FR2483686A1 - Procede de fabrication d'une batterie solaire - Google Patents

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Abstract

PROCEDE DE FABRICATION D'UNE BATTERIE SOLAIRE, CARACTERISE EN CE QU'IL CONSISTE A: DECOUPER UNE ELECTRODE TRANSPARENTE SUR UN SUBSTRAT TRANSPARENT 32 EN UTILISANT UN LASER AYANT UNE ENERGIE SUFFISANTE POUR FORMER UNE PLURALITE DE BANDES D'ELECTRODE TRANSPARENTES 34; REALISER UNE REGION ACTIVE 43 D'UN MATERIAU SEMI-CONDUCTEUR SUR LEDIT SUBSTRAT ET LESDITES BANDES D'ELECTRODES TRANSPARENTES; DECOUPER LADITE REGION ACTIVE EN UTILISANT UN LASER PARALLELE ET ADJACENT AU PREMIER LASER DE FACON A REALISER UN TRACE AU TRAVERS DE LADITE REGION ACTIVE EN VUE DE FORMER DES BANDES DE REGION ACTIVE SANS FORMER D'ELECTRODE TRANSPARENTE ET INTERCONNECTER LESDITES BANDES DE REGION ACTIVE, EN SERIE AVEC UNE ELECTRODE POSTERIEURE.

Description

La présente invention concerne des batteries solaires. De
façon plus spécifique, cette invention concerne un procédé de fa-
brication de cellules solaires connectées en série et de cellules
solaires à jonction tandem connectées en série.
On sait que des dispositifs photovoltaïques, c'est-à-dire
des cellules solaires, sont capables de transformer le rayonne-
ment solaire en énergie électrique utilisable. Cette transforma-
tion d'énergie résulte de l'effet photovoltalque bien connu dans le domaine des cellules solaires. Le rayonnement solaire qui
frappe une cellule solaire et qui est adsorbé par une région ac-
tive d'un matériau semi- conducteur engendre des électrons et des lacunes. Ces électrons et lacunes sont séparés par un champ électrique interne, par exemple une jonction redresseuse, dans la cellule solaire. De cette séparation des électrons et des lacunes sur le champ électrique interne résultentla phototension et le
photocourant de la cellule.
Lorsqu'augmente l'aire de la cellule solaire, la résistance
série de l'électrode incidente au rayonnement solaire de la cel-
lule augmente également et ceci se traduit par l'obligation de
prévoir des électrodes de grille plus importantes et plus compli-
quées pour extraire le courant engendré pendant l'illumination
de la cellule solaire par la lumière du soleil. Le fait de fabri-
quer des cellules solaires en longues bandes étroites et de rac-
corder en série les bandes permet d'éliminer la nécessité de pré-
voir des configurations de grille compliquées. Cependant, jusqu'à présent, la fabrication de minces bandes de cellules solaires connectées en série, ou de cellules solaires à jonction tandem connectées en série nécessitait l'application de techniques de
décapage chimique et des techniques photolithographiques. L'uti-
lisation de ces techniques provoquent souvent la formation de tête d'épingle (retassures) dans les matériaux semi-conducteurs ce qui entraîne un raccourcissement et un endommagement de tout ou partie de la cellule solaire. En outre, la technique de la photolithographie n'est pas facilement adaptable à un traitement continu sur une grande échelle et elle se traduit par une forte
augmentation du prix de fabrication des cellules solaires connec-
tées en série. Par conséquent, il est hautement désirable de
disposer d'un procédé de fabrication de cellules solaires connec-
tées en série ou de cellules solaires à jonction tandem connec-
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tées en série ne comportant pas de nombreuses étapes de traite-
ment liquide. C'est là précisément le but de la présente inven-
tion. L'invention est relative à un procédé de fabrication d'une batterie solaire connectée en série et d'une batteris solaire a jonction tandem, connectée en série, utilisant la technique du traçage ou découpage au laser. Ce procédé met en oeuvre, entre autre, le découpage au laser d'un oxyde conducteur transparent déposé sur un substrat transparent en bandes. Ensuite le matériau semi-conducteur est déposé sur le substrat transparent et sur les bandes d'oxyde conducteur transparent. L'oxyde conducteur
transparent constitue le contact supérieur du dispositif. Ce dis-
positif subit ensuite un découpage au laser afin de diviser en
bandes le matériau semi-conducteur sans affecter l'oxyde trans-
parent conducteur. Les bandes sont parallèles et adjacentes aux bandes de découpage précédemment formées au laser. Ensuite, un contact métallique postérieur est appliqué sur les bandes d'oxyde
conducteur transparent et de matériau semi-conducteur et on ef-
fectue finalement un traçage au laser ou un découpage parallèle et adjacent aux deux découpages au laser effectués précédemment (mais écartés de ceux-ci) afin d'obtenir un dispositif qui est connecté en série. Des panneaux individuels de cellules solaires connectées en série et de cellules solaires à jonction tandem peuvent être reliés en parallèle de façon à obtenir toute tension et courant désirés. Les matériaux semi-conducteurs, les oxydes conducteurs transparents et les électrodes postérieures utilisées lors de la fabrication de la batterie solaire doivent dtre choisis
de façon qu'un laser unique soit nécessaire pour effectuer le dé-
coupage de chaque couche successive avec une énergie décroissante
ou que des lasers de différentes longueurs d'onde soient néces-
saires pour réaliser le découpage d'une couche sans affecter les autres couches. En variante, par exemple, on peut utiliser des
impulsions de laser très courtes de l'ordre de 10 à 20 nanose-
condes et des fréquences d'impulsions importantes de l'ordre de
0,2 à 5 MHz pour effectuer le découpage d'une couche sans affec-
ter les autres couches.
D'autres caractéristiques et avantages de cette invention
ressortiront de la description faite ci-après en référence aux
dessins annexés qui en illustrent divers exemples de réalisation
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dépourvus de tout caractère limitatif. Sur les dessins:
- la figure 1 illustre, en section droite, une batterie so-
laire au silicium amorphe hydrogéné à jonction tandem, fabriqué
selon la présente invention à partir d'une pluralité de cellu-
les solaires à jonction tandem; - les figures 2a à 2f illustrent le procédé de fabrication d'une série de cellules solaires interconnectées, selon un mode de mise en oeuvre du procédé selon cette invention, et - les figures 3a et 3b illustrent une variante de l'invention, prévue pour interconnecter des cellules solaires après les
étapes illustrées aux figures 2a à 2e.
