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Die
vorliegende Erfindung bezieht sich auf Halbleitervorrichtung-Anordnungen
mit mehr als nur einem Komponenten körper innerhalb einer Hülle, wobei
jeder Komponentenkörper
eine Halbleiterkomponente aufweist, wie beispielsweise einen Leistungsfeldeffekttransistor
(nachstehend als MOSFET bezeichnet) oder einen Bipolartransitor
mit isolierter Gate-Elektrode (nachstehend als IGBP bezeichnet). Derartige
Anordnungen können
in beispielsweise gesteuerten Halbweg- oder Doppelweggleichrichtern und/oder
in Halb-Brücke-
oder Voll-Brücke-Treiberschaltungen
verwendet werden. Die vorliegende Erfindung bezieht sich weiterhin
auf Schaltungsanordnungen mit derartigen Anordnungen.
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Die
veröffentlichte
UK Patentanmeldung GB-A-2 037 075 beschreibt eine Halbleitervorrichtung-Anordnung
mit einem ersten und einem zweiten (unteren und oberen) Komponentenkörper innerhalb einer
Hülle.
Der untere Komponentenkörper
ist auf einer ersten Metallscheibe auf einer Basis der Hülle vorgesehen,
der obere Komponentenkörper
ist auf einer zweiten Metallscheibe auf dem ersten Komponentenkörper vorgesehen
und es sind einzelne Verbindungsklemmen mit der ersten und der zweiten Metallscheibe
verlötet.
Eine weitere Verbindungsklemme ist mit einer dritten Metallscheibe
oben auf dem oberen Komponentenkörper
verlötet.
In den Ausführungsformen
der 9 bis 11 von GB-A-2 037 075 umfasst jeder Komponentenkörper einen
Thyristor mit einer oberen Hauptelektroden und einer Steuerelektrode,
die an einer gegenüber der
unteren Hauptelektrode gegenüber
liegenden Hauptfläche
des Komponentenkörpers
liegen. In der Ausführungsform
nach 10 sind die zweite Scheibe und der obere Komponentenkörper exzentrisch
zu dem unteren Komponentenkörper
vorgesehen, damit eine Befestigungsfläche der Steuerelektrode des
unteren Komponentenkörpers
frei bleibt.
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Es
ist nun u. a. eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung eine preisgünstigere
und bequemere (aber zuverlässige)
Anordnung zu schaffen, die auf eine viel einfachere Art und Weise
hergestellt werden kann und die eine zuverlässigere Wirkung durch bevorzugte
Einschließung
eines thermischen Überlastschutzes
innerhalb der Anordnung bietet.
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Die
vorliegende Erfindung bezieht sich auf eine Halbleitervorrichtung-Anordnung mit einer
Hülle und
mit einem ersten und einem zweiten (unteren und oberen) Komponentenkörper und
mit einer Montageunterlage in der Hülle. Der erste Komponentenkörper umfasst
eine Halbleiterkomponente mit einer oberen Hauptelektrode und einer Steuerelektrode, die
an einer gegenüber
einer unteren Hauptelektrode liegenden Fläche des Komponentenkörpers vorgesehen
sind, wobei die obere Hauptelektrode des ersten Komponentenkörpers aus
einem elektrisch leitenden Schichtmuster gebildet ist, wobei der
zweite Komponentenkörper
eine Halbleiterkomponente aufweist, die wenigstens eine obere Hauptelektrode
an einer gegenüber
liegenden Hauptfläche
des Komponentenkörpers
zu einer unteren Hauptelektrode aufweist, wobei die Steuerelektrode
des ersten Komponentenkörpers
eine Haftunterlage aufweist, mit der eine betreffende elektrische
Verbindung verbunden ist, wobei der erste (untere) Komponentenkörper auf
der Montageunterlage befestigt ist, wobei die untere Hauptelektrode
mit der Montageunterlage verbunden ist, und wobei der zweite (obere)
Komponentenkörper über einen
Teil des ersten Komponentenkörpers angeordnet
ist, wobei die Montageunterlage der Steuerelektrode des ersten Komponentenkörpers unbedeckt
bleibt. Nach der vorliegenden Erfindung sind die Leiteranschlussdrähte eines
Anschlussrahmens innerhalb der Hülle
vorgesehen, wobei jede obere Hauptelektrode des ersten und zweiten
Komponentenkörpers
eine betreffende Haftunterlage hat, wobei eine betreffende elektrische
Verbindung von einem betreffenden Leiteranschluss des Anschlussrahmens
mit jeder Montageunterlage der oberen Hauptelektrode und der Steuerelektrode
des ersten und zweiten Komponentenkörpers verbunden ist, wobei
der zweite Komponentenkörper über einen
Teil des ersten Komponentenkörpers
angeordnet ist um die Montageunterlage der oberen Hauptelektrode des
ersten Komponentenkörpers
frei zu lassen und wobei die untere Hauptelektrode des zweiten Komponentenkörpers unmittelbar
mit der oberen Hauptelektrode des ersten Komponentenkörpers verbunden ist.
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Auf
diese Weise kann eine gedrängte
und preisgünstige
Halbleitervorrichtung-Anordnung mit relativ einfachen Rahmenverbindungen
zu den oberen Hauptelektroden und zu der Steuerelektrode der Komponentenkörper, und
folglich auch zu der untern Hauptelektrode des oberen Komponentenkörpers erhalten
werden, der mit der oberen Hauptelektrode des unteren Komponentenkörpers verbunden
ist. Die Hülle
und der Rahmen können
auch einen standardisierten Außenumfang
haben. Die untere und obere Halbleiterkomponente können in
dieser Zusammensetzung beispielsweise eine Halbbrückenschaltung oder
eine Einweggleichrichterschaltung bilden.
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Auf
vorteilhafte Weise kann der untere Komponentenkörper eine thermische Überlastungsschutzschaltung
mit einem Temperatursensor aufweisen, der in der Nähe der genannten
gegenüber liegenden
Hauptfläche
und auch in der Nähe
der Stelle liegt, wo der obere Komponentenkörper vorgesehen ist. Durch
einen engen thermischen Kontakt zwischen dem ersten und dem zweiten
Komponentenkörper
kann die Schutzschaltung in dem unteren Körper dazu dienen, die untere
sowie die obere Halbleiterkomponente vor thermischer Überlastung
zu schützen.
