EP1295336A2 - Systemträger für halbleiterchips und elektronische bauteile sowie herstellungsverfahren für einen systemträger und für elektronische bauteile - Google Patents

Systemträger für halbleiterchips und elektronische bauteile sowie herstellungsverfahren für einen systemträger und für elektronische bauteile

Info

Publication number
EP1295336A2
EP1295336A2 EP01949240A EP01949240A EP1295336A2 EP 1295336 A2 EP1295336 A2 EP 1295336A2 EP 01949240 A EP01949240 A EP 01949240A EP 01949240 A EP01949240 A EP 01949240A EP 1295336 A2 EP1295336 A2 EP 1295336A2
Authority
EP
European Patent Office
Prior art keywords
external contact
contact elements
system carrier
rivet
base substrate
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
EP01949240A
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
Stefan Paulus
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Infineon Technologies AG
Original Assignee
Infineon Technologies AG
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Infineon Technologies AG filed Critical Infineon Technologies AG
Publication of EP1295336A2 publication Critical patent/EP1295336A2/de
Withdrawn legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W74/00—Encapsulations, e.g. protective coatings
    • H10W74/01—Manufacture or treatment
    • H10W74/019—Manufacture or treatment using temporary auxiliary substrates
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/071—Connecting or disconnecting
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W74/00—Encapsulations, e.g. protective coatings
    • H10W74/01—Manufacture or treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W74/00—Encapsulations, e.g. protective coatings
    • H10W74/10—Encapsulations, e.g. protective coatings characterised by their shape or disposition
    • H10W74/111—Encapsulations, e.g. protective coatings characterised by their shape or disposition the semiconductor body being completely enclosed
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/01—Manufacture or treatment
    • H10W72/012—Manufacture or treatment of bump connectors, dummy bumps or thermal bumps
    • H10W72/01204—Manufacture or treatment of bump connectors, dummy bumps or thermal bumps using temporary auxiliary members, e.g. using sacrificial coatings or handle substrates
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/01—Manufacture or treatment
    • H10W72/012—Manufacture or treatment of bump connectors, dummy bumps or thermal bumps
    • H10W72/01251—Changing the shapes of bumps
    • H10W72/01255—Changing the shapes of bumps by using masks
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/071—Connecting or disconnecting
    • H10W72/072—Connecting or disconnecting of bump connectors
    • H10W72/07251—Connecting or disconnecting of bump connectors characterised by changes in properties of the bump connectors during connecting
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/071—Connecting or disconnecting
    • H10W72/075—Connecting or disconnecting of bond wires
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/20—Bump connectors, e.g. solder bumps or copper pillars; Dummy bumps; Thermal bumps
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/50—Bond wires
    • H10W72/531—Shapes of wire connectors
    • H10W72/536—Shapes of wire connectors the connected ends being ball-shaped
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/50—Bond wires
    • H10W72/531—Shapes of wire connectors
    • H10W72/5363—Shapes of wire connectors the connected ends being wedge-shaped
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/50—Bond wires
    • H10W72/551—Materials of bond wires
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/90—Bond pads, in general
    • H10W72/951—Materials of bond pads
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W74/00—Encapsulations, e.g. protective coatings

Definitions

  • the invention relates to a system carrier for semiconductor chips and electronic components and methods for their production.
  • the system carrier has external contact elements which have a rivet-shaped cross section with a rivet head region, a rivet shaft region and a rivet base region, the rivet base region being fixed on a base substrate which holds the system carrier together while being fitted with semiconductor chips.
  • the base substrate has an electrically conductive surface.
  • This electrically conductive surface has the advantage that an electrical voltage can be applied to the electrically conductive surface in order to build up external contact elements on the base substrate.
  • Such an electrically conductive surface is achieved in one embodiment of the invention by a base substrate made of a metallic foil.
  • the base substrate can consist of a plastic film with a metallic coating.
  • Such a film with a metallic coating has the advantage that it can be separated relatively easily in further processing from the electronic components to be formed on the system carrier.
  • the plastic film has a carbon coating, as a result of which its surface becomes electrically conductive.
  • This embodiment has the advantage that such plastic films with a carbon coating both have a sufficiently electrically conductive surface due to the carbon coating and also increase the possibility of separating the base substrate of the system carrier during the further processing of the semiconductor chips to electronic components.
  • each component assembly area can have one Be equipped chip that can be positioned in a central chip carrier area of the assembly area.
  • Circular, elongated or square external contact elements with rivet-shaped cross section can be grouped around the chip carrier area at a defined distance from the central chip carrier area.
  • external contact elements are arranged at least partially in the chip carrier area, so that a semiconductor chip with bond bumps on the rivet head areas of the external contact elements can be bonded using flip-chip technology.
  • the bond bumps of a semiconductor chip can be soldered or glued directly onto the rivet head area of the external contact surfaces, the external contact elements being excellently anchored in the plastic compound due to their rivet-shaped cross section.
  • a further advantage of the rivet-shaped external contact elements on the system carrier according to the invention is that the external contact elements can be matched to the later use of the system carrier by means of different layers of metals and precious metals.
  • the external contact element on the system carrier is made of pure silver or a silver alloy.
  • the material silver has the advantage that it does not form an oxide coating that inhibits electrical conductivity, but rather a silver sulfite coating that is electrically conductive.
  • the external contact element on the system carrier is constructed from a gold / nickel / gold layer sequence.
  • This layer sequence has the advantage that the gold does not form a resistance-increasing oxide layer and the nickel layer is completely surrounded by gold, so that a long service life of the external contact elements is guaranteed.
  • an outer gold layer serve as an etch stop when separating a system carrier of components.
  • the external contact elements are constructed from a silver / copper / silver layer sequence.
  • This layer sequence is cheaper and, by using materials with an extremely low electrical resistance, has an advantage over external contact elements made of a layer sequence of gold / nickel / gold.
  • the system carrier has a metallic base in the chip carrier area, the height of which corresponds to the external contact elements and the area of which is adapted to the size of the semiconductor chip.
  • This base can be constructed from the same material as the external contact elements, so that it can be created simultaneously with the external contact elements.
  • the base also has the advantage that it can be soldered or glued to the underside of the semiconductor chip, which does not have an active circuit, and can therefore have a ground or ground contact for the entire electronic component to the outside.
  • the system carrier is used in a preferred embodiment of the invention for the production of electronic components.
  • the external contact elements can have a circular outline or can also form elongated or square external contact elements.
  • a method for producing a system carrier with external contact elements that have a rivet-shaped cross section has the following method steps:
  • This method has the advantage that external contact elements are formed on the system carrier, which have a rivet-shaped cross section and are firmly anchored in the plastic mass due to this cross section, so that this system carrier ensures that the external contact elements do not delaminate from the surrounding plastic during the further processing steps.
  • a closed insulating layer is first applied, and this is then structured into an electrically insulating layer using photoresist technology.
  • photoresist technology for example, unexposed areas of the photoresist are detached and thus electrically conductive surface areas of the base substrate are exposed.
  • the structured electrically insulating layer is applied by means of a screen printing method, the screen advantageously acting as a structuring mask, so that an insulating layer is formed only in those areas in which the screen is not masked.
  • an initially closed insulating layer on the base substrate can be structured through a mask using a sputtering technique.
  • This technique also known as the sputtering technique, is directed by highly accelerated Ions removed the closed insulating layer at the places where it is not protected by a mask.
  • This method has the advantage that extremely fine structures with extremely straight walls can be produced.
  • a closed insulating layer can be carried out on the base substrate by means of deposition from the gas phase.
  • Organic gases are used as gases, which decompose on the surface of an electrically conductive layer and form an insulating film on the surface.
  • an initially closed insulating layer can be structured through a mask using plasma etching technology.
  • the insulation layer underneath is removed through the mask, but chemical reactions accelerate the removal of the insulation layer down to the conductive surface of the base substrate during plasma etching.
  • a technology for structuring closed insulating layers that does completely without a mask is laser raster radiation, in which the insulating layer is vaporized by means of a scanning laser beam that draws the structures into the insulating layer under the influence of laser energy.
  • a conductive material is now applied to the exposed electrically conductive surface areas.
  • the material can consist entirely of a single alloy or it can also be applied in layers with a different material sequence. However, for the manufacture of the system carrier according to the invention it is necessary that a conductive material is deposited and this conductive material grows beyond the structured insulating layer. Only then can the rivet-shaped cross section according to the invention for the external contact elements result.
  • the application of a conductive material is carried out by means of galvanic deposition on the exposed electrically conductive surface areas until the deposited material has overgrown at the exposed locations to form a rivet head.
  • the conductive material can also be obtained by deposition from the gas phase, for example by decomposing an organometallic compound over the base substrate and the metal being deposited from this connection on the base substrate in the exposed electrically conductive surface areas.
  • Electroless electrodeposition has the advantage that no electrical voltage has to be applied to the system carrier. Rather, the system carrier is immersed in the deposition bath and pulled out with an electrolessly deposited metal layer. When the structured insulating layer is removed, the desired rivet-shaped cross sections are formed in the surface areas provided for the external contact elements.
  • a metal base can be formed in the chip carrier area of the system carrier at the same time with the external contact elements.
  • a metallic base has the advantage that, for example, the underside of the semiconductor chip can be contacted with it.
  • any geometrical structure can be deposited on the base substrate, which corresponds to the formation of External contact surface arrangements is used. After the metallic material has been applied, the structured electrically insulating layer is removed. This can be done wet-chemically using solvents or by dry ashing in a plasma.
  • the electronic component has a semiconductor chip whose contact surfaces are connected to external contact elements, the semiconductor chip being encapsulated with the external contact elements in a plastic compound as a housing and at least one external contact element having a rivet-shaped cross section with a rivet head region, a rivet shaft region and a rivet foot region has, wherein the external contact element is anchored with its rivet head area in the plastic mass.
  • the plastic mass encloses the rivet head area in such a way that the rivet shaft is arranged in a completely fixed manner in the plastic mass.
  • the contact surface of the external contact element is provided by the rivet foot region, which is kept free of plastic compound, so that its surface has a contact surface that is accessible from the outside.
  • the rivet foot area can be designed differently and is circular in its embodiment in one embodiment.
  • the outer con Elongated tact area and thus rectangular.
  • the cross section remains riveted.
  • An elongated external contact element can thus have a rectangular external contact surface in the plan, which is formed by the rivet foot, and additionally show a riveted external contact surface due to the rivet-shaped cross section in elevation.
  • the rivet-shaped external contact surface is arranged at right angles to the external contact surface of the rivet base region, the external contact surfaces of the electronic component being located in a further embodiment of the invention in the edge region of the housing made of plastic material.
  • Circular floor plans of the rivet foot are provided as external contact surfaces if, in a further embodiment, the contact surfaces of the semiconductor chip have bond bumps which are bonded directly to the rivet head area of the external contact elements.
  • Such rivet-shaped external contact elements with a circular plan are therefore arranged directly under the semiconductor chip, so that they can be connected to the bumps of the semiconductor chip.
  • the semiconductor chip with its active side, which has a semiconductor circuit is aligned with the external contact elements.
  • a method for producing an electronic component which has external contact elements with a rivet-shaped cross section is characterized by the following method steps: provision of a substrate carrier which has a predetermined arrangement of the external contact elements, application of a plurality of semiconductor chips on the substrate carrier,
  • the flanks of the grown rivet-shaped cross-sections are almost vertical in the rivet shank area and only taper by 2 - 6 ⁇ m at a height of 30 ⁇ m.
  • mushroom or rivet shapes are formed on the system carrier, which guarantee excellent anchoring of the contact connection elements in the plastic compound.
  • the external contact elements can be realized with a wide variety of materials and layer sequences. External contact elements made from pure silver or from pure silver alloys or from layer sequences of gold / nickel / gold or silver / copper / silver can be grown on the base substrate of the system carrier.
  • a separating layer can also be inserted between the base layer and the external contact elements, for example a silver or a gold layer, so that there is a very good etching stop if the base substrate has to be dissolved again by etching.
  • you can also use the components in a later Process step are separated from the base substrate by mechanical processes. Under certain circumstances, a wet chemical etching process can be omitted.
  • the system carrier for a large number of discrete electronic components is advantageously cast over a large area with a plastic mass of uniform thickness to form a plastic plate made of plastic film which has the base substrate on one side.
  • the base substrate Before being separated into electronic components, the base substrate is etched away from the plastic plate, and in the case of an etch stop layer on the external contact elements, this etch stop layer protects the external contact elements from etching and ends the etching process.
  • the plastic plate can be coated with an adhesive film before separation.
  • the sawing technique is used as the separation technique during singling-in.
  • connections are established between contact areas on the semiconductor chip and the external contact element by means of flip-chip technology via bond bumps which are bonded to the rivet head area of the external contact elements.
  • bond bumps which are bonded to the rivet head area of the external contact elements.
  • the external contact elements are arranged correspondingly below the semiconductor chip opposite the contact areas of the semiconductor chip. The simultaneous bonding of all bond bumps is then easily possible on the rivet head areas of the external contact elements.
  • connections between the contact surfaces of the semiconductor chip and the external contact elements are achieved by means of bond wire technology via bond wires.
  • the contact areas of the semiconductor chip are connected to the head region of the external contact elements via the bonding wires.
  • a metallic base can be deposited on the system carrier, onto which the semiconductor chip can be soldered or glued. This has the advantage on the one hand that the semiconductor chip is supported by a metallic base, and on the other hand the advantage that the semiconductor underside has a large-area external contact through the metallic base.
  • the separation of the electronic components depends essentially on the material of the base substrate that was used for the production of the external contact elements.
  • the components can be removed relatively easily without the film having to be dissolved.
  • the carbon layer residues only have to be removed from the electronic component by a simple post-treatment step, which can be done by plasma ashing when the method is carried out.
  • Another possibility when separating the electronic components from a metal-coated plastic film as the base substrate is to remove this plastic film and to etch the metal coating remaining on the component using wet chemical or dry etching. Only when the metal coating tion is removed from the component, the external contact elements are accessible.
  • FIGS. 1-5 show, on the basis of schematic cross sections, essential manufacturing steps of a system carrier of a first embodiment of the invention
  • FIG. 6 shows a schematic cross section through the system carrier of FIG. 5 with an applied semiconductor chip using flip-chip technology
  • FIG. 7 shows a schematic cross section through an electronic component according to a first embodiment of the invention
  • Figure 8 shows a schematic cross section through a
  • Figure 9 shows a schematic cross section through an electronic component according to a second embodiment of the invention
  • Figure 10 shows a schematic cross section through a
  • FIG. 11 shows a schematic cross section through an electronic component according to a third embodiment of the invention.
  • FIG. 1 shows a schematic cross section through a base substrate 11 of a system carrier 5 with an underside 28 and an upper side 29, at least the upper side 29 having an electrically conductive surface 12.
  • This electrically conductive surface 12 can become electrically conductive by coating a plastic film or plastic plate with carbon.
  • a metallic coated plastic plate or plastic film can be used as the base substrate 11 for a system carrier 5.
  • Polyimide, polypropylene or polyethylene can advantageously be used as plastic for a film, while synthetic resins are preferably used as plastic plates.
  • the base substrate is a metallic foil which has an electrically conductive surface 12 on both the underside 28 and on the top 29.
  • the material of this metallic foil of FIG. 1 is a copper alloy with a thickness between 50 ⁇ m and 200 ⁇ m.
  • the base substrate 11 gives the system carrier 5 stability and is only removed after the completion of the electronic components to be arranged and produced on the system carrier.
  • FIG. 2 is a schematic cross section through the base substrate 11 of the system carrier 5 with a closed insulating layer 21.
  • This insulating layer 21 can be a photoresist layer that can be structured photolithographically, or another plastic rail that can be
  • Etching technology is structured by a mask or by laser raster radiation.
  • FIG. 3 shows a schematic cross section through the base substrate 11 of the system carrier 5 of a first embodiment of the invention with a structured electrically insulating layer 18, in which embodiment the u> J tt P 1 P 1 tn o in o U1 o in ⁇ co w Hl ö P ) ⁇ - Hi) IQ ⁇ S ⁇ O rt ⁇ CQ ⁇ PJ O C ⁇ H ⁇ • fl CQ ⁇ i H os; ⁇ ⁇ N CQ CQ
  • P- P- c P Hi 3 h P ⁇ C CQ PMH? ⁇ H CQ tr ⁇ ⁇ P: rt ⁇ ⁇ ⁇ Q? t ⁇ rt PH P- P- 2 i HPWJ ⁇ IQ Hi ⁇ i ri O ⁇ rt CW P-
  • the rivet base area 10 different galvanic baths different material layer sequences for the rivet base area 10, the rivet shank area 9 and / or the rivet head area 8 can be realized.
  • a gold or silver layer can first be deposited in the rivet base region 19 in order to serve as an etching stop for the subsequent separation of the system carrier 5 before being separated into electronic components.
  • the electrically conductive surface 12 of the base substrate 11 or the entire base substrate is made of a base metal than the rivet base region 10 of the external contact elements 6.
  • Other external contact elements have a layer sequence of gold in the base region, nickel in the stem region and head region and a final gold coating on the Head area on.
  • the rivet shank region 9 can, however, also be made of the same material as the electrically conductive surface 12 and, in the transition to the rivet base region 10 of the external contact element, have a nobler separating layer which serves as an etching stop.
  • the base substrate 11 is produced from a copper alloy and the rivet shaft region 9 is likewise produced from a copper alloy and a silver layer is applied in between in the rivet base region 10.
  • electrically conductive material 20 to form external contact elements 6 with a rivet-shaped cross section 7 can also be carried out by metal deposition from the gas phase of organometallic compounds or by electroless deposition of metal ions from a liquid.
  • FIG. 5 shows a schematic cross section through a system carrier 5 of a first embodiment of the invention.
  • the system carrier 5 has a base substrate 11, on which external contact elements 6 are arranged, which show a rivet-shaped cross section 7.
  • the rivet-shaped cross section consists of a rivet base area 10, a rivet shank area 9 and a rivet head area 8.
  • the structured, electrically insulating layer 18 shown in FIG. 4 is removed in FIG ⁇ -5 H 1 ⁇ ! fr rt t P CQ ö 0 ⁇ P ⁇ ⁇ CQ 3 tr LQ rt P. l C ⁇ ⁇ C ⁇ ⁇ «O fd * - P P- ⁇ i
  • P for P- P 0 O P P 1 Hl C ⁇ CO h CQ ri ⁇ rt ⁇ ⁇ in ⁇ tr ⁇ i tr H ⁇ tr P
  • N 1 ⁇ P P H CQ CO 1 0 ⁇ P- 1 ⁇ rt 3 H, 1 P P p. PJ tr
  • ⁇ i ⁇ PJ s C ⁇ P- ⁇ ti 00 £ - PP ID ⁇ P ⁇ * »PP tr 0: ⁇ P rt ii ⁇ i -> C ⁇ ⁇ rt P Pi: rt C ⁇ Pi P- PN ⁇ J tr ⁇ ⁇ in O in rt Hi 0 J ⁇ r ⁇
  • P P tr tr PJ P Ti N LQ P "rt P P N P ⁇ ⁇ CQ Hi 3 ⁇ J P- s- ⁇ P P fr- CQ>
  • ⁇ rt C ⁇ ⁇ PJ IQ ⁇ H, > ⁇ P P- ⁇ O rt CQ C ⁇ O ⁇ PJ C ⁇ ⁇ ⁇ - rt tr LQ
  • Hi P - P *> Hl ⁇ P- rt • fl CQ ⁇ ⁇ LQ rt ⁇ ⁇ rt LQ P ⁇ 0 rt P C ⁇ tr ti
  • the external contact elements 6 are equipped with a circular plan and the saw marks in the plastic plate run completely in plastic, so that the external contact elements 6 only with their rivet foot area 10, that of plastic on the underside 32 of the component 2 is kept free, can be contacted from the outside.
  • FIG. 10 shows a schematic cross section through a system carrier 5 with an applied semiconductor chip 1 according to a third embodiment of the invention.
  • the semiconductor chip 1 is applied directly to the base substrate 11 with its passive side 33.
  • external contact elements 6 are arranged on the base substrate 11 around the semiconductor chip 1, and the rivet head regions 8 are connected to the contact surfaces 22 of the active side 31 of the semiconductor chip 1 via bond wires 27.
  • Such a system carrier 5 is connected with the aid of the housing-forming plastic mass 4 to form a plastic plate with an attached base substrate 11.
  • the base substrate 11, if it consists of a metal foil, is etched away and then the plastic plate is applied to an adhesive foil and then separated into individual components.
  • FIG. 11 shows a schematic cross section through an electronic component according to a third embodiment of the invention.
  • This component is characterized by its extreme flatness, since even the base height h, as shown in FIG. 8, is additionally saved.
  • a disadvantage of this component is that the passive side 33 of the semiconductor chip 1 simultaneously forms the underside 32 of the electronic component. The underside 33 of the semiconductor chip 1 is thus exposed to environmental influences.
  • Treasure 6 are securely anchored in the plastic mass 4 of the housing 3 due to their rivet-shaped cross-section and have a circular plan in their rivet base region 10. on, which provides a circular contact spot as the external contact surface 23.

