JPH068500B2 - アルミナ被覆Ａ▲ｌ▼・Ａ▲ｌ▼合金部材の製造方法 - Google Patents
アルミナ被覆Ａ▲ｌ▼・Ａ▲ｌ▼合金部材の製造方法Info
- Publication number
- JPH068500B2 JPH068500B2 JP15292389A JP15292389A JPH068500B2 JP H068500 B2 JPH068500 B2 JP H068500B2 JP 15292389 A JP15292389 A JP 15292389A JP 15292389 A JP15292389 A JP 15292389A JP H068500 B2 JPH068500 B2 JP H068500B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- alumina
- alloy member
- oxygen
- alumina layer
- coated
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は、Ａｌ又はＡｌ合金部材上にアルミナ層を被覆
したアルミナ被覆Ａｌ・Ａｌ合金部材の製造方法に関す
る。
したアルミナ被覆Ａｌ・Ａｌ合金部材の製造方法に関す
る。
［従来の技術と課題］ 周知の如く、アルミニウム（Ａｌ）又はＡｌ合金（例え
ば、Ａｌ−１１Ｓｉ−２．７Ｃｕ）は軽量であるため、
比強度を生かした種々の用途に利用されている。
ば、Ａｌ−１１Ｓｉ−２．７Ｃｕ）は軽量であるため、
比強度を生かした種々の用途に利用されている。
しかしながら、Ａｌはヴィッカース硬さにして５０Ｈｖ
程度、前記合金にしても１４０Ｈｖ程度しかないことか
ら傷付き易く，また酸，アルカリ，ハロゲンの環境下で
は腐食の問題もある。
程度、前記合金にしても１４０Ｈｖ程度しかないことか
ら傷付き易く，また酸，アルカリ，ハロゲンの環境下で
は腐食の問題もある。
そこで、Ａｌ又はＡｌ合金部材の表面にアルミナ層を被
覆したり、酸素をイオン注入して表面保護層を作ること
が試みられている。ここに、アルミナは耐酸化性，耐摩
耗性，電気絶縁性等が良好で、化学的にも安定であるこ
とから有望なコーティング種である。前記アルミナ層の
形成はＰＶＤ法，ＣＶＤ法，溶射あるいは陽極酸化等で
試みられているが、いずれも剥離あるいはポアー形成の
問題がある。一方、酸素イオン注入する方法では、こう
した剥離などの問題点はないが、改質層がサブミクロン
程度と浅く実用にあたっての信頼性について疑問視され
る。
覆したり、酸素をイオン注入して表面保護層を作ること
が試みられている。ここに、アルミナは耐酸化性，耐摩
耗性，電気絶縁性等が良好で、化学的にも安定であるこ
とから有望なコーティング種である。前記アルミナ層の
形成はＰＶＤ法，ＣＶＤ法，溶射あるいは陽極酸化等で
試みられているが、いずれも剥離あるいはポアー形成の
問題がある。一方、酸素イオン注入する方法では、こう
した剥離などの問題点はないが、改質層がサブミクロン
程度と浅く実用にあたっての信頼性について疑問視され
る。
本発明は上記事情に鑑みてなされたもので、室温から所
定温度に達する間に酸素分圧を連続的に増やしたり、あ
るいは室温から所定温度に達する間に酸素ビームの電流
密度を零から連続的に増やすことにより、アルミナ層を
Ａｌ又はＡｌ合金部材に別材料の中間層を介在させるこ
となく密着性よく形成でき、かつアルミナ層自体を高硬
度にしえるアルミナ被覆Ａｌ・Ａｌ合金部材の製造方法
を提供することを目的とする。
定温度に達する間に酸素分圧を連続的に増やしたり、あ
るいは室温から所定温度に達する間に酸素ビームの電流
密度を零から連続的に増やすことにより、アルミナ層を
Ａｌ又はＡｌ合金部材に別材料の中間層を介在させるこ
となく密着性よく形成でき、かつアルミナ層自体を高硬
度にしえるアルミナ被覆Ａｌ・Ａｌ合金部材の製造方法
を提供することを目的とする。
［課題を解決するための手段］ 本願第１の発明は、真空容器内で加熱機構を備えた試料
ホルダ上のＡｌまたはＡｌ合金部材に、酸素雰囲気中で
Ａｌを蒸着してアルミナ層を形成するアルミナ被覆Ａｌ
