DE69111906T2 - Verfahren zur Herstellung von Matrixen von MIM-Anordnungen und solche Matrixen enthaltende Anzeigevorrichtungen. - Google Patents

Description

• Die Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren zur Herstellung von Matrizen von MIM-Anordnungen mit Adressenleitern und Anschlußelektroden auf einem gemeinsamen Substrat zur speziellen, obgleich nicht ausschließlichen Verwendung bei aktiven Matrixanzeigevorrichtungen, zum Beispiel Flüssigkristallanzeigevorrichtungen.
• Bekannte MIM-Anordnungen, welche im allgemeinen eine, zwischen zwei leitenden Schichten angeordnete, dünnschichtige Isolierschicht aufweisen, welcher bei Benutzung eine Spannung zugeführt wird, können insofern als eine Art Diodenstruktur angesehen werden, als sie eine nichtlineare Kennlinie zeigen und bei aktiven Matrix- Flüssigkristallanzeigevorrichtungen als Schaltelemente beim Adressieren der Bildelemente von Anzeigevorrichtungen verwendet worden sind. Diese beiden Anordnungen bieten gegenüber den ebenfalls für solche Zwecke verwendeten IFTs insofern Vorteile, als sie verhaltnismäßig einfach herzustellen sind und weniger Adressenleitungen, ohne Überkreuzungen, auf ihrem Trägersubstrat erfordern.
• Beispiele von Matrizen von MIM-Anordnungen für Flüssigkristallanzeigevorrichtungen und Verfahren zur Herstellung derselben sind in US-A-4413883 und US- A-4683183 beschrieben.
• Die MIM-Anzeigevorrichtungen bestehen aus ersten und zweiten Glassubstraten, welche jeweils Zeilen- und Spaltenadressenleiter mit einzelnen Bildelementen tragen, die im Bereich der Kreuzungspunkte der sich kreuzenden Zeilen- und Spaltenleiter vorgesehen sind. Eine, von dem ersten Substrat getragene Bildelementelektrode wird über zumindest eine MIM-Anordnung, welche ebenfalls von dem ersten Substrat getragen wird, an einen Zeilenleiter elektrisch angeschlossen. Die MIM-Anordnungen fungieren als eine Schwellwertcharakteristik aufweisende Bidirektional-Schalter und werden in Abhängigkeit einer angelegten Spannung eingeschaltet, um eine Übertragung der Videodatensignalspannungen auf die Bildelemente zwecks Herstellung der gewünschten Anzeige zu ermöglichen.
• Obgleich eine solche Anordnung im allgemeinen als Metall-Isolator- Metall-Anordnung bezeichnet wird, können leitende Materialien, wie zum Beispiel Indiumzinnoxid (ITO), als eine oder beide "Metall"-Schichten verwendet werden; dementsprechend sollte dann das Akronym gebildet werden. Ferner sind die hier verwendeten Begriffe "Isolator" und "Isolierschicht" im weiteren Sinne so auszulegen, daß sie auf dem Gebiet der MIM-Anordnungen bekannte Halbisolatoren und nichtstöchiometrische Materialien umfassen. Die Schaltkenngrößen der Anordnung sind von der Zusammensetzung und Stärke der Isolierschicht abhängig und werden von den Ladungsübertragungsmechanismen bestimmt. Das Schaltverhalten vieler MIM-Anordnungen resultiert aus der Durchtunnelung oder dem Hopping der Träger in der dünnschichtigen Isolierschicht; in dieser Beziehung ist die Spannungs-/Widerstands-Kennlinie der Anordnung von der Größe des elektrischen Feldes und somit der Beschaffenheit und Stärke der Isolierschicht abhängig. Bei einigen Formen der MIM-Anordnungen wird der Mechanismus durch die Sperrschicht zwischen dem Metall und dem (Halb-) Isolator gesteuert. Die zuvor erwähnten Angaben beschreiben verschiedene Formen von MIM- Anordnungen, für welche unterschiedliche Materialien verwendet werden. Bei den leitenden Schichten kann in diesen Nickel, Chrom, Tantal, Aluminium oder anderes Metall enthalten sein. Die Isolierschicht kann aus Siliziumnitrid, Siliziumdioxid, Siliziumoxynitrid, Siliziummonoxid und Zinkoxid bestehen. Weitere Beispiele in Anzeigevorrichtungen verwendeter MIM-Anordnungen sind in EP-A-0182474 beschrieben.
• Die Kennlinien I-V dieser MIM-Anordnungen tendieren dazu, asymmetrisch zu sein. Um symmetrische Kennwerte vorzusehen,welche ohne weiteres die gewünschte Polumkehr von Adressierungssignalen bei der Ansteuerung der Anzeigevorrichtungen erlauben, ist in US-A-4413883 vorgeschlagen worden, ein antiparallel reihengeschaltetes oder in Opposition hierzu parallelgeschaltetes Paar MIM-Anordnungen für jeden Bildpunkt zu verwenden, wodurch im wesenflichen die symmetrischen Kennlinien I-V erreicht werden. In einer beschriebenen Ausführungsform wird ein Paar MIM-Anordnungen nebeneinander auf einem Träger mit den jeweiligen ersten Anschlüssen jeder Anordnung, welche durch eine einzige, auf dem Träger ausgebildete Schicht miteinander verbunden sind und Teile derselben aufweisen, angeordnet. Das Verfahren zur Herstellung der Paare MIM-Anordnungen zusammen mit Anzeigeelementelektroden und Adressenleitern schließt eine Anzahl Definitionsverfahren ein, für welche mehrere Masken und Belichtungen erforderlich sind.
• Während die Herstellung aktiver Matrixsubstrate von MIM-Anordnungen aufweisenden Anzeigevorrichtungen im allgemeinen einfacher und somit weniger kostenaufwendig als solcher mit IFTs als Schaltelemente ist, besteht immer noch Bedarf an weiteren Herstellungsverbesserungen sowie weiteren Kostensenkungen. Auch hat es sich bei der Herstellung von Anzeigevorrichtungen gezeigt, daß MIM-Anordnungen, welche anfällig gegen statische Elektrizitätseinflüsse sind, infolge statischer Aufladungen, die bei bestimmten Herstellungsverfahren entstehen, leicht beschädigt werden.
