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Die
vorliegende Erfindung betrifft die Herstellung und Konstruktion
von Grabenkondensatoren für integrierte
Schaltungen, insbesondere von Kondensatoren für die Verwendung in Dynamic-Random-Access-Memory(DRAM)-Zellen,
und hochentwickelte Speichereinheiten, welche selbige enthalten.
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Im
Allgemeinen umfasst eine Halbleiter-Speichereinheit wie z.B. eine
dynamische Zelle mit wahlfreiem Zugriff (Dynamic-Random-Access-Memory(DRAM)) eine Vielzahl
von Speicherzellen, welche verwendet werden, um große Datenmengen
zu speichern. Jede Speicherzelle beinhaltet typischerweise einen
Kondensator zum Speichern elektrischer Ladung und einen Feldeffekttransistor (FET)
zum Öffnen
und Schließen
der Ladungs- und Entladungsdurchgänge des Kondensators. Die Anzahl
an Zellen (und der entsprechenden Bits der Speicherkapazität) der DRAM-Chips
integrierter Schaltungen hat sich alle drei Jahre ungefähr um das 4fache
vergrößert; dies
wurde durch die Verringerung der Größe der Speicherzellen erreicht.
Leider führt
die kleinere Zellengröße auch
zu einer geringeren Fläche,
um den Kondensator herzustellen.
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Überdies
nimmt die Querschnittsfläche
des Tiefgraben-Speicherkondensators
mit dem Quadrat des Grundmaßes
ab, wenn die Abmessungen der DRAM-Zellen mit jeder folgenden Generation
verkleinert werden, während
die Grabentiefe etwa konstant geblieben ist. Diese Veränderung
in der Grabengeometrie führt zu
einem starken Anstieg des Serienwiderstandes, welchen die Polysiliciumelektrode
beisteuert, die in dem tiefen Graben enthalten ist. Der gestiegene
Widerstand wiederum kann die Grenze der Geschwindigkeit, mit welcher
auf die entsprechende Speicherzelle zugegriffen werden kann, nachteilig
beeinflussen.
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Ein
Ansatz, um den Serienwiderstand von DRAM-Grabenkondensatoren zu verringern, besteht darin,
die Dotierungskonzentration des Polysiliciums des tiefen Grabens
zu erhöhen.
Dieser Ansatz schafft jedoch nur eine marginale Verringerung des
Serienwiderstands und weist somit nur eine begrenzte Anwendbarkeit
bei der Herstellung von DRAM-Zellen verringerter Abmessungen auf.
JP-A-10-27885 zeigt, wie der Widerstand eines Grabenkondensators
verringert werden kann, indem eines der Materialien WSi, TiSi, W,
Ti oder TiN verwendet wird.
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Somit
besteht weiterhin ein Bedarf für
neue Herstellungsverfahren und/oder Konstruktionen, welche das Problem
des Serienwiderstandes im Zusammenhang mit Grabenkondensatoren und
Einheiten, in welche solche Kondensatoren (z.B. DRAM-Chips) eingebaut
sind, wirksamer angehen.
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Die
vorliegende Erfindung stellt Verfahren zur Herstellung von Grabenkondensatoren
bereit, wobei der Serienwiderstandsbelag der tiefen Grabenelektrode
für eine
gegebene Grabengeometrie wesentlich verringert wird.
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Die
vorliegende Erfindung stellt Verfahren zur Herstellung von Grabenkondensatoren
bereit, wobei die Serienkapazität
der tiefen Grabenelektrode für
eine gegebene Grabengeometrie wesentlich verringert wird.
