JP2002270554A - Ｃｍｐ装置及び研磨パッドの掃除方法 - Google Patents
Ｃｍｐ装置及び研磨パッドの掃除方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 コンディショナーより研磨パッドに脱落した
ダイヤモンド微粒子を除去できるＣＭＰ装置及び研磨パ
ッドの掃除方法を提供する。 【解決手段】 ＣＭＰ装置であって、研磨テーブルとウ
ェハーチャックと研磨パッドと研磨液供給装置とコンデ
ィショナーと掃除ユニットとからなる。同期実行式及び
非同期実行式ＣＭＰに応じてウェハーチャックとコンデ
ィショナーと掃除ユニットおよび研磨液供給装置を合理
的に配置することにより、ウェハーを研磨後の研磨パッ
ドのエリア（I）はコンディショナーによる処理に加え
掃除ユニットにより脱落したダイヤモンド微粒子を除去
されてから、続いて研磨液を受けてウェハーを研磨す
る。
ダイヤモンド微粒子を除去できるＣＭＰ装置及び研磨パ
ッドの掃除方法を提供する。 【解決手段】 ＣＭＰ装置であって、研磨テーブルとウ
ェハーチャックと研磨パッドと研磨液供給装置とコンデ
ィショナーと掃除ユニットとからなる。同期実行式及び
非同期実行式ＣＭＰに応じてウェハーチャックとコンデ
ィショナーと掃除ユニットおよび研磨液供給装置を合理
的に配置することにより、ウェハーを研磨後の研磨パッ
ドのエリア（I）はコンディショナーによる処理に加え
掃除ユニットにより脱落したダイヤモンド微粒子を除去
されてから、続いて研磨液を受けてウェハーを研磨す
る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はＣＭＰ（化学的機械
的研磨）装置に関わり、特に掃除ユニット、例えば掃除
用ブラシを用いてコンディショナーより研磨パッドに脱
落したダイヤモンド微粒子を除去することのできるＣＭ
Ｐ装置に関する。
的研磨）装置に関わり、特に掃除ユニット、例えば掃除
用ブラシを用いてコンディショナーより研磨パッドに脱
落したダイヤモンド微粒子を除去することのできるＣＭ
Ｐ装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体製造工程において、表面の平坦化
は高密度の微細パターンの処理に関する重要な技術であ
る。表面が平坦となることによって、露光に際しての光
散乱が避けられパターン転写が精密に行われる。平坦化
技術としてはＳＯＧ（Spin-OnGlass）法とＣＭＰ法との
二つの方法が挙げられるが、半導体製造技術がサブミク
ロンレベルに達したことに連れて、前記ＳＯＧ法を用い
る場合所要の平坦度を達成することができなくなる。こ
のため、ＣＭＰ法は超ＬＳＩ或いは超々ＬＳＩの製造工
程に用いられる有数な各種の全面的平坦化技術の一とな
る。ＣＭＰ法とは、研磨液内の化学試薬をウェハーの正
面と化学反応させ研磨し易い研磨層を形成すると共に該
研磨層の突起部を除去するように研磨パッドに置かれる
ウェハーに対し研磨液内の研磨微粒子を以って機械的研
磨を施すことを繰り返して行うことにより、平坦な表面
を形成するものである。いわば、ＣＭＰ法とは機械的研
磨原理に基づき適当な化学試薬と研磨微粒子を用いて表
面の段差をなくす平坦化技術である。
は高密度の微細パターンの処理に関する重要な技術であ
る。表面が平坦となることによって、露光に際しての光
散乱が避けられパターン転写が精密に行われる。平坦化
技術としてはＳＯＧ（Spin-OnGlass）法とＣＭＰ法との
二つの方法が挙げられるが、半導体製造技術がサブミク
ロンレベルに達したことに連れて、前記ＳＯＧ法を用い
る場合所要の平坦度を達成することができなくなる。こ
のため、ＣＭＰ法は超ＬＳＩ或いは超々ＬＳＩの製造工
程に用いられる有数な各種の全面的平坦化技術の一とな
る。ＣＭＰ法とは、研磨液内の化学試薬をウェハーの正
面と化学反応させ研磨し易い研磨層を形成すると共に該
研磨層の突起部を除去するように研磨パッドに置かれる
ウェハーに対し研磨液内の研磨微粒子を以って機械的研
磨を施すことを繰り返して行うことにより、平坦な表面
を形成するものである。いわば、ＣＭＰ法とは機械的研
磨原理に基づき適当な化学試薬と研磨微粒子を用いて表
面の段差をなくす平坦化技術である。
【０００３】図１の（ａ）及び（ｂ）は夫々従来の同期
実行式ＣＭＰ装置を示す平面図及び断面図である。ＣＭ
Ｐ装置１００としては、主に当時実行式（in-situ）と
非実行式（ex-situ）ＣＭＰ装置が２種挙げられる。同
期実行式ＣＭＰ装置は主に研磨テーブル１０１とウェハ
ーチャック１０２と研磨パッドとチューブ１０６とハイ
ドロリックポンプ１０８とコンディショナー１１０から
なる。その内、ウェハーチャック１０２はウェハーを把
持するものであり、研磨パッド１０４は研磨テーブル１
０１の上に設けられ、チューブ１０６は研磨液１１４を
研磨パッド１０４へ配送するもの、ハイドロリックポン
