DE3425759C2

DE3425759C2 -

Info

Publication number: DE3425759C2
Application number: DE3425759A
Authority: DE
Inventors: Seigo Togashi; Kanetaka Sekiguchi; Hiroshi Tanabe; Katsumi Aota; Kazuaki Sorimachi; Etsuo Tokorozawa Saitama Jp Yamamoto
Original assignee: Citizen Watch Co Ltd
Current assignee: Citizen Watch Co Ltd
Priority date: 1983-07-13
Filing date: 1984-07-12
Publication date: 1988-02-11
Also published as: FR2549265A1; GB2147135B; GB8417493D0; US4748445A; FR2549265B1; GB2147135A; DE3425759A1

Description

Die Erfindung bezieht sich auf ein Matrixanzeigefeld nach dem Oberbegriff des Anspruchs 1. Ein solches Matrixanzeigefeld ist in der zum Stand der Technik zählenden DE-OS 33 34 918 beschrieben.

In der Zeitschrift "Proc. IEEE", 1971 Band 59, Seiten 1566 bis 1579 wird von B. J. Lechner eine aktive matrixartige Anzeigeanordnung beschrieben, in welcher mit jedem Anzeigeelement ein Schalterelement verbunden ist. Das Schalterelement ist ein dreipoliges Bauelement, wie beispielsweise ein Dünnfilmtransistor, oder ein Zweipol-Bauelement, wie beispielsweise ein nichtlinearer Widerstand.

Aus der US-PS 42 51 136 ist ein Matrixanzeigefeld bekannt, bei dem die nichtlinearen Widerstände jeweils von zwei antiparallel geschalteten Diodenketten gebildet werden, wie hier in Fig. 3 der Zeichnungen gezeigt. Wenn bei einer solchen Anordnung eine der Dioden, beispielsweise durch einen Durchbruch, kurzgeschlossen ist, dann geht die Bidirektional-Charakteristik der Anordnung verloren, so daß sich den Treiberspannungen für das Anzeigeelement eine Gleichkomponente überlagert, die zur Folge hat, daß die Zuverlässigkeit und die Lebensdauer des Anzeigefeldes beeinträchtigt werden.

Die in der genannten DE-OS 33 34 918 beschriebene Anordnung, die hier in Fig. 4 der Zeichnung dargestellt ist, vermeidet solche Nachteile. Das Bildelement enthält Tastelektroden S, Datenelektroden D, ein Flüssigkristall-Anzeigeelement LC und ein nichtlineares Widerstandselement DR, das aus einem Diodenring besteht. Der Diodenring hat eine niedrige Schwellenspannung V _th und eine hervorragende Stabilität der Schwellenspannungskennwerte. Gemäß der nämlichen Druckschrift ist es auch möglich, mehrere solcher Diodenringe hintereinanderzuschalten, wie Fig. 5 zeigt. Jeder Diodenring besteht aus Dioden D 1 i und D 2 i, die mit gegeneinander vertauschter Polarität zueinander an Anschlüssen Ci und Ci + 1 parallel geschaltet sind. Ein solches nicht lineares Widerstandselement kann auf kleiner Fläche untergebracht werden und hat im Vergleich zu dem vorbeschriebenen nichtlinearen Widerstandselement nach Fig. 3 eine hohe Leistungsfähigkeit.

Bei der Vielzahl der vorhandenen Dioden in einer solchen Diodenringkette stellt sich jedoch die Frage nach der räumlichen Unterbringung der Dioden.

Der Erfindung liegt daher die Aufgabe zugrunde, ein Matrixanzeigefeld nach dem Oberbegriff des Anspruchs 1 anzugeben, bei dem die Dioden in einem Bereich kleiner Abmessungen untergebracht sind.

Diese Aufgabe wird durch die kennzeichnenden Merkmale des Anspruchs 1 gelöst. Vorteilhafte Ausgestaltungen der Erfindung sind Gegenstand der Unteransprüche.

Bei besonderer Ausbildung der Tastelektroden und Datenelektroden derart, daß sie nicht mit einer Verbindung der Diodenringe überlappen, läßt sich der Anzeigeeffekt weiter verbessern.

