DE4417907A1 - Verfahren zur Nachbehandlung von platten-, folien- oder bandförmigem Material, Träger aus derartigem Material und seine Verwendung für Offsetdruckplatten - Google Patents
Verfahren zur Nachbehandlung von platten-, folien- oder bandförmigem Material, Träger aus derartigem Material und seine Verwendung für OffsetdruckplattenInfo
- Publication number
- DE4417907A1 DE4417907A1 DE4417907A DE4417907A DE4417907A1 DE 4417907 A1 DE4417907 A1 DE 4417907A1 DE 4417907 A DE4417907 A DE 4417907A DE 4417907 A DE4417907 A DE 4417907A DE 4417907 A1 DE4417907 A1 DE 4417907A1
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- silicate
- sodium
- layer
- water
- solution
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 33
- 239000000463 material Substances 0.000 title claims description 18
- 238000007645 offset printing Methods 0.000 title claims description 8
- 239000011888 foil Substances 0.000 title claims description 5
- 230000008569 process Effects 0.000 title description 6
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 59
- 229910001868 water Inorganic materials 0.000 claims abstract description 48
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 claims abstract description 15
- 229910052910 alkali metal silicate Inorganic materials 0.000 claims abstract description 10
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 claims abstract description 10
- 239000011734 sodium Substances 0.000 claims description 50
- BPQQTUXANYXVAA-UHFFFAOYSA-N Orthosilicate Chemical compound [O-][Si]([O-])([O-])[O-] BPQQTUXANYXVAA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 42
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 claims description 41
- 239000003513 alkali Substances 0.000 claims description 37
- DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M Ilexoside XXIX Chemical compound C[C@@H]1CC[C@@]2(CC[C@@]3(C(=CC[C@H]4[C@]3(CC[C@@H]5[C@@]4(CC[C@@H](C5(C)C)OS(=O)(=O)[O-])C)C)[C@@H]2[C@]1(C)O)C)C(=O)O[C@H]6[C@@H]([C@H]([C@@H]([C@H](O6)CO)O)O)O.[Na+] DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M 0.000 claims description 35
- 239000000243 solution Substances 0.000 claims description 34
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 16
- 229910052911 sodium silicate Inorganic materials 0.000 claims description 15
- UIIMBOGNXHQVGW-UHFFFAOYSA-M Sodium bicarbonate Chemical compound [Na+].OC([O-])=O UIIMBOGNXHQVGW-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 14
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 14
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 13
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- NTHWMYGWWRZVTN-UHFFFAOYSA-N sodium silicate Chemical compound [Na+].[Na+].[O-][Si]([O-])=O NTHWMYGWWRZVTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 229910052615 phyllosilicate Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 239000004115 Sodium Silicate Substances 0.000 claims description 9
- FAPWRFPIFSIZLT-UHFFFAOYSA-M Sodium chloride Chemical compound [Na+].[Cl-] FAPWRFPIFSIZLT-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 9
- 229910021527 natrosilite Inorganic materials 0.000 claims description 9
- CSNNHWWHGAXBCP-UHFFFAOYSA-L Magnesium sulfate Chemical compound [Mg+2].[O-][S+2]([O-])([O-])[O-] CSNNHWWHGAXBCP-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims description 8
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 235000017557 sodium bicarbonate Nutrition 0.000 claims description 7
- 229910000030 sodium bicarbonate Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000012266 salt solution Substances 0.000 claims description 6
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims description 6
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 claims description 6
- PUZPDOWCWNUUKD-UHFFFAOYSA-M sodium fluoride Chemical compound [F-].[Na+] PUZPDOWCWNUUKD-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 6
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 claims description 5
- 229910052712 strontium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 5
- 229910002706 AlOOH Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910001420 alkaline earth metal ion Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims description 4
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052925 anhydrite Inorganic materials 0.000 claims description 4
- OSGAYBCDTDRGGQ-UHFFFAOYSA-L calcium sulfate Chemical compound [Ca+2].[O-]S([O-])(=O)=O OSGAYBCDTDRGGQ-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims description 4
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052943 magnesium sulfate Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 235000019341 magnesium sulphate Nutrition 0.000 claims description 4
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 4
- 238000012986 modification Methods 0.000 claims description 4
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 claims description 4
- KKCBUQHMOMHUOY-UHFFFAOYSA-N Na2O Inorganic materials [O-2].[Na+].[Na+] KKCBUQHMOMHUOY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052700 potassium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910001413 alkali metal ion Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 238000005507 spraying Methods 0.000 claims 1
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 26
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 description 16
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 description 14
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 13
- 239000011575 calcium Substances 0.000 description 11
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 10
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 9
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 9
- 229910001415 sodium ion Inorganic materials 0.000 description 8
- 235000019795 sodium metasilicate Nutrition 0.000 description 8
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 7
- 238000004833 X-ray photoelectron spectroscopy Methods 0.000 description 6
- -1 alkaline earth metal salts Chemical class 0.000 description 6
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 6
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 6
- 229910001424 calcium ion Inorganic materials 0.000 description 5
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 5
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 5
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 5
- OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N Calcium Chemical compound [Ca] OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 150000001450 anions Chemical class 0.000 description 4
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 4
- 239000012487 rinsing solution Substances 0.000 description 4
- 239000011780 sodium chloride Substances 0.000 description 4
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L Sodium Carbonate Chemical compound [Na+].[Na+].[O-]C([O-])=O CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 3
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000009471 action Effects 0.000 description 3
- 239000002585 base Substances 0.000 description 3
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 3
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 3
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 3
- 238000011010 flushing procedure Methods 0.000 description 3
- 235000011007 phosphoric acid Nutrition 0.000 description 3
- 235000019353 potassium silicate Nutrition 0.000 description 3
- 150000004760 silicates Chemical class 0.000 description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 3
- 235000013024 sodium fluoride Nutrition 0.000 description 3
- 239000011775 sodium fluoride Substances 0.000 description 3
- 235000011121 sodium hydroxide Nutrition 0.000 description 3
- CIOAGBVUUVVLOB-UHFFFAOYSA-N strontium atom Chemical compound [Sr] CIOAGBVUUVVLOB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BHPQYMZQTOCNFJ-UHFFFAOYSA-N Calcium cation Chemical compound [Ca+2] BHPQYMZQTOCNFJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004375 Dextrin Substances 0.000 description 2
- 229920001353 Dextrin Polymers 0.000 description 2
- PEDCQBHIVMGVHV-UHFFFAOYSA-N Glycerine Chemical compound OCC(O)CO PEDCQBHIVMGVHV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- TWRXJAOTZQYOKJ-UHFFFAOYSA-L Magnesium chloride Chemical compound [Mg+2].[Cl-].[Cl-] TWRXJAOTZQYOKJ-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052783 alkali metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052784 alkaline earth metal Inorganic materials 0.000 description 2
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IWOUKMZUPDVPGQ-UHFFFAOYSA-N barium nitrate Chemical compound [Ba+2].[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O IWOUKMZUPDVPGQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 2
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 2
- 239000003599 detergent Substances 0.000 description 2
- 238000011161 development Methods 0.000 description 2
- 230000018109 developmental process Effects 0.000 description 2
- 235000019425 dextrin Nutrition 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 2
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 2
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 2
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000047 product Substances 0.000 description 2
- 238000007788 roughening Methods 0.000 description 2
- RMAQACBXLXPBSY-UHFFFAOYSA-N silicic acid Chemical compound O[Si](O)(O)O RMAQACBXLXPBSY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000008399 tap water Substances 0.000 description 2
- 235000020679 tap water Nutrition 0.000 description 2
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 2
- GDTSJMKGXGJFGQ-UHFFFAOYSA-N 3,7-dioxido-2,4,6,8,9-pentaoxa-1,3,5,7-tetraborabicyclo[3.3.1]nonane Chemical compound O1B([O-])OB2OB([O-])OB1O2 GDTSJMKGXGJFGQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UXVMQQNJUSDDNG-UHFFFAOYSA-L Calcium chloride Chemical compound [Cl-].[Cl-].[Ca+2] UXVMQQNJUSDDNG-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JLVVSXFLKOJNIY-UHFFFAOYSA-N Magnesium ion Chemical compound [Mg+2] JLVVSXFLKOJNIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007832 Na2SO4 Substances 0.000 description 1
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PMZURENOXWZQFD-UHFFFAOYSA-L Sodium Sulfate Chemical compound [Na+].[Na+].[O-]S([O-])(=O)=O PMZURENOXWZQFD-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- GSEJCLTVZPLZKY-UHFFFAOYSA-N Triethanolamine Chemical compound OCCN(CCO)CCO GSEJCLTVZPLZKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 description 1
- 238000005299 abrasion Methods 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 230000032683 aging Effects 0.000 description 1
- 150000001340 alkali metals Chemical class 0.000 description 1
- 229910001964 alkaline earth metal nitrate Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000002048 anodisation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 230000001680 brushing effect Effects 0.000 description 1
- 239000001110 calcium chloride Substances 0.000 description 1
- 235000011148 calcium chloride Nutrition 0.000 description 1
- 229910001628 calcium chloride Inorganic materials 0.000 description 1
- WUKWITHWXAAZEY-UHFFFAOYSA-L calcium difluoride Chemical compound [F-].[F-].[Ca+2] WUKWITHWXAAZEY-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910001634 calcium fluoride Inorganic materials 0.000 description 1
- ZCCIPPOKBCJFDN-UHFFFAOYSA-N calcium nitrate Inorganic materials [Ca+2].[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O ZCCIPPOKBCJFDN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 1
- 238000010073 coating (rubber) Methods 0.000 description 1
- 239000008139 complexing agent Substances 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 1
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 1
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 1
- 238000004090 dissolution Methods 0.000 description 1
- 239000012153 distilled water Substances 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 239000003792 electrolyte Substances 0.000 description 1
- 238000001941 electron spectroscopy Methods 0.000 description 1
- 238000009472 formulation Methods 0.000 description 1
- 235000011187 glycerol Nutrition 0.000 description 1
- 239000008187 granular material Substances 0.000 description 1
