EP0683248A1 - Verfahren zur Nachbehandlung von platten-, folien- oder bandförmigem Material, Träger aus derartigem Material und seine Verwendung für Offsetdruckplatten - Google Patents

Verfahren zur Nachbehandlung von platten-, folien- oder bandförmigem Material, Träger aus derartigem Material und seine Verwendung für Offsetdruckplatten Download PDF

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EP0683248A1
EP0683248A1 EP95107331A EP95107331A EP0683248A1 EP 0683248 A1 EP0683248 A1 EP 0683248A1 EP 95107331 A EP95107331 A EP 95107331A EP 95107331 A EP95107331 A EP 95107331A EP 0683248 A1 EP0683248 A1 EP 0683248A1
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EP
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silicate
aftertreatment
layer
solution
alkali
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Wolfgang Dr. Dipl.-Chem. Wiedemann
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    • B41N1/083Printing plates or foils; Materials therefor metallic for lithographic printing made of aluminium or aluminium alloys or having such surface layers

Definitions

  • the invention relates to a process for the aftertreatment of plate, film or tape material based on chemically, mechanically and / or electrochemically roughened and anodically oxidized aluminum or one of its alloys, the aluminum oxide layers of which are treated with an alkali metal silicate in aqueous solution, and one Carrier made of such a material, in which the aluminum oxide layer is coated with an alkali metal silicate layer, and the use of such a carrier as a carrier for offset printing plates.
  • Carrier materials for offset printing plates are either equipped directly by the consumer or by the manufacturer of precoated printing plates or equipped on one or both sides with a radiation or light-sensitive layer, a so-called reproduction layer, with the help of which an image to be printed is created for submission in a photomechanical way.
  • the support After the radiation-sensitive layer has been exposed and developed, the support carries the image-bearing areas which later lead to color printing and, at the same time, forms the hydrophilic background for the lithographic printing process at the non-image areas during later printing, the so-called non-image areas.
  • the parts of the radiation-sensitive layer which have become relatively more soluble after exposure must be easy to remove from the support without residue by development in order to produce the hydrophilic non-image areas.
  • the carrier exposed in the non-image areas must have a high affinity for water, i.e. be highly hydrophilic in order to absorb water quickly and permanently during the lithographic printing process and to be sufficiently repellent to the bold printing ink.
  • the adhesion of the radiation-sensitive layer before or the printing parts of the layer after the irradiation must be sufficient.
  • Aluminum which is roughened on the surface by known methods by dry, wet brushing, sandblasting, chemical and / or electrochemical treatment, is used in particular as the base material for such layer supports.
  • the roughened substrate is subjected to an anodization step to build up a thin oxide layer.
  • the carrier materials in particular anodically oxidized carrier materials based on aluminum, are often used to improve the Layer adhesion, to increase the hydrophilicity and / or to facilitate the developability of the radiation-sensitive layers prior to the application of a radiation-sensitive layer, undergo a further treatment step, as described for example in EP-B 0 105 170 and EP 0 154 201.
  • EP-B 0 105 170 discloses a process for the aftertreatment of aluminum oxide layers with an aqueous alkali silicate solution, in which after the treatment a) is carried out with an aqueous alkali silicate solution, a treatment b) is also carried out with a solution containing aqueous alkaline earth metal salts.
  • the alkali silicate solution is an aqueous Na2SiO3. 5 H20 containing solution. It is then rinsed with distilled water, this intermediate cleaning can also be omitted, and then, or immediately after the silicatization, treatment is carried out in an aqueous solution of an alkaline earth metal nitrate, such as calcium, strontium or barium nitrate.
  • the intermediate rinses with distilled water show a certain influence on the alkali resistance, which is generally better for pores that have not been rinsed after the silicatization step than for rinsed pores.
  • the object of the invention is therefore to improve a process for the aftertreatment of flat aluminum layer supports which have an aluminum oxide layer in such a way that the degradation of the oxide layer by the silicating can be avoided or at least kept very slight.
  • aftertreatment stage a) is aftertreated with an aqueous solution of the ⁇ modification of layered sodium silicate Na2Si2O5.
  • the SiO2 / Na2O molar ratio of the crystalline layered sodium silicate is preferably in the range from 1.9 to 3.5 to 1.
  • the solution in the aftertreatment stage a) contains 0.1 to 10% by weight of ⁇ -Na2Si2O5.
  • the aftertreatment can be carried out as an immersion treatment or else electrochemically, the latter procedure bringing about a certain increase in the alkali resistance and / or improvement in the adsorption behavior of the material. It is assumed that a firmly adhering silicate top layer forms in the pores of the aluminum oxide layer, which protects the aluminum oxide from attacks, the surface topography previously generated, such as roughness and oxide pores, being changed practically or only insignificantly.
  • suitable base materials for the layer supports are also alloys of aluminum which, for example, have a content of more than 98.5% by weight of Al and portions of Si, Fe, Ti, Cu and Zn.
  • the crystalline layered sodium silicate which is a layered silica, has a SiO2 / Na2O molar ratio of 1.9 to 3.5 to 1.
  • the structure of this compound is almost identical to that of the mineral natrosilite, which is a ⁇ modification of Na2Si2O5 is.
  • Very pure sand and soda or sodium hydroxide solution are used as the base material in the production of layered sodium silicate, from which a water glass solution is produced. This solution is then dewatered and crystallized at high temperature into the delta modification of the disilicate.
  • the product obtained can be ground and, if necessary, compacted into granules. In aqueous solution, water penetrates between two layers and widens the distance.
  • layer silicates SKS systems from Hoechst AG, corresponding to S chicht k iesel s äure
  • SKS-6 the most important with regard to builder properties in detergents (binding capacity of Mg, Ca ions); it is also advantageously water-soluble for silicating and processing.
  • Radiation-sensitive coatings are applied to the aftertreated layer supports, and the offset printing plates thus obtained are converted into the desired printing form in a known manner by imagewise exposure and washing out of the non-image areas with a developer, preferably an aqueous developer solution.
  • a developer preferably an aqueous developer solution.
  • offset printing plates stand out, their layer support materials using the two-stage process were treated compared to those plates in which the same support material was aftertreated with aqueous solutions containing silicates, such as water glass or ⁇ - or ⁇ -Na2Si2O5, by improved alkali resistance, a lower tendency to color fog and great resistance to rubber coating the offset printing plate.
  • the time in seconds which is determined in the voltage-time diagram after passing through a minimum until a maximum occurs, serves as a measure of the alkali resistance.
  • An average value is formed from the measured values of two samples.
  • the alkali resistance with an oxide weight of 3.21 g / m2 is 112 ⁇ 10 seconds, this value being an average of 5 double measurements.
  • the support with the highest Si / Al ratio is rinsed with fully deionized water and dried and then gummed with an aqueous solution of dextrin, H3PO4, glycerol, which has a pH of 5.0, and after 16 hours with fully deionized Washed off water.
  • the Si / Al ratio does not change after this procedure and is 0.56, and the Na / Al ratio goes to 0.07 back.
  • the silication with layered sodium silicate is not attacked by the rubber coating, ie the silicate coating is not removed. Phosphorus from the rubber coating can only be detected in the ESCA spectrum, which is proof that the rubber coating does not attack the silicate coating.
  • the silicatisation of the aluminum oxide surface increases with increasing concentration of the layered sodium silicate in the aftertreatment solution, with increasing temperature of the immersion bath (see FIG. 5) and with a longer immersion time. This is expressed in particular in an increase in the Si / Al ratio.
  • the concentration of the layered sodium silicate was increased from 1 g / l to 10 g / l of fully deionized water, furthermore demineralized water, the immersion temperature of the aftertreatment solution was raised from 60 to 80 ° C. (see FIG. 5) and the immersion time was 10 s increased to 120 s.
  • the ESCA measurements show that the applied layered sodium silicate retains its ion exchange capacity, ie when sodium is rinsed with tap or city water, the sodium ions are exchanged for calcium ions.
  • the sodium ions are exchanged for calcium ions.
  • the magnesium content after such a rinse is poor due to its peak value
  • the exchange of sodium for strontium could also be determined using a strontium solution (see also Table 2).
  • Figure 3 shows the oxide degradation in the aluminum oxide layer of a layer or printing plate support.
  • the substrate is roughened electrochemically in hydrochloric acid and anodized in sulfuric acid. Its total thickness is 0.3 mm, the oxide weight is 3.21 g / m2, the thickness of the oxide layer is about 1 ⁇ m.
  • the aftertreatment is carried out in accordance with the process according to the invention in an aqueous solution with a 1% concentration of the layered sodium silicate, deionized water being used. The solution had a pH of 11.4.
  • the printing plate carrier was immersed in the immersion bath at a temperature of 60 ° C. The diving times were 10 to 120 s. As can be seen from Figure 3, the aluminum oxide is attacked only slightly.
  • the surfaces of the substrate which were treated for 10 s, 30 s, and 120 s in the 1% sodium layer silicate solution at 60 ° C, show little change in SEM images compared to the starting material, only that Porosity of the surface, ie the refinement of the pore structure increases slightly.
  • the surfaces of substrates were also investigated, in which sodium metasilicates Na2SiO3 x 5 H2O were used for silicating, under otherwise identical immersion conditions. These investigations were carried out for the diving temperatures of 25 ° C and 60 ° C. A very strong oxide degradation is found, which is still at a low diving temperature of 25 ° C is significantly higher than when silicating with layered sodium silicate.
  • the 1% sodium metasilicate solution (10 g / l Na2SiO3 x 5 H2O, whereby the crystal water is not taken into account) has a pH of 12.2.
  • Alkali resistance values were determined for the following rinse solutions: Rinse solutions: Alkali resistance: 0.4% NaHCO3 in VE-H2O 210/204 s to the maximum 1.0% NaHCO3 in VE-H2O 350 " 0.4% Na2CO3 in VE-H2O 258 " 0.4% Na2SiO3 in VE-H2O 413 " 0.4% Na3PO4 in VE-H2O 278 "
  • Table 2 shows alkali resistance values for further rinsing solutions, together with the X / Al ratios of various alkaline earth metals X in the rinsing solutions to aluminum Al, measured by the ESCA method.
  • the samples were prepared as standard, that is, siliconized in 1% sodium phyllosilicate solution in demineralized water, at an immersion temperature of 60 ° C and an immersion time of 120 s. It was rinsed with deionized water and with solutions in which 0.4% CaCl2, MgCl2, SrCl2 and dextrin were dissolved. Further Solutions were CaSO4, Na2SO4, MgSO4, NaF, LC1, NaHCO3. After drying, the alkali resistance value and the X / Al ratios were determined by ESCA measurements so as to determine the surface coverage by Si, Na, Ca, Sr and the like.
  • X / Al X Ca, Mg, Sr, F, P Si / Al Well / Al X / Al default VE water 80-120 0.46 0.20 - " 0.4% igCaCl2 / VE 145 0.47 0.02 0.07 / approx " "MgCl2 / VE 118 0.48 0.04 ?
  • FIGS. 5 and 6 The results on the temperature dependence of the silication are shown in FIGS. 5 and 6: According to FIG. 5, the Si / Al ratio is independent of the rinsing and increases sharply with increasing temperature and with increasing immersion time.
  • the layered sodium silicate on the Al / AlOOH surface largely retains its ion exchange function; the alkaline earth ions replace the Na ions in the silicated Al / AlOOH surface.
  • the positive layer supports P51 were developed for 60 s with an EP26 developer and then consumed.
  • the negative substrates N50 were treated by hand with 30 ml of DN-5 developer for 60 s without exposure and then burned off.
  • the formation of blue haze is more pronounced in the case of the positive layer supports than the formation of green haze in the case of the negative layer supports, whereby the fog formation on the layer supports in which the silicate coating has been rinsed with city water is least noticeable.