Die Erfindung soll nachfolgend unter Bezugnahme auf die Zeich nungen näher erläutert werden. Es zeigt

Fig. 1 ein Blockdiagramm einer Flüssigkristall-Matrixanzeige vorrichtung, die mit nichtlinearen Widerständen arbeitet;

Fig. 2 ein Ersatzschaltbild, das einen Ausschnitt aus dem An zeigefeld zeigt;

Fig. 3 ein konventionelles nichtlineares Widerstandselement aus einer Mehrzahl von Dioden;

Fig. 4 einen Schaltkreis einer Einheit eines Anzeigeelements;

Fig. 5 ein Ersatzschaltbild eines nichtlinearen Widerstandes aus einer Mehrzahl von Diodenringen;

Fig. 6(a) eine Draufsicht auf die Ausbildung eines Diodenrings einer Stufe nach der vorliegenden Erfindung;

Fig. 6(b) einen Schnitt längs der Linie A-A von Fig. 6a;

Fig. 6(c) ein schematisches Schaltbild von Fig. 6a;

Fig. 7(a) ein schematisches Schaltbild des konventionellen nichtlinearen Widerstands nach Fig. 3;

Fig. 7(b) ein schematisches Schaltbild eines nichtlinearen Widerstandes einer Dreistufenverbindung;

Fig. 8 bis 10 vereinfachte Muster von Ausführungs formen der vorliegenden Erfindung;

Fig. 11(a) eine Draufsicht auf die Ausführungsform nach Fig. 8;

Fig. 11(b) eine Draufsicht auf die Ausführungsform nach Fig. 9;

Fig. 12(a) bis 12(e) Kurvenformen der Treibersignale für ein Flüssigkristall-Anzeigeelement;

Fig. 13 ein Schaltbild einer anderen Ausführungsform einer Bildelementeneinheit nach der vorliegenden Erfindung;

Fig. 14 ein Ersatzschaltbild der Ausführungsform nach Fig. 13;

Fig. 15(a) und 15(b) Draufsichten auf erste und zweite Substrate einer konventionellen Bildelementeneinheit;

Fig. 16(a) und 16(b) erste und zweite Substrate einer weiteren Ausführungsform der Erfindung;

Fig. 16(c) einen Schnitt längs der Linie X-X von Fig. 16a.

Fig. 1 zeigt eine aktive Matrixanzeigeeinrichtung, bestehend aus einem Anzeigefeld 1, das über eine Vielzahl von Daten elektroden D 1, D 2, . . . DI . . . DM adressiert und über eine Mehrzahl von Elektroden S 1, S 2, . . . SJ . . . SN getastet wird. Ein Datenelektrodentreiber 2 führt ein Datensignal zu den Datenelektroden entsprechend einer von einem Videoprozessor kreis 4 zugeführten Information. Ein Tastelektrodentreiber 3 führt ein entsprechendes Abtastsignal, das sequentiell zuge führt wird, zu einer ausgesuchten Tastelektrode. Ein Tastim pulskreis 5 führt den beiden Treibern verschiedene Zeitsignale zu.

Fig. 2 zeigt ein Ersatzschaltbild eines Matrixanzeigefeldes, das aus einer Vielzahl von Bildelementen besteht, von denen jedes ein Flüssigkristallelement 7 und einen nichtlinearen Widerstand 8 enthält.

Fig. 3 zeigt einen bekannten nichtlinearen Widerstand, der aus zwei Diodenketten 9 und 10 besteht. Die Schwellspannung V _th in Vorwärtsrichtung beträgt im allgemeinen 0,3 bis 1,0 Volt. Für ein Anzeigefeld wird jedoch eine höhere Schwell spannung benötigt. Aus diesem Grunde ist eine Mehrzahl von Dioden in Serie geschaltet. Weiterhin ist zwischen den An schlüssen 11 und 12 eine Reihe Dioden in Gegenrichtung der erstgenannten Diodenreihe parallelgeschaltet. Es ergibt sich hierdurch ein bidirektionales Bauelement, d. h. ein Bauelement, das in beiden Richtungen gesehen, gleiche Eigenschaften auf weist. Die Nachteile einer solchen Anordnung sind eingangs bereits erläutert worden.