Diese Anordnung ist besonders vorteilhaft, wenn die Halbleiterkomponenten
Leistungsanordnungen sind, beispielsweise MOSTen oder IGBTen oder
andere Leistungstransistoren. Eine derartige thermische Überlastungsschutzschaltung
schafft einen Temperaturschutz für
die eng anliegend vorgesehene Anordnung, ohne dass die dicken und
teuren Metallscheiben von GB-A-2 037 075 erforderlich sind. Weiterhin
kann diese Schutzschaltung auf einfache Art und Weise in einem Gebiet
mit einer größeren Oberfläche gegenüber dem
unteren Komponentenkörper
untergebracht werden, wodurch ein größeres Montagegebiet für den oberen
Körper
bzw. die oberen Körper
geschaffen wird, wodurch auf diese Weise der Zusammenbauprozess
bei der Herstellung vereinfacht wird.
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Die
thermische Überlastungsschutzschaltung
kann einen oder mehrere Temperatursensoren haben, die zwischen dem
oberen und dem unteren Komponentenkörper vorgesehen sind, indem
sie auf demjenigen Teil des unteren Komponentenkörpers liegen, auf dem der obere
Komponentenkörper
angeordnet ist. Der Temperatursensor oder die Sensoren können aber
in der Nähe
des oberen Komponentenkörpers
liegen, ohne dass sie darunter wie ein Sandwich vorgesehen sind.
Weiterhin kann, wie nachstehend noch näher beschrieben wird, eine
thermische Schutzschaltung, die in den unteren Komponentenkörper einverleibt
ist, Heißstellen-
und Kaltstellen-Temperatursensoren aufweisen, wobei die Kaltstellen-Temperatursensoren
in einem Abstand von Wärme
erzeugenden Gebieten der Komponentenkörper liegen.
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Der
untere Komponentenkörper
kann zwei Halbleiterkomponenten aufweisen, die eine gemeinsame untere
Hauptelektrode an einer einzigen Hauptfläche des unteren Komponentenkörpers haben
und die je eine eigene obere Hauptelektrode an der gegenüber liegenden
Hauptfläche
haben; der zweite (obere) Komponentenkörper kann dort vorgesehen sein,
wo eine der zwei Halbleiterkomponenten des unteren Komponentenkörpers liegt.
Diese Anordnung ist besonders vorteilhaft für Leistungstransistoren und ähnliche
Komponenten, die ein gemeinsames Gebiet und eine gemeinsame Hauptelektrode in
der Nähe
der unteren Hauptfläche
haben. Eine gedrängte
Anordnung ist möglich,
wobei die zwei Komponenten des unteren Komponentenkörpers Steuerelektroden
mit einer gemeinsamen Monta gefläche für die zwei
Komponenten haben. Wenn der untere Komponentenkörper eine thermische Überlastungsschutzschaltung
und/oder eine Eingangssteuerschaltung zwischen der Steuerelektrode
dieser Komponenten und der Steuerelektrodenmontagefläche hat, können die
thermische Überlastungsschutzschaltung und/oder
eine Eingangssteuerschaltung (wenigstens teilweise) den zwei Komponenten
gemeinsam sein.
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Eine
derartige Anordnung mit zwei Komponenten in dem unteren Körper und
mit einem zweiten Komponentenkörper,
der darauf vorgesehen ist, kann eine gedrängte Anordnung bilden für beispielsweise
eine Solenoid-Treiberschaltung, wie nachstehend noch näher beschrieben
wird. Aber einer derartige Anordnung kann auch verwendet werden
um eine gedrängte
Zusammensetzung für
eine Voll-Brücke-Treiberschaltung
oder eine Doppelweg-Gleichrichterschaltung zu schaffen.
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Auf
diese Weise kann beispielsweise eine Voll-Brücke-Treiberschaltung und/oder
eine Doppelweg-Gleichrichterschaltung dadurch gebildet werden, dass
ein dritter Komponentenkörper
auf einem anderen Teil des ersten unteren Komponentenkörpers vorgesehen
wird, und zwar dort, wo die andere Komponente der zwei Halbleiterkomponenten
vorhanden ist. Dieser obere dritte Komponentenkörper kann eine Halbleiterkomponente
mit einer oberen Hauptelektrode und einer Steuerelektroden aufweisen,
die an der gegenüber
liegenden Hauptfläche des
Komponentenkörpers
an einer unteren Hauptelektrode gegenüber einer unteren Hauptelektrode
liegen. Die betreffenden elektrischen Verbindungen sind mit der
oberen Hauptelektrode und der Steuerelektrode des dritten Komponentenkörpers von
betreffenden Leiterverbindungen des Leiterrahmens verbunden. Die
Bodenelektrode des dritten Komponentenkörpers kann mit der oberen Hauptelektrode
der genannten anderen Komponente der zwei Halbleiterkomponenten
des unteren Komponentenkörpers
verbunden sein, wobei die Montageflächen der oberen Hauptelektrode
und der Steuerelektrode der genannten anderen Komponente der zwei
Halbleiterkomponenten unbedeckt gelassen werden.
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Eine
Vielzahl von Techniken kann angewandt werden um die Hauptelektroden
der Komponentenkörper
miteinander zu verbinden. In einer bestimmten bequemen Form kann
ein zwischen liegender Film aus elektrisch und thermisch leitendem Klebstoff
verwendet werden um die obere Hauptelektrode des unteren Komponentenkörpers mit
der unteren Hauptelektrode des darauf montierten Komponentenkörpers zu
verbinden. Ein leitender Klebstoff schafft ein besonders einfaches,
preisgünstiges
und zuverlässiges
Verbin dungsverfahren. In einer anderen Form kann ein zwischen liegender
Film aus Zinnlot statt eines Klebers verwendet werden. Es ist ebenfalls
möglich,
auf jeglichen zwischen liegenden zusätzlichen Film zu verzichten.
Auf diese Weise können
die obere(n) Hauptelektrode(n) des unteren Komponentenkörpers und
die untere Hauptelektrode des Komponentenkörpers bzw. der Komponentenkörper, der
bzw. die darauf angeordnet ist bzw. sind, je eine betreffende Schicht
aus schmelzbarem und/oder legierbarem Metall enthalten, wobei die
betreffenden Schichten miteinander verschmolzen und/oder legiert
werden um die obere Hauptelektrode des ersten Komponentenkörpers mit
der unteren Hauptelektrode des darauf montierten Komponentenkörpers zu
verbinden.
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Ausführungsbeispiele
der Erfindung sind in der Zeichnung dargestellt und werden im Folgenden näher beschrieben.