• Es ist deshalb Aufgabe der Erfindung, ein Verfahren zur Herstellung von Matrizen von MIM-Anordnungen zusammen mit Adressenleitern und zugeordneten Elektroden auf einem Substrat vorzusehen, welches verhältnismäßig einfach und kostengünstig ist.
• Ferner ist es Aufgabe der vorliegenden Erfindung, eine Matrix von MIM-Anordnungen zusammen mit Adressenleitern und zugeordneten Elektroden auf einem gemeinsamen Träger vorzusehen, welcher zur Verwendung in aktiven Matrixanzeigevorrichtungen geeignet und weniger anfällig gegen Schäden durch statische Aufladungen ist.
• Nach einem ersten Aspekt der vorliegenden Erfindung wird ein Verfahren zur Herstellung einer Matrix von MIM-Anordnungen mit einem Satz Adressenleiter und mehreren Anschlußelektroden auf einem gemeinsamen Substrat vorgesehen, wobei jede Anschlußelektrode über zumindest eine MIM-Anordnung an einen zugeordneten Adressenleiter angeschlossen ist, welches die folgenden Verfahrensschritte aufweist: Aufbringen von übereinanderliegenden, dünnen Schichten über dem Substrat, welche eine Mehrschichtenstruktur bilden, die von der Substratobertläche aus gesehen nacheinander eine Schicht eines, für MIM-Anordnungen geeigneten Isoliermaterials und eine leitende Schicht aufweist, danach Durchführung eines Leiterbilderstellungsverfahrens auf der Mehrschichtenstruktur mit Hilfe einer Maske, um die durch die Maske definierten Zonen, welche die Anschlußelektroden, die Adressenleiter und zumindest einen verhältnismäßig schmalen, jede Anschlußelektrode und ihren zugeordneten Adressenleiter verbindenden Abschnitt aufweisen, zu belassen und einen Teil der leitenden Schicht der Mehrschichtenstruktur an jedem Verbindungsabschnitt zur Herstellung einer Diskontinuität in der leitenden Schicht zwischen dem Adressenleiter und der Anschlußelektrode zu entfernen, wodurch an jedem Verbindungsabschnitt eine MIM-Anordnung gebildet wird. In einer bevorzugten Ausführungsform des Verfahrens weist die Mehrschichtenstruktur ferner eine Widerstandsschicht auf, auf welcher die Isolierschicht und die leitende Schicht vorgesehen sind. Mit diesem Verfahren erfolgt die Herstellung von Matrizen von MIM-Anordnungen mit Anschlußelektroden, zum Beispiel Anzeigeelementelektroden, und Adressenleitern auf einem gemeinsamen Substrat im Verhältnis zu konventionellen Herstellungsverfahren, für welche mehrere Masken und Belichtungen erforderlich sind, auf sehr einfache und zuverlässige Weise mit lediglich je einer Maske und Belichtung zur Definierung dieser Bauelemente. Das Verfahren ist somit weniger kompliziert. Im wesentlichen bietet das Verfahren den großen Vorteil, daß keinerlei Ausrichtung erforderlich ist. Die bei bekannten Mehrfachmaskenverfahren während verschiedener Herstellungsstufen vorzunehmende Ausrichtung der Bauelemente ist überflüssig. Folglich sieht die Erfindung ohne weiteres großflächige Matrizen und somit Anzeigevorrichtungen vor, welche auf wesentlich einfachere Weise und weniger kostenaufwendig hergestellt werden.
• Obgleich besonders geeignet zur Verwendung als Bauelement in einer aktiven Matrixanzeigevorrichtung, besteht die Absicht, die durch dieses Verfahren zusammen mit ihrem Satz Adressenleiter und Anschlußelektroden auf einem gemeinsamen Substrat ausgebildeten Matrizen von MIM-Anordnungen als Bauelemente in anderen Vorrichtungen, möglicherweise mit weiteren, auf dem Substrat ausgebildeten Bauelementen, zu verwenden.
• Zwischen jeder Anschlußelektrode und ihrem zugeordneten Adressenleiter kann ein, eine einzelne MIM-Anordnung vorsehender, einzelner Verbindungsabschnitt ausgebildet sein. Alternativ können zwischen jeder Anschlußelektrode und ihrem zugeordneten Adressenleiter mehrere einzelne Verbindungsabschnitte ausgebildet sein, wodurch mehrere MIM-Anordnungen zwischen der Anschlußelektrode und deren Adressenleiter in Parallelschaltung elektrisch vorgesehen sind, um einen größeren Stromfluß zwischen dem Adressenleiter und der Anschlußelektrode zu ermöglichen und ein größeres Maß an Redundanz vorzusehen.
• Die durch das bevorzugte Ausführungsbeispiel hergestellten MIM- Anordnungen sind von lateraler Art. Sie weisen jeweils darüberliegende, resistive und isolierende Schichten sowie zwei - voneinander beabstandete - Anschlüsse, welche durch Teile der leitenden Schicht unmittelbar in Angrenzung an die Diskontinuität und jeweils integral mit den, den zugeordneten Adressenleiter und die Anschlußelektrode darstellenden Zonen der leitenden Schicht auf der Oberfläche der Isolierschicht in einer Entfernung von der resistiven Schicht gebildet werden, auf. Jede MIM-Anordnung weist bei Betrieb im wesentlichen symmetrisches Verhalten auf, das heißt, es werden im wesentlichen symmetrische Kennlinien I-V für beide Polaritäten der angelegten Spannung vorgesehen, was die in LC-Anzeigevorrichtungen erwünschte periodische Umkehr der Polarität der Steuerspannung ermöglicht, um eine signifikante Gleichspannungskomponente durch das LC-Material zu vermeiden. Um Struktur und Verhalten besser zu verstehen, könnte die Anordnung als Äquivalent eines Paares reihengeschalteter, bidirektionaler, nichtlinearer, Rücken an Rücken angeordneter Elemente angesehen werden.