プ１０８は研磨液１１４をチューブ１０６内に吸引する
もの、コンディショナー１１０はその表面に嵌着されて
いるダイヤモンド微粒子を以って研磨パッド１０４表面
の粗さを維持したり研磨１０４表面の雑物を掃除したり
するものである。
実行式ＣＭＰ装置を示す平面図及び断面図である。ＣＭ
Ｐ装置１００としては、主に当時実行式（in-situ）と
非実行式（ex-situ）ＣＭＰ装置が２種挙げられる。同
期実行式ＣＭＰ装置は主に研磨テーブル１０１とウェハ
ーチャック１０２と研磨パッドとチューブ１０６とハイ
ドロリックポンプ１０８とコンディショナー１１０から
なる。その内、ウェハーチャック１０２はウェハーを把
持するものであり、研磨パッド１０４は研磨テーブル１
０１の上に設けられ、チューブ１０６は研磨液１１４を
研磨パッド１０４へ配送するもの、ハイドロリックポン
プ１０８は研磨液１１４をチューブ１０６内に吸引する
もの、コンディショナー１１０はその表面に嵌着されて
いるダイヤモンド微粒子を以って研磨パッド１０４表面
の粗さを維持したり研磨１０４表面の雑物を掃除したり
するものである。
【０００４】同期実行式ＣＭＰ装置１００はウェハー１
１２を研磨する際、コンディショナー１１０は研磨パッ
ド１０４の適当な粗さを維持することができるため、し
研磨パッド１０４は十分な研磨液１１４を吸着すること
ができる。このため、研磨速度を高く且つ安定的に維持
し研磨パッド１０４表面の雑物を除去することができ
る。
１２を研磨する際、コンディショナー１１０は研磨パッ
ド１０４の適当な粗さを維持することができるため、し
研磨パッド１０４は十分な研磨液１１４を吸着すること
ができる。このため、研磨速度を高く且つ安定的に維持
し研磨パッド１０４表面の雑物を除去することができ
る。
【０００５】一方、非同期実行式ＣＭＰ装置の構成は同
期実行式ＣＭＰ装置のそれと類似するが、同期実行式Ｃ
ＭＰ装置においてウェハー１１２を研磨しながらコンデ
ィショナー１１０は研磨パッド１０４の粗さを維持する
のに対し、非同期実行式ＣＭＰ装置においてウェハー１
１２の研磨が完了後にコンディショナーは研磨パッド１
０４の粗さを維持したり雑物を除去したりするという点
で両者が相違する。
期実行式ＣＭＰ装置のそれと類似するが、同期実行式Ｃ
ＭＰ装置においてウェハー１１２を研磨しながらコンデ
ィショナー１１０は研磨パッド１０４の粗さを維持する
のに対し、非同期実行式ＣＭＰ装置においてウェハー１
１２の研磨が完了後にコンディショナーは研磨パッド１
０４の粗さを維持したり雑物を除去したりするという点
で両者が相違する。
【０００６】しかしながら、従来の同期実行式及び非同
期実行式ＣＭＰ装置の何れにも、コンディショナーで研
磨パッドの粗さを維持する場合コンディショナーのダイ
ヤモンド微粒子が研磨パッドに脱落しウェハーに擦り傷
をつける問題がある。
期実行式ＣＭＰ装置の何れにも、コンディショナーで研
磨パッドの粗さを維持する場合コンディショナーのダイ
ヤモンド微粒子が研磨パッドに脱落しウェハーに擦り傷
をつける問題がある。
【０００７】また、従来のようなダイヤモンド微粒子の
脱落の問題はコンディショナーの製作方法やダイヤモン
ド微粒子の固着材料によるものではなく、研磨に際して
の研磨液の腐食性及び機械応力に起因するものである。
脱落の問題はコンディショナーの製作方法やダイヤモン
ド微粒子の固着材料によるものではなく、研磨に際して
の研磨液の腐食性及び機械応力に起因するものである。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】前記のような問題点を
解決するため、本発明の目的は掃除ユニット、例えば掃
除用ブラシを用いてコンディショナーより研磨パッドに
脱落したダイヤモンド微粒子を除去することのできるＣ
ＭＰ装置及び研磨パッドの掃除方法を提供することにあ
る。
解決するため、本発明の目的は掃除ユニット、例えば掃
除用ブラシを用いてコンディショナーより研磨パッドに
脱落したダイヤモンド微粒子を除去することのできるＣ
ＭＰ装置及び研磨パッドの掃除方法を提供することにあ
る。
【０００９】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するた
め、本発明はウェハーの同期実行式ＣＭＰプロセスに適
するＣＭＰ装置であって、少なくとも、上に前記ウェハ
ーを研磨する研磨パッドが設けられ且つ第１の方向に沿
って回転する研磨テーブルと、前記ウェハーを前記研磨
パッドに接触させるように前記ウェハーを把持するウェ
ハーチャックと、前記研磨パッドと接触する複数のダイ
ヤモンド微粒子を有し研磨パッドの粗さを維持したり雑
物を除去したりするコンディショナーと、前記コンディ
ショナーから前記研磨パッドに脱落したダイヤモンド微
粒子を除く掃除ユニットとからなり、前記ウェハーチャ
ックと前記コンディショナー及び前記掃除ユニットは順
