KR100325950B1 - 발광소자어레이의구동장치및방법 - Google Patents

발광소자어레이의구동장치및방법 Download PDF

Info

Publication number
KR100325950B1
KR100325950B1 KR1019980059604A KR19980059604A KR100325950B1 KR 100325950 B1 KR100325950 B1 KR 100325950B1 KR 1019980059604 A KR1019980059604 A KR 1019980059604A KR 19980059604 A KR19980059604 A KR 19980059604A KR 100325950 B1 KR100325950 B1 KR 100325950B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
light emitting
shift
thyristor
signal
state
Prior art date
Application number
KR1019980059604A
Other languages
English (en)
Other versions
KR19990063529A (ko
Inventor
미쯔오 시라이시
도시유키 세키야
Original Assignee
미다라이 후지오
캐논 가부시끼가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 미다라이 후지오, 캐논 가부시끼가이샤 filed Critical 미다라이 후지오
Publication of KR19990063529A publication Critical patent/KR19990063529A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100325950B1 publication Critical patent/KR100325950B1/ko

Links

Classifications

    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B41—PRINTING; LINING MACHINES; TYPEWRITERS; STAMPS
    • B41J—TYPEWRITERS; SELECTIVE PRINTING MECHANISMS, i.e. MECHANISMS PRINTING OTHERWISE THAN FROM A FORME; CORRECTION OF TYPOGRAPHICAL ERRORS
    • B41J2/00—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed
    • B41J2/435—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed characterised by selective application of radiation to a printing material or impression-transfer material
    • B41J2/447—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed characterised by selective application of radiation to a printing material or impression-transfer material using arrays of radiation sources
    • B41J2/45—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed characterised by selective application of radiation to a printing material or impression-transfer material using arrays of radiation sources using light-emitting diode [LED] or laser arrays
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/15—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission
    • H01L27/153—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B41—PRINTING; LINING MACHINES; TYPEWRITERS; STAMPS
    • B41J—TYPEWRITERS; SELECTIVE PRINTING MECHANISMS, i.e. MECHANISMS PRINTING OTHERWISE THAN FROM A FORME; CORRECTION OF TYPOGRAPHICAL ERRORS
    • B41J2/00—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed
    • B41J2/435—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed characterised by selective application of radiation to a printing material or impression-transfer material
    • B41J2/447—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed characterised by selective application of radiation to a printing material or impression-transfer material using arrays of radiation sources
    • B41J2/45—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed characterised by selective application of radiation to a printing material or impression-transfer material using arrays of radiation sources using light-emitting diode [LED] or laser arrays
    • B41J2002/453—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed characterised by selective application of radiation to a printing material or impression-transfer material using arrays of radiation sources using light-emitting diode [LED] or laser arrays self-scanning

Landscapes

  • Power Engineering (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • General Health & Medical Sciences (AREA)
  • Toxicology (AREA)
  • Led Devices (AREA)
  • Printers Or Recording Devices Using Electromagnetic And Radiation Means (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)

Abstract

자기-스캐닝 형 발광 소자 어레이의 구동 장치에 있어서, 제1 비트 발광 사이리스터는 확실하게 ON 상태로 세트되고, 이에 따라 제1 비트 발광 사이리스터로부터의 발광 동작의 시프트를 안정화시킨다. 어레이로 배열되어 있는 다수의 발광 사이리스터 및 어레이로 배열되어 있는 다수의 시프트 사이리스터를 갖는 발광 소자 어레이를 구동하는 발광 소자 어레이 구동 장치(시프트 사이리스터의 각각의 게이트는 발광 사이리스터의 각각의 게이트에 연결되어 있음)에 있어서, 상기 장치는 시프트 사이리스터의 ON 상태를 순차적으로 시프트하기 위한 시프트 신호를 생성하기 위한 시프트 신호 생성부, 및 발광 소자 어레이의 구동을 개시하기 위한 개시 신호를 생성하기 위한 개시 신호 생성부를 포함하되, 시프트 신호에 따라 제1 시프트 사이리스터를 ON 상태로 세트하지는 않고 개시 신호에 따라 제1 발광 사이리스터의 게이트 전압이 공급된다.