Landscapes

  • Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
  • Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
  • Wire Bonding (AREA)
  • Mounting Components In General For Electric Apparatus (AREA)
  • Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)

Abstract

Die Erfindung betrifft einen Systemträger (5) für Halbleiterchips (1) und elektronische Bauteile (2), die auf dem Systemträger (5) hergestellt werden. Der Systemträger (5) weist ein Grundsubstrat (11) auf, auf dem Außenkontaktelemente (6) angeordnet sind, die einen nietförmigen Querschnitt (7) zeigen mit einem Nietkopfbereich (8), einem Nietschaftbereich (9) und einem Nietfußbereich (10), wodurch die Außenkontaktelemente (6) in dem Gehäuse aus einer Kunststoffmasse (4) sicher verankert werden.

Description

Beschreibung
Systemträger für Halbleiterchips und elektronische Bauteile sowie Herstellungsverfahren für einen Systemträger und für elektronische Bauteile
Die Erfindung betrifft einen Systemträger für Halbleiterchips und elektronische Bauteile und Verfahren zu deren Herstellung.
Systemträger für Halbleiterchips zum Verpacken der Halbleiterchips zu elektronischen Bauteilen in Gehäusen aus einer Kunststoffmasse müssen hohe Zuverlässigkeit trotz ihrer Massenproduktion erfüllen. Insbesondere, wenn mit Hilfe des Sy- stemträgers Gehäuse entstehen sollen, aus denen keinerlei
Flachleiter als Anschlußstifte oder Anschlußbeinchen heraus- ragen und bei denen das Gehäuse aus Kunststoffmasse nur einseitig den Halbleiterchip und entsprechende Außenkontaktelemente einkapseln soll, so daß die Unterseite des elektroni- sehen Bauteils zumindest im Randbereich aus Außenkontaktele- menten und dazwischen angeordneter Kunststoffmasse gebildet wird. Es besteht dabei die Gefahr, daß sich die Außenkontaktelemente bei der Herstellung oder beim Betrieb des elektronischen Bauteils aus der Kunststoffmasse lösen und damit das elektronische Bauteil unbrauchbar wird.
Deshalb ist es Aufgabe der Erfindung einen Systemträger für Halbleiterchips und elektronische Bauteile anzugeben, der bzw. die Außenkontaktelemente aufweist bzw. aufweisen, die ihre Position in der Kunststoffmasse während der Herstellung und Lebensdauer des elektronischen Bauteils beibehalten.
Gelöst wird diese Aufgabe durch die unabhängigen Ansprüche. Vorteilhafte Weiterbildungen der Erfindung ergeben sich aus den abhängigen Ansprüchen. Erfindungsgemäß weist der Systemträger Außenkontaktelemente auf, die einen nietförmigen Querschnitt aufweisen mit einem Nietkopfbereich, einem Nietschaftbereich und einem Nietfußbe- 'reich, wobei der Nietfußbereich auf einem Grundsubstrat fi- xiert ist, das den Systemträger während der Bestückung mit Halbleiterchips zusammenhält.
In einer Ausfuhrungsform der Erfindung weist das Grundsubstrat eine elektrisch leitende Oberfläche auf. Diese elek- trisch leitende Oberfläche hat den Vorteil, daß zum Aufbau von Außenkontaktelementen auf dem Grundsubstrat eine elektrische Spannung an die elektrisch leitende Oberfläche gelegt werden kann.
Eine derartige elektrisch leitende Oberfläche wird in einer Ausfuhrungsform der Erfindung durch ein Grundsubstrat aus einer metallischen Folie erreicht. Jedoch kann in einer weiteren Ausfuhrungsform der Erfindung das Grundsubstrat aus einer Kunststofffolie mit metallischer Beschichtung bestehen. Eine derartige Folie mit metallischer Beschichtung hat den Vorteil, daß sie relativ leicht in der weiteren Verarbeitung von den auf dem Systemträger zu bildende elektronischen Bauteilen getrennt werden kann.
Bei einer weiteren bevorzugten Ausfuhrungsform der Erfindung weist die Kunststofffolie eine Kohlenstoffbeschichtung auf, wodurch ihre Oberfläche elektrisch leitend wird. Diese Ausführungsform hat den Vorteil, daß derartige Kunststofffolien mit Kohlenstoffbeschichtung sowohl eine ausreichend elek- trisch leitende Oberfläche durch die Kohlenstoffbeschichtung aufweisen, als auch die Trennmöglichkeit des Grundsubstrats des Systemträgers bei der Weiterverarbeitung der Halbleiterchips zu elektronischen Bauteilen erhöhen.
Bei einer weiteren Ausfuhrungsform des Systemträgers weist dieser mehrere Bauelement-Montagebereiche auf dem Grundsubstrat auf. Jeder Bauelement-Montagebereich kann mit- einem Chip bestückt werden, das in einem zentralen Chipträgerbereich des Montagebereichs positionierbar ist . Rund um den Chipträgerbereich können in ihrem Grundriß kreisförmige langgestreckte oder quadratische Außenkontaktelemente mit niet- förmigem Querschnitt in einem definierten Abstand von dem zentralen Chipträgerbereich gruppiert sein.
In einer anderen Ausführungsform sind Außenkontaktelemente mindestens teilweise im Chipträgerbereich angeordnet, so daß ein Halbleiterchip mit Bondhöckern auf den Nietkopfbereichen der Außenkontaktelemente in Flip-Chip-Technologie bondbar ist. Bei einer derartigen Ausfuhrungsform eines Chipträgers können die Bondhöcker eines Halbleiterchips unmittelbar auf den Nietkopfbereich der Außenkontaktflächen angelötet oder aufgeklebt werden, wobei die Außenkontaktelemente durch ihren nietförmigen Querschnitt ausgezeichnet in der Kunststoffmasse verankerbar sind. Ein weiterer Vorteil der im Querschnitt nietförmigen Außenkontaktelemente auf dem erfindungsgemäßen Systemträger ist, daß die Außenkontaktelemente mittels unter- schiedlicher Schichtung von Metallen und Edelmetallen auf die spätere Verwendung des Systemträgers abgestimmt werden kann.
In einer weiteren Ausfuhrungsform der Erfindung ist das Außenkontaktelement auf dem Systemträger aus reinem Silber oder einer Silberlegierung. Das Material Silber hat den Vorteil, daß es keinen die elektrische Leitfähigkeit hemmenden Oxidüberzug bildet, sondern vielmehr einen Silbersulfit-Überzug, der elektrisch leitend ist.
In einer weiteren Ausfuhrungsform der Erfindung ist das Au- ßenkontaktelement auf dem Systemträger aus einer Gold/Nickel/Gold-Schichtfolge aufgebaut. Diese Schichtfolge hat den Vorteil, daß das Gold keine widerstanderhöhende Oxidschicht bildet und die Nickelschicht vollständig von Gold um- schlössen ist, so daß eine lange Lebensdauer der Außenkontaktelemente garantiert ist. Gleichzeitig kann eine äußere Gold- schicht als Ätzstopp beim Vereinzeln eines Systemträgers von Bauteilen dienen.
Bei einer weiteren Ausfuhrungsform der Erfindung sind die Au- ßenkontaktelemente aus einer Silber/Kupfer/Silber- Schichtfolge aufgebaut. Diese Schichtfolge ist preiswerter und hat durch den Einsatz von Materialien mit einem äußerst niedrigen elektrischen Widerstand einen Vorteil gegenüber Außenkontaktelementen aus einer Schichtfolge von Gold/Nickel/Gold.
In einer weiteren Ausfuhrungsform der Erfindung weist der Systemträger einen metallischen Sockel im Chipträgerbereich auf, der in seiner Höhe den Außenkontaktelementen entspricht und in seiner flächigen Erstreckung der Größe des Halbleiterchips angepaßt ist. Dieser Sockel kann aus dem gleichen Material aufgebaut sein wie die Außenkontaktelemente, so daß er gleichzeitig mit den Außenkontaktelementen entstehen kann. Der Sockel hat darüber hinaus den Vorteil, daß er mit der Un- terseite des Halbleiterchips, die keine aktive Schaltung trägt, verlötet oder verklebt werden kann und somit einen Erde- oder Massekontakt für das gesamte elektronische Bauteil nach außen aufweisen kann.
Der Systemträger wird in einer bevorzugten Ausfuhrungsform der Erfindung zur Herstellung elektronischer Bauteile verwendet. Dabei können die Außenkontaktelemente einen kreisförmigen Grundriß aufweisen oder auch langgestreckte oder quadratische Außenkontaktelemente bilden.
Ein Verfahren zur Herstellung eines Systemträgers mit Außenkontaktelementen, die einen nietförmigen Querschnitt aufweisen, hat folgende Verfahrensschritte:
Bereitstellen eines Grundsubstrats mit elektrisch lei- tender Oberfläche,
Aufbringen einer strukturierten elektrisch isolierenden Schicht, welche freiliegende elektrisch leitende Ober- flächenbereiche in der Anordnung der Außenkontaktelemente auf dem Grundsubstrat aufweist,
Aufbringen eines leitenden Materials zum Bilden von Außenkontaktelementen mit einem nietförmigen Querschnitt auf den freiliegenden elektrisch leitenden Oberflächenbereichen,
Entfernen der strukturierten elektrisch isolierenden Schicht .
Dieses Verfahren hat den Vorteil, daß Außenkontaktelemente auf dem Systemträger entstehen, die einen nietförmigen Querschnitt aufweisen und sich aufgrund dieses Querschnitts in der Kunststoffmasse fest verankern, so daß dieser Systemträger gewährleistet, daß sich die Außenkontaktelemente bei den weiteren Verarbeitungsschritten nicht von dem umgebenden Kunststoff delaminieren.
In einer Ausfuhrungsform des Verfahrens wird zunächst eine geschlossene Isolierschicht aufgebracht und diese dann an- schließend mittels Photolack-Technologie zu einer elektrisch isolierenden Schicht strukturiert. Bei der Strukturierung werden beispielsweise nicht belichtete Flächen des Photolak- kes herausgelöst und damit elektrisch leitende Oberflächenbereiche des Grundsubstrats freigelegt.
In einer weiteren bevorzugten Durchführung des Verfahrens wird die strukturierte elektrisch isolierende Schicht mittels Siebdruckverfahren aufgebracht, dabei wirkt vorteilhaft das Sieb als strukturierende Maske, so daß nur in den Bereichen eine isolierende Schicht entsteht, in denen das Sieb nicht maskiert ist.
