreren übereinander gestapelten und miteinander kontaktierten Chips
US6800238B1 (en) 2002-01-15 2004-10-05 Silicon Light Machines, Inc. Method for domain patterning in low coercive field ferroelectrics
US7169685B2 (en) 2002-02-25 2007-01-30 Micron Technology, Inc. Wafer back side coating to balance stress from passivation layer on front of wafer and be used as die attach adhesive
US7787939B2 (en) 2002-03-18 2010-08-31 Sterling Lc Miniaturized imaging device including utility aperture and SSID
US20060146172A1 (en) * 2002-03-18 2006-07-06 Jacobsen Stephen C Miniaturized utility device having integrated optical capabilities
US8614768B2 (en) 2002-03-18 2013-12-24 Raytheon Company Miniaturized imaging device including GRIN lens optically coupled to SSID
US7591780B2 (en) * 2002-03-18 2009-09-22 Sterling Lc Miniaturized imaging device with integrated circuit connector system
US7152291B2 (en) 2002-04-15 2006-12-26 Avx Corporation Method for forming plated terminations
KR20050007459A (ko) * 2002-04-16 2005-01-18 엑스룸 포토닉스 리미티드 통합 커넥터를 구비한 전자 광학 회로 및 그 제조 방법
US20040021214A1 (en) * 2002-04-16 2004-02-05 Avner Badehi Electro-optic integrated circuits with connectors and methods for the production thereof
US7112874B2 (en) * 2002-05-20 2006-09-26 Imagerlabs, Inc. Forming a multi segment integrated circuit with isolated substrates
US6767751B2 (en) 2002-05-28 2004-07-27 Silicon Light Machines, Inc. Integrated driver process flow
US6728023B1 (en) 2002-05-28 2004-04-27 Silicon Light Machines Optical device arrays with optimized image resolution
US6822797B1 (en) 2002-05-31 2004-11-23 Silicon Light Machines, Inc. Light modulator structure for producing high-contrast operation using zero-order light
US6829258B1 (en) 2002-06-26 2004-12-07 Silicon Light Machines, Inc. Rapidly tunable external cavity laser
US6813059B2 (en) 2002-06-28 2004-11-02 Silicon Light Machines, Inc. Reduced formation of asperities in contact micro-structures
US6801354B1 (en) 2002-08-20 2004-10-05 Silicon Light Machines, Inc. 2-D diffraction grating for substantially eliminating polarization dependent losses
US6712480B1 (en) 2002-09-27 2004-03-30 Silicon Light Machines Controlled curvature of stressed micro-structures
US7033664B2 (en) 2002-10-22 2006-04-25 Tessera Technologies Hungary Kft Methods for producing packaged integrated circuit devices and packaged integrated circuit devices produced thereby
US7265045B2 (en) 2002-10-24 2007-09-04 Megica Corporation Method for fabricating thermal compliant semiconductor chip wiring structure for chip scale packaging
US6829077B1 (en) 2003-02-28 2004-12-07 Silicon Light Machines, Inc. Diffractive light modulator with dynamically rotatable diffraction plane
US6806997B1 (en) 2003-02-28 2004-10-19 Silicon Light Machines, Inc. Patterned diffractive light modulator ribbon for PDL reduction
DE10342980B3 (de) * 2003-09-17 2005-01-05 Disco Hi-Tec Europe Gmbh Verfahren zur Bildung von Chip-Stapeln
US20050064679A1 (en) * 2003-09-19 2005-03-24 Farnworth Warren M. Consolidatable composite materials, articles of manufacture formed therefrom, and fabrication methods
US20050064683A1 (en) * 2003-09-19 2005-03-24 Farnworth Warren M. Method and apparatus for supporting wafers for die singulation and subsequent handling
US7713841B2 (en) * 2003-09-19 2010-05-11 Micron Technology, Inc. Methods for thinning semiconductor substrates that employ support structures formed on the substrates
EP1676160A4 (en) 2003-10-15 2008-04-09 Xloom Photonics Ltd ELECTRO-OPTICAL CIRCUITRY HAVING AN INTEGRATED CONNECTOR AND METHODS OF PRODUCING THE SAME
TWI233170B (en) * 2004-02-05 2005-05-21 United Microelectronics Corp Ultra-thin wafer level stack packaging method and structure using thereof
DE102004009742B4 (de) * 2004-02-25 2010-03-04 Infineon Technologies Ag Verfahren zum Herstellen rückseitenbeschichteter Halbleiterchips
US7244665B2 (en) * 2004-04-29 2007-07-17 Micron Technology, Inc. Wafer edge ring structures and methods of formation
US7547978B2 (en) * 2004-06-14 2009-06-16 Micron Technology, Inc. Underfill and encapsulation of semiconductor assemblies with materials having differing properties
US7235431B2 (en) 2004-09-02 2007-06-26 Micron Technology, Inc. Methods for packaging a plurality of semiconductor dice using a flowable dielectric material
US20060138626A1 (en) * 2004-12-29 2006-06-29 Tessera, Inc. Microelectronic packages using a ceramic substrate having a window and a conductive surface region
US7566853B2 (en) * 2005-08-12 2009-07-28 Tessera, Inc. Image sensor employing a plurality of photodetector arrays and/or rear-illuminated architecture
TWI303870B (en) * 2005-12-30 2008-12-01 Advanced Semiconductor Eng Structure and mtehod for packaging a chip