Abstract

Anoxidierte Al/AlOOH-Oberflächen von Aluminiumschichtträgern werden durch Antrag von Natriumschichtsilikat ϑ-Na2Si2O5 in Abhängigkeit von der Konzentration der Antragslösung und der Temperatur des Tauchbades silikatisiert. Bei dem Natriumschichtsilikat handelt es sich um reines, kristallines Natriumsilikat. Es besitzt einen schichtförmigen, polymeren Aufbau. Zur Erhöhung der Alkaliresistenz von silikatisierten Aluminiumschichtträgern wird mit ionenhaltigem Wasser, beispielsweise Stadtwasser, oder mit Lösungen, die Alkali- und/oder Erdalkaliionen enthalten, nachgespült.

Description

  • Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Nachbehandlung von platten-, folien- oder bandförmigem Material auf der Basis von chemisch, mechanisch und/oder elektrochemisch aufgerauhtem und anodisch oxidiertem Aluminium oder einer seiner Legierungen, deren Aluminiumoxidschichten mit einem Alkalimetallsilikat in wäßriger Lösung behandelt werden, sowie einen Träger aus derartigem Material, bei dem die Aluminiumoxidschicht mit einer Alkalimetallsilikatschicht beschichtet ist, und die Verwendung eines derartigen Trägers als Träger für Offsetdruckplatten.
  • Trägermaterialien für Offsetdruckplatten werden entweder vom Verbraucher direkt oder vom Hersteller vorbeschichteter Druckplatten ein- oder beidseitig mit einer strahlungs- bzw. lichtempfindlichen Schicht, einer sogenannten Reproduktionsschicht, ausgerüstet, mit deren Hilfe ein zu druckendes Bild zur Vorlage auf fotomechanischem Wege erzeugt wird. Nach dem Belichten und Entwickeln der strahlungsempfindlichen Schicht trägt der Schichtträger die beim späteren Drucken farbführenden Bildstellen und bildet zugleich an den beim späteren Drucken bildfreien Stellen, den sogenannten Nichtbildstellen, den hydrophilen Bilduntergrund für den lithographischen Druckvorgang.
  • An einen Schichtträger für Reproduktionsschichten zum Herstellen von Offsetdruckplatten sind deshalb folgende Anforderungen zu stellen:
  • Die nach der Belichtung relativ löslicher gewordenen Teile der strahlungsempfindlichen Schicht müssen durch eine Entwicklung leicht, zur Erzeugung der hydrophilen Nichtbildstellen, rückstandsfrei vom Träger zu entfernen sein.
  • Der in den Nichtbildstellen freigelegte Träger muß eine große Affinität zu Wasser besitzen, d.h. stark hydrophil sein, um beim lithographischen Druckvorgang schnell und dauerhaft Wasser aufzunehmen und gegenüber der fetten Druckfarbe ausreichend abstoßend zu wirken.
  • Die Haftung der strahlungsempfindlichen Schicht vor bzw. der druckenden Teile der Schicht nach der Bestrahlung muß in einem ausreichenden Maß gegeben sein.
  • Als Basismaterial für derartige Schichtträger wird insbesondere Aluminium eingesetzt, das nach bekannten Methoden durch Trocken-, Naßbürstung, Sandstrahlen, chemische und/oder elektrochemische Behandlung oberflächlich aufgerauht wird. Zur Steigerung der Abriebfestigkeit wird das aufgerauhte Substrat noch einem Anodisierungsschritt zum Aufbau einer dünnen Oxidschicht unterworfen.
  • In der Praxis werden die Trägermaterialien, insbesondere anodisch oxidierte Trägermaterialien auf der Basis von Aluminium, oftmals zur Verbesserung der Schichthaftung, zur Steigerung der Hydrophilie und/oder zur Erleichterung der Entwickelbarkeit der strahlungsempfindlichen Schichten vor dem Aufbringen einer strahlungsempfindlichen Schicht einem weiteren Behandlungsschritt unterzogen, wie er beispielsweise in den EP-B 0 105 170 und EP 0 154 201 beschrieben ist.
  • Aus der EP-B 0 105 170 ist ein Verfahren zur Nachbehandlung von Aluminiumoxidschichten mit einer wäßrigen Alkalisilikatlösung bekannt, bei dem nach Durchführung der Behandlung a) mit einer wäßrigen Alkalisilikatlösung zusätzlich eine Behandlung b) mit einer wäßrigen Erdalkalimetallsalze enthaltenden Lösung durchgeführt wird. Bei der Alkalisilikatlösung handelt es sich um eine wäßrige Na₂SiO₃ . 5 H₂0 enthaltende Lösung. Danach wird mit destilliertem Wasser abgespült, wobei diese Zwischenreinigung auch weggelassen werden kann, und anschließend oder direkt nach der Silikatisierung erfolgt eine Behandlung in einer wäßrigen Lösung eines Erdalkalimetallnitrats, wie beispielsweise eines Calcium-, Strontium- oder Bariumnitrats. Die Zwischenspülungen mit destilliertem Wasser zeigen eine gewisse Beeinflussung in der Alkaliresistenz, die im allgemeinen bei nach der Silikatisierungsstufe nicht-zwischengespülten Poren besser als bei zwischengespülten Poren ist.
  • In der EP-B 0 154 201 ist ein Verfahren zur Nachbehandlung von Aluminiumoxidschichten in einer Lösung beschrieben, die ein Alkalimetallsilikat und Erdalkalimetallkationen enthält. Als Erdalkalimetallsalze werden Calcium- oder Strontiumsalze, insbesondere Nitrate oder Hydroxide eingesetzt. Die wäßrige Lösung bei der Nachbehandlung enthält zusätzlich noch mindestens einen Komplexbildner für Erdalkalimetallionen. Die Materialien werden elektrochemisch in einer Salpetersäure enthaltenden wäßrigen Lösung aufgerauht. Die Materialien werden ferner in wäßrigen H₂SO₄ und/oder H₃PO₄ enthaltenden Lösungen ein- oder zweistufig anodisch oxidiert. Die Nachbehandlung erfolgt elektrochemisch oder durch eine Tauchbehandlung.
  • Bei den Schichtträgern, die nach den bekannten Verfahren behandelt wurden, zeigt sich, daß die zur Silikatisierung häufig eingesetzten Natriummetasilikate, wie beispielsweise Na₂SiO₃ . 5 H₂O, bei einem höheren pH-Wert von 12,2, der Nachbehandlungslösung sehr schnell das Aluminiumoxid in unerwünschter Weise abbauen.
  • Aufgabe der Erfindung ist es daher, ein Verfahren zur Nachbehandlung von flächigen Aluminiumschichtträgern, die eine Aluminiumoxidschicht aufweisen, so zu verbessern, daß der Abbau der Oxidschicht durch die Silikatisierung vermieden oder zumindest sehr geringfügig gehalten werden kann.
  • Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß in der Weise durch ein Verfahren der eingangs beschriebenen Art gelöst, daß die Nachbehandlung der Aluminiumoxidschicht a) in einer wäßrigen Lösung eines reinen und kristallinen Alkalimetallsilikats erfolgt und b) anschließend mit ionenhaltigem Wasser nachgespült wird. Dabei zeigt es sich als zweckmäßig, wenn das ionenhaltige Wasser Alkali- oder Erdalkalimetallionen enthält, die aus der Gruppe Ca, Mg, Na, K, Sr ausgewählt werden.
  • In Ausgestaltung des Verfahrens wird in der Nachbehandlungsstufe a) mit einer wäßrigen Lösung der ϑ-Modifikation von Natriumschichtsilikat Na₂Si₂O₅ nachbehandelt. Dabei liegt bevorzugt das SiO₂/Na₂O-Molverhältnis des kristallinen Natriumschichtsilikats im Bereich von 1,9 bis 3,5 zu 1. In Weitergestaltung der Erfindung enthält die Lösung in der Nachbehandlungsstufe a) 0,1 bis 10 Gew.% an ϑ-Na₂Si₂O₅.
  • Die Nachbehandlung kann als Tauchbehandlung oder auch elektrochemisch durchgeführt werden, wobei die letztere Verfahrensweise eine gewisse Steigerung in der Alkaliresistenz und/oder Verbesserung des Adsorptionsverhaltens des Materials bringt. Es wird angenommen, daß sich in den Poren der Aluminiumoxidschicht eine festhaftende Silikatdeckschicht bildet, die das Aluminiumoxid vor Angriffen schützt, wobei die vorher erzeugte Oberflächentopographie, wie Rauhigkeit und Oxidporen, praktisch nicht oder nur unwesentlich verändert werden.