Bei einer weiteren Durchführung des Verfahrens kann eine zunächst geschlossene Isolierschicht auf dem Grundsubstrat mit- tels Zerstaubungstechnik durch eine Maske hindurch strukturiert werden. Bei dieser Technik, die auch als Sputter- Technik bekannt ist, wird durch hochbeschleunigte gerichtete Ionen die geschlossene Isolierschicht an den Stellen abgetragen, an denen sie nicht durch eine Maske geschützt ist. Dieses Verfahren hat den Vorteil, daß äußerst feine Strukturen mit äußerst gradlinigen Wänden herstellbar werden.
Eine geschlossene Isolierschicht kann in einer weiteren Aus- führungsform des Verfahrens auf dem Grundsubstrat mittels Abscheidung aus der Gasphase durchgeführt werden. Als Gase werden organische Substanzen eingesetzt, die sich an der Ober- fläche einer elektrisch leitenden Schicht zersetzen und einen isolierenden Film auf der Oberfläche bilden.
Eine zunächst geschlossene Isolierschicht kann in einer weiteren Ausfuhrungsform des Verfahrens mittels Plasma- Ätztechnik durch eine Maske hindurch strukturiert werden.
Ähnlich wie bei der Zerstäubungstechnik wird dabei durch die Maske hindurch die darunter liegende Isolierschicht abgetragen, jedoch beschleunigen beim Plasmaätzen chemische Reaktionen den Abtrag der Isolierschicht bis auf die leitende Ober- fläche des Grundsubstrats.
Eine Technologie zum Strukturieren geschlossener Isolierschichten, die vollständig ohne eine Maske auskommt, ist die Laser-Rasterbestrahlung, bei der die isolierende Schicht mit- tels eines abtastenden Laserstrahls, der die Strukturen in die Isolierschicht hineinzeichnet, unter Einwirkung der Laserenergie verdampft wird.
Nachdem eine strukturierte Isolierschicht vorliegt und minde- sten die Bereiche der Oberfläche des Grundsubstrats freigelegt sind, an denen Außenkontaktelemente angeordnet werden sollen, wird nun ein leitendes Material auf die freiliegenden elektrisch leitenden Oberflächenbereiche gebracht. Dabei kann das Material durchgängig aus einer einzigen Legierung beste- hen oder es kann auch schichtweise mit unterschiedlicher Materialfolge aufgebracht werden. Jedoch ist es für die Herstellung des erfindungsgemäßen Systemträgers erforderlich, daß ein leitendes Material abgeschieden wird und dieses leitende Material über die strukturierte Isolierschicht hinaus wächst. Erst dadurch kann sich der erfindungsgemäße nietför- mige Querschnitt für die Außenkontaktelemente ergeben.
Für das Aufbringen eines leitenden Materials stehen mehrere und unterschiedliche Verfahren zur Verfügung. Bei einer Durchführungsform des Verfahrens wird das Aufbringen eines leitenden Materials mittels galvanischer Abscheidung auf den freiliegenden elektrisch leitenden Oberflächenbereichen durchgeführt, bis ein Überwachsen des abgeschiedenen Materials an den freiliegenden Stellen zu einem Nietkopf erreicht ist . Das leitende Material kann aber auch durch Abscheidung aus der Gasphase erfolgen, indem beispielsweise eine me- tallorganische Verbindung über dem Grundsubstrat zersetzt wird und sich das Metall aus dieser Verbindung auf dem Grundsubstrat in den freiliegenden elektrisch leitenden Oberflächenbereichen abscheidet.
Eine weitere bevorzugte Durchführungsform des Verfahrens besteht in dem Aufbringen eines leitenden Materials mittels stromloser galvanischer Abscheidung. Eine stromlose galvanische Abscheidung hat den Vorteil, daß an den Systemträger keine elektrische Spannung gelegt werden muß. Vielmehr wird der Systemträger in das Abscheidebad eingetaucht und mit einer stromlos abgeschiedenen Metallschicht herausgezogen. Beim Ablösen der strukturierten Isolierschicht bilden sich die gewünschten nietförmigen Querschnitte in vorgesehenen Oberflächenbereichen für die Außenkontaktelemente.
Mit den Außenkontaktelementen kann gleichzeitig ein metallischer Sockel im Chipträgerbereich des Systemträgers gebildet werden. Ein derartiger metallischer Sockel hat den Vorteil, daß beispielsweise die Unterseite des Halbleiterchips damit kontaktiert werden kann. Im Prinzip kann mit dem erfindungsgemäßen Verfahren jede beliebige geometrische Struktur auf dem Grundsubstrat abgeschieden werden, die der Bildung von Außenkontaktflächenanordnungen dient. Nach dem Aufbringen des metallischen Materials wird die strukturierte elektrisch isolierende Schicht abgetragen. Dies kann naßchemisch mittels Lösungsmitteln erfolgen oder durch trockene Veraschung in ei- nem Plasma.
Einseitig in einer Kunststoffmasse zu einem elektronischen Bauteil eingegossene Halbleiterchips haben den Vorteil eines äußerst flachen Gehäuseaufbaus, jedoch auch den Nachteil, daß die Außenkontaktelemente, die für die Weiterleitung elektrischer Signale sowie der Stromversorgung des Halbleiterchips erforderlich sind, nicht zuverlässig genug von der einseitig angegossenen Kunststoffmasse gehalten werden können, so daß die Gefahr besteht, daß die elektronischen Bauteile durch Lockern oder Delaminieren der Außenkontaktelemente unbrauchbar werden.
Mit einem erfindungsgemäßen elektronischen Bauteil wird dieses Problem überwunden. Dadurch weist das elektronische Bau- teil einen Halbleiterchip auf, dessen Kontak flächen mit Außenkontaktelementen verbunden sind, wobei der Halbleiterchip mit den Außenkontaktelementen in einer Kunststoffmasse als Gehäuse vergossen ist und mindestens ein Außenkontaktelement einen nietförmigen Querschnitt mit einem Nietkopfbereich, ei- nem Nietschaftbereich und einem Nietfußbereich aufweist, wobei das Außenkontaktelement mit seinem Nietkopfbereich in der Kunststoffmasse verankert ist. Dabei umschließt die Kunststoffmasse den Nietkopfbereich derart, daß der Nietschaft vollständig fixiert in der Kunststoffmasse angeordnet ist.
Die Kontaktfläche des Außenkontaktelementes bietet in einer weiteren Ausfuhrungsform der Erfindung der Nietfußbereich, der von Kunststoffmasse freigehalten ist, so daß seine Oberfläche eine von außen zugängliche Kontaktfläche aufweist. Der Nietfußbereich kann unterschiedlich gestaltet werden und ist in einer Ausführungsform in seinem Grundriß kreisförmig. In einer anderen Ausgestaltung der Erfindung ist die Außenkon- taktfläche langgestreckt und damit rechteckförmig. Der Querschnitt bleibt dabei jedoch unverändert nietförmig. Ein langgestrecktes Außenkontaktelement kann somit im Grundriß eine rechteckige Außenkontaktfläche, die von dem Nietfuß gebildet wird, aufweisen und zusätzlich eine nietförmige Außenkontakt- fläche aufgrund des nietförmigen Querschnitts im Aufriß zeigen.
Dabei ist in einer Ausführungsform der Erfindung die nietför- mige Außenkontaktfläche rechtwinklig zu der Außenkontaktfläche des Nietfußbereiches angeordnet, wobei sich die Außenkon- taktflächen des elektronischen Bauteils in einer weiteren Ausfuhrungsform der Erfindung im Randbereich des Gehäuses aus Kunststoffmasse befinden.
Kreisförmige Grundrisse des Nietfußes sind als Außenkontakt- flächen vorgesehen, wenn in einer weiteren Ausfuhrungsform die Kontaktflächen des Halbleiterchips Bondhöcker aufweisen, die unmittelbar auf den Nietkopfbereich der Außenkontaktele- mente gebondet sind. Derartige nietförmige Außenkontaktelemente mit kreisrundem Grundriß sind deshalb unmittelbar unter dem Halbleiterchip angeordnet, so daß sie mit den Bondhöcker des Halbleiterchips verbunden werden können. Dazu ist der Halbleiterchip mit seiner aktiven, eine Halbleiterschaltung aufweisenden Seite zu den Außenkontaktelementen ausgerichtet.
Ist der Halbleiterchip mit seiner keine Halbleiterschaltung aufweisenden passiven Seite zu den Außenkontaktelementen ausgerichtet, so kann die passive Seite des Halbleiterchips von Kunststoffmasse freigehalten sein und teilweise die Unterseite des Gehäuses bilden. Diese Ausfuhrungsform der Erfindung hat den Vorteil, daß äußerst flache elektronische Bauteile verwirklicht werden können. In diesem Fall werden die Kontaktflächen des Halbleiterchips über Bonddrähte mit den Kopf- bereichen der Außenkontaktelemente verbunden. Ein Verfahren zur Herstellung eines elektronischen Bauteils, welches Außenkontaktelemente mit nietförmigen Querschnitt aufweist, ist durch folgende Verfahrensschritte gekennzeichnet : - Bereitstellen eines Substratträgers, der eine vorbestimmte Anordnung der Außenkontaktelemente aufweist, Aufbringen mehrerer Halbleiterchips auf dem Substratträger,
Herstellen von Verbindungen der Kontaktflächen des Halb- leiterchips mit Außenkontaktelementen,
Vergießen des Systemträgers mit aufgebrachten Halbleiterchips und den Verbindungen zwischen Kontaktflächen des Halbleiterchips und Außenkontaktelementen zu elektronischen Bauteilen mit Gehäuse aus einer Kunststoffma- sse,
Vereinzeln der auf dem Systemträger mit Kunststoffmasse als Gehäuse hergestellten elektronischen Bauteile.
Mit diesem Verfahren hergestellte Bauteile haben folgende Vorteile:
Die Flanken der aufgewachsenen nietförmigen Querschnitte sind im Nietschaftbereich nahezu senkrecht und verjüngen sich lediglich um 2 - 6 μm auf einer Höhe von 30 μm. Durch Überwachsen der elektrisch isolierenden Schicht des Systemträgers entstehen auf dem Systemträger Pilz- oder Nietformen, die eine hervorragende Verankerung der Kontaktanschlußelemente in der Kunststoffmasse garantieren. Die Außenkontaktelemente können mit den verschiedensten Materialien und Schichtfolgen realisiert werden. Es können Außenkontaktelemente aus reinem Silber oder aus reinen Silberlegierungen oder aus Schichtfolgen von Gold/Nickel/Gold oder Silber/Kuper/Silber auf dem Grundsubstrat des Systemträgers aufgewachsen werden. Es kann auch eine Trennschicht zwischen der Grundschicht und den Au- ßenkontaktelementen eingefügt werden, z.B. eine Silber- oder eine Goldschicht, so daß sich ein sehr guter Ätzstopp ergibt, wenn das Grundsubstrat durch Ätzen wieder aufgelöst werden muß. Es können jedoch auch die Bauteile in einem späteren Verfahrensschritt durch mechanische Prozesse vom Grundsubstrat getrennt werden. Ein naßchemischer Ätzprozess kann unter Umständen entfallen.
