DE69014842T2

DE69014842T2 - Flüssigkristall-Anzeigevorrichtung in Matrixform mit Dünnschichttransistoren.

Info

Publication number: DE69014842T2
Application number: DE69014842T
Authority: DE
Inventors: Yojiro Matsueda
Original assignee: Seiko Epson Corp
Current assignee: Seiko Epson Corp
Priority date: 1989-12-15
Filing date: 1990-12-13
Publication date: 1995-05-11
Anticipated expiration: 2010-12-14
Also published as: EP0435101B1; JP2714993B2; DE69014842D1; EP0435101A1; US5247289A; JPH03185428A

Description

Die vorliegende Erfindung betrifft eine Dünnfilmtransistoren (TFTs) verwendende Flüssigkristallanzeigevorrichtung.
Ein Beispiel einer TFTs verwendenden Flüssigkristallanzeigevorrichtung ist beschrieben in "The Japan Display 89 Digest", auf den Seiten 418 bis 421, Matsueda, et al sowie in GB-A-2 050 668. Fig. 2 ist ein Schaltbild, das ein Beispiel einer solchen Flüssigkristallanzeigevorrichtung zeigt. X1 und X2 bezeichnen Signalleitungen, Y1, Y2, Y3 und Y4 Abtastleitungen. TFT Vorrichtungen 11, 12 und 13 sind an den Kreuzungspunkten zwischen der Signalleitung X1 und den Abtastleitungen Y1, Y2 und Y3 vorgesehen. Die TFTs 11, 12 und 13 werden in Übereinstimmung mit der Zeitsteuerung von an die Abtastleitungen Y1, Y2 und Y3 angelegten Wählimpulsen ein- oder ausgeschaltet. Ein an die Signalleitung X1 angelegtes Bildsignal wird in Flüssigkristallkondensatoren 17, 18 und 19 und Speicherkondensatoren 14, 15 und 16 über die TFTs 11, 12 bzw. 13 eingeschrieben.
Fig. 3 ist eine Draufsicht, die ein Beispiel eines Pixelabschnitts einer herkömmlichen Flüssigkristallanzeigevorrichtung zeigt. Ein TFT 24 ist an dem Kreuzungspunkt zwischen einer Signalleitung 21 und einer Abtastleitung 22 angeordnet. Ein Halbleiterdünnfilm 23 bildet Source, Drain und Kanal des TFT 24. Die Bezugszahl 25 bezeichnet ein Kontaktloch zum Verbinden der Source des TFT 24 mit der Signalleitung 21, und die Bezugszahl 26 bezeichnet ein Kontaktloch zum Verbinden der Drain des TFT mit einer Pixelelektrode 29. Ein Speicherkondensator 28 wird zwischen der Drain des TFT 24 und einer gemeinsamen Elektrode 27 gebildet. Im Fall einer Transmissions-Anzeigevorrichtung wird der Teil einer Öffnung 30 der effektive Pixelbereich für die Bildanzeige.
Der beschriebene herkömmliche Pixelaufbau gibt Anlaß zu gewissen Problemen, wie nachfolgend beschrieben.
Die Pixel müssen mit einer hohen Dichte zum Erhalt von Bildern hoher Qualität angeordnet werden. Die Verringerung des Pixelabstands bewirkt jedoch eine Verringerung der Kapazität der Flüssigkristallkondensatoren. Daher ist es nötig, eine ausreichende Speicherkapazität zur Beibehaltung einer hohen Bildqualität vorzusehen. Im Hinblick auf die Herstellung besteht ferner eine Beschränkung in bezug auf die Miniaturisierung der Größe der TFTs. Wenn daher der Pixelabstand verringert wird, wird das Verhältnis des von dem Speicherkondensator und dem TFT beanspruchten Bereiches größer, während das Verhältnis des effektiven Bereiches für die Bildanzeige, das heißt das Öffnungsverhältnis kleiner wird. Die Abnahme des Öffnungsverhältnisses bewirkt eine Dunkelheit der Anzeige und verursacht darüberhinaus das Problem, daß die Bildqualität merklich abfällt, da das Muster einer Lichtabschirmschicht bemerkbar wird, wie wenn die Anzeige mit einem dicken Gitter bedeckt wäre.