• Die resistive Schicht der Struktur der aus diesem Verfahren resultierenden MIM-Anordnung bietet insofern einen bedeutenden Vorteil, als sie einen wirksamen Reihenwiderstand vorsieht, welcher die Anordnung vor statischem Schaden schützt und die MIM-Anordnung somit bei normalem Betrieb im allgemeinen das gleiche Verhalten wie eine konventionelle Anordnung aufweist. Die resistive Schicht dient zur Begrenzung des Stromflusses bei höher angelegten Spannungen, d.h. oberhalb des normalen Betriebsbereiches, und weist lediglich bei Anlegen einer hohen Spannung, d.h. der statischen Elektrizität zugeordneten Spannungspegeln, eine nennenswerte Wirkung auf. Bei verhältnismäßig niedrigen Spannungspegeln, welche etwa denen gleichen, die in der Regel zur Steuerung von MIM-Anordnungen in Anzeigevorrichtungen angewandt werden und welche dazu dienen, die MIM-Anordnung in Betrieb zu versetzen, nimmt die resistive Schicht praktisch keinerlei Einfluß auf die nichtlineare, Schalt-, Kenngröße der Anordnung.
• Der Satz Adressenleiter und die Anschlußelektroden, welche durch dieses Verfahren vorgesehen sind, weisen, was ihre geplanten Funktionen betrifft, überwiegend Zonen der leitenden Schicht auf. Die darunterliegenden Zonen der isolierenden und resistiven Schicht sind für die Funktion der Adressenleiter und Anschlußelektroden, zum Beispiel in einer Anzeigevorrichtung, weitgehendst überflüssig Das Vorhandensein dieser beiden Schichten sollte sich bei korrekter Auslegung der Bauelemente nicht signifikant auf die Funktion der Adressenleiter und Anschlußelektroden auswirken.
• Die resistive Schicht kann ein aus amorphem Silizium bestehendes Material aufweisen. Ein solches Material kann zweckmäßigerweise unter Anwendung allgemein bekannter Techniken auf einfache Weise bis zu der gewünschten Stärke aufgebracht werden. Darüberhinaus kann dieses Material selektiv dotiert werden, um den spezifischen Widerstand der resistiven Schicht auf optimale Leistung abzustimmen. Alternativ können sauerstoffdotiertes, polykristallines Silizium oder andere geeignete, resistive Materialien, wie zum Beispiel dotiertes Siliziumcarbid, für diese Schicht verwendet werden. Bei Verwendung in einer transparenten Anzeigevorrichtung sollte die Anschlußelektrode transparent sein. Da bei diesen Anschlußelektroden die resistive Schicht vorhanden ist, handelt es sich bei dem verwendeten Material vorzugsweise um dotiertes, halbisolierendes, Transparenz aufweisendes Material mit breitem Bandabstand.
• Vorzugsweise weist, besonders bei einer transparenten Anzeigevorrichtung, das Material der leitenden Schicht ITO auf. Wenn dann ein im wesentlichen transparentes Isoliermaterial, wie zum Beispiel Siliziumnitrid, für die Isolierschicht und ein, einen breiten Bandabstand aufweisendes, dotiertes Material, wie zum Beispiel amorphes Silizium, für die resistive Schicht verwendet wird, können die Anschlußelektroden im wesentlichen transparent sein.
• Die Stärke des Materials, zum Beispiel amorphes Silizium, welches die resistive Schicht darstellt, wird folglich auf ein Minimum begrenzt, um eine adequate Transparenz vorzusehen, obgleich es unvermeidbar ist, daß Licht durch diese Schicht in die Bildpunkte der Anzeigevorrichtung absorbiert wird.
• Die leitende Schicht könnte alternativ Material aufweisen, dessen Verwendung allgemein bekannt ist, wie zum Beispiel Zinnoxid. Besteht keine Notwendigkeit einer Transparenz, was bei einer reflektierenden Anzeigevorrichtung der Fall ist, kann die leitende Schicht aus einem Metall, wie zum Beispiel Chrom, Wolfram, Tantal, Nichrom, Aluminium oder Titan, bestehen. Die Isolierschicht kann viele verschiedene, bekannte Materialien, wie zum Beispiel Siliziumdioxid, Siliziummonoxid, Siliziumnitrid, Siliziumcarbid, nichtstöchiometrische, zum Beispiel siliziumreiche Mixturen dieser Materialien, wie zum Beispiel nichtstöchiometrisches Siliziumnitrid oder Siliziumoxynitrid oder Tantaloxynitrid, aufweisen.
• In einer Ausführungsform des erfindungsgemäßen Verfahrens schließt das Leiterbilderstellungsverfahren die Herstellung eines Lackbildes über der Mehrschichtenstruktur und die Durchführung eines Ätzvorganges ein, durch welchen durch das Lackbild festgelegte Bereiche der Mehrschichtenstruktur komplett abgetragen und die Teile der leitenden Schicht an den Verbindungsabschnitten weggeätzt werden. Bei dem Ätzvorgang kann es sich um ein 2-Stufen-Verfahren handeln. Bei der ersten Stufe werden die Bereiche der Mehrschichtenstruktur durch anisotrope Ätzung, zum Beispiel reaktives Ionenstrahlätzen, entfernt. Bei der zweiten Stufe wird die selektive, isotrope Ätzung, wie zum Beispiel Plasmaätzung, angewandt, um die Teile der leitenden Schicht unter dem Lackbild an den Verbindungsabschnitten zu entfernen. Die Verbindungsabschnitte sind verhältnismäßig schmal, und die leitende Schicht an diesen Abschnitten wird in ihrer gesamten Breite von beiden Seiten auf geeignete Weise durch Ätzen abgetragen. Obgleich andere freigelegte Ränder der leitenden Schicht an den Adressenleitern und Anschlußelektroden in diesem Verfahren ebenfalles durch Ätzen entfernt werden, ist die Wirkung in Anbetracht der verhältnismäßig großen Bauelemente nicht signifikant.