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In
einer ersten Erscheinungsform stellt die Erfindung dementsprechend
ein Verfahren zur Herstellung einer Grabenkondensatorstruktur in
einem Halbleitersubstrat bereit, wobei das Verfahren die nachstehenden
aufeinander folgenden Schritte umfasst: (a) Bereitstellen eines
Halbleitersubstrats, welches (i) einen darin befindlichen Graben
aufweist, wobei der Graben einen schmalen oberen Bereich und einen
breiten unteren Bereich aufweist, (ii) eine Elektrode in dem Substrat
um den breiten unteren Bereich herum aufweist und (iii) ein gleichmäßiges Knoten-Dielektrikum
aufweist, welches den Graben an der Elektrode bedeckt; (b) Füllen des
Grabens mit einer Polysiliciumschicht, wobei in dem breiten unteren
Bereich des Grabens ein Hohlraum gelassen wird; (c) Planarisieren
der Struktur, die sich aus Schritt (b) ergibt; (d) Entfernen der
Polysiliciumschicht in dem schmalen oberen Bereich des Grabens,
wobei der Hohlraum in dem breiten unteren Bereich des Grabens freigelegt
wird; (e) Bilden einer gleichmäßigen schwer
schmelzbaren Metallschicht in dem schmalen oberen Bereich und dem
breiten unteren Bereich; (f) Tempern der Struktur, um eine schwer
schmelzbare Metallsalizidschicht in dem breiten unteren Bereich
der Grabenstruktur zu bilden; (g) Entfernen der gleichmäßigen schwer
schmelzbaren Metallschicht von dem schmalen oberen Bereich des Grabens;
(h) Füllen
der Grabenstruktur mit Polysilicium und (i) Planarisieren der Struktur,
die sich aus Schritt (h) ergibt.
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Schritt
(e) wird vorzugsweise unter Anwendung einer selektiven Reaktion
durchgeführt,
durch welche das schwer schmelzbare Metall, welches in dem breiten
unteren Bereich des Grabens gebildet wird, zu einem schwer schmelzbaren
Metallsalizid mit einem niedrigen Widerstand umgewandelt werden
kann.
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Vorzugsweise
handelt es sich in der ersten Erscheinungsform bei dem Halbleitersubstrat
um Si. Die Elektrode ist vorzugsweise eine herausdiffundierte vergrabene
Platte. Vorzugsweise wird auch vor Schritt (b) um den oberen Bereich
des Grabens herum eine Oxid-Ummantelung bereitgestellt. Es wird auch
bevorzugt, dass Schritt (b) durch eine chemische Niederdruck-Gasphasenabscheidung
ausgeführt
wird.
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Der
Hohlraum ist ferner vorzugsweise vollständig von dem Polysilicium bedeckt,
welches in Schritt (b) abgeschieden wird.
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Vorzugsweise
wird in der ersten Erscheinungsform der Schritt (c) durch chemisch-mechanisches
Polieren oder Ätzen
durchgeführt.
Es wird bevorzugt, dass in dem Verfahren der ersten Erscheinungsform
der Schritt des Entfernens (d) das Ätzen des Polysiliciums durch
anisotropes Ätzen,
isotropes Ätzen
oder einer Kombination daraus umfasst. Vorzugsweise wird das Ätzen durch
ionenunterstütztes Ätzen, ioneninduziertes Ätzen, Plasmaätzen, reaktives
Ionenätzen,
reaktives Ionenstrahlätzen
oder Mikrowellen-Plasmaätzen
durchgeführt.
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Vorzugsweise
wird in dem Verfahren der ersten Erscheinungsform der Schritt (d)
durch Plasmaätzen
durchgeführt,
wobei ein Halogen als reaktives Plasmagas verwendet wird. Ebenso
wird in dem Verfahren der ersten Erscheinungsform in Schritt (d)
das Polysilicium vorzugsweise vollständig von dem schmalen oberen
Bereich entfernt. In dem Verfahren der ersten Erscheinungsform wird
Schritt (e) vorzugsweise durch chemische Gasphasenabscheidung, Sputtern,
elektrochemische Plattierung oder stromlose Plattierung durchgeführt.
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In
dem Verfahren der ersten Erscheinungsform wird das schwer schmelzbare
Metall vorzugsweise aus der Gruppe ausgewählt, welche aus Ta, W, Co,
Ti und Mo besteht. Es wird in der ersten Erscheinungsform ferner
bevorzugt, dass das Tempern in Gegenwart einer nichtoxidierenden
Atmosphäre durchgeführt wird.