- 229910000271 hectorite Inorganic materials 0.000 description 1
- KWLMIXQRALPRBC-UHFFFAOYSA-L hectorite Chemical compound [Li+].[OH-].[OH-].[Na+].[Mg+2].O1[Si]2([O-])O[Si]1([O-])O[Si]([O-])(O1)O[Si]1([O-])O2 KWLMIXQRALPRBC-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-M hydroxide Chemical compound [OH-] XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 150000004679 hydroxides Chemical class 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 229910052500 inorganic mineral Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000011835 investigation Methods 0.000 description 1
- 238000005342 ion exchange Methods 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001629 magnesium chloride Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001425 magnesium ion Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000010755 mineral Nutrition 0.000 description 1
- 239000011707 mineral Substances 0.000 description 1
- 150000002823 nitrates Chemical class 0.000 description 1
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000011022 operating instruction Methods 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- WVDDGKGOMKODPV-ZQBYOMGUSA-N phenyl(114C)methanol Chemical compound O[14CH2]C1=CC=CC=C1 WVDDGKGOMKODPV-ZQBYOMGUSA-N 0.000 description 1
- 239000010695 polyglycol Substances 0.000 description 1
- 229920000151 polyglycol Polymers 0.000 description 1
- 239000002244 precipitate Substances 0.000 description 1
- 238000004886 process control Methods 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 230000002940 repellent Effects 0.000 description 1
- 239000005871 repellent Substances 0.000 description 1
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 1
- 239000004576 sand Substances 0.000 description 1
- 238000005488 sandblasting Methods 0.000 description 1
- 229910000275 saponite Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001878 scanning electron micrograph Methods 0.000 description 1
- 235000017550 sodium carbonate Nutrition 0.000 description 1
- 229910000029 sodium carbonate Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052938 sodium sulfate Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000011152 sodium sulphate Nutrition 0.000 description 1
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 1
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 1
- 239000007858 starting material Substances 0.000 description 1
- 229910001631 strontium chloride Inorganic materials 0.000 description 1
- AHBGXTDRMVNFER-UHFFFAOYSA-L strontium dichloride Chemical compound [Cl-].[Cl-].[Sr+2] AHBGXTDRMVNFER-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- DHEQXMRUPNDRPG-UHFFFAOYSA-N strontium nitrate Inorganic materials [Sr+2].[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O DHEQXMRUPNDRPG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 159000000008 strontium salts Chemical class 0.000 description 1
- 235000011149 sulphuric acid Nutrition 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000012876 topography Methods 0.000 description 1
- RYFMWSXOAZQYPI-UHFFFAOYSA-K trisodium phosphate Chemical compound [Na+].[Na+].[Na+].[O-]P([O-])([O-])=O RYFMWSXOAZQYPI-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 229910000406 trisodium phosphate Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000019801 trisodium phosphate Nutrition 0.000 description 1
- 230000000007 visual effect Effects 0.000 description 1
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 1
- 238000005303 weighing Methods 0.000 description 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910003319 β-Na2Si2O5 Inorganic materials 0.000 description 1
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B41—PRINTING; LINING MACHINES; TYPEWRITERS; STAMPS
- B41N—PRINTING PLATES OR FOILS; MATERIALS FOR SURFACES USED IN PRINTING MACHINES FOR PRINTING, INKING, DAMPING, OR THE LIKE; PREPARING SUCH SURFACES FOR USE AND CONSERVING THEM
- B41N3/00—Preparing for use and conserving printing surfaces
- B41N3/03—Chemical or electrical pretreatment
- B41N3/038—Treatment with a chromium compound, a silicon compound, a phophorus compound or a compound of a metal of group IVB; Hydrophilic coatings obtained by hydrolysis of organometallic compounds
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B41—PRINTING; LINING MACHINES; TYPEWRITERS; STAMPS
- B41N—PRINTING PLATES OR FOILS; MATERIALS FOR SURFACES USED IN PRINTING MACHINES FOR PRINTING, INKING, DAMPING, OR THE LIKE; PREPARING SUCH SURFACES FOR USE AND CONSERVING THEM
- B41N1/00—Printing plates or foils; Materials therefor
- B41N1/04—Printing plates or foils; Materials therefor metallic
- B41N1/08—Printing plates or foils; Materials therefor metallic for lithographic printing
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B41—PRINTING; LINING MACHINES; TYPEWRITERS; STAMPS
- B41N—PRINTING PLATES OR FOILS; MATERIALS FOR SURFACES USED IN PRINTING MACHINES FOR PRINTING, INKING, DAMPING, OR THE LIKE; PREPARING SUCH SURFACES FOR USE AND CONSERVING THEM
- B41N3/00—Preparing for use and conserving printing surfaces
- B41N3/03—Chemical or electrical pretreatment
- B41N3/034—Chemical or electrical pretreatment characterised by the electrochemical treatment of the aluminum support, e.g. anodisation, electro-graining; Sealing of the anodised layer; Treatment of the anodic layer with inorganic compounds; Colouring of the anodic layer
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D11/00—Electrolytic coating by surface reaction, i.e. forming conversion layers
- C25D11/02—Anodisation
- C25D11/04—Anodisation of aluminium or alloys based thereon
- C25D11/18—After-treatment, e.g. pore-sealing
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D11/00—Electrolytic coating by surface reaction, i.e. forming conversion layers
- C25D11/02—Anodisation
- C25D11/04—Anodisation of aluminium or alloys based thereon
- C25D11/18—After-treatment, e.g. pore-sealing
- C25D11/20—Electrolytic after-treatment
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D11/00—Electrolytic coating by surface reaction, i.e. forming conversion layers
- C25D11/02—Anodisation
- C25D11/04—Anodisation of aluminium or alloys based thereon
- C25D11/18—After-treatment, e.g. pore-sealing
- C25D11/24—Chemical after-treatment
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B41—PRINTING; LINING MACHINES; TYPEWRITERS; STAMPS
- B41N—PRINTING PLATES OR FOILS; MATERIALS FOR SURFACES USED IN PRINTING MACHINES FOR PRINTING, INKING, DAMPING, OR THE LIKE; PREPARING SUCH SURFACES FOR USE AND CONSERVING THEM
- B41N1/00—Printing plates or foils; Materials therefor
- B41N1/04—Printing plates or foils; Materials therefor metallic
- B41N1/08—Printing plates or foils; Materials therefor metallic for lithographic printing
- B41N1/083—Printing plates or foils; Materials therefor metallic for lithographic printing made of aluminium or aluminium alloys or having such surface layers
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Electrochemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Treatment Of Metals (AREA)
- Printing Plates And Materials Therefor (AREA)
- Laminated Bodies (AREA)
- Printing Methods (AREA)
- Discharge By Other Means (AREA)
- Processing And Handling Of Plastics And Other Materials For Molding In General (AREA)
Description
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur
Nachbehandlung von platten-, folien- oder band
förmigem Material auf der Basis von chemisch,
mechanisch und/oder elektrochemisch aufgerauhtem und
anodisch oxidiertem Aluminium oder einer seiner
Legierungen, deren Aluminiumoxidschichten mit einem
Alkalimetallsilikat in wäßriger Lösung behandelt
werden, sowie einen Träger aus derartigem Material,
bei dem die Aluminiumoxidschicht mit einer Alkali
metallsilikatschicht beschichtet ist, und die
Verwendung eines derartigen Trägers als Träger für
Offsetdruckplatten.
Trägermaterialien für Offsetdruckplatten werden
entweder vom Verbraucher direkt oder vom Hersteller
vorbeschichteter Druckplatten ein- oder beidseitig
mit einer strahlungs- bzw. lichtempfindlichen
Schicht, einer sogenannten Reproduktionsschicht, aus
gerüstet, mit deren Hilfe ein zu druckendes Bild zur
Vorlage auf fotomechanischem Wege erzeugt wird. Nach
dem Belichten und Entwickeln der strahlungs
empfindlichen Schicht trägt der Schichtträger die
beim späteren Drucken farbführenden Bildstellen und
bildet zugleich an den beim späteren Drucken
bildfreien Stellen, den sogenannten Nichtbildstellen,
den hydrophilen Bilduntergrund für den litho
graphischen Druckvorgang.
An einen Schichtträger für Reproduktionsschichten zum
Herstellen von Offsetdruckplatten sind deshalb fol
gende Anforderungen zu stellen:
Die nach der Belichtung relativ löslicher gewordenen Teile der strahlungsempfindlichen Schicht müssen durch eine Entwicklung leicht, zur Erzeugung der hydrophilen Nichtbildstellen, rückstandsfrei vom Träger zu entfernen sein.
Die nach der Belichtung relativ löslicher gewordenen Teile der strahlungsempfindlichen Schicht müssen durch eine Entwicklung leicht, zur Erzeugung der hydrophilen Nichtbildstellen, rückstandsfrei vom Träger zu entfernen sein.
Der in den Nichtbildstellen freigelegte Träger muß
eine große Affinität zu Wasser besitzen, d. h. stark
hydrophil sein, um beim lithographischen Druckvorgang
schnell und dauerhaft Wasser aufzunehmen und
gegenüber der fetten Druckfarbe ausreichend abstoßend
zu wirken.
Die Haftung der strahlungsempfindlichen Schicht vor
bzw. der druckenden Teile der Schicht nach der
Bestrahlung muß in einem ausreichenden Maß gegeben
sein.
Als Basismaterial für derartige Schichtträger wird
insbesondere Aluminium eingesetzt, das nach bekannten
Methoden durch Trocken-, Naßbürstung, Sandstrahlen,
chemische und/oder elektrochemische Behandlung
oberflächlich aufgerauht wird. Zur Steigerung der
Abriebfestigkeit wird das aufgerauhte Substrat noch
einem Anodisierungsschritt zum Aufbau einer dünnen
Oxidschicht unterworfen.
In der Praxis werden die Trägermaterialien, insbe
sondere anodisch oxidierte Trägermaterialien auf der
Basis von Aluminium, oftmals zur Verbesserung der
Schichthaftung, zur Steigerung der Hydrophilie
und/oder zur Erleichterung der Entwickelbarkeit der
strahlungsempfindlichen Schichten vor dem Aufbringen
einer strahlungsempfindlichen Schicht einem weiteren
Behandlungsschritt unterzogen, wie er beispielsweise
in den EP-B 0 105 170 und EP 0 154 201 beschrieben
ist.
Aus der EP-B 0 105 170 ist ein Verfahren zur Nach
behandlung von Aluminiumoxidschichten mit einer
wäßrigen Alkalisilikatlösung bekannt, bei dem nach
Durchführung der Behandlung a) mit einer wäßrigen
Alkalisilikatlösung zusätzlich eine Behandlung b) mit
einer wäßrigen Erdalkalimetallsalze enthaltenden
Lösung durchgeführt wird. Bei der Alkalisilikatlösung
handelt es sich um eine wäßrige Na₂SiO₃·5 H₂O
enthaltende Lösung. Danach wird mit destilliertem
Wasser abgespült, wobei diese Zwischenreinigung auch
weggelassen werden kann, und anschließend oder direkt
nach der Silikatisierung erfolgt eine Behandlung in
einer wäßrigen Lösung eines Erdalkalimetallnitrats,
wie beispielsweise eines Calcium-, Strontium- oder
Bariumnitrats. Die Zwischenspülungen mit
destilliertem Wasser zeigen eine gewisse Beein
flussung in der Alkaliresistenz, die im allgemeinen
bei nach der Silikatisierungsstufe nicht-zwischen
gespülten Poren besser als bei zwischengespülten
Poren ist.
In der EP-B 0 154 201 ist ein Verfahren zur Nach
behandlung von Aluminiumoxidschichten in einer Lösung
beschrieben, die ein Alkalimetallsilikat und Erd
alkalimetallkationen enthält. Als Erdalkalimetall
salze werden Calcium- oder Strontiumsalze,
insbesondere Nitrate oder Hydroxide eingesetzt. Die
wäßrige Lösung bei der Nachbehandlung enthält
zusätzlich noch mindestens einen Komplexbildner für
Erdalkalimetallionen. Die Materialien werden
elektrochemisch in einer Salpetersäure enthaltenden
wäßrigen Lösung aufgerauht. Die Materialien werden
ferner in wäßrigen H₂SO₄ und/oder H₃PO₄ enthaltenden
Lösungen ein- oder zweistufig anodisch oxidiert. Die
Nachbehandlung erfolgt elektrochemisch oder durch
eine Tauchbehandlung.
Bei den Schichtträgern, die nach den bekannten
Verfahren behandelt wurden, zeigt sich, daß die zur
Silikatisierung häufig eingesetzten Natrium
metasilikate, wie beispielsweise Na₂SiO₃·5 H₂O, bei
einem höheren pH-Wert von 12,2, der Nachbe
handlungslösung sehr schnell das Aluminiumoxid in
unerwünschter Weise abbauen.