・Ａｌ合金部材の製造方法において、室温から所定温度
に達する間に酸素分圧を連続的に増やし、最終的に化学
量論組成を満たすアルミナ層を形成することを特徴とす
るアルミナ被覆Ａｌ・Ａｌ合金部材の製造方法である。
ホルダ上のＡｌまたはＡｌ合金部材に、酸素雰囲気中で
Ａｌを蒸着してアルミナ層を形成するアルミナ被覆Ａｌ
・Ａｌ合金部材の製造方法において、室温から所定温度
に達する間に酸素分圧を連続的に増やし、最終的に化学
量論組成を満たすアルミナ層を形成することを特徴とす
るアルミナ被覆Ａｌ・Ａｌ合金部材の製造方法である。
本願第２の発明は、真空容器内で加熱機構を備えた試料
ホルダ上のＡｌまたはＡｌ合金部材に、酸素イオンビー
ムを照射しながらＡｌを蒸着してアルミナ層を形成する
アルミナ被覆Ａｌ・Ａｌ合金部材の製造方法において、
室温から所定温度に達する間に酸素ビームの電流密度を
零から連続的に増やし、最終的に化学量論組成を満たす
アルミナ層を形成することを特徴とするアルミナ被覆Ａ
ｌ・Ａｌ合金部材の製造方法である。
ホルダ上のＡｌまたはＡｌ合金部材に、酸素イオンビー
ムを照射しながらＡｌを蒸着してアルミナ層を形成する
アルミナ被覆Ａｌ・Ａｌ合金部材の製造方法において、
室温から所定温度に達する間に酸素ビームの電流密度を
零から連続的に増やし、最終的に化学量論組成を満たす
アルミナ層を形成することを特徴とするアルミナ被覆Ａ
ｌ・Ａｌ合金部材の製造方法である。
［作用］ 本発明において、アルミニウム（Ａｌ）の熱膨張係数は
２３×１０−６／℃，アルミナの熱膨張係数は８×１０
−６／℃と著しく異なる。
２３×１０−６／℃，アルミナの熱膨張係数は８×１０
−６／℃と著しく異なる。
いま、仮に比較的高温でアルミナ層をＡｌ又はＡｌ合金
部材（基材）に成膜した場合、基材とアルミナ層に加わ
る応力を見積ると（但し、基材，アルミナ層の夫々の膜
厚を２mm，３μｍ、成膜温度を３７０℃、面外変形を拘
束して室温まで冷却したとすると）、アルミナ層には約
２．５ＧＰａ，基材には約２．５ＭＰａの応力が発生す
る。実際には、熱膨張係数の大きい側に凹になるように
ゆがむことで残留応力は緩和されるが、それでも降伏点
を越えてアルミナ層には割れや剥離が生じることにな
る。しかし、内部応力が残留していることから、硬さは
上昇する。
部材（基材）に成膜した場合、基材とアルミナ層に加わ
る応力を見積ると（但し、基材，アルミナ層の夫々の膜
厚を２mm，３μｍ、成膜温度を３７０℃、面外変形を拘
束して室温まで冷却したとすると）、アルミナ層には約
２．５ＧＰａ，基材には約２．５ＭＰａの応力が発生す
る。実際には、熱膨張係数の大きい側に凹になるように
ゆがむことで残留応力は緩和されるが、それでも降伏点
を越えてアルミナ層には割れや剥離が生じることにな
る。しかし、内部応力が残留していることから、硬さは
上昇する。
しかして、本願第１の発明では酸素分圧を連続的に増や
すことにより、また本願第２の発明では酸素ビームの電
流密度を零から連続的に増やすことにより、最終的にス
トイキオメトリー（化学量論組成）を満たすアルミナ層
を形成するため、Ａｌからアルミナへの変化は連続的で
異相界面は存在せず、機械的性質の変化も滑らかであ
る。この際、成膜温度は所定値まで加熱されているの
で、室温まで下げたときは、残留内部応力のため比較的
高い強度をもっている。この場合の残留応力は、基材表
面から成膜表面へと連続的に変化しているので、割れや
剥離は生じない。
すことにより、また本願第２の発明では酸素ビームの電
流密度を零から連続的に増やすことにより、最終的にス
トイキオメトリー（化学量論組成）を満たすアルミナ層
を形成するため、Ａｌからアルミナへの変化は連続的で
異相界面は存在せず、機械的性質の変化も滑らかであ
る。この際、成膜温度は所定値まで加熱されているの
で、室温まで下げたときは、残留内部応力のため比較的
高い強度をもっている。この場合の残留応力は、基材表
面から成膜表面へと連続的に変化しているので、割れや
剥離は生じない。
本発明において、室温から所定温度に達するまでの加熱
温度は、Ａｌ又はＡｌ合金部材の使用用途により、アニ
ーリングによる硬さ低下を考慮して決定される。