Eine Flüssigkristallanzeigevorrichtung gemäß dem Oberbegriff des Anspruchs 1 ist in der EP-A- 0 376 329 (Stand der Technik nach Artikel 54(3) EPU insoweit dieselben Vertragsstaaten "DE", "FR" und "GB" benannt sind) offenbart. Bei diesem Stand der Technik ist eine gemeinsame Elektrode zwischen je zwei benachbarten Abtastleitungen vorgesehen, und jede Abtastleitung wird von zwei aufeinanderfolgenden Anordnungen von Pixelelektroden geteilt.
Die beanspruchte Erfindung beabsichtigt, das oben beschriebene Problem zu beseitigen, und ihre Aufgabe ist es, eine Flüssigkristallanzeigevorrichtung mit einem hohen Öffnungsverhältnis selbst bei verringertem Pixelabstand zu schaffen.
Diese Aufgabe wird mit einer Flüssigkristallanzeigevorrichtung wie beansprucht gelöst.
Die Flüssigkristallanzeigevorrichtung der vorliegenden Erfindung weist gemeinsame Elektroden auf, die zur Bildung der Speicherkondensatoren an den einzelnen Pixelelektroden und zur elektrischen Verbindung der Speicherkondensatoren untereinander dienen, wobei jede gemeinsame Elektrode zwischen einem Paar aus einer ungeradzahligen/geradzahligen Abtastleitung und der nächsten geradzahligen/ungeradzahligen Abtastleitung ausgebildet ist, während keine gemeinsame Elektrode zwischen jedem Paar aus einer geradzahligen/ungeradzahligen Abtastleitung und der nächsten ungeradzahligen/geradzahligen Abtastleitung vorgesehen ist.
Durch diesen Aufbau der vorliegenden Erfindung kann die Anzahl sowohl der gemeinsamen Elektroden als auch der Sourceelektroden-Verbindungsabschnitte der TFTs zur Ausbildung einer ausreichenden Speicherkapazität für jeden Pixel gegenüber der herkömmlichen Technik um die Hälfte reduziert werden.
Wege zur Ausführung der Erfindung werden nachfolgend im einzelnen unter Bezug auf die Zeichnungen beschrieben, die lediglich spezielle Ausführungsformen darstellen, und in denen
Fig. 1 ein Schaltbild einer Flüssigkristallanzeigevorrichtung der vorliegenden Erfindung ist,
Fig. 2 ein Schaltbild einer herkömmlichen Flüssigkristallanzeigevorrichtung ist,
Fig. 3 eine Draufsicht ist, die einen Pixelabschnitt der herkömmlichen Flüssigkristallanzeigevorrichtung zeigt,
Fig. 4, 6 und 8 Draufsichten sind, die Pixelabschnitte von Flüssigkristallanzeigevorrichtungen gemäß der vorliegenden Erfindung zeigen, und
Fig. 5, 7 und 9 Querschnittsansichten von Flüssigkristallanzeigevorrichtungen gemäß der vorliegenden Erfindung sind.
Eine erste Ausführungsform der vorliegenden Erfindung soll nun unter Bezugnahme auf die Fig. 1 und 4 beschrieben werden. Fig. 1 zeigt ein Beispiel eines Schaltbildes einer Flüssigkristallanzeigevorrichtung gemäß der vorliegenden Erfindung. X1 und X2 bezeichnen Signalleitungen, und Y1, Y2, Y3 und Y4 bezeichnen Abtastleitungen. TFTs 1, 2 und 3 sind an den Kreuzungspunkten zwischen der Signalleitung X1 und den Abtastleitungen Y1, Y2 und Y3 vorgesehen.
Die TFTs 1, 2 und 3 werden in Übereinstimmung mit der Zeitsteuerung von an die Abtastleitungen Y1, Y2 und Y3 angelegten Wählimpulsen ein- oder ausgeschaltet. Das der Signalleitung X1 zugeführte Bildsignal wird über die TFTs 1, 2 und 3 in die Flüssigkristallkondensatoren 7, 8 und 9 und die Speicherkondensatoren 4, 5 und 6 eingeschrieben. Bei der vorliegenden Erfindung sind die gemeinsamen Elektroden 10, die zur Bildung der Speicherkondensatoren und zur elektrischen Verbindung der Speicherkondensatoren verwendet werden, im Verhältnis eine gemeinsame Elektrode pro zwei Abtastleitungen angeordnet. Da zum Beispiel die Speicherkondensatoren 4 und 5 von derselben Elektrodenverdrahtung gebildet werden, kann eine ausreichende Kapazität auf einer schmäleren beanspruchten Fläche vorgesehen werden, als dies bei dem herkömmlichen