  • Die Nachbehandlungsstufe a) elektrochemisch und/oder durch eine Tauchbehandlung wird für eine Zeit von 10 bis 120 Sekunden und bei einer Temperatur von 40 °C bis 80 °C durchgeführt. Die elektrochemische Nachbehandlung wird insbesondere mit Gleich- oder Wechselstrom, Trapez-, Rechtecks- oder Dreieckstrom oder Überlagerungsformen dieser Stromarten vorgenommen. Die Stromdichte liegt dabei im allgemeinen bei 0,1 bis 10 A/dm² und/oder die Spannung bei 3 bis 100 Volt. Der Nachbehandlungsstufe b) mit ionenhaltigem Wasser folgt im allgemeinen eine Tauchbehandlung in einer 0,1 bis 10 Gew.% Salzlösung, wobei diese Salzlösung beispielsweise einzeln oder in Kombination NaF, NaHCO₃, CaSO₄, LC1 und MgSO₄ enthält.
  • Geeignete Grundmaterialien für die Schichtträger sind, neben Aluminium, auch Legierungen von Aluminium, die beispielweise einen Gehalt von mehr als 98,5 Gew.% Al und Anteile an Si, Fe, Ti, Cu und Zn aufweisen.
  • Alle Verfahrensstufen können diskontinuierlich mit Platten oder Folien durchgeführt werden, sie werden aber bevorzugt kontinuierlich mit Bändern in Bandanlagen durchgeführt.
  • Bezüglich der Verfahrensparameter bei kontinuierlicher Verfahrensführung in der elektrochemischen Aufrauhungsstufe, der Vorreinigung und der anodischen Oxidation des Schichtträgermaterials, insbesondere von Aluminium, wird auf die Ausführungen in der EP-B 0 154 201, Spalte 5, Zeilen 5 bis 39, 47, bis Spalte 6, Zeile 36 einschließlich und in der EP-B 0 105 170, Seite 4, Zeilen 11 bis 60 verwiesen. Diese Ausführungen gelten ebenso für die hier beschriebenen Schichtträger, bei denen die gleichen Verfahrensparameter beim elektrochemischen Aufrauhen, der Vorreinigung und der anodischen Oxidation zur Anwendung gelangen. Der Offenbarungsgehalt dieser beiden europäischen Patentschriften im Hinblick auf die Verfahrensparameter bei der kontinuierlichen Verfahrensführung gilt auch im vollen Umfang für die Schichtträger-Materialien der vorliegenden Erfindung.
  • Die Erfindung wird im folgenden anhand von Zeichnungen näher erläutert. Es zeigen:
  • Fig. 1
    die Struktur des Natriumschichtsilikats, das für die Silikatisierung in der Nachbehandlungsstufe eingesetzt wird,
    Fig. 2
    das Si/Al-Verhältnis in der Oberfläche eines Schichtträgers in Abhängigkeit von der Konzentration des Natriumschichtsilikats bei vorgegebener Temperatur des Tauchbades und vorgegebener Tauchzeit,
    Fig. 3
    den Abbau des Oxidgewichts in der Oberfläche eines Schichtträgers in Abhängigkeit von der Eintauchzeit und der Temperatur des Eintauchbades,
    Fig. 4
    die Alkaliresistenz nachbehandelter Schichtträger in Abhängigkeit von der Eintauchzeit, und
    Fig.en 5 und 6
    das Si/Al-Verhältnis in der Oberfläche nachbehandelter Schichtträger und den Na- und Ca-Gehalt der Oberfläche nach der Spülung mit voll entionisiertem Wasser und mit Stadtwasser.
  • Figur 1 zeigt die Struktur von Natriumschichtsilikat, bei dem es sich um ein reines Natriumsilikat handelt, d.h. es ist ausschließlich aus Natrium, Silizium und Sauerstoff aufgebaut. Es handelt sich dabei um die ϑ-Phase des kristallinen Di-silikats Na₂Si₂O₅. Es ähnelt dem weitverbreiteten Wasserglas, ist aber wasserfrei und kristallin. Die in Figur 1 gezeigte Struktur wurde durch Röntgenbeugung an Einkristallen bestimmt. Sie zeigt den polymeren wellenförmigen Schichtaufbau des Silikatgerüstes aus Natriumionen, die in der Abbildung durch große helle Kugeln, Sauerstoff durch große schwarze Kugeln und Silizium durch kleine schwarze Kugeln dargestellt sind. Die Natriumionen liegen nahezu in einer Ebene. Das kristalline Natriumschichtsilikat, bei dem es sich um eine Schichtkieselsäure handelt, besitzt ein SiO₂/Na₂O-Molverhältnis von 1,9 bis 3,5 zu 1. Die Struktur dieser Verbindung ist nahezu identisch mit der des Minerals Natrosilit, bei dem es sich um eine β-Modifikation von Na₂Si₂O₅ handelt. Als Basismaterial werden bei der Herstellung von Natriumschichtsilikat sehr reiner Sand und Soda oder Natronlauge verwendet, aus denen eine Wasserglaslösung hergestellt wird. Diese Lösung wird anschließend entwässert und bei hoher Temperatur in die Delta-Modifikation des Di-silikats kristallisiert. Das erhaltene Produkt kann gemahlen und bei Bedarf zu Granulat kompaktiert werden. In wäßriger Lösung dringt Wasser zwischen zwei Schichten und weitet den Abstand auf. Die Natriumionen sind dann einem Austausch mit anderen Ionen zugänglich. So werden die Calcium- und Magnesiumionen des Spülwassers, beispielsweise Leitungswasser, in einem Ionenaustauschprozeß von dem kristallinen Schichtsilikat gebunden, d.h. die Natriumionen des Schichtsilikats werden schnell ersetzt, wodurch das Silikatgerüst stabilisiert wird. Dieser Austauschprozeß erfolgt schneller als die Auflösung des Natriumschichtsilikats - mit dem Effekt, daß die Teilchen viel kleiner als bei Niederschlägen des amorphen Silikats sind. Das Natriumschichtsilikat liefert die gewünschte Alkalität und stabilisert den pH-Wert. Das Produkt wird von der Hoechst AG als Builder oder Gerüststoff für Waschmittel angeboten.
  • Unter der Bezeichnung Schichtsilikate (SKS-Systeme von Hoechst AG, entsprechend Schichtkieselsäure) sind eine Reihe verschiedener Verbindungen des sehr komplexten Na-Schichtsilikatsystems (Typen SKS 1-21) bekannt, wobei sich der erfindungsgemäße Typ SKS-6 als der wichtigste hinsichtlich Buildereigenschaften in Waschmitteln (Bindungsvermögen von Mg, Ca-Ionen) erwiesen hat; außerdem ist er für die Silikatisierung sowie Verarbeitung vorteilhafterweise wasserlöslich.
  • So besitzen auch trioktaedrisch Schichtsilikate, wie SKS 20 (mineralogische Bezeichnung "Saponit") und SKS 21 ("Hectorit"), Wasserlöslichkeit und ein gutes Kationen-Austauschvermögen der zwischengelagerten Na-Ionen.
  • Ferner besitzen das wasserfreie Na-Schichtsilikat mit Kanemit-Struktur (SKS-9) sowie das synthetische Kanemit (SKS 10) ein sehr gutes Ca-Bindevermögen.
  • Auf die nachbehandelten Schichtträger werden strahlungsempfindliche Beschichtungen aufgebracht, und die so erhaltenen Offsetdruckplatten werden in bekannter Weise durch bildmäßiges Belichten und Auswaschen der Nichtbildstellen mit einem Entwickler, vorzugsweise einer wäßrigen Entwicklerlösung, in die gewünschte Druckform überführt. Überraschenderweise zeichnen sich Offsetdruckplatten, deren Schichtträgermaterialien nach dem zweistufigen Verfahren nachbehandelt wurden, gegenüber solchen Platten, bei denen das gleiche Schichtträgermaterial mit wäßrigen Lösungen nachbehandelt wurde, die Silikate, wie Wasserglas oder α- bzw. β-Na₂Si₂O₅, enthalten, durch eine verbesserte Alkaliresistenz, eine geringere Neigung zur Farbschleierbildung und große Widerstandsfähigkeit gegenüber einer Gummierung der Offsetdruckplatte aus.
  • In der Beschreibung und den nachfolgenden Beispielen bedeuten die %-Angaben stets Gewichts%, wenn nichts anderes angeführt wird. In den Beispielen wird folgende Methode zur Alkaliresistenzbestimmung angeführt:
  • Alkaliresistenzmessung
  • Zur Messung der Alkaliresistenz einer anoxidierten Aluminiumoberfläche wird eine definierte Fläche von 7,5 cm x 7,5 cm bei Raumtemperatur in eine 0,1 N NaOH-Lösung mit einer Elektrolytkonzentration von 4 g NaOH pro Liter voll entionisiertem Wasser eingetaucht und die Alkaliresistenz elektrochemisch bestimmt. Dazu wird stromlos der zeitliche Verlauf des Potentials einer Al/Al³⁺-Halbzelle gegen eine Referenzelektrode gemessen. Der Potentialverlauf gibt Aufschluß über den Widerstand, den die Aluminiumoxidschicht ihrer Auflösung entgegensetzt.