温度は、Ａｌ又はＡｌ合金部材の使用用途により、アニ
ーリングによる硬さ低下を考慮して決定される。
本発明において、アルミナ層の色調の変化は、供給酸素
量を連続的増加させた場合、光沢ある金属Ａｌの色から
青黒色を経て透明となる。この青黒色は魅力的であるの
で特に装飾用に適するが、生成条件は非常に狭く、酸素
量が極わずか不足している場合に出現する。なお、Ａｌ
の蒸着法は、電子ビーム溶解法やイオンビームスパッタ
リング法などを採用し得る。
量を連続的増加させた場合、光沢ある金属Ａｌの色から
青黒色を経て透明となる。この青黒色は魅力的であるの
で特に装飾用に適するが、生成条件は非常に狭く、酸素
量が極わずか不足している場合に出現する。なお、Ａｌ
の蒸着法は、電子ビーム溶解法やイオンビームスパッタ
リング法などを採用し得る。
以下、本発明の実施例について比較例とともに説明す
る。
る。
第１図は、本発明方法に用いるアルミナ層作製装置であ
る。
る。
図中の１は、真空容器である。この真空容器１内には、
加熱機構付き試料ホルダ２が配置されている。この試料
ホルダ２には、試料としてのＡｌ板（基板）３がセット
されている。前記試料ホルダ２の下方には電子線加熱装
置４が配置され、この加熱装置４による蒸発により前記
Ａｌ板３へのＡｌ蒸着が行われる。前記真空容器１の試
料ホルダ主面と対向した位置にはイオン源５が設けら
れ、このイオン源５より酸素（又はＡｒ）イオンビーム
６がＡｌ板３上に照射される。前記真空容器１には真空
ポンプ７，ガス導入管８が設けられている。但し、実施
例２及び比較例３，４の場合はガス導入管８は用いな
い。
加熱機構付き試料ホルダ２が配置されている。この試料
ホルダ２には、試料としてのＡｌ板（基板）３がセット
されている。前記試料ホルダ２の下方には電子線加熱装
置４が配置され、この加熱装置４による蒸発により前記
Ａｌ板３へのＡｌ蒸着が行われる。前記真空容器１の試
料ホルダ主面と対向した位置にはイオン源５が設けら
れ、このイオン源５より酸素（又はＡｒ）イオンビーム
６がＡｌ板３上に照射される。前記真空容器１には真空
ポンプ７，ガス導入管８が設けられている。但し、実施
例２及び比較例３，４の場合はガス導入管８は用いな
い。
［実施例１］ まず、真空容器１内を例えば１×１０−６Ｔｏｒｒ程度
にまで排気した後、例えば加速電圧１ＫＶ，電流密度５
６０μＡ／cm2，照射時間５分の条件でイオン源５より
Ａｒイオンビームを照射し、基板表面のクリーニングを
行った。つづいて、電子線加熱装置４によりＡｌ板３上
にＡｌを一定速度（３．５Å・ｓ）で蒸着させた。一
方、基板温度は室温から毎分７℃の昇温速度で加熱し、
同時にガス導入管８より酸素を連続的に増加させながら
供給し、基板温度が設定値（３６０℃）になったところ
で酸素分圧が２．８×１０−４Ｔｏｒｒとなるようにし
た。このとき、成膜層の厚みは１μｍで、更にこの条件
でアルミナ層を２μｍ形成した（成膜層の総厚みは３μ
ｍ）。
にまで排気した後、例えば加速電圧１ＫＶ，電流密度５
６０μＡ／cm2，照射時間５分の条件でイオン源５より
Ａｒイオンビームを照射し、基板表面のクリーニングを
行った。つづいて、電子線加熱装置４によりＡｌ板３上
にＡｌを一定速度（３．５Å・ｓ）で蒸着させた。一
方、基板温度は室温から毎分７℃の昇温速度で加熱し、
同時にガス導入管８より酸素を連続的に増加させながら
供給し、基板温度が設定値（３６０℃）になったところ
で酸素分圧が２．８×１０−４Ｔｏｒｒとなるようにし
た。このとき、成膜層の厚みは１μｍで、更にこの条件
でアルミナ層を２μｍ形成した（成膜層の総厚みは３μ
ｍ）。
室温まで下げた試験片表面を光学顕微鏡で観察したとこ
ろ、亀裂は見られなかった。また、硬さは３０５０Ｈｖ
であった。更に、密着性はスクラッチ試験機で接触子の
半径を０．０５mmにて測定したところ、密着性の基準と
なるＡＥ発生荷重は３１Ｎであった。
ろ、亀裂は見られなかった。また、硬さは３０５０Ｈｖ
であった。更に、密着性はスクラッチ試験機で接触子の
半径を０．０５mmにて測定したところ、密着性の基準と
なるＡＥ発生荷重は３１Ｎであった。