Aufbau der Fall ist, bei dem gesonderte Elektrodenverdrahtungen zur Bildung der gemeinsamen Elektroden für die Kondensatoren 14 und 15 in Fig. 2 verwendet werden. Da ferner ein Paar von TFTs für einen oberen und einen unteren Pixel parallel angeordnet sind, kann ein Verbindungsabschnitt zur Signalleitung gemeinsam für das Paar Sourceelektroden der TFTs verwendet werden. Beispielsweise kann der Verbindungspunkt zwischen den TFTs 2 und 3 und der Signalleitung X1 eine einzige Verbindung sein. Daher kann die von den TFTs eingenommene Fläche verringert werden.
In Fig. 1 ist die gemeinsame Elektrode 10 zwischen jeder ungeradzahligen Abtastleitung und der folgenden geradzahligen Abtastleitung angeordnet. Es ist auch möglich, eine gemeinsame Elektrode 10 zwischen jeder geradzahligen Abtastleitung und der folgenden ungeradzahligen Abtastleitung durch Verschieben der Anordnung vorzusehen.
Fig. 4 ist eine Draufsicht, die ein Beispiel eines Pixelabschnitts der Flüssigkristallanzeigevorrichtung von Fig. 1 zeigt. Ein TFT 34 ist an dem Kreuzungspunkt zwischen einer Signalleitung 31 26 und einer Abtastleitung 32 angeordnet. Ein Halbleiterdünnfilm 33 bildet Source, Drain und Kanal des TFT 34. Die Bezugszahl 35 bezeichnet ein Kontaktloch zum gemeinsamen Verbinden der Sourceelektroden eines Paares von TFTs für einen oberen und einen unteren Pixel mit der Signalleitung 31. Die Bezugszahl 36 bezeichnet ein Kontaktloch zur Verbindung der Drainelektrode des TFT 34 mit einer Pixelelektrode 39. Ein Speicherkondensator 38 ist zwischen der Drain des TFT 34 und einer gemeinsamen Elektrode 37 gebildet. Die gemeinsame Elektrode 37 wird für die Speicherkondensatoren eines Paares von Pixeln verwendet, die auf gegenüberliegenden Seiten der gemeinsamen Elektrode positioniert sind. Im Fall einer Transmissionsanzeigevorrichtung wird der in der Öffnung 40 angegebenen Abschnitt zu einem effektiven Bereich für die Bildanzeige. Da die anderen Bereiche als die Öffnung 40 die Bildqualität nachteilig beeinflussen, sind sie mit einer Lichtabschirmung zur Vermeidung des Durchdringens von Licht bedeckt.
Da bei dem vorliegenden Beispiel die gemeinsame Elektrode 37 in dem Bereich zwischen den Pixelelektroden angeordnet ist, der für die Bildanzeige nicht benötigt wird, kann ein hohes Öffnungsverhältnis erzielt werden. Die Fläche der Öffnung 40 in Fig. 4 ist um etwa 30 % größer als die der Öffnung 30 in Fig. 3. Daher kann die Bildebene um 30 % heller sein, als dies bei einem ähnlichen Element mit einem ähnlichen Pixelabstand der Fall ist. Da ferner die Form der Öffnung von rechteckig zu nahe quadratisch geändert ist, wird die gitterähnliche Struktur der Lichtabschirmschicht weniger auffällig, was die Bildqualität deutlich verbessert. Wenn ferner ein geneigtes Verdrahtungsmuster verwendet wird, ist es möglich, die Öffnung ideal kreisförmig zu machen.
Ein anderer Vorteil der vorliegenden Erfindung besteht im Ausmaß der Freiheit des Ansteuerungsverfahrens. Es ist bekannt, daß NTSC und HDTV Signale mit zwei Zeilensprung-Halbbildern geliefert werden. Zur Anzeige dieser Halbbilder bei einer Flüssigkristallanzeigevorrichtung wird oft ein Ansteuerungsverfahren verwendet, bei dem zwei benachbarte Abtastleitungen als ein Paar ausgebildet sind, um mit derselben Zeitsteuerung zum Einschreiben derselben Daten ausgewählt zu werden, wobei sich die Paare mit jedem Halbbild ändern. Bei diesem Verfahren ist keine komplizierte periphere Schaltungsanordnung wie etwa ein Speicher erforderlich, und