Aufgabe der Erfindung ist es daher, ein Verfahren zur
Nachbehandlung von flächigen Aluminiumschichtträgern,
die eine Aluminiumoxidschicht aufweisen, so zu
verbessern, daß der Abbau der Oxidschicht durch die
Silikatisierung vermieden oder zumindest sehr
geringfügig gehalten werden kann.
Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß in der Weise durch
ein Verfahren der eingangs beschriebenen Art gelöst,
daß die Nachbehandlung der Aluminiumoxidschicht a) in
einer wäßrigen Lösung eines reinen und kristallinen
Alkalimetallsilikats erfolgt und b) anschließend mit
ionenhaltigem Wasser nachgespült wird. Dabei zeigt es
sich als zweckmäßig, wenn das ionenhaltige Wasser
Alkali- oder Erdalkalimetallionen enthält, die aus
der Gruppe Ca, Mg, Na, K, Sr ausgewählt werden.
In Ausgestaltung des Verfahrens wird in der Nach
behandlungsstufe a) mit einer wäßrigen Lösung der ϑ-
Modifikation von Natriumschichtsilikat Na₂Si₂O₅
nachbehandelt. Dabei liegt bevorzugt das SiO₂/Na₂O-
Molverhältnis des kristallinen Natriumschichtsilikats
im Bereich von 1,9 bis 3,5 zu 1. In Weitergestaltung
der Erfindung enthält die Lösung in der Nachbe
handlungsstufe a) 0,1 bis 10 Gew.% an ϑ-Na₂Si₂O₅.
Die Nachbehandlung kann als Tauchbehandlung oder auch
elektrochemisch durchgeführt werden, wobei die
letztere Verfahrensweise eine gewisse Steigerung in
der Alkaliresistenz und/oder Verbesserung des
Adsorptionsverhaltens des Materials bringt. Es wird
angenommen, daß sich in den Poren der Alumi
niumoxidschicht eine festhaftende Silikatdeckschicht
bildet, die das Aluminiumoxid vor Angriffen schützt,
wobei die vorher erzeugte Oberflächentopographie, wie
Rauhigkeit und Oxidporen, praktisch nicht oder nur
unwesentlich verändert werden.
Die Nachbehandlungsstufe a) elektrochemisch und/oder
durch eine Tauchbehandlung wird für eine Zeit von 10
bis 120 Sekunden und bei einer Temperatur von 40°C
bis 80°C durchgeführt. Die elektrochemische Nachbe
handlung wird insbesondere mit Gleich- oder Wechsel
strom, Trapez-, Rechtecks- oder Dreieckstrom oder
Überlagerungsformen dieser Stromarten vorgenommen.
Die Stromdichte liegt dabei im allgemeinen bei 0,1
bis 10 A/dm² und/oder die Spannung bei 3 bis 100
Volt. Der Nachbehandlungsstufe b) mit ionenhaltigem
Wasser folgt im allgemeinen eine Tauchbehandlung in
einer 0,1 bis 10 Gew.% Salzlösung, wobei diese
Salzlösung beispielsweise NaF, NaHCO₃, CaSO₄ und/oder
MgSO₄ enthält.
Geeignete Grundmaterialien für die Schichtträger
sind, neben Aluminium, auch Legierungen von Alumi
nium, die beispielweise einen Gehalt von mehr als
98,5 Gew.% Al und Anteile an Si, Fe, Ti, Cu und Zn
aufweisen.
Alle Verfahrensstufen können diskontinuierlich mit
Platten oder Folien durchgeführt werden, sie werden
aber bevorzugt kontinuierlich mit Bändern in
Bandanlagen durchgeführt.
Bezüglich der Verfahrensparameter bei kontinuier
licher Verfahrensführung in der elektrochemischen
Aufrauhungsstufe, der Vorreinigung und der anodischen
Oxidation des Schichtträgermaterials, insbesondere
von Aluminium, wird auf die Ausführungen in der EP-B
0 154 201, Spalte 5, Zeilen 5 bis 39, 47, bis Spalte
6, Zeile 36 einschließlich und in der EP-B 0 105 170,
Seite 4, Zeilen 11 bis 60 verwiesen. Diese Aus
führungen gelten ebenso für die hier beschriebenen
Schichtträger, bei denen die gleichen Verfah
rensparameter beim elektrochemischen Aufrauhen, der
Vorreinigung und der anodischen Oxidation zur
Anwendung gelangen. Der Offenbarungsgehalt dieser
beiden europäischen Patentschriften im Hinblick auf
die Verfahrensparameter bei der kontinuierlichen
Verfahrensführung gilt auch im vollen Umfang für die
Schichtträger-Materialien der vorliegenden Erfindung.
Die Erfindung wird im folgenden anhand von
Zeichnungen näher erläutert. Es zeigen:
Fig. 1 die Struktur des Natriumschichtsilikats,
das für die Silikatisierung in der Nachbe
handlungsstufe eingesetzt wird,
Fig. 2 das Si/Al-Verhältnis in der Oberfläche
eines Schichtträgers in Abhängigkeit von
der Konzentration des Natriumschicht
silikats bei vorgegebener Temperatur des
Tauchbades und vorgegebener Tauchzeit,
Fig. 3 den Abbau des Oxidgewichts in der
Oberfläche eines Schichtträgers in Ab
hängigkeit von der Eintauchzeit und der
Temperatur des Eintauchbades,
Fig. 4 die Alkaliresistenz nachbehandelter
Schichtträger in Abhängigkeit von der Ein
tauchzeit, und
Fig. 5 und 6 das Si/Al-Verhältnis in der Oberfläche
nachbehandelter Schichtträger und den Na-
und Ca-Gehalt der Oberfläche nach der
Spülung mit voll entionisiertem Wasser und
mit Stadtwasser.
Fig. 1 zeigt die Struktur von Natriumschichtsilikat,
bei dem es sich um ein reines Natriumsilikat handelt,
d. h. es ist ausschließlich aus Natrium, Silizium und
Sauerstoff aufgebaut. Es handelt sich dabei um die ϑ-
Phase des kristallinen Di-silikats Na₂Si₂O₅. Es
ähnelt dem weitverbreiteten Wasserglas, ist aber
wasserfrei und kristallin. Die in Fig. 1 gezeigte
Struktur wurde durch Röntgenbeugung an Einkristallen
bestimmt. Sie zeigt den polymeren wellenförmigen
Schichtaufbau des Silikatgerüstes aus Natriumionen,
die in der Abbildung durch große helle Kugeln,
Sauerstoff durch große schwarze Kugeln und Silizium
durch kleine schwarze Kugeln dargestellt sind. Die
Natriumionen liegen nahezu in einer Ebene. Das
kristalline Natriumschichtsilikat, bei dem es sich um
eine Schichtkieselsäure handelt, besitzt ein
SiO₂/Na₂O-Molverhältnis von 1,9 bis 3,5 zu 1. Die
Struktur dieser Verbindung ist nahezu identisch mit
der des Minerals Natrosilit, bei dem es sich um eine
β-Modifikation von Na₂Si₂O₅ handelt. Als Basis
material werden bei der Herstellung von Natrium
schichtsilikat sehr reiner Sand und Soda oder
Natronlauge verwendet, aus denen eine Wasser
glaslösung hergestellt wird. Diese Lösung wird
anschließend entwässert und bei hoher Temperatur in
die Delta-Modifikation des Di-silikats kristal
lisiert. Das erhaltene Produkt kann gemahlen und bei
Bedarf zu Granulat kompaktiert werden. In wäßriger
Lösung dringt Wasser zwischen zwei Schichten und
weitet den Abstand auf. Die Natriumionen sind dann
einem Austausch mit anderen Ionen zugänglich. So
werden die Calcium- und Magnesiumionen des
Spülwassers, beispielsweise Leitungswasser, in einem
Ionenaustauschprozeß von dem kristallinen Schicht
silikat gebunden, d. h. die Natriumionen des
Schichtsilikats werden schnell ersetzt, wodurch das
Silikatgerüst stabilisiert wird. Dieser Austausch
prozeß erfolgt schneller als die Auflösung des
Natriumschichtsilikats - mit dem Effekt, daß die
Teilchen viel kleiner als bei Niederschlägen des
amorphen Silikats sind. Das Natriumschichtsilikat
liefert die gewünschte Alkalität und stabilisiert den
pH-Wert. Das Produkt wird von der Hoechst AG als
Builder oder Gerüststoff für Waschmittel angeboten.
Unter der Bezeichnung Schichtsilikate (SKS-Systeme
von Hoechst AG, entsprechend Schichtkieselsäure) sind
eine Reihe verschiedener Verbindungen des sehr
komplexten Na-Schichtsilikatsystems (Typen SKS 1-21)
bekannt, wobei sich der erfindungsgemäße Typ SKS-6
als der wichtigste hinsichtlich Buildereigenschaften
in Waschmitteln (Bindungsvermögen von Mg, Ca-Ionen)
erwiesen hat; außerdem ist er für die Silikatisierung
sowie Verarbeitung vorteilhafterweise wasserlöslich.
So besitzen auch trioktaedrisch Schichtsilikate, wie
SKS 20 (mineralogische Bezeichnung "Saponit") und SKS
21 ("Hectorit"), Wasserlöslichkeit und ein gutes Ka
tionen-Austauschvermögen der zwischengelagerten Na-
Ionen.
Ferner besitzen das wasserfreie Na-Schichtsilikat mit
Kanemit-Struktur (SKS-9) sowie das synthetische Kane
mit (SKS 10) ein sehr gutes Ca-Bindevermögen.
Auf die nachbehandelten Schichtträger werden
strahlungsempfindliche Beschichtungen aufgebracht,
und die so erhaltenen Offsetdruckplatten werden in
bekannter Weise durch bildmäßiges Belichten und
Auswaschen der Nichtbildstellen mit einem Entwickler,
vorzugsweise einer wäßrigen Entwicklerlösung, in die
gewünschte Druckform überführt. Überraschenderweise
zeichnen sich Offsetdruckplatten, deren Schichtträ
germaterialien nach dem zweistufigen Verfahren
nachbehandelt wurden, gegenüber solchen Platten, bei
denen das gleiche Schichtträgermaterial mit wäßrigen
Lösungen nachbehandelt wurden, die Silikate, wie
Wasserglas oder α- bzw. β-Na₂Si₂O₅, enthalten, durch
eine verbesserte Alkaliresistenz, eine geringere
Neigung zur Farbschleierbildung und große
Widerstandsfähigkeit gegenüber einer Gummierung der
Offsetdruckplatte aus.
In der Beschreibung und den nachfolgenden Beispielen
bedeuten die %-Angaben stets Gewichts%, wenn nichts
anderes angeführt wird. In den Beispielen wird
folgende Methode zur Alkaliresistenzbestimmung ange
führt:
Zur Messung der Alkaliresistenz einer anoxidierten
Aluminiumoberfläche wird eine definierte Fläche von
7,5 cm×7,5 cm bei Raumtemperatur in eine 0,1 N
NaOH-Lösung mit einer Elektrolytkonzentration von 4 g
NaOH pro Liter voll entionisiertem Wasser eingetaucht
und die Alkaliresistenz elektrochemisch bestimmt.