Description

발광 소자 어레이의 구동 장치 및 방법{DRIVE APPARATUS AND METHOD OF LIGHT EMISSION ELEMENT ARRAY}
본 발명은 어레이로 배열되어 있는 하나 또는 그 이상의 발광 사이리스터 그룹을 순차적으로 발광 상태로 세트하기 위한 발광 소자 어레이 구동 장치 및 방법에 관한 것이다.
종래에는, 일본 특허 출원 공개 공보 제1-238962호, 제2-208067호, 제2-212170호, 제3-20457호, 제3-194978호, 제4-5872호, 제4-23367호, 제4-296579호 및 제5-84971호; "광학 프린터 집적 구동 회로용 발광 소자 어레이의 제안" 일본 하드 카피, 1991 (A-17); "PNPN 사이리스터 구조를 사용하는 자기-주사 형식 발광 소자(SLED)" 전자 공학 학회, 정보 및 통신 엔지니어, 1991년 3월 5일; 기타 등에 개시되어 있는 바와 같이 자기-주사 형식 발광 소자 어레이(SLED)가 알려져 있다. 이러한 SLED는 기록 발광 소자로서 널리 알려져 있다.
도 1은 발광 소자 어레이로서의 SLED(100)의 예를 도시하는 도면이다. 종래기술에서, 도 2는 도 1에 도시되어 있는 SLED(100)을 제어하기 위하여 SLED(100)으로 외부에서 전송되는 다양한 제어 신호의 타이밍도이고, 모든 발광 소자가 구동되고 있는 경우의 예를 도시하고 있다.
도 1에서, SLED(100)의 전원 전압에 대응하는 VGA(101)은 다이오드(141, 142, 143, 144 및 145)에 연결되어 있다. 이러한 다이오드(141, 142, 143, 144 및 145)는 각각 저항(102, 103, 104, 105 및 106)을 통해 개시 펄스 ΦS 145에 캐스케이드 연결되어 있다. 도 1에 도시된 바와 같이, SLED(100)은 시프트 사이리스터(S1', S2', S3', S4' 및 S5')가 제어 소자로서 어레이로 배열되어 있는 그룹과 발광 사이리스터(S1, S2, S3, S4 및 S5)가 발광 소자로서 어레이로 배열되어 있는 그룹 등으로 이루어져 있다. 발광 사이리스터 및 시프트 사이리스터의 게이트 신호는 서로 연결되어 있다. 예를 들어, 제1 발광 사이리스터(S1)의 게이트 신호는 제1 시프트 사이리스터(S1')의 게이트 신호로 연결되어 있고 또한 개시 펄스 ΦS 145가 전송되는 신호 입력부(Va)로 연결되어 있다. 제2 발광 사이리스터(S2)의 게이트 신호는 제2 시프트 사이리스터(S2')의 게이트 신호로 연결되어 있고 또한 개시 펄스 ΦS 145가 전송되는 단자(Va)로 연결되어 있는 다이오드(141)의 캐소드(Vb)로 연결되어 있다. 제3 발광 사이리스터(S3)의 게이트 신호는 제3 시프트 사이리스터(S3')의 게이트 신호로 연결되어 있고 또한 다이오드(142)의 캐소드(Vc)로 연결되어 있다. 유사하게, 제5 발광 사이리스터(S5)의 게이트 신호는 제5 시프트 사이리스터(S5')의 게이트 신호로 연결되어 있고 또한 다이오드(144)의 캐소드(Ve)로 연결되어 있다.
이하에서는, SLED(100)의 구동 방법이 도 2에 도시되어 있는 타이밍도를 참조하여 기술될 것이다.
도 2에 있어서, 초기에는, 개시 펄스 ΦS 145의 개시 펄스가 0V에서 5V로 변화된다. 개시 펄스 ΦS 145의 전압을 5V로 변화시킴으로써, Va의 전압은 5.0V로 되고, Vb의 전압은 3.6V로 되고 (순방향 저하는 1.4V임), Vc의 전압은 2.2V로 되고, Vd의 전압은 0.8V로 되고, Ve 등의 전압은 0V로 된다. 따라서, 시프트 사이리스터(S1' 및 S2')의 게이트 신호 전압은 각각 0V에서 5.0V 및 3.6V로 변화된다. 이 상태에서, 시프트 펄스 Φ1 135의 전압을 5V에서 0V로 변화시킴으로써 시프트 사이리스터(S1')의 애노드, 캐소드 및 게이트의 전압은 각각 5V, 0V 및 3.6V가 된다. 그리하여, 사이리스터는 ON 상태가 되어, 이에 의해 시프트 사이리스터(S1')가 ON 상태가 된다. 이 상태에서, 개시 펄스 ΦS 145의 전압이 0V로 세트되어 있더라도, 시프트 사이리스터(S1')가 ON 상태에 있기 때문에, Va의 전압은 5V (예를 들어, 도 2에서 4.8V)가 된다. 그 이유는 개시 펄스 ΦS(145)와 관련하여 펄스가 저항(102)을 통해 인가되고, 사이리스터를 ON 상태로 하면 애노드와 게이트간의 전위차가 거의 0이 되기 때문이다. 따라서, 개시 펄스 ΦS(145)의 전압이 0V로 세트되더라도, 제1 시프트 사이리스터(S1')의 ON 상태는 유지되고 제1 시프팅 동작은 종료된다. 이 상태에서, 발광 사이리스터 구동 클록 ΦI(110)의 전압이 5V에서 0V까지 변화하면, 시프트 사이리스터(S1')가 ON 상태가 되는 것과 동일한 조건을 발광 사이리스터(S1)가 갖기 때문에, 발광 사이리스터(S1)는 ON 상태로 되고 제1 발광 사이리스터(S1)는 발광하게 된다. 제1 발광 사이리스터(S1)에서, 발광 사이리스터 구동 클록 ΦI(110)의 전압을 5V로 복귀시키면, 발광 사이리스터(S1)의 애노드와 캐소드간의 전위차는 0이 된다. 따라서, 발광 사이리스터(S1)용 최소 유지 전류가 흐를 수 없어서 발광 사이리스터(S1)는 OFF 상태가 되고, 사이리스터(S1)를 소등하게 된다.
