JPS6080560A - マスクの裏面研磨方法 - Google Patents
マスクの裏面研磨方法Info
- Publication number
- JPS6080560A JPS6080560A JP58190060A JP19006083A JPS6080560A JP S6080560 A JPS6080560 A JP S6080560A JP 58190060 A JP58190060 A JP 58190060A JP 19006083 A JP19006083 A JP 19006083A JP S6080560 A JPS6080560 A JP S6080560A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- mask
- thin film
- liquid
- holding layer
- polishing
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
- B24B37/27—Work carriers
- B24B37/30—Work carriers for single side lapping of plane surfaces
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Constituent Portions Of Griding Lathes, Driving, Sensing And Control (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（発明の技術分野）
本発明は、集積回路を製造する際に用し・るフメートマ
スクやレチクルマスク等の遮光性ノくターンマスク板の
裏面研磨方法に関する。
スクやレチクルマスク等の遮光性ノくターンマスク板の
裏面研磨方法に関する。
（発明の技術的背景とその問題点）
・ −・・ｄ−・・吃力１１・づブ／７ ／ ｌ′−Ｉ
Ｔ吊−ｆマスクという）は、第１図に示すように、透
明基板（１）の表面中央部（２１に遮光性パターン薄膜
（３）を有するものであるが、透明基板（１）の裏面に
、製造工程中あるいは使用中に何らかの機械的接触やノ
・ンドリングミスによってどうしても点状あるいは線状
の傷がつきやすいものである。この傷は欠陥であり、裏
面を研磨することで解消することが行なわれているが、
裏面研磨のため、マスク表面をロウやワックスにより支
持台に固定して研磨する方法では、研磨後にマスクを支
持台から脱着すること、およびマスク表面を洗浄するの
て手間がかかり、作業性が悪いものであった、真空吸引
方式にてマスクを支持台に固着することも考えらねるｈ
″−１第２図に示すように、真空吸引方式では、遮光性
パターン薄膜（３）が剥離する慣れがあるので、中央部
（２）を支持台（５）と接触させるわけにいかず、中央
部（２）を浮かせて周辺部（４）のみ支持台（５）に接
触させて真空吸引することになる。しかし、このような
固定機構では研磨中にマスクの透明基板（１１の中央ｆ
］２１が下方に湾曲して、周辺部（４）がもちあがり、
均一な研磨ができないばかりが、研磨中にマスク端部に
欠けや割れが生じるなどの問題があり、とても実用化で
きないものであった。
Ｔ吊−ｆマスクという）は、第１図に示すように、透
明基板（１）の表面中央部（２１に遮光性パターン薄膜
（３）を有するものであるが、透明基板（１）の裏面に
、製造工程中あるいは使用中に何らかの機械的接触やノ
・ンドリングミスによってどうしても点状あるいは線状
の傷がつきやすいものである。この傷は欠陥であり、裏
面を研磨することで解消することが行なわれているが、
裏面研磨のため、マスク表面をロウやワックスにより支
持台に固定して研磨する方法では、研磨後にマスクを支
持台から脱着すること、およびマスク表面を洗浄するの
て手間がかかり、作業性が悪いものであった、真空吸引
方式にてマスクを支持台に固着することも考えらねるｈ
″−１第２図に示すように、真空吸引方式では、遮光性
パターン薄膜（３）が剥離する慣れがあるので、中央部
（２）を支持台（５）と接触させるわけにいかず、中央
部（２）を浮かせて周辺部（４）のみ支持台（５）に接
触させて真空吸引することになる。しかし、このような
固定機構では研磨中にマスクの透明基板（１１の中央ｆ
］２１が下方に湾曲して、周辺部（４）がもちあがり、
均一な研磨ができないばかりが、研磨中にマスク端部に
欠けや割れが生じるなどの問題があり、とても実用化で
きないものであった。
（発明の目的）
本発明は、以上のよりな間１題・点を踏まえ、マスク板
がイ！７１磨中に研磨圧によって湾曲することがなく（
しかも着脱が容易な固定機構を案出して、マスクの裏面
研磨を効率的に行なえる方法を提供するものである。
がイ！７１磨中に研磨圧によって湾曲することがなく（
しかも着脱が容易な固定機構を案出して、マスクの裏面