Dazu wird stromlos der zeitliche Verlauf des
Potentials einer Al/Al3+-Halbzelle gegen eine
Referenzelektrode gemessen. Der Potentialverlauf gibt
Aufschluß über den Widerstand, den die Alumi
niumoxidschicht ihrer Auflösung entgegensetzt.
Als Maß für die Alkaliresistenz dient die Zeit in
Sekunden, die nach dem Durchlaufen eines Minimums bis
zum Auftreten eines Maximums im Spannungs-Zeit
diagramm ermittelt wird. Dabei wird aus jeweils den
Meßwerten zweier Proben ein Mittelwert gebildet.
Für das nicht nachbehandelte Schichtträgermaterial
beträgt die Alkaliresistenz bei einem Oxidgewicht von
3,21 g/m² 112 ± 10 Sekunden, wobei dieser Wert ein
Mittelwert aus 5 Doppelmessungen ist.
Fig. 2 zeigt die Silikatisierung bzw. die Belegung
mit Silikat einer Aluminiumoberfläche einer Druck
platte, bei der die Nachbehandlung mit Natrium
schichtsilikat unterschiedlicher Konzentration in
wäßriger Lösung bei einer Tauchbadtemperatur von
60°C unterschiedlich lang erfolgt. Die Oberflächen
silikatisierung wird nach der ESCA-Methode
untersucht, bei der es sich um "Electron Spectroscopy
for Chemical Analyses" handelt, mit der die Atomlagen
an einer Oberfläche bis ca. 5 nm Dicke aufgrund ihrer
Bindungsenergielage und der Intensität der
Scheitelwerte die Oberflächenatome, gegebenenfalls
ihr Bindungszustand, ermittelt werden können. Ferner
erlaubt das Intensitätsverhältnis der verschiedenen
Scheitelwerte gegenüber dem Scheitelwert von Alumi
nium eine Beurteilung der Atombelegung auf der
Aluminiumoxidoberfläche. Aus Fig. 2 geht das Si/Al-
sowie das Na/Al-Verhältnis bzw. die Belegung mit Si
und Na auf der Aluminiumoxidoberfläche hervor.
Der Schichtträger mit dem höchsten Si/Al-Verhältnis
wird mit voll entionisiertem Wasser gespült und
getrocknet und danach mit einer wäßrigen Lösung von
Dextrin, H₃PO₄, Glyzerin, die einen pH-Wert von 5,0
besitzt, gummiert und nach 16 Stunden mit voll
entionisiertem Wasser abgewaschen. Das Si/Al-Ver
hältnis ändert sich nach dieser Prozedur nicht und
beträgt 0,56, und das Na/Al-Verhältnis geht auf 0,07
zurück. Die Silikatisierung mit Natriumschichtsilikat
wird durch die Gummierung nicht angegriffen, d. h. die
Silikatbelegung wird nicht abgetragen. In dem ESCA-
Spektrum läßt sich Phosphor aus der Gummierung nur
andeutungsweise nachweisen, was als Beleg dafür anzu
sehen ist, daß die Gummierung die Silikatbelegung
nicht angreift.
Wie aus Fig. 2 ersichtlich ist, nimmt mit
zunehmender Konzentration des Natriumschichtsilikats
in der Nachbehandlungslösung, mit steigender Tempera
tur des Tauchbades (s. Fig. 5) und mit längerer
Eintauchzeit, die Silikatisierung der
Aluminiumoxidoberfläche zu. Diese drückt sich
insbesondere in einer Zunahme des Si/Al-Verhältnisses
aus. Dabei wurde die Konzentration des
Natriumschichtsilikats von 1 g/l auf 10 g/l voll ent
ionisiertes Wasser, weiterhin VE-Wasser gesteigert,
die Tauchtemperatur der Nachbehandlungslösung von 60
auf 80°C (s. Fig. 5) angehoben und die Eintauchzeit
von 10 s bis auf 120 s erhöht.
Desweiteren zeigt sich bei den ESCA-Messungen, daß
das aufgebrachte Natriumschichtsilikat seine Ionen
austauschfähigkeit beibehält, d. h. beim Nachspülen
mit Leitungs- bzw. Stadtwasser ein Austausch der
Natriumionen gegen Calciumionen auftritt. Nach der
Silikatisierung und der Spülung mit VE-Wasser ist
neben Silizium immer ein hoher Natriumanteil
nachweisbar, der nach Spülung mit Stadt- bzw.
Leitungswasser stark reduziert wird und statt dessen
ein Anstieg des Calciumanteils festgestellt wird.
Während der Magnesiumanteil nach einer derartigen
Nachspülung aufgrund seiner Scheitelwertlage schlecht
nachweisbar ist, konnte mittels einer Strontiumlösung
auch der Austausch von Natrium gegen Strontium
festgestellt werden (s. a. Tab. 2).
Fig. 3 zeigt den Oxidabbau in der Aluminium
oxidschicht eines Schicht- bzw. Druckplattenträgers.
Der Schichtträger wird elektrochemisch in Salzsäure
aufgerauht und in Schwefelsäure anodisch oxidiert.
Seine Gesamtdicke beträgt 0,3 mm, das Oxidgewicht
liegt bei 3,21 g/m², die Dicke der Oxidschicht
beträgt etwa 1 µm. Die Nachbehandlung erfolgt gemäß
dem erfindungsgemäßen Verfahren in einer wäßrigen
Lösung mit einer 1%igen Konzentration des Natrium
schichtsilikats, wobei VE-Wasser verwendet wurde. Die
Lösung hatte einen pH-Wert von 11,4. Bei dem
Nachbehandlungsschritt erfolgte ein Eintauchen des
Druckplattenträgers bei einer Temperatur von 60°C in
das Tauchbad. Die Tauchzeiten betrugen 10 bis 120 s.
Wie aus Fig. 3 ersichtlich ist, wird das Alumi
niumoxid nur geringfügig angegriffen. Die Oberflächen
des Schichtträgers, die 10 s, 30 s, und 120 s lang in
der 1%igen Natriumschichtsilikat-Lösung bei 60°C
behandelt wurden, zeigen in REM-Aufnahmen, im Ver
gleich zum Ausgangsmaterial, kaum eine Veränderung,
einzig und allein die Porosität der Oberfläche, d. h.
die Verfeinerung der Porenstruktur nimmt geringfügig
zu. Im Vergleich hierzu wurden auch die Oberflächen
von Schichtträgern untersucht, bei denen zur
Silikatisierung Natriummetasilikate Na₂SiO₃×5 H₂O,
unter sonst gleichen Eintauchbedingungen, verwendet
wurden. Diese Untersuchungen wurden für die
Tauchtemperaturen von 25°C und 60°C durchgeführt.
Es wird ein sehr starker Oxidabbau festgestellt, der
selbst bei niedriger Tauchtemperatur von 25°C noch
deutlich höher als bei einer Silikatisierung mit
Natriumschichtsilikat ist. Die 1%ige Natriummeta
silikatlösung (10 g/l Na₂SiO₃×5 H₂O, wobei das
Kristallwasser nicht berücksichtigt ist) besitzt
einen pH-Wert von 12,2.
Der Oxidabbau wird in einem Chrom/Phosphorsäurebad
bei einer höheren Temperatur von ca. 70°C durch
Differenzwägung gravimetrisch ermittelt; das Aus
gangsoxidgewicht des Schichtträgers beträgt bei einer
Tauchtemperatur von 60°C 3,21 g/m².
Die Bestimmung des Flächengewichts von Aluminium
oxidschichten erfolgt durch chemisches Ablösen gemäß
der DIN-Norm 30 944 (Ausgabe März 1969) in Verbindung
mit einer internen Betriebsvorschrift der Anmelderin
aus dem Jahr 1973.
Anhand von Fig. 4 werden die Alkaliresistenz
messungen von Schichtträgern nach einer Behandlung
mit Natriumschichtsilikat und Nachspülung mit Wasser
mit unterschiedlicher Zusammensetzung erläutert. Bei
den Versuchen wurden Aluminiumschichtträger in einer
1%igen Natriumschichtsilikat-Lösung (10 g/l Natrium
schichtsilikat in VE-Wasser) bei verschiedenen
Tauchtemperaturen im Bereich von 40 bis 80°C
unterschiedlich lang getaucht, wobei die Tauchzeiten
10, 30 und 120 s betrugen. Nach Abquetschen der
Lösung wurde im Nachspülschritt die Probe entweder
mit VE-Wasser oder Stadtwasser bei Raumtemperatur ca.
20 s lang behandelt. Die Ergebnisse dieser Versuche
sind in Fig. 4 dargestellt.
Außerdem wurden weitere Versuche, bei denen von einem
nachbehandelten Träger (1%ig Natriumschichtsilikat-
Lösung/VE-Wasser, Tauchbadtemperatur 60°C, Tauchzeit
variiert) ausgegangen wurde, durchgeführt (s. Tab.
1).
Das für die Nachspülung verwendete Stadtwasser hat
folgende Zusammensetzung:
Neben NaCl sind hauptsächlich Ca⁺⁺ sowie SO₄⁻⁻,
jedoch relativ wenig Mg im Stadtwasser nachweisbar.
Wie Fig. 4 zeigt, liefert die Nachspülung mit VE-
Wasser allenfalls eine leicht erhöhte Alkali
resistenz, die nur gering von der Tauchtemperatur
abhängig ist. Die Nachbehandlung mit Stadtwasser
ergibt eine Alkaliresistenz der anoxidierten Alumi
niumoberfläche, die deutlich höher liegt als bei der
Nachbehandlung mit VE-Wasser. Diese Alkaliresistenz
steigt mit zunehmender Tauchbadtemperatur der
Natriumschichtsilikat-Lösung stark an.
Im Rahmen dieser Versuche (siehe Tab. 1) wurde zum
Vergleich auch ein Aluminiumschichtträger mit einer 1
%igen Natriumschichtsilikat-Lösung bei 60°C während
zwei Minuten gespült und anschließend mit VE-Wasser
nachgespült. Der Mittelwert der gemessenen
Alkaliresistenz aus sechs Doppelmessungen von derart
behandelten Platten beträgt 106 ± 19 s bis zum
Erreichen des Maximums. Dagegen wird die Alkali
resistenz einer Standard-Silikatisierung, bei der mit
Stadtwasser gespült wird, deutlich erhöht. Parallel
zur Erhöhung der Alkaliresistenz bei Spülung mit
Stadtwasser werden die Na-Ionen größtenteils gegen
Ca-Ionen ausgetauscht.
Die nachgewiesene deutlich erhöhte Alkaliresistenz
durch die Nachspülung mit Stadtwasser ist vermutlich
darauf zurückzuführen, daß sich bei Behandlung mit
Natriumschichtsilikat ϑ-Na₂Si₂O₅ zunächst Alumo
silikate (Na-Salze) ausbilden, die im Nachspülschritt
mit Stadtwasser weitere alkaliresistente Bindungen,
beispielsweise mit Ca, K, Mg sowie gegebenenfalls mit
den Anionen, eingehen.
