JP2000164932A - 自己走査型発光装置および画像形成装置 - Google Patents

自己走査型発光装置および画像形成装置

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JP2000164932A
JP2000164932A JP33798398A JP33798398A JP2000164932A JP 2000164932 A JP2000164932 A JP 2000164932A JP 33798398 A JP33798398 A JP 33798398A JP 33798398 A JP33798398 A JP 33798398A JP 2000164932 A JP2000164932 A JP 2000164932A
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thyristor
thyristors
transfer
light
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Mitsuo Shiraishi
光生 白石
Toshiyuki Sekiya
利幸 関谷
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Canon Inc
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 SLEDによって、高品位、高速かつ高解像
度で感光体に露光すること。 【解決手段】 奇数の発光サイリスタSR1及び偶数の
発光サイリスタSR2は、奇数、偶数が互い違いになる
ように直線に配列する。発光サイリスタの発光転送の方
向は奇数と偶数では逆方向に発光点が転送(移動)する
ように、奇数側発光サイリスタ側を駆動する転送サイリ
スタSR3及び発光サイリスタSR1と偶数側発光サイ
リスタ側を駆動する転送サイリスタSR4及び発光サイ
リスタSR2は、逆の配列をもつ。これによってSLE
Dチップの継ぎ目の見えにくい画像を感光体に露光する
ことができる。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、LED(発光素
子)アレー等の自己走査型発光装置および画像形成装置
に関するものである。
【0002】
【従来の技術】従来、SLED(自己走査型LEDアレ
ー:以後SLEDと呼ぶ)は特開平1−238962、
特開平2−208067、特開平2−212170、特
開平3−20457、特開平3−1949478、特開
平4−5872、特開平4−23367、特開平4−2
96579、特開平5−84971及びジャパンハード
コピー91(A−17)駆動回路を集積した光プリンタ
用発光素子アレイの提案、電子情報通信学会(′90.
3.5)PNPNサイリスタ構造を用いた自己走査型発
光素子(SLED)の提案等で紹介されており、記録用
発光素子として注目されている。図1,図3にこのSL
EDの一例を示しその動作について説明する。
【0003】図2はこのSLEDを制御するための従来
のコントロール信号及びタイミングを示すものであり、
全素子を点灯する場合の例である。図1のVGAはSL
EDの電源電圧にあたり、図1の抵抗を介してφSにカ
スケードに接続されているダイオードに図1のように接
続されている。SLEDは図1に示すように転送用のサ
イリスタをアレー状に配列したものと、発光用サイリス
タをアレー状に配列したものからなり、それぞれのサイ
リスタのゲートは相互接続され、1番目のサイリスタは
φSの信号入力部に接続される。2番目のサイリスタの
ゲートはφSの端子に接続されたダイオードのカソード
に接続されて、3番目は次のダイオードのカソードにと
言うように構成されている。
【0004】図2のタイミングチャートに従い転送及び
発光について説明する。転送のスタートはφSを0Vか
ら5Vに変化させることにより始まる。φSが5Vにな
ることによりVa=5V,Vb=3.7V(ダイオード
の順方向電圧降下を1. 3Vとする)、Vc=2.4
V,Vd=1.1V,Ve以降は0Vとなり転送用のサ
イリスタS1′とS2′のゲート信号0Vからそれぞれ
5V,3.7Vと変化する。この状態ではφ1を5Vか
ら0Vにすることにより、S1′の転送用のサイリスタ
のそれぞれの電位は、アノード:5V、カソード:0
V、ゲート:3.7VとなりサイリスタのON条件とな
って、転送用のサイリスタS1′がONする。その状態