die Antwort der Anzeige auf bewegte Bilder wird verbessert. Es stellt daher ein praktisches Verfahren zur Vermeidung von Flackern dar. Beim Aufbau der herkömmlichen Flüssigkristallanzeigevorrichtung, wie sie in Fig. 3 gezeigt ist, wird jedoch, da die Pixelelektroden der Abtastleitung einer benachbarten Zeile von Pixeln benachbart sind, eine Offset-Spannung, die von der kapazitiven Kopplung zwischen der Pixelelektrode und der Abtastelektrode herrührt, bei zwei aufeinanderfolgenden Abtastleitungen unterschiedlich. Dies gibt Anlaß zu dem Problem, daß die Helligkeit der aufeinanderfolgenden Abtastleitungen auf der Bildebene variiert. Bei einer Flüssigkristallanzeigevorrichtung der vorliegenden Erfindung, wie sie etwa in Fig. 4 dargestellt ist, tritt ein solches Problem nicht auf, da die Pixelelektrode nicht einer Abtastleitung einer anderen Zeile von Pixeln benachbart ist, und man kann eine gleichförmige Bildebene selbst dann erhalten, wenn solch ein Ansteuerungsverfahren wie das oben erwähnte verwendet wird. Es ist möglich, die übliche serielle Abtastung auszuführen, und das Ansteuerungssystem kann nach Bedarf geändert werden
Bei Farbanzeigevorrichtungen, wo zwei Zeilen gleichzeitig abgetastet werden, ist es nötig, drei Farbleuchtstoffe R (rot), G (grün) und B (blau) als vertikale Streifen anzuordnen. Wenn das normale Ansteuerungsverfahren der seriellen Abtastung eingesetzt wird, kann die Farbleuchtstoffanordnung mosaikartig oder dreiecksartig sein.
Fig. 5 ist eine Querschnittsansicht eines Beispiels einer Flüssigkristallanzeigevorrichtung gemäß Fig. 4 und Fig. 3. Allgemein weist die TFTs verwendende Flüssigkristallanzeigevorrichtung zwei isolierende Substrate auf, das heißt der Flüssigkristall 43 ist zwischen ein TFT-Substrat 41 und ein Gegensubstrat 42 gesetzt. Auf dem TFT-Substrat 41 sind die TFTs 34 und die Speicherkondensatoren 38 angeordnet. Der in dieser Figur gezeigte Aufbau ist von der koplanaren Art, bei der die Source 47 des TFT, die Drain 49 und der Kanal 48 im selben Halbleiterfilm ausgebildet sind. Da Dotierstoffe in die Source 47 und die Drain 49 von einem Gateisolierfilm 50 unter Verwendung der Gateelektrode 46 als Maske dotiert sind, sind die TFTs vom selbstausrichtenden Typ. Der Speicherkondensator 38 ist als MOS-Kondensator zwischen der gemeinsamen Elektrode 37 und der Drain 49 gebildet, wobei die gemeinsame Elektrode 37 aus demselben Film wie die Gateelektrode 46 des TFT 34 ausgebildet ist. Es gibt zwei Verfahren zur Ausbildung eines MOS-Kondensators. Ein Verfahren besteht darin, den Halbleiterfilm vor der Ausbildung der Gateelektrode 46 und der gemeinsamen Elektrode 37 mit Störstellen zu dotieren. In diesem Fall kann das elektrische Potential der gemeinsamen Elektrode 37 frei gewählt werden. Bei dem zweiten Verfahren erfolgt keine besondere Dotierung mit Störstellen. Da in diesem Fall der Halbleiterdünnfilm unter der gemeinsamen Elektrode 37 ähnlich zu dem Kanal 48 wird, muß eine Vorspannung, die die Ausbildung einer Umkehrschicht auf dem Kanal erlaubt, an die gemeinsame Elektrode 37 angelegt werden, um den MOS-Kondensator zu verwenden. Die Signalleitung 31 und die Pixelelektrode 39 sind mit der Source 47 bzw. der Drain 49 des TFT 34 über Kontaktlöcher verbunden. Bei dem in Fig. 5 gezeigten Aufbau ist ein zusätzlicher Speicherkondensator zwischen der Pixelelektrode 39 und der gemeinsamen Elektrode 37 über einen Zwischenschichtisolierfilm 54 gebildet. Allgemein wird eine Schicht hoher Präzision und mit nur wenig