Es wurden auch Untersuchungen angestellt, durch
gezielte Nachspülung der mit Natriumschichtsilikat
behandelten Schichtträger mit verschiedenen Salzlö
sungen die Oberflächeneigenschaften zu verbessern,
insbesondere die Alkaliresistenz zu steigern und zu
stabilisieren. Alkaliresistenzmessungen wurden des
weiteren an standardmäßig vorbehandelten Schichtträ
gerplatten vorgenommen, die mit anionhaltigen
Salzlösungen nachgespült wurden. Die Schichtträger
platten wurden mit 1%iger Natriumschichtsilikat-
Lösung silikatisiert, die Tauchtemperatur betrug
60°C und die Eintauchzeit 120 s, danach wurde mit VE-
Wasser gespült und anschließend quetschnaß in den
nachstehend angeführten Salzlösungen nachgespült,
wobei die Eintauchzeit 20 s bei Raumtemperatur
betrug. Zur Nachspülung wurden größtenteils 0,1 bis
0,4%ige Salzlösungen eingesetzt, nur in einem Fall
eine 1%ige Salzlösung zu Vergleichszwecken.
Alkaliresistenzwerte wurden für folgende Nachspül
lösungen ermittelt:
| Nachspüllösungen | |
| Alkaliresistenz | |
| 0,4%ig NaHCO₃ in VE-H₂O | |
| 210/204 s bis zum Maximum | |
| 1,0%ig NaHCO₃ in VE-H₂O | 350 s bis zum Maximum |
| 0,4%ig Na₂CO₃ in VE-H₂O | 258 s bis zum Maximum |
| 0,4%ig Na₂SiO₃ in VE-H₂O | 413 s bis zum Maximum |
| 0,4%ig Na₃PO₄ in VE-H₂O | 278 s bis zum Maximum |
Neben den Erdalkalikationen haben auch Anionen ent
scheidenden Einfluß auf die Größe der Alkali
resistenz, die beispielsweise durch HCO₃-, PO₄³-,
SiO₃²-, CO₃²-Anionen durch Nachspülung mit den ent
sprechenden Salzlösungen deutlich gesteigert werden
kann. Die Aufstellung läßt auch erkennen, daß im
Falle einer Nachspüllösung in NaHCO₃ mit steigender
Konzentration auch die Alkaliresistenz sich erhöht.
In der nachfolgenden Tabelle 2 finden sich Alkali
resistenzwerte für weitere Nachspüllösungen, zusammen
mit den Verhältnissen X/Al von verschiedenen Erd
alkalimetallen X in den Nachspüllösungen zu Aluminium
Al, gemessen nach der ESCA-Methode.
Für diese Messungen wurden die Proben standardmäßig
vorbereitet, d. h. mit Hilfe von 1%iger Natrium
schichtsilikat-Lösung in VE-Wasser silikatisiert, bei
einer Tauchtemperatur von 60°C und einer
Eintauchzeit von 120 s. Es wurde mit VE-Wasser sowie
mit Lösungen, in denen jeweils 0,4%ig CaCl₂, MgCl₂,
SrCl₂ und Dextrin gelöst waren, nachgespült. Weitere
Lösungen waren CaSO₄, Na₂SO₄, MgSO₄, NaF, LC₁,
NaHCO₃. Nach der Trocknung wurde der
Alkaliresistenzwert und die X/Al-Verhältnisse durch
ESCA-Messungen bestimmt, um so die Oberflächen
belegung durch Si, Na, Ca, Sr und dergl. zu
ermitteln.
Die Ergebnisse zur Temperaturabhängigkeit der Silika
tisierung sind in den Fig. 5 und 6 dargestellt:
Nach Fig. 5 ist das Si/Al-Verhältnis unabhängig von der Spülung und nimmt mit steigender Temperatur stark zu sowie mit zunehmender Eintauchzeit.
Nach Fig. 5 ist das Si/Al-Verhältnis unabhängig von der Spülung und nimmt mit steigender Temperatur stark zu sowie mit zunehmender Eintauchzeit.
Aus Fig. 6 ist ersichtlich, daß die Ca/Al- sowie
Na/Al-Verhältnisse bei Spülung mit Stadtwasser im
gleichen Bereich von etwa 0,05 ± 0,02 liegen, während
bei Nachspülung mit VE-Wasser das Na/Al-Verhältnis
mit steigender Temperatur zunimmt, ähnlich wie das
Si/Al-Verhältnis.
Das aufgebrachte Natriumschichtsilikat auf der
Al/AlOOH-Oberfläche behält weitgehend seine Ionen
austauschfunktion; die Erdalkali-Ionen ersetzen die
Na-Ionen in der silikatisierten Al/AlOOH-Oberfläche.
Die Ergebnisse der Nachspülversuche aus Tabelle 2
sowie der Darstellung in den Fig. 4 bis 6 lassen
folgende Aussagen zu:
- - Unter Standardbedingungen für die Sili katisierung der Oberflächen der Schicht trägerplatten wird durch die Erhöhung der Natriumschichtsilikatkonzentration, der Tauchtemperatur auf 80°C sowie eventueller Verlängerung der Eintauchzeit und Alterung der Al/AlOOH-Trägeroberfläche eine stärkere Silikatbelegung erreicht.
- - Das aufgebrachte Natriumschichtsilikat mit einem Si/Al-Verhältnis von 0,4 bis 0,5 und einem Na/Al-Verhältnis von ca. 0,2 erhöht nicht die Alkaliresistenz bei Nachspülung mit VE-Wasser.
- - Das Natriumschichtsilikat behält auf der Schichtträgeroberfläche seine Ionenaus tausch-Eigenschaften, d. h. es erfolgt ein Austausch der Na- gegen Ca-Ionen, wenn mit Stadtwasser nachgespült wird.
- - Durch die Nachspülung mit Stadtwasser, in dem verschiedene Ionen, insbesondere Ca, Mg, vorhanden sind, wird die Alkali resistenz deutlich erhöht, die Meßwerte liegen oberhalb von 200 s. Dieser Effekt wird verstärkt, wenn das Stadtwasser erhitzt wird, beispielsweise die Tauch temperatur 60°C beträgt. Der Wert der Alkaliresistenz liegt dann bei etwa 300 s. Nach Fig. 4 beträgt der Alkaliresistenzwert mehr als 400 s bei 60°C Tauch badtemperatur.
Die Nachspülung mit verschiedenen Salzlö
sungen in VE-Wasser steigert die Alkali
resistenz nicht wesentlich, nur mit
Salzlösungen auf der Basis von
beispielsweise NaHCO₃, CaSO₄, MgSO₄ läßt
sich die Alkaliresistenz erhöhen.
- - Die Nachspülung mit 0,4%iger NaF-Lösung in VE-Wasser bzw. in Stadtwasser bringt eine sehr hohe Alkaliresistenz. Es wird ver mutet, daß das schwer lösliche CaF₂ im Schichtsilikat aufgrund einer vorangegangenen Stadtwasserspülung ent steht, das dann die Alkaliresistenz erheblich steigert.
- - Die Vorteile von Natriumschichtsilikat gegenüber anderen Silikaten, wie beispiels weise Na₂SiO₃, liegt in seiner geringeren Alkalität und dem stark reduzierten Oxid angriff, wie anhand von Fig. 3 schon beschrieben wurde.
- - Die Silikatschicht bleibt auch nach erfolg ter Gummierung erhalten. Bei den ESCA- Messungen wird die Gummierung durch das andeutungsweise Vorhandensein von Phosphor nachgewiesen, während das gleichbleibende Si/Al-Verhältnis anzeigt, daß die Gummierung die Silikatisierung nicht beein trächtigt.
Zur Untersuchung der Farbschleierbildung wurden
standardmäßig mit Natriumschichtsilikat beschichtete
und mit Stadtwasser nachgespülte Schichtträger vom
Typ P51 im Format 32×27 cm hergestellt und mit
einer Positiv-Druckplattenrezeptur (P61-Lösung) und
einer Negativ-Druckplattenrezeptur (N50-Lösung) hand
beschichtet. Für Vergleichszwecke wurde außerdem ein
unbehandelter Schichtträger P51, der auch nicht mit
LCl-Lösung behandelt wurde, mit den gleichen
Druckplattenrezepturen beschichtet und anschließend
getrocknet.
Die Positiv-Schichtträger P51 wurden nach der
Belichtung 60 s lang mit einem Entwickler EP26
entwickelt und anschließend abgebraust. Die Negativ-
Schichtträger N50 wurden ohne Belichtung 60 s lang
von Hand aus mit 30 ml DN-5 Entwickler behandelt und
anschließend abgebraust.
Die wesentlichen Bestandteile des EP-26-Entwicklers
sind Na-Silikat, -hydroxid, -tetraborat, Sr-
Levolinat, Polyglykol und Wasser. Der DN-5-Entwickler
enthält Benzylalkohol, Mono-, Di- und Triethanolamin,
Stickstoff und hat einen pH-Wert von 10,9.
Nach visueller Beurteilung ist bei den Positiv-
Schichtträgern die Blauschleierbildung stärker
ausgeprägt als bei den Negativ-Schichtträger die
Grünschleierbildung, wobei die Schleierbildungen auf
den Schichtträgern am wenigsten erkennbar sind, bei
denen die Silikatbeschichtung mit Stadtwasser
nachgespült wurde.
Die in der nachstehenden Tabelle 3 angeführten Werte
für die Helligkeit L und die Farbverschiebung a/b der
Schichtträger werden gemäß der DIN-Norm 6171 (Fassung
vom Januar 1979) gemessen. Die in Tabelle 3
eingetragenen Werte sind Mittelwerte aus drei
Messungen.
Claims (16)
1. Verfahren zur Nachbehandlung von platten-,
folien- oder bandförmigem Material auf der Basis von
chemisch, mechanisch und/oder elektrochemisch aufge
rauhtem und anodisch oxidiertem Aluminium oder einer
seiner Legierungen, deren Aluminiumoxidschichten mit
einem Alkalimetallsilikat in wäßriger Lösung
behandelt werden, dadurch gekennzeichnet, daß die
Nachbehandlung der Aluminiumoxidschicht a) in einer
wäßrigen Lösung eines reinen und kristallinen
Alkalimetallsilikats erfolgt und b) anschließend mit
ionenhaltigem Wasser nachgespült wird.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekenn
zeichnet, daß das ionenhaltige Wasser Alkali- oder
Erdalkalimetallionen enthält.
3. Verfahren nach Anspruch 2, dadurch gekenn
zeichnet, daß die Alkali- oder Erdalkalimetallionen
aus der Gruppe Ca, Mg, Na, K, Sr ausgewählt werden.
4. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekenn
zeichnet, daß in der Nachbehandlungsstufe a) mit
einer wäßrigen Lösung der ϑ-Modifikation von Natrium
schichtsilikat Na₂Si₂O₅ nachbehandelt wird.
5. Verfahren nach Anspruch 4, dadurch gekenn
zeichnet, daß das SiO₂/Na₂O-Molverhältnis des kri
stallinen Natriumschichtsilikats im Bereich von 1,9
bis 3,5 zu 1 liegt.
6. Verfahren nach einem oder mehreren der An
sprüche 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, daß die
Lösung in der Nachbehandlungsstufe a) 0,1 bis 10
Gew.% an ϑ-Na₂Si₂O₅ enthält.
7. Verfahren nach einem oder mehreren der An
sprüche 1 bis 6, dadurch gekennzeichnet, daß die
Nachbehandlungsstufe a) elektrochemisch und/oder
durch eine Tauchbehandlung von 10 bis 120 Sekunden
und bei einer Temperatur von 25°C bis 80°C durch
geführt wird.
8. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekenn
zeichnet, daß der Nachbehandlungsstufe b) mit ionen
haltigem Wasser eine Tauchbehandlung in einer
0,1-10 Gew.% Salzlösung folgt.