Bei einer Durchführung des erfindungsgemäßen Verfahrens wird vorteilhaft der Systemträger für eine Vielzahl von diskreten elektronischen Bauteilen mit einer Kunststoffmasse in gleichförmiger Dicke großflächig zu einer Kunststoffplatte aus Kunststofffolie vergossen, die einseitig das Grundsubstrat aufweist.
Vor einem Vereinzeln zu elektronischen Bauteilen wird das Grundsubstrat von der Kunststoffplatte weggeätzt, wobei im Falle einer Ätzstoppschicht auf den Außenkontaktelementen, diese Ätzstoppschicht die Außenkontaktelemente vor einem Anätzen schützt und den Ätzvorgang beendet.
Damit die Vielzahl der elektronischen Bauteile beim Vereinzeln der Kunststoffplatte zu diskreten elektronischen Bautei- len mit Kunststoffgehäuse nicht durcheinanderwirbeln und geordnet und ausgerichtet bleiben, kann die Kunststoffplatte vor dem Vereinzeln mit einer Klebefolie beschichtet werden.
Als Trenntechnik während des Vereinzeins wird in einer Aus- führungsform der Erfindung die Sägetechnik eingesetzt.
Bei einer weiteren Durchführungsform der Erfindung erfolgt das Herstellen von Verbindungen zwischen Kontaktflächen auf dem Halbleiterchip und dem Außenkontaktelement mittels Flip- Chip-Technologie über Bondhöcker, die auf die Nietkopfberei- ehe der Außenkontaktelemente gebondet werden. Dazu ist es erforderlich, daß die Außenkontaktelemente entsprechend unterhalb des Halbleiterchips gegenüber den Kontaktflächen des Halbleiterchips angeordnet werden. Das gleichzeitige Bonden aller Bondhöcker ist dann auf den Nietkopfbereichen der Außenkontaktelemente ohne weiteres möglich. Bei einer anderen Durchführung des Verfahrens wird das Herstellen von Verbindungen zwischen Kontaktflächen des Halbleiterchips und den Außenkontaktelementen mittels Bonddraht- Technologie über Bonddrähte erreicht. Dazu werden die Kon- taktflächen des Halbleiterchips über die Bonddrähte mit dem Kopfbereich der Außenkontaktelemente verbunden. Beim anschließenden Vergießen mit einer Kunststoff- oder Kunstharz- masse werden nicht nur die Bonddrähte hervorragend von der Kunststoff- oder Kunstharzmasse umschlossen sondern auch das Außenkontaktelement durch seinen nietförmigen Querschnitt sicher in der Kunststoffmasse verankert. Gleichzeitig mit den Außenkontaktelementen kann auf dem Systemträger ein metallischer Sockel abgeschieden werden, auf den das Halbleiterchip gelötet oder geklebt werden kann. Dies hat einerseits den Vorteil, daß das Halbleiterchip von einem metallischen Sockel gestützt wird, und andererseits den Vorteil, daß die Halbleiterunterseite durch den metallischen Sockel einen großflächigen Außenkontakt aufweist.
Das Vereinzeln der elektronischen Bauteile richtet sich im wesentlichen nach dem Material des Grundsubstrats, das für die Herstellung der Außenkontaktelemente verwendet wurde. Beim Vereinzeln der elektronischen Bauteile von einer kohlenstoffbeschichteten Folie, die als Grundsubstrat eingesetzt wurde, können die Bauteile relativ einfach abgezogen werden, ohne daß eine Auflösung der Folie erforderlich ist. Lediglich durch einen einfachen Nachbehandlungsschritt müssen die Koh- lenschichtreste von dem elektronischen Bauteil entfernt werden, was bei einer Durchführung des Verfahrens durch Plasma- Veraschung erfolgen kann.
Eine andere Möglichkeit beim Vereinzeln der elektronischen Bauteile von einer metallbeschichteten Kunststofffolie als Grundsubstrat besteht darin, diese Kunststofffolie abzuiehen und die auf dem Bauteil verbleibende Metallbeschichtung naßchemisch oder trocken zu ätzen. Erst wenn die Metallbeschich- tung von dem Bauteil entfernt ist, sind die Außenkontaktelemente zugänglich.
Bei einer weiteren Durchführung des Verfahrens wird beim Ver- einzeln der elektronischen Bauteile von einer metallischen Folie als Grundsubstrat diese metallische Folie vollständig durch Naß- oder Trockenätzen entfernt. Damit liegen nach dem Entfernen des metallischen Grundsubstrats die Bauteile einzeln vor, sofern sie nicht zu einer Kunststoffplatte vergos- sen wurden, sondern in Einzelkavitäten hergestellt sind, und können unmittelbar ohne weiteren Bearbeitungsschritt eingesetzt werden.
Die Erfindung wird nun anhand von Ausfuhrungsformen mit den beiliegenden Figuren näher erläutert.
Figuren 1 - 5 zeigen anhand von schematischen Querschnitten wesentliche Herstellungsschritte eines Systemträgers einer ersten Ausfuhrungsform der Erfindung, Figur 6 zeigt einen schematischen Querschnitt durch den Systemträger der Figur 5 mit einem aufgebrachten Halbleiterchip in Flip-Chip-Technologie,
Figur 7 zeigt einen schematischen Querschnitt durch ein elektronisches Bauteil gemäß einer ersten Ausfüh- rungsform der Erfindung,
Figur 8 zeigt einen schematischen Querschnitt durch einen
Systemträger mit aufgebrachten Halbleiterchip gemäß einer zweiten Ausführungsform der Erfindung,
Figur 9 zeigt einen schematischen Querschnitt durch ein elektronisches Bauteil gemäß einer zweiten Ausführungsform der Erfindung, Figur 10 zeigt einen schematischen Querschnitt durch einen
Systemträger mit aufgebrachtem Halbleiterchip gemäß einer dritten Ausführungsform der Erfindung, Figur 11 zeigt einen schematischen Querschnitt durch ein elektronisches Bauteil gemäß einer dritten Ausführungsform der Erfindung. Figur 1 zeigt einen schematischen Querschnitt durch ein Grundsubstrat 11 eines Systemträgers 5 mit einer Unterseite 28 und einer Oberseite 29, wobei mindestens die Oberseite 29 eine elektrisch leitende Oberfläche 12 aufweist. Diese elektrisch leitende Oberfläche 12 kann durch Beschichten einer Kunststofffolie oder Kunstoffplatte mit Kohlenstoff elektrisch leitend werden.
Als weitere Alternative kann als Grundsubstrat 11 für einen Systemträger 5 eine metallische beschichtete Kunststoffplatte oder Kunststofffolie eingesetzt werden. Als Kunststoff kann in vorteilhafter Weise für eine Folie Polyimid, Polypropylen oder Polyethylen eingesetzt werden, während als Kunststoff- platten vorzugsweise Kunstharze verwendet werden. In der Aus- führungsform der Figur 1 ist das Grundsubstrat eine metallische Folie, die sowohl auf der Unterseite 28 als auch auf der Oberseite 29 eine elektrisch leitende Oberfläche 12 aufweist. Das Material dieser metallischen Folie der Figur 1 ist eine Kupferlegierung von einer Dicke zwischen 50 μm und 200 μm.
Das Grundsubstrat 11 gibt dem Systemträger 5 eine Stabilität und wird erst nach Fertigstellung der auf dem Systemträger anzuordnenden und herzustellenden elektronischen Bauteile entfernt.
Figur 2 ist ein schematischer Querschnitt durch das Grundsubstrat 11 des Systemträgers 5 mit einer geschlossenen Isolierschicht 21. Diese Isolierschicht 21 kann eine Photolackschicht sein, die photolithographisch strukturierbar ist, oder eine andere Kunststoffschient', die mittels Plasma-
Ätztechnologie durch eine Maske oder durch eine Laserrasterbestrahlung strukturiert wird.
Figur 3 zeigt einen schematischen Querschnitt durch das Grundsubstrat 11 des Systemträgers 5 einer ersten Ausführungsform der Erfindung mit strukturierter elektrisch isolierender Schicht 18, wobei in dieser Ausfuhrungsform die ge- u> J t t P1 P1 tn o in o U1 o in π co w Hl ö P) Ω- Hi ) IQ ≥S Φ O rt Φ CQ Φ PJ O CΩ H Ω •fl CQ Ωi H o s; ≤ ≤ N CQ CQ
P> Ω C P> r P) a H, c Φ P- P- tr Φ P rt p: r Ω t p, P- rt Φ O tr P- φ p: p: Ω Ω
P 13- P P Φ CQ P> tΛ <! P φ a Φ P rt H Φ CQ φ tr p: tQ φ 3 CQ Φ Ω P- K. H tr tr
P P- iQ P P- QJ rt tr O Ω. rt φ H Ω, CQ C H P- J P P: 3 Hi Hi Dl Ωi P- rt Ω P> P- φ H Φ Q P Hi Φ rt ?? rt φ Hi Ω Ωi rt Ω H c-- Hi Φ Φ Φ Ω O T N O. P- d CΩ CQ H IQ P Ω Φ rt H tr Hi C H ri φ tr P1 P 0 tr CQ
P- rt S Φ Hl Ω Φ Φ tr TJ P): 2 tr C P- φ 0J: rt IQ P: ^ ): P: P- ri P): P h rt CΩ
CΩ P- H IQ r > tr P- CQ Φ P> P- Ω p) rt h CQ Ω φ tr IQ P IQ P: Ω P: ≤ <! Φ rt H CQ Ω Φ Ω Φ P1 Hi tr rt P- Ω rt tr H tr CQ N φ Ωi φ P tr Ωi P Φ Φ P- P
. 00 Ω tT P P- CΛ PJ tr tr Φ rt N Φ Φ Φ Φ tr f φ CD ii rt φ CQ j Φ Φ Ωi P1 CO Φ - P φ c φ φ tf tr V K P- P- P P) ü P- Ui C φ CQ CΩ Ω P rt ro Φ Φ M Φ IQ P m to P rt φ & P- P rt j CQ tr C Ω ) IQ tr IQ Hi & tr Φ ~
Φ H P P1 P Φ ? IQ φ f K rt Φ ) Φ Φ Ω Φ P tr rt rt P) CD rt o Φ TJ Φ rt CQ
P- Ml Φ P 0 Φ H P P- φ Hi P. P P P- tr P rt P: rt - r P. tr er N Ω. O
O α ^ Φ P tr o CQ P- o= Φ P- rt Φ Φ M Φ Hi 3 Φ o Φ Ω. C P-
P- Φ rt P1 CL. rt P- 3 Ω Ω H P- N3 Φ Φ Φ j P- PJ H. P* P- N PJ P: P- rt M P- P Φ P-
Φ IQ H. H φ Φ P) P1 *" P- tr tr 3 Ω σ rt P1 P φ Ω P P C rt 3 Ωi Ω 0 P- φ IQ φ
3 φ o ; Q ? Ω. P> φ P- tr Hi Φ P P- tr Hi CQ 3 Φ tr φ tr Ω 3 f
P CQ T rt rt Φ a rt u> U3 Φ P> o= ^ Φ rt φ rt P- P H. H J H. Φ ) tr CQ Ω P- CQ
M rt H Φ Φ rt a Hi φ Φ P H rt P Φ P Ωi H rt P- H P Ω rt rt Φ rt Ω
P. ) P- P- c: P Hi 3 h P Φ C CQ P M H ? Φ H CQ tr φ ≤ P: rt ω φ Φ Q ? tΛ rt P H P- P- 2 i H P W J Ω IQ Hi Ωi ri O φ rt C W P-
P) ^ P- Ω - 3 Φ H tr Φ Ω, a O C IQ ω P) Φ ω rt P: tr φ c-- P- Hl CΩ *τ) P- Ω rt CΩ rt Φ tr rt Φ P- φ Φ a P- • Φ Φ Ω rt 3 Hi C Hi Φ P p. Φ P- φ tr rt tr tr ri C P> H. P P P- H Ω. Φ φ P f tr Φ P) H. r 3 CQ P P Hi C O Hi rt
0 0) H φ P- rt » Q Φ φ P- rt α H. S Φ P- Ω- P> φ Φ Ω. rt ri P- H rt Φ h £ P- P φ CQ Hi P- P a ? P- Hi P- P- P) H. P- Φ φ rt P- P p: CQ Φ Φ P- O t
O Ω Φ P- Ω Hi l_J. 0= Ω φ 0 φ H C CΩ P) rt IQ p. H P- P P rt P- tr Φ Φ P1
P P* P- O rt tr P* Φ H tr o P Ό CQ Φ φ o P1 φ φ P- rt to φ CΩ tQ Φ P» p. i P-
3 rt α. Φ P. 3 tr HI 0 P- p. P-1 H tr Φ Φ Φ Ω rt tr P- Hl rt Ω P
< 0) Φ Φ P a P- P» Φ P. tr H CQ P- : P- ^ IQ tr φ Φ s: Φ Φ Φ ;v φ Φ