  • Als Maß für die Alkaliresistenz dient die Zeit in Sekunden, die nach dem Durchlaufen eines Minimums bis zum Auftreten eines Maximums im Spannungs-Zeitdiagramm ermittelt wird. Dabei wird aus jeweils den Meßwerten zweier Proben ein Mittelwert gebildet.
  • Für das nicht nachbehandelte Schichtträgermaterial beträgt die Alkaliresistenz bei einem Oxidgewicht von 3,21 g/m² 112 ± 10 Sekunden, wobei dieser Wert ein Mittelwert aus 5 Doppelmessungen ist.
  • Figur 2 zeigt die Silikatisierung bzw. die Belegung mit Silikat einer Aluminiumoberfläche einer Druckplatte, bei der die Nachbehandlung mit Natriumschichtsilikat unterschiedlicher Konzentration in wäßriger Lösung bei einer Tauchbadtemperatur von 60 °C unterschiedlich lang erfolgt. Die Oberflächensilikatisierung wird nach der ESCA-Methode untersucht, bei der es sich um "Electron Spectroscopy for Chemical Analyses" handelt, mit der die Atomlagen an einer Oberfläche bis ca. 5 nm Dicke aufgrund ihrer Bindungsenergielage und der Intensität der Scheitelwerte die Oberflächenatome, gegebenenfalls ihr Bindungszustand, ermittelt werden können. Ferner erlaubt das Intensitätsverhältnis der verschiedenen Scheitelwerte gegenüber dem Scheitelwert von Aluminium eine Beurteilung der Atombelegung auf der Aluminiumoxidoberfläche. Aus Figur 2 geht das Si/Al- sowie das Na/Al-Verhältnis bzw. die Belegung mit Si und Na auf der Aluminiumoxidoberfläche hervor.
  • Der Schichtträger mit dem höchsten Si/Al-Verhältnis wird mit voll entionisiertem Wasser gespült und getrocknet und danach mit einer wäßrigen Lösung von Dextrin, H₃PO₄, Glyzerin, die einen pH-Wert von 5,0 besitzt, gummiert und nach 16 Stunden mit voll entionisiertem Wasser abgewaschen. Das Si/Al-Verhältnis ändert sich nach dieser Prozedur nicht und beträgt 0,56, und das Na/Al-Verhältnis geht auf 0,07 zurück. Die Silikatisierung mit Natriumschichtsilikat wird durch die Gummierung nicht angegriffen, d.h. die Silikatbelegung wird nicht abgetragen. In dem ESCA-Spektrum läßt sich Phosphor aus der Gummierung nur andeutungsweise nachweisen, was als Beleg dafür anzusehen ist, daß die Gummierung die Silikatbelegung nicht angreift.
  • Wie aus Figur 2 ersichtlich ist, nimmt mit zunehmender Konzentration des Natriumschichtsilikats in der Nachbehandlungslösung, mit steigender Temperatur des Tauchbades (s. Fig. 5) und mit längerer Eintauchzeit, die Silikatisierung der Aluminiumoxidoberfläche zu. Diese drückt sich insbesondere in einer Zunahme des Si/Al-Verhältnisses aus. Dabei wurde die Konzentration des Natriumschichtsilikats von 1 g/l auf 10 g/l voll entionisiertes Wasser, weiterhin VE-Wasser gesteigert, die Tauchtemperatur der Nachbehandlungslösung von 60 auf 80 °C (s. Fig. 5) angehoben und die Eintauchzeit von 10 s bis auf 120 s erhöht.
  • Desweiteren zeigt sich bei den ESCA-Messungen, daß das aufgebrachte Natriumschichtsilikat seine Ionenaustauschfähigkeit beibehält, d.h. beim Nachspülen mit Leitungs- bzw. Stadtwasser ein Austausch der Natriumionen gegen Calciumionen auftritt. Nach der Silikatisierung und der Spülung mit VE-Wasser ist neben Silizium immer ein hoher Natriumanteil nachweisbar, der nach Spülung mit Stadt- bzw. Leitungswasser stark reduziert wird und stattdessen ein Anstieg des Calciumanteils festgestellt wird. Während der Magnesiumanteil nach einer derartigen Nachspülung aufgrund seiner Scheitelwertlage schlecht nachweisbar ist, konnte mittels einer Strontiumlösung auch der Austausch von Natrium gegen Strontium festgestellt werden (s. a. Tab. 2).
  • Figur 3 zeigt den Oxidabbau in der Aluminiumoxidschicht eines Schicht- bzw. Druckplattenträgers. Der Schichtträger wird elektrochemisch in Salzsäure aufgerauht und in Schwefelsäure anodisch oxidiert. Seine Gesamtdicke beträgt 0,3 mm, das Oxidgewicht liegt bei 3,21 g/m², die Dicke der Oxidschicht beträgt etwa 1 µm. Die Nachbehandlung erfolgt gemäß dem erfindungsgemäßen Verfahren in einer wäßrigen Lösung mit einer 1 %igen Konzentration des Natriumschichtsilikats, wobei VE-Wasser verwendet wurde. Die Lösung hatte einen pH-Wert von 11,4. Bei dem Nachbehandlungsschritt erfolgte ein Eintauchen des Druckplattenträgers bei einer Temperatur von 60 °C in das Tauchbad. Die Tauchzeiten betrugen 10 bis 120 s. Wie aus Figur 3 ersichtlich ist, wird das Aluminiumoxid nur geringfügig angegriffen. Die Oberflächen des Schichtträgers, die 10 s, 30 s, und 120 s lang in der 1 %igen Natriumschichtsilikat-Lösung bei 60 °C behandelt wurden, zeigen in REM-Aufnahmen, im Vergleich zum Ausgangsmaterial, kaum eine Veränderung, einzig und allein die Porosität der Oberfläche, d.h. die Verfeinerung der Porenstruktur nimmt geringfügig zu. Im Vergleich hierzu wurden auch die Oberflächen von Schichtträgern untersucht, bei denen zur Silikatisierung Natriummetasilikate Na₂SiO₃ x 5 H₂O, unter sonst gleichen Eintauchbedingungen, verwendet wurden. Diese Untersuchungen wurden für die Tauchtemperaturen von 25 °C und 60 °C durchgeführt. Es wird ein sehr starker Oxidabbau festgestellt, der selbst bei niedriger Tauchtemperatur von 25 °C noch deutlich höher als bei einer Silikatisierung mit Natriumschichtsilikat ist. Die 1%ige Natriummetasilikatlösung (10 g/l Na₂SiO₃ x 5 H₂O, wobei das Kristallwasser nicht berücksichtigt ist) besitzt einen pH-Wert von 12,2.
  • Der Oxidabbau wird in einem Chrom/Phosphorsäurebad bei einer höheren Temperatur von ca. 70 °C durch Differenzwägung gravimetrisch ermittelt; das Ausgangsoxidgewicht des Schichtträgers beträgt bei einer Tauchtemperatur von 60 °C 3,21 g/m².
  • Die Bestimmung des Flächengewichts von Aluminiumoxidschichten erfolgt durch chemisches Ablösen gemäß der DIN-Norm 30944 (Ausgabe März 1969) in Verbindung mit einer internen Betriebsvorschrift der Anmelderin aus dem Jahr 1973.
  • Anhand von Figur 4 werden die Alkaliresistenzmessungen von Schichtträgern nach einer Behandlung mit Natriumschichtsilikat und Nachspülung mit Wasser mit unterschiedlicher Zusammensetzung erläutert. Bei den Versuchen wurden Aluminiumschichtträger in einer 1 %igen Natriumschichtsilikat-Lösung (10 g/l Natriumschichtsilikat in VE-Wasser) bei verschiedenen Tauchtemperaturen im Bereich von 40 bis 80 °C unterschiedlich lang getaucht, wobei die Tauchzeiten 10, 30 und 120 s betrugen. Nach Abquetschen der Lösung wurde im Nachspülschritt die Probe entweder mit VE-Wasser oder Stadtwasser bei Raumtemperatur ca. 20 s lang behandelt. Die Ergebnisse dieser Versuche sind in Figur 4 dargestellt.
  • Außerdem wurden weitere Versuche, bei denen von einem, nachbehandelten Träger (1%ig Natriumschichtsilikat-Lösung/VE-Wasser, Tauchbadtemperatur 60 °C, Tauchzeit variiert) ausgegangen wurde, durchgeführt (s. Tab. 1).
    Figure imgb0001
  • Das für die Nachspülung verwendete Stadtwasser hat folgende Zusammensetzung:
    pH = 7,7, 16° D.H. (Deutsche Härte), 10,5° HCO₃ Karbonathärte;
    Ca-Ionen 85 mg/l Cl-Ionen 102 mg/l
    Mg-Ionen 15 mg/l SO₄-Ionen 75 mg/l
    Na-Ionen 61 mg/l NO₃-Ionen 6 mg/l
    K-Ionen 5,8 mg/l SiO₂-Ionen 5,9 mg/l
    DOC 0,8 mgC/l