9. Verfahren nach Anspruch 8, dadurch
gekennzeichnet, daß die elektrochemische Nachbehand
lung mit einer Stromdichte von 0,1 bis 10 A/dm²
und/oder einer Spannung von 3 bis 100 V durchgeführt
wird.
10. Verfahren nach Anspruch 8, dadurch gekenn
zeichnet, daß die Salzlösung NaF, NaHCO₃, CaSO₄
und/oder MgSO₄ enthält.
11. Verfahren nach Anspruch 10, dadurch gekenn
zeichnet, daß der Spülung mit der Salzlösung ein
Absprühen mit ionenhaltigem Wasser vorausgeht.
12. Träger aus platten-, folien- oder bandför
migem Material auf der Basis von chemisch, mechanisch
und/oder elektrochemisch aufgerauhtem und anodisch
oxidiertem Aluminium oder einer seiner Legierungen,
deren Aluminiumoxidschicht mit einer Alkalimetall
silikatschicht beschichtet ist, dadurch gekenn
zeichnet, daß die Alkalimetallsilikatschicht aus
reinem, kristallinem Natriumschichtsilikat besteht.
13. Träger nach Anspruch 12, dadurch gekenn
zeichnet, daß das Natriumschichtsilikat einen
schichtförmigen, polymeren Aufbau aufweist.
14. Träger nach Anspruch 12, dadurch ge
kennzeichnet, daß das Natriumsilikat die
Zusammensetzung ϑ-Na₂Si₂O₅ besitzt und daß das
SiO₂:Na₂O-Molverhältnis des kristallinen Natrium
schichtsilikats im Bereich von 1,9 bis 3,5 zu 1
liegt.
15. Träger nach Anspruch 14, dadurch gekenn
zeichnet, daß an der Al/AlOOH-Oberfläche das Si/Al-
Verhältnis 0,10 bis 0,8 und das Ca/Al-Verhältnis 0,01
bis 0,15 beträgt.
16. Verwendung des nach einem oder mehreren der
Ansprüche 1 bis 11 nachbehandelten Materials als Trä
ger für Offsetdruckplatten.
Priority Applications (9)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE4417907A DE4417907A1 (de) | 1994-05-21 | 1994-05-21 | Verfahren zur Nachbehandlung von platten-, folien- oder bandförmigem Material, Träger aus derartigem Material und seine Verwendung für Offsetdruckplatten |
| US08/435,162 US5556531A (en) | 1994-05-21 | 1995-05-05 | Process for the aftertreatment of aluminum materials substrates of such materials and their use for offset printing plates |
| EP95107331A EP0683248B1 (de) | 1994-05-21 | 1995-05-15 | Verfahren zur Nachbehandlung von platten-, folien- oder bandförmigem Material, Träger aus derartigem Material und seine Verwendung für Offsetdruckplatten |
| DE59501119T DE59501119D1 (de) | 1994-05-21 | 1995-05-15 | Verfahren zur Nachbehandlung von platten-, folien- oder bandförmigem Material, Träger aus derartigem Material und seine Verwendung für Offsetdruckplatten |
| AT95107331T ATE161297T1 (de) | 1994-05-21 | 1995-05-15 | Verfahren zur nachbehandlung von platten-, folien- oder bandförmigem material, träger aus derartigem material und seine verwendung für offsetdruckplatten |
| BR9502487A BR9502487A (pt) | 1994-05-21 | 1995-05-19 | Processo para tratamento posterior de material em forma de placas folhas e fitas suportes de material e sua utilização |
| KR1019950012654A KR950032719A (ko) | 1994-05-21 | 1995-05-20 | 시트형, 호일형 또는 스트립형 재료의 후처리방법, 이러한 재료를 포함하는 기판 및 오프셋 인쇄판에 사용하기 위한 이의 용도 |
| JP7122305A JPH07316882A (ja) | 1994-05-21 | 1995-05-22 | シート状、ホイル状またはストリップ状材料の後処理方法、その様な材料からなる基材およびその基材のオフセット印刷板への使用 |
| US08/610,392 US5770315A (en) | 1994-05-21 | 1996-03-04 | Process for the aftertreatment of aluminum materials, substrates of such materials, and their use for offset printing plates |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE4417907A DE4417907A1 (de) | 1994-05-21 | 1994-05-21 | Verfahren zur Nachbehandlung von platten-, folien- oder bandförmigem Material, Träger aus derartigem Material und seine Verwendung für Offsetdruckplatten |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| DE4417907A1 true DE4417907A1 (de) | 1995-11-23 |
Family
ID=6518714
Family Applications (2)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| DE4417907A Withdrawn DE4417907A1 (de) | 1994-05-21 | 1994-05-21 | Verfahren zur Nachbehandlung von platten-, folien- oder bandförmigem Material, Träger aus derartigem Material und seine Verwendung für Offsetdruckplatten |
| DE59501119T Expired - Fee Related DE59501119D1 (de) | 1994-05-21 | 1995-05-15 | Verfahren zur Nachbehandlung von platten-, folien- oder bandförmigem Material, Träger aus derartigem Material und seine Verwendung für Offsetdruckplatten |
Family Applications After (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| DE59501119T Expired - Fee Related DE59501119D1 (de) | 1994-05-21 | 1995-05-15 | Verfahren zur Nachbehandlung von platten-, folien- oder bandförmigem Material, Träger aus derartigem Material und seine Verwendung für Offsetdruckplatten |
Country Status (7)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US5556531A (de) |
| EP (1) | EP0683248B1 (de) |
| JP (1) | JPH07316882A (de) |
| KR (1) | KR950032719A (de) |
| AT (1) | ATE161297T1 (de) |
| BR (1) | BR9502487A (de) |
| DE (2) | DE4417907A1 (de) |
Cited By (47)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0908306A2 (de) | 1997-10-08 | 1999-04-14 | Agfa-Gevaert N.V. | Verfahren zur Herstellung einer positiv arbeitenden Druckplatte aus wärmempfindlichem Bildaufzeichnungsmaterial |
| EP1243413A1 (de) | 2001-03-20 | 2002-09-25 | Agfa-Gevaert | Verfahren zur Herstellung einer negativarbeitenden, wärmeempfindlichen, lithographischen Druckplattenvorstufe |
| EP1295717A2 (de) | 2001-09-24 | 2003-03-26 | Agfa-Gevaert | Wärmeempfindlicher positiv arbeitender Flachdruckplattenvorläufer |
| EP1297950A2 (de) | 2001-09-27 | 2003-04-02 | Agfa-Gevaert | Wärmeempfindlicher lithographischer Druckplattenvorläufer |
| EP1366898A2 (de) | 2002-05-29 | 2003-12-03 | Agfa-Gevaert | Flachdruckverfahren mit einer wiederverwendbaren Aluminiumträgeroberfläche |
| EP1396338A1 (de) | 2002-09-04 | 2004-03-10 | Agfa-Gevaert | Wärmeempfindlicher Flachdruckplattenvorläufer |
| WO2005058605A1 (en) | 2003-12-18 | 2005-06-30 | Agfa-Gevaert | Positive-working lithographic printing plate precursor |
| US7195859B2 (en) | 2002-10-04 | 2007-03-27 | Agfa-Gevaert | Method of making a lithographic printing plate precursor |
| US7195861B2 (en) | 2004-07-08 | 2007-03-27 | Agfa-Gevaert | Method for making a negative working, heat-sensitive lithographic printing plate precursor |
| US7198877B2 (en) | 2002-10-15 | 2007-04-03 | Agfa-Gevaert | Heat-sensitive lithographic printing plate precursor |
| EP1834803A1 (de) | 2006-03-17 | 2007-09-19 | Agfa Graphics N.V. | Verfahren zur Herstellung einer Lithografiedruckform |
| US7348126B2 (en) | 2004-04-27 | 2008-03-25 | Agfa Graphics N.V. | Negative working, heat-sensitive lithographic printing plate precursor |
| US7354696B2 (en) | 2004-07-08 | 2008-04-08 | Agfa Graphics Nv | Method for making a lithographic printing plate |
| US7425405B2 (en) | 2004-07-08 | 2008-09-16 | Agfa Graphics, N.V. | Method for making a lithographic printing plate |
| EP1985445A1 (de) | 2007-04-27 | 2008-10-29 | Agfa Graphics N.V. | Lithographiedruckplattenvorläufer |
| US7455949B2 (en) | 2002-10-15 | 2008-11-25 | Agfa Graphics, N.V. | Polymer for heat-sensitive lithographic printing plate precursor |
| US7458320B2 (en) | 2002-10-15 | 2008-12-02 | Agfa Graphics, N.V. | Polymer for heat-sensitive lithographic printing plate precursor |
| US7467587B2 (en) | 2004-04-21 | 2008-12-23 | Agfa Graphics, N.V. | Method for accurate exposure of small dots on a heat-sensitive positive-working lithographic printing plate material |
| EP2098376A1 (de) | 2008-03-04 | 2009-09-09 | Agfa Graphics N.V. | Verfahren zur Herstellung eines Lithographiedruckplattenträgers |
| EP2159049A1 (de) | 2008-09-02 | 2010-03-03 | Agfa Graphics N.V. | Wärmeempfindlicher, positiv arbeitender Lithographiedruckformvorläufer |
| US7678533B2 (en) | 2005-06-30 | 2010-03-16 | Agfa Graphics, N.V. | Heat-sensitive lithographic printing plate precursor |
| EP2366545A1 (de) | 2010-03-19 | 2011-09-21 | Agfa Graphics N.V. | Lithographiedruckplattenvorläufer |
| EP2489512A1 (de) | 2011-02-18 | 2012-08-22 | Agfa Graphics N.V. | Lithographiedruckplattenvorläufer |
| US8313885B2 (en) | 2005-11-10 | 2012-11-20 | Agfa Graphics Nv | Lithographic printing plate precursor comprising bi-functional compounds |
| US8419923B2 (en) | 2006-08-03 | 2013-04-16 | Agfa Graphics Nv | Lithographic printing plate support |
| WO2014017640A1 (ja) | 2012-07-27 | 2014-01-30 | 富士フイルム株式会社 | 平版印刷版用支持体およびその製造方法、並びに、平版印刷版原版 |
| WO2014106554A1 (en) | 2013-01-01 | 2014-07-10 | Agfa Graphics Nv | (ethylene, vinyl acetal) copolymers and their use in lithographic printing plate precursors |
| WO2014202519A1 (en) | 2013-06-18 | 2014-12-24 | Agfa Graphics Nv | Method for manufacturing a lithographic printing plate precursor having a patterned back layer |
| EP2871057A1 (de) | 2013-11-07 | 2015-05-13 | Agfa Graphics Nv | Negativ arbeitender, wärmeempfindlicher Lithographiedruckplattenvorläufer |
| EP2933278A1 (de) | 2014-04-17 | 2015-10-21 | Agfa Graphics Nv | (Ethylen-,Vinylacetal-)Copolymere und ihre Verwendung in Lithographiedruckplattenvorläufern |
| EP2944657A1 (de) | 2014-05-15 | 2015-11-18 | Agfa Graphics Nv | (Ethylen-,Vinylacetal-)Copolymere und deren Verwendung in Lithographiedruckplattenvorläufern |