Es zeigen:
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1 eine
Draufsicht einer ersten Ausführungsform
einer Halbleitervorrichtung-Anordnung nach der vorliegenden Erfindung
und mit einem ersten und einem zweiten Komponentenkörper,
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2 einen
Schnitt gemäß der Linie
II-II in 1,
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3 eine
Draufsicht der Zusammensetzung nach 1 in einer
Fertigungsphase, wobei der erste Komponentenkörper auf einem Leitungsrahmen
angeordnet ist,
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4 einen
Schnitt durch einen Teil eines ersten Komponentenkörpers mit
einer thermischen Überlastungsschutzschaltung,
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5 einen
Schnitt durch einen Teil des Komponentenkörpers nach 4 mit
einem darauf angeordneten zweiten Komponentenkörper,
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6 einen
Schnitt durch einen Teil eines ersten Komponentenkörpers mit
zwei Halbleiterkomponenten M1 und M3,
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7 eine
Draufsicht einer anderen Halbleitervorrichtung-Anordnung nach der
vorliegenden Erfindung mit drei Komponentenkörpern,
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8 ein
Schaltbild einer Voll-Brücke-Treiberschaltung,
die mit einer oder mehreren Anordnungen nach der vorliegenden Erfindung
verwirklichbar ist,
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9 ein
Schaltbild einer Abwandlung der 8, ebenfalls
nach der vorliegenden Erfindung,
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10 ein
Schaltbild einer Solenoid-Treiberschaltung, die mit einer Anordnung
nach der vorliegenden Erfindung verwirklicht werden kann,
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11 ein
Schaltbild einer Spannungspegel-Wandlerschaltung, die mit einer
Anordnung nach der vorliegenden Erfindung verwirklichbar ist,
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12 einen
Schnitt entsprechend 5 durch einer derartige Anordnung,
die zur Verwendung in der Schaltungsanordnung nach 11 verwendbar
ist.
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Es
sei bemerkt, dass alle Figuren schematisch sind und nicht maßstabsgerecht
gezeichnet. Relative Abmessungen und Verhältnisse von Teilen in den 1 bis 7 und 12 sind
der Deutlichkeit und der Bequemlichkeit der Zeichnung halber vergrößert oder
in ihrer Größe reduziert
angegeben. Um entsprechende oder ähnliche Merkmale in den jeweiligen
Ausführungsformen
anzugeben, werden im Allgemeinen dieselben Bezugszeichen verwendet.
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Die
Halbleitervorrichtung-Anordnung nach den 1 und 2 umfasst
einen ersten und einen zweiten (unteren bzw. oberen) Komponentenkörper 101 bzw. 102,
in einer Hülle,
die durch eine gestrichelte Umfangslinie 100 in 2 angegeben
ist. Eine Montagefläche 130 und
einzelne Leitungsdrähte 140 eines
leitenden plattenförmigen
metallischen Leitungsrahmens sind in der Hülle 100 ebenfalls
vorhanden. In dem in 1 dargestellten speziellen Beispiel ist
die Montagefläche 130 mit
dem Leitungsrahmen als integraler Teil gebildet. Die Hülle 100 kann
aus einem bekannten Hartkunststoff bestehen, die um den Leitungsrahmen
vorgesehen ist, nachdem die Komponentenkörper 102, 102 auf
der Fläche 130 angeordnet
worden sind. Die Hülle 100 kann
mit den Leitungen 140 eine standardisierte Paketzeichnung
bilden. Auf diese Weise kann beispielsweise der in 1 dargestellte
Umriss ein standardisiertes TO220 Paket sein, in dem die Fläche 130 als
eine mit Öffnungen
versehene Montageplatte von dem Ende der Hülle gegenüber den Leitungen 140 herausragt. Diese
mit Öffnungen
versehene Montageplatte ermöglicht
eine effiziente Wärmeabfuhr
der Komponentenkörper 101 und 102.
Aber in die Anordnung nach den 1 und 2 ist
eine zusätzliche
Temperaturmaßnahme
einverleibt, und zwar in For, einer thermischen Überlastungsschutzschaltung
D1, Q1 usw., wie nachstehend noch näher beschrieben wird.
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Jeder
der Komponentenkörper 101, 102 umfasst
eine betreffende Halbleiterkomponente M1 und M2 mit einer oberen
Hauptelektrode 24 und einer Steuerelektrode 21,
die beide an einer gegenüber
liegenden Hauptfläche
des Komponentenkörpers
gegenüber
einer unteren Hauptelektrode 29. In den betreffenden in
den 4 bis 6 dargestellten Beispielen sind
die Halbleiterkomponenten Leistungs-MOSFTen oder Leistungs-IGBTen.
Die Halbleitermasse der Körper 101 und 102 ist
Silizium. 4 zeigt ein spezielles Beispiel eines
Leistungstransistors, der dem aus 1 der veröffentlichten
PCT internationalen Anmeldung WO-A-97/02592 (Unser Aktenzeichen:
PHB 33.990) entspricht. Der Komponentenkörper 101 aus 4 umfasst
eine thermische Überlastungsschutzschaltung
D1, Q1 usw. nebst dem Leistungstransistor M1.
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In
den speziellen Beispielen nach den 4, 5 und 6 sind
die Leistungstransistoren M1, M2 usw. von einer bekannten zellularen
Form, wobei jede Zelle ein Gebiet 23 vom einen Leitungstyp
aufweist, die ein Kanalgebiet 33 des Transistors unterhalb
einer isolierten Gate-Elektrode 21 hat. Die Zellenstruktur
entspricht derjenigen, die in WO-A-97/02592 beschrieben ist. Auf diese
Weise ist der in 4 dargestellte Transistor M1
beispielsweise von dem n-leitenden Anreicherungstyp mit einem p-leitenden
Gebiet 23. Jede Zelle hat einzelne n-leitende Source-Gebiete 36 in
dem p-leitenden Gebiet 23. Die zellularen Gebiete 23 sind
in einem n-leitenden Drain-Triftgebiet 20 hoher Widerstandsfähigkeit (n-)
vorhanden. Im Falle eines MOSFETs oder eines IGBTs ist die Steuerelektrode
des Transistors M1 die isolierte Gate-Elektrode 21. Die
Gate-Elektrode 21 kann durch ein dotiertes polykristallines
Siliziumschichtmuster auf einer dielektrischen Gate-Schicht 22 auf
der Hauptoberfläche 11 des
Komponentenkörpers
gebildet sein. Die Gate-Elektrode 21 ist mit einer weiteren
Isolierschicht 25 bedeckt, die aus einem fließfähigen Glas
oder Polymermaterial bestehen kann, um eine glatte, flache obere
Fläche über den ganzen
Komponentenkörper
zu bieten. Obschon die 4, 5 und 6 eine
ebene zellulare Geometrie für
das Kanalgebiet 33 und die Gate-Elektrode 21 zeigen,
können
mehrere bekannte Formen einer sog. "Graben-Gate" Geometrie für MOSFETen und IGBTen in einer
Anordnung nach der vorliegenden Erfindung verwendet werden, wobei
die isolierte Gate-Elektrode 21 in einem Graben in der
Hauptfläche 11 des
Komponentenkörpers
zwischen benachbarten Zellen vorhanden ist. In diesem Fall erstreckt sich
die dielektrische Gate-Schicht 22 über die Seitenwände und
den Boden des Grabens, und das Kanalgebiet 33 erstreckt
sich vertikal längs
der Seitenwände
des Grabens.