FR2905198B1 (fr) * 2006-08-22 2008-10-17 3D Plus Sa Sa Procede de fabrication collective de modules electroniques 3d
US7807508B2 (en) * 2006-10-31 2010-10-05 Tessera Technologies Hungary Kft. Wafer-level fabrication of lidded chips with electrodeposited dielectric coating
US7935568B2 (en) * 2006-10-31 2011-05-03 Tessera Technologies Ireland Limited Wafer-level fabrication of lidded chips with electrodeposited dielectric coating
TW200842998A (en) * 2007-04-18 2008-11-01 Siliconware Precision Industries Co Ltd Semiconductor device and manufacturing method thereof
TWI331371B (en) * 2007-04-19 2010-10-01 Siliconware Precision Industries Co Ltd Semiconductor device and manufacturing method thereof
US7835074B2 (en) 2007-06-05 2010-11-16 Sterling Lc Mini-scope for multi-directional imaging
US7923298B2 (en) * 2007-09-07 2011-04-12 Micron Technology, Inc. Imager die package and methods of packaging an imager die on a temporary carrier
US20090093137A1 (en) * 2007-10-08 2009-04-09 Xloom Communications, (Israel) Ltd. Optical communications module
US7969659B2 (en) 2008-01-11 2011-06-28 Sterling Lc Grin lens microscope system
US7952834B2 (en) * 2008-02-22 2011-05-31 Seagate Technology Llc Flex circuit assembly with thermal energy dissipation
CN102137616B (zh) 2008-06-18 2014-09-10 雷神公司 确定焦距的透明内窥镜头
WO2010014792A2 (en) 2008-07-30 2010-02-04 Sterling Lc Method and device for incremental wavelength variation to analyze tissue
US9060704B2 (en) 2008-11-04 2015-06-23 Sarcos Lc Method and device for wavelength shifted imaging
US9082438B2 (en) 2008-12-02 2015-07-14 Panasonic Corporation Three-dimensional structure for wiring formation
EP2207200A1 (en) * 2008-12-24 2010-07-14 Nxp B.V. Stack of molded integrated circuit dies with side surface contact tracks
EP2202789A1 (en) * 2008-12-24 2010-06-30 Nxp B.V. Stack of molded integrated circuit dies with side surface contact tracks
US9070393B2 (en) 2009-01-27 2015-06-30 Panasonic Corporation Three-dimensional structure in which wiring is provided on its surface
KR20130091794A (ko) 2009-01-27 2013-08-19 파나소닉 주식회사 반도체 칩의 실장 방법, 그 방법을 이용하여 얻어진 반도체 장치 및 반도체 칩의 접속 방법, 및, 표면에 배선이 설치된 입체 구조물 및 그 제법
US8569877B2 (en) * 2009-03-12 2013-10-29 Utac Thai Limited Metallic solderability preservation coating on metal part of semiconductor package to prevent oxide
US8232140B2 (en) * 2009-03-27 2012-07-31 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Method for ultra thin wafer handling and processing
US8717428B2 (en) 2009-10-01 2014-05-06 Raytheon Company Light diffusion apparatus
US9661996B2 (en) 2009-10-01 2017-05-30 Sarcos Lc Needle delivered imaging device
US9144664B2 (en) 2009-10-01 2015-09-29 Sarcos Lc Method and apparatus for manipulating movement of a micro-catheter
WO2011045836A1 (ja) 2009-10-14 2011-04-21 国立大学法人東北大学 センサ装置およびセンサ装置の製造方法
US8828028B2 (en) 2009-11-03 2014-09-09 Raytheon Company Suture device and method for closing a planar opening
DE102010009015A1 (de) * 2010-02-24 2011-08-25 OSRAM Opto Semiconductors GmbH, 93055 Verfahren zum Herstellen einer Mehrzahl von optoelektronischen Halbleiterchips
WO2011110900A1 (en) * 2010-03-12 2011-09-15 Nxp B.V. Stack of molded integrated circuit dies with side surface contact tracks
US8669777B2 (en) 2010-10-27 2014-03-11 Seagate Technology Llc Assessing connection joint coverage between a device and a printed circuit board
JP6022792B2 (ja) 2012-03-30 2016-11-09 国立大学法人東北大学 集積化デバイス及び集積化デバイスの製造方法
US9299640B2 (en) 2013-07-16 2016-03-29 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Front-to-back bonding with through-substrate via (TSV)
US9929050B2 (en) 2013-07-16 2018-03-27 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Mechanisms for forming three-dimensional integrated circuit (3DIC) stacking structure
US8860229B1 (en) * 2013-07-16 2014-10-14 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Hybrid bonding with through substrate via (TSV)
US9087821B2 (en) 2013-07-16 2015-07-21 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Hybrid bonding with through substrate via (TSV)
US10242934B1 (en) 2014-05-07 2019-03-26 Utac Headquarters Pte Ltd. Semiconductor package with full plating on contact side surfaces and methods thereof
TWI657510B (zh) * 2014-10-02 2019-04-21 日商住友電木股份有限公司 半導體裝置之製造方法及半導體裝置
KR101712396B1 (ko) 2014-12-30 2017-03-13 주식회사 유림기계 목재 파쇄기용 파쇄유닛의 칼날 고정장치
US10269686B1 (en) 2015-05-27 2019-04-23 UTAC Headquarters PTE, LTD. Method of improving adhesion between molding compounds and an apparatus thereof
CN106469689B (zh) * 2015-08-21 2019-10-11 安世有限公司 电子元件及其形成方法
KR20180090494A (ko) 2017-02-03 2018-08-13 삼성전자주식회사 기판 구조체 제조 방법