| EP2955198A1 (de) | 2014-06-13 | 2015-12-16 | Agfa Graphics Nv | (Ethylen, vinylacetal)-Copolymere und deren Verwendung in lithographischen Druckplattenvorläufer |
| EP2963496A1 (de) | 2014-06-30 | 2016-01-06 | Agfa Graphics Nv | Lithografiedruckplattenvorläufer mit (Ethylen-, Vinylacetal-)Copolymeren |
| EP3017944A1 (de) | 2014-11-06 | 2016-05-11 | Agfa Graphics Nv | Verfahren zur Herstellung eines Lithografiedruckplattenvorläufers |
| EP3017943A1 (de) | 2014-11-06 | 2016-05-11 | Agfa Graphics Nv | Nachhaltige lithografische Druckplatte |
| EP3032334A1 (de) | 2014-12-08 | 2016-06-15 | Agfa Graphics Nv | System zur Reduzierung von Ablationsrückständen |
| EP3121008A1 (de) | 2015-07-23 | 2017-01-25 | Agfa Graphics Nv | Lithografiedruckplattenvorläufer mit graphitoxid |
| EP3130465A1 (de) | 2015-08-12 | 2017-02-15 | Agfa Graphics Nv | Wärmeempfindlicher lithografiedruckplattenvorläufer |
| EP3157310A1 (de) | 2015-10-12 | 2017-04-19 | Agfa Graphics Nv | Erfassungsblatt zur perforation elektrischer platten, wie etwa leiterplatten |
| EP3170662A1 (de) | 2015-11-20 | 2017-05-24 | Agfa Graphics Nv | Flachdruckplattenvorläufer |
| WO2017157578A1 (en) | 2016-03-16 | 2017-09-21 | Agfa Graphics Nv | Method for processing a lithographic printing plate |
| EP3239184A1 (de) | 2016-04-25 | 2017-11-01 | Agfa Graphics NV | Thermoplastische polymerpartikel und ein lithografiedruckplattenvorläufer |
| WO2018099916A1 (en) | 2016-12-01 | 2018-06-07 | Agfa Nv | Method of making a lithographic printing plate precursor containing a diazonium compound |
| EP3392049A1 (de) | 2014-01-21 | 2018-10-24 | Agfa Nv | Förderband für eine tintenstrahldruckvorrichtung |
| WO2019039074A1 (ja) | 2017-08-25 | 2019-02-28 | 富士フイルム株式会社 | ネガ型平版印刷版原版、及び、平版印刷版の製版方法 |
| DE69901642T3 (de) | 1998-03-14 | 2019-03-21 | Agfa Nv | Verfahren zur Herstellung einer positiv arbeitenden Druckplatte aus einem wärmeempfindlichem Bildaufzeichnungsmaterial |
| EP3715140A1 (de) | 2019-03-29 | 2020-09-30 | Agfa Nv | Verfahren zum drucken |
Families Citing this family (21)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE69605178T2 (de) * | 1996-04-03 | 2000-06-21 | Agfa-Gevaert N.V., Mortsel | Verfahren zur Herstellung von eine hydrophilen Oberfläche einer lithographischen Druckplatte |
| JP3830114B2 (ja) * | 1997-09-29 | 2006-10-04 | 富士写真フイルム株式会社 | ポジ型感光性平版印刷版 |
| JP2000219234A (ja) * | 1999-01-29 | 2000-08-08 | Bridgestone Sports Co Ltd | ゴルフボール用箱 |
| US6865862B2 (en) * | 2000-11-20 | 2005-03-15 | C.G. Bretting Mfg. Co., Inc. | Log bander apparatus and method |
| JP4268345B2 (ja) * | 2001-04-20 | 2009-05-27 | 富士フイルム株式会社 | 平版印刷版用支持体 |
| US20060000377A1 (en) * | 2002-10-04 | 2006-01-05 | Agfa-Gevaert | Method of marking a lithographic printing plate precursor |
| US20060060096A1 (en) * | 2002-10-15 | 2006-03-23 | Agfa-Gevaert | Polymer for heat-sensitive lithographic printing plate precursor |
| US20070003875A1 (en) * | 2005-06-30 | 2007-01-04 | Agfa-Gevaert | Method for preparing a lithographic printing plate precursor |
| US20070003869A1 (en) * | 2005-06-30 | 2007-01-04 | Agfa-Gevaert | Heat-sensitive lithographic printing plate-precursor |
| US7355888B2 (en) * | 2005-12-19 | 2008-04-08 | Sandisk Corporation | Apparatus for programming non-volatile memory with reduced program disturb using modified pass voltages |
| US7355889B2 (en) * | 2005-12-19 | 2008-04-08 | Sandisk Corporation | Method for programming non-volatile memory with reduced program disturb using modified pass voltages |
| US7492633B2 (en) * | 2006-06-19 | 2009-02-17 | Sandisk Corporation | System for increasing programming speed for non-volatile memory by applying counter-transitioning waveforms to word lines |
| US7349261B2 (en) * | 2006-06-19 | 2008-03-25 | Sandisk Corporation | Method for increasing programming speed for non-volatile memory by applying counter-transitioning waveforms to word lines |
| US8184478B2 (en) * | 2006-09-27 | 2012-05-22 | Sandisk Technologies Inc. | Apparatus with reduced program disturb in non-volatile storage |
| US8189378B2 (en) * | 2006-09-27 | 2012-05-29 | Sandisk Technologies Inc. | Reducing program disturb in non-volatile storage |
| DE102007057777B4 (de) * | 2007-11-30 | 2012-03-15 | Erbslöh Ag | Verfahren zur Herstellung eines Bauteils aus Aluminium und/oder einer Aluminiumlegierung sowie Verwendung des Verfahrens |
| US8173221B2 (en) * | 2008-03-18 | 2012-05-08 | MCT Research & Development | Protective coatings for metals |
| US20090271562A1 (en) * | 2008-04-25 | 2009-10-29 | Sinclair Alan W | Method and system for storage address re-mapping for a multi-bank memory device |
| DE102009045762A1 (de) * | 2009-10-16 | 2011-04-21 | Henkel Ag & Co. Kgaa | Mehrstufiges Verfahren zur Herstellung von alkaliresistenten anodisierten Aluminiumoberflächen |
| ITMO20130129A1 (it) * | 2013-05-14 | 2014-11-15 | Italtecno S R L | Metodo di fissaggio dell'ossido di alluminio. |
| MX2017003052A (es) | 2014-09-08 | 2018-01-26 | Mct Res And Development | Recubrimientos de silicato. |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US2882153A (en) * | 1954-02-04 | 1959-04-14 | Polychrome Corp | Planographic printing plate |
| US2882152A (en) * | 1957-06-21 | 1959-04-14 | Malon H Dickerson | High speed developers |
| US3902976A (en) * | 1974-10-01 | 1975-09-02 | S O Litho Corp | Corrosion and abrasion resistant aluminum and aluminum alloy plates particularly useful as support members for photolithographic plates and the like |
| DE3232485A1 (de) * | 1982-09-01 | 1984-03-01 | Hoechst Ag, 6230 Frankfurt | Verfahren zur nachbehandlung von aluminiumoxidschichten mit alkalisilikat enthaltenden waessrigen loesungen und dessen verwendung bei der herstellung von offsetdruckplattentraegern |
| DE3406102A1 (de) * | 1984-02-21 | 1985-08-22 | Hoechst Ag, 6230 Frankfurt | Verfahren zur nachbehandlung von aluminiumoxidschichten mit alkalimetallsilikat enthaltenden waessrigen loesungen und deren verwendung bei der herstellung von offsetdruckplattentraegern |
-
1994
- 1994-05-21 DE DE4417907A patent/DE4417907A1/de not_active Withdrawn
-
1995
- 1995-05-05 US US08/435,162 patent/US5556531A/en not_active Expired - Fee Related
- 1995-05-15 EP EP95107331A patent/EP0683248B1/de not_active Expired - Lifetime
- 1995-05-15 AT AT95107331T patent/ATE161297T1/de active
- 1995-05-15 DE DE59501119T patent/DE59501119D1/de not_active Expired - Fee Related
- 1995-05-19 BR BR9502487A patent/BR9502487A/pt not_active Application Discontinuation
- 1995-05-20 KR KR1019950012654A patent/KR950032719A/ko not_active Withdrawn
- 1995-05-22 JP JP7122305A patent/JPH07316882A/ja active Pending
-
1996
- 1996-03-04 US US08/610,392 patent/US5770315A/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (59)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0908306A2 (de) | 1997-10-08 | 1999-04-14 | Agfa-Gevaert N.V. | Verfahren zur Herstellung einer positiv arbeitenden Druckplatte aus wärmempfindlichem Bildaufzeichnungsmaterial |
| DE69901642T3 (de) | 1998-03-14 | 2019-03-21 | Agfa Nv | Verfahren zur Herstellung einer positiv arbeitenden Druckplatte aus einem wärmeempfindlichem Bildaufzeichnungsmaterial |
| EP1243413A1 (de) | 2001-03-20 | 2002-09-25 | Agfa-Gevaert | Verfahren zur Herstellung einer negativarbeitenden, wärmeempfindlichen, lithographischen Druckplattenvorstufe |
| EP1295717A2 (de) | 2001-09-24 | 2003-03-26 | Agfa-Gevaert | Wärmeempfindlicher positiv arbeitender Flachdruckplattenvorläufer |
| EP1297950A2 (de) | 2001-09-27 | 2003-04-02 | Agfa-Gevaert | Wärmeempfindlicher lithographischer Druckplattenvorläufer |
| EP1366898A2 (de) | 2002-05-29 | 2003-12-03 | Agfa-Gevaert | Flachdruckverfahren mit einer wiederverwendbaren Aluminiumträgeroberfläche |
| EP1396338A1 (de) | 2002-09-04 | 2004-03-10 | Agfa-Gevaert | Wärmeempfindlicher Flachdruckplattenvorläufer |
| US7195859B2 (en) | 2002-10-04 | 2007-03-27 | Agfa-Gevaert | Method of making a lithographic printing plate precursor |
| US7455949B2 (en) | 2002-10-15 | 2008-11-25 | Agfa Graphics, N.V. | Polymer for heat-sensitive lithographic printing plate precursor |
| US7198877B2 (en) | 2002-10-15 | 2007-04-03 | Agfa-Gevaert | Heat-sensitive lithographic printing plate precursor |
| US7458320B2 (en) | 2002-10-15 | 2008-12-02 | Agfa Graphics, N.V. | Polymer for heat-sensitive lithographic printing plate precursor |
| WO2005058605A1 (en) | 2003-12-18 | 2005-06-30 | Agfa-Gevaert | Positive-working lithographic printing plate precursor |
| US7467587B2 (en) | 2004-04-21 | 2008-12-23 | Agfa Graphics, N.V. | Method for accurate exposure of small dots on a heat-sensitive positive-working lithographic printing plate material |
| US7348126B2 (en) | 2004-04-27 | 2008-03-25 | Agfa Graphics N.V. | Negative working, heat-sensitive lithographic printing plate precursor |
| US7354696B2 (en) | 2004-07-08 | 2008-04-08 | Agfa Graphics Nv | Method for making a lithographic printing plate |
| US7425405B2 (en) | 2004-07-08 | 2008-09-16 | Agfa Graphics, N.V. | Method for making a lithographic printing plate |
| US7195861B2 (en) | 2004-07-08 | 2007-03-27 | Agfa-Gevaert | Method for making a negative working, heat-sensitive lithographic printing plate precursor |