On se réfère en premier lieu à la figure 1 qui illustre une section droite d'une batterie solaire à jonction tandem fabriquée à partir d'une pluralité de cellules solaires à jonction tandem interconnectées. La batterie solaire à jonction tandem 10 comporte une série de cellules solaires à jonction tandem 20, 21 et 22, connectées en série sur un substrat 32. Par exemple, les cellules solaires sont fabriquées à l'aide des matériaux décrits dans le brevet américain n 4 064 521, et dans les demandes de brevet
américain n0 70 513, déposée le 28 Août 1979 et n0 109 637, dé-
posée le 4 Janvier 1980. En variante, le silicium amorphe peut 9tre fabriqué avec des modificateurs en addition à l'hydrogène et on peut utiliser des silanes tels que les halogènes, du silicium vaporisé ou ayant subit une pulvérisation cathodique ou d'autres matériaux semiconducteurs, tels que OdS, CdSe, CdTe, Cu2S et similaires.
Chaque cellule solaire à jonction tandem 20, 21 et 22 com-
prend une bande d'oxyde conducteur transparent 34, en tant que
électrode incidente et deux ou plus couches actives 38 et 42 de-
matériau semi-conducteur9 séparées par une jonction tunnel 40.
Les couches actives possèdent des régions 38a, 58b et 38c et 42a, 42b et 42c de types de conductivité différents. La ou les couches
semi-conductrices et les jonctions tunnel seront désignées ci-
après collectivement par le terme "région active" 43. Cette ré-
gion active 43 comporte une jonction redresseuse soit à l'inté-
rieur de la région, c'est-à-dire une jonction PN, soit à sa sur-
face, c'est-à-dire une barrière de Schottky. La région active 43
peut être une couche d'un matériau semi-conducteur ou une plura-
lité de couches semi-conductrices comme décrit ci-dessus. Les cellules solaires à jonction tandem sont inter-connectées avec
une électrode postérieure 44 et ureconnexion série 46.
Le découpage ou traçage au laser est utilisé pour fabriquer des bandes à partir du conducteur transparent 34 et les couches semi-conductrices 38 et 40. Les bandes d'oxyde conducteur trans-
parent sont parallèles et adjacentes aux bandes de matériau semi-
conducteur. La technique de découpage au laser permet également de réaliser les structures solaires qui comportent des bandes
d'une seule région active de matériau semi-conducteur 38, connec-
tées en série. L'électrode incidente transparente, le matériau semiconducteur et le matériau constituant l'électrode postérieure ou de dos, doivent être choisis de façon qu'un laser de longueur d'onde unique mais de puissance variable, décroissant à partir de la puissance nécessaire au découpage de l'électrode incidente,
puisse découper les dispositifs. En variante, les matériaux peu-
vent être choisis de façon qu'un laser émettant de la lumière à une fréquence puisse tracer ou découper un matériau, par exemple, du siliciumramorphe, mais non un autre matériau tel que l'oxyde
transparent conducteur.
Après cette description de la structure d'une cellule solaire
terminée 10, on se reportera aux figures 2a à 2f qui illustrent la technique de fabrication. Le procédé mis en oeuvre dans cet
exemple se réfère à la fabrication d'une batterie solaire au sili.-
cium amorphe hydrogéné.
La figure 2a représente un substrat 32 constitué par exemple
de verre, de matière plastique et similaire. La figure 2b repré-
sente le substrat 32 recouvert d'un oxyde transparent conducteur 54, en tant qu'électrode incidente, constitué d'un matériau tel
que l'oxyde d'étain et d'indium, l'oxyde d'étain et similaire.
L'oxyde transparent conducteur est déposé par vaporisation ou par pulvérisation cathodique ou tout autre procédé bien connu des techniciens. En variante, le substrat de verre 32, recouvert d'un
matériau d'électrode transparent tel que l'oxyde d'étain et a in-
dium est disponible dans le commerce. Le matériau d'électrode transparent et conducteur 34 doit présenter une épaisseur de l'ordre de 6,5 nanomètres et une résistivité de couche inférieure à environ 150 ohms par carré, de préférence inférieure à environ
100.a par carré.
En se référant à la figure 2c, on voit que le substrat 32 qui comporte la couche 34 d'oxyde conducteur transparent est découpé en bandes n l'aide d'un laser. Le laser peut être de tout type capable de découper l'oxyde transparent conducteur. On oeut utiliser par exemple un laser YAG au neodyne excité en continu, rayonnant à 1,06 /um et commandé selon un mode de commutation Q. avec une puissance moyenne de l'ordre de 4,5 watts, une fréquence d'impulsion de l'ordre de 56 K Hz et une vitesse de découpage
d'environ 20 cm/seconde.
Ensuite, comme illustré par la figure 2d, la région active 43 est déposée sur les bandes d'électrode incidente. Le substrat 32 comprenant la couche 34 d'oxyde transparent conducteur et la région semi-conductrice active 43 est encore découpée au laser, parallèlement et de façon adjacente au découpage précédent Jusqu'à l'électrode transparente, comme représenté sur la figure 2a. Par exemple, un laser YAG au neodyme à excitation continue, rayonnant à 1,06/um et fonctionnant avec une fréquence d'impulsion
de 36 KHz, une vitesse de découpage de 20 cm/seconde et une puis-
sance réglée à 1,7 watts est suffisant pour découper d' silicium
amorphe hydrogéné et un cermet jusqu'aux bandes d'oxyde transpa-
rent conducteur 34 mais sans passer au travers de celles-ci.
Comme représenté sur la figure 2f, un matériau d'électrode
postérieure, constitué de titane, d'aluminium, d'indium ou simi-
laire est évaporé angulairement sur les bandes de la cellule so-
laire par exemple selon un angle de l'ordre de 30 à 450 par rapport à une perpendiculaire au substrat 32, de telle façon que le matériau forme des bandes 46 qui interconnectent en série les
cellules individuelles. Enfin, des contacts 50 et 52 sont connec-
tés à la structure de batterie solaire par tout procédé connu.