研磨を効率的に行なえる方法を提供するものである。
（発明の概要）
すなわち、本発明は、透明基板の表面如遮光性パターン
薄膜を有す・るマスクの裏面研磨方法において、前記マ
スクの表面を下向きにして、該遮光性パターン薄膜が存
在しないマスク表面周辺部を真空吸引手段にて固着し、
遮光性パターン薄膜が存在するマスク表面中央部を圧縮
性の少ない安定液体からなる保持層にて支え、かがる状
態で上向きのマスク裏面を研磨することを１！Ｊ徴とす
るマスクの裏面研磨方法である。
薄膜を有す・るマスクの裏面研磨方法において、前記マ
スクの表面を下向きにして、該遮光性パターン薄膜が存
在しないマスク表面周辺部を真空吸引手段にて固着し、
遮光性パターン薄膜が存在するマスク表面中央部を圧縮
性の少ない安定液体からなる保持層にて支え、かがる状
態で上向きのマスク裏面を研磨することを１！Ｊ徴とす
るマスクの裏面研磨方法である。
（発明の詳述）
図面の第６図に基いて、本発明の一実施例を説明すると
、図において、マスクの透明基板（１１の中央部（２）
には、失言したように、遮光性パターン薄膜（３）が設
けられている。一方、周辺部（４）には、かかる薄膜は
無いので、支長体（５）としては、限られた区域ではあ
るがマスクの周辺部（４）と接触することは、許容され
るのである。よって、この部分に真空吸引手段のための
真空室（６）を支持台（５）に形成するものである。真
空室（６）Ｋは真空吸引パイプ（７）を付設し、これに
より、１平方センチメートルあたり１キログラム弱の固
着力が得られる。遮光性パターン薄膜（３）が下向きに
位置している中火部（２）て対しては、保）層（８）と
して内部に圧縮性の少ない液体を充填する。この保持層
（８） Ｋは耐圧弁ｔ９） （９）’を介して、液体の
供給と排出を行なう供給管（１ｏ）と排出管０υが伺設
され、保持層（８）内に充填される液体を定量に保つよ
うに調節するものてある。かかる状態で、ω［Ｍ砥石（
１２）が、マスクの裏面をωト磨するものである。
、図において、マスクの透明基板（１１の中央部（２）
には、失言したように、遮光性パターン薄膜（３）が設
けられている。一方、周辺部（４）には、かかる薄膜は
無いので、支長体（５）としては、限られた区域ではあ
るがマスクの周辺部（４）と接触することは、許容され
るのである。よって、この部分に真空吸引手段のための
真空室（６）を支持台（５）に形成するものである。真
空室（６）Ｋは真空吸引パイプ（７）を付設し、これに
より、１平方センチメートルあたり１キログラム弱の固
着力が得られる。遮光性パターン薄膜（３）が下向きに
位置している中火部（２）て対しては、保）層（８）と
して内部に圧縮性の少ない液体を充填する。この保持層
（８） Ｋは耐圧弁ｔ９） （９）’を介して、液体の
供給と排出を行なう供給管（１ｏ）と排出管０υが伺設
され、保持層（８）内に充填される液体を定量に保つよ
うに調節するものてある。かかる状態で、ω［Ｍ砥石（
１２）が、マスクの裏面をωト磨するものである。
一般に、液体の圧縮率は、固体と同程度であるので、マ
スクの透明基板（１）は、その中央部（２）も固体で支
えられているのと同様になり、研磨中も湾曲を生じるこ
とがない。保持層（８）の内部に用いることのできる液
体は、透明基板（１）や薄膜（３）を侵さない化学的に
安定な液体であればＨとんど全ての液体があてはまるが
、使い易さと研磨後の洗浄を簡略化することから、純水
が望ましい。
スクの透明基板（１）は、その中央部（２）も固体で支
えられているのと同様になり、研磨中も湾曲を生じるこ
とがない。保持層（８）の内部に用いることのできる液
体は、透明基板（１）や薄膜（３）を侵さない化学的に
安定な液体であればＨとんど全ての液体があてはまるが
、使い易さと研磨後の洗浄を簡略化することから、純水
が望ましい。
研磨が完了したのちは、真空室（６）内を大気圧にもど
し、必要とあれば、保持層（８）内へ幾分かの圧力をも
って液体を導入することにより、マスクを簡単に支持台
（５）から離すことができる。
し、必要とあれば、保持層（８）内へ幾分かの圧力をも
って液体を導入することにより、マスクを簡単に支持台
（５）から離すことができる。
（発明の効果）
本発明は以上のようなマスクの裏面研磨方法であり、本
発明によｈは、液体からなる保持層にて支えられたマス
ク中央部は研磨中も湾曲することがなく、したがって裏
面を均一にイυ１磨でき、マスク端部に欠けや割れが生
じるというような事故も防ぐことができる。しかも、本
発明の方法では研磨後のマスクの脱着が容易に行なえる
ので、作業性も良（、短時間に処理できてマスクの汚染
も少ないという利点がある。
発明によｈは、液体からなる保持層にて支えられたマス
ク中央部は研磨中も湾曲することがなく、したがって裏
面を均一にイυ１磨でき、マスク端部に欠けや割れが生
じるというような事故も防ぐことができる。しかも、本