Der Aufbau eines Diodenrings mit einer amorphen Siliziumdünn filmfolie wird nachfolgend beschrieben. Fig. 6a und 6b zeigen ein Paar paralleler (rückseitiger) Elektroden N 1, N 2 in Form von Streifen, die in Rillen einer Isolierschicht 14 ausgebildet sind. Ein amorpher Siliziumdünnfilm ist im Selbstausrichte verfahren so ausgebildet, daß dieser an den Kreuzungsstellen D 1, D 2 der rückseitigen Elektroden N 1, N 2 mit vorder seitigen Elektroden P 1, P 2 verbleibt, die nachfolgend in Form von Streifen an einer, d. h. der Vorderseite der Schicht 14, aufgebracht sind. Der amorphe Silizium dünnfilm an den anderen Kreuzungsstellen C 1, C 2 ist zuvor entfernt worden. Es ergeben sich auf diese Weise Dünnfilmdioden D 1, D 2 und Elektrodenverbindungen C 1, C 2 der Elektroden N 1, N 2 und P 1, P 2. In Fig. 6c bedeutet ein Kreis eine Diode und ein Kreuz eine Leitungsverbindung.

Fig. 7a zeigt das konventionelle nichtlineare Widerstandsele ment von Fig. 3, was auf dieselbe Weise wie Fig. 6 herge stellt ist.

Fig. 7b zeigt schematisch ein nichtlineares Widerstandselement der vorliegenden Erfindung, das aus sechs Dioden und vier Kon takten besteht und dreistufig aufgebaut ist.

Vergleicht man die nichtlinearen Widerstandselemente nach den Fig. 7b und 7a, dann sieht man, daß, obgleich die Anzahl der Dioden in Fig. 7a so groß ist wie die von Fig. 7b die Anzahl der Leitungsverbindungen in Fig. 7b vier und in Fig. 7a sechs beträgt. Allgemein gesagt benötigt man beim konven tionellen Widerstandselement 2N Leitungsverbindungen für eine N-stufige Diodenanordnung. Im Gegensatz hierzu ist bei gleicher Diodenstufenzahl bei der Erfindung die Anzahl der Verbindungen N + 1. Wie sich aus Fig. 6a ergibt, ist der Flä chenbereich einer Diode etwa ebenso groß wie der einer Lei tungsverbindung. Dementsprechend kann man mit Hilfe der Er findung die Flächengröße für die Leitungsverbindung im Vergleich zur Fläche der Anzeigeelemente erheblich reduzieren. Bei einem Flüssigkristall-Anzeigeelement hat die Anzeigefläche, das ist das Öffnungsverhältnis, einen großen Einfluß auf die Hellig keit der Anzeige. Mit Hilfe der Erfindung kann man somit eine Anzeigeeinrichtung schaffen, die eine vergleichsweise hohe Helligkeit aufweist.

Die Erfindung soll nachfolgend unter Bezugnahme auf Fig. 7b detailliert erläutert werden.