이어서, 사이리스터의 ON 상태가 시프트 사이리스터(S1')로부터 시프트 사이리스터(S2')로 이동하는 것에 관하여 설명하고자 한다. 발광 사이리스터(S1)가 OFF 상태가 되더라도, 시프트 펄스 Φ1(135)의 전압은 여전히 0V이다. 따라서, 시프트 사이리스터(S1') 또한 여전히 ON 상태에 있게 되고, 시프트 사이리스터(S1')의 게이트 전압 Va는 5V (예를 들면, 도 2에서는 4.8V) 가 되며 Vb 전압은 3.6V가 된다. 이 상태에서는, 시프트 펄스 Φ2(120)의 전압을 5V에서 0V로 변화시킴으로써, 시프트 사이리스터(S2')의 애노드, 캐소드 및 게이트 전압은 각각 5V, 0V, 및 3.6V가 되며, 이에 따라 시프트 사이리스터(S2')는 ON 상태가 된다. 시프트 사이리스터(S2')가 ON 상태가 된 이후, 시프트 펄스 Φ1의 전압을 0V에서 5V로 변화시킴으로써, 시프트 사이리스터(S1')는 발광 사이리스터(S1)가 OFF 상태가 되는 것과 유사한 방식으로 OFF 상태가 된다. 따라서, 시프트 사이리스터의 ON 상태는 시프트 사이리스터(S1')로부터 시프트 사이리스터(S2')로 전달된다. 이어서, 발광 사이리스터(S2)는 발광 사이리스터 구동 클록 ΦI(110)을 5V로부터 0V로 변화시킴으로써 선택적으로 발광된다. 이하에서는, 대응 시프트 사이리스터가 ON 상태인 발광 사이리스터만을 발광시키는 이유를 설명하고자 한다. ON 상태 사이리스터 (예를 들면, S2')의 양 측 사이리스터 (예를 들면, S1'와 S3') 이외의 사이리스터의게이트 전압이 0V이기 때문에, 사이리스터는 ON 상태가 되지 않는다. 또한, 양 측 시프트 사이리스터 (예를 들면, S1'와 S3')에 관해서는, 시프트 사이리스터 (예를 들면, S2')가 ON 상태가 된다는 사실로 인하여 구동 클록 ΦI(110)의 전위가 3.6V (각각의 발광 사이리스터에서의 순방향 전압)가 되기 때문에, 양 측 사이리스터 (예를 들면, S1'와 S3')는 게이트와 캐소드간의 전위차가 최소화되고 사이리스터용 최소 유지 전류가 흐를 수 없도록 하는 상태가 된다. 따라서, 양 측 시프트 사이리스터 (예를 들면, S1'와 S3')를 ON 상태로 세트하는 것은 불가능하다.
상술한 바와 같이, 종래에는 개시 펄스 ΦS(145)의 5V 전압이 공급되면(홀수 시프트 사이리스터(S1'와 S3')용 구동 신호 역할을 하는) 시프트 펄스 Φ1(135)의 전압을 0V로 변화시킴으로써 제1 비트 시프트 사이리스터(S1')가 ON 상태로 세트되고, 발광 사이리스터(S1)의 게이트 전압은 5V로 유지된다. 이 후, 발광 사이리스터(S1)용 발광 사이리스터 구동 클록 ΦI(110)의 전압은 0V로 세트되고, 이에 따라 발광 사이리스터(S1)를 발광시키게 된다.
그러나, SLED의 특성인 시프트 사이리스터의 게이트 전압을 순차적으로 시프팅하는 시프트 속도는 SLED를 형성하는 반도체 웨이퍼의 제조 조건에 따라 변화된다. 따라서, 시프팅과 발광 동작이 고속으로 수행되는 경우, 시프트 사이리스터의 게이트 전압을 시프팅하는 것이 가끔 지연된다. 즉, 발광시키고자 하는 발광 사이리스터가 발광되지 않고 게이트 전압이 최고 레벨인 다른 사이리스터가 발광되는 것과 같은 현상이 발생한다. 그 결과, 발광 동작의 시프팅은 불안정해진다. 특히, 제1 비트 발광 사이리스터의 발광 시에, 고속의 시프팅 동작으로 인해 제1 비트 이외의 시프트 사이리스터의 게이트 전압이 완전한 0V가 될 수 없도록 하는 상태가 된다. 이 상태에서는, 개시 펄스 ΦS(145)의 전압이 5V로 세트되고 제1 비트 시프트 사이리스터가 ON 상태로 세트되는 경우, 다른 시프트 사이리스터의 게이트 전압이 제1 비트 시프트 사이리스터의 게이트 전압보다 높다면, 제1 비트 시프트 사이리스터는 ON 상태로 되지 않고 게이트 전압이 높은 시프트 사이리스터가 ON 상태가 된다. 이에 따라, 제1 비트 발광 사이리스터를 ON 상태로 세트하기 위해, 발광 사이리스터 구동 클록 ΦI(110)의 전압이 0V로 세트되면 상술한 게이트 전압이 높은 다른 시프트 사이리스터의 비트에 대응되는 비트가 ON 상태인 발광 사이리스터가 발광된다. 그 결과, 제1 비트의 발광 상태가 다른 비트로 순차적으로 시프팅될 수 없다는 것과 같은 문제가 발생하게 된다.
본 발명은 상술한 문제를 해결하기 위한 것으로서, 그 목적은 처음에 제1 비트 발광 사이리스터를 ON 상태로 확실히 세트함으로써 제1 비트 발광 사이리스터로부터의 발광 동작의 시프팅을 안정화시킬 수 있는 발광 소자 어레이 구동 장치 및 방법을 제공하는 것이다.