En variante, le matériau de l'électrode postérieure peut être vaporisé, pulvérisé cathodiquement ou déposé par tout procédé connu, sur toute la partie postérieure des bandes de matériau semi-conducteur, comme représenté sur la figure 3a et ensuite ce matériau est découpé au laser, parallèlement au découpage au laser ayant formé la rainure.illustrée à la figure 2e. La rainure est adjacente à la rainure représentée sur la figure 3b. Un découpage au laser YAG au neodyme, à excitation continue, effectué à l'aide d'une fréquence d'impulsion similaire et une vitesse identique, mais avec une puissance de l'ordre de 1,5 w, est suffisant pour tracer le contact électrique postérieur en formant une rainure
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nais sans découper les couches de semi-conducteur ou d'oxyde
conducteur transparent. Cette technique de zabricetion est appli-
cable aux matériaux semi-conducteurs dans lesquels la résistivité
superficielle latérale est suffisamment élevée par exemple supé-
rieure à 1010-<Lpar carré, pour que le contact électrique nos- térieur, appliqué sur les deux parois des bandes semi-conductrices
adjacentes ne sorte pas des cellules. On peut utiliser à cet ef-
fet du silicium amorphe hydrogéné, des cermets et similaires. Si le semiconducteur ou d'autres matériaux utilisés pour former la région active, présentent une faible résistivité superficielle
latérale, il convient alors de protéger le bord de la région ac-
tive à l'aide d'un matériau dielectrique approprié, avant de con-
necter les bandes en série.
Cette invention sera maintenant décrite par les exemples non limitatifs suivants. Il demeure bien entendu que toute variante
est à la portée de l'homme de l'art.
:EX EP LE 1
Un substrat de verre ayant des dimensions de 7,6 x 7,6 cm,
recouvert d'une couche d'oxyde d'étain et d'indium ayant une épais-
seur de l'ordre de 250 nanomètres et une résistivité d'environ ohms par carré, fabriqué par la Société britannique "Triplex Glass Company, Ltd", Kings Norten, Birmingham, a été découpé au - laser, en utilisant un laser YAG au neodyme à excitation continue et commutation en code Q, avec une puissance de 4,5 watts, une fréquence d'impulsion de 36 Khz, une vitesse de traçage de 20 cm/ sec et une distance focale de l'ordre de 27 mm. Le découpage au laser a formé une rainure ayant une largeur d'environ 0,002 cm
entre des bandes d'oxyde d'étain et d'indium de 0,5 cm de large.
Le verre sous-jacent a légèrement fondu par endroits sur une nro-
fondeur de quelques centaines d'Angstroms. Après le découpage au laser, la conductivité sur la zone découpée a été mesurée et elle
a été trouvée légèrement conductrice. La zone légèrement conduc-
trice a été éliminée par immersion du substrat dans une solution d'une Fart d'acide chlorhydrique concentré dans deux parts d'eau,
pendant une durée d'environ 45 secondes.
Ensuite, la région semi-conductrice active comprenant le
cermet PtSiO2, ayant une épaisseur d'environ 15 nanomètres, con-
tenant environ 123X en volume de platine, une couene dopée de type P+ de silicium amorphe hydrogéné d'une épaisseur de l'ordre
de 36 nanomètres9 une couche non dopée de silicium amorphe hydro-
gené ayant une épaisseur d'environ 590 nanomètres, et une couche
finale de silicium amorphe hydrogéné dopé en type N+, d'une épais-
seur de 36 nanomètres, a été déposée sur le substrat et les bandes d'oxyde d'étain et d'indium par les procédés décrits dans le bre- vet américain n0 4 167 051. Le silicium amorphe a été déposé par décharge luminescente dans une atmosphère contenant du -silicium,
de l'hydrogène et des agents modificateurs de conductivité appro-
priés. Le cermet a été formé par co-pulvérisation cathodique de
platine (Pt) et de silice (SiO2).
La région semi-conductrice active a été découpée par traçage
à l'aide du laser mentionné précédemment, afin -de former des rai-
nures dans la région semi-conductrice active, parallèles mais décalées par rapport au découpage initial au laser. Le laser fonctionnait à une puissance de 1,7 watts et avec une distance
focale de 48 mm, la fréquence d'impulsion et la vitesse de décou-
page étant identiques à celles indiquées précédemment. La largeur
de la rainure ainsi tracée était d'environ 0,005 cm. La profon-
deur-de découpage était suffisante pour que la rainure aille
jusqu'à l'oxyde transparent conducteur, sans toutefois le traver-
ser' Ensuite, les bandes et la région active ainsi que le substrat transparent ont été revOtus d'une électrode postérieure de titane jusqu'à une épaisseur de l'ordre de 100 nanomètres. La cellule a été découpée pour une troisième fois pour former une rainure dans le contact électrique postérieur, cette rainure étant parallèle et adjacente aux découpages précédents, en utilisant-un laser
fonctionnant à une puissance d'environ 1,3 watts, avec une dis-
tance focale de l'ordre de 75 mm et les fréquences d'impulsions ainsi que les vitesses de découpage indiquées précédemment. Des bandes de cuivre ont été fixées aux extrémités des électrodes à l'aide d'un cément epoxyargent. Enfin on a enlevé les shunts électriques en appliquant une polarisation inverse de 5 volts à
chaque cellule.
La cellule fabriquée selon le processus indiqué ci-dessus a été testée avec une lumière dont l'intensité était équivalente à, une lumière solaire de 1 AM. Une batterie solaire constituée de 12 bandes individuelles de cellule solaire présentait une
tension Voc de 9,3 volts, environ 0,775 volt par cellule, un cou-
rant de court-circuit J de l'ordre de 5,3 milliampères par cm2, un facteur de charge de 0,51 environ et un rendement de l'ordre
de 2,1%.
EXEIMPLE II
Une batterie solaire connectée en série a été fabriquée selon la technique indiquée dans l'exemple I, cependant le métal du contact postérieur était de l'indium et il a été vaporisé sur la région active du dispositif semi-conducteur en m8me temps que
l'oxyde d'étain et d'indium. Ensuite, des rainures ont été décou-
pées dans l'indium par traçage au laser en utilisant une puissanee de laser de 1,3 watt, parallèlement et de façon adjacente aux
rainures tracées au laser dans le silicium amorphe hydrogéné.
Après fixation des électrodes et élimination des courts-circuits électriques, la cellule solaire constituée de 10 cellules à bandes
individuelles connectées en série, présentait une tension en cir-
cuit ouvert de 7,9 volts, un courant de court-circuit de 4,6 mil-
liampères par cm, un facteur de charge de 0,51 et un rendement de 1,9%o lorsqu'elle était exposée à une lumière d'essai présentant
une intensité de l'ordre de 1 AM.