次に前記第１の方向に沿って該研磨パッドの上方に配置
されている。
め、本発明はウェハーの同期実行式ＣＭＰプロセスに適
するＣＭＰ装置であって、少なくとも、上に前記ウェハ
ーを研磨する研磨パッドが設けられ且つ第１の方向に沿
って回転する研磨テーブルと、前記ウェハーを前記研磨
パッドに接触させるように前記ウェハーを把持するウェ
ハーチャックと、前記研磨パッドと接触する複数のダイ
ヤモンド微粒子を有し研磨パッドの粗さを維持したり雑
物を除去したりするコンディショナーと、前記コンディ
ショナーから前記研磨パッドに脱落したダイヤモンド微
粒子を除く掃除ユニットとからなり、前記ウェハーチャ
ックと前記コンディショナー及び前記掃除ユニットは順
次に前記第１の方向に沿って該研磨パッドの上方に配置
されている。
【００１０】このような構成によって、ウェハーを研磨
する研磨パッドのエリアはコンディショナーによる処理
に加え掃除ユニット（例えば掃除用ブラシ）により脱落
したダイヤモンド微粒子を除去されてから、続いて研磨
液を受けてウェハーを研磨する。従って、ウェハーに擦
り傷をつけることを有効に防止することができる。
する研磨パッドのエリアはコンディショナーによる処理
に加え掃除ユニット（例えば掃除用ブラシ）により脱落
したダイヤモンド微粒子を除去されてから、続いて研磨
液を受けてウェハーを研磨する。従って、ウェハーに擦
り傷をつけることを有効に防止することができる。
【００１１】また、前記目的を達成するため、本発明は
ウェハーの非同期実行式ＣＭＰプロセスに適するＣＭＰ
装置であって、少なくとも、上に前記ウェハーを研磨す
る研磨パッドが設けられ且つ第１の方向に沿って回転す
る研磨テーブルと、前記ウェハーを前記研磨パッドに接
触させるように前記ウェハーを把持するウェハーチャッ
クと、前記研磨パッドと接触する複数のダイヤモンド微
粒子を有し研磨パッドの粗さを維持したり雑物を除去し
たりするコンディショナーと、前記コンディショナーか
ら前記研磨パッドに脱落したダイヤモンド微粒子を除く
掃除ユニットとからなり、前記ウェハーチャックと前記
コンディショナーは順次に前記第１の方向に沿って該研
磨パッドの上方に配置され、前記掃除ユニットは前記研
磨パッドの上方に配置されている。
ウェハーの非同期実行式ＣＭＰプロセスに適するＣＭＰ
装置であって、少なくとも、上に前記ウェハーを研磨す
る研磨パッドが設けられ且つ第１の方向に沿って回転す
る研磨テーブルと、前記ウェハーを前記研磨パッドに接
触させるように前記ウェハーを把持するウェハーチャッ
クと、前記研磨パッドと接触する複数のダイヤモンド微
粒子を有し研磨パッドの粗さを維持したり雑物を除去し
たりするコンディショナーと、前記コンディショナーか
ら前記研磨パッドに脱落したダイヤモンド微粒子を除く
掃除ユニットとからなり、前記ウェハーチャックと前記
コンディショナーは順次に前記第１の方向に沿って該研
磨パッドの上方に配置され、前記掃除ユニットは前記研
磨パッドの上方に配置されている。
【００１２】このような構成によって、ウェハーチャッ
クとコンディショナー及び掃除ユニットの夫々による各
処理が必ずしも順次に行うものではないので、ウェハー
チャックとコンディショナーと掃除ユニットとの間の配
置関係は特に限定されるものではない。このため、その
掃除ユニットを用いるとウェハーに擦り傷をつけること
を有効に防止することもできる。
クとコンディショナー及び掃除ユニットの夫々による各
処理が必ずしも順次に行うものではないので、ウェハー
チャックとコンディショナーと掃除ユニットとの間の配
置関係は特に限定されるものではない。このため、その
掃除ユニットを用いるとウェハーに擦り傷をつけること
を有効に防止することもできる。
【００１３】更に、前記目的を達成するため、本発明は
ウェハーに擦り傷をつけるダイヤモンド微粒子が研磨パ
ッドに現われることを防止するためのＣＭＰ装置の研磨
パッドを掃除する方法であって、少なくとも前記研磨パ
ッドを掃除するコンディショナーを提供する段階と、前
記コンディショナーが前記研磨パッドを掃除する際該コ
ンディショナーから脱落したダイヤモンド微粒子を除去
する掃除ユニットを提供する段階とからなる。
ウェハーに擦り傷をつけるダイヤモンド微粒子が研磨パ
ッドに現われることを防止するためのＣＭＰ装置の研磨
パッドを掃除する方法であって、少なくとも前記研磨パ
ッドを掃除するコンディショナーを提供する段階と、前
記コンディショナーが前記研磨パッドを掃除する際該コ
ンディショナーから脱落したダイヤモンド微粒子を除去
する掃除ユニットを提供する段階とからなる。
【００１４】また、本発明では前記掃除ユニットは研磨
パッドより脱落したダイヤモンド微粒子を除去できるも
のであれば、色々な態様、例えば、円形やバレル型掃除
用ブラシなどでありうる。
パッドより脱落したダイヤモンド微粒子を除去できるも
のであれば、色々な態様、例えば、円形やバレル型掃除