상술한 문제점을 해결하기 위해서, 본 발명은 발광 소자 어레이를 구동하는 발광 소자 어레이 구동 장치를 제공하는데, 본 발명에 따른 발광 소자 어레이 구동 장치는 어레이로 배열된 복수의 발광 사이리스터와 어레이로 배열된 복수의 시프트 사이리스터를 갖되, 시프트 사이리스터의 각각의 게이트는 발광 사이리스터의 각각의 게이트와 접속되어 있고, 상기 발광 소자 어레이 구동 장치는
시프트 사이리스터의 ON 상태를 순차적으로 시프팅하기 위한 시프트 신호를 생성하기 위한 생성부 및
발광 소자 어레이의 구동을 개시하기 위한 개시 신호를 생성하기 위한 생성부를 포함하고,
시프트 신호에 따라 제1 시프트 사이리스터를 ON 상태로 세트하지는 않고 개시 신호에 따라 상기 제1 발광 사이리스터의 게이트 전압이 공급된다.
또한, 본 발명은 (어레이로 배열된) 복수의 발광 소자와 (어레이로 배열되어 있으며 각각의 소자는 대응되는 발광 소자에 ON 상태를 공급하는) 복수의 제어 소자를 갖는 발광 소자 어레이를 구동하는 발광 소자 어레이 구동 장치를 제공하는데, 상기 장치는
제어 소자의 ON 상태를 순차적으로 시프트하기 위한 시프트 신호를 생성하기 위한 생성부 및
발광 소자 어레이의 구동을 개시하기 위한 개시 신호를 생성하기 위한 생성부를 포함하며,
제1 발광 소자는 개시 신호에 따라 ON 상태로 세트된다.
도 1은 SLED의 기본적인 구조의 예를 도시하는 도면.
도 2는 종래의 제어 신호 및 이의 타이밍을 도시하는 타이밍도.
도 3은 본 발명의 실시예에서의 SLED 구동 제어 장치의 기본적인 구조를 도시하는 블록도.
도 4는 본 발명의 실시예에서의 SLED를 제어하기 위한 제어 신호 및 이의 타이밍을 도시하는 타이밍도.
도 5는 본 발명의 실시예에서의 SLED의 구조의 예를 도시하는 도면.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>
301: 화상 데이터 출력부
302: SLED 구동 회로
303: SLED 제어부
304: SLED 헤드
305: SLED (LED 어레이) 구동 신호
310: 화상 데이터
320: READ 클록
330: 전원
335: GND
340: 시프트 클록 Φ1
345: 시프트 클록 Φ2
350: 발광 사이리스터 구동 클록 ΦI
355: 스타트 펄스 ΦS
첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 설명하고자 한다.
도 3은 발광 소자 어레이로서의 SLED를 구동하기 위한 구동 장치의 구조를 도시한 것이다. 도 4는 도 3에 도시된 장치의 타이밍 차트를 도시한 것이다.
비록 SLED의 내부 구조가 도 1에 도시된 종래의 것과 동일하지만, 설명을 위해서 도 5에 재차 도시하였다.
도 5에서, SLED(100)의 전력 공급 전압에 대응되는 VGA(101)는 다이오드(141, 142, 143, 144, 145)와 접속되어 있고, 다이오드(141, 142, 143, 144, 145)는 저항(102, 103, 104, 105, 106)을 통해 개시 펄스 ΦS(140)와 캐스케이드 연결되어 있다. 도 5에 도시된 바와 같이, SLED(100)는 시프트 사이리스터(S1', S2', S3', S4', S5')가 제어 소자로서 어레이로 배열되어 있는 그룹과, 발광 사이리스터(S1, S2, S3, S4, S5)가 발광 소자로서 어레이로 배열되어 있는 그룹 등으로 구성되어 있다. 발광 사이리스터의 게이트 신호와 시프트 사이리스터의 게이트 신호는 서로 접속되어 있다. 예를 들면, 제1 발광 사이리스터(S1)의 게이트 신호는 제1 시프트 사이리스터(S1')의 게이트 신호와 접속되고, 개시 펄스 ΦS(140)가 전달되는 신호 입력 섹션(Va)으로 접속된다.
제2 발광 사이리스터(S2)의 게이트 신호는 제2 시프트 사이리스터(S2')의 게이트 신호와 접속되고 개시 펄스 ΦS(140)가 전달되는 터미널(Va)로 접속된 다이오드(141)의 캐소드(Vb)로 접속된다. 제3 발광 사이리스터(S3)의 게이트 신호는 제3 시프트 사이리스터(S3')의 게이트 신호와 접속되고 다이오드(142)의 캐소드(Vc)와 접속된다. 마찬가지로, 제5 발광 사이리스터(S5)의 게이트 신호는 제5 시프트 사이리스터(S5')의 게이트 신호와 접속되고 다이오드(144)의 캐소드(Ve)와 접속된다.
본 실시예에서는, 개시 신호와 시프트 신호가 종래의 신호와는 다른 기능을 갖기 때문에 그에 대한 참조 번호는 도 1에서의 참조 번호와 다르게 정하였으나, 도 5의 다른 부분들에는 도 1에서와 같은 참조 번호 및 부호를 덧붙였다.