    mit DOC = gelöster, organisch gebundener Kohlenstoff
    Neben NaCl sind hauptsächlich Ca⁺⁺ sowie SO₄⁻⁻, jedoch relativ wenig Mg im Stadtwasser nachweisbar.
  • Wie Figur 4 zeigt, liefert die Nachspülung mit VE-Wasser allenfalls eine leicht erhöhte Alkaliresistenz, die nur gering von der Tauchtemperatur abhängig ist. Die Nachbehandlung mit Stadtwasser ergibt eine Alkaliresistenz der anoxidierten Aluminiumoberfläche, die deutlich höher liegt als bei der Nachbehandlung mit VE-Wasser. Diese Alkaliresistenz steigt mit zunehmender Tauchbadtemperatur der Natriumschichtsilikat-Lösung stark an.
  • Im Rahmen dieser Versuche (siehe Tab. 1) wurde zum Vergleich auch ein Aluminiumschichtträger mit einer 1 %igen Natriumschichtsilikat-Lösung bei 60 °C während zwei Minuten gespült und anschließend mit VE-Wasser nachgespült. Der Mittelwert der gemessenen Alkaliresistenz aus sechs Doppelmessungen von derart behandelten Platten beträgt 106 ± 19 s bis zum Erreichen des Maximums. Dagegen wird die Alkaliresistenz einer Standard-Silikatisierung, bei der mit Stadtwasser gespült wird, deutlich erhöht. Parallel zur Erhöhung der Alkaliresistenz bei Spülung mit Stadtwasser werden die Na-Ionen größtenteils gegen Ca-Ionen ausgetauscht.
  • Die nachgewiesene deutlich erhöhte Alkaliresistenz durch die Nachspülung mit Stadtwasser ist vermutlich darauf zurückzuführen, daß sich bei Behandlung mit Natriumschichtsilikat ϑ-Na₂Si₂O₅ zunächst Alumosilikate (Na-Salze) ausbilden, die im Nachspülschritt mit Stadtwasser weitere alkaliresistente Bindungen, beispielsweise mit Ca, K, Mg sowie gegebenenfalls mit den Anionen, eingehen.
  • Es wurden auch Untersuchungen angestellt, durch gezielte Nachspülung der mit Natriumschichtsilikat behandelten Schichtträger mit verschiedenen Salzlösungen die Oberflächeneigenschaften zu verbessern, insbesondere die Alkaliresistenz zu steigern und zu stabilisieren. Alkaliresistenzmessungen wurden desweiteren an standardmäßig vorbehandelten Schichtträgerplatten vorgenommen, die mit anionhaltigen Salzlösungen nachgespült wurden. Die Schichtträgerplatten wurden mit 1 %iger Natriumschichtsilikat-Lösung silikatisiert, die Tauchtemperatur betrug 60 °C und die Eintauchzeit 120 s, danach wurde mit VE-Wasser gespült und anschließend quetschnaß in den nachstehend angeführten Salzlösungen nachgespült, wobei die Eintauchzeit 20 s bei Raumtemperatur betrug. Zur Nachspülung wurden größtenteils 0,1 bis 0,4 %ige Salzlösungen eingesetzt, nur in einem Fall eine 1 %ige Salzlösung zu Vergleichszwecken.
  • Alkaliresistenzwerte wurden für folgende Nachspüllösungen ermittelt:
    Nachspüllösungen: Alkaliresistenz:
    0,4 %ig NaHCO₃ in VE-H₂O 210/204 s bis zum Maximum
    1,0 %ig NaHCO₃ in VE-H₂O 350 "
    0,4 %ig Na₂CO₃ in VE-H₂O 258 "
    0,4 %ig Na₂SiO₃ in VE-H₂O 413 "
    0,4 %ig Na₃PO₄ in VE-H₂O 278 "
  • Neben den Erdalkalikationen haben auch Anionen entscheidenden Einfluß auf die Größe der Alkaliresistenz, die beispielsweise durch HCO₃⁻, PO₄³⁻, SiO₃²⁻, CO₃²⁻-Anionen durch Nachspülung mit den entsprechenden Salzlösungen deutlich gesteigert werden kann. Die Aufstellung läßt auch erkennen, daß im Falle einer Nachspüllösung in NaHCO₃ mit steigender Konzentration auch die Alkaliresistenz sich erhöht.
  • In der nachfolgenden Tabelle 2 finden sich Alkaliresistenzwerte für weitere Nachspüllösungen, zusammen mit den Verhältnissen X/Al von verschiedenen Erdalkalimetallen X in den Nachspüllösungen zu Aluminium Al, gemessen nach der ESCA-Methode.
  • Für diese Messungen wurden die Proben standardmäßig vorbereitet, d.h. mit Hilfe von 1 %iger Natriumschichtsilikat-Lösung in VE-Wasser silikatisiert, bei einer Tauchtemperatur von 60 °C und einer Eintauchzeit von 120 s. Es wurde mit VE-Wasser sowie mit Lösungen, in denen jeweils 0,4 %ig CaCl₂, MgCl₂, SrCl₂ und Dextrin gelöst waren, nachgespült. Weitere Lösungen waren CaSO₄, Na₂SO₄, MgSO₄, NaF, LC1, NaHCO₃. Nach der Trocknung wurde der Alkaliresistenzwert und die X/Al-Verhältnisse durch ESCA-Messungen bestimmt, um so die Oberflächenbelegung durch Si, Na, Ca, Sr und dergl. zu ermitteln. TABELLE 2
    Natriumschichtsilikat Nachspülung Alkaliresistenz in s bis zum Maximum ESCA: X/Al X = Ca, Mg, Sr, F, P
    Si/Al Na/Al X/Al
    Standard VE-Wasser 80-120 0,46 0,20 -
    " 0,4%igCaCl₂/VE 145 0,47 0,02 0,07/Ca
    " " MgCl₂/VE 118 0,48 0,04 ? /Mg
    " " SrCl₂/VE 126 0,49 0,02 0,07/Sr
    " Stadtwasser D.H. = 16° 200-250 0,47 0,06 0,07/Ca
    " 0,4%igDextrin/VE 130 0,49 0,16 -
    Standard 0,4%igCaCl₂/Stadtwasser 217 0,49 0,04 0,06/Ca
    " 0,4%igCaCl₂/60°C 254 0,42 0,03 0,08/Ca
    Stadtwasser
    " 0,1%igCaSO₄/VE 212/242 0,42 0,03 0,10/Ca
    0,06/P
    " 0,4%igNa₂SO₄/VE 90/115 0,46 0,29 -
    " 0,2%igMgSO₄/VE 144 0,42 0,09 0,05/P
    Standard 0,4%igNaF/VE 182**/255 0,47 0,33 0,13/F
    " 0,4%igNaF/* Stadtwasser 362 0,46 0,29 0,21/F
    0,06/Ca
    " 0,4%igNaF/60°C* 246 0,39 0,41 0,35/F
    0,09/Ca
    " 0,4%igNaF/60°C 128** 0,40 0,43 0,19/F
    Standard 0,22%igLC1/VE 110/135 0,31 0,01 0,58/P
    " 0,4%igNaHCO₃/VE 210/204 0,42 0,31 -
    " 0,4%igNaHCO₃/60°C 168** 0,45 0,31 -
    ** 2. Max./Mittelwert LC1 = Polyvinylphosphonsäure
    * mit Stadtwasser gespült vor der Nachspülung
  • Die Ergebnisse zur Temperaturabhängigkeit der Silikatisierung sind in den Figuren 5 und 6 dargestellt:
    Nach Figur 5 ist das Si/Al-Verhältnis unabhängig von der Spülung und nimmt mit steigender Temperatur stark zu sowie mit zunehmender Eintauchzeit.
  • Aus Figur 6 ist ersichtlich, daß die Ca/Al- sowie Na/Al-Verhältnisse bei Spülung mit Stadtwasser im gleichen Bereich von etwa 0,05 ± 0,02 liegen, während bei Nachspülung mit VE-Wasser das Na/Al-Verhältnis mit steigender Temperatur zunimmt, ähnlich wie das Si/Al-Verhältnis.
  • Das aufgebrachte Natriumschichtsilikat auf der Al/AlOOH-Oberfläche behält weitgehend seine Ionenaustauschfunktion; die Erdalkali-Ionen ersetzen die Na-Ionen in der silikatisierten Al/AlOOH-Oberfläche.
  • Die Ergebnisse der Nachspülversuche aus Tabelle 2 sowie der Darstellung in den Figuren 4 bis 6 lassen folgende Aussagen zu:
    • Unter Standardbedingungen für die Silikatisierung der Oberflächen der Schichtträgerplatten wird durch die Erhöhung der Natriumschichtsilikatkonzentration, der Tauchtemperatur auf 80 °C sowie eventueller Verlängerung der Eintauchzeit und Alterung der Al/AlOOH-Trägeroberfläche eine stärkere Silikatbelegung erreicht.
    • Das aufgebrachte Natriumschichtsilikat mit einem Si/Al-Verhältnis von 0,4 bis 0,5 und einem Na/Al-Verhältnis von ca. 0,2 erhöht nicht die Alkaliresistenz bei Nachspülung mit VE-Wasser.
    • Das Natriumschichtsilikat behält auf der Schichtträgeroberfläche seine Ionenaustausch-Eigenschaften, d.h. es erfolgt ein Austausch der Na- gegen Ca-Ionen, wenn mit Stadtwasser nachgespült wird.
    • Durch die Nachspülung mit Stadtwasser, in dem verschiedene Ionen, insbesondere Ca, Mg, vorhanden sind, wird die Alkaliresistenz deutlich erhöht, die Meßwerte liegen oberhalb von 200 s. Dieser Effekt wird verstärkt, wenn das Stadtwasser erhitzt wird, beispielsweise die Tauchtemperatur 60 °C beträgt. Der Wert der Alkaliresistenz liegt dann bei etwa 300 s. Nach Fig. 4 beträgt der Alkaliresistenzwert mehr als 400 s bei 60 °C Tauchbadtemperatur.
      Die Nachspülung mit verschiedenen Salzlösungen in VE-Wasser steigert die Alkaliresistenz nicht wesentlich, nur mit Salzlösungen auf der Basis von beispielsweise NaHCO₃, CaSO₄, MgSO₄ läßt sich die Alkaliresistenz erhöhen.
    • Die Nachspülung mit 0,4 %iger NaF-Lösung in VE-Wasser bzw. in Stadtwasser bringt eine sehr hohe Alkaliresistenz. Es wird vermutet, daß das schwer lösliche CaF₂ im Schichtsilikat aufgrund einer vorangegangenen Stadtwasserspülung entsteht, das dann die Alkaliresistenz erheblich steigert.
    • Die Vorteile von Natriumschichtsilikat gegenüber anderen Silikaten, wie beispielsweise Na₂SiO₃, liegt in seiner geringeren Alkalität und dem stark reduzierten Oxidangriff, wie anhand von Figur 3 schon beschrieben wurde.
    • Die Silikatschicht bleibt auch nach erfolgter Gummierung erhalten. Bei den ESCA-Messungen wird die Gummierung durch das andeutungsweise Vorhandensein von Phosphor nachgewiesen, während das gleichbleibende Si/Al-Verhältnis anzeigt, daß die Gummierung die Silikatisierung nicht beeinträchtigt.
  • Zur Untersuchung der Farbschleierbildung wurden standardmäßig mit Natriumschichtsilikat beschichtete und mit Stadtwasser nachgespülte Schichtträger vom Typ P51 im Format 32 x 27 cm hergestellt und mit einer positiv-Druckplattenrezeptur (P61-Lösung) und einer Negativ-Druckplattenrezeptur (N50-Lösung) handbeschichtet. Für Vergleichszwecke wurde außerdem ein unbehandelter Schichtträger P51, der auch nicht mit LC1-Lösung behandelt wurde, mit den gleichen Druckplattenrezepturen beschichtet und anschließend getrocknet.
  • Die Positiv-Schichtträger P51 wurden nach der Belichtung 60 s lang mit einem Entwickler EP26 entwickelt und anschließend abgebraust. Die Negativ-Schichtträger N50 wurden ohne Belichtung 60 s lang von Hand aus mit 30 ml DN-5 Entwickler behandelt und anschließend abgebraust.
  • Die wesentlichen Bestandteile des EP-26-Entwicklers sind Na-Silikat, -hydroxid, -tetraborat, Sr-Levolinat, Polyglykol und Wasser. Der DN-5-Entwickler enthält Benzylalkohol, Mono-, Di- und Triethanolamin, Stickstoff und hat einen pH-Wert von 10,9.
  • Nach visueller Beurteilung ist bei den Positiv-Schichtträgern die Blauschleierbildung stärker ausgeprägt als bei den Negativ-Schichtträger die Grünschleierbildung, wobei die Schleierbildungen auf den Schichtträgern am wenigsten erkennbar sind, bei denen die Silikatbeschichtung mit Stadtwasser nachgespült wurde.
  • Die in der nachstehenden Tabelle 3 angeführten Werte für die Helligkeit L und die Farbverschiebung a/b der Schichtträger werden gemäß der DIN-Norm 6171 (Fassung vom Januar 1979) gemessen. Die in Tabelle 3 eingetragenen Werte sind Mittelwerte aus drei Messungen. TABELLE 3
    P51-Träger/Nachbehandlung Plattentyp Entwicklungszeit/Entwickler L a b
    ohne LC1/unbehandelt unbeschichtet -- 77,7 -0,26 0,65
    " " + (P61) 60s/EP26 74,7 -0,82 -0,10
    " " -(N50) 60s/DN-5 74,7 -1,82 0,48
    SKS-6 Standard/S- unbesch. -- 77,0 0,08 0,64
    tadtwasser
    " " +(P61) 60s/EP26 74,1 -0,64 -1,39
    " " -(N50) 60s/DN-5 75,7 -0,96 -0,06
    SKS-6 Standard/V- unbesch. -- 77,4 0,04 0,55
    E-Wasser
    " " +(P61) 60s/EP26 71,6 -1,57 -4,3
    " " -(N50) 60s/DN-5 73,9 -1,92 -1,62
    SKS-6 = Natriumschichtsilikat ϑ-Na₂Si₂O₅