［実施例２］ まず、真空容器１内を例えば１×１０−６Ｔｏｒｒ程度
にまで排気した後、例えば加速電圧１ｋＶ，電流密度５
６０μＡ／cm2，照射時間５分の条件でイオン源５より
Ａｒイオンビームを照射し、基板表面のクリーニングを
行なった。つづいて、電子線加熱装置４によりＡｌ板３
上にＡｌを一定速度（３．５Å・ｓ）で蒸着させた。一
方、基板温度は室温から毎分７℃の昇温速度で加熱し、
同時にイオン源５より酸素イオンビームを発生せた。こ
こで、ビームの加速電圧は１ＫＶとし、電流密度は０か
ら始め、７μＡ／cm2の速度で上昇させていき、基板温
度が設定値（３６０℃）になったところで３４０μＡ／
cm2とした。このとき、成膜層の厚みは１μｍで、更に
この条件でアルミナ層を２μｍ形成した。また、室温ま
で下げた試験片表面を光学光顕微鏡で観察したところ、
亀裂は見られなかった。硬さは３１００ＨＶであり、Ａ
Ｅ発生荷重は３２Ｎであった。
にまで排気した後、例えば加速電圧１ｋＶ，電流密度５
６０μＡ／cm2，照射時間５分の条件でイオン源５より
Ａｒイオンビームを照射し、基板表面のクリーニングを
行なった。つづいて、電子線加熱装置４によりＡｌ板３
上にＡｌを一定速度（３．５Å・ｓ）で蒸着させた。一
方、基板温度は室温から毎分７℃の昇温速度で加熱し、
同時にイオン源５より酸素イオンビームを発生せた。こ
こで、ビームの加速電圧は１ＫＶとし、電流密度は０か
ら始め、７μＡ／cm2の速度で上昇させていき、基板温
度が設定値（３６０℃）になったところで３４０μＡ／
cm2とした。このとき、成膜層の厚みは１μｍで、更に
この条件でアルミナ層を２μｍ形成した。また、室温ま
で下げた試験片表面を光学光顕微鏡で観察したところ、
亀裂は見られなかった。硬さは３１００ＨＶであり、Ａ
Ｅ発生荷重は３２Ｎであった。
［比較例１］ 実施例１と同じ装置を用いて、まず真空容器１内を例え
ば１×１０−６Ｔｏｒｒ程度にまで排気した後、Ａｌ板
３表面のクリーニングを行なった。つづいて、基板温度
が設定値（３６０℃）となったところで電子線加熱装置
４によりＡｌを一定速度（３．５Å／ｓ）で蒸着させ、
同時にガス導入管８より酸素を分圧２．８×１０−４Ｔ
ｏｒｒの条件で供給した。アルミナ層の厚みは３μｍと
した。室温まで下げた試験片表面の硬さは２９３０Ｈｖ
であったが、光学顕微鏡で観察したところ亀裂の発生が
みられた。これらの亀裂のうち大きなものは目視でも観
察された。また、クラッチ試験の結果、ＡＥ発生荷重は
５Ｎであった。
ば１×１０−６Ｔｏｒｒ程度にまで排気した後、Ａｌ板
３表面のクリーニングを行なった。つづいて、基板温度
が設定値（３６０℃）となったところで電子線加熱装置
４によりＡｌを一定速度（３．５Å／ｓ）で蒸着させ、
同時にガス導入管８より酸素を分圧２．８×１０−４Ｔ
ｏｒｒの条件で供給した。アルミナ層の厚みは３μｍと
した。室温まで下げた試験片表面の硬さは２９３０Ｈｖ
であったが、光学顕微鏡で観察したところ亀裂の発生が
みられた。これらの亀裂のうち大きなものは目視でも観
察された。また、クラッチ試験の結果、ＡＥ発生荷重は
５Ｎであった。
［比較例２］ 実施例１と同じ装置を用いて、まず真空容器１内を例え
ば１×１０−６Ｔｏｒｒ程度にまで排気した後、Ａｌ板
３表面のクリーニングを行なった。つづいて、基板温度
は室温のままで電子線熱装置４によりＡｌを一定速度
（３．５Å／ｓ）で蒸着させ、同時にガス導入管８より
酸素を連続的に供給し、最終的に酸素分圧２．８×１０
−４Ｔｏｒｒとなるようにした。このときの成膜層の厚
みは１μｍで、更に最終酸素分圧の条件でアルミナ層を
２μｍ形成した。
ば１×１０−６Ｔｏｒｒ程度にまで排気した後、Ａｌ板
３表面のクリーニングを行なった。つづいて、基板温度
は室温のままで電子線熱装置４によりＡｌを一定速度
（３．５Å／ｓ）で蒸着させ、同時にガス導入管８より
酸素を連続的に供給し、最終的に酸素分圧２．８×１０
−４Ｔｏｒｒとなるようにした。このときの成膜層の厚
みは１μｍで、更に最終酸素分圧の条件でアルミナ層を
２μｍ形成した。
試験片表面を光学顕微鏡で観察したところ亀裂はみられ
なかったが、硬さは２１６０Ｈｖであった。また、密着