Φ t-1 P H Ωi Φ Ω. P) IQ o P, c Φ P- Ω φ o P) P> φ Φ Φ ri r-> Φ P IQ H Φ ri H h CQ Φ P- Φ Ω Hi l H P Φ tr H Ω P Φ ^ P CQ P1 p. Φ P- CQ
Hi Φ Ωi P rt P tr o P) Ω Φ P- IQ P φ c-- tr Ωi P1 rt rt Φ Ωi P CQ P ^
P> w I-1 C Φ Ω- C P): tr P- φ Φ P- P tr t rt Φ Φ H. o φ P Φ P> Ωi P- 0 P- P- P-
P" Φ P. O a CO iQ φ Hl Ω Ω rt P rt Ω, φ o Φ P t^ P- c P CΩ φ Φ P Ω IQ
P, φ Ω tr D *< φ H tr Ω tr Hi rt φ ri • P rt ω φ > > CQ P- tr 0
Φ ^ rt tr Φ Φ CQ 0 Φ P- o= Φ P Φ •-! Ω H c C P- Φ φ n Φ Ω rt 1-S
P rt H. ri a rt 3 ö P φ CD >i P Hi Ω- ö > P- tr CQ CQ tΛ P- P P-1 Φ φ
H. P- IQ Hl Φ φ ) Φ tr - 3 c-- CΩ P) C C Φ CQ Ω Hl Φ φ φ P, Φ P tQ to
^ O CΩ P> 3 3 rt P H Φ CΩ P- Φ p. Ω CQ H. CΛ ^ Ω tr P:= P * φ P Φ
0= Mi Ω H" P): P) rt U3 H. rt Φ CQ tr Ω φ rt tr Φ P tr ? O H rt P- Ωi öd N Φ
P 0 £f Ω rt P> P- IQ Ω Φ r P- Φ Φ Ω, P- ≥! t P H. P- P- ri o tr P p. Ω Φ Φ Φ P-
P M. P> tf Φ PJ: Q φ H P- C P ? ) Ω P- ^ P- P- rt rt p: P Φ P- tr p, P- p
Φ 3 P- P Φ f-i IQ Ω CQ c: Ω Φ rt Q r <J ö: O CQ ω Φ rt P rt H CQ Φ CΩ Φ IQ Φ
P <; CQ P- a P- φ tr rt P tr rt P C H rt φ er P Ω o P IQ P) Hi P- Ω - Ω P- rt
Φ 0 CQ tr ) H. φ K p. Φ c: Φ P- Φ P) Φ rt tr Ωi Ωi IQ φ tr tr Ω Φ TJ α, P. Ω φ H, φ p. CQ H CQ H1 H P: i P> P- Φ p: Hi rt P>= m Ω. P- tr P tr c Hl P- tr p. CQ oi Ω P- H P)= CQ Ω φ oo ≤ ^ P-1 φ P H. o Φ Ω φ P- Ω Φ 0
H ) Φ Φ • Λ VD Ω. Ω tr ) P) rt φ H Ω H tr H Φ Φ tr P TJ rt
Ω PJ H P- l P^ rt Φ t rt tr o Ω Φ P- Φ O tr 3 Φ Φ P- rt tr O tr H, Φ S Ω O Hi 0. ri Φ P H H P- tr rt P tr 3 φ rt tr tr O
Φ P tr o O Φ φ P P- φ P- P Ωi CQ Φ Φ i Φ Ωi φ Φ & P. Φ Φ H Φ rt P> c P Ω, CQ Φ PJ H. Ω, ω H Hi Hi rt P- CQ P) Φ Φ 3 P Φ H 0) P- P Φ CΩ P P- oo O Ω
P φ Ω c D Φ r 0= rt rt Ω c: H P Φ Ωi H Hi CΩ P rt H rt Ωi 3 P- 3 ? rt P tr H Hi Φ H. ≥! •xl Φ P, Φ tr CQ P Φ φ Φ Φ Φ Φ PJ Ω p) 1
Φ Φ Φ O H P- P- P- 3 ≤ P - Di rt P P): CQ P- P W P: tr CQ
H. 1 P- Ω- c Λ φ IQ P" P- Φ Ω- Φ Φ Ω PJ Ω P Hi rt
1 1 P- a w c: rt C P- IQ H- Φ φ CO P tr CΩ p: tr rt 1 Φ φ φ CQ P) - Φ "< Hi Φ 1 rt
1 1 H. Φ Φ CQ . P P P rt 1 σ\
schiedliche galvanische Bäder unterschiedliche Material- schichtfolgen für den Nietfußbereich 10, den Nietschaftbereich 9 und/oder den Nietkopfbereich 8 realisiert werden. So kann beispielsweise im Nietfußbereich 19 eine Gold- oder Sil- berschicht zunächst abgeschieden werden, um als Ätzstopp für das spätere Trennen des Systemträgers 5 vor einer Vereinzelung in elektronische Bauteile zu dienen. In diesem Fall wird die elektrisch leitende Oberfläche 12 des Grundsubstrats 11 oder das gesamte Grundsubstrat aus einem unedleren Metall hergestellt als der Nietfußbereich 10 der Außenkontaktelemente 6. Andere Außenkontaktelemente weisen eine Schichtfolge von Gold im Fußbereich, Nickel im Schaftbereich und Kopfbereich und eine abschließende Goldbeschichtung auf dem Kopfbereich auf. Der Nietschaftbereich 9 kann aber auch aus dem gleichen Material wie die elektrisch leitende Oberfläche 12 hergestellt sein und im Übergang zum Nietfußbereich 10 des Außenkontaktelementes eine edlere als Ätzstopp dienende Trennschicht aufweisen. In einem Ausführungsbeispiel wird das Grundsubstrat 11 aus einer Kupferlegierung und der Niet- schaftbereich 9 ebenfalls aus einer Kupferlegierung hergestellt und dazwischen im Nietfußbereich 10 eine Silberschicht aufgebracht .
Das Aufbringen von elektrisch leitenden Material 20 zur Aus- bildung von Außenkontaktelementen 6 mit nietförmigem Querschnitt 7 kann auch durch Metallabscheidung aus der Gasphase von metallorganischen Verbindungen oder durch stromloses Abscheiden von Metallionen aus einer Flüssigkeit erfolgen.
Figur 5 zeigt einen schematischen Querschnitt durch einen Systemträger 5 einer ersten Ausfuhrungsform der Erfindung. Der Systemträger 5 weist ein Grundsubstrat 11 auf, auf dem Außenkontaktelemente 6 angeordnet sind, die einen nietförmigen Querschnitt 7 zeigen. Der nietförmige Querschnitt besteht aus einem Nietfußbereich 10, einem Nietschaftbereich 9 und einem Nietkopfbereich 8. Die in Figur 4 gezeigte strukturierte elektrisch isolierende Schicht 18 ist in Figur 5 entfernt, so ϊ-5 H1 <! fr rt t P CQ ö 0 Φ P Φ Ό CQ 3 tr LQ rt P. l CΩ Ω CΩ ►« O fd *- P P- Ωi
PJ 0= φ φ ) ) P Ω P- tr P- Φ P- P1 φ P- Φ p. P P P> P- H Φ tr rt P- Ωi φ J P P Φ PJ tΛ CΩ P P- P Ωi tr Φ P P P J P- rt M P) H H ^ Ω P- P- Φ iQ Φ P- P P- CΛ
P): φ tr rt rt φ φ Ω CΩ rt rt Ω Ω rt tr N P »d 3 P P. tr P Ωi Ω r P P1 - tr Φ 3 P- Φ p. Ω rt P- Φ H tr tr cn Hi rt P φ rt P. φ P- tr
N φ φ P- P φ G φ P tr Φ LQ P- cn rt φ H f cd Φ P- Φ φ 0 P- N CQ P1 Λ tΛ Φ P P- P - P Φ 3 OJ: rt Ωi P>= cn O < P- φ CΩ Φ
P Ω. tr p Ω Φ rt fr rt P Ωi P- 3 Φ P) 3 P P- Ω - Φ Φ P- LQ P o P φ P-
Φ Φ P tr Ω. rt Φ CΩ φ P- 3 P Mi rt tr P P- P φ N i P P- p. P tSJ p, P P): P- < Φ H, p. Φ P tΛ P- rt Hl E Φ Z P H. Φ tr W P Φ
Ωi Ω Ω 0 CQ φ P- CΩ P tr rt Φ CΩ ) 0= Ωi P 0 Φ *n P- 0= ^ J φ CQ LΠ i φ tr tr P tr CΩ Ό rt CQ - Φ Ό Ωi P-1 rt Φ tr P in LQ Ω 0 -1 H. φ P- CΩ rt P) O Ω P P- rt LQ P- H P- tr Φ 3 to Φ tΛ Φ P- rt - P tr P- CQ ω
P Φ ^ rt φ Ωi Ω tr P- IQ p < P1 P P- Φ P t P- Φ O Ωi Φ rt M LQ rt •^ φ rt 0 rt P- tr tr rt Φ P) Φ Φ Φ rt φ P φ 1 Φ Φ ri J φ P: Φ CΩ P
Hi <J tr Ω. Φ Φ N rt h P- N ≥! P- <! P- Ωi Ωi ^ X O H. P- P P- P rt
Φ Φ P- P CΩ < Ω Φ P Φ LQ Ω LQ P- rt Φ φ φ P- O rt tr P ei rt Φ CQ p, P, Φ Φ Φ O P- P- P P- H O tr ^ P Φ Φ rt LQ φ P ι-i P- ^ Φ P- Hi Φ Ul 3 Ω
P tr P « P P. Φ rt IQ P M CQ Hi P tΛ rt ri tr rt P- » P- P P ri P rt tr
Φ CQ W p: Φ CΩ CQ CQ 0= P <! W Ω P O ffi rJ P> CQ 1 LQ P): Ω LQ CΩ φ
P Φ rt P P (Q 0 P •ö Φ Φ Φ P CQ Φ 0 tr P Ό P) O ^ Ω H3 P CΩ V Ω tr Φ Mi PJ= 3
P- O P CQ Φ Ωi P Ω H P- P- P 3 rt *α P- Ω. P rt tr Φ P. Ω r-> tr P- N P= LQ J tr Hi CΩ rt P" φ tΛ Φ O rt P P- CQ Hi Hi *Ö φ tr tr Ω. Φ φ Ω t P- Φ >d Φ tr Φ rt tu Φ Hi rt CΩ o= H Φ tr P- CO s- LQ rt P) tr P Φ tr P" tr Ul Φ •d P P- p. P-
Φ P CΩ CQ rt CQ P O LQ φ φ O tr φ M p, φ o= Φ CΩ P 3 1 3 LQ P CO CΩ
P- Ω rt 0 rt tr *- tr φ Φ P- H Φ Hi p. H, CQ Φ P- Ω 3 Ω 0 3 P» Q P P- rt Ω
3 φ tr 0 Hi Φ O Φ 3 rt Ωi P- Hi Φ φ P- P- rt W Φ tr P-1 P- rt tr P rt Φ LQ in tr
P- Hi Hi $, P- P p. φ t
O P PJ P S P- Φ P 3 P P- P) P Ω Φ Φ P P> O r P- P- Ωi CQ φ
-2j 2 Ω Hi Hi φ 3 rt Mi LQ P Φ PJ Ω P tr H P. tr LQ CQ •d Φ fd Mi N P
P) Φ tr Hi " 3 CΩ CΩ P tr P • Ω Φ rt P- Φ Ω 1 P- Φ o Φ tΛ rt rt 0 Ω. < fr P): 0= TJ Ω- < CO P Φ CD tr H P P: φ P- tr H PJ P P- P p- IO
OJ: PJ P- Φ φ rt Ω IQ H Φ ö P- Φ rt P σ P- cn P • P Φ Φ ri Φ tr g LQ P rt N P- Φ P P Φ tr P- P P> φ Φ CD P) Φ Ωi Ό - cn LQ Φ P Ω P) P. φ rt φ
N r-> P Φ P φ Φ P- rt tr 0 p. Ω M Φ CQ ö 3 B* P Φ • H. φ Ul P- Φ Ω N CΩ φ N Ω Ωi tr ri P φ Hl Φ <! P- CΩ
P Ω 0 P) Φ tö P 3 H tr P •ö P- p) Φ Φ φ CΩ H P- Φ P H ) P O P o P ö Ω tr X r P φ N Φ to P P, tr P P- H ^ Φ CQ Hi P Φ P) rt P φ Φ tr
P- P- P- IS1 IQ P- φ P £ CQ P- tr P φ CΩ P p) K Hi O P CΩ P p. P
CQ Ω Ωi P P- rt P- rt Φ N Φ 3 rt tΛ P N CΩ Φ P) LQ CΩ LQ LQ •d P- rt tr P- N tr fr P Φ Φ H tsi LQ < P p. c Φ Φ LQ P • ; P- Φ Ω P- Φ ri P fr" !2! rt rt φ P- rt 0 CΩ Ωi Φ IQ h 0 tΛ ! 3 P Φ P CQ CΩ tr tr tr Φ tr φ CΛ r P- rt
Φ P. φ tr Ω. cn • CΩ P Φ P Φ CΩ φ P rt o P)= rt Φ t P ri Ω Φ Φ φ
CΩ Ωi φ tr CΩ Φ Ω tΛ P P- *Ö P Hl ri o H Ω Φ P Φ J P- P) PJ tr P P- rr Pi
P P Φ P- φ P H ^ <! N m P H ; P1 Pi: P Ωi tr 3 Ωi P- Ω rt P Ω Φ ? CQ Hl P
< K P Ω P P P P: 0 rt P> φ P- O o= LQ rt P CΩ rt Φ rt tr rt Hi tr P 0 Mi P p,
0 Ω P tr CQ Φ rt P P p. ti rt P rt Φ ) Φ rt ri P Φ rt P rt Ωi p o= Λ Ω
P tr P p rt P1 Φ Ωi CΩ LQ Ωi tr N rt Φ ? rt P): p, Φ Ωi Φ Φ rt P, tr tr
Ωi P Ωi 0 Φ H CΩ rt PJ P) P1 « LQ PJ P rt P> LQ P> Ω P P ; P PJ J 3 Φ tr •-3 Ω- P- Hi *- Φ P CΩ P CΩ φ P P oi Φ CΩ P Φ W tr H, 3 P fr P- p, Φ
Φ P. Ω, φ Hi rt P- tr rt CQ P- P ta rt P- Hi p. rt P- ü Ω tr< LQ rt LQ Φ P-
CΩ 0 P) l p P CΩ 0 - LQ rt CQ Hi Φ Φ 3 Φ P CO P- O P) f P , 0= φ Φ Φ P- P
0 Ω 3 P) 2 0 PJ rt Hi φ Φ rt O ri P- 3 Ωi i <! • rt o P Ω φ
P fr P- P 0= O P P 1 Hl CΩ CO h CQ ri Φ rt Φ Φ in Φ tr Ωi tr H Φ tr P
Ωi Φ rt P LQ Ωi P- P> iQ O Ω Ω rt 3 3 cd P P P Φ PJ= 3 Ω φ P P1 Φ CΩ Φ rt Φ tr tr 0 φ O Pi rt P- P» P- φ P P Φ H. P> •^ ii 1 J i P- » Ω p. CQ tr Pi P1 P- Hi Φ P P P Φ P t P CΩ CΩ P- Φ P P σ φ
Φ P P- Ω tr P): P) 0 TJ Hi P- rt Ω. Hl 0 CΩ φ rt rt CΩ φ rt rt P P-
3 0 Hi φ tr 3 Φ fr" H P tΛ CQ CO 1 P Φ tr LQ cn ^ P LQ P- Φ • ; P Φ Φ Ωi tr
N 1 φ P P H CQ CO 1 0= φ P- 1 Φ rt 3 H, 1 P P p. PJ tr
Φ P 1 4 Φ Φ σι X3 1 1 1 Φ P- 1 P- rt Φ p. 1 N CQ 1 rt cn Λ 1
) U> to to H H
Ul o Ul o Ul O LΠ
1 1 1 1 1 1 μ 1 1 1 1 φ φ 1 -rl -H Φ Φ μ Φ 1 Φ •H Φ , 0 φ •H
1 -ri φ B co φ 1 CQ μ fd CO <3 tn μ -rl r- 00 ε rH tn r-i T) 00 MH
Φ :r 1 40 P 1 PJ CQ M :fd =rd fd Λ H u Φ 40 rH 0 rd μ =rd P n 40 Xi CQ TJ ; ε rH xi 40 xi Φ td Φ Ωi P. ε μ J CQ CQ J CQ rd fd 40 Φ IM fd N l P. •H Φ O •rl =P ttf ε Ö •H Φ Φ 40 P rH 40 Φ S 40 o £ C TJ X 40 0 •H S M-l P 4H •rl Xi 0. n ε LO < Φ r-i f ω Φ Φ H ε •H H
^ Φ O o Pl -H Φ CQ «M Φ C -H Φ M H P •ϊ ε 40 Φ
Λ Φ B - o Φ φ μ • P 0 Φ H 40 μ μ ü fd fd CQ ε 00 rH CQ o υ T) 40 P! U M CQ Ti Φ Pl φ 40 TJ μ CQ P Φ 0 40 T) CQ Ω4 Φ u P. ω =fd •H < Φ Φ 0 o Λ P CQ μ =P Λ Ω. tn τi CO Φ co 0 Φ Tl fd
«M fd P Tl 40 •rl -M υ -H co -H ε •H
O rH Φ Ti P! Φ P ε P Ti 00 μ Φ -0
« m M rH •H «53 •H 1 Ω. J φ CQ 5 μ J- fe μ μ u IM Λ 0 υ ςj -J Φ •H Φ P rl 0 40 c P Φ P ü μ -H φ μ P o DI μ P Φ •rl μ
Q- M • -H Λ < Λ Φ M P CQ rd P CQ μ TJ μ Φ μ ε 00 Φ n 0 Φ fd tn Φ Φ rd « Φ P ü «M 40 •rH Tl « P Φ Φ Q Φ υ CQ -rl Φ P 40 «M 40 0 P M P N CQ P P. Φ Φ Φ fd TJ 40 40 Ti tn CQ φ Pn 40 Λ; •H tn P 40 -H
P! rd I N rd rd P -H CQ .. μ P. P. 4 -H . -H -ri •H 0 o Φ rd Φ
O N τ( W £ μ 40 Φ -H 0 -rl φ tn in 40 r-i P μ φ Φ T) ε rH
M 40 0 40 40 T> 40 Φ r- Tl Λ CQ ö ß -rl rH Φ ε μ Λ 0 - Λ
P! i -rl -H fd P Pl 0 Φ P. rH Φ Λ Λ P μ φ rd • J Φ 40 rH =fd 40 0 r-i
Φ υ 4-4 CQ p P Φ φ 40 -H Φ ß μ Λ u rH TJ Φ N 40 40 rH CQ fd 40 tn Φ fd