도 3에 도시된 바와 같이, 구동 장치는 전자 사진 기록 시스템의 기록 매체 상에 영구적인 화상을 형성하는데 사용되는 화상 데이터를 출력하기 위한 화상 데이터 출력부(301), 화상 데이터(310)를 판독하기 위한 READ 클록(320)을 화상 데이터 출력부(301)로 출력하고 화상 데이터 출력부(301)로부터 화상 데이터(310)를 입력받아 SLED (LED 어레이) 구동 신호(305)를 생성하기 위한 SLED 구동 회로(302)를 구비하는 SLED 제어부(303), 및 SLED의 시프트 사이리스터를 구비하며 발광 상태 및 발광 사이리스터를 순차적으로 세트하기 위한 SLED 헤드(304)를 포함한다. SLED 헤드(304)에는, 본 명세서의 종래 기술 부분에서 이미 설명한 복수의 SLED(100) 단편이 도 3에 참조 번호(100-1) 내지 (100-7)로 표시된 바와 같이 어레이로 배열되어 있다. SLED (LED 어레이) 구동 신호(305)는 전원으로부터의 신호(330), GND로의 신호(335), 시프트 클록 Φ1 (340), 시프트 클록 Φ2(345), 발광 사이리스터 구동 클록 ΦI(350) 및 개시 펄스 ΦS(355)를 포함한다. 7비트의 병렬신호이며 각각의 비트 신호가 SLED(100-1) 내지 (100-7)에 응답하는 방사 사이리스터 구동 클록 ΦI(1) 내지 ΦI(7)는 각각의 SLED의 발광 소자를 선택적으로 발광시키거나 또는 턴온하는데 이용된다. SLED의 개수가 많은 경우에는 발광 사이리스터 구동 클록의 비트 폭 역시 커지기 때문에, 코딩 프로세스를 적절하게 수행함으로써 신호선의 개수를 감소시키는 것이 바람직하다.
전원으로부터의 신호(330), GND로의 신호(335), 시프트 클록 Φ1(340), 시프트 클록 Φ2(345) 및 개시 펄스 ΦS(355)와 같은 다른 신호들은 각각의 SLED에 공통이기 때문에, 상기 각각의 신호의 신호선의 개수는 1로 정의될 수 있다.
도 4는 시프트 펄스 Φ1, 시프트 펄스 Φ2, 개시 펄스 ΦS, 및 화상 데이터(310)와 (도시되어 있지 않은) 발광 클록에 의해 형성되는 발광 사이리스터 구동 클록 ΦI의 타이밍 차트를 도시한 것이다. SLED 구동 신호(305)는 도 3에 도시된 SLED 구동 회로(302)에 의해서 SLED 제어부(303)로부터 SLED 헤드(304)로 출력된다.
도 4에서, 펄스 ΦS와 펄스 Φ1의 파형의 파선 부분은 종래의 SLED 구동 신호 파형을 나타내고, 실선은 본 실시예에서의 신호 파형을 나타낸다. 본 발명에 있어서는, 제1 비트 시프트 사이리스터(S1')를 ON 상태로 세트하지 않는 대신, 개시 펄스 ΦS(140)를 5V 전압으로 인가하는 시간이 종래의 제1 비트 시프트 사이리스터(S1')의 ON 상태가 종료하는 시점 [즉, 시점(t420)]까지 연장된다. 따라서, 제1 비트 발광 사이리스터(S1)의 게이트 전압은 개시 펄스 ΦS(140)에 따라 공급되어 발광 사이리스터(S1)의 ON 상태를 유지시킨다. 제1 비트 시프트 사이리스터(S1')는 ON 상태로 세트되어 있지 않기 때문에, (제1 비트를 제외하고) 게이트 전압이 아직 완전히 0V로 되지 않은 시프트 사이리스터는 ON 상태로 세트되지 않는다. 또한, 제1 비트 이외의 시프트 사이리스터 (예를 들면, S2')의 게이트 전압이 0V가 될 때까지의 시간 [(t410)으로부터 (t420)까지]가 보장된다. 제1 비트 시프트 사이리스터(S1')의 게이트 전압은 개시 펄스 ΦS(140)에 따라서 5V로 유지된다. 따라서, 5V의 개시 펄스 ΦS(140)를 이용하여 제1 비트 발광 사이리스터(S1)의 게이트 전압을 공급함으로써 제1 비트 발광 사이리스터(S1)가 ON 상태로 확실하게 세트되고, 이에 따라 제1 비트 발광 사이리스터(S1)로부터 제5 비트 발광 사이리스터(S5)로의 비트 시프팅 동작이 안정화된다. 제1 비트 발광 사이리스터(S1)가 ON 상태인 때, 구동 클록 ΦI를 ON 상태로 세트함으로써 발광 사이리스터(S1)를 선택적으로 발광시킬 수 있다.
상기 시프트 사이리스터 (예를 들면 S2')의 게이트 전압이 0V가 될 때까지의 시간은 도 4에서 시간(t410)으로부터 시간(t420)까지의 기간일 수 있기 때문에, 이 경우에 발광 사이리스터(S2)가 ON 상태로 되는 시간은 시간(t430)으로 연장될 수 있다.
제1 비트 시프트 사이리스터에 후속하는 시프트 사이리스터로의 시프팅 동작은 종래 기술에서와 마찬가지로 시프트 신호에 따라 수행된다.
또한, 각각의 발광 사이리스터로의 발광 동작은 종래 기술에서와 마찬가지로 구동 클록 ΦI에 따라 수행되며, 이에 따라 각각의 발광 사이리스터를 선택적으로 발광시키게 된다.
상술한 내용 중에서, 5쌍의 사이리스터가 설명의 편의를 위해 도 5에 도시되어 있다. 그러나, 100개의 사이리스터 쌍이 실제적으로 배열될 수 있다.
상술한 바와 같이, 본 발명에 따른 LED 어레이 구동 장치에 따르면, 제1 비트 시프트 사이리스터(S1')를 ON 상태로 세트하는 대신 5V에 의한 개시 펄스 ΦS 인가 시간이 종래의 제1 비트 시프트 사이리스터(S1')의 ON 상태가 종료되는 시점까지 연장된다. 따라서, 제1 비트 발광 사이리스터(S1)의 게이트 전압이 개시 펄스 ΦS(140)에 따라 공급되어 발광 사이리스터(S1)의 ON 상태를 유지시키고, 이에따라 제1 비트 발광 사이리스터(S1)는 확실하게 ON 상태로 세트된다. 그 결과, 제1 비트로부터의 발광 소자의 시프팅 동작이 안정화될 수 있다.
상술한 바와 같이, 본 발명은 바람직한 실시예에 따라 기술되었다. 그러나, 본 발명은 이에 국한되지 않고 첨부된 특허 청구의 범위 내에서 다양한 변형과 응용이 가능하다.