でφSを0Vに変えてもサイリスタS1′がONしてい
るためVa5Vとなる(理由:φSは抵抗を介してパル
スが印加されている。サイリスタはONするとアノード
とゲート問の電位がほぼ等しくなる。)。
【0005】このため、φSを0Vにしても1番目のサ
イリスタのON条件が保持され1番目のシフト動作が完
了する。この状態で発光サイリスタ用のφI信号を5V
から0Vにすると転送用のサイリスタがONした条件と
同じになるため発光サイリスタS1がONして、1番目
のLEDが点灯することになる。1番目のLEDはφI
を5Vに戻すことにより発光サイリスタのアノード・カ
ソード間の電位差が無くなりサイリスタの最低保持電流
を流せなくなるため発光サイリスタS1はOFFする。
【0006】つぎに、S1′からS2′へのサイリスタ
のON条件の転送について説明すると、発光サイリスタ
S1がOFFしてもφIが0Vのままなので、転送用サ
イリスタS1′はONのままであり、転送用サイリスタ
S1′のゲート電圧Va5Vであり、Vb=3.7Vで
ある。この状態でφ2を5Vから0Vに変化させること
により転送用サイリスタS2′の電位はアノード:5
V、カソード:0V、ゲート:3,7Vとなるので、転
送用サイリスタS2′はONする。転送用サイリスタS
2′がONした後φ1を0Vから5Vに変えることによ
り転送用サイリスタS1′は発光サイリスタS1がOF
Fしたのと同様にOFFする。
【0007】こうして、転送用サイリスタのONはS
1′からS2′に移る。そして、φIを5Vから0Vに
すると発光用サイリスタS2がONし発光する。なお、
転送用サイリスタがONしている発光サイリスタのみ発
光できる理由は、転送用サイリスタがONしていない場
合、ONしているサイリスタの隣のサイリスタを除いて
ゲート電圧が0VであるためサイリスタのON条件とな
らない。隣のサイリスタについても発光用サイリスタが
ONすることによりφIの電位は3.4V(発光用サイ
リスタの順方向電圧降下分)となるため、隣のサイリス
タは、ゲート・カソード間の電位差がないためONする
ことができない。
【0008】上記の説明の様に従来は、lbitからn
bitまで配列された発光サイリスタと転送サイリスタ
が1組であるため、常に一方向のみに転送発光動作が行
われており、また同一チップ内においては、発光サイリ
スタは1つしかつけられない構造となっていた。
【0009】
【発明が解決しようする課題】しかしながら、さらに高
速に印字しようとした場合、従来SLEDのように、発
光サイリスタと転送サイリスタが一組の場合は、転送発
光動作が同一方向からしか行えないため、図6に示すよ
うに、感光体の回転方向に斜めに印字することとなり、
SLEDチップの継ぎ目継ぎ目でのこぎり状の印字とな
り、線がまっすぐに引けないだけでなく、チップの継ぎ
目が目立つという問題があった。
【0010】また、さらにSLEDを高解像にしていく
場合に、転送サイリスタと発光サイリスタを1組だけに
すると、nbitが増えていくに従い、印字速度が遅く
なるだけでなく、転送部をさらに高密度にパターニング
しなければならず、高速化と高解像度化が難しかった。
【0011】そこで本発明の目的は以上のような問題を
解消した自己走査型発光装置および画像形成装置を提供
することにある。
【0012】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、請求項1の発明は、アレー状に配置された複数個の
第1発光用サイリスタと、前記複数個の第1発光用サイ
リスタと平行にアレー状に配置された複数個の第1転送
用サイリスタとを有し、前記第1転送用サイリスタの隣
接間の転送のための制御信号が外部から印加され、前記
第1転送用サイリスタと前記第1発光用サイリスタ間の
ゲート同士が相互接続されている第1自己走査型発光素
子アレーと、アレー状に配置された複数個の第2発光用
サイリスタと、前記複数個の第2発光用サイリスタと平
行にアレー状に配置された複数個の第2転送用サイリス
タとを有し、前記第2転送用サイリスタの隣接間の転送
のための制御信号が外部から印加され、前記第2転送用
サイリスタと前記第2発光用サイリスタ間のゲート同士
が相互接続されている第2自己走査型発光素子アレーと
を有し、前記第1発光用サイリスタと前記第2発光用サ
イリスタとは同一直線状に配置されていることを特徴と
する。
【0013】また請求項2の発明は、請求項1におい
て、前記第1転送用サイリスタと前記第2転送用サイリ
スタとは前記第1および第2発光用サイリスタを挟んで
対向配置されていることを特徴とする。