Defekten, wie etwa ein thermischer Oxidfilm, als Gateisolierfilm verwendet, und er wird verhältnismäßig dünn ausgebildet, damit gute elektrische Eigenschaften des TFT erzielt werden. Daher kann der oben erwähnte MOS-Kondensator eine vielfach höhere Kapazität als der Kondensator zwischen der gemeinsamen Elektrode 37 und der Pixelelektrode 39 aufweisen. Falls in dieser Figur die Drain 49 des TFT und das Kontaktloch der Pixelelektrode 39 auf der rechten Seite der gemeinsamen Elektrode 37 angeordnet werden, bietet nur der MOS-Kondensator die Funktion des Speicherkondensators 38.
Ein Passivierungsfilm 55 schützt das Dünnfilmelement und blockiert einen Gleichstromfluß durch den Flüssigkristall. Eine Lichtabschirmschicht 56, die auf dem Gegensubstrat 42 angeordnet ist, steuert einen elektrischen Lichtstreustrom des TFT und resultiert in Bildern hoher Qualität mit einem großen Kontrastverhältnis dadurch, daß nicht-effektive Abschnitte der Bildanzeige abgedeckt sind. Die Öffnung 40 ist der effektive Bereich für die Bildanzeige. Die Gegenelektrode 57 besteht aus einem transparenten elektrisch leitenden Film und bedeckt die gesamten Oberflächen, die den Flüssigkristall berühren. Der Flüssigkristall 43 wird von dem elektrischen Feld gesteuert, das sich zwischen der Pixelelektrode 39 und der Gegenelektrode 57 ausbildet. Im Fall der Verwendung als Transmissionsanzeigevorrichtung wird die Pixelelektrode 39 von einem transparenten elektrisch leitenden Film gebildet, während bei Verwendung als Reflexionsanzeigevorrichtung die Pixelelektrode 39 von einem metallischen Dünnfilm gebildet wird.
Fig. 6 zeigt eine Draufsicht auf einen Pixelabschnitt gemäß einer zweiten Ausführungsform der Erfindung. Der TFT ist an einem Kreuzungspunkt zwischen der Signalleitung 61 und der Abtastleitung 62 angeordnet. Bei dieser Ausführungsform sind die Source 65 und die Drain 66 des TFT in einer anderen Halbleiterdünnfilmschicht als die (63) des Kanals 64 ausgebildet. Die gemeinsame Elektrode 67 wird für die Speicherkondensatoren 68 der Pixel benutzt, die auf beiden Seiten dieser gemeinsamen Elektrode liegen. Die Pixelelektrode 69 ist sowohl mit der Drain 66 des TFT als auch dem Speicherkondensator 68 verbunden. Im Fall einer Transmissionsanzeigevorrichtung ist der Bereich der Öffnung 70 der effektive Bereich für die Bildanzeige. Da der Bereich mit Ausnahme der Öffnung 70 das Bild verschlechtern kann, ist er mit einer Lichtabschirmschicht zur Verhinderung des Durchdringens von Licht bedeckt.
Fig. 7 ist ein Beispiel einer Querschnittsansicht der Flüssigkristallanzeigevorrichtung entsprechend Fig. 6. Die Flüssigkristallanzeigevorrichtung dieser Ausführungsform ist ebenfalls mit einem Flüssigkristall 73 zwischen einem Paar isolierender Substrate versehen, nämlich zwischen einem TFT-Substrat 71 und dem Gegensubstrat 72. Auf dem TFT-Substrat 71 sind die Elemente, umfassend den TFT 74 und den Speicherkondensator 68, angeordnet. Der in dieser Figur gezeigte TFT ist von der "Umkehrversatz" Art mit einer Gateelektrode 76, einem Gateisolierfilm 80, einem Halbleiterdünnfilm 78, der den Kanal bildet, und einem Störstellen enthaltenden Halbleiterdünnfilm 88, die aufeinander geschichtet sind. Eine Sourceelektrode 77 und eine Drainelektrode 79 sind auf dem Störstellen enthaltenden Halbleiterdünnfilm 88 ausgebildet. Die Sourceelektrode 77 ist als Abzweigung von der Signalleitung ausgebildet, und die Drainelektrode ist mit der Pixelelektrode 69 verbunden. Es ist anzumerken, daß anstelle