Claims (17)

  1. 어레이로 배열되어 있는 다수의 발광 사이리스터(thyristor) 및 어레이로 배열되어 있는 다수의 시프트(shift) 사이리스터를 갖는 발광 소자 어레이를 구동하는 발광 소자 어레이 구동 장치 - 상기 시프트 사이리스터의 각각의 게이트는 상기 발광 사이리스터의 각각의 게이트에 연결됨 - 에 있어서,
    상기 시프트 사이리스터의 ON 상태를 순차적으로 시프트하기 위한 시프트 신호를 생성하는 시프트 신호 생성 수단, 및
    상기 발광 소자 어레이의 구동을 개시하기 위한 개시 신호를 생성하는 개시 신호 생성 수단
    을 포함하되,
    상기 시프트 신호에 따라 상기 다수의 시프트 사이리스터 중의 제1 시프트 사이리스터를 ON 상태로 세트하지는 않고, 상기 개시 신호에 따라 상기 다수의 발광 사이리스터 중의 제1 발광 사이리스터의 게이트 전압이 공급되며,
    상기 개시 신호는 상기 제1 발광 사이리스터를 ON 시키는 개시 펄스를 포함하고, 상기 개시 펄스는 상기 제1 발광 사이리스터의 선택 발광 이후까지 연장되는 장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 제1 발광 사이리스터의 게이트 전압을 공급하기 위한 상기 개시 신호는 상기 제2 시프트 사이리스터가 ON 상태로 될 때까지 고전위로 유지되고 상기 제2 발광 사이리스터가 ON 상태로 되기 전에 저 전위로 세트되는 장치.
  3. 제1항에 있어서, 상기 시프트 신호는 홀수 번의 시프트 사이리스터의 캐소드의 각각에 연결되는 제1 시프트 신호 및 짝수 번의 시프트 사이리스터의 캐소드의 각각에 연결되는 제2 시프트 신호를 포함하는 장치.
  4. 제1항에 있어서, 전원 전압이 상기 발광 사이리스터 및 시프트 사이리스터의 애노드의 각각에 공급되는 장치.
  5. 제1항에 있어서, 상기 장치는 캐스케이드 연결된 다수의 다이오드 - 상기 다수의 다이오드 각각의 애노드는 시프트 사이리스터 및 발광 사이리스터의 게이트에 연결되고, 각 저항을 통해 전원에 접속됨 - 를 가지며, 상기 개시 신호는 상기 다수의 다이오드중 제1 다이오드의 애노드로 공급되는 장치.
  6. 제1항에 있어서, 상기 발광 사이리스터를 선택적으로 발광시키기 위한 구동 신호 생성 수단을 더 포함하는 장치.
  7. 어레이로 배열되어 있는 다수의 발광 사이리스터 및 어레이로 배열되어 있는 다수의 시프트 사이리스터를 갖는 발광 소자 어레이를 구동하기 위한 발광 소자 어레이 구동 방법 - 상기 시프트 사이리스터의 각각의 게이트는 상기 발광 사이리스터의 각각의 게이트에 연결됨 - 에 있어서,
    개시 신호에 따라 상기 발광 소자 어레이의 구동을 개시하는 개시 단계, 및
    시프트 신호에 따라 상기 시프트 사이리스터의 ON 상태를 순차적으로 시프트하여 상기 시프트 사이리스터를 순차적으로 ON 상태로 세트하는 시프트 단계
    를 포함하되,
    상기 시프트 신호에 따라 상기 다수의 시프트 사이리스터 중의 제1 시프트 사이리스터를 구동 상태로 세트하지는 않고, 상기 개시 신호에 따라 상기 제1 시프트 사이리스터로 접속된 상기 다수의 발광 사이리스터 중의 제1 발광 사이리스터의 게이트 전압이 공급되며,
    상기 개시 신호는 상기 제1 발광 사이리스터를 ON 시키는 개시 펄스를 포함하고, 상기 개시 펄스는 상기 제1 발광 사이리스터의 선택 발광 이후까지 연장되는 구동 방법.
  8. 제7항에 있어서, 상기 제1 발광 사이리스터의 게이트 전압을 공급하기 위한 상기 개시 신호는 상기 제2 시프트 사이리스터가 ON 상태로 될 때까지 고전위로 유지되고 상기 제2 발광 사이리스터가 ON 상태로 되기 전에 저 전위로 세트되는 구동 방법.
