DE69405342T2 - Poliervorrichtung für Halbleiterscheibe - Google Patents

Poliervorrichtung für Halbleiterscheibe

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Description

  • Die vorliegende Erfindung eine Halbleiterherstellungseinrichtung und insbesondere eine Poliervorrichtung zum Polieren eines Halbleitersubstrats, um dieses einzuebnen.
  • Fig. 10 zeigt eine herkömmliche Poliervorrichtung. Ein Führungsring 12 ist um die Rückseite einer oberen Platte 11 herum vorgesehen, und ein Zwischenschichtmaterial 13 ist auf der Rückseite der oberen Platte 11 vorgesehen, die an der Innenseite des Führungsrings 12 positioniert ist. Das Zwischenschichtmaterial 13 ist ein Tuch, durch das beispielsweise Wasser dringt. Ein Halbleitersubstrat (Wafer) 14 ist an die Rückseite der oberen Platte 11 durch das Zwischenschichtmaterial 13 angezogen. Als Verfahren zum Absorbieren des Wafers 14 an der oberen Platte 11 kann Wachs oder eine Vakuumspannvorrichtung verwendet werden. Im Fall, daß Wachs verwendet wird, wird Wachs auf die Rückseite der oberen Platte 11 angebracht, wodurch der Wafer an die obere Platte 11 angezogen wird. Im Fall, daß eine Vakuumspannvorrichtung verwendet wird, sind eine Vielzahl von Einlaßpfaden vorgesehen. Der Wafer, der an die oberen Platte 11 angezogen wird, weist einen größeren Durchmesser als die obere Platte 11 auf und ist auf einer Polierplatte (nicht gezeigt) mit einem auf ihrer Oberfläche vorgesehenem Poliertuch angebracht. Die Polierplatte und die obere Platte 11 werden in einer festen Richtung gedreht und der Wafer wird durch Poliermaterial poliert, welches auf das Poliertuch aufgebracht wird.
  • Gemäß der herkömmlichen Poliervorrichtung war es schwierig, die Temperatur des Wafers beim Polieren zu steuern. Mit anderen Worten, die Temperatur des Wafers wird durch eine Reibung des Poliertuchs auf dem Wafer und eine chemische Reaktion zwischen dem Wafer und dem Poliermaterial erhöht. Aufgrunddessen ist jede Oberflächentemperatur von jeweiligen Abschnitten des Wafers nicht konstant. Ferner werden eine Vielzahl der Wafer auf der Polierplatte gleichzeitig aufgebracht und gleichzeitig poliert. Jedoch war es nicht möglich, jede Temperatur der jeweiligen Wafer, die gleichzeitig poliert werden, so einzustellen, daß sie konstant ist. Die Polierrate (Filmdicke/Minute: nm/min) hängt von der Temperatur zur Zeit eines Poliervorgangs ab. Aufgrunddessen kann die Polierrate jeder Oberfläche der jeweiligen Abschnitte des Wafers nicht gleichgemacht werden. Ferner konnte die Polierrate von jedem der Wafer, die gleichzeitig poliert werden, und die Polierrate jedes Satzes nicht gleichgemacht werden.
  • Eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung besteht darin, eine Poliervorrichtung bereitzustellen, die eine Polierrate jeder Oberfläche des jeweiligen Abschnitts eines Halbleitersubstrats gleichmachen kann und die eine Polierrate jeden Satzes gleichmachen kann.
  • Um die obige Aufgabe zu lösen, ist gemäß dem ersten Aspekt der vorliegenden Erfindung eine Poliervorrichtung vorgesehen, die umfaßt: eine obere Platte mit einem Aufnehmerabschnitt auf ihrer Rückseite; eine Vielzahl von Zellen, die in dem Aufnehmerabschnitt der oberen Platte vorgesehen sind, wobei jede Zelle mit Flüssigkeit gefüllt ist, und wobei ein zu polierendes Halbleitersubstrat an jede Zelle angezogen wird; ein Rohr zum Einleiten von Flüssigkeit in jede Zelle; und eine Erwärmungseinrichtung, die in dem Rohr vorgesehen ist, zum Erwärmen von Flüssigkeit, wobei die Erwärmungseinrichtung eine Flüssigkeit jeder Zelle gemäß einer Temperaturverteilung des Halbleitersubstrats erwärmt.
  • Ferner ist zur Lösung der obigen Aufgabe gemäß dem zweiten Aspekt der vorliegenden Erfindung eine Poliervorrichtung vorgesehen, die umfaßt: eine obere Platte mit einem Aufnehmerabschnitt auf ihrer Rückseite; eine Vielzahl von flexiblen Zellen, die in dem Aufnehmerabschnitt der oberen Platte vorgesehen sind, wobei jede Zelle mit Flüssigkeit gefüllt ist, und wobei ein zu polierendes Halbleitersubstrat an jede Zelle angezogen wird; ein Rohr zum Einleiten von Flüssigkeit in jede Zelle; und eine Einstelleinrichtung, die in dem Rohr vorgesehen ist, zum Einstellen von Flüssigkeit gemäß einer wölbung des Halbleitersubstrats.