eines TFT der "Umkehrversatz" Art ein solcher der "Versatz" Art verwendet werden könnte, der der in Fig. 7 gezeigten Umkehrversatzart, aber umgedreht entspricht, das heißt die Reihenfolge der Schichten ist gerade umgekehrt zu der in Fig. 7 gezeigten. Der Speicherkondensator 68 hat einen ähnlichen Aufbau wie die Drain des TFT, indem er auf der gemeinsamen Elektrode 67 angeordnet und mit der Pixelelektrode 69 verbunden ist. Die Passivierungsschicht 84 schützt das Dünnfilmelement und unterbricht einen Gleichstrom zu dem Flüssigkristall. Die Lichtabschirmschicht 85, die auf dem Gegensubstrat 72 angeordnet ist, steuert den elektrischen Lichtleckstrom des TFT und resultiert in Bildern hoher Qualität mit einem großen Kontrastverhältnis dadurch, daß nicht-effektive Abschnitte der Bildanzeige bedeckt sind. Die Öffnung 70 ist der effektive Bereich für die Bildanzeige. Die Gegenelektrode 86 aus einem transparenten elektrisch leitenden Film bedeckt alle Oberflächen, die mit dem Flüssigkristall in Berührung stehen, und der Flüssigkristall 73 wird von dem elektrischen Feld zwischen der Pixelelektrode 69 und der Gegenelektrode 86 gesteuert.
Fig. 8 ist eine Draufsicht, die eine andere Ausführungsform eines Pixelabschnitts in einer Flüssigkristallanzeigevorrichtung gemäß der Erfindung zeigt. Die hier gezeigte Pixelanordnung ist von der sogenannten Dreiecksart, die häufig bei Videoanwendungen verwendet wird, weil das Pixelmuster kaum wahrnehmbar ist. Der TFT ist an einem Kreuzungspunkt zwischen einer Signalleitung 111 und einer Abtastleitung 112 angeordnet. Die Signalleitung 111 hat ein rechteckwellenartiges oder meanderartiges Muster, wie in Fig. 8 gezeigt. Wie in Fig. 6 sind die Source 105 und die Drain 106 des TFT von einer anderen Dünnfilmschicht gebildet als die (98) des Kanals 104. Bei dieser Ausführungsform liegt die Signalleitung 111 über der Source 105. Die gemeinsame Elektrode 101 liegt über einem Teilabschnitt eines Paares ihr benachbarter Pixelelektroden 102. Die Bezugszahl 90 bezeichnet die Öffnung, die die effektive Fläche für die Bildanzeige ist, während 95 den Speicherkondensator bezeichnet.
Fig. 9 stellt eine Querschnittsansicht einer Flüssigkristallanzeigevorrichtung entsprechend Fig. 8 dar. Die Flüssigkristallanzeigevorrichtung dieser Ausführungsform ist ebenfalls mit einem Flüssigkristall 93 zwischen einem Paar isolierender Substrate, nämlich dem TFT-Substrat 91 und dem Gegensubstrat 92 versehen. Auf dem TFT-Substrat 91 sind die Elemente umfassend die TFTs 94 und Speicherkondensatoren 95 angeordnet. Der in dieser Fig. gezeigte TFT ist von der "Umkehrversatz" Art, der mit einem Gateisolierfilm 100 auf einer Gateelektrode 96, einem Halbleiterdünnfilm 98, der den Kanal bildet, und dem Störstellen enthaltenden Halbleiterfilm 108 versehen ist, die der Reihe nach übereinander liegen. Eine Sourceelektrode 97 und eine Drainelektrode 99 sind auf dem Störstellen enthaltenden Halbleiterdünnfilm 108 ausgebildet, wobei die Sourceelektrode 97 Teil der Signalleitung ist und die Drainelektrode 99 mit der Pixelelektrode 102 verbunden ist. Bei dieser Ausführungsform ist der Speicherkondensator (95) dadurch gebildet, daß die Pixelelektrode 102 über der gemeinsamen Elektrode 101 unter Zwischenlage des Gateisolierfilms 100 liegt. Die Bezugszahl 114 bezeichnet den Passivierungsfilm. Die Bezugszahl 11 5 bezeichnet die Lichtabschirmschicht, und die Bezugszahl 116 bezeichnet die von einem transparenten elektrisch leitenden Film gebildete Gegenelektrode.