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Die
obere Hauptelektrode 24 ist eine Source-Elektrode in dem
Fall eines MOSFETs und eine Kathoden-Elektrode im falle eines IGBTs.
Sie wird aus einem elektrisch leitenden Schichtmuster (beispielsweise
aus Aluminium) gebildet, das die Source-Gebiete 36 und die Körpergebiete 23 bei
den Fenstern 26 in den isolierenden Schichten 22, 25 kontaktiert.
Diese obere Hauptelektrode 24 erstreckt sich über die
isolierte Schicht 25 über
die isolierte Gate-Elektrode 21 zwischen den Fenstern 26.
Ein integrales Gebiet des leitenden Schichtmusters versieht die
Elektrode 24 mit einer integralen Verbindungsfläche 124,
mit der elektrische Verbindungen, wie die Drähte 150 verbunden
werden. Eine Verbindungsfläche 121 für die Gate-Elektrode 21 ist
ebenfalls auf der dielektrischen Schicht 25 durch ein isoliertes
Gebiet des elektrisch leitenden Schichtmusters gebildet, das die
Hauptelektrode 24 und deren Verbindungsfläche 124 schafft.
Diese Gebiete 24, 124 und 121 des leitenden
Schichtmusters ( wobei es sich um frei liegende, flache, leitende
Gebiete auf der oberen Hauptfläche
des betreffenden Komponentenkörpers
handelt) sind durch das Suffix "a" für den unteren
Komponentenkörper 101 in 3 bezeichnet und
durch das Suffix "b" für den oberen
Komponentenkörper 102 in 1 bezeichnet.
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Die
Gate-Verbindungsfläche 121 kann
unmittelbar die Gate-Elektrode 21 durch (nicht dargestellte)
Fenster in der isolierenden Schicht 25 hindurch kontaktieren.
Auf alternative Weise kann die Gate-Verbindungsfläche 121 durch
eine Gate-Steuerschaltung 200 eines bekannten Typs mit
beispielsweise Halbleiterwiderständen,
Dioden und/oder Transistorschaltern mit der Gate-Elektrode 21 gekoppelt
werden um auf bekannte Art und Weise die von der Verbindungsfläche 121 der
gate-Elektrode 21 zugeführte
Spannung zu regeln, und zwar entsprechend dem Betriebszustand des
MOSFETs/IGBTs. Wie in 4 dargestellt, kann über die
Gate-Steuerschaltung 200 in dem Komponentenkörper eine
isolierende Schutzschicht 201, beispielsweise aus Siliziumnitrid,
vorhanden sein. Die Elektrodenverbindungsflächen 124 und 121 liegen
in den Fenstern in diese isolierenden Schicht 201 frei.
Eine oder mehrere Steuerschaltungen 200 können mit
einem oder mehreren Temperatursensoren (beispielsweise D1) integriert
sein um einen thermischen Schutz für die MOSFETen/IGBTen in der
Anordnung zu liefern. Emitter-Elektrode gibt viele Abwandlungen
bekannter Typen von Temperatursensoren und thermischen Schutzschaltungen,
die in dem unteren Körper 101 in der
Anordnung nach der vorliegenden Erfindung integriert werden können. Als
Beispiel zeigt 4 eine Temperaturabtastung unter
Verwendung einer Dünnfilmdiode
D1 in einem Schaltungstyp, wie in WO-A-97/02592 beschrieben. Andere
bekannte Typen von Sensoren und Schaltungsanordnungen sind ebenfalls
in WO-A-97/02592
beschrieben, und weitere Typen werden auch nachstehend noch erwähnt.
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Die
Halbleiterkomponente ist von einer vertikalen Konfiguration und
auf diese Weise hat sie ihre andere Hauptelektrode 29 auf
der unteren Hauptfläche
des Komponentenkörpers.
Dies untere Hauptelektrode 29 ist eine Drain-Elektrode
für einen
MOSFET oder eine Anodenelektrode für einen IGBT. Die Elektrode 29 kontaktiert
ein Halbleitersub strat 28 des Komponentenkörpers. Dieses
Substrat 28 ist von demselben Leitungstyp wie das Drain-Triftgebiet 20 in
dem Fall eines MOSFETs, oder es ist von einem zu dem Drain-Triftgebiet 20 entgegengesetzten
Leitungstyp im Falle eines IGBTs.
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In
einem bestimmten Beispiel sind typische Abmessungen und Zusammensetzungen
für die
jeweiligen Gebiete und Schichten wie folgt:
1 μm bis 10 μm Dicke für die leitende
Schicht 24, 124 und 121 aus Aluminium;
0,3 μm bis 3 μm Dicke des
Siliziumnitrids für
die isolierende Schicht 201;
0,5 μm bis 2 μm Dicke des Siliziumdioxids
für die
isolierende Schicht 25;
0,2 μm bis 5 μm Dicke des polykristallinen
Siliziums für
das Gate-Schichtmuster 21;
0,3 μm bis 2 μm Dicke des Siliziumdioxids
für die
isolierende Gate-schicht 22; und
0,5 μm bis 3 μm Dicke einer
TiNiAg-Legierung für
die untere Elektrodenschicht 29.
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Andere
Abmessungen, Materialien und Dotierungskonzentrationen der Komponentenkörper 101 und 102 und
deren Zusammensetzungsteile können
auf bekannte Art und Weise entsprechend den gewünschten Betriebskennzeichen
für die
Halbleiterkomponenten M1, M2 usw. gewählt werden. Der Leitungsrahmen
(mit den Leitern 140, dem Profilsteg 145 und der
integralen Montagefläche 130)
kann auf bekannte Art und Weise aus eine Kupferplatte mit einer
Dicke von typischerweise 1 mm bis 2 mm (beispielsweise 1,3 mm) gestanzt
und mit einer Deckschicht aus beispielsweise Nickel mit einer Dicke
von beispielsweise 2 μm,
bedeckt werden.