  • Diese Erfindung läßt sich vollständiger aus der folgenden ausführlichen Beschreibung im Zusammenhang mit den beiliegenden Zeichnungen verstehen. In den Zeichnungen zeigen:
  • Fig. 1 eine perspektivische Ansicht, die schematisch eine Poliervorrichtung zeigt;
  • Fig. 2 eine Querschnittsansicht, die schematisch eine Poliervorrichtung einer ersten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung zeigt;
  • Fig. 3 eine Strukturansicht, die einen Teil aus Fig. 2 zeigt;
  • Fig. 4 eine charakteristische Ansicht, die die Polierrate der vorliegenden Erfindung und diejenige der herkömmlichen Einrichtung zeigt;
  • Fig. 5 eine Querschnittsansicht, die schematisch eine Poliervorrichtung einer zweiten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung zeigt;
  • Fig. 6 eine charakteristische Ansicht, die einen Betrieb aus Fig. 5 zeigt;
  • Fig. 7 eine Ansicht, die eine Verteilung eines Polierbetrags in einem Fall zeigt, bei dem ein
  • Wafer durch die Einrichtung aus Fig. 5 poliert wird;
  • Fig. 8 eine Ansicht, die eine Verteilung eines Polierbetrags in einem Fall zeigt, bei dem ein Wafer durch eine herkömmliche Einrichtung poliert wird;
  • Fig. 9 eine Querschnittsansicht, die eine Poliervorrichtung einer ersten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung zeigt; und
  • Fig. 10 eine Querschnittsansicht, die schematisch eine herkömmliche Poliervorrichtung zeigt.
  • Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung werden unter Bezugnahme auf die Zeichnungen beschrieben.
  • In Fig. 1 ist ein Poliertuch (nicht gezeigt) auf der Oberfläche einer Polierplatte 21 vorgesehen und eine Vielzahl von oberen Platten 22 sind auf dem Poliertuch angebracht. Die obere Platte 22 ist von der Oberfläche der Polierplatte 21 bewegbar, wie mit einer gestrichelten Linie angedeutet. Ein Halbleitersubstrat (nachstehend als ein Wafer bezeichnet) 23 wird durch die obere Platte 22 angezogen oder von der oberen Platte 22 an eine mit der gestrichelten Linie gezeigten Position entfernt. Die Polierplatte 21 wird in einer festen Richtung gedreht und der Wafer, der durch die obere Platte 22 angezogen wird, wird durch eine Reibung des Poliertuchs und eine chemische Reaktion mit auf dem Poliertuch aufgebrachtem Poliermaterial 24 poliert.
  • Fig. 2 zeigt eine erste Ausführungsform der vorliegenden Erfindung. Ein kreisförmiger konkaver Abschnitt 22A ist beispielsweise auf der Rückseite der oberen Platte 22 gebildet. Ein Führungsring 32 zum Positionieren eines Wafers 31 ist um den konkaven Abschnitt 22A herum vorgesehen. Eine Vielzahl von Zellen 33 sind in dem konkaven Abschnitt 22A vorgesehen. Diese Zellen 33 sind aus Nylon mit einem Wärmewiderstand oder Vinylchlorid, Gummi gebildet. Die Position der unteren Oberfläche jeder Zelle 33 stimmt im wesentlichen mit derjenigen der hinteren Seite der oberen Platte 22 überein. Ein Zwischenschichtmaterial 34 ist auf der oberen Oberfläche jeder Zelle 33 vorgesehen, die auf der Innenseite des Führungsrings 32 positioniert ist. Das Zwischenschichtmaterial 34 ist ein Tuch, durch das beispielsweise Wasser durchgedrängt wird und der Wafer 31 wird durch das Zwischenschichtmaterial 34 angezogen.
  • Andererseits sind eine Vielzahl von ersten Rohren 35 an ihren einen Enden miteinander verbunden und andere Enden stehen jeweils mit den Zellen 33 in Verbindung. Jedes der ersten Rohre 35 wird verwendet, um Flüssigkeit, beispielsweise Wasser, an jede Zelle 33 einzuleiten und eine konstante Temperatureinrichtung 37 ist an einem Zwischenabschnitt jedes ersten Rohrs 35 vorgesehen. Ferner ist ein Ende jedes zweiten Rohrs 38 mit jedem ersten Rohr 35 verbunden und ein anderes Ende jedes zweiten Rohres 38 steht mit jeder der Zellen 33 in Verbindung. Jedes zweite Rohr 38 wird verwendet, um Flüssigkeit von der Zelle 33 abzuleiten und Flüssigkeit an das erste Rohr 35 einzuleiten.
  • Fig. 3 zeigt die Konstanttemperatureinrichtung 37. Ein Erwärmer 39 ist um das erste Rohr 35 herum vorgesehen, welches an einem niedrigeren Abschnitt als ein Verbindungsabschnitt zwischen den ersten und zweiten Rohren 35 und 38 positioniert ist und Flüssigkeit 36, die in das erste Rohr 35 hinein fließt, wird durch den Erwärmer 39 erwärmt. Eine Pumpe (P) 40 ist an einem niedrigeren Abschnitt als der Erwärmer 39 des ersten Rohrs 35 vorgesehen. Flüssigkeit 38, die von dem Erwärmer 39 erwärmt wird, wird durch das erste Rohr 35, die Zelle 33 und das zweite Rohr 38 in dieser Reihenfolge durch die Pumpe 40 zirkuliert. Ferner ist wie in Fig. 2 gezeigt, ein Temperatursteuerabschnitt 41 mit jeder Konstant-Temperatureinrichtung 37 verbunden. Der Temperatursteuerabschnitt 41 steuert den Erwärmer 39 jeder Konstant-Temperatureinrichtung 37 individuell. Deshalb wird Flüssigkeit 36 jeder Zelle 33 auf eine beliebige Temperatur gesteuert.
