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Die
vorliegende Erfindung bezieht sich auf eine Treiberschaltung für eine Anordnung
von lichtemittierenden Bauelementen, um im wesentlichen wenigstens
eine oder mehrere Lichtemissionsthyristorgruppen in einen Leuchtzustand
zu versetzen, die sich in einer Anordnung befinden.
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Eine
selbstabtastende Anordnung (SLED) von lichtemittierenden Bauelementen
ist in den japanischen offengelegten Patentanmeldungen mit den Nummern
1-238962, 2-208067, 2-212170, 3-20457, 3-194978, 4-5872, 4-23367,
4-29659 und 5-84971 mit der Bezeichnung "Proposal of Light Emission Element Array
For Optical Printer Integrating Drive Circuits", JAPAN HARD COPY, 1991 (a-17); "Proposal Of Self-Scanning
Type Light Emission Element (SLED) Using PNPN Thyristor Structure" THE INSTITUTE OF
ELECTRONICS, INFORMATION AND COMMUNICATION ENGINEERS, 5. März 1991
und dergleichen vorgeschlagen worden. Ein solches SLED ist als Aufzeichnungslichtemissionselement weit
verbreitet.
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1 zeigt
ein Beispiel eines SLED 100 als Lichtemissionselementanordnung
gemäß dem Dokument
US-A-6 002 420. Beim Stand der Technik ist 2 eine Zeittafel
verschiedener Steuersignale, die extern an das SLED 100 gesandt
werden, um das in 1 gezeigte SLED 100 zu
steuern, und die ein Beispiel eines Falles aufzeigt, bei dem alle
Lichtemissionselemente angesteuert werden.
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In 1 ist
ein VGA 101 entsprechend einer Stromversorgungsspannung
des SLED 100 mit den Dioden 141, 142, 143, 144 und 145 verbunden.
Diese Dioden 141, 142, 1443, 144 und 145 sind
kaskadiert, um einen Impuls ØS 145 jeweils
durch die Widerstände 101, 103, 104, 105 und 106 zu
starten. Wie in 1 gezeigt, ist das SLED 100 aus
einer Gruppe aufgebaut, in der Schiebethyristoren S1', S2', S3', S4' und S5' in einer Anordnung
als Steuerelemente geschaltet sind, eine Gruppe, in der Lichtemissionsthyristoren
S1, S2, S3, S4 und S5 als Lichtemissionselemente angeordnet sind.
Gate-Signale der Lichtemissionsthyristoren und Schiebethyristoren
sind miteinander zugeschaltet. Beispielsweise ist das Gate-Signal
des ersten Lichtemissionsthyristoren S1 dem Gate-Signal des ersten
Schiebethyristors S1' zugeschaltet,
und weiter einem Signaleingabeabschnitt Va zugeschaltet, zu dem
der Startimpuls ØS 145 gesendet
wird. Das Gate-Signal vom zweiten Lichtemissionsthyristor S2 ist
dem Gate-Signal des zweiten Schiebethyristors S2' zugeschaltet, und weiter der Kathode
Vb der Diode 141, die dem Anschluß Va zugeschaltet ist, zu dem
der Startimpuls ØS 145 gesendet
wird. Das Gate-Signal vom dritten Lichtemissionsthyristor S3 ist
dem Gate-Signal des dritten Schiebethyristors S3' zugeschaltet, und weiterhin einer Kathode
Vc der Diode 142. Gleichermaßen wird das Gate-Signal des
fünften
Lichtemissionsthyristors S5 dem Gate-Signal des fünften Schiebethyristors S5' zugeschaltet und
weiterhin einer Kathode Ve der Diode 144.
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Nachstehend
anhand des in 2 gezeigten Zeitdiagramms beschrieben
ist das Steuerverfahren vom SLED 100.
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Die
Spannung des Startimpulses ØS 145 variiert
anfänglich
von 0 V bis 5 V, wie in 2 gezeigt. Durch Variieren der
Spannung vom Startimpuls ØS 145 auf
5 V wird die Spannung von Va 5,0 V, eine Spannung von Vb wird 3,6
V (Vorwärtsrichtungsspannung
herab bis 1,4 V), eine Spannung von Vc wird 2,2 V, eine Spannung
von Vd wird 0,8 V, Spannungen von Ve und folgende werden 0 V. Dann
wird die Spannung der Gate-Signale
von den Schiebethyristoren S1' und
S2' von 0 V auf
5,0 V beziehungsweise 3,6 V variiert. Durch Variieren der Spannung
eines Schiebeimpulses Ø1 135 von
5 V auf 0 V in diesem Zustand werden die Potentiale von Annode,
Kathode und Gate des Schiebethyristors S1' 5 V, 0 V beziehungsweise 5,0 V. Der Thyristor
kommt somit in den leitenden Zustand, wodurch der Schiebethyristor
S1' leitend wird.