発明の方法では研磨後のマスクの脱着が容易に行なえる
ので、作業性も良（、短時間に処理できてマスクの汚染
も少ないという利点がある。
第１図はマスクの一例を示す平面図であり、第２図は従
来の研磨保持機構の欠点を示す説明図であり、第３図は
本発明の研磨方法の一実施例を示す説明図である。 （１）・・・透明基板 （２）・・・中央部（３）・・
・遮光性パターン薄膜 （４）・・周辺部（５）・・・
支持台 （６）・・・真空室（７）・・・パイプ（８）
・・・保持層（９）・・・削圧台 （１ｏ）・・・供給
管圓・・・排出管 （１２）・・・砥石 ｑ前作１」４鳳↓人 第：３図
来の研磨保持機構の欠点を示す説明図であり、第３図は
本発明の研磨方法の一実施例を示す説明図である。 （１）・・・透明基板 （２）・・・中央部（３）・・
・遮光性パターン薄膜 （４）・・周辺部（５）・・・
支持台 （６）・・・真空室（７）・・・パイプ（８）
・・・保持層（９）・・・削圧台 （１ｏ）・・・供給
管圓・・・排出管 （１２）・・・砥石 ｑ前作１」４鳳↓人 第：３図
Claims (1)
- （１）透明基板の表面に遮光性ノーターン薄膜を有する
マスクの裏面研磨方法において、前記マスクの表面を下
向きにして、該遮光性ノくターン薄膜カー存在しないマ
スク表面周辺部を真空吸引手段にて固着し、遮光性パタ
ーン薄膜が存在するマスク表面中央部を圧縮性の少ない
安定液体からなる保持層にて支え、かかる状態で上向き
のマスク裏面な研磨スることを特徴とするマスクの裏面
研磨方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58190060A JPS6080560A (ja) | 1983-10-12 | 1983-10-12 | マスクの裏面研磨方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58190060A JPS6080560A (ja) | 1983-10-12 | 1983-10-12 | マスクの裏面研磨方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6080560A true JPS6080560A (ja) | 1985-05-08 |
Family
ID=16251675
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58190060A Pending JPS6080560A (ja) | 1983-10-12 | 1983-10-12 | マスクの裏面研磨方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6080560A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0650806A1 (en) * | 1993-10-28 | 1995-05-03 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Polishing apparatus of semiconductor wafer |
| EP0655772A3 (en) * | 1993-11-30 | 1995-07-12 | Setek M Kk | Substrate cleaning method and apparatus. |
| US7234150B2 (en) | 2002-03-22 | 2007-06-19 | Funai Electric Co., Ltd. | Method and apparatus for controlling a disk drive |
-
1983
- 1983-10-12 JP JP58190060A patent/JPS6080560A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0650806A1 (en) * | 1993-10-28 | 1995-05-03 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Polishing apparatus of semiconductor wafer |
| EP0655772A3 (en) * | 1993-11-30 | 1995-07-12 | Setek M Kk | Substrate cleaning method and apparatus. |
| US7234150B2 (en) | 2002-03-22 | 2007-06-19 | Funai Electric Co., Ltd. | Method and apparatus for controlling a disk drive |
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