Vorzugsweise wird das Tempern auch bei einer Temperatur von etwa
600°C bis 1000°C etwa 5
Sekunden bis 1 Stunde lang durchgeführt; und insbesondere wird
das Tempern bei einer Temperatur von etwa 700°C bis 800°C etwa 10 bis 60 Sekunden lang
durchgeführt.
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In
dem Verfahren der ersten Erscheinungsform wird bevorzugt, dass das
schwer schmelzbare Metallsalizid einen spezifischen Widerstand von
etwa 15 bis 150 μOhm·cm aufweist,
und insbesondere wird bevorzugt, dass das schwer schmelzbare Metallsalizid
einen spezifischen Widerstand von etwa 15 bis 25 μOhm·cm aufweist.
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In
dem Verfahren der ersten Erscheinungsform wird bevorzugt, dass das
schwer schmelzbare Metall in Schritt (g) durch nasschemisches Ätzen mit einem
chemischen Ätzmittel
entfernt wird, welches aus der aus H2O2, HCl, HNO3, Essigsäure, Chromsäure, Phosphorsäure, Schwefelsäure, Ammoniumhydroxid
und Mischungen davon bestehenden Gruppe ausgewählt wird.
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Das
Verfahren ist dafür
geeignet, eine Kondensatorstruktur in einem Halbleitersubstrat bereitzustellen,
wobei die Kondensatorstruktur (i) einen Graben mit einem schmalen
oberen Bereich und einem breiten unteren Bereich, (ii) eine Elektrode in
dem Substrat um den breiten unteren Bereich herum, (iii) ein gleichmäßiges Knoten-Dielektrikum,
welches den Graben an der Elektrode bedeckt, und (iv) eine zweite
Elektrode in dem Graben umfasst, wobei die zweite Elektrode in dem
breiten unteren Bereich eine erste Polysiliciumschicht über dem
Knoten-Dielektrikum, eine schwer schmelzbare Metallsalizidschicht über der
ersten Polysiliciumschicht und eine zweite Polysiliciumschicht über dem
Salizid umfasst.
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Das
Verfahren ist auch dafür
geeignet, eine Grabenkondensatorstruktur bereitzustellen, bei welcher
in dem Graben ein Salizid vorliegt. Die Kondensatorstruktur ist
vorzugsweise als Speicherkondensator in einer DRAM-Speicherzelle geeignet.
Die Kondensatorstruktur umfasst vorzugsweise einen Speichergraben
mit einem schmalen oberen Bereich und einem breiten unteren Bereich,
wobei der breite untere Bereich eine äußere Polysiliciumschicht umfasst, über welcher
eine schwer schmelzbare Metallsalizidschicht und eine innere Polysiliciumschicht
gebildet wird. Der Speichergraben ist vorzugsweise flaschenförmig.
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Es
wird bevorzugt, dass es sich bei dem Halbleitersubstrat in der Kondensatorstruktur
um Si handelt. Es wird ebenfalls bevorzugt, dass die Kondensatorstruktur
eine Oxid-Ummantelung um den schmalen oberen Grabenbereich herum
umfasst.
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Vorzugsweise
enthält
das schwer schmelzbare Metallsalizid ein schwer schmelzbares Metall, welches
aus der aus Ta, W, Co, Ti und Mo bestehenden Gruppe ausgewählt wird.
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Ebenfalls
vorzugsweise umfasst die Kondensatorstruktur das schwer schmelzbare
Metallsalizid mit einem spezifischen Widerstand von etwa 15 bis 150 μOhm·cm, und
insbesondere weist das schwer schmelzbare Metallsalizid einen spezifischen
Widerstand von etwa 15 bis 25 μOhm·cm auf.