Selbst wenn die Spannung in diesem Zustand vom Startimpuls ØS 145 auf
0 V ist, wird die Spannung von Va 5 V (das heißt, 4,8 V in 2),
da der Schiebethyristor S1' leitet.
Dies liegt daran, daß der
Impuls durch den Widerstand 102 bezüglich des Startimpulses ØS 145 und
die Potentialdifferenz zwischen der Annode und dem Gate fast 0 wird,
nachdem der Thyristor in den leitenden Zustand gelangt ist. Selbst
wenn die Spannung vom Startimpuls ØS145 auf 0 V gebracht wird,
bleibt folglich der leitende Zustand des ersten Schiebethyristors
S1' beibehalten,
und eine erste Schiebeoperation ist abgeschlossen. Wenn in diesem
Zustand die Spannung eines Lichtemissionsthyristortreibertakts ØI 110 von 5
V auf 0 V variiert, wird der Lichtemissionsthyristor S1 leitend
und schaltet den Lichtemissionsthyristor S1 ein, da der Lichtemissionsthyristor
S1 in den Zustand gelangt, in dem der Schiebethyristor S1' leitend wird. Beim
ersten Lichtemissionsthyristor S1 wird die Potentialdifferenz zwischen
Annode und Kathode des Lichtemissionsthyristors S1 zu 0 durch Spannungsrückkehr des
Lichtemissionsthyristortreibertakts ØI 110 auf 5 V. Da
der minimale Aufrechterhaltungsstrom für den Lichtemissionsthyristor
S1 somit nicht fließen
kann, schaltet der Lichtemissionsthyristor S1, wodurch der Thyristor
S1 erlischt.
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Das Übertragen
des leitenden Zustand vom Thyristor vom Schiebethyristor S1' zum Schiebethyristor
S2' ist nachfolgend
erläutert.
Selbst wenn der Lichtemissionsthyristor S1 nicht leitet, ist die
Spannung vom Schiebeimpuls Ø1 135 noch
0 V. Auch der Schiebethyristor S1' ist somit noch leitend, die Gate-Spannung Va des Schiebethyristors
S1' beträgt 5V (das
heißt,
4,8 V in 2), und die Spannung von Vb
beträgt
3,6 V. Durch Variieren der Spannung eines Schiebeimpulses Ø2 120 von
5 V auf 0 V wird die Annode, die Kathode und die Gate-Spannung vom Schiebethyristor
S2' in diesem Zustand
5V, 0V beziehungsweise 3,6 V, wodurch der Schiebethyristor S2' leitet. Nachdem
der Schiebethyristor S2' leitet,
wird durch Variieren der Spannung des Schiebeimpulses Ø1 135 von
0 V auf 5 V, der Schiebethyristor S1' in derselben Weise wie derjenige des
Lichtemissionsthyristors S1 leitend, der nunmehr im gesperrten Zustand
ist. Der Leitendzustand des Schiebethyristors wird somit vom Schiebethyristor
S1' auf den Schiebethyristor
S2' verschoben.
Der Lichtemissionsthyristor S2 kann dann selektiv eingeschaltet
werden durch Variieren der Spannung des Lichtemissionsthyristortreibertakts ØI 110 von
5 V auf 0 V. Der Grund des Einschaltens nur vom Lichtemissionsthyristor,
dessen zugehöriger
Schiebethyristor im Leitendzustand ist, wird nachstehend erläutert. Da
die Gate-Spannungen der anderen Thyristoren als der benachbarten,
das heißt
der flankierenden Thyristoren (beispielsweise S1' und S3') des leitenden Thyristors (beispielsweise
S2') gleich 0 V
sind, gehen die Thyristoren nicht in den Leitendzustand. Da auch
die benachbarten Schiebethyristoren (beispielsweise S1' und S3') wegen des Potentials
vom Treibertakt ØI 110 von
3,6 V (Vorwärtsrichtungsspannung
herunter zu jedem Lichtemissionsthyristor) aufgrund der Tatsache,
daß der
Thyristor (beispielsweise S2')
leitet, werden benachbarte Thyristoren (beispielsweise S1' und S3') leitend, da die
Potentialdifferenz zwischen Gate und Kathode minimal ist und ein
minimaler Aufrechterhaltungsstrom für die Thyristoren nicht fließen kann.