  9. 제7항에 있어서, 상기 시프트 단계에서 홀수 번의 시프트 사이리스터의 캐소드의 각각에 연결되는 제1 시프트 신호 및 짝수 번의 시프트 사이리스터의 캐소드의 각각에 연결되는 제2 시프트 신호가 발생되는 구동 방법.
  10. 어레이로 배열되어 있는 다수의 발광 소자 및 어레이로 배열되어 있는 다수의 제어 소자 - 상기 소자 각각은 대응되는 발광 소자에 ON 상태를 공급함 - 를 갖는 발광 소자 어레이를 구동하는 발광 소자 어레이 구동 장치에 있어서,
    상기 제어 소자의 ON 상태를 순차적으로 시프트하기 위한 시프트 신호를 생성하는 시프트 신호 생성 수단, 및
    상기 발광 소자 어레이의 구동을 개시하기 위한 개시 신호를 생성하는 개시 신호 생성 수단
    을 포함하되,
    상기 다수의 발광 소자 중의 제1 발광 소자는 상기 개시 신호에 따라 ON 상태로 세트되며,
    상기 개시 신호는 상기 제1 발광 소자의 게이트에 인가되어, 상기 제1 발광 소자를 ON 시키는 개시 펄스를 포함하고, 상기 개시 펄스는 상기 제1 발광 소자의 선택 발광 이후까지 연장되는 장치.
  11. 제10항에 있어서, 상기 시프트 신호는 홀수 번의 제어 소자를 ON 상태로 세트하기 위한 제1 시프트 신호 및 짝수 번의 제어 소자를 ON 상태로 세트하기 위한 제2 시프트 신호를 포함하는 장치.
  12. 제10항에 있어서, 상기 발광 소자를 선택적으로 발광시키기 위한 구동 신호를 생성하는 구동 신호 생성 수단을 더 포함하는 장치.
  13. 제10항에 있어서, ON 상태가 상기 시프트 신호에 따라서 제2 및 후속하는 제어 소자로 시프트되는 장치.
  14. 어레이로 배열되어 있는 다수의 발광 소자 및 어레이로 배열되어 있는 다수의 제어 소자 - 상기 소자 각각은 대응하는 발광 소자에 ON 상태를 공급함 - 를 갖는 발광 소자 어레이를 구동하는 발광 소자 어레이 구동 방법에 있어서,
    개시 신호에 따라서 상기 발광 소자 어레이의 구동을 개시하는 개시 단계, 및
    시프트 신호에 따라 상기 제어 소자의 ON 상태를 순차적으로 시프트하는 시프트 단계
    를 포함하되,
    상기 다수의 발광 소자 중의 제1 발광 소자는 상기 개시 신호에 따라 ON 상태로 세트되며,
    상기 개시 신호는 상기 제1 발광 소자의 게이트에 인가되어, 상기 제1 발광 소자를 ON 시키는 개시 펄스를 포함하고, 상기 개시 펄스는 상기 제1 발광 소자의 선택 발광 이후까지 연장되는 구동 방법.
  15. 제14항에 있어서, 상기 시프트 신호는 홀수 번의 제어 소자를 ON 상태로 세트하기 위한 제1 시프트 신호 및 짝수 번의 제어 소자를 ON 상태로 세트하기 위한 제2 시프트 신호를 포함하는 구동 방법.
  16. 제14항에 있어서, 구동 신호에 따라서 상기 발광 소자를 선택적으로 발광시키는 구동 단계를 더 포함하는 구동 방법.
  17. 제14항에 있어서, ON 상태가 상기 시프트 신호에 따라서 제2 및 후속하는 제어 소자로 시프트되는 구동 방법.
KR1019980059604A 1997-12-29 1998-12-28 발광소자어레이의구동장치및방법 KR100325950B1 (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP97-369141 1997-12-29
JP36914197A JPH11192744A (ja) 1997-12-29 1997-12-29 Ｌｅｄアレイ駆動装置および方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR19990063529A KR19990063529A (ko) 1999-07-26
KR100325950B1 true KR100325950B1 (ko) 2002-04-17