EXEMPLE III
Un substrat de verre de 7,6 x 7,6 cm recouvert d'une couche d'oxyde d'étain et d'indium ayant une résistivité de l'ordre de 104(2-par carré a été découpé par traçage à l'aide d'un laser, selon le processus défini à l'exemple I. Ensuite une structure à jonction tandem comprenant un cermet de platine, une couche de silicium amorphe, une jonction tunnel et une seconde couche de silicium amorphe, a été déposée sur le substrat et les bandes d'oxyde d'étain et d'indium. L'épaisseur de la couche de cermet était de l'ordre de 7,5 nanomètres. La première couche de silicium amorphe, ayant une région de type Pl une épaisseur d'environ 30 manomètres, une région intrinsèque dont l'épaisseur était de l'ordre de 76 nanomètres et une région de type N, a été déposée sur le cermet de platine. Une jonction tunnel d'un cermet de platine de 7,5 manomètres d'épaisseur a été déposée sur la couche de silicium amorphe. La seconde couche de
silicium amorphe, ayant une région de type P. une région intrin-
sèque et-une région de type N avec des épaisseurs de 30 nanomètres, 408 nanomètres et 45 nanomètres., respectivement, a été déposée sur la jonction tunnel. Les régions de silicium amorphe ont été
9 248368-6
déposées par décharge luminescente et les cermets-de platine ont
été déposés par co-pulvérisation cathodique de platine et de si-
lice. Ces couches ont été découpées par traçage au laser afin de former une rainure parallèle et adjacente au traçage effectué précédemment, à l'aide d'un laser fonctionnant dans les conditions indiquées dans l'exemple I avec une puissance de 1,7 watts. Les
rainures ainsi réalisé-es étaient adjacentes et parallèles aux rai-
nures décrites en référence à la figure 2a. Ensuite, une couche d'étain ayant une épaisseur de 100 nanomètres a été vaporisée selon un angle de l'ordre de 30 , par rapport à la perpendiculaire au substrat, comme représenté sur la figure 2f. Des bandes de
cuivre ont été fixées à l'électrode à l'aide d'un cément epoxy-
argent. Les courts-circuits électriques ont été éliminés par l'ap-
plication d'une tension de polarisation inverse.
La batterie solaire a été constituée par les cellules dispo--
sées horizontalement en série avec deux cellules verticalement en tandem soit un total de 20 cellules. Le dispositif présentait une tension en circuit ouvert de 11,8 volts lorsqu'il était exposé à
une lumière d'une intensité de 1 AM. - -
Il demeure bien entendu que cette invention n'est pas limitée aux différents exemples de réalisation décrits et/ou représentés
ici mais qu'elle en englobe toutes les variantes.

Claims (15)

REVENDICATI ONS
1.- Procédé de fabrication d'une batterie solaire, caracté-
risé en ce qu'il consiste à: découper une électrode transparente sur un substrat transparent (32) en utilisant un laser ayant une énergie suffisante pour former une pluralité de bandes d'électrode transparentes (34); réaliser une région active (43) d'un matériau semi-conducteur sur ledit substrat et lesdites bandes d'électrode transparentes; découper ladite région active en utilisant un laser parallèle et adjacent au premier laser de façon à réaliser un tracé au travers de ladite région active en vue de former des bandes de région active sans former d'électrode transparente et interconnecter lesdites bandes de région active, en série avec
- une électrode postérieure.
2.- Procédé selon la revendication 1, caractérise en ce que ladite électrode transparente, ladite région active (45) et ladite électrode postérieure sont choisies de façon que le laser exige une puissance plus grande pour découper l'électrode transparente que pour découper ladite région active et une puissance plus grande pour découper ladite région active que pour découper ladite
électrode postérieure.
3.- Procédé selon la revendication 2, caractérisé en ce que ladite région active est constituée d'un matériau semi-conducteur
choisi dans le groupe qui comprend: le silicium amorphe hydro-
géné, le silicium vaporisé, du silicium ayant subit une pulvéri-
sation cathodique, CdS, CdSe, CdTe et Cu2S.
4.- Procédé selon la revendication 3, caractérisé en ce que ladite région active est constituée d'une pluralité de couches
de matériau semi-conducteur.
5.- Procédé selon la revendication 3, caractérisé en ce que
0 ladite région active est constituée de silicium amorphe.
6.- Procédé selon la revendication 5, caractérisé en ce que ledit laser est un laser YAG au neodyme excité de façon ontinue, émettant une lumière présentant une longueur d'onde de l'ordre
de 1,06/um.
7.- Procédé selon la revendication 6, caractérisé en ce que
ledit laser est commandé en mode de commutation Q avec une fré-
quence de répétition de l'ordre de 36 KHz.
8.- Procédé selon la revendication 7, caractérisé en ce mie
ledit traçage ou découpage est effectué par ledit laser fonction-
1O nant avec une énergie de l'ordre de Il5 Watts afin de tracer ledit matériau d'électrode transparent et avec une énergie de l'ordre
de 1,7 Watt, pour tracer ladite région active.
9.- Procédé selon la revendication 8, caractérisé en ce que ladite région active comprend une pluralité de couches de sili-
cium amorphe hydrogéné.
10.- Procédé selon la revendication 9, caractérisé en ce que chaque paire de couches adjacentes de silicium amorphe hydrogéné
(38, 42) est séparée par une jonction tunnel (40).
110- Procédé selon la revendication 10, caractérisé en ce
que ladite jonction tunnel est constituée d'un cermet.
12.- Procédé selon la revendication 11, caractérisé en ce que ladite électrode postérieure est fabriquée par évaporation angulaire. 13.Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que ladite électrode postérieure est fabriquée sur les bandes de la région active et de l'électrode transparente, un découpage au
laser de ladite électrode postérieure étant ensuite réalisé paral-
lèlement et de façon adjacente au découpage des bandes de la ré-
gion active.
14.- Procédé selon la revendication 1f, caractérisé en ce que le découpage au laser de l'électrode postérieure s'effectue
avec une énergie inférieure à celle qui est nécessaire pour.ef-
fectuer le découpage de la région actïve et en ce que le découd page de ladite région active exige une énergie inférieure à celle
exigée pour le découpage de l'électrode transparente.
15.- Procédé selon la revendication 14, caractérisé en ce
que ladi'te région active est constituée de silicium amorphe hydro-
géné 16.- Procédé selon la revendication 15, caractérisé en ce que ledit laser est un laser YAG au neodyme excité en continu, émettant une lumière qui possède une longueur d'onde d'environ
1,06 um.
17.- Procédé selon la revendication 16, caractérisé en ce que ledit laser est commandé selon un mode de commutation Q. 18.- Procédé selon la revendication 17, caractérisé en ce que ladite région active est constituée d'une pluralité de couches
de silicium amorphe hydrogéné.
1 1
12 2483686
19.- Procédé selon la revendication 18, caractérisé en ce
que chaque paire de couches adjacentes de silicium amorphe hydro-
géné est séparée par une jonction tunnel.