Folglich ist es unmöglich,
die benachbarten Schiebethyristoren (beispielsweise S1' und S3') leitend zu schalten.
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Wenn
herkömmlicherweise
die Spannung 5V vom Startimpuls ØS 145 anliegt, wie
zuvor beschrieben, wird der erste Bitschiebethyristor S1' leitend durch Variieren
der Spannung vom Schiebeimpuls Ø1 135 (arbeitet
als Treibersignal für
ungradzahlige Schiebethyristoren S1' und S3') auf 0 V, und die Gate-Spannung des
Lichtemissionsthyristors S1 wird bei 5 V beibehalten. Danach wird
die Spannung des Lichtemissionsthyristortreibertakts ØI 110 für den Lichtemissionsthyristor
S1 auf 0 V gebracht, wodurch der Lichtemissionsthyristor S1 leuchtet.
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Die
Schiebegeschwindigkeit des sequentiellen Verschiebens der Gate-Spannung
vom Schiebethyristor, die eine Eigenschaft vom SLED ist, wird entsprechend
der Herstellbedingung vom Halbleiterwafer geändert, der das SLED bildet.
Im Falle, bei dem die Schiebe- und Lichtemissionsoperation mit hoher
Geschwindigkeit erfolgt, wird folglich das Verschieben der Gate-Spannung vom Schiebethyristor verzögert. Das
heißt,
es tritt das Phänomen
auf, daß der
Lichtemissionsthyristor, der leuchten soll, nicht leuchtet, sondern
es leuchtet ein anderer Thyristor, dessen Spannung den höchsten Pegel
aufweist. Im Ergebnis wird das Verschieben der Lichtemissionsoperation
instabil. Wenn insbesondere der erste Bitlichtemissionsthyristor
leuchtet, neigen die Gate-Spannungen der anderen Schiebethyristoren als
beim ersten Bit dazu, in einen Zustand zu kommen, daß die Spannung
wegen der Hochgeschwindigkeitsverschiebung nicht vollständig auf
0 V geht. Wenn in diesem Zustand in einem Fall, bei dem die Spannung
des Startimpulses ØS 145 auf
5 V ist, und der erste Bitschiebethyristor leitet, wenn die Gate-Spannung
des anderen Schiebethyristors höher
als diejenige des ersten Bitschiebethyristors ist, gelangt der erste
Bitschiebethyristor nicht in den Leitendzustand, sondern der andere
Schiebethyristor, dessen Gate-Spannung hoch ist, wird leiten. Wenn folglich
die Spannung des Lichtemissionsthyristortreibeertakts ØI 110 auf
0 V gebracht ist mit der Absicht, den ersten Bitlichtemissionsthyristor
leitend zu schalten, wird der Lichtemissionsthyristor, dessen Bit demjenigen
des obigen anderen Schiebethyristors entspricht, dessen Gate-Spannung
hoch ist, kommt in den Leitendzustand, um zu leuchten. Im Ergebnis tritt
ein solches Problem auf, das der Leuchtzustand vom ersten Bit nicht
sequentiell auf andere Bits verschoben werden kann.
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Das
Dokument JP-A-09 248 936 offenbart eine Treiberschaltung und eine
selbstabtastende LED-Anordnung, die mit derselben ausgestattet ist, wobei
ein Impulssignal von einem Ausgabeerzeugungsteil A an die Kathode
vom Thyristor zum Übertragen
abgegeben wird. Die Spitze des Impulssignals wird mit einem Standarddigitalsignal
in einem Digitalvergleicher verglichen, und wenn es Übereinstimmung
gibt, dann wird ein Übereinstimmungssignal
an eine CPU gesandt. Die CPU, die das Signal empfängt, arbeitet
zum Erhöhen
der Vorspannung eines Transistors, und kann im Ergebnis die Übertragungsaktion
zurücksetzen.
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Die
vorliegende Erfindung ist entstanden, um das obige Problem zu lösen, und
es ist folglich eine Aufgabe, eine Treiberschaltung für eine Anordnung von
lichtemittierenden Bauelementen und ein Verfahren dafür anzugeben,
um einen ersten Bitlichtemissionsthyristor mit Sicherheit leitend
zu schalten, wodurch ein Verschieben der Lichtemissionsoperation vom
ersten Bitlichtemissionsthyristor stabil erfolgen kann.