Ein Diodenring DRi im i-ten Glied enthält eine erste Diode D 1 i, die am Schnittpunkt einer ersten vorderen Elektrode P 1 i und einer ersten rückseitigen Elektrode N 1 i gebildet ist, eine zweite Diode D 2 i am Schnittpunkt einer zweiten vorderseitigen Elek trode P 2 i mit einer zweiten rückseitigen Elektrode N 2 i, eine erste Leitungsverbindung Ci der ersten vorderseitigen Elek trode P 1 i mit der zweiten rückseitigen Elektrode N 2 i und eine zweite Verbindung Ci + 1 der ersten rückseitigen Elektrode N 1 i mit der zweiten vorderseitigen Elektrode P 2 i. In gleicher Weise enthält ein Diodenring DRi + 1 (i + 1)-ten Glied eine erste Diode D 1 i + 1 am Schnittpunkt einer ersten vorderseitigen Elektrode P 1 i + 1 mit einer ersten rückseitigen Elektrode N 1 i + 1, eine zweite Diode D 2 i + 1 an dem Kreuzungspunkt einer zweiten vorderseitigen Elektrode P 2 i + 1 mit einer zweiten rückseitigen Elektrode N 2 i + 1, eine erste Verbindung Ci + 1 der ersten vor derseitigen Elektrode P 1 i + 1 mit der zweiten rückseitigen Elektrode N 1 i + 1, die gemeinsam mit der zweiten Verbindung des vorangehenden Diodenringes DRi, und eine zweite Verbin dung Ci + 2 der ersten rückseitigen Elektrode N 1 i + 1 mit der zweiten vorderseitigen Elektrode P 2 i + 1. Hierbei ist i eine natürliche Zahl zwischen 1 und N -1, wobei N die Gesamtzahl der Stufen oder Diodenringe im Widerstandselement ist.

In Übereinstimmung mit den Mustern nach den Fig. 6a und 7b können die Kreuzungsbereiche flächenmäßig gleich groß ge macht werden, da die Elektroden sich an den Kreuzungsstellen im rechten Winkel kreuzen.

Fig. 8 zeigt einen Teil der Ausführungsform nach Fig. 7 zur Vereinfachung für den Vergleich mit weiteren Ausführungsfor men.

Fig. 9 zeigt eine weitere Ausführungsform der Erfindung, bei der die vorderseitigen Elektroden P 2 i und P 1 i + 1 von Fig. 8 mit der vorderseitigen Elektrode P 2 i + 1 vertauscht sind. Die erste Diode D 1 i des Diodenringes DRi liegt daher benachbart der zweiten Diode D 2 i + 1 des Diodenringes DRi + 1 in dem Muster.

Die Fig. 11a und 11b zeigen Draufsichten auf die Ausführungs formen der Fig. 8 und 9. Es sei angenommen, daß die Mini malbreite der Elektrode die Größe L hat und der notwendige Zwischenraum zwischen den Elektroden 2L beträgt, damit man ein geeignetes Element erhält. Dementsprechend ist die Größe des Elementes nach Fig. 11a ungefähr 9L mal 9L und jene des Elements nach Fig. 11b beträgt 9L mal 8L, was kleiner ist als das Beispiel nach Fig. 11a. Dies rührt von der benachbarten Anordnung der Dioden her. Bei der Herstellung eines Elements nach der Selbstausrichtemethode ist es notwendig, ein Muster zu haben, damit man die Position für die Diode und die Posi tion für die Leitungsverbindung voneinander gut unterscheiden kann. Mit den Bezugszeichen 15 und 16 sind solche Muster be zeichnet. Bei dem Element nach Fig. 11a ist eine Länge von 3L notwendig für eine Elektrode. Im Gegensatz dazu ist in Fig. 11b die Länge 5L für zwei Elektroden vorgesehen. Dies be deutet, die Breite des Musters wird um 1L für eine benach barte Anordnung zweier Dioden verringert.

Fig. 10 zeigt eine weitere Ausführungsform von Fig. 9, bei der die rückseitigen Elektroden N 1 i und N 1 i + 1 von Fig. 9 mit der rückseitigen Elektrode N 1 i + 1 vertauscht sind. Die zweite Diode D 2 i des Diodenringes DRi wird mit der ersten Diode D 1 i + 1 des Diodenringes DRi + 1 im Muster fortgesetzt. Obgleich die oben beschriebenen Vertauschungen der Elektroden bei zwei stufigen Elementen durchgeführt sind, lassen sich solche Ver tauschungen auch in drei- oder mehrstufigen Elementen aus führen.