性はスクラッチ試験機で測定したところ、密着性の基準
となるＡＥ発生荷重は２３Ｎであった。
なかったが、硬さは２１６０Ｈｖであった。また、密着
性はスクラッチ試験機で測定したところ、密着性の基準
となるＡＥ発生荷重は２３Ｎであった。
［比較例３］ 実施例２と同じ装置を用いて、まず真空容器１内を例え
ば１×１０−６Ｔｏｒｒ程度にまで排気した後、Ａｌ板
３表面のクリーニングを行なった。つづいて、基板温度
が設定値（３６０℃）となったところで電子線加熱装置
４によりＡｌを３．５Å／ｓの一定速度で蒸着させ、同
時にイオン源５より酸素ビームを加速電圧１Ｋｖ，電流
密度３４０μＡ／cm2で発生させた。アルミナ層の厚み
は３μｍとした。
ば１×１０−６Ｔｏｒｒ程度にまで排気した後、Ａｌ板
３表面のクリーニングを行なった。つづいて、基板温度
が設定値（３６０℃）となったところで電子線加熱装置
４によりＡｌを３．５Å／ｓの一定速度で蒸着させ、同
時にイオン源５より酸素ビームを加速電圧１Ｋｖ，電流
密度３４０μＡ／cm2で発生させた。アルミナ層の厚み
は３μｍとした。
室温まで下げた試験片表面の硬さは３０００Ｈｖであっ
たが、光学顕微鏡で観察したところ亀裂の発生がみられ
た。大きな亀裂は目視でも観察された。また、スクラッ
チ試験の結果、ＡＥ発生荷重は５Ｎであった。
たが、光学顕微鏡で観察したところ亀裂の発生がみられ
た。大きな亀裂は目視でも観察された。また、スクラッ
チ試験の結果、ＡＥ発生荷重は５Ｎであった。
［比較例４］ 実施例２と同じ装置を用いて、まず真空容器１内を１×
１０−６Ｔｏｒｒ程度にまで排気した後Ａｌ板３表面の
クリーニングを実施した。つづいて、基板温度は室温の
ままで電子線加熱装置４によりＡｌを３．５Å／ｓの一
定速度で蒸発させ、同時にイオン源５より酸素ビームを
照射した。ここで、加速電圧は１ＫＶとし、電流密度は
０から始め、７μＡ／cm2・分の速度で上昇させてい
き、最終的に３４０μＡ／cm2とした。このときの成膜
層の厚みは１μｍで、更に最終電流密度の条件でアルミ
ナ層を２μｍ形成した。
１０−６Ｔｏｒｒ程度にまで排気した後Ａｌ板３表面の
クリーニングを実施した。つづいて、基板温度は室温の
ままで電子線加熱装置４によりＡｌを３．５Å／ｓの一
定速度で蒸発させ、同時にイオン源５より酸素ビームを
照射した。ここで、加速電圧は１ＫＶとし、電流密度は
０から始め、７μＡ／cm2・分の速度で上昇させてい
き、最終的に３４０μＡ／cm2とした。このときの成膜
層の厚みは１μｍで、更に最終電流密度の条件でアルミ
ナ層を２μｍ形成した。
試験片表面を光学顕微鏡で観察したところ亀裂はみられ
なかったが、硬さは２２００Ｈｖであった。また、密着
性はスクラッチ試験機で測定したところ、密着性の基準
となるＡＥ発生荷重は２５Ｎであった。
なかったが、硬さは２２００Ｈｖであった。また、密着
性はスクラッチ試験機で測定したところ、密着性の基準
となるＡＥ発生荷重は２５Ｎであった。
［発明の効果］ 以上詳述した如く本発明によれば、室温から所定温度に
達する間に酸素分圧を連続的に増やしたり、あるいは室
温から所定温度に達する間に酸素ビームの電流密度を零
から連続的に増やすことにより、アルミナ層をＡｌ又は
Ａｌ合金部材に別材料の中間層を介在させることなく密
着性よく形成でき、かつアルミナ層自体を高硬度にしえ
るアルミナ被覆Ａｌ・Ａｌ合金部材の製造方法を提供で
きる。
達する間に酸素分圧を連続的に増やしたり、あるいは室
温から所定温度に達する間に酸素ビームの電流密度を零
から連続的に増やすことにより、アルミナ層をＡｌ又は
Ａｌ合金部材に別材料の中間層を介在させることなく密
着性よく形成でき、かつアルミナ層自体を高硬度にしえ
るアルミナ被覆Ａｌ・Ａｌ合金部材の製造方法を提供で
きる。
第１図は本発明に係るアルミナ層作製装置の説明図であ
る。 １…真空容器、２…試料ホルダ、３…Ａｌ板（試料）、
４…電子線加熱装置、５…イオン源、６…酸素イオンビ
ーム、７…真空ポンプ、８…ガス導入管。
る。 １…真空容器、２…試料ホルダ、３…Ａｌ板（試料）、
４…電子線加熱装置、５…イオン源、６…酸素イオンビ
ーム、７…真空ポンプ、８…ガス導入管。