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die
zuvor genannten Aufgaben werden gelöst durch eine Schaltung nach
Anspruch 1 und durch ein Verfahren nach Anspruch 5.
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Bevorzugte
Ausgestaltungen der vorliegenden Erfindung sind in den abhängigen Patentansprüchen angegeben.
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KURZE BESCHREIBUNG
DER ZEICHNUNG
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1 ist
ein Diagramm, das ein Beispiel einer Grundstruktur eines SLED zeigt;
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2 ist
ein Zeitdiagramm, das herkömmliche
Steuersignale und deren Zeitvorgaben zeigt;
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3 ist
ein Blockdiagramm, das ein Beispiel einer Grundstruktur der SLED-Treibersteuerschaltung
in einem Ausführungsbeispiel
der vorliegenden Erfindung zeigt;
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4 ist
ein Zeitdiagramm, das Steuersignale und deren Zeitvorgabe zum Steuern
des SLED im Ausführungsbeispiel
der vorliegenden Erfindung zeigt; und
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5 ist
ein Diagramm, das ein Beispiel einer Struktur vom SLED im Ausführungsbeispiel
der vorliegenden Erfindung zeigt.
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Die
Ausführungsbeispiele
der vorliegenden Erfindung sind nachstehend anhand der beiliegenden
Zeichnung beschrieben.
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3 zeigt
die Struktur einer Treiberschaltung zum Ansteuern eines SLED als
Lichtemissionselementanordnung. 4 ist ein
Zeitdiagramm zur Erläuterung
der in 3 aufgezeigten Arbeitsweise.
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Obwohl
die Innenstruktur vom SLED dieselbe wie beim herkömmlichen
in 1 gezeigten ist, ist die Struktur in 5 gezeigt,
um dies klarzustellen.
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In 5 entspricht
VGA 101 einer Stromversorgungsspannung eines SLED 100,
das mit den Dioden 141, 142, 143, 144 und 145 kaskadiert
ist, um durch die Widerstände 102, 103, 104, 105 und 106 den
Impuls ØS 140 zu
starten. Wie in 5 gezeigt, setzt sich das SLED 100 zusammen
aus einer Gruppe, in der Schiebethyristoren S1', S2',
S3', S4' und S5' als Steuerelemente
angeordnet sind, eine Gruppe, in der Lichtemissionsthyristoren S1,
S2, S3, S4 und S5 in einer Anordnung als Lichtemissionselemente
und dergleichen vorgesehen sind. Gate-Signale der Lichtemissionsthyristoren
und Gate-Signale der Schiebethyristoren sind miteinander verbunden. Beispielsweise
ist das Gate-Signal des ersten Lichtemissionsthyristors mit dem
Gate-Signal des ersten Schiebethyristors S1' zusammengeschaltet und weiterhin ist
ein Signaleingabeeinschnitt Va angeschlossen, dem der Startimpuls ØS 140 gesendet
wird. Das Gate-Signal vom zweiten Lichtemissionsthyristor ist dem
Gate-Signal vom zweiten Schiebethyristor S2' zugeschaltet und weiter an eine Kathode
Vb der Diode 141, die mit dem Anschluß Va verbunden ist, an den
der Startimpuls ØS 140 gesendet
wird. Das Gate-Signal vom dritten Lichtemissionsthyristor S3 ist
dem Gate-Signal des dritten Schiebethyristors S3' zugeschaltet und weiter der Kathode
Vc von der Diode 142. Gleichermaßen wird das Gate-Signal vom fünften Lichtemissionsthyristor
S5 dem Gate-Signal des fünften
Schiebethyristors S5' zugeschaltet
und weiterhin der Kathode Ve der Diode 144.
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Angemerkt
sei, daß in
diesem Ausführungsbeispiel
Bezugszeichen gegenüber
jenen in 5 geändert sind, da ein Startsignal
und ein Schiebesignal unterschiedliche Funktionen gegenüber jenen herkömmlichen
Signalen haben, aber andere Teile in 5 sind mit
den identischen Bezugszeichen und Symbolen wie jene in 1 versehen.