用ブラシなどでありうる。
【００１５】
【発明の実施の形態】前記の目的を達成して従来の欠点
を除去するための課題を実行する本発明の実施例の構成
とその作用を添付図面に基づき詳細に説明する。
を除去するための課題を実行する本発明の実施例の構成
とその作用を添付図面に基づき詳細に説明する。
【００１６】図２は本発明の実施例の同期実行式ＣＭＰ
装置を示す図である。図２によると、本発明の同期実行
式ＣＭＰ装置２００は主に研磨テーブル２０１とウェハ
ーチャック２０２と研磨パッド２０４と研磨液供給装置
２０５とコンディショナー２１０と掃除ユニット２１６
からなる。その内、ウェハーチャック２０２はウェハー
２１２を研磨パッド２０４に接触させるようにウェハー
２１２を把持するものである。研磨パッド２０４は研磨
テーブル２０１の上方に配置されており、例えば、ポリ
ウレタン材のIC1000からなる。コンディショナー２１０
は研磨パッド２０４と接触するところに装着する数多い
ダイヤモンド微粒子を以って研磨パッド２０４表面の粗
さを維持したり研磨パッド２０４表面の雑物を除去した
りするもの、例えば、ダイヤモンド研削砥石である。研
磨液供給系２０５は例えばチューブ２０６とハイドロリ
ックポンプ２０８からなる。チューブ２０６は研磨液を
研磨パッド２０４へ配送するもの、ハイドロリックポン
プ２０８は研磨液をチューブ２０６内に吸引するもので
ある。掃除ユニット１１６はウェハー２１２に擦り傷を
つけることを防止するためにコンディショナー２１０か
ら脱落したダイヤモンド微粒子を除去するもの、例え
ば、円形掃除用ブラシやバレル型掃除用ブラシなどであ
る。
装置を示す図である。図２によると、本発明の同期実行
式ＣＭＰ装置２００は主に研磨テーブル２０１とウェハ
ーチャック２０２と研磨パッド２０４と研磨液供給装置
２０５とコンディショナー２１０と掃除ユニット２１６
からなる。その内、ウェハーチャック２０２はウェハー
２１２を研磨パッド２０４に接触させるようにウェハー
２１２を把持するものである。研磨パッド２０４は研磨
テーブル２０１の上方に配置されており、例えば、ポリ
ウレタン材のIC1000からなる。コンディショナー２１０
は研磨パッド２０４と接触するところに装着する数多い
ダイヤモンド微粒子を以って研磨パッド２０４表面の粗
さを維持したり研磨パッド２０４表面の雑物を除去した
りするもの、例えば、ダイヤモンド研削砥石である。研
磨液供給系２０５は例えばチューブ２０６とハイドロリ
ックポンプ２０８からなる。チューブ２０６は研磨液を
研磨パッド２０４へ配送するもの、ハイドロリックポン
プ２０８は研磨液をチューブ２０６内に吸引するもので
ある。掃除ユニット１１６はウェハー２１２に擦り傷を
つけることを防止するためにコンディショナー２１０か
ら脱落したダイヤモンド微粒子を除去するもの、例え
ば、円形掃除用ブラシやバレル型掃除用ブラシなどであ
る。
【００１７】ＣＭＰプロセスを行う場合、ウェハーチャ
ック２０２はウェハー２１２の正面を研磨パッド２０４
に完全に接触させるようにウェハー２１２の背面を把持
する。同期実行式ＣＭＰ装置２００の場合、ウェハーチ
ャック２０２とコンディショナー２１０及び掃除ユニッ
ト２１６は順次に、例えば、第１の方向２１８に沿って
研磨パッド２０４の上方にある適当な位置に配置され
る。このようにして、ウェハー２１２を研磨後の研磨パ
ッド２０４のエリアはコンディショナー２１０による調
節により適当な粗さを維持され、研磨パッド２０４は十
分な研磨液を吸着することができる。このため、研磨速
度を高く且つ安定的に維持し研磨パッド２０４表面の雑
物を除去することができる。その後、掃除ユニット２１
６を以って掃除しコンディショナー２１０から不意に脱
落したダイヤモンド微粒子を除去する。そうして、続い
て既に掃除ユニット２１６により掃除された研磨パッド
２０４のエリアにてウェハー２１２に対し研磨を施す。
掃除ユニット２１６は例えば円形のブラシであり、例え
ば第２の方向２２０（研磨テーブル２０１の第１の方向
２１８と一致する）に沿って回転することができる。掃
除ユニット２１６とウェハーチャック２０２との間のエ
リアは研磨液を注入するアリアＩである。チューブ２０
６を介してハイドロリックポンプ２０８により吸い上げ
られる研磨液はこのエリアＩに注入することによりどん
どん研磨パッド２０４に供給される。
ック２０２はウェハー２１２の正面を研磨パッド２０４
に完全に接触させるようにウェハー２１２の背面を把持
する。同期実行式ＣＭＰ装置２００の場合、ウェハーチ
ャック２０２とコンディショナー２１０及び掃除ユニッ
ト２１６は順次に、例えば、第１の方向２１８に沿って
研磨パッド２０４の上方にある適当な位置に配置され
る。このようにして、ウェハー２１２を研磨後の研磨パ
ッド２０４のエリアはコンディショナー２１０による調
節により適当な粗さを維持され、研磨パッド２０４は十