Claims (16)

  1. Verfahren zur Nachbehandlung von platten-, folien- oder bandförmigem Material auf der Basis von chemisch, mechanisch und/oder elektrochemisch aufgerauhtem und anodisch oxidiertem Aluminium oder einer seiner Legierungen, deren Aluminiumoxidschichten mit einem Alkalimetallsilikat in wäßriger Lösung behandelt werden, dadurch gekennzeichnet, daß die Nachbehandlung der Aluminiumoxidschicht a) in einer wäßrigen Lösung eines reinen und kristallinen Alkalimetallsilikats erfolgt und b) anschließend mit ionenhaltigem Wasser nachgespült wird.
  2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das ionenhaltige Wasser Alkali- oder Erdalkalimetallionen enthält.
  3. Verfahren nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Alkali- oder Erdalkalimetallionen aus der Gruppe Ca, Mg, Na, K, Sr ausgewählt werden.
  4. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß in der Nachbehandlungsstufe a) mit einer wäßrigen Lösung der ϑ-Modifikation von Natriumschichtsiliakt Na₂Si₂O₅ nachbehandelt wird.
  5. Verfahren nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß das SiO₂/Na₂O-Molverhältnis des kristallinen Natriumschichtsilikats im Bereich von 1,9 bis 3,5 zu 1 liegt.
  6. Verfahren nach einem oder mehreren der Ansprüche 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, daß die Lösung in der Nachbehandlungsstufe a) 0,1 bis 10 Gew.% an ϑ-Na₂Si₂O₅ enthält.
  7. Verfahren nach einem oder mehreren der Ansprüche 1 bis 6, dadurch gekennzeichnet, daß die Nachbehandlungsstufe a) elektrochemisch und/oder durch eine Tauchbehandlung von 10 bis 120 Sekunden und bei einer Temperatur von 25 °C bis 80 °C durchgeführt wird.
  8. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der Nachbehandlungsstufe b) mit ionenhaltigem Wasser eine Tauchbehandlung in einer 0,1 - 10 Gew.% Salzlösung folgt.
  9. Verfahren nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, daß die elektrochemische Nachbehandlung mit einer Stromdichte von 0,1 bis 10 A/dm² und/oder einer Spannung von 3 bis 100 V durchgeführt wird.
  10. Verfahren nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, daß die Salzlösung einzeln oder in Kombination NaF, NaHCO₃, CaSO₄, LC1 und MgSO₄ enthält.
  11. Verfahren nach Anspruch 10, dadurch gekennzeichnet, daß der Spülung mit der Salzlösung ein Absprühen mit ionenhaltigem Wasser vorausgeht.
  12. Träger aus platten-, folien- oder bandförmigem Material auf der Basis von chemisch, mechanisch und/oder elektrochemisch aufgerauhtem und anodisch oxidiertem Aluminium oder einer seiner Legierungen, deren Aluminiumoxidschicht mit einer Alkalimetallsilikatschicht beschichtet ist, dadurch gekennzeichnet, daß die Alkalimetallsilikatschicht aus reinem, kristallinem Natriumschichtsilikat besteht.
  13. Träger nach Anspruch 12, dadurch gekennzeichnet, daß das Natriumschichtsilikat einen schichtförmigen, polymeren Aufbau aufweist.
  14. Träger nach Anspruch 12, dadurch gekennzeichnet, daß das Natriumsilikat die Zusammensetzung ϑ-Na₂Si₂O₅ besitzt und daß das SiO₂:Na₂O-Molverhältnis des kristallinen Natriumschichtsilikats im Bereich von 1,9 bis 3,5 zu 1 liegt.
  15. Träger nach Anspruch 14, dadurch gekennzeichnet, daß an der Al/AlOOH-Oberfläche das Si/Al-Verhältnis 0,10 bis 0,8 und das Ca/Al-Verhältnis 0,01 bis 0,15 beträgt.
  16. Verwendung des nach einem oder mehreren der Ansprüche 1 bis 11 nachbehandelten Materials als Träger für Offsetdruckplatten.
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102007057777A1 (de) * 2007-11-30 2009-06-04 Erbslöh Ag Bauteil aus Aluminium und/oder einer Aluminiumlegierung mit einer sehr hohen Korrosionsbeständigkeit sowie Verfahren zu dessen Herstellung
WO2011045423A1 (de) * 2009-10-16 2011-04-21 Henkel Ag & Co. Kgaa Mehrstufiges verfahren zur herstellung von alkaliresistenten anodisierten aluminiumoberflächen
ITMO20130129A1 (it) * 2013-05-14 2014-11-15 Italtecno S R L Metodo di fissaggio dell'ossido di alluminio.