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Nun
wird ein Verfahren der vorliegenden Erfindung beispielhaft unter
Bezugnahme auf die begleitenden Zeichnungen beschrieben, in welchen:
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1(a) bis (g) Querschnittsansichten einer flaschenförmigen Speichergraben-Kondensatorstruktur
sind, welche ein schwer schmelzbares Metallsalizid enthält und welche
durch die Verarbeitungsschritte der vorliegenden Erfindung gebildet wird;
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2 eine
Querschnittsansicht einer hochentwickelten Speicherzelleneinheit
ist, welche aus der in 1(g) dargestellten
Kondensatorstruktur hergestellt werden kann.
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1(a) bis (g) stellen verschiedene Verarbeitungsschritte
dar, welche zur Herstellung einer DRAM-Zellen-Kondensatorstruktur angewendet werden
können.
Speziell stellt 1(a) eine Querschnittsansicht
einer flaschenförmigen
Anfangs-Grabenstruktur 10 dar, welche in Schritt (a) der
vorliegenden Ausführungsform
verwendet wird. Die in 1(a) dargestellte
flaschenförmige
Grabenstruktur umfasst ein Halbleitersubstrat 12, welches
vorzugsweise einen schwach dotierten Epitaxiebereich 14 und
eine oder mehrere nicht leitfähige
Flächen 24 aufweist. Die
nicht leitfähige
Fläche
(typischerweise ein Siliciumnitrid) fungiert als Schutzschicht während des Ätzverfahrens,
welches angewendet wird, um den Graben 16 zu bilden. Der
Graben 16 weist vorzugsweise einen schmalen oberen Bereich 16a und
einen breiten unteren Bereich 16b auf. In einigen Fällen kann es
wünschenswert
sein, eine dünne
Oxidschicht (nicht dargestellt) zwischen dem Halbleitersubstrat 12 und
der nicht leitfähige
Fläche 24 zu
bilden.
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Das
Halbleitersubstrat 12 kann aus jedem herkömmlichen
halbleitendem Material gebildet werden, u.a., aber nicht darauf
beschränkt,
Si, Ge, GaP, InAs, InP, SiGe, GaAs oder andere III/V-Verbindungen.
Unter diesen halbleitenden Materialien wird stark bevorzugt, dass
das Halbleitersubstrat 12 aus Si besteht.
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Am
breiten unteren Grabenbereich 16b ist ein herausdiffundierter
Bereich 18 einer vergrabenen Platte und eine Knoten-Dielektrikumschicht 20 dargestellt.
Der schmale obere Bereich 16a enthält vorzugsweise eine Oxid-Ummantelung 22,
welche durch lokale Oxidation von Silicium (LOCOS) oder durch eine
andere Technik gebildet werden kann.
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Die
flaschenförmige
Anfangsstruktur, welche in 1(a) dargestellt
ist, wird unter Anwendung herkömmlicher
Techniken hergestellt, welche dem Fachmann wohlbekannt sind. Die
flaschenförmige
Struktur der 1(a) kann zum Beispiel unter
Anwendung der Verfahren hergestellt werden, welche in den US-Patentschriften 4
649 625 an Lu; 5 658 816 an Rajeevakumar und 5 692 281 an Rajeevakumar
beschrieben werden. Die vergrabene Platte kann durch jede herkömmliche
Technik des Diffundierens des Dotierstoffs des geeigneten Leitfähigkeitstyps
durch die Grabenwand gebildet werden. Siehe zum Beispiel die Technik,
welche in US-Patentschrift 5 395 786 beschrieben wird.
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Gemäß der vorliegenden
Erfindung wird die in 1(a) dargestellte
Struktur, insbesondere der schmale obere Grabenbereich 16a und
der breite untere Grabenbereich 16b, unter Abscheidungsbedingungen,
welche ausreichen, um den Hohlraum 28 in dem breiten unteren
Grabenbereich 16b zu bilden, mit einer Polysiliciumschicht 26 gefüllt. Die
Polysiliciumschicht 26 wird dann planarisiert, um die in 1(b) dargestellte Struktur zu ergeben.