• In dem Fall, in welchem zum Beispiel ITO für die leitende Schicht verwendet wird, könnte dieses Material unter bestimmten Umständen die für die Adressenleiter erforderliche Leitfahigkeit möglicherweise nicht aufweisen. In einer anderen Ausführungsform des erfindungsgemäßen Verfahrens wird deshalb eine Metalleinfassung um die Ränder der Adressenleiter zur Erhöhung der Leitfähigkeit vorgesehen. Eine ähnliche Einfassung kann um die Ränder der Anschlußelektroden vorgesehen werden. Vorzugsweise wird nach dem Ätzvorgang eine Metallschicht aufgebracht, und die vorgegebenen Bereiche dieser Schicht werden sodann durch Abheben entfernt, wobei die die Einfassung darstellenden Teile ausgespart werden. Zu diesem Zwecke wird eine weitere, temporäre, Schicht, zum Beispiel Aluminium, über der leitenden Schicht vor Durchführung des Leiterbilderstellungsverfahrens aufgebracht. In dem Leiterbilderstellungsverfahren wird über der Mehrschichtenstruktur, einschließlich dieser weiteren Schicht, ein Lackbild vorgesehen und ein Ätzvorgang, ähnlich wie bei der vorhergehenden Ausführungsform, durch welchen, durch das Lackbild festgelegte Teile der Mehrschichtenstruktur komplett abgetragen und die Teile der leitenden Schicht an der Verbindungsstruktur zusammen mit den darüberliegenden Teilen der weiteren Schicht durch Ätzen entfernt werden, wiederum vorzugsweise durch ein 2- Stufen-Ätzverfahren, durchgeführt. Danach wird eine zweite, temporäre Schicht, vorzugsweise aus dem gleichen Material wie die weitere Schicht, über der Struktur auf dem Substrat, einschließlich des Lackbildes, aufgetragen, das Lackbild sodann zusammen mit den darüberliegenden Teilen der zweiten, temporären Schicht entfernt und eine Metallschicht, zum Beispiel aus Chrom, aufgebracht. Schließlich werden die verbleibenden Teile der weiteren, temporären, Schicht und der zweiten, temperären Schicht zusammen mit den Teilen der über diesen Teilen liegenden Metallschicht entfernt. Die sich daraus ergebende Struktur gleicht der der vorhergehenden Ausführungsform, außer daß die peripheren Ränder der Zeilenadressenleiter und Anschlußelektroden durch Metallbänder eingefaßt sind.
• Nach einem anderen Aspekt der Erfindung wird eine aktive Matrixanzeigevorrichtung, zum Beispiel eine Flüssigkristallanzeigevorrichtung, vorgesehen, welche eine Matrixanordnung aus Bildpunkten aufweist, von denen jeder eine erste - Anschluß - Elektrode und eine zweite, gegenüberliegenden Elektrode auf sich gegenüberliegenden Oberflächen von zwei voneinander beabstandeten Trägern, zwischen welchen elektrooptisches Material angeordnet ist, aufweist, wobei die Anschlußelektrode jedes Bildpunktes mit einem zugeordneten Satz Adressenleiter auf einem Substrat über zumindest eine MIM-Anordnung verbunden ist, dadurch gekennzeichnet, daß die MIM- Anordnungen, der Satz Adressenleiter und die Anschlußelektroden auf dem Substrat gemäß dem Verfahren der ersten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung hergestellt werden.
• Ausführungsbeispiele der erfindungsgemäßen Verfahren zur Herstellung von Matrizen von MIM-Anordnungen zusammen mit Adressenleitern und Anschlußelektroden auf einem gemeinsamen Substrat sowie solche Matrizen enthaltende, aktive Matrix-Flüssigkristallanzeigevorrichtungen sind in der Zeichnung dargestellt und werden im folgenden näher beschrieben. Es zeigen:
• Figur 1 - ein schematisches, elektrisches Schaltbild eines Teiles einer Flüssigkristallanzeigevorrichtung mit einer Anzahl Bildpunkten, von denen jeder mit einem zweipoligen, nichtlinearen Schaltelement in Form einer MIM-Anordnung zwischen Zeilen- und Spaltenadressenleitern in Serie geschaltet ist;
• Figuren 2 und 3 - jeweils einen schematischen Grundriß und einen Querriß von Teilen einer Ausführungsform der Anzeigevorrichtung;
• Figuren 4 und 5 - schematische Querrisse eines Teiles eines typischen Bildpunktbereiches der Anzeigevorrichtung aus den Figuren 2 und 3 während verschiedener Herstellungsstufen;
• Figur 6 - einen Grundriß einer einzelnen Bildpunktelektrode und ihrer zugeordneten MIM-Anordnung der Vorrichtung gemäß Figur 2 und 3;
• Figur 7 - eine äquivalente Darstellung eines elektrischen Schaltbildes einer MIM-Anordnung;
• Figur 8 - einen schematischer Grundriß eines Teiles einer alternativen Form der Anzeigevorrichtung;
• Figur 9 - einen schematischer Grundriß einer einzelnen Bildpunktelektrode und ihrer zugeordneten MIM-Anordnung sowie Adressenleiter einer anderen Ausführungsform der Anzeigevorrichtung; und
• Figur 10a bis 10f - schematische Querrisse eines Teiles eines typischen Bildpunktbereiches der Vorrichtung gemäß Figur 8 während verschiedener Herstellungsstufen.
• Es wird darauf hingewiesen, daß es sich bei den Figuren lediglich um schematische, jedoch nicht um maßstäbliche Darstellungen handelt. Präziser gesagt, bestimmte Größenordnungen, wie zum Beispiel die Stärke der Schichten oder Zonen, können übertrieben, andere dagegen verkleinert dargestellt sein. Es wird ebenfalls darauf hingewiesen, daß gleiche oder ähnliche Teile in sämtlichen Figuren mit den gleichen Bezugsziffern versehen sind.
• Wie aus den Figuren 1 bis 3 ersichtlich, weist die Anzeigevorrichtung eine Zeilen- und Spaltenmatrixanordnung aus einzelnen Bildpunkten 22 auf, von denen lediglich zwölf in Figur 1 dargestellt sind. Jedes Element 22 weist ein, auf den gegenüberliegenden Oberflächen von zwei voneinander beabstandeten Glassubstraten 11 und 26, zwischen welchen TN-Flüssigkristallmaterial 24 angeordnet ist, vorgesehenes Elektrodenpaar auf (Figur 3). Das Substrat 11 trägt eine Matrix von MIM-Anordnungen und darüberhinaus eine Matrix von einzelnen, im allgemeinen rechteckigen Bildpunkt- Anschlußelektroden 25, welche in Zeilen und Spalten angeordnet sind und einzelne Bildpunkte 22 definieren. Das Substrat 26 trägt, wie bei solchen Anzeigevorrichtungen üblich, einen Satz voneinander beabstandeter, paralleler, Spaltenadressenleiter 27, aus transparentem ITO, von welchen die über den Bildpunktelektroden 25 liegenden Teile die anderen Elektroden der Bildpunkte bilden. Der das Glassubstrat 26 und den Satz Spaltenleiter 27 aufweisende Teil der Anzeigevorrichtung wird auf konventionelle Weise durch Abscheidung und Ausbildung des ITO-Materials hergestellt. Die freigelegte Oberfläche der Struktur wird durch eine LC-Orientierungsschicht 29 der bekannten Art abgedeckt.