Die Fig. 12a bis 12e zeigen Kurvenformen zum Ansteuern der Anzeigevorrichtung, die ein nichtlineares Ele ment mit niedriger Schwellenspannung verwenden. In den Zeich nungen zeigt Φ* Kurvenformen für die Ansteuerung der Tastelektrode S und Ψ* eine Kurvenform für die Ansteuerung der Datenelektrode D. Die Kurfenform Φ* enthält eine Ladephase CH während der Periode ts (j) und eine Haltephase während der Periode th (j). Die Spannung der schraffierten Bereiche entsprechen der Einschaltspannung V _{O Λ} und der Ausschaltspannung V _OFF, die der Anzeigeeinrichtung zugeführt werden, um ein Anzeigeelement zu aktivieren bzw. ein Anzeigeelement in einem nicht-aktivierten oder Ausschaltzustand zu halten. Das Verhältnis zwischen diesen Spannungen und der Schwellenspannung V _th läßt sich durch die folgende Gleichung ausdrücken:

V _ON - V _OFF ≦ V _th

Eine amorphe Siliziumdiode hat eine Schwellenspannung von etwa 0,5 bis 0,6 Volt. Eine Flüssigkristall-Anzeigeeinrichtung mit gewöhnlichem verdrehtem nematischem Modus wird von einer solchen Spannungsdifferenz zu 90% seiner optischen Eigenschaften wirksam gemacht. Eine Flüssigkristall-Anzeigeeinrichtung mit einer sehr viel höheren Betriebstemperatur muß mit einer höheren Spannung betrieben werden, so daß eine Schwellenspannung notwendig ist, die höher ist, als die oben beschriebene Span nung. Die optischen Eigenschaften im guest-host-mode ändern sich nicht so schnell wie beim verdrehten nematischen Modus. Dementsprechend ist wenigstens eine Schwellenspannung von mehr als 1 Volt notwendig.

Fig. 13 zeigt eine Bildelementeinheit zur Erzielung einer Schwellenspannung von 1 Volt oder mehr. Die Bildelementeneinheit besteht aus einem Diodenring DR 1 mit Dioden 41 und 43 und einem Diodenring DR 2 mit Dioden 42 und 44, die in Serie geschaltet sind und ein zweistufiges nichtlineares Element bilden. Die anderen Komponenten sind die gleichen wie in Fig. 4.

Fig. 15a zeigt ein Muster auf einem ersten Substrat und Fig. 15b zeigt ein Muster auf einem zweiten Substrat der Einheit von Fig. 13. Auf dem ersten Substrat nach Fig. 15a sind Dioden 41, 42, 43 und 44, eine Verbindung B zwischen den Diodenringen DR 1 und R 2, eine Anzeigeelektrode C, eine Tastelektrode S und Verbindungen JS und JC für die Tastelektrode S und die Anzeigeelektrode C ausgebildet. Auf dem zweiten Substrat nach Fig. 15b ist die Datenelektrode D ausgebildet. Der Flüssig kristall liegt zwischen den beiden Substraten.

Fig. 14 zeigt ein Ersatzschaltbild des Bildelementes nach Fig. 13. Die Diodenringe DR 1 und DR 2 sind durch Kapazitäten C _DR ₁ und C _DR ₂ und nichtlineare Widerstände R _DR ₁ und R _DR ₂ darge stellt. Das Flüssigkristallelement LC ist durch die Kapazi tät C _LC des Flüssigkristallmaterials und den Verlustwider stand R _LC, die parallel geschaltet sind, dargestellt. Die Frage gilt der Steuerkapazität C _s und dem Streuwiderstand R _s, die mit gestrichelten Linien dargestellt sind. Die Streukapazität C _s beeinflußt die Verteilung der elektrischen Ladung während des Übergangs von der Ladephase CH zur Haltephase HL nach Fig. 12 und ruft einen Verlust an elektrischer Ladung, die in der Kapazität (C _LC) des Flüssigkristalls gespeichert werden soll, hervor. Der Streuwiderstand R _s vergrößert noch die Fehlfunktion. Die Verbindung B zwischen den Diodenringen wird auf einer Zwischen spannung zwischen der Tastelektrode S und der Anzeigeelektrode C gehalten ohne den Streuwiderstand R _s. Andererseits liegt an der Datenelektrode D ein kompliziertes Datensignal Ψ *i, das in Fig. 12c dargestellt ist. Dementsprechend ist die Spannung an der Verbindung B abhängig von dem komplizierten Verhältnis zwischen den Spannungen an beiden Elektroden. Wenn Verlust ladung irregulär über den Streuwiderstand R _s in Abhängigkeit von dem komplizierten Spannungsverhältnis gelangt, dann wird die Spannung an der Verbindung B auf einem Zwischenwert ge halten, der zwischen den Spannungen an beiden Elektroden liegt, und daher sind die an den nichtlinearen Elementen DR 1 und DR 2 anliegenden Spannungen voneinander verschieden. Da die zugeführte elektrische Ladung außerdem von einem Datensignal abhängig ist, ist sie nicht konstant. Dementsprechend arbeiten die nichtlinearen Elemente DR 1 und DR 2 nicht als stabiles nichtlineares Element. Eine solche elektrische Verbindung von Widerstand, Kondensator und dgl. zwischen der Verbindung und der Elektrode hat einen sehr schlechten Einfluß auf den An zeigeeffekt.