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Das
Polysilicium und der Hohlraum, welche in 1(b) dargestellt
sind, werden unter Anwendung herkömmlicher Abscheidungstechniken
wie chemischer Gasphasenabscheidung (CVD) oder chemischer Niederdruck-Gasphasenabscheidung (LPCVD)
in dem unteren Grabenbereich der flaschenförmigen Grabenkondensatorstruktur
gebildet. Unter diesen Abscheidungstechniken wird in der vorliegenden
Ausführungsform
für die
Bildung der Polysiliciumschicht 26 und des Hohlraums 28 die
LPCVD stark bevorzugt. Die bei der Abscheidung der Polysiliciumschicht 26 und
der Bildung des Hohlraums 28 angewendeten Abscheidungsbedingungen
können in
Abhängigkeit
von der genauen angewendeten Technik und der Grabengeometrie variieren.
In den meisten Fällen
sind die angewendeten Abscheidungsbedingungen jene, welche herkömmlich für die Polysiliciumbefüllung angewendet
werden. Der Hohlraum entsteht durch den Verschluss des schmalen Bereichs 16a durch
die Abscheidung von Polysilicium auf der Grabenwand. Wenn die gewählten Abscheidungsbedingungen
nicht zur Bildung des gewünschten
Hohlraums führen,
kann nach der Planarisierung des Polysiliciums ein Hohlraum unter
Anwendung einer Ätztechnik
gebildet oder ausgedehnt werden, wie sie in US-Patentschrift 5 692
281 beschrieben ist.
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Das
Polysilicium kann unter Anwendung herkömmlicher Planarisierungstechniken
planarisiert werden. Das Planarisierungsverfahren kann zum Beispiel
durch chemisch-mechanisches
Polieren (CMP) oder Ätzen
durchgeführt
werden.
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Nach
der Planarisierung wird die Polysiliciumfüllung 26 vorzugsweise
ausgekehlt, wie in 1(c) dargestellt, wodurch die
Polysiliciumschicht 26 in dem schmalen oberen Grabenbereich 16a selektiv
entfernt wird, um den Hohlraum 28 in dem breiten unteren
Bereich 16b freizulegen. Der Auskehlungsschritt kann unter
Anwendung irgendeines herkömmlichen
anisotropen oder isotropen Ätzverfahrens
durchgeführt
werden. Alternativ kann eine Kombination aus anisotropen und isotropen Ätztechniken angewendet
werden, um das Polysilicium 26 auszukehlen. Beispiele geeigneter Ätztechniken
sind das ionenunterstützte Ätzen, das
ioneninduzierte Ätzen, das
Plasmaätzen,
das reaktive Ionenätzen,
das reaktive Ionenstrahlätzen,
das Mikrowellen-Plasmaätzen, das
chemische Ätzen
oder ähnliche Ätztechniken. Die
Auskehlung wird vorzugsweise durch ein Plasmaätzverfahren unter Verwendung
eines Halogens wie Chlor oder Fluor als reaktives Plasmagas durchgeführt. Unter
der Annahme, dass der zuvor gebildete Hohlraum 28 eine
ausreichende Größe aufweist, wird
durch das angewendete Auskehlungsverfahren vorzugsweise nicht in
wesentlichem Maße
Polysilicium von dem breiten unteren Bereich 16b des Grabens
entfernt. Wie oben angemerkt, kann erwünscht sein, als Teil des Auskehlungsschrittes
oder darauf folgend den Hohlraum zu bilden oder zu vergrößern.
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Nach
der Auskehlung wird eine gleichmäßige schwer
schmelzbare Metallschicht 30 wie in 1(d) dargestellt
abgeschieden. Die schwer schmelzbare Metallschicht kann unter Anwendung irgendeines
herkömmlichen
Abscheidungsverfahrens gebildet werden, mittels dessen eine gleichmäßige Schicht
gebildet werden kann. Beispiele für geeignete Abscheidungstechniken
sind CVD, Sputtern, elektrochemisches Plattieren, stromloses Plattieren
oder andere ähnliche
Abscheidungsverfahren. Die schwer schmelzbare Metallschicht 30 wird
vorzugsweise durch CVD gebildet.