• Die Bildpunktelektroden 25 sämtlicher Bildpunkte in der gleichen Zeile sind auf dem Substrat 11 mit einem zugeordneten Satz paralleler Zeilenadressenleiter 28, welche sich über ihre zugeordneten, in Reihe geschalteten MIM-Anordnungen 10 im rechten Winkel zu den Spaltenleitern 27 erstrecken, verbunden.
• 10 Die einzelnen Bildpunktelemente 22 werden auf konventionelle Weise angesteuert, indem jedem Zeilenleiter 28 der Reihe nach Tastsignale und den Spaltenleitern 27 (oder umgekehrt) zur gleichen Zeit Bildsignale entsprechend übermittelt werden, um die Bildpunkte zu aktivieren und die Lichtdurchlässigkeit durch diese entsprechend den übermittelten Bildinformationen zu modulieren. Die Elemente werden typischerweise durch Zuführung einer Spannung zwischen 11 und 15 Volt angesteuert. Es wird ihnen in einer Zeile auf Zeitbasis Energie zugeführt, um die Herstellung eines Bildes auf dem Bildschirm, z.B. eines TV-Bildes, innerhalb eines Rasters zu ermöglichen.
• Die Anzeigevorrichtung und deren Wirkungsweise gleicht in vielen Punkten bekannten, aktiven Matrix-Flüssigkristallanzeigevorrichtungen mit nichtlinearen MIM-Schaltelementen. Demzufolge wurde die vorhergehende, allgemeine Beschreibung der Anzeigevorrichtung bewußt kurz gehalten. Zwecks weiterer Informationen wird auf die zuvor erwähnten, allgemein gehaltenen Angaben hingewiesen.
• Wie in den Figuren 2 und 3 dargestellt, bildet jede MIM-Anordnung eine Verbindungsbrücke zwischen einer Bildpunkt-Anschlußelektrode 25 und einem Zeilenleiter 28 und weist ein Paar beabstandete, in den Zeilenleiter 28 beziehungsweise die Elektrode 25 integrierte Anschlüsse auf, welche, worauf noch näher eingegangen wird, über einer Isolierschicht, die wiederum über einer resistiven Schicht vorgesehen ist, angeordnet sind, wobei die isolierende und die resistive Schicht im wesentlichen flächengleich und streifenartig sind.
• Es wird nun im folgenden, unter Bezugnahme auf im wesentlichen Figur 4, 5 und 6, ein Verfahren zur Herstellung des Teiles der Anzeigevorrichtung, welcher das Substrat 11, die Bildpunkt-Anschlußelektroden 25, die Zeilenadressenleiter 28 und MIM-Anordnungen 10 aufweist, beschrieben.
• Auf der Oberfläche des Substrats 11 entsteht durch sukzessive Abscheidungsverfahren unter Anwendung geeigneter, bekannter Techniken eine Mehrschichtenstruktur, welche das Substrat 11 komplett abdeckt. Zuerst wird eine gleichmäßig starke, resistive Schicht aus hydriertem, amorphem Silizium, a-Si : H, 30, zum Beispiel durch ein Plasmaabscheidungsverfahren, direkt auf die Oberfläche des Substrats aufgebracht. Dieser folgt eine gleichmäßige Isolierschicht aus Siliziumnitrid, welche zum Beispiel erneut durch ein Plasmaabscheidungsverfahren aufgebracht wird. Präziser gesagt, das Material der Schicht 31 besteht aus siliziumreichem Siliziumnitrid, einem Halbisolator, welches etwa 75 Prozent Silizium aufweist. Schließlich wird eine, transparentes ITO aufweisende, leitende Schicht 32 über der Isolierschicht 31 durch Aufdampfen oder Sputtern aufgebracht. Ein Teil der sich daraus ergebenden Struktur ist in Figur 4 dargestellt.
• Die Mehrschichtenstruktur wird sodann unter Anwendung einer fotolithografischen Technik einem Leiterbilderstellungsverfahren unterworfen, in welchem unerwünschte Bereiche der Struktur entfernt und die Teile, die schließlich die Anschlußelektroden 25, Zeilenleiter 28 und MIM-Anordnungen 10 darstellen, belassen werden. Eine Schicht aus Fotolack wird über der Mehrschichtenstruktur vorgesehen und auf konventionelle Art durch eine Maske zwecks Herstellung eines Lackbildes, welches durch die gestrichelte Kontur bei 35 in Figur 5 zum Teil dargestellt ist und die zu belassenden Bereiche definiert, das heißt die Anordnung der rechteckigen Elektroden 25, belichtet, wobei sich der Satz Zeilenleiter zwischen den Elektroden 25 und den schmalen Verbindungsstreifen 34, welche, wie in Figur 6 dargestellt, jede Elektrode 25 mit einem zugeordneten Zeilenleiter verbinden, erstreckt. Die durch das Lackbild festgelegten, unerwünschten Zonen der Mehrschichtenstruktur werden sodann in einem Ätzverfahren durch Ätzen abgetragen. Bei diesem Ätzvorgang handelt es sich um ein Zweistufenverfahren. Während der ersten Stufe wird die Struktur einer anisotropen Ätzung unter Anwendung des reaktiven Ionenstrahlätzens oder Zerstäubungsätzens unterworfen, wodurch die Mehrschichtenstruktur gemäß dem Lackbild vertikal bis zu dem Substrat geätzt wird, um Anschlußelektrode, Adressenleiter und Verbindungsabschnitte zu definieren. Während der zweiten Stufe wird die verbleibende Struktur einer selektiven, isotropen Ätzung, zum Beispiel einem Plasmaätzen oder Naßätzen, unterworfen, welche auf die leitende Schicht 32 einwirkt und wodurch ein mittlerer Teil 37a der leitenden Schicht an jedem Verbindungsabschnitt 34 in seiner Breite durch Unterätzung komplett entfernt und so, wie aus der Schnittansicht durch die sich ergebende Struktur des Verbindungsabschnittes in Figur 5 ersichtlich, eine Diskontinuität in der leitenden Schicht zwischen den Teilen 37 und 38 der leitenden Schicht in Kontinuität mit dem Zeilenleiter 28 beziehungsweise der Elektrode 25, unmittelbar in Angrenzung an den Verbindungsabschnitt hergestellt wird. Einer Ätzung wird ebenfalls die leitende Schicht 32, wie durch die gestrichelte Linie in Figur 6 dargestellt, um die Außenfläche der möglichen Elektroden 25 und Zeilenleiter 28 unterworfen, jedoch ist deren Wirkung nicht signifikant. Jeder Verbindungsabschnitt 34 ist verhältnismäßig schmal, so daß lediglich eine begrenzte Ätzung zum Abätzen eines Bereiches der leitenden Schicht unter dem Fotolack an dem Verbindungsabschnitt zur Herstellung einer Diskontinuität erforderlich ist. Eine Weiterführung des Ätzvorganges resultiert in einer Entfernung des restlichen Fotolackes.