Claims (2)
- 【請求項１】真空容器内で加熱機構を備えた試料ホルダ
上のＡｌまたはＡｌ合金部材に、酸素雰囲気中でＡｌを
蒸着してアルミナ層を形成するアルミナ被覆Ａｌ・Ａｌ
合金部材の製造方法において、室温から所定温度に達す
る間に酸素分圧を連続的に増やし、最終的に化学量論組
成を満たすアルミナ層を形成することを特徴とするアル
ミナ被覆Ａｌ・Ａｌ合金部材の製造方法。 - 【請求項２】真空容器内で加熱機構を備えた試料ホルダ
上のＡｌまたはＡｌ合金部材に、酸素イオンビームを照
射しながらＡｌを蒸着してアルミナ層を形成するアルミ
ナ被覆Ａｌ・Ａｌ合金部材の製造方法において、室温か
ら所定温度に達する間に酸素ビームの電流密度を零から
連続的に増やし、最終的に化学量論組成を満たすアルミ
ナ層を形成することを特徴とするアルミナ被覆Ａｌ・Ａ
ｌ合金部材の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15292389A JPH068500B2 (ja) | 1989-06-15 | 1989-06-15 | アルミナ被覆Ａ▲ｌ▼・Ａ▲ｌ▼合金部材の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15292389A JPH068500B2 (ja) | 1989-06-15 | 1989-06-15 | アルミナ被覆Ａ▲ｌ▼・Ａ▲ｌ▼合金部材の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0320457A JPH0320457A (ja) | 1991-01-29 |
| JPH068500B2 true JPH068500B2 (ja) | 1994-02-02 |
Family
ID=15551104
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15292389A Expired - Lifetime JPH068500B2 (ja) | 1989-06-15 | 1989-06-15 | アルミナ被覆Ａ▲ｌ▼・Ａ▲ｌ▼合金部材の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH068500B2 (ja) |
Families Citing this family (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH11192744A (ja) | 1997-12-29 | 1999-07-21 | Canon Inc | Ｌｅｄアレイ駆動装置および方法 |
| JPH11340498A (ja) | 1998-05-29 | 1999-12-10 | Canon Inc | 駆動制御装置および画像記録装置 |
| JP2000203078A (ja) | 1999-01-18 | 2000-07-25 | Canon Inc | 駆動制御装置および駆動制御方法 |
| US6563526B1 (en) | 1999-01-22 | 2003-05-13 | Canon Kabushiki Kaisha | Image formation apparatus |
| JP2001102626A (ja) | 1999-07-28 | 2001-04-13 | Canon Inc | Ｌｅｄチップ、ｌｅｄアレイチップ、ｌｅｄアレイヘッド及び画像形成装置 |
| JP2001096805A (ja) | 1999-07-29 | 2001-04-10 | Canon Inc | フレキシブルケーブルおよびフレキシブルケーブルの装着方法、ならびに、フレキシブルケーブルを有する半導体素子あるいはｌｅｄアレイヘッド、およびｌｅｄヘッドを有する画像形成装置 |
| US7042591B1 (en) | 1999-07-30 | 2006-05-09 | Canon Kabushiki Kaisha | Image exposure apparatus and image forming apparatus |