| US7678533B2 (en) | 2005-06-30 | 2010-03-16 | Agfa Graphics, N.V. | Heat-sensitive lithographic printing plate precursor |
| US8313885B2 (en) | 2005-11-10 | 2012-11-20 | Agfa Graphics Nv | Lithographic printing plate precursor comprising bi-functional compounds |
| EP1834803A1 (de) | 2006-03-17 | 2007-09-19 | Agfa Graphics N.V. | Verfahren zur Herstellung einer Lithografiedruckform |
| US8419923B2 (en) | 2006-08-03 | 2013-04-16 | Agfa Graphics Nv | Lithographic printing plate support |
| EP1985445A1 (de) | 2007-04-27 | 2008-10-29 | Agfa Graphics N.V. | Lithographiedruckplattenvorläufer |
| EP2098376A1 (de) | 2008-03-04 | 2009-09-09 | Agfa Graphics N.V. | Verfahren zur Herstellung eines Lithographiedruckplattenträgers |
| EP2159049A1 (de) | 2008-09-02 | 2010-03-03 | Agfa Graphics N.V. | Wärmeempfindlicher, positiv arbeitender Lithographiedruckformvorläufer |
| WO2011113693A1 (en) | 2010-03-19 | 2011-09-22 | Agfa Graphics Nv | A lithographic printing plate precursor |
| EP2366545A1 (de) | 2010-03-19 | 2011-09-21 | Agfa Graphics N.V. | Lithographiedruckplattenvorläufer |
| EP2489512A1 (de) | 2011-02-18 | 2012-08-22 | Agfa Graphics N.V. | Lithographiedruckplattenvorläufer |
| WO2012110359A1 (en) | 2011-02-18 | 2012-08-23 | Agfa Graphics Nv | A lithographic printing plate precursor |
| US9029066B2 (en) | 2011-02-18 | 2015-05-12 | Agfa Graphics Nv | Lithographic printing plate precursor |
| WO2014017640A1 (ja) | 2012-07-27 | 2014-01-30 | 富士フイルム株式会社 | 平版印刷版用支持体およびその製造方法、並びに、平版印刷版原版 |
| WO2014106554A1 (en) | 2013-01-01 | 2014-07-10 | Agfa Graphics Nv | (ethylene, vinyl acetal) copolymers and their use in lithographic printing plate precursors |
| EP3346332A1 (de) | 2013-06-18 | 2018-07-11 | Agfa Nv | Lithographiedruckplattenvorläufer mit einer nichtkontinuierlichen rückschicht |
| WO2014202519A1 (en) | 2013-06-18 | 2014-12-24 | Agfa Graphics Nv | Method for manufacturing a lithographic printing plate precursor having a patterned back layer |
| EP2871057A1 (de) | 2013-11-07 | 2015-05-13 | Agfa Graphics Nv | Negativ arbeitender, wärmeempfindlicher Lithographiedruckplattenvorläufer |
| WO2015067581A1 (en) | 2013-11-07 | 2015-05-14 | Agfa Graphics Nv | Negative working, heat-sensitive lithographic printing plate precursor |
| EP3392049A1 (de) | 2014-01-21 | 2018-10-24 | Agfa Nv | Förderband für eine tintenstrahldruckvorrichtung |
| EP2933278A1 (de) | 2014-04-17 | 2015-10-21 | Agfa Graphics Nv | (Ethylen-,Vinylacetal-)Copolymere und ihre Verwendung in Lithographiedruckplattenvorläufern |
| EP2944657A1 (de) | 2014-05-15 | 2015-11-18 | Agfa Graphics Nv | (Ethylen-,Vinylacetal-)Copolymere und deren Verwendung in Lithographiedruckplattenvorläufern |
| EP2955198A1 (de) | 2014-06-13 | 2015-12-16 | Agfa Graphics Nv | (Ethylen, vinylacetal)-Copolymere und deren Verwendung in lithographischen Druckplattenvorläufer |
| WO2015189092A1 (en) | 2014-06-13 | 2015-12-17 | Agfa Graphics Nv | (ethylene, vinyl acetal) copolymers and their use in lithographic printing plate precursors |
| EP2963496A1 (de) | 2014-06-30 | 2016-01-06 | Agfa Graphics Nv | Lithografiedruckplattenvorläufer mit (Ethylen-, Vinylacetal-)Copolymeren |
| WO2016001023A1 (en) | 2014-06-30 | 2016-01-07 | Agfa Graphics Nv | A lithographic printing plate precursor including (ethylene, vinyl acetal) copolymers |
| EP3017944A1 (de) | 2014-11-06 | 2016-05-11 | Agfa Graphics Nv | Verfahren zur Herstellung eines Lithografiedruckplattenvorläufers |
| EP3017943A1 (de) | 2014-11-06 | 2016-05-11 | Agfa Graphics Nv | Nachhaltige lithografische Druckplatte |
| EP3032334A1 (de) | 2014-12-08 | 2016-06-15 | Agfa Graphics Nv | System zur Reduzierung von Ablationsrückständen |
| WO2017013060A1 (en) | 2015-07-23 | 2017-01-26 | Agfa Graphics Nv | A lithographic printing plate precursor comprising graphite oxide |
| EP3121008A1 (de) | 2015-07-23 | 2017-01-25 | Agfa Graphics Nv | Lithografiedruckplattenvorläufer mit graphitoxid |
| EP3130465A1 (de) | 2015-08-12 | 2017-02-15 | Agfa Graphics Nv | Wärmeempfindlicher lithografiedruckplattenvorläufer |
| EP3157310A1 (de) | 2015-10-12 | 2017-04-19 | Agfa Graphics Nv | Erfassungsblatt zur perforation elektrischer platten, wie etwa leiterplatten |
| WO2017085002A1 (en) | 2015-11-20 | 2017-05-26 | Agfa Graphics Nv | A lithographic printing plate precursor |
| EP3170662A1 (de) | 2015-11-20 | 2017-05-24 | Agfa Graphics Nv | Flachdruckplattenvorläufer |
| WO2017157579A1 (en) | 2016-03-16 | 2017-09-21 | Agfa Graphics Nv | Method for processing a lithographic printing plate |
| WO2017157578A1 (en) | 2016-03-16 | 2017-09-21 | Agfa Graphics Nv | Method for processing a lithographic printing plate |
| EP3239184A1 (de) | 2016-04-25 | 2017-11-01 | Agfa Graphics NV | Thermoplastische polymerpartikel und ein lithografiedruckplattenvorläufer |
| WO2017186556A1 (en) | 2016-04-25 | 2017-11-02 | Agfa Graphics Nv | Thermoplastic polymer particles and a lithographic printing plate precursor |
| WO2018099916A1 (en) | 2016-12-01 | 2018-06-07 | Agfa Nv | Method of making a lithographic printing plate precursor containing a diazonium compound |
| WO2019039074A1 (ja) | 2017-08-25 | 2019-02-28 | 富士フイルム株式会社 | ネガ型平版印刷版原版、及び、平版印刷版の製版方法 |
| EP3715140A1 (de) | 2019-03-29 | 2020-09-30 | Agfa Nv | Verfahren zum drucken |
| WO2020200905A1 (en) | 2019-03-29 | 2020-10-08 | Agfa Nv | A method of printing |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR950032719A (ko) | 1995-12-22 |
| EP0683248A1 (de) | 1995-11-22 |
| ATE161297T1 (de) | 1998-01-15 |
| US5556531A (en) | 1996-09-17 |
| US5770315A (en) | 1998-06-23 |
| BR9502487A (pt) | 1995-12-19 |
| DE59501119D1 (de) | 1998-01-29 |
| JPH07316882A (ja) | 1995-12-05 |
| EP0683248B1 (de) | 1997-12-17 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| EP0683248B1 (de) | Verfahren zur Nachbehandlung von platten-, folien- oder bandförmigem Material, Träger aus derartigem Material und seine Verwendung für Offsetdruckplatten | |
| DE3012135C2 (de) | Träger für lithographische Druckplatten, Verfahren zu seiner Herstellung und seine Verwendung zur Herstellung von vorsensibilisierten Druckplatten | |
| DE3030815C2 (de) | Elektrolytisches Körnungsverfahren | |
| EP0089510B1 (de) | Aluminiummaterial mit einer hydrophilen Oberflächenbeschichtung, ein Verfahren zu seiner Herstellung und seine Verwendung als Träger für Offsetdruckplatten | |
| DE69120663T2 (de) | Flachdruckplatten | |
| DE1671614A1 (de) | Lithographische Druckplatte und Verfahren zur Herstellung derselben | |
| DE2251382B2 (de) | Verfahren zur Herstellung von aluminiumhaltigen Trägern | |
| EP0069320A1 (de) | Hydrophilierte Trägermaterialien für Offsetdruckplatten, ein Verfahren zu ihrer Herstellung und ihre Verwendung | |
| DE3150278A1 (de) | "offsetplatte aus metall und verfahren zu ihrer herstellung" | |
| EP0118740B1 (de) | Platten-, folien- oder bandförmiges Material aus mechanisch und elektrochemisch aufgerauhtem Aluminium, ein Verfahren zu seiner Herstellung und seine Verwendung als Träger für Offsetdruckplatten | |
| EP0050216B1 (de) | Verfahren zur anodischen Oxidation von Aluminium und dessen Verwendung als Druckplatten-Trägermaterial | |
| EP0089508B1 (de) | Verfahren zur elektrochemischen Aufrauhung von Aluminium und dessen Verwendung als Trägermaterial für Offsetdruckplatten | |
| DE3031764A1 (de) | Aluminiumsubstrate fuer offsetdruckplatten sowie verfahren zu deren herstellung | |
| DE3635303A1 (de) | Verfahren zur abtragenden modifizierung von mehrstufig aufgerauhten traegermaterialien aus aluminium oder dessen legierungen und deren verwendung bei der herstellung von offsetdruckplatten | |
| EP0043991B1 (de) | Verfahren zum Einbrennen von lichtempfindlichen Schichten bei der Herstellung von Druckformen | |
| DE3222967A1 (de) | Verfahren zur abtragenden modifizierung von elektrochemisch aufgerauhten traegermaterialien aus aluminium nd deren verwendung bei der herstellung von offsetdruckplatten | |
| DE69818204T2 (de) | Verfahren zur Herstellung eines Aluminiumträgers für eine Flachdruckplatte | |
| EP0141056B1 (de) | Verfahren zur einstufigen anodischen Oxidation von Trägermaterialien aus Aluminium für Offsetdruckplatten | |
| EP0086956A2 (de) | Verfahren zur Herstellung von Trägermaterialien für Offsetdruckplatten | |
| DE1956795A1 (de) | Verfahren zur Herstellung von Offsetdruckplatten aus eloxiertem Aluminium | |
| DE2729391C2 (de) | Lithographische Flachdruckplatte und Verfahren zu deren Herstellung | |
| EP0161461B1 (de) | Verfahren zur anodischen Oxidation von Aluminium und dessen Verwendung als Trägermaterial für Offsetdruckplatten | |
| DE69938214T2 (de) | Träger für eine lithographische Druckplatte | |
| DE3637764A1 (de) | Traegermaterial auf der basis von aluminium oder dessen legierungen fuer offsetdruckplatten sowie verfahren zu dessen herstellung | |
| DE2617473C3 (de) | Verfahren zur Herstellung eines lithographischen Bildempfangsmaterials für das Silbersalzdiffusionsübertragungsverfahren |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| 8139 | Disposal/non-payment of the annual fee |