• Die so gebildeten Zeilenleiter und Anschlußelektroden weisen Zonen der Mehrschichtenstruktur auf, obwohl im Hinblick auf ihre jeweiligen Funktionen lediglich die obere, leitende, Schicht von Bedeutung ist. Die darunterliegende isolierende und resistive Schicht sollten bei der geplanten Funktion dieser Bauteile in Bezug auf die anschließende Verwendung keine signifikante Rolle spielen.
• Die Breite der Zeilenleiter beträgt etwa 10 bis 20 Mikrometer, die Länge des Verbindungsabschnittes 34 etwa 8 Mikrometer, dessen Breite 4 Mikrometer, und die resistive, isolierende und leitende Schicht 30, 31 und 32 weisen eine Stärke von etwa 30nm, 50nm beziehungsweise 100nm auf. Die Elektroden 25 weisen die übliche Größe auf. Die Stärke der Schicht 32 sollte idealerweise so sein, daß sie mit Rücksicht auf ihre Funktion im Zusammenhang mit den Zeilenleitern 28, wo diese Schicht für die Übertragung der Adressensignale verantwortlich ist, eine ausreichende Leitfähigkeit aufweist. Stärke und Aufbau der Schicht 31 werden so gewählt, daß sie die erforderliche, nichtlineare Kennlinie aufweisen. Die Stärke der aus a-Si : H bestehenden Schicht wird sowohl mit Rücksicht auf ihre Funktion in den MIM-Anordnungen 10 gewählt, welche noch beschrieben wird, als auch auf ihre Auswirkung auf die Lichtdurchlässigkeit der durch die Anschlußelektroden 25 definierten Bildpunkte. Der spezifische Widerstand dieses Materials kann durch geeignete Dotierung entsprechend festgelegt werden und wird in diesem Beispiel so gewählt, daß er etwa zwischen 10&sup5; und 10&sup6; Ohm cm beträgt.
• Jeder Verbindungsabschnitt 34 stellt eine lateral ausgebildete MIM- Anordnung 10 dar, deren zwei Anschlüsse die beiden getrennten Teile 37 und 38 der leitenden Schicht mit übereinanderliegendem, isolierendem und resistivem Material, welches sich über und zwischen diesen beiden Teilen erstreckt, aufweisen.
• Die MIM-Anordnungen weisen aufgrund ihrer, durch ihre Isolierschicht vorgegebenen, nichtlinearen Strom-/Spannungseigenschaften eine Schaltkenngröße auf und weisen bei Betrieb ein im wesentlichen symmetrisches Verhalten mit im wesentlichen identischen Schalteffekten in Abhängigkeit angelegter Prioritäts-Gegenspannungen der gleichen Größenordnung auf. Sie können angesichts der Einfachheit als ebenso funktional wie zwei nichtlineare, antiparallel reihengeschaltete MIM-ähnliche Elemente, welche die Schichten 37 beziehungsweise 38 mit den unmittelbar darunterliegenden Teilen der Schichten 30 und 31 aufweisen, wobei die Teile der Schicht 30 in der Tat als zweite Anschlüsse der Elemente dienen, angesehen werden. Diese zweiten Anschlüsse der beiden Elemente sind über den Zwischenteil der resistiven Schicht 30 miteinander verbunden. Eine einfache Darstellung der Äquivalenzschaltung einer MIM-Anordnung 10 ist in Figur 7 gezeigt.
• Die resistive Schicht 30 weist einen effektiven Reihenwiderstand auf, welcher den Stromfluß bei höheren Spannungen begrenzt und die Anordnungen vor statischem Schaden schützt. Die MIM-Anordnungen funktionieren ähnlich wie konventionelle MIM-Anordnungen bei anschließender Verwendung, in diesem Falle als Schaltelemente in einer Anzeigevorrichtung. Es kann davon ausgegangen werden, daß, sofern geeignete Schichtstärken gewählt werden, die Anordnungen in Bezug auf ihre elektrische Leistung im allgemeinen einen, mit Standardausführungen der MIM- Anordnungen identischen Charakter aufweisen. Der durch die resistive Schicht erzeugte Reihenwiderstand, der bei dem oben beschriebenen Beispiel zwischen 100Kiloohm und 1Megaohm beträgt, wird lediglich bei Vorliegen hoher Spannungen, wie im Falle statischer Elektrizität, eine nennenswerte Wirkung aufweisen. Im Falle des erörterten analogen Modelles liegt bei jedem der beiden nichtlinearen Elemente ein effektiver Reihenwiderstand vor. Bei normalen Spannungspegeln, das heißt, Spannungen, bei denen die Anordnungen normalerweise in Betrieb genommen werden sollen, zum Beispiel bei Verwendung in einer Anzeigevorrichtung, bei welchen diese typischerweise zwischen 5 und 20 Volt betragen, weisen die Anordnungen ein im wesentlichen ähnliches Verhalten wie eine konventionelle MIM-Anordnung auf.