分な研磨液を吸着することができる。このため、研磨速
度を高く且つ安定的に維持し研磨パッド２０４表面の雑
物を除去することができる。その後、掃除ユニット２１
６を以って掃除しコンディショナー２１０から不意に脱
落したダイヤモンド微粒子を除去する。そうして、続い
て既に掃除ユニット２１６により掃除された研磨パッド
２０４のエリアにてウェハー２１２に対し研磨を施す。
掃除ユニット２１６は例えば円形のブラシであり、例え
ば第２の方向２２０（研磨テーブル２０１の第１の方向
２１８と一致する）に沿って回転することができる。掃
除ユニット２１６とウェハーチャック２０２との間のエ
リアは研磨液を注入するアリアＩである。チューブ２０
６を介してハイドロリックポンプ２０８により吸い上げ
られる研磨液はこのエリアＩに注入することによりどん
どん研磨パッド２０４に供給される。
【００１８】図３（ａ）と（ｂ）は本発明の実施例の非
同期実行式ＣＭＰ装置を示す図である。本発明の非同期
実行式ＣＭＰ装置も研磨テーブル２０１とウェハーチャ
ック２０２と研磨パッド２０４と研磨液供給装置２０５
とコンディショナー２１０と掃除ユニット２１６からな
る。但し、図３の（ａ）に示すように、ウェハーチャッ
ク２０２とコンディショナー２１０及び掃除ユニット２
１６は研磨パッド２０４の上方にある適当な位置に配置
されるが、その配置の順位や互いに相対的位置関係は特
に限定されるものではない。非同期実行式ＣＭＰ装置２
００の場合、ＣＭＰプロセスを行うとき、ウェハーチャ
ック２０２はウェハー２１２の正面を研磨パッド２０４
に完全に接着させるようにウェハー２１２の背面を把持
するまま研磨を施す。その後ウェハー２１２を研磨パッ
ド２０４から離す。
同期実行式ＣＭＰ装置を示す図である。本発明の非同期
実行式ＣＭＰ装置も研磨テーブル２０１とウェハーチャ
ック２０２と研磨パッド２０４と研磨液供給装置２０５
とコンディショナー２１０と掃除ユニット２１６からな
る。但し、図３の（ａ）に示すように、ウェハーチャッ
ク２０２とコンディショナー２１０及び掃除ユニット２
１６は研磨パッド２０４の上方にある適当な位置に配置
されるが、その配置の順位や互いに相対的位置関係は特
に限定されるものではない。非同期実行式ＣＭＰ装置２
００の場合、ＣＭＰプロセスを行うとき、ウェハーチャ
ック２０２はウェハー２１２の正面を研磨パッド２０４
に完全に接着させるようにウェハー２１２の背面を把持
するまま研磨を施す。その後ウェハー２１２を研磨パッ
ド２０４から離す。
【００１９】次に図３の（ｂ）を参照すると、コンディ
ショナー２１０による調節により研磨パッド２０４が適
当な粗さを維持され且つ研磨パッド２０４が十分な研磨
液を吸着することができる。このため、研磨速度を高く
且つ安定的に維持し研磨パッド２０４表面の雑物を除去
することができる。コンディショナー２１０を以って研
磨パッド２０４の雑物を除去すると共に掃除ユニット２
１６を以ってコンディショナー２１０の表面から不意に
脱落したダイヤモンド微粒子を除去する。そうして、続
いて既に掃除ユニット２１６により掃除された研磨パッ
ド２０４のエリアにてウェハー２１２に対し研磨を施
す。前述した例と同様に掃除ユニット２１６は例えば円
形の掃除用ブラシであり、例えば第２の方向２２０（研
磨テーブル２０１の第１の方向２１８と一致する）に沿
って回転することができる。一方、非同期実行式ＣＭＰ
装置２００の場合、研磨液を注入するアリアを厳しく限
定する必要がない。
ショナー２１０による調節により研磨パッド２０４が適
当な粗さを維持され且つ研磨パッド２０４が十分な研磨
液を吸着することができる。このため、研磨速度を高く
且つ安定的に維持し研磨パッド２０４表面の雑物を除去
することができる。コンディショナー２１０を以って研
磨パッド２０４の雑物を除去すると共に掃除ユニット２
１６を以ってコンディショナー２１０の表面から不意に
脱落したダイヤモンド微粒子を除去する。そうして、続
いて既に掃除ユニット２１６により掃除された研磨パッ
ド２０４のエリアにてウェハー２１２に対し研磨を施
す。前述した例と同様に掃除ユニット２１６は例えば円
形の掃除用ブラシであり、例えば第２の方向２２０（研
磨テーブル２０１の第１の方向２１８と一致する）に沿
って回転することができる。一方、非同期実行式ＣＭＰ
装置２００の場合、研磨液を注入するアリアを厳しく限
定する必要がない。
【００２０】図４は本発明の実施例のＣＭＰ装置を示す
図である。本実施例では、掃除ユニット２１６は円形の
掃除用ブラシに限定するものではないばかりか、その回
転方式も前述した例と相違する。本実施例における掃除
ユニット２１６はバレル型ブラシでありうるし、所定の
角度で研磨パッドの上方にある適当な位置に取り付ける
ことができる。当然ながら、このようなバレル型掃除ユ
ニット２１６を以って第３の方向２２２に沿って掃除す
るとコンディショナー２１０より脱落したダイヤモンド