Gemäß einem weiteren Aspekt der vorliegenden Erfindung können die oben beschriebenen Nachteile beseitigt werden.

Die Fig. 16a bis 16c zeigen eine weitere Ausführungsform der vorliegenden Erfindung. Die Struktur eines ersten Sub strats von Fig. 16a ist im Aufbau die gleiche wie jene nach Fig. 15a. In Fig. 16c ist mit dem Bezugszeichen 45 das erste Substrat bezeichnet, auf welchem eine Anzeigeelektrode C, eine Isolierschicht 46, Dioden 41 und 44 und ein Metallfilm 47 entsprechend der vorderseitigen und rückseitigen Elektrode ausge bildet sind. Auf dem zweiten Substrat 48 ist eine Datenelek trode D ausgebildet. Zwischen beiden Elektroden C und D ist ein Flüssigkristallmaterial 50 vorgesehen. Die Datenelektrode D hat einen Aussparungsbereich Db entsprechend der Verbindung B (gestrichelter Bereich in Fig. 16a) des ersten Substrats, um eine elektrische Verbindung zwischen ihnen zu vermeiden. Mit anderen Worten die Elektrode D hat in Draufsicht eine solche Gestalt, daß sie mit der Verbindung B nicht überlappt. Da erstes und zweites Substrat so angeordnet sind, daß sie das Flüssigkristallmaterial zwischen sich einschließen, wird die kapazitive Leitfähigkeit zwischen der Datenelektrode D und der Verbindung B erheblich reduziert, z. B. auf ¹/₁₀ oder ge ringer im Vergleich zum Element nach Fig. 15. Eine solch ge ringe Leitfähigkeit hat in der Praxis keinen Einfluß auf den Anzeigeeffekt.

Es versteht sich, daß die Tastelektrode S von Fig. 16a und die Datenelektrode D von Fig. 16b gegeneinander austauschbar sind. In diesem Falle wird die Tastelektrode S so gestaltet, daß eine elektrische Verbindung von ihr zur Verbindung B ver mieden wird.

Obgleich die vorliegende Erfindung in bezug auf Ausführungs formen mit einer Flüssigkristall-Anzeigeeinrichtung beschrie ben worden ist, kann sie doch auch mit anderen Anzeigeein richtungen verwendet werden.

Wenn man anstelle eines Flüssigkristallanzeigefeldes eine elek trochromische Anzeigeeinrichtung verwendet, dann wird nach der Ausbildung des Musters nach Fig. 16a eine elektrochromische Schicht auf dem Substrat niedergeschlagen, auf dem eine Daten elektrode D ausgebildet ist.