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Die
Anordnung nach den 1 und 2 ist hergestellt
durch Anordnung des unteren Komponentenkörpers 101 auf der
Leitungsrahmenfläche 130 (wie
in 3 dargestellt) und durch Befestigung der unteren
Hauptelektrode 29a an der Befestigungsfläche 130,
beispielsweise durch Verlötung
unter Verwendung eines Zinnlots. Auf diese Weise wird zwischen der
unteren Elektrode 29a des Leistungstransistors M1 und einer
der Leiterverbindungen 140 des Leitungsrahmens, der mit
der Fläche 130 integriert ist,
eine direkte elektrische Verbindung gebildet. Die resultierende
Struktur ist in 3 dargestellt.
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Der
zweite Komponentenkörper 102 ist
nun auf einem Teil des ersten Komponentenkörpers 101 angeordnet,
wobei die Verbindungsflächen 124a, 121a der
oberen Hauptelektrode 24a und der Steuerelektrode 21 des
Transistors M1 frei bleiben. Die untere Elektrode 29b des
Transistors M2 des Körpers 102 ist
mit der oberen Hauptelektrode 24a des Transistors M1 des
Körpers 101 verbunden.
Diese direkte mechanische und elektrische Verbindung der Elektroden 24a und 29b kann
auf vorteilhafte Weise durch beispielsweise einen zwischen liegenden
Film aus elektrisch und thermisch leitendem Epoxy-Klebematerial 110 erreicht
werden, das auf der Elektrode 24a vor der Montage des Körpers 102 gedruckt
wird. Dazu kann ein Klebkraft liefernder Farbstoffbinder verwendet
werden. Der Film 110 kann typischerweise etwa 5 μm bis 30 μm dick sein.
Die resultierende Struktur der verbundenen Körper 101 und 102 ist
in 5 dargestellt. Die obere Hauptelektrode 24 des unteren
Körpers 101 erstreckt
sich von unter dem oberen Körper 102 zum
Bilden der Verbindungsfläche 124a,
die eine gemeinsame Verbindung schafft, ebenfalls zu der unteren
Hauptelektrode 29b des oberen Körpers 102, wie in 1 dargestellt.
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Wie
in den 1 und 2 dargestellt, sind elektrische
Verbindungen 150 in Form von beispielsweise Aluminiumdrähten von
den betreffenden Verbindungsleitungen 140 des Rahmens mit
den Elektrodenverbindungsflächen 121a, 124a, 121b, 124b verbunden.
Die Drahtverbindungen 150 für den unteren Körper 101 können vor
der Montage des oberen Körpers 102 vorgesehen
sein, oder sie können
in derselben Fertigungsphase wie die Drahtverbindungen 150 für den oberen
Körper 102 vorgesehen
werden. Die Kunststoffhülle 100 wird
danach auf bekannte Art und Weise um diese verbundene Anordnung gegossen,
wobei ein Teil der Montagefläche 130 und der
Verbindungsleitungen 140 außerhalb der Hülle 100 frei
gelassen wird um die äußeren Klemmen
der Anordnung zu bilden. Der Hauptsteg 145 des Leitungsrahmens
wird danach getrennt um die vollständige in 1 dargestellte
Anordnung frei zu lassen. Die Anordnung von Transistoren M1 und
M2 aus 1 kann verwendet werden um beispielsweise eine
Halb-Brücke-Treiberschaltung
für die
Motor-Treiberschaltung nach 8 zu schaffen.
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Die
Schaltungsanordnung nach 8 kann beispielsweise für eine Fahrzeuganwendung
verwendet werden um einen Umkehrmotor MTR, beispielsweise zur mechanischen
Einstellung eines Spiegels oder eines Autostuhls. Diese Voll-Brücke-Treiberschaltung
umfasst vier steuerbare Schalter M1, M2, M3, M4, beispielsweise
MOS-FETen, die zwischen
dem Motor MTR und den +ve und –ve
Speiseleitungen vorgesehen sind. Von den "high-side" MOSFET-Schaltern M1 und M3 sind die
Drain-Anschlüsse
mit der +ve Speiseleitung verbunden, während von den "low-side" MOSFET-Schaltern
M2 und M4 die Source-Anschlüsse
mit der –ve
Speiseleitung gekoppelt sind. Jeder MOSFET-Schalter M1 bis M4 hat einen betreffenden
Steueranschluss G1 bis G4. Diese Bezeichnungen G1, G2, MTR, +ve
und –ve sind
in 1 hinzugefügt
worden um zu zeigen, wie die Anordnung nach 1 verwendet
werden kann um eine Halbbrücke-
oder eine Vollbrücke-Treiberschaltung
nach 8 zu schaffen. Auf diese Weise ist in dieser Schaltungsanordnung
nach 8 der Motor MTR mit den Verbindungsflächen 124a der oberen
Hauptelektrode 24a des unteren Komponentenkörpers 101 verbunden,
und zwar über
die betreffende Leitung 140 der Hülle 100.
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Auf
gleiche Weise können
die MOSFETen M3 und M4 in dem unteren bzw. oberen Körper 101 bzw. 102 gebildet
werden um eine ähnliche
Konstruktion für
die andere Halb- oder Vollbrücke-Treiberschaltung
zu schaffen. Auf diese Weise kann die Vollbrücke-Treiberschaltung nach 8 unter
Verwendung zweier Anordnungen nach 1 verwirklicht werden,
jede in der eigenen Hülle 100.
Aber, wie nachstehend noch beschrieben wird, kann eine derartige
Anordnungskonfiguration erweitert werden um eine Vollbrücke-Treiberschaltung
mit allen Schaltern M1 bis M4 in einer einzigen Hülle 100 erweitert
werden.
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Im
Allgemeinen ist es vorteilhaft, dass der untere Komponentenkörper 101 ein
größeres Gebiet hat
als der obere Komponentenkörper 102.
Dieses größere Gebiet
liefert bei der Herstellung eine mechanisch stabile Unterstützung für den oberen
Körper 102,
ohne dass die Verbindungsflächen 124a, 121a des
unteren Körpers 101 bedeckt
werden, mit denen Verbindungen 150 gemacht werden sollen. Das
größere Gebiet
des unteren Körpers 101 kann auf
einfache Weise einer Gate-Steuerschaltung 200 und einer
thermischen Überbelastungsschutzschaltung
D1, Q1 usw., wie bereits beschrieben, Platz bieten. Es ist ebenfalls
möglich
mehr als nur eine Speiseanordnung M1 in dem größeren unteren Körper 101 Platz
zu bieten.