• Obgleich bei der obigen Ausführungsform spezielle Materialien für die einzelnen Schichten beschrieben worden sind, steht der Verwendung anderer Materialien nichts im Wege. So kann zum Beispiel sauerstoffdotiertes, polykristallines Silizium oder dotiertes Siliziumcarbid für die resistive Schicht 30 verwendet werden. Das für die resistive Schicht 30 verwendete Material sollte idealerweise verschiedene Anforderungen erfüllen. Neben einem adequaten Reihenwiderstand in der MIM-Anordnung sollte es darüberhinaus so resistiv sein, daß Teile desselben, außer den sich an der Zone der Anordnung befindlichen, sich während der Ansteuerung eines Bildpunktes bei Betrieb der Anzeigevorrichtung nicht aufzuladen beginnen. Ferner sollte das Material ausreichend ionisierbare Mittelpunkte aufweisen oder eine ausreichende Raumladung vorsehen, wenn eine vorgegebene Spannung angelegt wird, um der Zone durch die Isolierschicht 31 eine höhere Leitfähigkeit zu verleihen. Es können Siliziumdioxid, Siliziumoxynitrid, Tantalpentoxid, Aluminiumoxid und besonders nichtstöchiometrische Mixturen dieser Materialien für die Isolierschicht verwendet werden. Die Stärke der Isolierschicht 31 wird je nach verwendetem Material entsprechend verändert, um die erforderliche MIM-Funktion zu erzielen.
• Es könnten weitere transparente, leitende Materialien für die Schicht 32 verwendet werden. Bei einer reflektierenden Anzeigevorrichtung oder anderen beabsichtigten Verwendungszwecken der Matrizen von MIM-Anordnungen könnte diese leitende Schicht aus Metall bestehen.
• Gemäß Figur 3 wird die Struktur auf dem Substrat 11, wie bei 36 dargestellt, mit einer kontinuierlichen Schicht aus Flüssigkristall-Orientierungsmaterial abgedeckt. Die Substrate 11 und 26 werden sodann zusammengesetzt und das LC- Material zur Komplettierung der Anzeigevorrichtung dazwischen angeordnet.
• Es sind verschiedene Abwandlungen möglich, welche für Fachkundige naheliegend sind. Zum Beispiel können, wie in Figur 7 dargestellt, mehrere Verbindungsabschnitte während des Leiterbilderstellungsverfahrens zwischen jeder Bildpunktelektrode 25 und deren Zeilenleiter 28 ausgebildet sein, von denen jeder eine einzelne MIM-Anordnung 10 darstellt. Der Bildpunkt wird sodann mit dessen Zeilenleiter über parallele MIM-Anordnungen verbunden.
• Durch das oben beschriebene Verfahren besteht die Möglichkeit, eine Matrix von MIM-Anordnungen zusammen mit Anschlußelektroden und Adressenleitern unter Verwendung von lediglich einer einzigen Maske und einem einzigen Belichtungsverfahren auf einem Substrat herzustellen.
• Im Falle ITO für die leitende Schicht 32 im Hinblick auf deren Transparenz verwendet wird, könnte die Möglichkeit bestehen, daß dieses Material nicht immer eine Leitfähigkeit aufweist, welche ausreichend ist, um die an die Zeilenleiter bei der Steuerung der Anzeigevorrichtung gestellten Anforderungen zu erfüllen. Bei einer anderen Ausführungsform wird ein abgewandeltes Verfahren zur Herstellung der Matrix angewandt, gemäß welchem Metallstreifen um die peripheren Ränder der die Zeilenleiter und Anschlußelektroden darstellenden, strukturierten, leitenden Schicht zur Verbesserung der leitenden Eigenschaften dieser Teile gebildet werden. Figur 9 stellt schematisch im Grundriß eine, nach diesem Verfahren hergestellte, typische Anschlußelektrode 25 mit deren MIM-Anordnung 10 und zugeordnetem Zeilenleiter 28 dar. Wie daraus ersichtlich, sind die die Anschlußelektrode 25 und den Zeilenleiter 28 darstellenden Bereiche der leitenden Schicht mit aus Metall bestehenden Kontaktstreifen 40 umrandet.
• Das Verfahren, mit welchem dieses Ziel erreicht wird, wird nun unter Bezugnahme auf die Figuren 10a-f, welche im Querriß verschiedene Verfahrensstufen darstellen, beschrieben. Die in den Figuren 10a-f dargestellte Zone verläuft entlang der Linie X-X in Figur 9, d.h. durch einen Verbindungsabschnitt. Die Schritte dieses Verfahrens gleichen den in Bezug auf das vorherige Ausführungsbeispiel beschriebenen und werden folglich hier nicht noch einmal im einzelnen beschrieben. Es werden, wie zuvor, amorphes n+ Silizium, siliziumreiches Siliziumnitrid und ITO aufweisende, sukzessive, resistive, isolierende und leitende Schichten 30, 31 und 32 auf der Oberfläche des Substrats 11 gebildet. Außerdem wird, wie in Figur 10a dargestellt, zur Komplettierung der Mehrschichtenstruktur eine temporäre Schicht 41 aus Aluminium auf der leitenden Schicht 32 aufgebracht.
• Zur fotolithografischen Ausbildung der Adressenleiter, Anschlußelektroden und Verbindungsabschnitte wird sodann ein ähnliches Leiterbilderstellungsverfahren wie zuvor durchgeführt. Eine Schicht aus Fotolack wird über der Schicht 41 aufgebracht und unter Verwendung einer einzigen Maske und einer einzigen Belichtung strukturiert, um, wie zum Teil bei 42 in Figur 10(b) dargestellt, Teile des Fotolackes zu belassen. Die Struktur wird sodann einem anisotropen Trockenätzverfahren unterworfen, in welchem Bereiche der Mehrschichtenstruktur vertikal nach unten zur Oberfläche des Substrats abgeätzt werden, um die durch das Lackbild festgelegten Bereiche, welche die Anschlußelektrode 25, die Adressenleiter 28 und die Verbindungsabschnitte 34 darstellen, zu belassen. Auf der ITO- und Al-Schicht unterhalb der Ränder des Lackbildes wird sodann ein selektives Naß- oder Plasmaätzverfahren durchgeführt, wodurch ein Teil dieser beiden Schichten in der Breite jedes Verbindungsabschnittes 34 entfernt wird, um die Schichten zwischen dem Adressenleiter und den Anschlußelektroden diskontinuierlich auszubilden. Die sich ergebende Struktur wird in Figur 10(c) dargestellt. Durch diese isotrope Ätzung werden ebenfalls Sektionen des Lackbildes über den Verbindungsabschnitten 34 infolge der Ätzung der darunterliegenden Teile der Schichten 32 und 41 durch Abheben entfernt. Andere Randbereiche der Schichten 32 und 41 werden in diesem Verfahren ebenfalls durch Ätzen entfernt, doch da die Verbindungsabschnitte verhältnismäßig schmal sind, ist das Ausmaß der erforderlichen Materialentfernung gering und die Entfernung der Randbereiche dieser Schichten an anderen Stellen, d.h. um die Adressenleiter und Anschlußelektroden, folglich nicht signifikant.