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Verschiedene
schwer schmelzbare Metalle können
verwendet werden, um die Schicht 30 zu bilden. Beispiele
für geeignete
schwer schmelzbare Metalle sind Ti, Ta, W, Co, Mo oder andere ähnliche schwer
schmelzbare Metalle, welche ein Metallsalizid bilden können, wenn
sie in Gegenwart eines siliciumhaltigen Materials getempert werden.
So kann zum Beispiel, wenn eine Ti-Schicht gebildet wird, bei den
oben beschriebenen Temperbedingungen Ti zu TiSix (vorzugsweise
TiSi2) umgewandelt werden.
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Nach
der Abscheidung der schwer schmelzbaren Metallschicht 30 wird
wie in 1(e) dargestellt in dem breiten
unteren Grabenbereich 16b durch Tempern eine schwer schmelzbare
Metallsalizidschicht 32 gebildet, wodurch an der Grenzfläche des
schwer schmelzbaren Metalls zum Polysilicium im Bereich 16b die
Bildung eines Salizids bewirkt wird. Es wird stark bevorzugt, dass
in dem schmalen oberen Grabenbereich 16a kein schwer schmelzbares
Metallsalizid gebildet wird. Die Bildung von Salizid im Bereich 16a wird
durch die Oxid-Ummantelung 22 und durch das Entfernen von
Polysilicium aus dem Bereich 16a während des Auskehlungsschrittes verhindert.
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Der
Temperschritt, welcher in der vorliegenden Ausführungsform angewendet wird,
wird vorzugsweise in Gegenwart einer nichtoxidierenden Umgebung
wie Helium, Stickstoff, Argon oder Mischungen davon durchgeführt. Der
Temperschritt kann bei atmosphärischem
Druck oder unter einem geeigneten Vakuum durchgeführt werden.
Das Tempern wird vorzugsweise bei einer Temperatur von etwa 600°C bis 1000°C während einer
Dauer von etwa 5 Sekunden bis 1 Stunde durchgeführt. Bei höheren Tempertemperaturen werden
typischerweise kürzere
Temperzeiten angewendet, während
bei niedrigeren Tempertemperaturen typischerweise längere Temperzeiten
angewendet werden. Insbesondere wird der Temperschritt bei einer
Temperatur von etwa 700°C
bis 800°C
während
einer Dauer von etwa 10 Sekunden bis 60 Sekunden durchgeführt. Der Temperschritt
kann bei einer eingestellten Temperatur durchgeführt werden, oder es kann unter
Verwendung verschiedener Steigerungs- und Ausgleichsglüh-Zyklen
stufenweise auf eine gewünschte
Temperatur gesteigert werden.
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Das
schwer schmelzbare Metallsalizid, welches durch den Temperschritt
der vorliegenden Ausführungsform
gebildet wird, weist vorzugsweise einen gemessenen spezifischen
Widerstand von etwa 15 bis 150 μOhm·cm auf.
Insbesondere beträgt
der spezifische Widerstand des schwer schmelzbaren Metallsalizids,
welches in dem Temperschritt gebildet wird, etwa 15 bis 25 μOhm·cm.
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Nach
der Bildung der gewünschten
schwer schmelzbaren Metallsalizidschicht 32 in dem breiten unteren
Bereich 16b der Grabenstruktur wird die verbleibende schwer
schmelzbare Metallschicht 30 im oberen Bereich 16a entfernt.
Die resultierende Struktur ist in 1(f) veranschaulicht.
Vorzugsweise wird ein chemisches Nassätzverfahren, welches beim Ätzen von
schwer schmelzbarem Metall hochselektiv ist, angewendet, um die
verbleibende Schicht 30 zu entfernen. Es kann irgendein
chemisches Ätzmittel verwendet
werden, welches das schwer schmelzbare Metall von dem oberen Grabenbereich
der Kondensatorstruktur entfernen kann. Veranschaulichende Beispiele
für geeignete
chemische Ätzmittel
sind H2O2, HCl,
HNO3, Essigsäure, Chromsäure, Phosphorsäure, Schwefelsäure, Ammoniumhydroxid
oder andere ähnliche
chemische Ätzmittel.