  • Für einen Fall, daß der Wafer durch die voranstehend strukturierte obere Platte 22 poliert wird, wird der Wafer 31 durch das Zwischenschichtmaterial 34 der oberen Platte 22 angezogen. Flüssigkeit 36, die durch die Konstant-Temperatureinrichtung 37 in der Temperatur gesteuert wird, wird an jede Zelle 33 zugeführt und der Wafer 31 wird durch Flüssigkeit 36 jeder Zelle 33 erwärmt. Unter diesem Zustand und wie in Fig. 1 gezeigt, wird der Wafer auf der Polierplatte angebracht und durch die Funktion des Poliertuchs und derjenigen des Poliermaterials poliert. In diesem Fall wird die Temperaturverteilung des Wafers 31 durch die Reibung des Poliertuchs und die chemische Reaktion des Poliermaterials geändert. Wie voranstehend erwähnt, hängt die Polierrate von der Temperatur ab. Bezüglich eines Abschnitts, an dem die Temperatur des Wafers 31 niedrig ist und die Polierrate niedrig ist, wird deshalb die Temperatur der Flüssigkeit 36 der Zelle 33, die dem obigen Abschnitt entspricht, durch die Konstant-Temperatureinrichtung 37 erhöht, wodurch die Polierrate erhöht werden kann. Mit anderen Worten wird beispielsweise die Verteilung der Polierrate des Wafers vorher gemessen und die Temperatur der Flüssigkeit 36 der Zelle 33, die dem Abschnitt entspricht, an der die Polierrate gering ist, wird durch die Konstant-Temperatureinrichtung 37 erhöht, wodurch die Polierrate jedes Abschnitts des Wafers gleichgemacht werden kann.
  • Fig. 4 zeigt die Polierrate für den Fall, daß die Einrichtung der ersten Ausführungsform verwendet wird und die Polierrate für den Fall, daß die herkömmliche Einrichtung verwendet wird. Wie aus der Figur ersichtlich, ist die Polierrate des Umfangsabschnitts des Wafers und diejenige des Zentralabschnitts für den Fall der herkömmlichen Einrichtung sehr verschieden. Jedoch kann für den Fall, daß die Einrichtung der vorliegenden Erfindung verwendet wird, die Polierrate des Umfangsabschnitts des Wafers und diejenige des Zentralabschnitts gleichgemacht werden.
  • Gemäß der ersten Ausführungsform sind die Vielzahl der Zellen 33 auf der oberen Platte 22 vorgesehen und die Temperatur der Flüssigkeit 36 jeder Zelle 33 wird gesteuert, wodurch die Temperaturverteilung des Wafers eingestellt werden kann. Deshalb kann die Polierrate jedes Teils des Wafers gleichgemacht werden und die Polierrate jedes Satzes kann gleichgemacht werden.
  • Fig. 5 zeigt eine zweite Ausführungsform der vorliegenden Erfindung und die gleichen Bezugszahlen wie die erste Ausführungsform sind an den gleichen Abschnitten wie die erste Ausführungsform angefügt.
  • In Fig. 5 sind eine Vielzahl von Zellen 51 in dem konkaven Abschnitt 22A der oberen Platte 22 vorgesehen. Diese Zellen 51 sind aus einem flexiblen Material gebildet, beispielsweise Nylon oder Gummi. Die Position der unteren Oberfläche (Festspannoberfläche) jeder Zelle 51 stimmt im wsentlichen mit derjenigen der Rückseite der oberen Platte 22 überein. Wachs (nicht gezeigt) wird beispielsweise auf der unteren Oberfläche jeder Zelle 51 angebracht, die an der Innenseite des Führungsrings 32 positioniert ist, und der Wafer 31 wird an die Bodenfläche jeder Zelle 51 durch Wachs angezogen. Das Anziehungsverfahren des Wafers 31 ist nicht auf Wachs beschränkt und ein Zwischenschichtmaterial mit einem Tuch, durch das Wasser gedrangt wird, und eine Vakuumfestspannvorrichtung können verwendet werden. Für den Fall, daß das Zwischenschichtmaterial verwendet wird, ist es erforderlich, daß Material gewählt wird, welches die Position und den Druck der Festspannoberfläche jeder Zelle 51 an den Wafer 31 übertragen kann, wie nachstehend beschrieben gewählt wird. Für den Fall, daß die Vakuumfestspannvorrichtung verwendet wird, ist der Einlaßpfad zwischen den jeweiligen Zellen 51 vorgesehen.
  • Andererseits sind eine Vielzahl von ersten Rohren 52 untereinander an ihren einen Enden verbunden und andere Enden stehen jeweils mit den Zellen 51 in Verbindung. Jedes der ersten Rohre 52 wird verwendet, um Flüssigkeit 36, beispielsweise Wasser, an jede Zelle 51 zuzuführen. Ein Ventil 53 ist an einem Zwischenabschnitt jedes Rohrs 52 vorgesehen, um so einen Druck jeder Zelle 51 zu steuern. Durch die Funktion des Ventils 53 wird ein Druck, der zu dem Halbleiterwafer 31 von der Zelle 51 hinzugefügt werden soll, verändert.
  • An einem unteren Abschnitt der oberen Platte 22, ist ein Meßabschnitt 54 zum Messen einer Wölbung des Wafers vorgesehen. Der Meßabschnitt 54 ist zwischen der in der Fig. 1 gezeigten Polierplatte 21 und einer mit einer gestrichelten Linie gezeigten oberen Platte versehen. Der Meßabschnitt 54 umfaßt beispielsweise ein Gehäuse 58, eine Lichtquelle (L.S) 55, die in dem Gehäuse 58 vorgesehen ist, zum Aussenden eines Laserstrahls, einen Spiegel 56, einen Detektor 57, der beispielsweise aus einem CCD-Leitungssensor gebildet ist, zum Erfassen von Licht, und einem Ansteuerabschnitt 59, der das Gehäuse 58 entlang des Wafers 31 bewegt und den Wafer 31 scannt.
  • Die Polieroberfläche des Wafers 31 wird mit dem Laserstrahl, der von der Lichtquelle 55 ausgesendet wird, durch den Spiegel 56 bestrahlt. Der auf dem Wafer 31 reflektierte Laserstrahl fällt auf den Detektor 57 ein. Ein Winkel θ der Reflektion des Laserstrahls aufgrund des Wafers 31 ändert sich entsprechend der Wölbung des Wafers 31, und die Position des auf den Detektor 57 einfallenden Laserlichts ändert sich entsprechend dem Winkel θ einer Reflektion. Deshalb kann die Wölbung jedes Teils des Wafers 31 aus der Einfallsposition des Laserstrahls auf den Detektor 57 erfaßt werden. Ein Ausgangssignal des Detektors 57 wird an einen Drucksteuerabschnitt 60 angelegt. Der Drucksteuerabschnitt 60 steuert jedes Ventil 53 entsprechend dem Ausgangssignal des Detektors 57 und stellt einen Druck jeder Zelle 51 gemäß der Wölbung des Wafers 31 ein. Deshalb kann die Position einer Festspannoberfläche jeder Zelle 51 gemäß der Wölbung des Wafers 31 eingestellt werden.