微粒子を研磨パッド２０４から除去することができる。
図である。本実施例では、掃除ユニット２１６は円形の
掃除用ブラシに限定するものではないばかりか、その回
転方式も前述した例と相違する。本実施例における掃除
ユニット２１６はバレル型ブラシでありうるし、所定の
角度で研磨パッドの上方にある適当な位置に取り付ける
ことができる。当然ながら、このようなバレル型掃除ユ
ニット２１６を以って第３の方向２２２に沿って掃除す
るとコンディショナー２１０より脱落したダイヤモンド
微粒子を研磨パッド２０４から除去することができる。
【００２１】本発明は前記実施例の如く提示されている
が、これは本発明を限定するものではなく、当業者は本
発明の要旨と範囲内において変形と修正をすることがで
きる。従って、本発明の権利範囲は特許請求の範囲に準
じるものである。
が、これは本発明を限定するものではなく、当業者は本
発明の要旨と範囲内において変形と修正をすることがで
きる。従って、本発明の権利範囲は特許請求の範囲に準
じるものである。
【発明の効果】前記の通り、本発明のＣＭＰ装置には少
なくとも以下のような効果がある。
なくとも以下のような効果がある。
【００２２】１．本発明のＣＭＰ装置によると、掃除ユ
ニットを以ってＣＭＰプロセスを行う際ダイヤモンド微
粒子でウェハーに擦り傷をつけることを防止することが
できる。
ニットを以ってＣＭＰプロセスを行う際ダイヤモンド微
粒子でウェハーに擦り傷をつけることを防止することが
できる。
【００２３】２．本発明のＣＭＰ装置に用いられる掃除
ユニットは要するにコンディショナーより脱落したダイ
ヤモンド微粒子を研磨パッドから除去するためのもので
あるため、そのタイプが沢山ありうるし、且つ容易に得
られるものである。
ユニットは要するにコンディショナーより脱落したダイ
ヤモンド微粒子を研磨パッドから除去するためのもので
あるため、そのタイプが沢山ありうるし、且つ容易に得
られるものである。
【００２４】３．本発明のＣＭＰ装置と既存のＣＭＰ装
置との相性がよく、ダイヤモンド微粒子によるウェハー
の擦り傷という問題を解消するために既存の機器を改良
する際大幅な改修を施す必要がない。
置との相性がよく、ダイヤモンド微粒子によるウェハー
の擦り傷という問題を解消するために既存の機器を改良
する際大幅な改修を施す必要がない。
【図１】従来の同期実行式ＣＭＰ装置を示す図であり、
（ａ）は平面図、（ｂ）は断面図である。
（ａ）は平面図、（ｂ）は断面図である。
【図２】本発明の実施例の同期実行式ＣＭＰ装置を示す
図である。
図である。
【図３】（ａ）と（ｂ）は本発明の他の実施例の非同期
実行式ＣＭＰ装置を示す図である。
実行式ＣＭＰ装置を示す図である。
【図４】図４は本発明の他の実施例のＣＭＰ装置を示す
図である。
図である。
１００、２００ ＣＭＰ装置 １０１、２０１ 研磨テーブル １０２、２０２ ウェハーチャック １０４、２０４ 研磨パッド １０６、２０６ チューブ １０８、２０８ ハイドロリックポンプ １１０、２１０ コンディショナー １１２、２１２ ウェハー １１４ 研磨液 ２０５ 研磨液供給装置 ２１６ 掃除ユニット ２１８ 第１の方向 ２２０ 第２の方向 ２２２ 第３の方向 I 研磨液注入エリア
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 楊 明 城 台湾台北市羅斯福路三段128巷36弄６號 (72)発明者 連 浩 明 台湾新竹市建中一路39號８樓之６ (72)発明者 周 怡 中 台湾新竹縣新豐郷員山村忠一街73號 Ｆターム(参考） 3C047 FF08 HH11 3C058 AA07 AA19 AC04 AC05 CB01 DA12 DA17
Claims (12)
- 【請求項１】 ウェハーの同期実行式ＣＭＰプロセスに
適するＣＭＰ装置であって、少なくとも、上に前記ウェ
ハーを研磨する研磨パッドが設けられ且つ第１の方向に
沿って回転する研磨テーブルと、前記ウェハーを前記研
磨パッドに接触させるように前記ウェハーを把持するウ
ェハーチャックと、前記研磨パッドと接触する複数のダ
イヤモンド微粒子を有し研磨パッドの粗さを維持したり
雑物を除去したりするコンディショナーと、前記コンデ
ィショナーから前記研磨パッドに脱落したダイヤモンド
微粒子を除く掃除ユニットとからなり、前記ウェハーチ
ャックと前記コンディショナー及び前記掃除ユニットは
順次に前記第１の方向に沿って該研磨パッドの上方に配
置されていることを特徴とするＣＭＰ装置。 - 【請求項２】 ウェハーの非同期実行式ＣＭＰプロセス
に適するＣＭＰ装置であって、少なくとも、上に前記ウ
ェハーを研磨する研磨パッドが設けられ且つ第１の方向
に沿って回転する研磨テーブルと、前記ウェハーを前記
研磨パッドに接触させるように前記ウェハーを把持する
ウェハーチャックと、前記研磨パッドと接触する複数の
ダイヤモンド微粒子を有し研磨パッドの粗さを維持した