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Wie
in 3 gezeigt, setzt sich die Ansteuerschaltung zusammen
aus einer Bilddatenausgabeeinheit 301, die Bilddaten abgibt,
die verwendet werden zum Erzeugen eines permanenten sichtbaren Bildes
auf dem Aufzeichnungsmedium in einem elektrofotografischen Aufnahmesystem,
eine SLED-Steuereinheit 303 mit einer SLED-Treibeerschaltung 302 zur
Abgabe eines READ-Takts 320, der
zum Auslesen von Bilddaten 310 verwendet wird, für die Bilddatenausgabeeinheit 301 und
die Eingabe der Bilddaten 310 aus der Bilddatenausgabeeinheit 301,
um das Erzeugen eines SLED-Treibersignals 305 zu veranlassen
sowie einen SLED-Kopf 304 mit dem Schiebethyristoren eines
SLED zur sequentiellen Einstellung des Lichtemissionszustand und
der Lichtemissionsthyristoren. Im SLED-Kopf 304 sind eine
Vielzahl von Stücken
des SLED 100 angeordnet, wie bereits zum Stand der Technik
erläutert,
in einer Gliederung, wie sie unter den Bezugszeichen 100-1 bis 100-7 in 3 aufgezeigt
ist. Das SLED-Treibersignal 305 enthält ein Signal aus einer Stromversorgung 330,
ein Signal für
eine Masse 335, einen Schiebetakt Ø1 340, eine Schiebetakt Ø2 345, einen
Lichtemissionsthyristortreibertakt Ø2 350 und einen
Startimpuls ØS 355.
Lichtemissionsthyristortreibertakte ØI 1 – ØI 7, die Parallelsignale
von 7 Bits sind, von denen jedes Bitsignal dem SLED 100-1 bis 100-7 entspricht,
werden ebenfalls zum selektiven Lichtanschalten der Lichtemissionselemente
in jedem der SLED verwendet. Wenn die Anzahl von SLED groß ist, ist
es wünschenswert,
die Anzahl von Signalleitungen durch genaues Ausführen der
Kodierungsverarbeitung zu reduzieren, da die Bitbreite des Lichtemissionsthyristortreibertakts
groß wird.
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Da
andere Signale, wie das Signal aus der Stromversorgung 330,
das Signal für
die Masse 335, der Schiebetakt Øl 340, der Schiebetakt Ø2 345 und der
Startimpuls ØS 355 allen
SLED gemeinsam sind, kann die Anzahl von Signalleitungen vom obigen
jeweiligen Signal als eines festgelegt werden.
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4 ist
ein Zeitdiagramm vom Schiebeimpuls Ø1, Schiebeimpuls Ø2, Startimpuls ØS und
dem Lichtemissionsthyristortreibertakt ØI, der aus den Bilddaten 310 und
einem Lichtemissionstakt erzeugt wird (nicht dargestellt). Das SLED-Treibersignal 305 wird
an den SLED-Kopf 304 von der SLED-Steuereinheit 303 durch
die SLED-Treiberschaltung 302 gemäß 3 abgegeben.
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Gebrochene
Linienabschnitte in Wellenformen des Impulses ØS und des Impulses Ø1 in 4 zeigen
die herkömmlichen
SLED-Treibersignalwellenformen,
und Signalwellenformen in diesem Ausführungsbeispiel sind durch durchgehende
Linien aufgezeigt. In der vorliegenden Erfindung wird eine Anlegezeit
vom Startimpuls ØS 140 durch
die Spannung von 5 V ausgedehnt, bis eine solche Zeit, wie der Leitendzustand
vom herkömmlichen
ersten Bitschiebethyristor S1' endet
(das heißt,
Zeit t420), anstelle des Nichteinstellens vom ersten Bitschiebethyristor
S1' in den Leitendzustand.
Eine Gate-Spannung vom ersten Bitlichtemissionsthyristor S1 wird somit
entsprechend dem Startimpuls ØS 140 geliefert,
um den Leitendzustand vom Lichtemissionsthyristor S1 beizubehalten.
Da der erste Bitschiebethyristor S1' nicht im Leitendzustand ist, wird der
Schiebethyristor (mit Ausnahme des ersten Bit), von dem die Spannung
noch nicht vollständig
0 V geworden ist, in den Leitendzustand versetzt. Eine Zeit, bis
daß die
Gate-Spannung vom ersten Thyristor, einem anderen als dem ersten
Bit (beispielsweise S2'),zu
0 V wird (Zeit von t410 bis t420), kann sichergestellt werden. Die
Gate-Spannung vom ersten Bitschiebethyristor S1' wird bei 5 V entsprechend dem Startimpuls ØS 140 beibehalten.