Claims

1. Flüssigkristallanzeigevorrichtung, umfassend:

ein erstes isolierendes Substrat (41, 91), auf dem sich eine Vielzahl von Signalleitungen (31, 61, 111), eine Vielzahl von die Signalleitungen kreuzenden Abtastleitungen (32, 62, 112), eine Vielzahl von Dünnfilmtransistoren (34, 64, 104), die an den Kreuzungspunkten zwischen den Signalleitungen und den Abtastleitungen vorgesehen sind, eine Vielzahl von Pixelelektroden (39, 69, 102), die jeweils mit den Dünnfilmtransistoren verbunden sind, und eine Vielzahl von Speicherkondensatoren (38, 68, 95) befinden, die den Pixelelektroden jeweils zugeordnet sind, wobei die den Pixelelektroden zugeordneten und mit einer jeweiligen Abtastleitung verbundenen Speicherkondensatoren von einer gemeinsamen Elektrode (37, 67, 101), die sich zwischen zwei Abtastleitungen erstreckt, gebildet und zusammengeschaltet werden;

ein zweites isolierendes Substrat (42, 72, 92), auf dem sich eine Elektrode (57, 86, 116) befindet; und

einen Flüssigkristall (43, 73, 93), der in dem zwischen dem ersten und dem zweiten isolierenden Substrat gebildeten Raum angeordnet ist;

dadurch gekennzeichnet, daß zwischen jeder Abtastleitung einer ungeradzahligen/geradzahligen Nummer und der Abtastleitung der folgenden geradzahligen/ungeradzahligen Nummer zwei Anordnungen von Pixelelektroden, in der Richtung der Signalleitungen benachbart, plaziert sind, von denen eine mit der Abtastleitung der ungeradzahligen/geradzahligen Nummer verbunden ist, während die andere mit der Abtastleitung der folgenden geradzahligen/ungeradzahligen Nummer verbunden ist, wobei eine gemeinsame Elektrode zur Bildung und zum Zusammenschalten der den beiden Anordnungen von Pixelelektroden zugeordneten Speicherkondensatoren angeordnet ist, und

dadurch, daß jede Abtastleitung mit einer geradzahligen/ungeradzahligen Nummer und die Abtastleitung mit der folgenden ungeradzahligen/geradzahligen Nummer nebeneinander angeordnet sind, ohne daß eine gemeinsame Elektrode dazwischen gesetzt ist.

2. Flüssigkristallanzeigevorrichtung nach Anspruch 1, bei der ein gemeinsamer Verbindungspunkt (35) zwischen einer jeweiligen Signalleitung (31) und den Sourcen eines Paares der Dünnfilmtransistoren (34, 64, 104), die einer geradzahligen/ungeradzahligen Abtastleitung (32) bzw. der folgenden ungeradzahligen/geradzahligen Abtastleitung zugeordnet sind, vorgesehen ist.

3. Flüssigkristallanzeigevorrichtung nach Anspruch 1 oder 2, bei der die gemeinsame Elektrode (101) so angeordnet ist, daß sie wenigstens einen Abschnitt der Pixelelektroden (102) bedeckt, welche einer ungeradzahligen/geradzahligen Abtastleitung (112) zugeordnet sind, und solchen, die der nächsten geradzahligen/ungeradzahligen Abtastleitung zugeordnet sind.

4. Flüssigkristallanzeigevorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 3 verwendet in Verbindung mit einem Ansteuerungsverfahren, bei dem die Anzeige mit zwei Zeilensprungsignalhalbbildern versehen ist, so daß ein Paar benachbarter Abtastleitungen gleichzeitig ausgewählt wird und mit demselben Signal beschrieben wird, wobei das in das Paar Abtastleitungen in einem ungeradzahligen Halbbild geschriebene Signal verschieden von dem in einem geradzahligen Halbbild ist.