  • Fig. 6 ist eine charakteristische Ansicht, die den Zusammenhang eines Wölbungsbetrags H des Wafers 31 und einem Niveauunterschied T der Festspannoberfläche jeder Zelle 51 zeigt. Der Drucksteuerabschnitt 60 steuert die Position der Festspannoberfläche jeder Zelle 51 entsprechend dem erfaßten Wölbungsbetrag auf Grundlage der charakteristische Ansicht. In dieser Weise kann durch Polieren in einem Zustand, daß die Wölbung des Wafers korrigiert wird, die Veränderung einer Polierrate jedes Teils des Wafers gesteuert werden, und die Polierrate jedes Satzes kann gleichgemacht werden.
  • Die Fig. 7 und 8 zeigen eine Karte des Polierbetrags jedes Wafers. Fig. 7 zeigt einen Fall, bei dem ein Polysilizium des Wafers durch die Einrichtung der zweiten Ausführungsform poliert wird, und Fig. 8 zeigt einen Fall, bei dem ein Polysilizium des Wafers durch die herkömmliche Einrichtung poliert wird. Für den Fall, daß ein Polysilizium des Wafers durch die herkömmliche Einrichtung poliert wird, war die Veränderung der inneren Oberfläche der Polierrate ungefähr 16 %. Für den Fall, daß ein Polysilizium des Wafers durch die Einrichtung der zweiten Ausführungsform poliert wird, konnte die Veränderung der Oberfläche der Polierrate auf ungefähr 3 % reduziert werden. Ferner war es für den Fall, daß ein Polysilizium des Wafers durch die Einrichtung der zweiten Ausführungsform poliert wird, möglich, die Veränderung der Polierrate zwischen den jeweiligen Wafern auf ungefähr 3 bis 5 % zu reduzieren.
  • Fig. 9 zeigt eine dritte Ausführungsform der vorliegenden Erfindung, bei der die erste und zweite Ausführungsform kombiniert sind und die gleichen Bezugszahlen wie die ersten und zweiten Ausführungsformen zu den gleichen Abschnitten wie ben den ersten und zweiten Ausführungsformen hinzugefügt sind. Fig. 9 zeigt nur die obere Rate und der Meßabschnitt aus Fig. 5 ist weggelassen. Das Ventil 53 und die Konstant-Temperatureinrichtung 37 sind in dem ersten Rohr 35 vorgesehen. Jedes Ventil 53 wird durch den Drucksteuerabschnitt 60 gesteuert und jede Konstant-Temperatureinrichtung 37 wird durch den Temperatursteuerabschnitt 41 gesteuert. Das erste Rohr 35 und das zweite Rohr 38 sind mit jeder Zelle 51 verbunden. Flüssigkeit 36 jeder Zelle 51 wird durch die Konstant-Temperatureinrichtung 37 in einem Zustand erwärmt, daß ein vorgegebener Druck durch das Ventil 53 angelegt wird. Dann wird Flüssigkeit 36 in dem ersten Rohr 35, der Zelle 51 und dem zweiten Rohr 38 zirkuliert.
  • Gemäß der dritten Ausführungsform werden die Temperatur der Flüssigkeit 36 jeder Zelle 51 und der Druck gemäß der Temperatur jedes Teils des Wafers und dem Betrag der Wölbung gesteuert. Deshalb kann die Polierrate gemäß der Temperatur jedes Teils des Wafers eingestellt werden, und der Wölbungsbetrag, die Polierrate der inneren Oberfläche des Wafers kann weiter gleichgemacht werden.

Claims (7)

1. Poliervorrichtung, umfassend:
eine obere Platte (22) mit einem konkaven Abschnitt (22A) auf ihrer Rückseite;
gekeimzeichnet durch:
eine Vielzahl von Zellen (33), die in dem konkaven Abschnitt der oberen Platte vorgesehen sind, wobei jede Zelle mit Flüssigkeit (36) gefüllt ist und ein zu polierendes Halbleitersubstrat an jede Zelle angezogen wird;
ein Rohr (35, 38) zum Einleiten der Flüssigkeit (36) in jede der Zellen (33); und
eine Einstelleinrichtung (37), die in dem Rohr (35, 38) vorgesehen ist, zum Einstellen einer Temperatur der Flüssigkeit (36), wobei die Einstelleinrichtung (37) die Temperatur der Flüssigkeit jeder Zelle gemäß einer Temperaturverteilung des Halbleitersubstrats (31) einstellt.
2. Vorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das Rohr umfaßt:
ein erstes Rohr (35) zum Einleiten der Flüssigkeit in jede der Zellen; und
ein zweites Rohr (35) mit einem Ende, welches mit jeder der Zellen verbunden ist, und mit einem anderen Ende, das mit dem ersten Rohr zum Abgeben der Flüssigkeit von der Zelle verbunden ist, und zum Einleiten der Flüssigkeit an das erste Rohr.
3. Vorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Einstelleinrichtung umfaßt:
einen Erwärmer (39), der um das erste Rohr herum vorgesehen ist, zum Erwärmen von Flüssigkeit des ersten Rohrs;
eine Pumpe (40), die in dem ersten Rohr vorgesehen ist, zum Bewegen von Flüssigkeit des ersten Rohrs.