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Auf
diese Weise zeit beispielsweise 6 zwei Leistungs-MOSFETen
oder IGBTen M1 und M3, die nebeneinander in dem Körper 101 gebildet
sind und die sich ein gemeinsames Triftgebiet 20, ein gemeinsames
Drain/Anoden-Substratgebiet 28 und eine gemeinsame untere
Hauptelektrode 29a teilen. Diese Transistoren M1 und M3
haben ihr eigenes Gebiet 23 und 36, ihre eigene
Gate-Elektroden 21 und ihre eigenen oberen Hauptelektroden 24a und 24c. Sie
können
eine gemeinsame Gate-Steuerfläche 121a oder
ihre eigenen Gate-Steuerflächen 121a und 121c haben.
Auf dieselbe Art und Weise wie für die
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1 und 2 ist
auf dem Teil des Körpers 101,
wo M1 liegt, ein zweiter Körper 102 mit
einem Leistungstransistor M2 angeordnet.
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Auf
gleiche Weise kann ein dritter Körper 103 mit
einem gleichen Leistungstransistor M4 auf dem Teil des unteren Körpers 101 angeordnet
werden, wo M2 sich befindet. Die untere Hauptelektrode 29d von M4
ist an der oberen Hauptelektrode 24c von M3 befestigt,
und zwar auf dieselbe Art und Weise, wie die Elektrode 29b von
M2 mit der Elektrode 24a von M1 verbunden ist. Die Elektrodenverbindungsflächen 121c und 124c von
M3 erstrecken sich von unter dem Körper 103 auf dieselbe
Art und Weise wie 121a und 124a sich von unter
dem Körper 102 erstrecken. Die
frei liegenden Elektrodenflächen 121a, 124a von M1, 121b, 124b von
M2, 121c, 124c von M3 und 121d, 124d von
M4 sind durch einzelne Verbindungsdrähte 150 mit den betreffenden
Leitungen 140 des Rahmens verbunden. Ein Beispiel dieser
Anordnung von M1, M2, M3 und M4 in drei Komponentenkörpern 101, 102, 103,
alle in einer einzigen Kunststoffhülle 100, ist in 6 und 7 dargestellt.
Auf diese Weise kann die Doppelbrücke-Treiberschaltung nach 8 mit
dieser Anordnung verwirklicht werden, die alle vier Schalter M1
bis M4 in einer einzigen Hülle 100 aufweist.
In dieser Form der Schaltungsanordnung nach 8 ist der
Motor MTR mit der Verbindungsfläche 124a (und 124c)
der oberen Hauptelektroden 24a und 24c der zwei
Komponenten M1 und M3 des unteren Komponentenkörpers 101 über eine betreffende
Leitung 140 der Hülle 100 verbunden. Weiterhin
ist ein modifiziertes Layout des Körpers 101 nach 7 in
dieser Form der Schaltungsanordnung nach 8 möglich, wobei
sich die Schalter M1 und M3 in dem unteren Körper 101 eine gemeinsame Verbindungsfläche 124a/c
für ihre
oberen Hauptelektroden 24a und 24c teilen.
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9 zeigt
eine Abwandlung der Schaltungsanordnung nach 8, wobei
M1 und M3 sich eine gemeinsame Gate-Steuerschaltung 200 von
einer gemeinsamen Steuerklemme G1/3 teilen, d.h. von einer gemeinsamen
Verbindungsleitung 140 der Anordnung. Diese Vollbrücke-Treiberschaltung
nach 9 kann auch mit der Anordnung von drei Körpern 101, 102 und 103 verwirklicht
werden, die alle vier Schalter M1 bis M4 in einer einzigen Hülle 100 enthalten.
Wie bereits bekannt, haben Gate-Steuerschaltungen 200 meistens
eine externe Erdungsklemme GND entsprechend einer separaten Verbindungsleitung 140,
die in 7 nicht dargestellt ist (und auch nicht in 1,
und zwar der Einfachheit der Zeichnung wegen) die aber in 9 dargestellt ist.
Weiterhin kann die Gate-Steuerschaltung 200 auf gleiche
Weise eine oder mehrere externe Zustandsklemmen STS aufweisen, die
je einer einzelnen Anschlussleitung 140 entsprechen, durch
die der Arbeitszustand der Anordnungen M1 und M3 angegeben werden
kann, beispielsweise wenn M1 und M3 dadurch abgeschaltet worden
sind, dass die thermische Schutzschaltung eine thermische Überbelastung
detektiert hat.
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Für die Implementierung
der Schaltungsanordnung ist die Anordnung von drei Leistungsanordnungen
M1, M2, M3 oder M1, M3, M4 in einer einzigen Hülle 100 auch nützlich.
Auf diese Weise kann in der Ausführungsform
nach 6 entweder auf den oberen Körper 102 oder auf
den unteren Körper 103 verzichtet
werden um eine Anordnung zweier Komponentenkörper innerhalb einer einzigen
Hülle zu schaffen.
Der unter Körper 101 umfasst
zwei Komponenten M1 und M3. Eine derartige Anordnung kann eine Treiberschaltung
zum Betreiben der Spule SL eines Solenoids schaffen, wie in 10 dargestellt. Derartige
Solenoid-Treiberschaltungen sind erwünscht in beispielsweise Fahrzeug-Transmissionsreglern
und in Antiblockierungsbremssystemen für Fahrzeuge. Die Solenoidspule
SL ist über
die betreffenden Verbindungsleitung 140 der Hülle mit
der Verbindungsfläche 124c der
oberen Hauptelektrode 24c des unteren Komponentenkörpers 101 verbunden.
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11 zeigt
eine andere Schaltungskonfiguration, wobei die Anordnung nach den 1 und 2 zur
Spannungspegelumwandlung verwendet werden kann. Eine Eingangsspannung
(beispielsweise +5 Volt), zugeführt
zu einer Eingangsklemme Vi wird durch diese Schaltungsanordnung
in einen Ausgangsspannungspegel (beispielsweise +2,8 V) an einer
Ausgangsklemme Vo umgewandelt. Die Eingangsklemme Vi ist über die
betreffende Leitung 140 der Hülle 100 mit der Verbindungsfläche 124b oberen Hauptelektrode 24b des
oberen Komponentenkörpers 102 verbunden.
Die Spannungspegelklemme Vo ist durch ein Induktor-Kondensatornetzwerk
L, C von der Verbindungsfläche 124a der
oberen Hauptelektrode 24a des unteren Komponentenkörpers 101 über die
betreffende Leitung 140 gekoppelt. Ein synchroner Wandler
kann gebildet werden, wenn die Körper 101 und 102 MOSTRen
M1 und M2 in der Reihenschaltung nach 11 enthalten.