09 •H •H H Pl rd rH Tl Xi Φ 40 •H Φ CQ CQ rd ß tn xi Φ CQ ε Φ μ X CQ •H Λ K
P Λ Φ P Φ X cn TJ U CQ Λ P! μ m •rl =fd u ε •H μ 40 ω Φ Φ u Λ CQ DI φ -H -rl rH Φ tn =P •H Φ «M μ -rl o X Ul r-i N rH CQ
CQ 0 μ Φ r -P Φ Λ •rl tn -H μ P ö μ 40 φ 0 40 M-l fd Φ φ 0 Φ , Φ •
Φ μ 5 Φ Ü CN u Λ U Φ μ CQ fd Φ σ φ w ε •H -0 CQ 40 tn Tl > Dl •M Tl 0
-H Φ Λ -H φ 0 CQ 40 Φ CQ Q -rl 40 Φ tn Φ U tn 0 -H P Φ
Tt Λ ~ rH B Φ Φ tn S Φ P Xi =fd Tl p Λ μ 40 fd 0 o 00 φ H co <3 0 tn r-i cn -H -H Xi -H Λ fd u rH • Φ ü Φ CQ -0 V£> μ P X ü Q Φ r-i
4-> •H -rl CTJ V Φ 0 «. CQ -H μ TJ » -P fd τi , u Λ μ 0 :fd =o P< μ 00 μ o
CQ O •d - =fd Λ Φ Pl tn CQ Φ P! 40 υ μ CO -rl 0 Φ xi Φ μ •H P U Φ «M
-H ä - 40 rH 40 2= -H P P > •rl Xi CQ Λ ε Φ Φ tn =P 09 o 00 01 μ •H μ
Φ H :ftl 40 IQ • IM «M Φ P φ -d P CQ υ . -rl φ μ ε μ 40 M-l «M P CJ P tn Φ
5 Φ tn -H P 40 rd CQ xi μ N •H 40 4 tn o Φ 0 P CQ < Φ Φ μ fc τi Φ τl CQ •H φ M 00 φ φ u 40 Φ CQ fd IM IM Tl Λ Φ rd P -H •H Φ r-i r
P o Φ Φ tn -H rd O α 40 -H CQ Ss 40 μ μ •rl ε P CQ μ ε -< Φ Q Tl 40 0 0 «M H
N Λ P! -H rH 40 CQ -rl rH cn -rl CQ φ μ φ fd tn 0 Φ rH -H -H •rl 0 P
1 CQ 00 (Ö P! 40 φ r- φ ö tn μ M Φ 40 -0 P 0 tn •-i H μ Ti • 0 φ fd rfl rH
Q Tl 0 P :(ti -H O φ Φ A o P Φ α Φ ü ε P > =fd Φ Φ m fd r-i φ Λ; φ rH 0 N « l M -H CQ 40 μ P 03 rd Φ P! CQ φ μ μ 40 40 CQ Φ P X -rl -0 Λ;
• o -H f 40 φ P! s P CQ Pi 40 Tl P μ CQ tn P. Xi 00 40 ; fd φ -H fd 40 r-i 5 0 ü u
Pl 40 TJ -H 40 Φ rd Φ Φ X P! :fd Φ •rl -rl P. •H =P u Ωi fd μ £ CQ td Φ μ 0
Φ fd Φ fd 09 ε tn tn φ •rl > Φ φ φ Φ «M •H -rl 40 40 J 00 •H tu .. tn P CO
N φ Tl 40 rH s P φ 00 -H rH m >£> •ϊ φ P. CQ CQ 00 0 CQ rH r 0 T)
40 α -H Xi r P! Φ ,0 Φ μ m P tn -H 40 P u o Λ 0 rd Φ r- μ H -H 0
=P •H X υ -0 rl -H Xi Λ :f w Φ fd Φ •rl 40 x P -H •rl Xi H Φ μ μ Φ
,0 Φ 0 -H. U φ l φ U IW Ö 40 CQ PQ ö ε Φ ε 0 CQ μ =0 Tl rH Λ Φ xi ü -0 CQ Φ CQ -H σi 40 Φ μ φ Φ 40 0 TJ Φ Ti 40 φ K CQ Φ IM TJ o
CQ Φ Tl O -H Φ 40 Φ 0 =o tn Φ Φ CQ φ tn tn in φ •H T) <£ 0 CQ 40 rH 09 ; P 0 CQ
CQ P! CQ •d rH Pl rl P <-i •rl Tl ε P Xi ö -rl 40 Φ P P -H fd Φ Φ rd U -H
P •H -H 40 Pl φ -H Φ μ 40 Φ :fd o P Φ μ Xi 0 μ 2 Xi Λ •d o μ H
N Φ CQ Φ Λi fd T» Λ Φ μ ε rH Λ fd T) N φ Φ u -H o r o u co CQ Φ H
£ XI φ φ U> «M -H Φ fd μ Φ φ rH 0. tn 5 CQ 0 H 0 -H o o rd Λ rd
P! CQ PJ rH rH 40 μ Pl tn ö μ 0 40 M-l Φ 00 =fd N μ 0 CQ φ φ CO CQ 0 Q Φ 40
O tn Φ -H Φ -0 φ 40 o Φ -H Φ IH X -ä μ Φ fd > fd rH 00 φ r-i Φ
*0 -rl P •H CO u > P! M rH Φ Ti CQ fd CQ > P μ 40 μ Tl Tl Φ CJ DI 0 .. 00 . ε
© to N rH Xi •H φ 40 ε tn 40 φ -rl fd P ε Φ 0 tn Λ; Φ 40 u 0 l o μ rd Φ U -0 40 ε Φ P 40 ε P P TJ 40 P tn 0 P .. 0 MH υ φ Φ 00 9 CQ
C* 0 0 0 o μ o -H •H 0 U -H φ -H •H -H Φ P o rd Φ •H 40 •H 0 P P o rH -rl u fd •H rd Φ Φ
O w > μ Tl Tl CQ S rH 3 0 ε PI μ Λ; <φ rH 40 fe CQ Φ m -H i fd co tn J CQ Pl r-i tn TJ m O LΠ O m O m
H H CN CN cn n
co U) to t H H cn o in o in O cπ
P. P. p. CΩ CQ rt H <! ^ N Tl M P •n fr Ωi N CQ T) Tl 3 s- Ω rt rt CΩ rt rt to J rt α φ Φ Φ Φ Φ Φ -J PJ o P- Φ ti P- P- o= J Φ rt P1 PJ P- tr φ Φ p. CQ ti Φ o t P ti P- P
P- P P- P- CΩ P Ϊ J P LQ P- PJ Hi CQ CQ P CΛ P- O PJ PJ CD ti Φ P- P. P>= Φ PJ= Pi P Ml J φ
Ω Ω rt P 0 LQ rt P- Ω 0 P P1 Hi rt rt CQ P. LQ LQ Φ rt < LQ LQ tr P tr φ r N P Ωi Ωi ti rt rt P tr H, Φ td Φ Hi rt rt Φ <J tr Ω Φ J Φ 3 J 0 Φ Φ X P-
P- P Φ ≤ Ωi P- Φ Φ Ωi Φ P P- P T) φ Φ P- 0 0: ti P. ti Φ fr P tr P PJ Φ
Ωi Φ PJ s: CΩ P- φ ti 00 £ - P P ID ■ P ≤ *» P P tr 0: < P rt ii Ωi -> CΩ φ rt P Pi: rt CΩ Pi P- P N φ J tr Φ Ϊ in O in rt Hi 0 J Φ r Φ
H, Hi co P Φ Ω Φ α 3 H Ωi LQ cd N Φ P- rt J Φ PJ Pi cπ Φ ti Φ tr Ω P H" ti
0= Pi tr tr P P 0 P- Pi P- J Φ M co rt Ml ti 0 P- o < P P- LQ Φ P PJ= Φ tr φ
CΩ p, Λ φ rt Φ rt P rt Φ P P- tr φ Φ rt LQ Hi φ 0 O CQ Φ P- Ω P rt Tl P- tsi φ 3 0 P > Φ CQ ö rt LQ J Φ 0 CQ X P ti rt P P cn tr • J rt 5S
P- P- Φ <! ti 0 ti rt tr 3 PJ Φ rt 0 P- PJ rt CQ Φ Pi 0 φ Mi CQ Φ φ rt LQ p. φ 0 OJ: Λ CQ CQ Φ Φ P- CΩ P- Φ P 0 - CQ Φ P. cπ o P Hi 3 <; P ti ö CQ H. P-
Φ φ LQ CQ P Φ φ rt 3 P> rt φ P1 Hi φ 3 o - 0 0= 3 Φ Φ Φ P- P- Ω rt
P P Φ 3 P P- 0 PJ d CQ P- Φ M Z P P H, Φ H H to P- Φ <5 tr Φ
≤: CQ Ω CQ Φ fr rt Hi td P X PJ P 3 P- Φ P- • LQ P 3 LQ P LQ tr to φ P- P
PJ= Ω φ rt P o Φ Hi φ co P- P t Φ φ P P- p. Φ CQ 3 3 φ P- P N PJ P τl
P P tr tr PJ= P Ti N LQ P" rt P P N P Ω α CQ Hi 3 <J P- s- Φ P P fr- CQ >
Ω Φ P PJ= P LQ rt P Φ Hl Φ LQ rt φ φ PJ J P= 3 O P P- Λ P. Φ LQ rt CΩ 0
Φ P P- P Ω. Φ PJ Ωi J LQ CΩ Φ P- φ CQ Φ Φ CQ 3 tr φ P φ Φ Φ CQ pj: P- φ M CQ
CΩ rt CΩ P- tr fr Φ rt CQ Pi: 3 Ω tr P rt P tr s: i P P P <i P- Mi
U) Ω rt φ LQ P- rt CQ rt N LQ Ωi Pi: tr < J rt Ω Φ P P. O P1 < • X LQ Φ rt 3 ' in tr Φ CΩ Φ Φ Φ rt Φ P CΛ Φ O 0 Φ Hi ti P P tr - P- Pi $, PJ Φ P- tr
P P PJ Ω P" Ω P- CΩ PJ 3 P rt tr Φ 0 LQ J Φ o φ α Φ Φ P1 P- CΩ r ti
P P- Φ tr 0 Φ Φ Φ Ξ Ω £ Ω φ PJ Φ Φ K. P CΩ CQ P- r-> Φ CQ ti tr Ω Φ Ul 0
P rt P φ CQ rt 3 tr Φ tr 0 CΩ tr P- rt Ωi P- Hl P Pi •<: Hl co N ti P- t-1 tr P- Ul P- P
Ω rt CΩ φ PJ= IQ Φ H, >< P P- Φ O rt CQ CΩ O Ω PJ CΩ Φ φ - rt tr LQ
> rt Ωi £ P P CQ P Ωi CΩ ι φ co H Φ P rt H P" Φ o tr tr "< P P- Φ PJ ti CQ l o P φ Φ P- rt CQ φ Φ rt P- P. Ω P- 0 tr Φ 3 o ti - P- Ul rt co 0 Φ Mi cn Λ tr H, ti Φ φ PJ: P P Φ LQ tr J Φ P CQ 3 o σ» φ rt fr Φ o co Mi ti 0
N Φ φ Ωi P CQ rt o 3 0 N Φ 0 Ωi rt rt P. o CΩ < ti Φ O' ti P» K
< Φ P P N Ω rt H ^ P φ Hi 3 ti ti Φ ^ 3 0 3 P Ω Pi Pi fr 3
0 P- fr 0 cn < rt tr ö rj φ tr O J PJ PJ= ti cd CQ 3 P P- rt P tr J P- φ Φ
P LQ 0 φ P ö 0 PJ PJ: ID P- O φ i P P rt LQ PJ rt P ti φ P- W CQ P H-
Φ P P- CQ P- CQ P tr N CQ LQ rt 0 Hi φ rt CQ Φ trl 0 Φ <J Pi PJ= P Tl rt P φ
Ω. P rt P rt Φ O N 0 Φ P- Φ Φ O ri P- Ω H p. p. φ 3 0 P- 1. LQ CQ P= 3 φ CQ
Φ PJ φ co £ Ωi Ω ι-i CQ P t P> Φ tr P> Hi rt ti 10 P- Φ tr 3 Φ p. fr H, rt O P- Φ CΩ H CQ rt CQ P- ^ p. cπ P- φ t LQ fr LQ ti tr H φ P- rt Φ CΩ rt CQ O tr φ 3 Φ 0 Ω φ H1 rt P- P 3 PJ-- Φ ti 0 CQ Φ ti rt J * K o Φ φ Mi Φ PJ tr P in J P t Φ φ Ωi N Ω. φ LQ CQ φ p. <! 3 H1 φ Ul
P tr P- Mi ti fr 3 tr φ Ωi 0 CΩ P PJ tr 0 a J 0 0 P Φ φ rt cn o P- cd P- rV rt
P φ Φ rt 3 CQ 0 Φ IQ P CQ € CΩ Ml P- tr Φ P Φ CQ P rt ti tr Φ 00 ti rt O tr P- rt Φ
CΩ P- 3 CQ P> φ P rt Φ P P- P= rt LQ Hi Ωi P Φ LQ Φ φ P 3 P H CQ ti 3 rt Φ CQ P- CQ J N P- tr φ φ tr rt Φ O Ωi PJ P- cπ P CQ P- PJ Ωi P- Φ Ω O rt co Ωi P P- CQ rt rt P" 0 CQ CQ. P- P CQ 0 P Pi rt cd φ rt 0 Φ P. P tr P P. rt φ rt 3 Φ Φ CQ * LQ rt rt P- P 0 Φ 0 P- Tl ≤ Hl Φ P- ti J 3 J N Hi P ti Φ P- J: o H Φ rt P- Φ - H, P φ P P- 3 Φ PJ P- i φ J: 0 P- 0 Φ * PJ= « P CQ LQ
Hl P 0 >1 co O CQ P PJ P. LQ P 3 ti Ωi LQ Hl rt Φ P- 0 Pi tr O Ω Φ
Hi P= - P *> Hl Ω P- rt •fl CQ Φ φ LQ rt Ω Φ rt LQ P φ 0 rt P CΩ tr ti
3 tr rt 0 Hl tr z CQ P- Ml CQ P Φ Φ ti 0 0 • Φ Φ Φ rt CQ 3 W Φ rt 0 φ CQ
PJ ri CΩ φ P Ωi PJ φ 0 rt H LQ 0 0 rt P Ωi P P P- P- 3 Φ rt Φ J Ω
CQ P- 0 H P. Φ 0 P ti H 0 P H φ £ t 1 P- * CQ CQ α P P Φ CQ co P to fr- fr to cπ
CQ LQ φ CQ Hl Ωi tr - H, CQ 3 Φ Φ φ 0 rt rt Φ φ Φ P CΩ rt ^ fr -j ct Φ Ω
Φ Φ Ωi P P. LQ CΩ Φ φ rt Φ H P 0 P CQ CQ CQ ti ti rt ^ O CQ 0 Ml tr ^ J P- Ω Φ 0 P ti Ωi CD CΩ Ωi fr- & P P co rt rt tr Φ CQ Mi rt P Ωi J Φ
J cd CΛ td Φ φ Hi Ω - Φ J rt Φ rt Φ rt Ω 0 rt O O PJ * cd P rt Mi Φ rt P- PJ= P< P.
Φ Φ tr P= fr P- CQ LQ O H, J P - P 0 Hi Hl P-1 J Φ 3 3 PJ Φ Ω -J rt
P): Pi Q 1 CQ 1 r-> Φ CQ rt φ Hi 0 CΩ Ml Hi Hl tr PJ: 0 P- 3 PJ fr tr 0 φ
Φ P- P r-1 P1 o CΩ P- 1 Ml 1 CQ rt Ml 1 P 1 1 1 Φ P P 1 Φ 1 1 P 1 O 1 1 1 1 1 P LQ
bildet wird. Aufgrund des langgestreckten Grundrisses der Außenkontaktelemente 6 ergibt sich eine Länge 1 auf der Bauelementunterseite 32 der Außenkontaktfläche 23 nach dem Trennen der Kunststoffplatte in Einzelbauteile, wie es Figur 9 zeigt. In einer anderen nicht gezeigten Ausfuhrungsform der Erfindung sind die Außenkontaktelemente 6 mit einem kreisförmigen Grundriß ausgestattet und die Sägespuren in der Kunststoff- platte verlaufen vollständig in Kunststoff, so daß die Außenkontaktelemente 6 lediglich mit ihrem Nietfußbereich 10, der von Kunststoff auf der Unterseite 32 des Bauteils 2 freigehalten wird, von außen kontaktierbar sind.
Figur 10 zeigt einen schematischen Querschnitt durch einen Systemträger 5 mit aufgebrachtem Halbleiterchip 1 gemäß einer dritten Ausfuhrungsform der Erfindung. Bei dieser Ausführungsform der Erfindung ist der Halbleiterchip 1 unmittelbar auf das Grundsubstrat 11 mit seiner passiven Seite 33 aufgebracht. Ferner sind Außenkontaktelemente 6 auf dem Grundsubstrat 11 rund um den Halbleiterchip 1 angeordnet und über Bonddrähte 27 sind die Nietkopfbereiche 8 mit den Kontaktflächen 22 der aktiven Seite 31 des Halbleiterchips 1 verbunden. Ein derartiger Systemträger 5 wird mit Hilfe der gehäusebildenden Kunststoffmasse 4 zu einer Kunststoffplatte mit angefügten Grundsubstrat 11 verbunden. Das Grundsubstrat 11 wird, wenn es aus einer Metallfolie besteht, weggeätzt und anschließend wird die Kunststoffplatte auf eine Klebefolie aufgebracht und dann in Einzelbauteile zertrennt.
Figur 11 zeigt einen schematischen Querschnitt durch ein elektronisches Bauteil gemäß einer dritten Ausfuhrungsform der Erfindung. Dieses Bauteil zeichnet sich durch seine extreme Flachheit aus, da selbst die Sockelhöhe h, wie sie in Figur 8 gezeigt wird, zusätzlich eingespart wird. Ein Nachteil dieses Bauteils ist es, daß die passive Seite 33 des Halbleiterchips 1 gleichzeitig die Unterseite 32 des elektronischen Bauteils bildet. Damit ist der Halbleiterchip 1 mit seiner Unterseite 33 den Umwelteinflüssen ausgesetzt. Die Au- ßenkontaktelemente 6 sind aufgrund ihres nietförmigen Querschnitts sicher in der Kunststoffmasse 4 des Gehäuses 3 verankert und weisen in ihrem Nietfußbereich 10 einen kreisförmigen Grundriß . auf , der einen kreisförmigen Kontaktfleck als Außenkontaktfläche 23 vorsieht.