り雑物を除去したりするコンディショナーと、前記コン
ディショナーから前記研磨パッドに脱落したダイヤモン
ド微粒子を除く掃除ユニットとからなり、前記ウェハー
チャックと前記コンディショナーは順次に前記第１の方
向に沿って該研磨パッドの上方に配置され、前記掃除ユ
ニットは前記研磨パッドの上方に配置されていることを
特徴とするＣＭＰ装置。 - 【請求項３】 更に前記研磨パッドの上方に且つ前記掃
除ユニットと前記ウェハーチャックとの間に配置される
研磨液供給装置を有することを特徴とする請求項１に記
載のＣＭＰ装置。 - 【請求項４】 更に前記第１の方向に沿って前記掃除ユ
ニットと前記ウェハーチャックとの間に配置される研磨
液供給装置を有することを特徴とする請求項２に記載の
ＣＭＰ装置。 - 【請求項５】 前記研磨液供給装置は前記研磨液を前記
研磨パッドへ配送するチューブと、前記研磨液を該チュ
ーブ内に吸引するハイドロリックポンプとからなること
を特徴とする請求項３または４に記載のＣＭＰ装置。 - 【請求項６】 前記掃除ユニットは円形の掃除用ブラシ
からなり、且つ該掃除ユニットの回転方向は前記第１の
方向と一致することを特徴とする請求項１乃至５のいず
れか一項に記載のＣＭＰ装置。 - 【請求項７】 前記掃除ユニットはバレル型掃除用ブラ
シからなり、且つ該掃除ユニットは所定の角度で研磨パ
ッドの上方に配置されることを特徴とする請求項１乃至
５のいずれか一項に記載のＣＭＰ装置。 - 【請求項８】 ウェハーに擦り傷をつけるダイヤモンド
微粒子が研磨パッドに現われることを防止するためのＣ
ＭＰ装置の研磨パッドを掃除する方法において、少なく
とも前記研磨パッドを掃除するコンディショナーを提供
する段階と、前記コンディショナーが前記研磨パッドを
掃除する際該コンディショナーから脱落したダイヤモン
ド微粒子を除去する掃除ユニットを提供する段階とから
なることを特徴とするＣＭＰ装置における研磨パッドの
掃除方法。 - 【請求項９】 前記ＣＭＰは同期実行式である場合、前
記掃除ユニットは前記研磨パッドの上方に且つ前記コン
ディショナーと研磨液供給装置との間に配置されること
を特徴とする請求項８に記載のＣＭＰ装置における研磨
パッドの掃除方法。 - 【請求項１０】 前記ＣＭＰは非同期実行式である場
合、前記掃除ユニットは前記研磨パッドの上方に配置さ
れることを特徴とする請求項８に記載のＣＭＰ装置の掃
除方法。 - 【請求項１１】 前記掃除ユニットは円形の掃除用ブラ
シからなることを特徴とする請求項８乃至１０のいずれ
か一項に記載のＣＭＰ装置における研磨パッドの掃除方
法。 - 【請求項１２】 前記掃除ユニットはバレル型掃除用ブ
ラシからなり、且つ該掃除ユニットは所定の角度で研磨
パッドの上方に配置されることを特徴とする請求項８乃
至１０のいずれか一項に記載のＣＭＰ装置における研磨
パッドの掃除方法。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001062414A JP2002270554A (ja) | 2001-03-06 | 2001-03-06 | Ｃｍｐ装置及び研磨パッドの掃除方法 |
| DE10115801A DE10115801A1 (de) | 2001-03-06 | 2001-03-30 | Plattform für das chemisch-mechanische Polieren |
| US09/829,221 US20030190873A1 (en) | 2001-03-06 | 2001-04-09 | Chemical-mechanical polishing platform |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001062414A JP2002270554A (ja) | 2001-03-06 | 2001-03-06 | Ｃｍｐ装置及び研磨パッドの掃除方法 |
| DE10115801A DE10115801A1 (de) | 2001-03-06 | 2001-03-30 | Plattform für das chemisch-mechanische Polieren |
| US09/829,221 US20030190873A1 (en) | 2001-03-06 | 2001-04-09 | Chemical-mechanical polishing platform |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002270554A true JP2002270554A (ja) | 2002-09-20 |
Family
ID=30118705