Families Citing this family (65)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE69605178T2 (de) * 1996-04-03 2000-06-21 Agfa Gevaert Nv Verfahren zur Herstellung von eine hydrophilen Oberfläche einer lithographischen Druckplatte
JP3830114B2 (ja) * 1997-09-29 2006-10-04 富士写真フイルム株式会社 ポジ型感光性平版印刷版
EP0908306B3 (de) 1997-10-08 2009-08-05 Agfa-Gevaert Verfahren zur Herstellung einer positiv arbeitenden Druckplatte aus wärmempfindlichem Bildaufzeichnungsmaterial
DE69901642T3 (de) 1998-03-14 2019-03-21 Agfa Nv Verfahren zur Herstellung einer positiv arbeitenden Druckplatte aus einem wärmeempfindlichem Bildaufzeichnungsmaterial
JP2000219234A (ja) * 1999-01-29 2000-08-08 Bridgestone Sports Co Ltd ゴルフボール用箱
US6865862B2 (en) * 2000-11-20 2005-03-15 C.G. Bretting Mfg. Co., Inc. Log bander apparatus and method
EP1243413B1 (de) 2001-03-20 2004-05-26 Agfa-Gevaert Verfahren zur Herstellung einer negativarbeitenden, wärmeempfindlichen, lithographischen Druckplattenvorstufe
JP4268345B2 (ja) * 2001-04-20 2009-05-27 富士フイルム株式会社 平版印刷版用支持体
EP1295717B1 (de) 2001-09-24 2007-07-25 Agfa Graphics N.V. Wärmeempfindlicher positiv arbeitender Flachdruckplattenvorläufer
EP1297950B1 (de) 2001-09-27 2007-04-25 Agfa Graphics N.V. Wärmeempfindlicher lithographischer Druckplattenvorläufer
EP1366898A3 (de) 2002-05-29 2004-09-22 Agfa-Gevaert Flachdruckverfahren mit einer wiederverwendbaren Aluminiumträgeroberfläche
EP1396338B1 (de) 2002-09-04 2006-07-19 Agfa-Gevaert Wärmeempfindlicher Flachdruckplattenvorläufer
US20060000377A1 (en) * 2002-10-04 2006-01-05 Agfa-Gevaert Method of marking a lithographic printing plate precursor
US20060234161A1 (en) * 2002-10-04 2006-10-19 Eric Verschueren Method of making a lithographic printing plate precursor
US7458320B2 (en) 2002-10-15 2008-12-02 Agfa Graphics, N.V. Polymer for heat-sensitive lithographic printing plate precursor
US20060060096A1 (en) * 2002-10-15 2006-03-23 Agfa-Gevaert Polymer for heat-sensitive lithographic printing plate precursor
US7198877B2 (en) 2002-10-15 2007-04-03 Agfa-Gevaert Heat-sensitive lithographic printing plate precursor
DE60321371D1 (de) 2002-10-15 2008-07-10 Agfa Graphics Nv Polymer für wärmeempfindlichen vorläufer einer lithographischen druckplatte
US20070077513A1 (en) * 2003-12-18 2007-04-05 Agfa-Gevaert Positive-working lithographic printing plate precursor
US7467587B2 (en) 2004-04-21 2008-12-23 Agfa Graphics, N.V. Method for accurate exposure of small dots on a heat-sensitive positive-working lithographic printing plate material
US7348126B2 (en) 2004-04-27 2008-03-25 Agfa Graphics N.V. Negative working, heat-sensitive lithographic printing plate precursor
US7195861B2 (en) 2004-07-08 2007-03-27 Agfa-Gevaert Method for making a negative working, heat-sensitive lithographic printing plate precursor
US7354696B2 (en) 2004-07-08 2008-04-08 Agfa Graphics Nv Method for making a lithographic printing plate
US7425405B2 (en) 2004-07-08 2008-09-16 Agfa Graphics, N.V. Method for making a lithographic printing plate
US20070003875A1 (en) * 2005-06-30 2007-01-04 Agfa-Gevaert Method for preparing a lithographic printing plate precursor
US20070003869A1 (en) * 2005-06-30 2007-01-04 Agfa-Gevaert Heat-sensitive lithographic printing plate-precursor
US7678533B2 (en) 2005-06-30 2010-03-16 Agfa Graphics, N.V. Heat-sensitive lithographic printing plate precursor
US8313885B2 (en) 2005-11-10 2012-11-20 Agfa Graphics Nv Lithographic printing plate precursor comprising bi-functional compounds
US7355888B2 (en) * 2005-12-19 2008-04-08 Sandisk Corporation Apparatus for programming non-volatile memory with reduced program disturb using modified pass voltages
US7355889B2 (en) * 2005-12-19 2008-04-08 Sandisk Corporation Method for programming non-volatile memory with reduced program disturb using modified pass voltages
ATE517758T1 (de) 2006-03-17 2011-08-15 Agfa Graphics Nv Verfahren zur herstellung einer lithografiedruckform
US7492633B2 (en) * 2006-06-19 2009-02-17 Sandisk Corporation System for increasing programming speed for non-volatile memory by applying counter-transitioning waveforms to word lines
US7349261B2 (en) * 2006-06-19 2008-03-25 Sandisk Corporation Method for increasing programming speed for non-volatile memory by applying counter-transitioning waveforms to word lines
EP1884372B1 (de) 2006-08-03 2009-10-21 Agfa Graphics N.V. Flachdruckplattenträger
US8189378B2 (en) * 2006-09-27 2012-05-29 Sandisk Technologies Inc. Reducing program disturb in non-volatile storage
US8184478B2 (en) * 2006-09-27 2012-05-22 Sandisk Technologies Inc. Apparatus with reduced program disturb in non-volatile storage
EP1985445B1 (de) 2007-04-27 2011-07-20 Agfa Graphics N.V. Lithographiedruckplattenvorläufer
EP2098376B1 (de) 2008-03-04 2013-09-18 Agfa Graphics N.V. Verfahren zur Herstellung eines Lithographiedruckplattenträgers
US8173221B2 (en) * 2008-03-18 2012-05-08 MCT Research & Development Protective coatings for metals
US20090271562A1 (en) * 2008-04-25 2009-10-29 Sinclair Alan W Method and system for storage address re-mapping for a multi-bank memory device
EP2159049B1 (de) 2008-09-02 2012-04-04 Agfa Graphics N.V. Wärmeempfindlicher, positiv arbeitender Lithographiedruckformvorläufer
ES2395993T3 (es) 2010-03-19 2013-02-18 Agfa Graphics N.V. Precursor de plancha de impresión litográfica
ES2427137T3 (es) 2011-02-18 2013-10-29 Agfa Graphics N.V. Precursor de plancha de impresión litográfica
WO2014017640A1 (ja) 2012-07-27 2014-01-30 富士フイルム株式会社 平版印刷版用支持体およびその製造方法、並びに、平版印刷版原版
CN104870193B (zh) 2013-01-01 2017-12-22 爱克发印艺公司 (乙烯、乙烯醇缩醛)共聚物和它们在平版印刷版前体中的用途
EP3011392B1 (de) 2013-06-18 2019-03-13 Agfa Nv Verfahren zur herstellung eines lithographiedruckformvorläufers mit einer strukturierten rückschicht
EP2871057B1 (de) 2013-11-07 2016-09-14 Agfa Graphics Nv Negativ arbeitender, wärmeempfindlicher Lithographiedruckplattenvorläufer
CN105916693A (zh) 2014-01-21 2016-08-31 爱克发印艺公司 用于喷墨式打印装置的输送机带
EP2933278B1 (de) 2014-04-17 2018-08-22 Agfa Nv (Ethylen-,Vinylacetal-)Copolymere und ihre Verwendung in Lithographiedruckplattenvorläufern
EP2944657B1 (de) 2014-05-15 2017-01-11 Agfa Graphics Nv (Ethylen-,Vinylacetal-)Copolymere und deren Verwendung in Lithographiedruckplattenvorläufern
ES2660063T3 (es) 2014-06-13 2018-03-20 Agfa Nv Copolímeros (de etileno, vinilacetal) y su uso en precursores de plancha de impresión litográfica
EP2963496B1 (de) 2014-06-30 2017-04-05 Agfa Graphics NV Lithografiedruckplattenvorläufer mit (Ethylen-, Vinylacetal-) Copolymeren
WO2016039809A1 (en) * 2014-09-08 2016-03-17 Mct Research And Development Silicate coatings
EP3017943A1 (de) 2014-11-06 2016-05-11 Agfa Graphics Nv Nachhaltige lithografische Druckplatte
ES2642814T3 (es) 2014-11-06 2017-11-20 Agfa Graphics Nv Procedimiento de fabricación de un precursor de plancha de impresión litográfica
EP3032334B1 (de) 2014-12-08 2017-10-18 Agfa Graphics Nv System zur Reduzierung von Ablationsrückständen
EP3121008B1 (de) 2015-07-23 2018-06-13 Agfa Nv Lithografiedruckplattenvorläufer mit graphitoxid
EP3130465B1 (de) 2015-08-12 2020-05-13 Agfa Nv Wärmeempfindlicher lithografiedruckplattenvorläufer
EP3157310A1 (de) 2015-10-12 2017-04-19 Agfa Graphics Nv Erfassungsblatt zur perforation elektrischer platten, wie etwa leiterplatten
EP3170662B1 (de) 2015-11-20 2019-08-14 Agfa Nv Flachdruckplattenvorläufer
US20190079406A1 (en) 2016-03-16 2019-03-14 Agfa Nv Method for processing a lithographic printing plate
EP3239184A1 (de) 2016-04-25 2017-11-01 Agfa Graphics NV Thermoplastische polymerpartikel und ein lithografiedruckplattenvorläufer
CN110023840A (zh) 2016-12-01 2019-07-16 爱克发有限公司 制造含有重氮化合物的平版印刷版前体的方法
WO2019039074A1 (ja) 2017-08-25 2019-02-28 富士フイルム株式会社 ネガ型平版印刷版原版、及び、平版印刷版の製版方法
EP3715140A1 (de) 2019-03-29 2020-09-30 Agfa Nv Verfahren zum drucken