Family

ID=18493670

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019980059604A KR100325950B1 (ko) 1997-12-29 1998-12-28 발광소자어레이의구동장치및방법

Country Status (6)

Country Link
US (1) US6392615B1 (ko)
EP (1) EP0942630B1 (ko)
JP (1) JPH11192744A (ko)
KR (1) KR100325950B1 (ko)
CN (1) CN1154969C (ko)
DE (1) DE69829269T8 (ko)

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP2006918A4 (en) * 2006-02-20 2012-05-30 Kyocera Corp LUMINESCENT ELEMENT ARRAY, LIGHT-EMITTING DEVICE, AND IMAGE FORMING DEVICE
US7582917B2 (en) * 2006-03-10 2009-09-01 Bae Systems Information And Electronic Systems Integration Inc. Monolithically integrated light-activated thyristor and method
TW201601596A (zh) * 2014-06-25 2016-01-01 日昌電子股份有限公司 掃描發光晶片及列印頭
JP7119834B2 (ja) * 2018-09-26 2022-08-17 富士フイルムビジネスイノベーション株式会社 発光装置、光源装置、プリントヘッド及び画像形成装置

Family Cites Families (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0335553B1 (en) * 1988-03-18 1999-09-15 Nippon Sheet Glass Co., Ltd. Self-scanning light-emitting element array
US5814841A (en) * 1988-03-18 1998-09-29 Nippon Sheet Glass Co., Ltd. Self-scanning light-emitting array
JP2577034B2 (ja) 1988-03-18 1997-01-29 日本板硝子株式会社 自己走査形発光素子アレイおよびその駆動方法
JP2784052B2 (ja) 1988-10-19 1998-08-06 日本板硝子株式会社 自己走査型発光素子アレイおよびその駆動方法
JP2784025B2 (ja) 1989-02-07 1998-08-06 日本板硝子株式会社 光走査装置
JPH068500B2 (ja) 1989-06-15 1994-02-02 株式会社ライムズ アルミナ被覆Ａ▲ｌ▼・Ａ▲ｌ▼合金部材の製造方法
JP2769023B2 (ja) 1990-04-23 1998-06-25 日本板硝子株式会社 発光メモリ素子アレイ、及びそれを用いた受光・発光モジュール
JP2807910B2 (ja) 1989-12-22 1998-10-08 日本板硝子株式会社 発光素子アレイ
JP2683781B2 (ja) 1990-05-14 1997-12-03 日本板硝子株式会社 発光装置
JP2846136B2 (ja) 1991-03-26 1999-01-13 日本板硝子株式会社 発光素子アレイの駆動方法
JP2846135B2 (ja) 1991-03-26 1999-01-13 日本板硝子株式会社 発光素子アレイの駆動方法
DE69232149T2 (de) 1991-12-02 2002-06-06 Canon Kk Messgerät
JPH07225535A (ja) 1994-02-14 1995-08-22 Copyer Co Ltd 画像形成装置
JP3374875B2 (ja) 1994-06-21 2003-02-10 三菱電機株式会社 半導体写真製版装置及びそれを用いて形成された微細パターン
US5565565A (en) 1994-08-04 1996-10-15 Syntex (U.S.A.) Inc. Preparation of N-9 substituted guanine compounds
JPH08179716A (ja) 1994-12-21 1996-07-12 Kokusai Electric Co Ltd 流動表示装置及びその制御方法
US5847516A (en) * 1995-07-04 1998-12-08 Nippondenso Co., Ltd. Electroluminescent display driver device
JPH0969650A (ja) * 1995-09-01 1997-03-11 Canon Inc 自己走査型ｌｅｄアレー
JPH09199760A (ja) * 1996-01-22 1997-07-31 Canon Inc 光量制御装置及び光量制御方法
JPH09248936A (ja) * 1996-03-15 1997-09-22 Canon Inc ドライブ回路及び該ドライブ回路を備えた自己走査型ｌｅｄアレー
JP3703234B2 (ja) * 1996-12-24 2005-10-05 キヤノン株式会社 画像記録装置
US6108018A (en) * 1997-05-13 2000-08-22 Canon Kabushiki Kaisha Recording chip, recording head, and image recording apparatus

Also Published As

Publication number Publication date
DE69829269T2 (de) 2006-02-09
DE69829269T8 (de) 2006-04-27
JPH11192744A (ja) 1999-07-21
KR19990063529A (ko) 1999-07-26
US6392615B1 (en) 2002-05-21
DE69829269D1 (de) 2005-04-14
EP0942630A1 (en) 1999-09-15
CN1222719A (zh) 1999-07-14
CN1154969C (zh) 2004-06-23
EP0942630B1 (en) 2005-03-09

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US7330204B2 (en) Self-scanning light-emitting element array and driving method of the same
US8258723B2 (en) Light-emitting element array, driving device, and image forming apparatus
JP4411723B2 (ja) 自己走査型発光素子アレイ
US8305415B2 (en) Light-emitting device including a light-up controller, driving method of self-scanning light-emitting element array and print head including the same
JPH09240057A (ja) 記録素子アレー駆動装置
KR100325950B1 (ko) 발광소자어레이의구동장치및방법
US6747940B2 (en) Optical writing head comprising self-scanning light-emitting element array
JP3387803B2 (ja) Ｌｅｄアレー駆動装置
US6504309B1 (en) Driver circuit for a self-scanning light-emitting array
JP4837611B2 (ja) 半導体装置及びプリントヘッド
US6750895B1 (en) Optical printer head with integrated drive circuitry
KR19990088621A (ko) 반도체-칩제어장치및제어방법및화상기록장치및그제어방법
JP3604474B2 (ja) 自己走査型発光装置
JPH10258545A (ja) 発光素子アレイ制御ユニットおよびその制御方法
JPH10114101A (ja) 自己走査型発光装置の駆動方法
JPH09199760A (ja) 光量制御装置及び光量制御方法
JP2000164932A (ja) 自己走査型発光装置および画像形成装置
JPH0999582A (ja) 自己走査型発光装置の駆動方法
JP4158308B2 (ja) 自己走査型発光装置
JP2000276081A (ja) Ｌｅｄアレー駆動装置および画像形成装置
JP2001060722A (ja) 自己走査型発光装置
JP2011194827A (ja) 露光装置、露光装置の駆動方法、プリントヘッドおよび画像形成装置
KR101424659B1 (ko) 발광 소자 어레이 구동 장치, 프린트 헤드, 화상 형성 장치 및 신호 공급 방법
JPH10297017A (ja) 電子写真装置
JPH08264838A (ja) Ｌｅｄアレー

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
AMND Amendment
E601 Decision to refuse application
J201 Request for trial against refusal decision
AMND Amendment
B701 Decision to grant
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20120127

Year of fee payment: 11

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20130123

Year of fee payment: 12

LAPS Lapse due to unpaid annual fee