【0014】さらに請求項3の発明は、請求項1または
2において、前記第1発光用サイリスタと前記第2発光
用サイリスタとは交互に配置されていることを特徴とす
る。
【0015】さらに請求項4の発明は、請求項1〜3の
いずれかにおいて、前記第1自己走査型発光素子アレー
の転送方向と第1自己走査型発光素子アレーの転送方向
とは逆であることを特徴とする。
【0016】さらに請求項5の発明は、請求項1〜4の
いずれかにおいて、前記第1発光用サイリスタの点灯タ
イミングと前記第2発光用サイリスタの点灯タイミング
とは同時であることを特徴とする。
【0017】さらに請求項6の発明は、請求項1〜5の
いずれかの自己走査型発光装置によって感光体に露光す
ることを特徴とする。
【0018】
【発明の実施の形態】図4は本発明の実施形態の回路構
造を最も良く表す図であり、前記図4中のドライバ40
は本発明のSLED50を駆動するためのコントローラ
であり、次の信号を出力する。すなわち、転送サイリス
タを順次点灯させ発光サイリスタを順次発光状態にする
ための信号である第1シフトパルスφ1、第2シフトパ
ルスφ2、及びスタートパルスφSはそれぞれ並列に2
出力あり、同一の信号を抵抗を介し、奇数側発光サイリ
スタ部の転送サイリスタへ一組と、偶数側発光サイリス
タ部の転送サイリスタへもう一組出力されている。
【0019】奇数の発光サイリスタSR1及び偶数の発
光サイリスタSR2は図5のように、奇数、偶数が互い
違いになるように直線に配列する。
【0020】発光サイリスタの点灯信号としては、奇数
側発光サイリスタ側の発光信号(画像データ1)ΦI、
偶数側発光サイリスタ側の発光信号(画像データ2)Φ
Jの2つあり、前記奇数側発光サイリスタ発光信号ΦI
はSLED50の直線に配列された(詳細は図5)発光
サイリスタの奇数の発光サイリスタSR1の画像データ
とANDをとり、転送サイリスタSR3の転送動作に同
期して、奇数の発光サイリスタSR1を順次点灯する。
前記偶数の発光サイリスタSR2も前記奇数発光サイリ
スタと同様である。すなわち、前記偶数側発光サイリス
タ発光信号ΦJは直線に配列されたSLEDの発光サイ
リスタの偶数の発光サイリスタSR2の画像データとA
NDをとり、転送サイリスタSR4の転送動作に同期し
て、偶数の発光サイリスタSR2を順次点灯する。順次
点灯動作は奇数の発光サイリスタSR1および偶数の発
光サイリスタSR2共に図1,図2と同様である。
【0021】発光サイリスタの発光転送の方向は奇数と
偶数では逆方向に発光点が転送(移動)するように、奇
数側発光サイリスタ側を駆動する転送サイリスタSR3
及び発光サイリスタSR1と偶数側発光サイリスタ側を
駆動する転送サイリスタSR4及び発光サイリスタSR
2は図5に示すように、逆の配列をもつ。
【0022】奇数及び偶数の発光サイリスタの点灯信号
は同じタイミングであり、それぞれ転送サイリスタが順
次対応した発光サイリスタのゲート電圧を供給し、それ
ぞれ対応した発光サイリスタが点灯できる状態になる駆
動信号に同期して奇数及び偶数の発光サイリスタは同時
に点灯する。
【0023】本発明では、転送用サイリスタが少なくと
も1つ以上がアレー状に並べられ、前記転送用サイリス
タの隣接間の転送のための制御用信号を外部から印加で
き、前記転送用サイリスタと平行に発光用サイリスタが
同様に少なくとも1つ以上がアレー状に並べられ、前記
転送用サイリスタと発光サイリスタ間のゲートはそれぞ
れ接続されている自己走査型LEDアレーにおいて、印
字速度の高速化と高解像度化のために、同一のSLED
チップ内にもう一対の第2の転送サイリスタと第2の発
光サイリスタを有し、第一の発光サイリスタと第2の発
光サイリスタは同一直線上に配置し、奇数及び偶数発光
サイリスタを互いに逆方向から点灯することによって、
図7に示すようにSLEDチップの継ぎ目の見えにくい
画像を感光体に露光することができる。
【0024】また、SLEDを高解像にしていく場合
に、従来のSLEDにおいては、転送サイリスタと発光
サイリスタを1組だけにすると、nbitが増えていく
に従い、印字速度が遅くなるだけでなく、転送部をさら
に高密度にパターニングしなければならなかったが、本
発明のように、奇数の発光サイリスタを駆動する回路
と、偶数の発光サイリスタを駆動する回路を、それぞれ
別々に同一チップ内に設け、奇数の発光サイリスタ駆動
回路と、偶数の発光サイリスタ駆動回路とを、直線に配
列した発光サイリスタに対し、左右に配置することによ
り、転送サイリスタ部を高密度にすることなく、発光サ