Claims

1. Matrixanzeigefeld mit einem Gitter aus einer Vielzahl von Spaltenelektroden und einer Vielzahl von Reihenelektroden, die vorder- und rückseitige Elektroden bilden, und jeweils einem Bildelement an jeder Kreuzungsstelle von Spalten- und Reihenelektroden, das mit den zugehörigen Spalten- und Reihenelektroden verbunden ist und aus einem Anzeigeelement und einem nichtlinearen Widerstandselement besteht, die miteinander in Serie geschaltet sind, wobei das Widerstandelement aus mehreren Diodenringen besteht, die miteinander in Serie geschaltet sind, jeweils aus einem Paar mit zueinander entgegengesetzter Polarität parallel geschalteter Dioden bestehen und mit dem benachbarten Diodenring jeweils an nur einem Verbindungspunkt verbunden sind, dadurch gekennzeichnet, daß jede vorderseitige Elektrode (P) und jede rückseitige Elektrode (N) in Form eines Streifens ausgebildet ist, daß das Diodenpaar (D 1, D 2) eines Diodenrings an ersten Kreuzungen eines Paares vorderseitiger Elektrodenstreifen mit einem Paar rückseitiger Elektrodenstreifen ausgebildet ist und der Verbindungspunkt (C) des Diodenringes an einer zweiten, von den ersten unterschiedlichen Kreuzung ausgebildet ist.

2. Matrixanzeigefeld nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Anzeigeelemente Flüssigkeitskristallanzeigeelemente sind.

3. Matrixanzeigefeld nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Reihen- und Spaltenelektroden Tast- bzw. Datenelektroden sind.

4. Matrixanzeigefeld nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, daß eine Elektrode eines jeden Tast- und Datenelektrodenpaares so ausgebildet ist, daß sie nicht einer Verbindung zwischen Diodenringen entspricht, um einen elektrischen Kontakt mit jener Verbindung zu vermeiden.

5. Matrixanzeigefeld nach Anspruch 1, bei dem einer der Diodenringe als i-ter Diodenring und der nächste als (i + 1)-ter Diodenring bezeichnet ist, dadurch gekennzeichnet, daß

a) der i-ter Diodenring enthält:
eine erste Diode (D 1 i), die an einer Kreuzung eines ersten vorderseitigen Elektrodenstreifens (P 1 i) mit einem ersten rückseitigen Elektrodenstreifen (N 1 i) ausgebildet ist,
eine zweite Diode (D 2 i), die an einer Kreuzung eines zweiten vorderseitigen Elektrodenstreifens (P 2 i) mit einem zweiten rückseitigen Elektrodenstreifen (N 2 i) ausgebildet ist,
eine erste Verbindung (Ci), die an einer Kreuzung des ersten vorderseitigen Elektrodenstreifens (P 1 i) mit dem zweiten rückseitigen Elektrodenstreifen (N 2 i) ausgebildet ist, und
eine zweite Verbindung (Ci + 1), die an einer Kreuzung des ersten rückseitigen Elektrodenstreifens (N 1 i) mit dem zweiten vorderseitigen Elektrodenstreifen (P 2 i) ausgebildet ist,
b) der (i + 1)-te Diodenring enthält:
eine erste Diode (D 1 i + 1), die an einer Kreuzung eines ersten vorderseitigen Elektrodenstreifens (P 1 i + 1) mit einem ersten rückseitigen Elektrodenstreifen (N 1 i + 1) ausgebildet ist,
eine zweite Diode (D 2 i + 1), die an einer Kreuzung eines zweiten vorderseitigen Elektrodenstreifens (P 2 i + 1) mit einem zweiten rückseitigen Elektrodenstreifen (N 2 i + 1) ausgebildet ist,
eine erste Verbindung (Ci + 1), die an einer Kreuzung des ersten vorderseitigen Elektrodenstreifens (P 1 i + 1) mit dem zweiten rückseitigen Elektrodenstreifen (N 2 i + 1) ausgebildet ist, und
eine zweite Verbindung (Ci + 2), die an einer Kreuzung des ersten rückseitigen Elektrodenstreifens (Ni + 1) mit dem zweiten vorderseitigen Elektrodenstreifen (P 2 i + 1) ausgebildet ist,
wobei die zweite Verbindung (Ci + 1) des i-ten Diodenrings mit der ersten Verbindung (Ci + 1) des (i + 1)-ten Diodenrings zusammenfällt.