| US6710794B1 (en) | 1999-08-31 | 2004-03-23 | Canon Kabushiki Kaisha | Light print head |
| JP4693199B2 (ja) | 1999-09-20 | 2011-06-01 | キヤノン株式会社 | 記録装置 |
| JP2001096802A (ja) | 1999-10-04 | 2001-04-10 | Canon Inc | Ｌｅｄアレーヘッドの製造方法 |
| JP4289743B2 (ja) | 1999-10-26 | 2009-07-01 | キヤノン株式会社 | 画像形成装置 |
-
1989
- 1989-06-15 JP JP15292389A patent/JPH068500B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0320457A (ja) | 1991-01-29 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3708564B2 (ja) | 低イオンビームを用いた金属酸化物等の薄層の改質処理方法 | |
| US20090169845A1 (en) | Structural material of diamond like carbon composite layers and method of manufacturing the same | |
| US4011982A (en) | Surface joining by bonding of metal and deposited metal | |
| KR101052036B1 (ko) | 고온 내 부식성 향상을 위한 세라믹 코팅 및 이온빔 믹싱장치 및 이를 이용한 박막의 계면을 개질하는 방법 | |
| JPH068500B2 (ja) | アルミナ被覆Ａ▲ｌ▼・Ａ▲ｌ▼合金部材の製造方法 | |
| JPH0588310B2 (ja) | ||
| US5382471A (en) | Adherent metal coating for aluminum nitride surfaces | |
| JPH0237426B2 (ja) | ||
| CA2034407A1 (en) | Chromium coating for titanium oxidation protection | |
| KR101695590B1 (ko) | 티타늄금속기판 위에 다이아몬드 코팅층이 형성된 수처리용 구조재 및 그 제조 방법 | |
| JPH0380932A (ja) | 被履された支持体およびその製法 | |
| JPH0587591B2 (ja) | ||
| JPH0429612B2 (ja) | ||
| Hashimoto et al. | Surface modification of stainless steel in plasma environments | |
| CN1033177C (zh) | 具有金色表面涂层的制品 | |
| JP4148402B2 (ja) | Ｃｖｄによるカーボン皮膜の選択的形成方法 | |
| JPH01172558A (ja) | 耐摩耗層被覆Ａｌ部材 | |
| Hood | Coating methods for use with the platinum metals | |
| JP2921853B2 (ja) | 保護層を有する銀部材の製造方法 | |
| TWI248123B (en) | The method for removing diamond-like carbon films and its products | |
| JPH02185964A (ja) | 複合材料及びその製造方法 | |
| JPS60149778A (ja) | Ｃｖｄ膜の形成方法 | |
| CN115433901A (zh) | 防静电涂层 | |
| TWI490359B (zh) | 鐵基合金表面鍍膜方法及由該方法製得的鍍膜件 | |
| JPH03188264A (ja) | 金属酸化物被覆プラスチック |