4. Poliervorrichtung, umfassend:
eine obere Platte (22) mit einem konkaven Abschnitt (22A) auf ihrer Rückseite;
gekennzeichnet durch:
eine Vielzahl von flexiblen Zellen (51), die in dem konkaven Abschnitt der oberen Platte vorgesehen sind, wobei jede der Zellen (51) mit Flüssigkeit (36) gefüllt ist und ein zu polierendes Halbleitersubstrat (31) an jede Zelle angezogen wird;
ein Rohr (52) zum Einleiten der Flüssigkeit an jede der Zellen (51); und
eine Einstelleinrichtung (53), die in dem Rohr (52) vorgesehen ist, zum Einstellen eines Drucks der Flüssigkeit, wobei die Einstelleinrichtung (53) eine Position einer Oberfläche, an die das Halbleitersubstrat (31) der Zelle angezogen wird, gemäß einem Wölbungsbetrag des Halbleitersubstrats (31) einstellt.
5. Poliervorrichtung nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß sie ferner umfaßt:
eine Meßeinrichtung (54) zum Bestrahlen des Halbleitersubstrats (31) mit Licht und zum Messen eines Wölbungsbetrags des Halbleitersubstrats gemäß einem Winkel eines Lichts, welches von dem Halbleitersubstrat reflektiert wird; und
eine Steuereinrichtung (60) zum Steuern der Einstelleinrichtung (53) gemäß dem Wölbungsbetrag des Halbleitersubstrats, der von der Meßeinrichtung (54) gemessen wird.
6. Vorrichtung nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, daß die Meßeinrichtung (54) umfaßt:
ein Gehäuse (58);
eine Antriebseinrichtung (59), um das Gehäuse (58) entlang des Halbleitersubstrats (31) zu bewegen;
eine Lichtquelle (55) die in dem Gehäuse (58) vorgesehen ist, zum Erzeugen eines Laserstrahls;
eine Einrichtung (56) zum Führen des von der Lichtquelle (55) erzeugten Laserstrahls auf das Halbleitersubstrat (31); und
eine Erfassungseinrichtung (57) zum Erfassen des auf dem Halbleitersubstrat (31) reflektierten Laserstrahls, wobei die Erfassungseinrichtung (57) den Wölbungsbetrag des Halbleitersubstrats durch den erfaßten Reflektionswinkel des Laserstrahls erfaßt.
7. Vorrichtung nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet&sub1; daß die Einstelleinrichtung ein Ventil (53) umfaßt.
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Families Citing this family (121)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5700180A (en) 1993-08-25 1997-12-23 Micron Technology, Inc. System for real-time control of semiconductor wafer polishing
US5820448A (en) * 1993-12-27 1998-10-13 Applied Materials, Inc. Carrier head with a layer of conformable material for a chemical mechanical polishing system
US5643053A (en) * 1993-12-27 1997-07-01 Applied Materials, Inc. Chemical mechanical polishing apparatus with improved polishing control
TW348279B (en) * 1995-04-10 1998-12-21 Matsushita Electric Ind Co Ltd Substrate grinding method
US6024630A (en) 1995-06-09 2000-02-15 Applied Materials, Inc. Fluid-pressure regulated wafer polishing head
JPH09225819A (ja) * 1996-02-21 1997-09-02 Shin Etsu Handotai Co Ltd 被加工物の保持機構
USRE38854E1 (en) 1996-02-27 2005-10-25 Ebara Corporation Apparatus for and method for polishing workpiece
US5762539A (en) 1996-02-27 1998-06-09 Ebara Corporation Apparatus for and method for polishing workpiece
US6183354B1 (en) * 1996-11-08 2001-02-06 Applied Materials, Inc. Carrier head with a flexible membrane for a chemical mechanical polishing system
US6146259A (en) 1996-11-08 2000-11-14 Applied Materials, Inc. Carrier head with local pressure control for a chemical mechanical polishing apparatus
US5941758A (en) * 1996-11-13 1999-08-24 Intel Corporation Method and apparatus for chemical-mechanical polishing
JP3011113B2 (ja) * 1996-11-15 2000-02-21 日本電気株式会社 基板の研磨方法及び研磨装置
DE19651761A1 (de) * 1996-12-12 1998-06-18 Wacker Siltronic Halbleitermat Verfahren und Vorrichtung zum Polieren von Halbleiterscheiben
US6056632A (en) * 1997-02-13 2000-05-02 Speedfam-Ipec Corp. Semiconductor wafer polishing apparatus with a variable polishing force wafer carrier head
US5967881A (en) * 1997-05-29 1999-10-19 Tucker; Thomas N. Chemical mechanical planarization tool having a linear polishing roller
US5873769A (en) * 1997-05-30 1999-02-23 Industrial Technology Research Institute Temperature compensated chemical mechanical polishing to achieve uniform removal rates
JP3027551B2 (ja) * 1997-07-03 2000-04-04 キヤノン株式会社 基板保持装置ならびに該基板保持装置を用いた研磨方法および研磨装置
US5964653A (en) * 1997-07-11 1999-10-12 Applied Materials, Inc. Carrier head with a flexible membrane for a chemical mechanical polishing system
JP3741523B2 (ja) * 1997-07-30 2006-02-01 株式会社荏原製作所 研磨装置
JP3982890B2 (ja) * 1997-08-06 2007-09-26 富士通株式会社 研磨装置、この装置に用いられる研磨治具、及び、この研磨治具に取り付けられる被研磨物取付部材
US5931719A (en) * 1997-08-25 1999-08-03 Lsi Logic Corporation Method and apparatus for using pressure differentials through a polishing pad to improve performance in chemical mechanical polishing
US5975998A (en) * 1997-09-26 1999-11-02 Memc Electronic Materials , Inc. Wafer processing apparatus