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0105170A2 (de) * 1982-09-01 1984-04-11 Hoechst Aktiengesellschaft Verfahren zur Nachbehandlung von Aluminiumoxidschichten mit Alkalisilikat enthaltenden wässrigen Lösungen und dessen Verwendung bei der Herstellung von Offsetdruckplattenträgern
EP0154201B1 (de) 1984-02-21 1987-08-19 Hoechst Aktiengesellschaft Verfahren zur Nachbehandlung von Aluminiumoxidschichten mit Alkalimetallsilikat enthaltenden wässrigen Lösungen und deren Verwendung bei der Herstellung von Offsetdruckplattenträgern

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2882153A (en) * 1954-02-04 1959-04-14 Polychrome Corp Planographic printing plate
US2882152A (en) * 1957-06-21 1959-04-14 Malon H Dickerson High speed developers
US3902976A (en) * 1974-10-01 1975-09-02 S O Litho Corp Corrosion and abrasion resistant aluminum and aluminum alloy plates particularly useful as support members for photolithographic plates and the like

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0105170A2 (de) * 1982-09-01 1984-04-11 Hoechst Aktiengesellschaft Verfahren zur Nachbehandlung von Aluminiumoxidschichten mit Alkalisilikat enthaltenden wässrigen Lösungen und dessen Verwendung bei der Herstellung von Offsetdruckplattenträgern
EP0105170B1 (de) 1982-09-01 1988-01-13 Hoechst Aktiengesellschaft Verfahren zur Nachbehandlung von Aluminiumoxidschichten mit Alkalisilikat enthaltenden wässrigen Lösungen und dessen Verwendung bei der Herstellung von Offsetdruckplattenträgern
EP0154201B1 (de) 1984-02-21 1987-08-19 Hoechst Aktiengesellschaft Verfahren zur Nachbehandlung von Aluminiumoxidschichten mit Alkalimetallsilikat enthaltenden wässrigen Lösungen und deren Verwendung bei der Herstellung von Offsetdruckplattenträgern

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102007057777A1 (de) * 2007-11-30 2009-06-04 Erbslöh Ag Bauteil aus Aluminium und/oder einer Aluminiumlegierung mit einer sehr hohen Korrosionsbeständigkeit sowie Verfahren zu dessen Herstellung
DE102007057777B4 (de) * 2007-11-30 2012-03-15 Erbslöh Ag Verfahren zur Herstellung eines Bauteils aus Aluminium und/oder einer Aluminiumlegierung sowie Verwendung des Verfahrens
WO2011045423A1 (de) * 2009-10-16 2011-04-21 Henkel Ag & Co. Kgaa Mehrstufiges verfahren zur herstellung von alkaliresistenten anodisierten aluminiumoberflächen
ITMO20130129A1 (it) * 2013-05-14 2014-11-15 Italtecno S R L Metodo di fissaggio dell'ossido di alluminio.

Also Published As

Publication number Publication date
US5556531A (en) 1996-09-17
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US5770315A (en) 1998-06-23

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