Aber die wirkliche Schaltungsanordnung in 11 ist
ein nicht synchroner Wandler, wobei der obere Körper 102 eine Schottky-Diode
MD statt eines MOSTs M2 enthält.
Diese Schottky-Diode MD ist in der Reihenschaltung mit M1 in einer
Anordnung nach der vorliegenden Erfindung verbunden, beispielsweise
wie in 12 dargestellt.
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Auf
diese Weise ist 12 eine Abwandlung der 5,
wobei der obere Körper 102 die
Schottky-Diode MD statt des MOSTs M2 enthält. Die Diode MD umfasst eine
Anodenelektrode 24b, die eine Schottky-Sperre mit einer
n-leitenden Epitaxialschicht 20 in einem Fenster in einer
isolierenden Schicht 25 an der oberen Hauptfläche des
Körpers 102 bildet.
Eine bekannte Form eines p-leitenden Schutzrings 23' kann um den
Rand des Fensters liegen. Die n-leitende Schicht 20 ist
an einem n-leitenden Substrat 28 vorhanden, das an der
gegenüber liegenden
Hauptfläche
durch eine Kathodenelektrode 29b kontaktiert ist. Wie in 5 bildet
der leitende Klebefilm 110 (oder der Zinnlotfilm 110)
die gewünschte
direkte elektrische Verbindung zwischen den Elektroden 24a und 29b,
die auf diese Weise eine gemeinsame Verbindungsfläche 124a für diese Drahtverbindung 150 mit
dem Leitungsrahmen sich teilen.
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Die
Anordnungen aus den 1 bis 12 können auf
eine kostengünstige
Art und Weise unter Verwendung üblicher
Produktionsmittel hergestellt werden, ohne dass Zuverlässigkeitsprobleme
in den Herstellungsprozess eingeführt werden. Der untere Körper 102 kann
auf der Leitungsrahmenfläche 130 angeordnet
werden, und zwar unter Anwendung bekannter Verbindungsprozesse,
und der obere Körper 102 (oder
die Körper 102, 103)
kann (können)
nach Durchführung
des Leitungsrahmens 130, 140, 145 durch
ein anderes Verbindungsmittel hinzugefügt werden, das Klebemittel 110 oben
auf den oberen Hauptelektrode(n) 24 des unteren Körpers 101 anbringt.
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Die
Anordnung einer einzigen Leistungsanordnung M2 oder M4 oder MD unmittelbar
oben auf einer anderen M1 oder M3 kann etwaige Überhitzungsprobleme im Betriebzustand
der Schaltungsanordnung verschlimmern. Aber die Anordnung einer thermischen Überbelastungsschutzschaltung
in der Anordnung nach der vorliegenden Erfindung schützt die
Leistungsanordnungen vor Überhitzung.
Die Anordnung einer thermischen Überbelastungsschutzschaltung
D1, Q1 usw. in dem unteren Körper 101 kann
auf bekannte Art und Weise erreicht werden. Der Temperatursensor
und/oder die Sensoren (beispielsweise eine Dunnfilmdiode D1) kann
unterhalb des oberen Körpers 102 (oder
der Körper 102, 103) vorgesehen
werden, oder außerhalb
des durch den oberen Körper 102 oder
die Körper 102 und 103 bedeckten
Gebietes. Auf diese Weise zeigen beispielsweise die 5 und 12,
dass der Sensor D1 wie bei einem Sandwich zwischen den Körpern 101 und 102 vorgesehen
ist. In einer Ausführungsform
mit drei Körpern
nach den 6 und 10 können ein oder
mehrere Temperatursensoren D1 in einem Gebiet von 101 zwischen
den zwei oberen Körpern 102 und 103 vorgesehen
werden, oder, wie bei einem Sandwich, zwischen den Körpern 101 und 102 und/oder 103.
Es gibt eine große
Varietät
an verschiedenen bekannten Typen eines Temperatursensors, die verwendet
werden können.
Auf diese Weise können
die Temperatursensoren selber Widerstände oder Dioden oder aber Transistoren
sein, können
sie positive oder negative Temperaturkoeffizienten haben und können sie
als Dünnfilmelemente
auf einer isolierenden Schicht 2 auf dem Komponentenkörper 101 gebildet
sein, oder aber als Halbleitergebiete in der Siliziummasse des Komponentenkörpers 101. Auf
jeden Fall ist der Temperatursensor (sind die Temperatursensoren)
vorzugsweise mit einer schützenden
elektrisch isolierenden Deckschicht 201 bedeckt.
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Die
thermische Überbelastungsschaltung kann
eine Hysterese-Schaltungsfunktion umfassen, die vermeidet, dass
die Temperaturfühlschaltung "zittert", d.h. dass vermieden
wird, dass die Speiseanordnung M1 und/oder M3 ständig ein- und abgeschaltet
werden, wenn von dem Temperatursensor nur geringfügige Temperaturunterschiede
gemessen werden. Eine derartige Hysterese-Schaltungsfunktion ist
besonders günstig,
wenn der Temperatursensor eine hohe Empfindlichkeit hat, beispielsweise, wenn
er in Form einer Dünnfilm-Diode
mit einem p-n-Übergang
ist. Wegen des größeren Gebietes kann
der untere Körper 101 einen
geeigneten Raum haben für
das Layout der thermischen Überbelastungsschutzschaltung
mit einer derartigen Hysterese-Schaltungsfunktion. Die Verwendung
von Hysterese-Schaltungen in Temperaturfühlanordnungen oder Leistungs-Halbleiteranordnungen
ist bereits bekannt, beispielsweise in WO-A-97/02592 und, beispielsweise
in USA Patent US-A-5.444.219 (unser Aktenzeichen PHB 33.735) und
US-A-5.563.760 (unser
Aktenzeichen PHB 33.667).
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US-A-5.444.219
und US-A-5.563.760 beschreiben ebenfalls die Anordnung von Temperatursensoren
an heißen
und kalten Stellen einer Stromversorgungsanordnung. Die heißen Stellen
liegen näher
bei dem Hitze erzeugenden Gebiet der Stromversorgungsanordnung als
die kalten Stellen. Eine Vergleichsschaltung, die auf diese an verschiedenen Stellen
liegenden Sensoren reagiert, schafft ein Steuersignal, das die Stromversorgungsschaltung
ein- und ausschalten kann, wenn die Differenz in der an diesen zwei
Stellen gemessenen Temperatur einen vorbestimmten Wert erreicht.