US5957750A (en) * 1997-12-18 1999-09-28 Micron Technology, Inc. Method and apparatus for controlling a temperature of a polishing pad used in planarizing substrates
US6121144A (en) * 1997-12-29 2000-09-19 Intel Corporation Low temperature chemical mechanical polishing of dielectric materials
US6080050A (en) * 1997-12-31 2000-06-27 Applied Materials, Inc. Carrier head including a flexible membrane and a compliant backing member for a chemical mechanical polishing apparatus
US6142857A (en) * 1998-01-06 2000-11-07 Speedfam-Ipec Corporation Wafer polishing with improved backing arrangement
JP3467184B2 (ja) * 1998-02-05 2003-11-17 信越半導体株式会社 ワークの研磨方法
US6020262A (en) * 1998-03-06 2000-02-01 Siemens Aktiengesellschaft Methods and apparatus for chemical mechanical planarization (CMP) of a semiconductor wafer
US5985094A (en) * 1998-05-12 1999-11-16 Speedfam-Ipec Corporation Semiconductor wafer carrier
US6106379A (en) * 1998-05-12 2000-08-22 Speedfam-Ipec Corporation Semiconductor wafer carrier with automatic ring extension
US6251215B1 (en) 1998-06-03 2001-06-26 Applied Materials, Inc. Carrier head with a multilayer retaining ring for chemical mechanical polishing
JP2000015570A (ja) * 1998-07-02 2000-01-18 Disco Abrasive Syst Ltd 研削装置
JP2000084836A (ja) * 1998-09-08 2000-03-28 Speedfam-Ipec Co Ltd キャリア及び研磨装置
US6244942B1 (en) * 1998-10-09 2001-06-12 Applied Materials, Inc. Carrier head with a flexible membrane and adjustable edge pressure
US6132298A (en) * 1998-11-25 2000-10-17 Applied Materials, Inc. Carrier head with edge control for chemical mechanical polishing
US6093089A (en) * 1999-01-25 2000-07-25 United Microelectronics Corp. Apparatus for controlling uniformity of polished material
US6231428B1 (en) * 1999-03-03 2001-05-15 Mitsubishi Materials Corporation Chemical mechanical polishing head assembly having floating wafer carrier and retaining ring
JP2000326235A (ja) * 1999-05-17 2000-11-28 Inst Of Physical & Chemical Res Ｅｌｉｄ用砥石とこれを用いたｅｌｉｄ平面研削装置
US6077151A (en) * 1999-05-17 2000-06-20 Vlsi Technology, Inc. Temperature control carrier head for chemical mechanical polishing process
US6358121B1 (en) * 1999-07-09 2002-03-19 Applied Materials, Inc. Carrier head with a flexible membrane and an edge load ring
JP3270428B2 (ja) 1999-07-28 2002-04-02 東芝機械株式会社 電動式射出成形機の旋回装置
DE19941903A1 (de) * 1999-09-02 2001-03-15 Wacker Siltronic Halbleitermat Verfahren und Vorrichtung zum Polieren einer Halbleiterscheibe
JP2001121411A (ja) 1999-10-29 2001-05-08 Applied Materials Inc ウェハー研磨装置
US6227939B1 (en) * 2000-01-25 2001-05-08 Agilent Technologies, Inc. Temperature controlled chemical mechanical polishing method and apparatus
US6629881B1 (en) 2000-02-17 2003-10-07 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for controlling slurry delivery during polishing
DE10009656B4 (de) * 2000-02-24 2005-12-08 Siltronic Ag Verfahren zur Herstellung einer Halbleiterscheibe
DE10012840C2 (de) * 2000-03-16 2001-08-02 Wacker Siltronic Halbleitermat Verfahren zur Herstellung einer Vielzahl von polierten Halbleiterscheiben
KR100780099B1 (ko) * 2000-03-29 2007-11-29 신에쯔 한도타이 가부시키가이샤 연마용 워크지지반, 연마장치 및 연마방법
US6447379B1 (en) 2000-03-31 2002-09-10 Speedfam-Ipec Corporation Carrier including a multi-volume diaphragm for polishing a semiconductor wafer and a method therefor
US6390905B1 (en) 2000-03-31 2002-05-21 Speedfam-Ipec Corporation Workpiece carrier with adjustable pressure zones and barriers
US6336853B1 (en) 2000-03-31 2002-01-08 Speedfam-Ipec Corporation Carrier having pistons for distributing a pressing force on the back surface of a workpiece
US7140956B1 (en) 2000-03-31 2006-11-28 Speedfam-Ipec Corporation Work piece carrier with adjustable pressure zones and barriers and a method of planarizing a work piece
US6506105B1 (en) 2000-05-12 2003-01-14 Multi-Planar Technologies, Inc. System and method for pneumatic diaphragm CMP head having separate retaining ring and multi-region wafer pressure control
US6558232B1 (en) 2000-05-12 2003-05-06 Multi-Planar Technologies, Inc. System and method for CMP having multi-pressure zone loading for improved edge and annular zone material removal control
JP2003533359A (ja) * 2000-05-12 2003-11-11 マルチプレーナーテクノロジーズ インコーポレーテッド 独立のリテーナリングと多領域圧力制御とを備えた空気圧ダイアフラムヘッドおよび該空気圧ダイアフラムヘッドを用いた方法
US6602114B1 (en) 2000-05-19 2003-08-05 Applied Materials Inc. Multilayer retaining ring for chemical mechanical polishing
US6375550B1 (en) * 2000-06-05 2002-04-23 Lsi Logic Corporation Method and apparatus for enhancing uniformity during polishing of a semiconductor wafer
DE10196317T1 (de) * 2000-06-08 2003-11-13 Speedfam Ipec Corp Chandler Orbitalpoliervorrichtung
US7029381B2 (en) * 2000-07-31 2006-04-18 Aviza Technology, Inc. Apparatus and method for chemical mechanical polishing of substrates