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Families Citing this family (164)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4356341A (en) * 1981-03-13 1982-10-26 Varian Associates, Inc. Cascade solar cell having conductive interconnects
US4443651A (en) * 1981-03-31 1984-04-17 Rca Corporation Series connected solar cells on a single substrate
JPS58134482A (ja) * 1982-02-05 1983-08-10 Agency Of Ind Science & Technol 光起電力装置
JPS58137264A (ja) * 1982-02-09 1983-08-15 Fuji Electric Corp Res & Dev Ltd 光電変換装置
EP0113959B1 (fr) * 1982-11-24 1993-06-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Dispositif de conversion photovoltaique
JPS59201471A (ja) * 1983-04-29 1984-11-15 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 光電変換半導体装置
JPS607778A (ja) * 1983-06-27 1985-01-16 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 光電変換半導体装置
US4593152A (en) * 1982-11-24 1986-06-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Photoelectric conversion device
DE3300041A1 (de) * 1983-01-03 1984-07-05 Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München Verfahren zum abtragen von metallschichten von traegern mit laserstrahlen
JPS59154079A (ja) * 1983-02-22 1984-09-03 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 光電変換半導体装置及びその作製方法
JPS59155974A (ja) * 1983-02-25 1984-09-05 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 光電変換装置作製方法
JPS59172274A (ja) * 1983-03-18 1984-09-28 Sanyo Electric Co Ltd 光起電力装置の製造方法
DE3310362A1 (de) * 1983-03-22 1984-10-11 Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München Verfahren zur veraenderung der optischen eigenschaft der grenzflaeche zwischen halbleitermaterial und metallkontakt
JPS59182578A (ja) * 1983-03-31 1984-10-17 Sanyo Electric Co Ltd 光起電力装置の製造方法
JPS59193782A (ja) * 1983-04-18 1984-11-02 Semiconductor Energy Lab Co Ltd レ−ザ加工機
JPH0758797B2 (ja) * 1983-04-18 1995-06-21 株式会社半導体エネルギー研究所 光電変換半導体装置の作製方法
JPS59193075A (ja) * 1983-04-18 1984-11-01 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 光電変換半導体装置作製方法
JPH0614556B2 (ja) * 1983-04-29 1994-02-23 株式会社半導体エネルギー研究所 光電変換装置及びその作製方法
US4502225A (en) * 1983-05-06 1985-03-05 Rca Corporation Mechanical scriber for semiconductor devices
US4517403A (en) * 1983-05-16 1985-05-14 Atlantic Richfield Company Series connected solar cells and method of formation
JPS59220979A (ja) * 1983-05-31 1984-12-12 Sanyo Electric Co Ltd 光起電力装置の製造方法
JPS6014441A (ja) * 1983-07-04 1985-01-25 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置作製方法
JPS6014479A (ja) * 1983-07-04 1985-01-25 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 光電変換装置作製方法
US4594471A (en) * 1983-07-13 1986-06-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Photoelectric conversion device
JPS6059786A (ja) * 1983-09-12 1985-04-06 Sanyo Electric Co Ltd 瓦状光起電力装置の製造方法
JPS6041266A (ja) * 1983-08-15 1985-03-04 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置作製方法およびその作製用装置
JPS6059785A (ja) * 1983-09-12 1985-04-06 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 光電変換装置およびその作製方法
JPS6066872A (ja) * 1983-09-22 1985-04-17 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置作製方法
JPS6085574A (ja) * 1983-10-18 1985-05-15 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置作製方法
JPS6094781A (ja) * 1983-10-27 1985-05-27 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置の作製方法
JPH0712031B2 (ja) * 1983-10-27 1995-02-08 株式会社半導体エネルギー研究所 透光性導電膜の加工方法
JPS60100480A (ja) * 1983-11-04 1985-06-04 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 光電変換装置の作製方法
JPS60100479A (ja) * 1983-11-04 1985-06-04 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 光電変換装置
JPH0712032B2 (ja) * 1983-11-07 1995-02-08 株式会社半導体エネルギー研究所 有機樹脂上被膜のレーザ加工方法
JPH0713954B2 (ja) * 1983-11-07 1995-02-15 株式会社 半導体エネルギー研究所 液晶表示装置作製方法
JPS60103623A (ja) * 1983-11-10 1985-06-07 Semiconductor Energy Lab Co Ltd レ−ザ加工方法
JP2540501B2 (ja) * 1983-11-10 1996-10-02 株式会社 半導体エネルギー研究所 レ−ザ加工方法
GB8330578D0 (en) * 1983-11-16 1983-12-21 Rca Corp Inter-connected photovoltaic devices
JPS60110178A (ja) * 1983-11-18 1985-06-15 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置作製方法
US4510344A (en) * 1983-12-19 1985-04-09 Atlantic Richfield Company Thin film solar cell substrate
US4581625A (en) * 1983-12-19 1986-04-08 Atlantic Richfield Company Vertically integrated solid state color imager
US4542255A (en) * 1984-01-03 1985-09-17 Atlantic Richfield Company Gridded thin film solar cell
JPS60211881A (ja) * 1984-04-05 1985-10-24 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置作製方法
JPH0693518B2 (ja) * 1984-04-05 1994-11-16 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置作製方法
JPS60211880A (ja) * 1984-04-05 1985-10-24 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 光電変換装置の作製方法
JPS60211817A (ja) * 1984-04-05 1985-10-24 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 光電変換装置
JP2585503B2 (ja) * 1984-04-28 1997-02-26 株式会社 半導体エネルギー研究所 レ−ザ加工方法
JPS60240171A (ja) * 1984-05-15 1985-11-29 Mitsubishi Electric Corp 太陽光発電装置
US4650524A (en) * 1984-06-20 1987-03-17 Sanyo Electric Co., Ltd Method for dividing semiconductor film formed on a substrate into plural regions by backside energy beam irradiation
JPS6142971A (ja) * 1984-08-06 1986-03-01 Sanyo Electric Co Ltd 半導体装置の製造方法
US4663494A (en) * 1984-07-19 1987-05-05 Sanyo Electric Co., Ltd. Photovoltaic device
JPS6174376A (ja) * 1984-09-19 1986-04-16 Fuji Electric Co Ltd 薄膜光起電力素子の製造方法
US4574160A (en) * 1984-09-28 1986-03-04 The Standard Oil Company Flexible, rollable photovoltaic cell module
JPS61116885A (ja) * 1984-11-12 1986-06-04 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 光電変換半導体装置作製方法
JPS61116884A (ja) * 1984-11-12 1986-06-04 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 光電変換半導体装置作製方法
US4697041A (en) * 1985-02-15 1987-09-29 Teijin Limited Integrated solar cells
US4599154A (en) * 1985-03-15 1986-07-08 Atlantic Richfield Company Electrically enhanced liquid jet processing
US4783421A (en) * 1985-04-15 1988-11-08 Solarex Corporation Method for manufacturing electrical contacts for a thin-film semiconductor device
DE3689679T2 (de) * 1985-08-24 1994-06-09 Semiconductor Energy Lab Herstellungsverfahren für ein Halbleiterbauelement frei von Leckstrom durch eine Halbleiterschict.