Mischungen dieser chemischen Ätzmittel
mit anderen oder mit Wasser können
auch verwendet werden. H2O2 ist
ein bevorzugtes chemisches Ätzmittel.
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Nach
dem Entfernen des schwer schmelzbaren Metalls 30 von dem
oberen Bereich 16a der Grabenstruktur wird der Graben dann
unter Anwendung irgendeines der oben erwähnten Abscheidungsverfahren,
welches angewendet wird, um die Polysiliciumschicht 26 zu
bilden, mit weiterem Polysilicium 34 gefüllt. Die
Kondensatorstruktur wird dann unter Anwendung irgendeiner der obigen
Planarisierungstechniken oder durch Plasmaätzen planarisiert, um die in 1(g) dargestellte Kondensatorstruktur zu ergeben.
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Die
Kondensatorstruktur, welche die schwer schmelzbare Salizidschicht 32 in
dem breiten unteren Bereich des Grabens enthält, weist einen wesentlich
verringerten Serienwiderstand auf gegenüber vergleichbaren Strukturen,
welche keine solche Metallsalizidstruktur darin enthalten. Typischerweise kann
hierdurch der Serienwiderstand, welcher von dem Polysilicium des
tiefen Grabens verursacht wird, für eine gegebene Grabengeometrie/ein
gegebenes Grundmaß um
das 100-fache verringert werden. Alternativ kann das Verfahren angewendet
werden, um Kondensatorstrukturen mit noch kleineren Grundmaßen zu erzeugen, welche einen ähnlichen Serienwiderstand wie
breitere Kondensatorstrukturen aufweisen.
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Die
Kondensatorstrukturen können
in DRAM-Speicherzellen wie der in 2 dargestellten oder
in anderen integrierten Schaltungen verwendet werden. Speziell umfasst
die Speicherzelle in 2 die in 1(g) dargestellte
Kondensatorstruktur außer
dem den n-Band-Bereich 36 die p-Wanne 48, den Bereich der schmalen
Grabenisolierung 38, den vergrabenen Brückenbereich 42, den
Feldimplantierungsbereich 40, den Gatter-Leiterbereich 44 und den
Feld-Leiterbereich 46.
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Die
in 2 dargestellte Speicherzelleneinheit kann unter
Anwendung des vorliegenden Verfahrens in Kombination mit anderen
Produktionsschritten hergestellt werden, um die schmale Grabenisolierung,
Gatter-Leiterbereiche und andere Speicherzellenkomponenten zu bilden,
wobei die anderen Produktionsschritte dem Fachmann wohlbekannt sind. Die
Bildung von n-Band-Bereichen wird in der offengelegten Europäischen Patentanmeldung
822 599, offengelegt am 4. Februar 1998, erörtert. Beispiele für jene Produktionsschritte
sind in dem oben erwähnten
Patentdokument beschrieben oder dem Fachmann auf andere Weise bekannt.
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Außer für Speicherzellen
und deren Herstellung können
die Kondensatorstrukturen und Herstellungstechniken auch in Zusammenhang
mit anderen Strukturen integrierter Einheiten und mit Herstellungstechniken
der Einheiten nützlich
sein.
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Der
Fachmann auf dem betreffenden Fachgebiet wird leicht erkennen, dass
die Erfindung nicht auf die speziellen in den Zeichnungen veranschaulichten
Strukturen beschränkt
ist.
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Während die
Zeichnungen einen flaschenförmigen
Graben veranschaulichen, kann die Erfindung auch unter Verwendung
von Gräben
anderer Formen und unter Anwendung anderer Techniken zur Bildung
von Hohlräumen
als oben beschrieben ausgeübt
werden. Es versteht sich auch, dass die Erfindung nicht auf die
Verwendung irgendeines speziellen Dotierstoff-Typs beschränkt ist,
vorausgesetzt, dass die für
die verschiedenen Komponenten gewählten Dotierstoff-Typen mit
der beabsichtigten elektrischen Funktion der Einheit vereinbar sind.