WO2002010729A1 (en) * 2000-07-31 2002-02-07 Asml Us, Inc. In-situ method and apparatus for end point detection in chemical mechanical polishing
US6848980B2 (en) 2001-10-10 2005-02-01 Applied Materials, Inc. Vibration damping in a carrier head
US6676497B1 (en) 2000-09-08 2004-01-13 Applied Materials Inc. Vibration damping in a chemical mechanical polishing system
US7497767B2 (en) * 2000-09-08 2009-03-03 Applied Materials, Inc. Vibration damping during chemical mechanical polishing
US7255637B2 (en) * 2000-09-08 2007-08-14 Applied Materials, Inc. Carrier head vibration damping
JP2002187060A (ja) * 2000-10-11 2002-07-02 Ebara Corp 基板保持装置、ポリッシング装置、及び研磨方法
JP4620072B2 (ja) * 2000-10-11 2011-01-26 株式会社荏原製作所 ポリッシング装置
US6447368B1 (en) 2000-11-20 2002-09-10 Speedfam-Ipec Corporation Carriers with concentric balloons supporting a diaphragm
DE10058305A1 (de) 2000-11-24 2002-06-06 Wacker Siltronic Halbleitermat Verfahren zur Oberflächenpolitur von Siliciumscheiben
US6468131B1 (en) 2000-11-28 2002-10-22 Speedfam-Ipec Corporation Method to mathematically characterize a multizone carrier
US6508694B2 (en) * 2001-01-16 2003-01-21 Speedfam-Ipec Corporation Multi-zone pressure control carrier
US6736952B2 (en) * 2001-02-12 2004-05-18 Speedfam-Ipec Corporation Method and apparatus for electrochemical planarization of a workpiece
US6582277B2 (en) 2001-05-01 2003-06-24 Speedfam-Ipec Corporation Method for controlling a process in a multi-zonal apparatus
US6641462B2 (en) * 2001-06-27 2003-11-04 Speedfam-Ipec Corporation Method and apparatus for distributing fluid to a polishing surface during chemical mechanical polishing
JP3970561B2 (ja) * 2001-07-10 2007-09-05 株式会社荏原製作所 基板保持装置及び基板研磨装置
US7086933B2 (en) * 2002-04-22 2006-08-08 Applied Materials, Inc. Flexible polishing fluid delivery system
US6586337B2 (en) 2001-11-09 2003-07-01 Speedfam-Ipec Corporation Method and apparatus for endpoint detection during chemical mechanical polishing
TW541224B (en) * 2001-12-14 2003-07-11 Promos Technologies Inc Chemical mechanical polishing (CMP) apparatus with temperature control
US6736720B2 (en) * 2001-12-26 2004-05-18 Lam Research Corporation Apparatus and methods for controlling wafer temperature in chemical mechanical polishing
US6890249B1 (en) 2001-12-27 2005-05-10 Applied Materials, Inc. Carrier head with edge load retaining ring
US6835125B1 (en) 2001-12-27 2004-12-28 Applied Materials Inc. Retainer with a wear surface for chemical mechanical polishing
US6872130B1 (en) 2001-12-28 2005-03-29 Applied Materials Inc. Carrier head with non-contact retainer
US20060255016A1 (en) * 2002-01-17 2006-11-16 Novellus Systems, Inc. Method for polishing copper on a workpiece surface
US20030134576A1 (en) * 2002-01-17 2003-07-17 Saket Chadda Method for polishing copper on a workpiece surface
US6739958B2 (en) 2002-03-19 2004-05-25 Applied Materials Inc. Carrier head with a vibration reduction feature for a chemical mechanical polishing system
US6790123B2 (en) 2002-05-16 2004-09-14 Speedfam-Ipec Corporation Method for processing a work piece in a multi-zonal processing apparatus
JP2004042217A (ja) * 2002-07-12 2004-02-12 Ebara Corp 研磨方法、研磨装置および研磨工具の製造方法
TWM255104U (en) * 2003-02-05 2005-01-11 Applied Materials Inc Retaining ring with flange for chemical mechanical polishing
US6974371B2 (en) * 2003-04-30 2005-12-13 Applied Materials, Inc. Two part retaining ring
US7341880B2 (en) 2003-09-17 2008-03-11 Luminus Devices, Inc. Light emitting device processes
US7344903B2 (en) * 2003-09-17 2008-03-18 Luminus Devices, Inc. Light emitting device processes
US20050126708A1 (en) * 2003-12-10 2005-06-16 Applied Materials, Inc. Retaining ring with slurry transport grooves
US7150673B2 (en) * 2004-07-09 2006-12-19 Ebara Corporation Method for estimating polishing profile or polishing amount, polishing method and polishing apparatus
US20090023239A1 (en) * 2004-07-22 2009-01-22 Luminus Devices, Inc. Light emitting device processes
DE102004040429B4 (de) * 2004-08-20 2009-12-17 Peter Wolters Gmbh Doppelseiten-Poliermaschine
US20060226123A1 (en) * 2005-04-07 2006-10-12 Applied Materials, Inc. Profile control using selective heating
KR100632468B1 (ko) * 2005-08-31 2006-10-09 삼성전자주식회사 리테이너 링, 연마 헤드 및 화학적 기계적 연마 장치
US7207871B1 (en) * 2005-10-06 2007-04-24 Applied Materials, Inc. Carrier head with multiple chambers
US7153188B1 (en) 2005-10-07 2006-12-26 Applied Materials, Inc. Temperature control in a chemical mechanical polishing system
US20070131562A1 (en) * 2005-12-08 2007-06-14 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for planarizing a substrate with low fluid consumption
US7364496B2 (en) * 2006-03-03 2008-04-29 Inopla Inc. Polishing head for polishing semiconductor wafers
US7391086B1 (en) * 2006-06-28 2008-06-24 Novellus Systems, Inc. Conductive contacts and methods for fabricating conductive contacts for elctrochemical planarization of a work piece