Eine derartige Anordnung kann in einer Stromversorgungsanordnung nach
der vorliegenden Erfindung vorgesehen sein, wobei der Hochtemperatursensor
oder -sensoren unterhalb eines oberen Körpers bzw. obe rer Körper 102 und 102 lieg
bzw. liegen und die Niedertemperatursensoren in Gebieten liegen,
die sich in einem Abstand von diesen oberen Körpern 102 und 103 befinden.
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Auf
diese Weise wird eine Halbleiteranordnung geschaffen, die innerhalb
einer Kunststoffhülle 100 einen
oder mehrere obere Komponentenkörper 102, 103 aufweist,
die auf wenigstens einem unteren Komponentenkörper 101 angeordnet
sind um eine preisgünstige,
dennoch zuverlässige
Halb- oder Vollbrücke-Treiberschaltung
oder Gleichrichterschaltung oder aber eine Solenoid-Treiberschaltung
oder dergleichen zu schaffen. Jeder Komponentenkörper 101, 102, 103 umfasst
wenigstens einen (möglicherweise
mehr als nur einen) MOSFET, IGBT, eine Schottky-Diode oder eine
andere Halbleiteranordnung. Eine untere Hauptelektrode 29a des
unteren Körpers 101 ist
mit einer Montagefläche 130 in
der Hülle 100 verbunden.
Elektrische Verbindungen 150 sind von den Leitungen 140 des
Hüllenleitungsrahmens 130, 140 mit
betreffenden Verbindungsflächen 124a/b/c
und 121a/b/c der oberen Elektroden 24a/b/c, 21a/b/c
jedes der Körper 101, 102, 103 verbunden.
Die Rahmenverbindung 150 mit der unteren Elektrode 29b/d
des oberen Körpers 102, 103 ist über die
obere Hauptelektrode 24a/c des unteren Körpers 101 verbunden,
mit dem sie ohne Bedeckung der Elektrodenverbindungsflächen 124a/c, 121a/c
des unteren Körpers 101 verbunden
ist. Ein großes
Montagegebiet für
die oberen Körper 102, 103 und
ein guter thermischer Schutz für
die ganze Anordnung wird dadurch erreicht, dass in dem unteren Körper 101 eine
thermische Überbelastungsschutzschaltung
D1, Q1.... Vorgesehen wird, die an einer Stelle in der Nähe des Gebietes
der oberen Fläche
des unteren Körpers 101 einen
Temperatursensor D1 hat, wo der obere Körper 102 oder die
Körper 102, 103 angeordnet
ist bzw. sind. Die obere(n) Elektrode(n) 24a/b/c, 21a/b/c
sind mit Anordnungsgebieten deren betreffenden Komponenten M1, M2,
M3, M4, Md über
Fenster in einer isolierenden Schichtstruktur 21, 25 in
der oberen Hauptfläche 11 des
Komponentenkörpers 101, 102, 103 in
Kontakt. Die Verbindungsflächen 124a/b/c, 121a/b/c
der oberen Elektroden sind auf dieser Schichtstruktur 21, 25 vorhanden.
Vorzugsweise liegt über
die obere Hauptfläche 11 des
unteren Komponentenkörpers 101 (über den
Temperatursensor D und jede andere Schaltungsanordnung in dem Körper 101),
eine schützende
Isolierschicht 201, mit der Ausnahme, dass die obere Hauptelektrode 24a und
die Verbindungsflächen 124a und 121a durch
Fenster in dieser Schutzschicht 201 hindurch frei liegen.
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In
der oben beschriebenen besonderen Ausführungsform wurde ein Epoxy-Klebefilm 110 verwendet
um die unteren und oberen Körper 101 und 102, 103 miteinander zu
verbinden, und zwar durch eine direkte mechanische und elektrische
Verbindung deren Elektroden 24a und 29b. Aber
statt eines Klebers kann ein Lötmaterial
vorgesehen werden um den Film 110 zu bilden. Wenn das verbundene
Gebiet der Elektrode 24a in einem Fenster in einer schützenden
isolierenden Deckschicht 201 vorhanden ist, soll der Film 110 dicker
sein als die Deckschicht 201. Bei einer weiteren Modifikation
kann die obere Hauptelektrode 24a des Körpers 101 an der unteren
Elektrodenschicht des Körpers 102, 103 befestigt
sein, und zwar durch Verschmelzung und/oder Legierung dieser Schichten.
Auf diese Weise kann die obere Verbindungsfläche 124a des ersten
Körpers 101 mit
einer ersten Schicht schmelzbaren und/oder legierbaren Metalls bedeckt
werden und die untere Hauptfläche
des Körpers 102, 103 kann
mit einer zweiten Schicht aus schmelzbaren und/oder legierbaren
Metalls bedeckt werden, und zwar zusätzlich zu (oder anstelle von)
der unteren Elektrodenschicht 29b. In diesem Fall kann
eine Metall-zu-Metall-verbindung auf bekannte Art und Weise erreicht werden,
und zwar durch beispielsweise Verwendung von Ultraschall- und/oder
thermischer Energie zum Bilden einer Schmelz- oder Legierungsverbindung. Für diese
erste und zweite Schicht können
dieselben oder verschiedene Materialien verwendet werden. Wenn eine
Aluminiumschicht auf der oder als untere(n) Elektrodenschicht 29b vorgesehen
ist, kann diese untere Aluminiumschicht des oberen Körpers 102, 103 unmittelbar
mit der oberen Aluminium-Elektrodenfläche 124a des Körpers 101 verschmolzen werden.
Auf alternative Weise kann beispielsweise eine silberne Elektrodenfläche 124a des
Körpers 101 unmittelbar
mit einer TiNi(Au-Ge) unteren Elektrodenschicht 29b des
oberen Körpers 102, 103 legiert werden.
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Aus
der Lektüre
der vorliegenden Beschreibung dürften
dem Fachmann andere Abwandlungen einfallen. Solche Abwandlungen
können
gleichwertige und andere Merkmale betreffen, die bereits bekannt
und statt der oder zusätzlich
zu den hier bereits beschriebenen Merkmalen verwendbar sind.
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Obschon,
Patentansprüche
in dieser Patentanmeldung in Bezug auf spezielle Kombinationen von
Merkmalen formuliert worden sind, dürfte es einleuchten, dass der
Rahmen der Beschreibung der vorliegenden Erfindung auch etwaige
neue Merkmale oder neue Kombinationen hierin beschriebener Merkmale
betrifft, entweder explizit oder implizit, oder eine Generalisierung
davon, ob wohl oder nicht in Bezug auf dieselbe Erfindung, wie in
einem beliebigen Anspruch beansprucht und ob wohl oder nicht bestimmte
oder alle gleichen technischen Probleme lösend, wie dies die vorliegende
Erfindung tut.