JPS6265479A (ja) * 1985-09-18 1987-03-24 Fuji Electric Corp Res & Dev Ltd 薄膜太陽電池の製造方法
JPS6276786A (ja) * 1985-09-30 1987-04-08 Sanyo Electric Co Ltd 光起電力装置の製造方法
JPH065778B2 (ja) * 1985-12-17 1994-01-19 株式会社富士電機総合研究所 光半導体装置の製造方法
EP0228712B1 (fr) * 1986-01-06 1995-08-09 Sel Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Dispositif de conversion photo-électrique à haute vitesse de réponse et méthode pour sa fabrication
EP0229397B1 (fr) * 1986-01-06 1995-08-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Dispositif de conversion photo-électrique et méthode pour sa fabrication
JPS61210681A (ja) * 1986-02-20 1986-09-18 Sanyo Electric Co Ltd 集積型光起電力装置の製造方法
EP0248953A1 (fr) * 1986-06-10 1987-12-16 The Standard Oil Company Piles solaires en cascade
US6149988A (en) * 1986-09-26 2000-11-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method and system of laser processing
US5708252A (en) * 1986-09-26 1998-01-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Excimer laser scanning system
US4865999A (en) * 1987-07-08 1989-09-12 Glasstech Solar, Inc. Solar cell fabrication method
DE3887689T2 (de) * 1987-07-24 1994-09-08 Amorphous Silicon Inc Substrat für solarzelle und herstellungsverfahren.
US6261856B1 (en) 1987-09-16 2001-07-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method and system of laser processing
JPH0620153B2 (ja) * 1987-12-25 1994-03-16 鐘淵化学工業株式会社 光起電力素子
US4953577A (en) * 1989-07-06 1990-09-04 Solarex Corporation Spray encapsulation of photovoltaic modules
CA2024662A1 (fr) * 1989-09-08 1991-03-09 Robert Oswald Module photovoltaique monolithique a elements montes en serie et en parallele
JP2983684B2 (ja) * 1991-05-23 1999-11-29 三洋電機株式会社 光起電力装置の製造方法
US5246506A (en) * 1991-07-16 1993-09-21 Solarex Corporation Multijunction photovoltaic device and fabrication method
JP2648064B2 (ja) * 1991-11-15 1997-08-27 三洋電機株式会社 光半導体装置の製造方法
US5232549A (en) * 1992-04-14 1993-08-03 Micron Technology, Inc. Spacers for field emission display fabricated via self-aligned high energy ablation
US5432015A (en) * 1992-05-08 1995-07-11 Westaim Technologies, Inc. Electroluminescent laminate with thick film dielectric
US5492234A (en) * 1994-10-13 1996-02-20 Micron Technology, Inc. Method for fabricating spacer support structures useful in flat panel displays
US5484314A (en) * 1994-10-13 1996-01-16 Micron Semiconductor, Inc. Micro-pillar fabrication utilizing a stereolithographic printing process
JP3017422B2 (ja) * 1995-09-11 2000-03-06 キヤノン株式会社 光起電力素子アレー及びその製造方法
JPH09260695A (ja) * 1996-03-19 1997-10-03 Canon Inc 光起電力素子アレーの製造方法
KR100414132B1 (ko) 1998-07-02 2004-01-07 아스트로파워 다결정성 실리콘 박막, 다결정성 실리콘 박막 전자 디바이스, 집적 태양 전지, 태양전지 모듈 및 그 제조방법
US6077722A (en) * 1998-07-14 2000-06-20 Bp Solarex Producing thin film photovoltaic modules with high integrity interconnects and dual layer contacts
US6239354B1 (en) * 1998-10-09 2001-05-29 Midwest Research Institute Electrical isolation of component cells in monolithically interconnected modules
AU766727B2 (en) * 1999-06-14 2003-10-23 Kaneka Corporation Method of fabricating thin-film photovoltaic module
DE60041568D1 (de) 1999-09-01 2009-04-02 Kaneka Corp Dünnschichtsolarzellenmodul und entsprechendes Herstellungsverfahren
US6353175B1 (en) * 1999-09-17 2002-03-05 Jx Crystals Inc. Two-terminal cell-interconnected-circuits using mechanically-stacked photovoltaic cells for line-focus concentrator arrays
US6155900A (en) 1999-10-12 2000-12-05 Micron Technology, Inc. Fiber spacers in large area vacuum displays and method for manufacture
DE10017610C2 (de) * 2000-03-30 2002-10-31 Hahn Meitner Inst Berlin Gmbh Verfahren zur Herstellung eines Solarmoduls mit integriert serienverschalteten Dünnschicht-Solarzellen und Verwendung davon
US20040219801A1 (en) * 2002-04-25 2004-11-04 Oswald Robert S Partially transparent photovoltaic modules
AU7684001A (en) * 2000-07-06 2002-01-21 Bp Corp North America Inc Partially transparent photovoltaic modules
JP4302335B2 (ja) * 2001-05-22 2009-07-22 株式会社半導体エネルギー研究所 太陽電池の作製方法
WO2003010143A1 (fr) * 2001-07-26 2003-02-06 Samsung Electronics Co., Ltd. Derives de l'acide dialkylhydroxybenzoique contenant des groupes chelateurs de metaux et leurs utilisations therapeutiques
US6559411B2 (en) 2001-08-10 2003-05-06 First Solar, Llc Method and apparatus for laser scribing glass sheet substrate coatings
WO2003073517A1 (fr) * 2002-02-27 2003-09-04 Midwest Research Institute Dispositif de conversion d'energie photovoltaique monolithique
CN100454584C (zh) * 2003-01-10 2009-01-21 株式会社钟化 透光性薄膜太阳能电池模块及其制造方法
US7535019B1 (en) 2003-02-18 2009-05-19 Nanosolar, Inc. Optoelectronic fiber
WO2005006393A2 (fr) * 2003-05-27 2005-01-20 Triton Systems, Inc. Films isolants non poreux sans piqures sur substrats metalliques souples pour applications a films minces
DE10326547A1 (de) * 2003-06-12 2005-01-05 Siemens Ag Tandemsolarzelle mit einer gemeinsamen organischen Elektrode
US20050224109A1 (en) 2004-04-09 2005-10-13 Posbic Jean P Enhanced function photovoltaic modules
US20050272175A1 (en) * 2004-06-02 2005-12-08 Johannes Meier Laser structuring for manufacture of thin film silicon solar cells