US7335088B1 (en) * 2007-01-16 2008-02-26 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. CMP system with temperature-controlled polishing head
US8110425B2 (en) 2007-03-20 2012-02-07 Luminus Devices, Inc. Laser liftoff structure and related methods
JP5377873B2 (ja) * 2008-03-18 2013-12-25 株式会社東京精密 ウェーハ研磨装置及び該研磨装置を用いたウェーハ研磨方法
US8192248B2 (en) * 2008-05-30 2012-06-05 Memc Electronic Materials, Inc. Semiconductor wafer polishing apparatus and method of polishing
US8371904B2 (en) * 2008-08-08 2013-02-12 Globalfoundries Singapore Pte. Ltd. Polishing with enhanced uniformity
US8591286B2 (en) * 2010-08-11 2013-11-26 Applied Materials, Inc. Apparatus and method for temperature control during polishing
JP5236705B2 (ja) * 2010-09-08 2013-07-17 株式会社荏原製作所 研磨装置
JP5379773B2 (ja) * 2010-10-27 2013-12-25 東京エレクトロン株式会社 めっき処理装置及びめっき処理方法並びにめっき処理プログラムを記録した記録媒体
JP5643151B2 (ja) * 2011-05-17 2014-12-17 新光電気工業株式会社 研磨装置及び研磨方法
US9418904B2 (en) 2011-11-14 2016-08-16 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Localized CMP to improve wafer planarization
US10065288B2 (en) * 2012-02-14 2018-09-04 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Chemical mechanical polishing (CMP) platform for local profile control
US20130210173A1 (en) * 2012-02-14 2013-08-15 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Multiple Zone Temperature Control for CMP
US8873032B1 (en) * 2013-05-07 2014-10-28 CheckPoint Technologies, LLC. Optical probing system having reliable temperature control
JP6266493B2 (ja) * 2014-03-20 2018-01-24 株式会社荏原製作所 研磨装置及び研磨方法
US9610672B2 (en) 2014-06-27 2017-04-04 Applied Materials, Inc. Configurable pressure design for multizone chemical mechanical planarization polishing head
US10414018B2 (en) * 2016-02-22 2019-09-17 Ebara Corporation Apparatus and method for regulating surface temperature of polishing pad
CN106041698B (zh) * 2016-07-19 2018-08-17 苏州赫瑞特电子专用设备科技有限公司 一种双面抛光机的上盘温度检测结构
US10350724B2 (en) * 2017-07-31 2019-07-16 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Temperature control in chemical mechanical polish
US12017322B2 (en) * 2018-08-14 2024-06-25 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Chemical mechanical polishing method
JP7447285B2 (ja) 2020-06-29 2024-03-11 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド 複数の角度方向加圧可能区域を有する研磨キャリアヘッド

Family Cites Families (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3571978A (en) * 1967-09-11 1971-03-23 Spitfire Tool & Machine Co Inc Lapping machine having pressure plates, the temperature of which is controlled by a coolant
DE2809274A1 (de) * 1978-03-03 1979-09-13 Wacker Chemitronic Verfahren zur vergleichmaessigung des polierabtrages von scheiben beim polieren
US4313284A (en) * 1980-03-27 1982-02-02 Monsanto Company Apparatus for improving flatness of polished wafers
DE3128880C2 (de) * 1981-07-22 1987-03-19 Fa. Peter Wolters, 2370 Rendsburg Maschine zum Läppen oder Polieren
US4450652A (en) * 1981-09-04 1984-05-29 Monsanto Company Temperature control for wafer polishing
FR2551382B1 (fr) * 1983-09-02 1986-05-16 Essilor Int Procede et dispositif pour le surfacage d'une lentille optique
JPS6080560A (ja) * 1983-10-12 1985-05-08 Toppan Printing Co Ltd マスクの裏面研磨方法
JPS60146675A (ja) * 1984-01-05 1985-08-02 Canon Inc チヤツク
JPH0696225B2 (ja) * 1987-10-23 1994-11-30 信越半導体株式会社 研磨方法
US4918869A (en) * 1987-10-28 1990-04-24 Fujikoshi Machinery Corporation Method for lapping a wafer material and an apparatus therefor
DE3801969A1 (de) * 1988-01-23 1989-07-27 Zeiss Carl Fa Verfahren und vorrichtung zum laeppen bzw. polieren optischer flaechen
JPH01216768A (ja) * 1988-02-25 1989-08-30 Showa Denko Kk 半導体基板の研磨方法及びその装置
JPH079896B2 (ja) * 1988-10-06 1995-02-01 信越半導体株式会社 研磨装置
US4912883A (en) * 1989-02-13 1990-04-03 International Business Machines Corporation Lapping control system for magnetic transducers
JPH02240925A (ja) * 1989-03-15 1990-09-25 Hitachi Ltd ウエハ研磨装置
US5127196A (en) * 1990-03-01 1992-07-07 Intel Corporation Apparatus for planarizing a dielectric formed over a semiconductor substrate
US5036630A (en) * 1990-04-13 1991-08-06 International Business Machines Corporation Radial uniformity control of semiconductor wafer polishing
US5203119A (en) * 1991-03-22 1993-04-20 Read-Rite Corporation Automated system for lapping air bearing surface of magnetic heads
JP3370112B2 (ja) * 1992-10-12 2003-01-27 不二越機械工業株式会社 ウエハーの研磨装置
US5398459A (en) * 1992-11-27 1995-03-21 Kabushiki Kaisha Toshiba Method and apparatus for polishing a workpiece

Also Published As

Publication number Publication date
KR950012624A (ko) 1995-05-16
JPH07122523A (ja) 1995-05-12
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JP3311116B2 (ja) 2002-08-05
EP0650806B1 (de) 1997-09-03
DE69405342D1 (de) 1997-10-09
EP0650806A1 (de) 1995-05-03
KR0147451B1 (ko) 1998-11-02

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