Family Cites Families (29)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2507956A (en) * 1947-11-01 1950-05-16 Lithographic Technical Foundat Process of coating aluminum
NL81501C (hu) * 1952-04-03
US2796370A (en) * 1955-03-04 1957-06-18 Charles W Ostrander Composition and method for producing corrosion resistant protective coating on aluminum and aluminum alloys
DE1591105A1 (de) * 1967-12-06 1970-09-24 Itt Ind Gmbh Deutsche Verfahren zum Herstellen von Festkoerperschaltungen
US3644801A (en) * 1971-01-21 1972-02-22 Gary S Sheldon Semiconductor passivating process and product
SE415902B (sv) * 1979-02-13 1980-11-10 Gkn Stenman Ab Cylinderlas
JPS5784135A (en) * 1980-11-14 1982-05-26 Toshiba Corp Manufacture of semiconductor element
JPS61500393A (ja) * 1983-11-07 1986-03-06 ア−ビン・センサ−ズ・コ−ポレ−シヨン 光・検出器アレイモジュール及びその製造方法
GB8519373D0 (en) * 1985-08-01 1985-09-04 Unilever Plc Encapsulation of fet transducers
IT1186165B (it) * 1985-12-20 1987-11-18 Sgs Microelettronica Spa Dispositivo a semiconduttore di tipo eprom cancellabile con raggi ultravioletti e suo processo di fabbricazione
US4900695A (en) * 1986-12-17 1990-02-13 Hitachi, Ltd. Semiconductor integrated circuit device and process for producing the same
US4862249A (en) * 1987-04-17 1989-08-29 Xoc Devices, Inc. Packaging system for stacking integrated circuits
US4794092A (en) * 1987-11-18 1988-12-27 Grumman Aerospace Corporation Single wafer moated process
US4784721A (en) * 1988-02-22 1988-11-15 Honeywell Inc. Integrated thin-film diaphragm; backside etch
US4962249A (en) * 1988-06-23 1990-10-09 Mobil Oil Corporation High VI lubricants from lower alkene oligomers
JPH0217644A (ja) * 1988-07-06 1990-01-22 Hitachi Ltd 集積回路
US4933898A (en) * 1989-01-12 1990-06-12 General Instrument Corporation Secure integrated circuit chip with conductive shield
JP2829015B2 (ja) * 1989-01-19 1998-11-25 株式会社東芝 半導体素子の加工方法
US4984358A (en) * 1989-03-10 1991-01-15 Microelectronics And Computer Technology Corporation Method of assembling stacks of integrated circuit dies
FR2645681B1 (fr) * 1989-04-07 1994-04-08 Thomson Csf Dispositif d'interconnexion verticale de pastilles de circuits integres et son procede de fabrication
US5104820A (en) * 1989-07-07 1992-04-14 Irvine Sensors Corporation Method of fabricating electronic circuitry unit containing stacked IC layers having lead rerouting
US5147815A (en) * 1990-05-14 1992-09-15 Motorola, Inc. Method for fabricating a multichip semiconductor device having two interdigitated leadframes
JPH07120646B2 (ja) * 1990-05-16 1995-12-20 株式会社東芝 メサ型半導体ペレットの製造方法
US5126286A (en) * 1990-10-05 1992-06-30 Micron Technology, Inc. Method of manufacturing edge connected semiconductor die
FR2670323B1 (fr) * 1990-12-11 1997-12-12 Thomson Csf Procede et dispositif d'interconnexion de circuits integres en trois dimensions.
US5292686A (en) * 1991-08-21 1994-03-08 Triquint Semiconductor, Inc. Method of forming substrate vias in a GaAs wafer
US5266833A (en) * 1992-03-30 1993-11-30 Capps David F Integrated circuit bus structure
DE69231785T2 (de) * 1992-09-14 2001-11-15 Shellcase Ltd Verfahren zum herstellen integrierte schaltungsanordnungen
US5376235A (en) * 1993-07-15 1994-12-27 Micron Semiconductor, Inc. Method to eliminate corrosion in conductive elements