Die Gate-Spannung vom ersten Bitübertragungsthyristor
S1' wird bei 5 V
vom Startimpuls ØS 140 beibehalten.
Somit ist der erste Bitlichtemissionsthyristor S1 sicher in einen
Leitendzustand versetzt durch Liefern der Gate-Spannung vom ersten Bitlichtemissionsthyristor
S1 unter Verwendung des Startimpulses ØS 140 mit 5 V, wodurch eine
Bitschiebeoperation aus dem ersten Bitlichtemissionsthyristor S1
bis zum fünften
Bitlichtemissionsthyristor S5 stabilisiert wird. Wenn der erste
Bitlichtemissionsthyristor S1 leitend ist, kann der Lichtemissionsthyristor
S1 selektiv erleuchtet werden durch Einstellen des Treibertakts ØI in den
Leitendzustand.
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Da
die Zeit, bis die Gate-Spannung vom obigen Schiebethyristor (beispielsweise
S2' 0 V wird, kann
eine Periode von der Zeit t410 bis zur Zeit t420 in 4 sein,
in diesem Falle kann eine Zeit, zu der der Lichtemissionsthyristor
S2 leitend wird, auf die Zeit t430 ausgedehnt werden.
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Eine
Schiebeoperation für
die Schiebethyristoren, die dem ersten Bitschiebethyristor folgt,
wird gemäß dem Schiebesignal
in derselben Weise wie beim Stand der Technik ausgeführt.
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Die
Lichtemissionsoperation für
jeden der Lichtemissionsthyristoren wird ebenfalls gemäß dem Ansteuertakt ØI in derselben
Weise wie beim Stand der Technik ausgeführt, wodurch das selektive
Erleuchten eines jeden Lichtemissionsthyristors ermöglicht wird.
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In
der obigen Beschreibung sind die fünf Paare der Thyristoren zur
Vereinfachung der Beschreibung ausgewählt. Tatsächlich können Hunderte von Thyristorpaaren
vorgesehen sein.
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Gemäß der Treiberschaltung
für eine
Anordnung von lichtemittierenden Bauelementen nach der vorliegenden
Erfindung wird die Anlegezeit des Startimpulses ØS 140 mit der Spannung
von 5 V verlängert,
bis eine derartige Zeit, wie der Leitendzustand des herkömmlichen
ersten Bitschiebethyristors S1', endet,
anstelle des Nichtversetzens vom ersten Bitschiebethyristor S1' in den Leitendzustand.
Die Gatespannung des ersten Bitlichtemissionsthyristors S1 wird
gemäß dem Startimpuls ØS 140 geliefert,
um den Leitendzustand des Lichtemissionsthyristors S1 beizubehalten,
so daß der
ersten Bitlichtemissionsthyristor S1 sicher leitet. Im Ergebnis
kann die Schiebeoperation des Lichtemissionselements vom ersten Bit
stabilisiert werden.
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In
einer Treiberschaltung einer eigenabtastenden Anordnung von lichtemittierenden
Bauelementen wird ein erster Bitlichtemissionsthyristor sicher leitend
geschaltet, wodurch das Verschieben der Lichtemissionsoperation
vom ersten Bitlichtemissionsthyristor stabilisiert wird. In der
Treiberschaltung für
eine Anordnung von lichtemittierenden Bauelementen, die eine Anordnung
von Lichtemissionselementen mit einer Vielzahl von Lichtemissionsthyristoren,
die sich in einer Anordnung befinden, und mit einer Mehrzahl von
Schiebethyristoren ansteuert, die sich in einer Anordnung befinden
(jedes Gate von den Schiebethyristoren ist mit jedem Gate der Lichtemissionsthyristoren
verbunden), verfügt
die Schaltung über:
eine Erzeugungseinheit, die ein Schiebesignal zum sequentiellen
Verschieben der Leitendzustände
von den Schiebethyristoren erzeugt; und eine Erzeugungseinheit,
die ein Startsignal erzeugt, um das Ansteuern der Lichtemissionselementanordnung zu
starten, wobei eine Gate-Spannung
des ersten Lichtemissionsthyristors gemäß dem Startsignal ohne Versetzen
des ersten Schiebethyristors in den Leitendzustand gemäß dem Schiebesignal
geliefert wird.