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001062414A Pending JP2002270554A (ja) | 2001-03-06 | 2001-03-06 | Ｃｍｐ装置及び研磨パッドの掃除方法 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20030190873A1 (ja) |
| JP (1) | JP2002270554A (ja) |
| DE (1) | DE10115801A1 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN111482901A (zh) * | 2020-04-30 | 2020-08-04 | 杨圣 | 一种化学机械抛光设备的清洗装置 |
| CN114248195A (zh) * | 2021-12-30 | 2022-03-29 | 北京烁科精微电子装备有限公司 | 一种研磨方法 |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7084466B1 (en) * | 2002-12-09 | 2006-08-01 | Novellus Systems, Inc. | Liquid detection end effector sensor and method of using the same |
| US7846006B2 (en) * | 2006-06-30 | 2010-12-07 | Memc Electronic Materials, Inc. | Dressing a wafer polishing pad |
| US7846007B2 (en) * | 2006-06-30 | 2010-12-07 | Memc Electronic Materials, Inc. | System and method for dressing a wafer polishing pad |
| CN112461264B (zh) * | 2020-11-20 | 2023-04-11 | 大连理工大学 | 一种石英半球谐振子纳米制造装备 |
| CN116810619B (zh) * | 2023-08-09 | 2024-04-02 | 哈尔滨工业大学 | 基于微波协助的化学机械抛光装置及利用其抛光CaF2晶片的方法 |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06320413A (ja) * | 1993-05-19 | 1994-11-22 | Fujitsu Ltd | 研磨装置 |
| JP2647050B2 (ja) * | 1995-03-31 | 1997-08-27 | 日本電気株式会社 | ウェハ研磨装置 |
| JP3111892B2 (ja) * | 1996-03-19 | 2000-11-27 | ヤマハ株式会社 | 研磨装置 |
| US6135868A (en) * | 1998-02-11 | 2000-10-24 | Applied Materials, Inc. | Groove cleaning device for chemical-mechanical polishing |
-
2001
- 2001-03-06 JP JP2001062414A patent/JP2002270554A/ja active Pending
- 2001-03-30 DE DE10115801A patent/DE10115801A1/de not_active Ceased
- 2001-04-09 US US09/829,221 patent/US20030190873A1/en not_active Abandoned
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN111482901A (zh) * | 2020-04-30 | 2020-08-04 | 杨圣 | 一种化学机械抛光设备的清洗装置 |
| CN114248195A (zh) * | 2021-12-30 | 2022-03-29 | 北京烁科精微电子装备有限公司 | 一种研磨方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US20030190873A1 (en) | 2003-10-09 |
| DE10115801A1 (de) | 2002-10-17 |
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Legal Events
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|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
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