イリスタのみ高密度化することによって、さらに高解像
度な露光ができるようになるだけではなく、奇数の発光
サイリスタと偶数の発光サイリスタを同一チップ内で、
同時に点灯することが可能となり、高速に印字すること
が可能となる。
【0025】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
高品位、高速かつ高解像度で感光体に露光することがで
きる。
【図面の簡単な説明】
【図1】SLEDの基本構成の一例を示す図である。
【図2】SLEDを制御するための従来技術のコントロ
ール信号及びタイミングを示す図である。
【図3】従来技術のSLEDチップの基本構成の一例を
示す図である。
【図4】本実施例でのSLEDの等価回路を示す図であ
る。
【図5】本実施例でのSLEDチップの基本構成の一例
を示す図である。
【図6】従来技術のSLEDによる感光体への露光によ
る画像形成の一例を示す図である。
【図7】本発明のSLEDによる感光体への露光による
画像形成の一例を示す図である。
【符号の説明】
SR1,SR2 発光サイリスタ SR3,SR4 転送サイリスタ
フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI テーマコート゛(参考) H04N 1/036 H04N 1/04 103A 1/19 1/23 103 Fターム(参考) 2C162 AE02 AE04 AE28 AF59 AF76 AH72 AH79 FA17 5C051 AA02 CA08 DA02 DA04 DB02 DB08 DB29 DC02 DC03 DC07 DE02 EA02 5C072 AA03 BA03 BA15 BA16 CA05 CA12 FA06 FA07 FA16 FB01 FB08 FB21 FB27 XA04 5C074 AA05 AA08 AA12 BB04 BB25 CC01 DD04 DD11 EE06 GG08 HH04 5F041 AA31 BB03 BB12 BB27 BB33 CB36 DC84 FF13

Claims (6)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 アレー状に配置された複数個の第1発光
    用サイリスタと、前記複数個の第1発光用サイリスタと
    平行にアレー状に配置された複数個の第1転送用サイリ
    スタとを有し、前記第1転送用サイリスタの隣接間の転
    送のための制御信号が外部から印加され、前記第1転送
    用サイリスタと前記第1発光用サイリスタ間のゲート同
    士が相互接続されている第1自己走査型発光素子アレー
    と、 アレー状に配置された複数個の第2発光用サイリスタ
    と、前記複数個の第2発光用サイリスタと平行にアレー
    状に配置された複数個の第2転送用サイリスタとを有
    し、前記第2転送用サイリスタの隣接間の転送のための
    制御信号が外部から印加され、前記第2転送用サイリス
    タと前記第2発光用サイリスタ間のゲート同士が相互接
    続されている第2自己走査型発光素子アレーとを有し、 前記第1発光用サイリスタと前記第2発光用サイリスタ
    とは同一直線状に配置されていることを特徴とする自己
    走査型発光装置。
  2. 【請求項2】 請求項1において、 前記第1転送用サイリスタと前記第2転送用サイリスタ
    とは前記第1および第2発光用サイリスタを挟んで対向
    配置されていることを特徴とする自己走査型発光装置。
  3. 【請求項3】 請求項1または2において、 前記第1発光用サイリスタと前記第2発光用サイリスタ
    とは交互に配置されていることを特徴とする自己走査型
    発光装置。
  4. 【請求項4】 請求項1〜3のいずれかにおいて、 前記第1自己走査型発光素子アレーの転送方向と第1自
    己走査型発光素子アレーの転送方向とは逆であることを
    特徴とする自己走査型発光装置。
  5. 【請求項5】 請求項1〜4のいずれかにおいて、 前記第1発光用サイリスタの点灯タイミングと前記第2
    発光用サイリスタの点灯タイミングとは同時であること
    を特徴とする自己走査型発光装置。
  6. 【請求項6】 請求項1〜5のいずれかの自己走査型発
    光装置によって感光体に露光することを特徴とする画像
    形成装置。
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