Also Published As

Publication number Publication date
DE69231785T2 (de) 2001-11-15
PT101354A (pt) 1994-07-29
GT199300053A (es) 1995-03-03
JP3621093B2 (ja) 2005-02-16
DE69231785D1 (de) 2001-05-17
IL106710A0 (en) 1993-12-08
EP0660967A1 (en) 1995-07-05
NO950960D0 (no) 1995-03-13
ATE200593T1 (de) 2001-04-15
DK0660967T3 (da) 2001-08-13
EP0660967B1 (en) 2001-04-11
IL106710A (en) 1997-01-10
ECSP930975A (es) 1994-04-20
KR100310220B1 (ko) 2001-12-17
WO1994007267A1 (en) 1994-03-31
BG99554A (en) 1996-03-29
FI951142A (fi) 1995-05-10
FI951142A0 (fi) 1995-03-10
ZA936039B (en) 1994-03-10
MX9305603A (es) 1994-05-31
MA25277A1 (fr) 2001-12-31
HU9500783D0 (en) 1995-05-29
NO950960L (no) 1995-05-10
US5455455A (en) 1995-10-03
PL169823B1 (pl) 1996-09-30
MY129454A (en) 2007-04-30
CA2144323C (en) 2005-06-28
US5547906A (en) 1996-08-20
AU2554192A (en) 1994-04-12
CA2144323A1 (en) 1994-03-31
JPH08503813A (ja) 1996-04-23
PL308140A1 (en) 1995-07-24

Similar Documents

Publication Publication Date Title
HUT73312A (en) Method and apparatus for producing integrated circuit devices, and integrated circuit device
US6117707A (en) Methods of producing integrated circuit devices
US6040235A (en) Methods and apparatus for producing integrated circuit devices
US5289346A (en) Peripheral to area adapter with protective bumper for an integrated circuit chip
US5825084A (en) Single-core two-side substrate with u-strip and co-planar signal traces, and power and ground planes through split-wrap-around (SWA) or split-via-connections (SVC) for packaging IC devices
EP0120500B1 (en) High density lsi package for logic circuits
US5025306A (en) Assembly of semiconductor chips
US5379191A (en) Compact adapter package providing peripheral to area translation for an integrated circuit chip
US6586274B2 (en) Semiconductor device, substrate for a semiconductor device, method of manufacture thereof, and electronic instrument
US6057601A (en) Heat spreader with a placement recess and bottom saw-teeth for connection to ground planes on a thin two-sided single-core BGA substrate
US6413798B2 (en) Package having very thin semiconductor chip, multichip module assembled by the package, and method for manufacturing the same
US5804004A (en) Stacked devices for multichip modules
US5424920A (en) Non-conductive end layer for integrated stack of IC chips
US5640760A (en) Method for the 3D interconnection of packages of electronic components using printed circuit boards
US5885850A (en) Method for the 3D interconnection of packages of electronic components, and device obtained by this method
US20030062541A1 (en) High-frequency chip packages
EP0183722A1 (en) SEMICONDUCTOR MODULE ASSEMBLY HIGH DENSITY.
US5138439A (en) Semiconductor device
KR20040097899A (ko) 반도체 장치의 제조 방법
EP0354708A2 (en) General three dimensional packaging
US5768770A (en) Electronic packaging shaped beam lead fabrication
JP2707996B2 (ja) 混成集積回路装置およびその製造方法
JPH01175248A (ja) 半導体チップ

Legal Events

Date Code Title Description
DFD9 Temporary protection cancelled due to non-payment of fee