KR100631898B1 (ko) * 2005-01-19 2006-10-11 삼성전기주식회사 Esd보호 능력을 갖는 질화갈륨계 발광 소자 및 그 제조방법
US7394016B2 (en) * 2005-10-11 2008-07-01 Solyndra, Inc. Bifacial elongated solar cell devices with internal reflectors
US7196262B2 (en) * 2005-06-20 2007-03-27 Solyndra, Inc. Bifacial elongated solar cell devices
US7772485B2 (en) * 2005-07-14 2010-08-10 Konarka Technologies, Inc. Polymers with low band gaps and high charge mobility
US7781673B2 (en) * 2005-07-14 2010-08-24 Konarka Technologies, Inc. Polymers with low band gaps and high charge mobility
US20070267055A1 (en) * 2005-07-14 2007-11-22 Konarka Technologies, Inc. Tandem Photovoltaic Cells
US20080006324A1 (en) * 2005-07-14 2008-01-10 Konarka Technologies, Inc. Tandem Photovoltaic Cells
US8158881B2 (en) * 2005-07-14 2012-04-17 Konarka Technologies, Inc. Tandem photovoltaic cells
US20070181179A1 (en) * 2005-12-21 2007-08-09 Konarka Technologies, Inc. Tandem photovoltaic cells
US8344238B2 (en) * 2005-07-19 2013-01-01 Solyndra Llc Self-cleaning protective coatings for use with photovoltaic cells
KR100656738B1 (ko) * 2005-12-14 2006-12-14 한국과학기술원 집적형 박막 태양전지 및 그 제조 방법
KR100725110B1 (ko) * 2005-12-14 2007-06-04 한국과학기술원 투과형 집적형 박막 태양전지 및 그 제조 방법.
US7259322B2 (en) * 2006-01-09 2007-08-21 Solyndra, Inc. Interconnects for solar cell devices
US20070210420A1 (en) * 2006-03-11 2007-09-13 Nelson Curt L Laser delamination of thin metal film using sacrificial polymer layer
US20080047599A1 (en) * 2006-03-18 2008-02-28 Benyamin Buller Monolithic integration of nonplanar solar cells
US8183458B2 (en) 2007-03-13 2012-05-22 Solyndra Llc Photovoltaic apparatus having a filler layer and method for making the same
US20080302418A1 (en) * 2006-03-18 2008-12-11 Benyamin Buller Elongated Photovoltaic Devices in Casings
US20070215197A1 (en) * 2006-03-18 2007-09-20 Benyamin Buller Elongated photovoltaic cells in casings
US7235736B1 (en) * 2006-03-18 2007-06-26 Solyndra, Inc. Monolithic integration of cylindrical solar cells
US20100326429A1 (en) * 2006-05-19 2010-12-30 Cumpston Brian H Hermetically sealed cylindrical solar cells
US20070215195A1 (en) * 2006-03-18 2007-09-20 Benyamin Buller Elongated photovoltaic cells in tubular casings
US20090014055A1 (en) * 2006-03-18 2009-01-15 Solyndra, Inc. Photovoltaic Modules Having a Filling Material
KR20070101917A (ko) * 2006-04-12 2007-10-18 엘지전자 주식회사 박막형 태양전지와 그의 제조방법
US8829336B2 (en) * 2006-05-03 2014-09-09 Rochester Institute Of Technology Nanostructured quantum dots or dashes in photovoltaic devices and methods thereof
US20100132765A1 (en) * 2006-05-19 2010-06-03 Cumpston Brian H Hermetically sealed solar cells
US20080029152A1 (en) * 2006-08-04 2008-02-07 Erel Milshtein Laser scribing apparatus, systems, and methods
US7879685B2 (en) * 2006-08-04 2011-02-01 Solyndra, Inc. System and method for creating electric isolation between layers comprising solar cells
US20080083449A1 (en) * 2006-10-06 2008-04-10 Solyndra, Inc., A Delaware Corporation Sealed photovoltaic apparatus
WO2008045382A2 (fr) * 2006-10-06 2008-04-17 Solyndra, Inc. Appareil photovoltaïque étanche
US8008421B2 (en) 2006-10-11 2011-08-30 Konarka Technologies, Inc. Photovoltaic cell with silole-containing polymer
US8008424B2 (en) 2006-10-11 2011-08-30 Konarka Technologies, Inc. Photovoltaic cell with thiazole-containing polymer
WO2008083042A2 (fr) * 2006-12-29 2008-07-10 Bp Corporation North America Inc. Modules photovoltaïques avec un matériau transparent présentant un motif de camouflage
US20080178927A1 (en) * 2007-01-30 2008-07-31 Thomas Brezoczky Photovoltaic apparatus having an elongated photovoltaic device using an involute-based concentrator
US20080196759A1 (en) * 2007-02-16 2008-08-21 Thomas Brezoczky Photovoltaic assembly with elongated photovoltaic devices and integrated involute-based reflectors
JP2010537443A (ja) * 2007-08-30 2010-12-02 エリコン・ソーラー・アイピー・アーゲー・トリュプバッハ 薄膜太陽電池システム及び薄膜太陽電池の製造方法
US20090078303A1 (en) * 2007-09-24 2009-03-26 Solyndra, Inc. Encapsulated Photovoltaic Device Used With A Reflector And A Method of Use for the Same
DE102008005284A1 (de) * 2008-01-19 2009-07-30 Schott Solar Gmbh Verfahren und Herstellung eines photovoltaischen Moduls
DE102008006166A1 (de) * 2008-01-26 2009-07-30 Schott Solar Gmbh Verfahren zur Herstellung eines photovoltaischen Moduls
JP2011513951A (ja) * 2008-02-21 2011-04-28 コナルカ テクノロジーズ インコーポレイテッド タンデム型光電池
GB2457720A (en) * 2008-02-23 2009-08-26 Philip Thomas Rumsby Method for laser processing on the opposite sides of thin transparent substrates
DE102008015807A1 (de) * 2008-03-27 2009-10-22 Schott Solar Gmbh Verfahren zur Strukturierung der Zinkoxid-Frontelektrodenschicht eines photovoltaischen Moduls
GB2459274A (en) * 2008-04-15 2009-10-21 Renewable Energy Corp Asa Wafer based solar panels
US20110030760A1 (en) * 2008-04-18 2011-02-10 Oerlikon Trading Ag, Truebbach Photovoltaic device and method of manufacturing a photovoltaic device
US8298856B2 (en) * 2008-07-17 2012-10-30 Uriel Solar, Inc. Polycrystalline CDTE thin film semiconductor photovoltaic cell structures for use in solar electricity generation