Claims

Patentansprüche
1. Systemträger für Halbleiterchips (1) zum Verpacken der Halbleiterchips (1) zu elektronischen Bauteilen (2) in Gehäusen (3) aus einer Kunststoffmasse (4) , wobei der
Systemträger (5) Außenkontaktelemente (6) aufweist, die einen nietförmigen Querschnitt (7) aufweisen, mit einem Nietkopfbereich (8) , einem Nietschaftbereich (9) und einem Nietfußbereich (10) , wobei der Nietfuß (10) auf ei- nem Grundsubstrat (11) fixiert ist.
2. Systemträger nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das Grundsubstrat (11) eine elektrisch leitende Oberflä- ehe (12) aufweist.
3. Systemträger nach Anspruch 1 oder Anspruch 2 , dadurch gekennzeichnet, daß der Systemträger (5) ein Grundsubstrat (11) aus metalli- scher Folie aufweist.
4. Systemträger nach Anspruch 1 oder Anspruch 2 , dadurch geken zeichnet, daß der Systemträger (5) ein Grundsubstrat (11) aus einer Kunststofffolie mit metallischer Beschichtung aufweist.
5. Systemträger nach Anspruch 1 oder Anspruch 2, dadurch gek nnzeichnet, daß der Systemträger (5) ein Grundsubstrat (11) aus einer Kunststofffolie mit Kohlenstoffbeschichtung aufweist.
6. Systemträger nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch ge e nzeichnet, daß der Systemträger (5) mehrere Bauelement-Montagebereiche (13) auf dem Grundsubstrat (11) aufweist.
7. Systemträger nach Anspruch 6 , dadurch gekennzeichnet, daß jeweils ein Montagebereich (13) einen zentralen Chipträgerbereich (14) aufweist, der von Außenkontaktelementen (6) in einem definierten Abstand (15) vom zentralen Chipträgerbereich (14) umgeben ist.
8. Systemträger nach Anspruch 6 oder Anspruch 7, dadurch gekennzeic net, daß der Montagebereich (13) einen Chipträgerbereich (14) aufweist, der Außenkontaktelemente (6) aufweist, die mindestens teilweise im Chipträgerbereich (14) derart angeordnet sind, daß ein Halbleiterchip (1) mit Bondhök- kern (16) auf den Nietkopfbereichen (8) der Außenkontak- telemente (6) in Flip-Chip-Technologie bondbar ist.
9. Systemträger nach Anspruch 7 oder Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, daß der Systemträger (5) einen metallischen Sockel (17) im Chipträgerbereich (14) aufweist, der in seiner Höhe (h) den Außenkontaktelementen (6) entspricht und in seiner flächigen Erstreckung der Große des Halbleiterchips (1) angepaßt is .
10. Systemträger nach einem der Ansprüche 7 bis 9, dadurch geken zeichnet, daß die Außenkontaktelemente (6) einen kreisförmigen Grundriß aufweisen und vollständig im Chipträgerbereich (14) des Systemträgers (5) angeordnet sind.
11. Systemträger nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die Außenkontaktelemente (6) aus reinem Silber oder einer Silberlegierung bestehen.
12. Systemträger nach einem der Ansprüche 1 bis 10, dadurch gekennzeichnet, daß die Außenkontaktelemente (6) aus einer Gold/Nickel/Gold- Schichtfolge aufgebaut sind.
13. Systemträger nach einem der Ansprüche 1 bis 10, dadurch gekennzeichnet, daß die Außenkontaktelemente (6) aus einer Silber/Kupfer/Silber-Schichtfolge aufgebaut sind.
14. Systemträger nach einem der Ansprüche 9 bis 13, dadurch gekennzeichnet, daß der metallische Sockel (17) aus dem gleichen Material aufgebaut ist wie die Außenkontaktelemente (6) .
15. Verwendung des Systemträgers (5) nach einem der Ansprü- ehe 1 bis 14 zur Herstellung elektronischer Bauteile
(2) .
16. Verfahren zur Herstellung eines Systemträgers (5), der die Merkmale eines der Ansprüche 1 bis 14 aufweist, mit- tels folgender Verfahrensschritte:
Bereitstellen eines Grundsubstrats (11) mit elektrisch leitender Oberfläche (12) ,
Aufbringen einer strukturierten elektrisch isolierenden Schicht (18) , welche freiliegende elektrisch leitende Oberflächenbereiche (19) in der Anordnung der Außenkontaktelemente (6) auf dem Grundsubstrat (11) aufweist,
Aufbringen eines leitenden Materials (20) zum Bilden von Außenkontaktelementen (6) mit einem niet- förmigen Querschnitt (7) .
Entfernen der strukturierten elektrisch isolierenden Schicht (18) .
17. Verfahren nach Anspruch 16, dadurch gekennzeichnet, daß zunächst eine geschlossene Isolierschicht (21) aufgebracht wird und diese anschließend mittels Photolack- technologie zu einer elektrisch isolierenden Schicht (18) strukturiert wird.
18. Verfahren -nach Anspruch 16, dadurch gekennzeichnet, daß eine strukturierte elektrisch leitende Schicht (18) mittels Siebdruckverfahren aufgebracht wird.
19. Verfahren nach Anspruch 16, dadurch gekennzeichnet, daß ein Strukturieren einer zunächst geschlossenen Isolierschicht (21) auf das Grundsubstrat (11) mittels Zerstäubungstechnik (bzw. Sputter-Technik) durch eine Maske hindurch ausgeführt wird.
20 . Verfahren nach Anspruch 16 , d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t , d a ß das Aufbringen einer zunächst geschlossenen Isolierschicht (21) auf das Grundsubstrat (11) mittels Abschei- düng aus der Gasphase durchgeführt wird.
21. Verfahren nach Anspruch 16, dadurch gekennzeichnet, daß ein Strukturieren einer zunächst geschlossenen Isolier- schicht (21) mittels Plasma-Ätztechnik durch eine Maske hindurch ausgeführt wird.
22. Verfahren nach Anspruch 16, dadurch gekennzeichnet, daß das Strukturieren einer zunächst geschlossenen Isolierschicht (21) mittels Laser-Rasterbestrahlung erfolgt.
23. Verfahren nach einem der Ansprüche 16 bis 22, dadurch gekennzeichnet, daß das Aufbringen eines leitenden Materials (20) mittels galvanischer Abscheidung auf den freiliegenden elektrisch leitenden Oberflächenbereichen (19) durchgeführt wird, bis ein Überwachsen des abgeschiedenen Materials zu einem Nietkopf erreicht wird.
24. Verfahren nach einem der Ansprüche 16 bis 22, dadurch gekennzeichnet, daß das Aufbringen eines leitenden Materials (20) mittels Abscheidung eines Metalls aus der Gasphase erfolgt.
25. Verfahren nach einem der Ansprüche 16 bis 22, dadurch gekennzeichnet, daß das Aufbringen eines leitenden Materials (20) mittels stromloser galvanischer Abscheidung durchgeführt wird.
26. Verfahren nach einem der Ansprüche 16 bis 25, dadurch gekennzeichnet, daß gleichzeitig mit den Außenkontaktelementen (6) ein metallischer Sockel (17) im Chipträgerbereich (14) gebildet wird.
27. Elektroniches Bauteil mit einem Halbleiterchip (1), das Kontaktflächen (22) aufweist, die mit Außenkontaktele- menten (6) verbunden sind, wobei der Halbleiterchip (1) mit den Außenkontaktelementen (6) in einer Kunststoffmasse (4) als Gehäuse (3) vergossen ist und mindestens ein Außenkontakt (6) einen nietförmigen Querschnitt (7) mit einem Nietkopfbereich (8) , einem Nietschaftbereich (9) und einem Nietfußbereich (10) aufweist, wobei das Außenkontaktelement (6) mit seinem Nietkopfbereich (8) in der Kunststoffmasse (4) verankert ist.
28. Elektronisches Bauteil (2) nach Anspruch 27, dadurch gekennzeichnet, daß der Nietfußbereich (19) des Außenkontaktelementes (6) von der Kunststoffmasse (4) freigehalten ist und seine Oberfläche eine von außen zugängliche Außenkontaktfläche (23) aufweist.
9. Elektronisches Bauteil nach Anspruch 27 oder Anspruch 28, dadurch gekennzeichnet, daß das Außenkontaktelement (6) eine Längserstreckung (1) aufweist und mit dem nietförmigen Querschnitt (7) eine von außen zugängliche nietförmige Außenkontaktfläche (24) bildet.
30. Elektronisches Bauteil nach Anspruch 28 oder Anspruch 29, dadurch geken zeichnet, daß die nietförmige Außenkontaktfläche (24) rechtwinklig zu der Außenkontaktfläche (23) des Nietfußbereichs (10) angeordnet ist.
31. Elektronisches Bauteil nach einem der Ansprüche 28 bis 30, dadurch gekennzeichnet, daß die Außenkontaktflächen (23, 24) des elektronischen Bau- teils (2) im Randbereich (25) des Gehäuses (3) aus Kunststoffmasse (4) angeordnet sind.
32. Elektronisches Bauteil nach einem der Ansprüche 27 bis 31, dadurch gekennzeichnet, daß die Kontaktflächen (2) des Halbleiterchips (1) Bondhök- ker (18) aufweisen, die unmittelbar auf den Nietkopfbereich (8) der Außenkontaktelemente (6) gebondet sind.
33. Elektronisches Bauteil nach einem der Ansprüche 27 bis 32, dadurch gekennzeichnet, daß der Halbleiterchip (1) mit seiner eine Halbleiterschaltung aufweisenden aktiven Seite zu den Außenkontaktele- menten (6) ausgerichtet ist.
34. Elektronisches Bauteil nach einem der Ansprüche 27 bis
31, dadurch geke nzeichnet, daß der Halbleiterchip (1) mit seiner keine Halbleiterschal- tung aufweisenden passiven Seite zu den Außenkontaktelementen (6) ausgerichtet ist.
35. Elektronisches Bauteil nach Anspruch 34, dadurch gekennzeichnet, daß die passive Seite des Halbleiterchips (1) von Kunststoffmasse (4) freigehalten ist und teilweise als Unterseite des Gehäuses (3) vorgesehen ist.
36. Elektronisches Bauteil nach Anspruch 34 oder Anspruch 35, dadurch gekennzeichnet, daß die Kontaktflächen (22) über Bonddrähte (27) mit den Kopfbereichen (8) der Außenkontaktelemente (6) verbunden sind.
37. Verfahren zur Herstellung eines elektronischen Bauteils
(2) , welches die Merkmale eines der Ansprüche 27 - 36 aufweist, wobei das Verfahren durch die Verfahrens- schritte gekennzeichnet ist: - Bereitstellen eines Systemträgers (5) , der die Merkmale eines der Ansprüche 1 - 15 aufweist, Aufbringen vieler Halbleiterchips (1) auf den Systemträger (5) , Herstellen von Verbindungen (26) der Kontaktflächen (22) des Halbleiterchips (1) mit Außenkontaktelementen (6) ,
Vergießen des Systemträgers (5) mit aufgebrachten Halbleiterchips (1) und den Verbindungen zwischen Kontaktflächen (22) und Außenkontaktelementen (6) zu elektronischen Bauteilen (2) mit Gehäuse (3) aus einer Kunststoffmasse (4) , Vereinzeln der auf dem Systemträger (5) mit einer Kunststoffmasse (4) als Gehäuse hergestellten elektronischen Bauteile (2) .
38. Verfahren nach Anspruch 37, dadurch gekennzeichnet, daß beim Vergießen der Systemträger (5) für eine Vielzahl von diskreten elektronischen Bauteilen (2) mit einer Kunststoffmasse (4) in gleichförmiger Dicke großflächig zu einer Kunststoffplatte vergossen wird, die einseitig das Grundsubstrat (11) aufweist.
39. Verfahren nach Anspruch 38, dadurch gekennzeichnet, daß vor dem Vereinzeln das Grundsubstrat (11) von der Kunststoffplatte weggeätzt wird.
40. Verfahren nach Anspruch 38 oder Anspruch 39, dadurch gekennzeichnet, daß die Kunststoffplatte vor dem Vereinzeln mit einer Klebefolie beschichtet wird.
41. Verfahren nach einem der Ansprüche 38 bis 40, dadurch gekennzeichnet, daß die Kunststoffplatte durch Sägetechnik zu diskreten elektronischen Bauteilen (2) vereinzelt wird.
42. Verfahren nach einem der Ansprüche 37 bis 41, dadurch gekennzeichnet, daß das Herstellen von Verbindungen (26) zwischen Kontaktflächen (22) und Außenkontaktelementen (6) mittels Flip- Chip-Technologie über Bondhöcker (16) erfolgt, die auf die Nietkopfbereiche (8) der Außenkontaktelemente (6) gebondet werden.
43 . Verfahren nach einem der Ansprüche 37 bis 41 , d a d u r c h g e e n n z e i c h n e t , d a ß das Herstellen von Verbindungen (26) zwischen Kontakt- flächen (22) des Halbleiterchips (1) und den Außenkon- taktelementen (6) mittels Bonddrahttechnologie über Bonddrähte (27) erfolgt, wobei die Kontaktflächen (22) des Halbleiterchips (1) mit dem Kopfbereich (8) der Außenkontaktelemente (6) verbunden werden.
44. Verfahren nach einem der Ansprüche 37 bis 43, dadurch gekennzeich et, daß die Halbleiterchips (1) beim Aufbringen auf den Systemträger (5) auf einen metallischen Sockel (17) gelötet oder geklebt werden.
45. Verfahren nach einem der Ansprüche 37 bis 44, dadurch gekennzeichnet, daß beim Vereinzeln der elektronischen Bauteile (2) von einer kohlenstoffbeschichteten Folie als Grundsubstrat (11) die Folie von den elektronischen Bauteilen abgezogen wird.
46. Verfahren nach Anspruch 45, dadurch gekenn eic net, daß die Kohlenstoffschicht von den Bauteilen nach Abziehen der Folie durch Plasmaveraschung entfernt wird.
47. Verfahren nach einem der Ansprüche 37 bis 44, dadurch gekennzeichnet, daß beim Vereinzeln der elektronischen Bauteile (2) von einer metallbeschichteten Kunststofffolie als Grundsub- strat (11) die Kunststofffolie abgezogen wird und die metallische Beschichtung durch naßchemisches Ätzen oder durch Trockenätzen entfernt wird.
48. Verfahren nach einem der Ansprüche 37 bis 44, dadurch gekennzeichnet, daß beim Vereinzeln der elektronischen Bauteile (2) von einer metallischen Folie als Grundsubstrat (11) diese me- tallische Folie vollständig bis zum Erreichen eines Ätz- stops zwischen dem Material der Außenkontaktelemente (6) und dem metallischen Material des Grundsubstrats (11) durch Naß-, oder Trockenätzen entfernt wird.
EP01949240A 2000-06-27 2001-06-07 Systemträger für halbleiterchips und elektronische bauteile sowie herstellungsverfahren für einen systemträger und für elektronische bauteile Withdrawn EP1295336A2 (de)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE10031204A DE10031204A1 (de) 2000-06-27 2000-06-27 Systemträger für Halbleiterchips und elektronische Bauteile sowie Herstellungsverfahren für einen Systemträger und für elektronische Bauteile
DE10031204 2000-06-27
PCT/DE2001/002097 WO2002001634A2 (de) 2000-06-27 2001-06-07 Systemträger für halbleiterchips und elektronische bauteile sowie herstellungsverfahren für einen systemträger und für elektronische bauteile