JP5506258B2 (ja) * 2008-08-06 2014-05-28 キヤノン株式会社 整流素子
US8455606B2 (en) * 2008-08-07 2013-06-04 Merck Patent Gmbh Photoactive polymers
KR20100021045A (ko) * 2008-08-14 2010-02-24 주성엔지니어링(주) 박막형 태양전지 및 그 제조방법
US20100323471A1 (en) * 2008-08-21 2010-12-23 Applied Materials, Inc. Selective Etch of Laser Scribed Solar Cell Substrate
US20100078064A1 (en) * 2008-09-29 2010-04-01 Thinsilicion Corporation Monolithically-integrated solar module
WO2012037445A2 (fr) 2010-09-17 2012-03-22 Drexel University Nouvelles applications pour carbone alliforme
WO2012058652A2 (fr) 2010-10-29 2012-05-03 Drexel University Empilement de filtre électrooptique accordable
CN102598286A (zh) * 2009-09-06 2012-07-18 张晗钟 管状光伏器件和制造方法
CN102782882A (zh) * 2009-09-18 2012-11-14 欧瑞康太阳能股份公司(特吕巴赫) 高效率非晶/微晶堆叠串联电池
EP2481094A4 (fr) * 2009-12-10 2017-08-09 Uriel Solar Inc. Structures de cellules photovoltaïques à semi-conducteur à couche mince de cdte polycristallin à haut rendement énergétique destinées à être utilisées dans la génération d'électricité solaire
CN102117815B (zh) * 2010-01-06 2012-12-26 京东方科技集团股份有限公司 太阳能电池组件及其制备方法
DE202010013161U1 (de) 2010-07-08 2011-03-31 Oerlikon Solar Ag, Trübbach Laserbearbeitung mit mehreren Strahlen und dafür geeigneter Laseroptikkopf
GB201014778D0 (en) 2010-09-06 2010-10-20 Baird Brian W Picosecond laser beam shaping assembly and a method of shaping a picosecond laser beam
US20120291836A1 (en) 2010-11-17 2012-11-22 E.I. Du Pont De Nemours And Company Array of thin-film photovoltaic cells having an etchant-resistant electrode an an integrated bypass diode associated with a plurality of cells and a panel incorporating the same
KR20120095786A (ko) * 2011-02-21 2012-08-29 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 광전 변환 장치
US9912290B2 (en) * 2012-06-18 2018-03-06 Sunpower Corporation High current burn-in of solar cells
WO2013189605A2 (fr) 2012-06-20 2013-12-27 Tel Solar Ag Système d'écriture laser

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
USRE27772E (en) * 1971-10-15 1973-10-02 Method of manufacturing thin film components
DE2837315A1 (de) * 1977-09-06 1979-03-15 Nat Semiconductor Corp Verfahren zur aenderung der leitfaehigkeit einer halbleiterschicht in einem halbleiterkoerper
DE2839038A1 (de) * 1977-09-08 1979-03-22 Photon Power Inc Verfahren zur herstellung einer reihenschaltungsanordnung von sperrschicht-photozellen und nach diesem verfahren hergestellte photozellenanordnung oder -batterie

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3483038A (en) * 1967-01-05 1969-12-09 Rca Corp Integrated array of thin-film photovoltaic cells and method of making same
US3553421A (en) * 1968-11-07 1971-01-05 Arthur L Schawlow Method of and apparatus for erasing
US4064521A (en) * 1975-07-28 1977-12-20 Rca Corporation Semiconductor device having a body of amorphous silicon
US4044222A (en) * 1976-01-16 1977-08-23 Western Electric Company, Inc. Method of forming tapered apertures in thin films with an energy beam
JPS52108780A (en) * 1976-03-08 1977-09-12 Seiko Epson Corp Manufacture for solar cell
US4081653A (en) * 1976-12-27 1978-03-28 Western Electric Co., Inc. Removal of thin films from substrates by laser induced explosion
US4125757A (en) * 1977-11-04 1978-11-14 The Torrington Company Apparatus and method for laser cutting
US4167015A (en) * 1978-04-24 1979-09-04 Rca Corporation Cermet layer for amorphous silicon solar cells
DE2827049A1 (de) * 1978-06-20 1980-01-10 Siemens Ag Solarzellenbatterie und verfahren zu ihrer herstellung
US4181538A (en) * 1978-09-26 1980-01-01 The United States Of America As Represented By The United States Department Of Energy Method for making defect-free zone by laser-annealing of doped silicon
US4214918A (en) * 1978-10-12 1980-07-29 Stanford University Method of forming polycrystalline semiconductor interconnections, resistors and contacts by applying radiation beam
US4229232A (en) * 1978-12-11 1980-10-21 Spire Corporation Method involving pulsed beam processing of metallic and dielectric materials
US4228570A (en) * 1979-10-15 1980-10-21 Photon Power, Inc. Electroding preparation apparatus

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
USRE27772E (en) * 1971-10-15 1973-10-02 Method of manufacturing thin film components
DE2837315A1 (de) * 1977-09-06 1979-03-15 Nat Semiconductor Corp Verfahren zur aenderung der leitfaehigkeit einer halbleiterschicht in einem halbleiterkoerper
DE2839038A1 (de) * 1977-09-08 1979-03-22 Photon Power Inc Verfahren zur herstellung einer reihenschaltungsanordnung von sperrschicht-photozellen und nach diesem verfahren hergestellte photozellenanordnung oder -batterie

Also Published As

Publication number Publication date
FR2483686B1 (fr) 1986-03-21
JPH0472392B2 (fr) 1992-11-18
US4292092A (en) 1981-09-29
GB2077038B (en) 1984-01-25
JPS5712568A (en) 1982-01-22
GB2077038A (en) 1981-12-09
DE3121350A1 (de) 1982-07-08
MY8500783A (en) 1985-12-31
HK78486A (en) 1986-10-24
DE3121350C2 (de) 1995-08-17

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