Publications (1)

Publication Number Publication Date
EP1295336A2 true EP1295336A2 (de) 2003-03-26

Family

ID=7646924

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
EP01949240A Withdrawn EP1295336A2 (de) 2000-06-27 2001-06-07 Systemträger für halbleiterchips und elektronische bauteile sowie herstellungsverfahren für einen systemträger und für elektronische bauteile

Country Status (6)

Country Link
US (2) US6969905B2 (de)
EP (1) EP1295336A2 (de)
JP (1) JP2004502303A (de)
KR (1) KR100614722B1 (de)
DE (1) DE10031204A1 (de)
WO (1) WO2002001634A2 (de)

Families Citing this family (44)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3973340B2 (ja) 1999-10-05 2007-09-12 Ｎｅｃエレクトロニクス株式会社 半導体装置、配線基板、及び、それらの製造方法
DE10235332A1 (de) * 2002-08-01 2004-02-19 Infineon Technologies Ag Mehrlagiger Schaltungsträger und Herstellung desselben
DE10240461A1 (de) * 2002-08-29 2004-03-11 Infineon Technologies Ag Universelles Gehäuse für ein elektronisches Bauteil mit Halbleiterchip und Verfahren zu seiner Herstellung
DE10246101B4 (de) * 2002-10-02 2005-12-01 Infineon Technologies Ag Verfahren zum Herstellen eines Gehäuses für einen Chip mit einer mikromechanischen Struktur
DE10252556B3 (de) 2002-11-08 2004-05-19 Infineon Technologies Ag Elektronisches Bauteil mit Außenkontaktelementen und Verfahren zur Herstellung einer Mehrzahl dieses Bauteils
JP4245370B2 (ja) * 2003-02-21 2009-03-25 大日本印刷株式会社 半導体装置の製造方法
WO2004105120A1 (ja) * 2003-05-20 2004-12-02 Fujitsu Limited Lsiパッケージ及びlsi素子の試験方法及び半導体装置の製造方法
DE10333841B4 (de) * 2003-07-24 2007-05-10 Infineon Technologies Ag Verfahren zur Herstellung eines Nutzens mit in Zeilen und Spalten angeordneten Halbleiterbauteilpositionen und Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauteils
CN100543884C (zh) * 2003-08-22 2009-09-23 泰科电子荷兰公司 生产电导体元件的方法及电导体元件
DE10352349B4 (de) * 2003-11-06 2006-11-16 Infineon Technologies Ag Halbleiterchip mit Flip-Chip-Kontakten und Verfahren zur Herstellung desselben
US7122406B1 (en) * 2004-01-02 2006-10-17 Gem Services, Inc. Semiconductor device package diepad having features formed by electroplating
US7010084B1 (en) * 2004-08-18 2006-03-07 Ge Medical Systems Global Technology Company, Llc Light detector, radiation detector and radiation tomography apparatus
WO2006079865A1 (en) 2005-01-27 2006-08-03 Infineon Technologies Ag Semiconductor package and method of assembling the same
US7394151B2 (en) * 2005-02-15 2008-07-01 Alpha & Omega Semiconductor Limited Semiconductor package with plated connection
WO2007013854A1 (en) * 2005-07-28 2007-02-01 Vishwanath Lakshmi Intelligent card and manufacturing thereof
US7947535B2 (en) * 2005-10-22 2011-05-24 Stats Chippac Ltd. Thin package system with external terminals
DE102006023998B4 (de) 2006-05-22 2009-02-19 Infineon Technologies Ag Elektronische Schaltungsanordnung und Verfahren zur Herstellung einer solchen
DE102006030581B3 (de) 2006-07-03 2008-02-21 Infineon Technologies Ag Verfahren zum Herstellen eines Bauelements
KR101332402B1 (ko) 2006-07-10 2013-11-25 쇼오트 아게 부품 패키징 방법
US7816769B2 (en) * 2006-08-28 2010-10-19 Atmel Corporation Stackable packages for three-dimensional packaging of semiconductor dice
JP2007251197A (ja) * 2007-05-15 2007-09-27 Hitachi Chem Co Ltd 半導体装置の製造方法
DE102007032142A1 (de) * 2007-06-30 2009-01-02 Robert Bosch Gmbh Elektronikmodul und Verfahren zur Herstellung eines Elektronikmoduls
CN101808831A (zh) * 2007-09-25 2010-08-18 黑卡有限公司 碳交易卡
US7772033B2 (en) * 2007-09-28 2010-08-10 Qimonda Ag Semiconductor device with different conductive features embedded in a mold enclosing a semiconductor die and method for making same
US8089159B1 (en) 2007-10-03 2012-01-03 Amkor Technology, Inc. Semiconductor package with increased I/O density and method of making the same
US7993979B2 (en) * 2007-12-26 2011-08-09 Stats Chippac Ltd. Leadless package system having external contacts
US7948066B2 (en) * 2007-12-26 2011-05-24 Stats Chippac Ltd. Integrated circuit package system with lead locking structure
US8225503B2 (en) * 2008-02-11 2012-07-24 Ibiden Co., Ltd. Method for manufacturing board with built-in electronic elements
US8375577B2 (en) * 2008-06-04 2013-02-19 National Semiconductor Corporation Method of making foil based semiconductor package
US20100084748A1 (en) * 2008-06-04 2010-04-08 National Semiconductor Corporation Thin foil for use in packaging integrated circuits
US8134242B2 (en) * 2008-08-04 2012-03-13 Stats Chippac Ltd. Integrated circuit package system with concave terminal
US7836586B2 (en) * 2008-08-21 2010-11-23 National Semiconductor Corporation Thin foil semiconductor package
JP5147779B2 (ja) 2009-04-16 2013-02-20 新光電気工業株式会社 配線基板の製造方法及び半導体パッケージの製造方法
JP5271949B2 (ja) * 2009-09-29 2013-08-21 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体装置
US8101470B2 (en) * 2009-09-30 2012-01-24 National Semiconductor Corporation Foil based semiconductor package
DE102009047438A1 (de) * 2009-12-03 2011-06-09 Osram Gesellschaft mit beschränkter Haftung Leuchtvorrichtung und Verfahren zum Kontaktieren einer Leuchtvorrichtung
CN202275822U (zh) 2010-04-28 2012-06-13 先进封装技术私人有限公司 半导体封装件以及其基板
US8669649B2 (en) 2010-09-24 2014-03-11 Stats Chippac Ltd. Integrated circuit packaging system with interlock and method of manufacture thereof
US8617933B2 (en) 2011-05-27 2013-12-31 Stats Chippac Ltd. Integrated circuit packaging system with interlock and method of manufacture thereof
EP2718875A1 (de) * 2011-06-08 2014-04-16 Linxens Holding Verfahren zur herstellung eines kartenverbinders
US9583365B2 (en) 2012-05-25 2017-02-28 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Method of forming interconnects for three dimensional integrated circuit
JP2013168686A (ja) * 2013-06-03 2013-08-29 Hitachi Maxell Ltd 半導体装置および半導体装置の製造方法
US9978667B2 (en) * 2013-08-07 2018-05-22 Texas Instruments Incorporated Semiconductor package with lead frame and recessed solder terminals
US20170084594A1 (en) * 2015-09-20 2017-03-23 Qualcomm Incorporated Embedding die technology

Family Cites Families (25)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5469068A (en) * 1977-11-14 1979-06-02 Hitachi Ltd Semiconductor device and its manufacture
JPS59208756A (ja) * 1983-05-12 1984-11-27 Sony Corp 半導体装置のパツケ−ジの製造方法
US4890152A (en) * 1986-02-14 1989-12-26 Matsushita Electric Works, Ltd. Plastic molded chip carrier package and method of fabricating the same
JPH01106456A (ja) 1987-10-19 1989-04-24 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体集積回路装置
JPH01179334A (ja) * 1988-01-05 1989-07-17 Citizen Watch Co Ltd 半導体素子の実装方法
JPH02174230A (ja) * 1988-12-27 1990-07-05 Seiko Epson Corp 半導体装置とその製造方法
JPH02174233A (ja) 1988-12-27 1990-07-05 Fuji Elelctrochem Co Ltd Ｉｃチップの金属突起形成方法
JPH04170084A (ja) 1990-11-01 1992-06-17 Matsushita Electric Works Ltd プリント配線板の製造方法
US5607718A (en) * 1993-03-26 1997-03-04 Kabushiki Kaisha Toshiba Polishing method and polishing apparatus
KR950702068A (ko) * 1993-04-06 1995-05-17 쓰지 가오루 반도체 소자용 패키지(package for semiconductor chip)
US5767580A (en) * 1993-04-30 1998-06-16 Lsi Logic Corporation Systems having shaped, self-aligning micro-bump structures
JP3258764B2 (ja) * 1993-06-01 2002-02-18 三菱電機株式会社 樹脂封止型半導体装置の製造方法ならびに外部引出用電極およびその製造方法
JPH0714843A (ja) * 1993-06-15 1995-01-17 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体装置の製造方法
KR970002140B1 (ko) * 1993-12-27 1997-02-24 엘지반도체 주식회사 반도체 소자, 패키지 방법, 및 리드테이프
US5629599A (en) * 1994-05-31 1997-05-13 Motorola, Inc. Rechargeable battery-powered communication device having integral vibrating means
JP3400877B2 (ja) * 1994-12-14 2003-04-28 三菱電機株式会社 半導体装置及びその製造方法
JP3304705B2 (ja) * 1995-09-19 2002-07-22 セイコーエプソン株式会社 チップキャリアの製造方法
JP3422144B2 (ja) * 1995-09-22 2003-06-30 ソニー株式会社 半導体パッケージの製造方法
US6072239A (en) * 1995-11-08 2000-06-06 Fujitsu Limited Device having resin package with projections
US6001671A (en) * 1996-04-18 1999-12-14 Tessera, Inc. Methods for manufacturing a semiconductor package having a sacrificial layer
US5912510A (en) * 1996-05-29 1999-06-15 Motorola, Inc. Bonding structure for an electronic device
US6025640A (en) * 1997-07-16 2000-02-15 Dai Nippon Insatsu Kabushiki Kaisha Resin-sealed semiconductor device, circuit member for use therein and method of manufacturing resin-sealed semiconductor device
JP3521758B2 (ja) * 1997-10-28 2004-04-19 セイコーエプソン株式会社 半導体装置の製造方法
US6080932A (en) * 1998-04-14 2000-06-27 Tessera, Inc. Semiconductor package assemblies with moisture vents
US6247229B1 (en) * 1999-08-25 2001-06-19 Ankor Technology, Inc. Method of forming an integrated circuit device package using a plastic tape as a base

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
See references of WO0201634A2 *

Also Published As

Publication number Publication date
US20030102538A1 (en) 2003-06-05
DE10031204A1 (de) 2002-01-17
US20060060981A1 (en) 2006-03-23
WO2002001634A2 (de) 2002-01-03
JP2004502303A (ja) 2004-01-22
US6969905B2 (en) 2005-11-29
WO2002001634A3 (de) 2002-06-20
KR20030011932A (ko) 2003-02-11
KR100614722B1 (ko) 2006-08-21

Similar Documents

Publication Publication Date Title
WO2002001634A2 (de) Systemträger für halbleiterchips und elektronische bauteile sowie herstellungsverfahren für einen systemträger und für elektronische bauteile
DE69420917T2 (de) Verfahren, um gestapelte Halbleiterchips zusammenzuschalten und Bauelement
DE10148120B4 (de) Elektronische Bauteile mit Halbleiterchips und ein Systemträger mit Bauteilpositionen sowie Verfahren zur Herstellung eines Systemträgers
DE112005000952T5 (de) Elektronik-Modul und Verfahren zur Herstellung desselben
DE4113954A1 (de) Matrix-verbindungsglied
DE102006005645B4 (de) Stapelbarer Baustein, Bausteinstapel und Verfahren zu deren Herstellung
EP1716595A2 (de) Halbleiterbauteil mit einem stapel aus halbleiterchips und verfahren zur herstellung desselben
DE10229182A1 (de) Gestapelte Chip-Packung und Herstellungsverfahren hierfür
WO2004015770A1 (de) Mehrlagiger schaltungsträger und herstellung desselben
WO2003103042A2 (de) Elektronisches bauteil mit äusseren flächenkontakten und verfahren zu seiner herstellung
WO1995002312A1 (de) Strukturierte leiterplatten und folienleiterplatten und verfahren zu deren herstellung
DE102009051129A1 (de) Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements
DE10345247B4 (de) Verwendung von Leiterbahnen als Krallkörper
WO2017016953A1 (de) Verfahren zur herstellung eines bauelements und ein bauelement
WO1998016953A1 (de) Chipmodul sowie verfahren zur herstellung eines chipmoduls
DE102008058003A1 (de) Halbleitermodul und Verfahren zu dessen Herstellung
DE102013203350A1 (de) Elektronisches Bauelement und Verfahren zu seiner Herstellung
DE102011112659A1 (de) Oberflächenmontierbares elektronisches Bauelement
WO1998041070A1 (de) Verfahren zur bildung metallischer leitermuster auf elektrisch isolierenden unterlagen
EP1298723A2 (de) Elektronisches Bauteil mit einem Kunststoffgehäuse und Komponenten eines Systemträgers und Verfahren zu deren Herstellung
DE10333840A1 (de) Halbleiterbauteil mit einem Kunststoffgehäuse, das eine Umverdrahrungsstruktur aufweist und Verfahren zu deren Herstellung
DE102018207127B4 (de) Verfahren zum Ankontaktieren einer metallischen Kontaktfläche in einer Leiterplatte und Leiterplatte
DE1937508B2 (de) Verfahren zur herstellung eines mit elektrischen leitungsbahnen und/oder elektrischen durchkontaktierungen versehenen isolierstofftraegers
EP1116420B1 (de) Leiterplatte zur verwendung bei der prüfung von elektrischen bauteilen
EP1498208A1 (de) Anordnung zur Befestigung eines Bauelements

Legal Events

Date Code Title Description
PUAI Public reference made under article 153(3) epc to a published international application that has entered the european phase

Free format text: ORIGINAL CODE: 0009012

17P Request for examination filed

Effective date: 20021204

AK Designated contracting states

Designated state(s): AT BE CH CY DE DK ES FI FR GB GR IE IT LI LU MC NL PT SE TR

Kind code of ref document: A2

Designated state(s): AT BE CH CY DE DK ES FI FR GB GR IE IT LI LU MC NL PT SE TR

RBV Designated contracting states (corrected)

Designated state(s): AT BE CH DE FR GB LI

17Q First examination report despatched

Effective date: 20040930

17Q First examination report despatched

Effective date: 20040930

RTI1 Title (correction)

Free format text: METHOD FOR PRODUCING A SYSTEM SUPPORT AND ELECTRONIC COMPONENTS

STAA Information on the status of an ep patent application or granted ep patent

Free format text: STATUS: THE APPLICATION IS DEEMED TO BE WITHDRAWN

18D Application deemed to be withdrawn

Effective date: 20080624