• Während das verbleibende Lackbild noch an Ort und Stelle belassen wird, wird, wie in Figur 10(d) dargestellt, eine weitere temporäre Schicht 45 aus Aluminium bis zu einer Stärke, welche geringfügig größer als die Stärke der Schichten 30 und 31 zusammen ist, vertikal nach unten auf der gesamten Strukturoberfläche aufgedampft. Das Läckbild wird durch einen Abhebevorgang unter gleichzeitiger Mitnahme der Teile der aufgebrachten Aluminiumschicht 45 über dem Fotolack entfernt. Sodann wird eine aus Chrom bestehende Schicht 46 vertikal über der freigelegten Oberfläche aufgedampft, wodurch die in Figur 10(e) dargestellte Struktur entsteht.
• Diese Struktur wird sodann einem weiteren, selektiven Ätzverfahren unterworfen, welches auf das aus Aluminium bestehende Material der verbleibenden Teile der Schichten 41 und 45 einwirkt. Bei Entfernung des Aluminiums werden die darüberliegenden Zonen der Chromschicht 46 ebenfalls entfernt, wodurch sich die in Figur 10(f) dargestellte Endstruktur ergibt. Wie ersichtlich, weisen die noch verbleibenden Zonen der Chromschicht 46 Streifen auf, welche den Streifen 40 von Figur 9 entsprechen und die Ränder der verbleibenden Zonen aus ITO, d.h. die Ränder der Zeilenleiter 28 und Anschlußelektroden 25, umranden. Die durch dieses Verfahren hergestellten Zeilenleiter und Anschlußelektroden setzen sich somit aus ITO, wie in dem vorhergehenden Ausführungsbeispiel beschrieben, und den hochleitenden, peripheren Chromstreifen zusammen.
• Die an den Verbindungsabschnitten 34 hergestellten MIM-Anordnungen sind grundsätzlich mit denen des vorhergehenden Ausführungsbeispieles identisch, außer daß ihre beiden Anschlüsse nun in der Hauptsache jeweilige Teile der Chromstreifen des Adressenleiters und der Anschlußelektrode in unmittelbarer Angrenzung an die Enden des Verbindungsabschnittes, 48 und 49 in Figur 10(f), aufweisen.
• Ebenso kann, wie im Hinblick auf das vorhergehende Ausführungsbeispiel beschrieben, für die Schichten 30, 31 und 32 von anderen Materialien Gebrauch gemacht werden. Darüberhinaus könnte ein anderes Metall als Chrom für die Schicht 46 verwendet werden. Auch können, wie in Figur 8 dargestellt, mehrere, eine entsprechende Anzahl MIM-Anordnungen 10 bildende Verbindungsabschnitte zwischen Anschlußelektroden 25 und Adressenleiter 28 vorgesehen werden. Für die temperären Schichten 41 und 45 könnten, wie für jeden Fachkundigen naheliegend, andere Materialien als Aluminium benutzt werden.
• Obgleich für dieses Verfahren mehr Verfahrensschritte als für die vorhergehende Ausführungsform erforderlich sind, steht es fest, daß sowohl in diesem Verfahren als auch der vorhergehenden Ausführungsform bei der Ausbildung und Herstellung der Bauteile auf dem Substrat lediglich von einer einzigen Maske und einer einzigen Belichtung Gebrauch gemacht und, infolgedessen, damit eine wesentliche Verbesserung gegenüber bekannten Verfahren erreicht wird.
• Es steht fest, daß in der obigen Beschreibung die Hinweise auf Zeilen- und Adressenleiter austauschbar sind. Ferner ist, obgleich es sich bei der beschriebenen, speziellen Anzeigevorrichtung um eine Flüssigkristallanzeigevorrichtung handelt, die Erfindung ebenso auf andere Anzeigevorrichtungen mit passivem elektrooptischem Anzeigematerial, zum Beispiel elektrophoretischen Suspensionen und elektrochromen Materialien, anwendbar.

Claims (16)

1. Verfahren zur Herstellung einer Matrix von MIM-Anordnungen mit einem Satz Adressenleiter (28) und mehreren Anschlußelektroden (25) auf einem gemeinsamen Substrat (11), wobei jede Anschlußelektrode über zumindest eine MIM- Anordnung (10) an einen zugeordneten Adressenleiter angeschlossen ist, welches die folgenden Verfahrensschritte aufweist: Aufbringen von übereinanderliegenden, dünnen Schichten über dem Substrat, welche eine Mehrschichtenstruktur bilden, die von der Substratoberfläche aus gesehen nacheinander eine Schicht (31) eines, für MIM-Anordnungen geeigneten Isoliermaterials und eine leitende Schicht (32) aufweist, danach Durchführung eines Leiterbilderstellungsverfahrens auf der Mehrschichtenstruktur mit Hilfe einer Maske, um die durch die Maske definierten Zonen, welche die Anschluß elektroden, die Adressenleiter und zumindest einen verhältnismäßig schmalen, jede Anschlußelektrode und ihren zugeordneten Adressenleiter verbindenden Abschnitt (34) aufweisen, zu belassen und einen Teil der leitenden Schicht der Mehrschichtenstruktur an jedem Verbindungsabschnitt zur Herstellung einer Diskontinuität (36) in der leitenden Schicht zwischen dem Adressenleiter und der Anschlußelektrode zu entfernen, wodurch an jedem Verbindungsabschnitt eine MIM-Anordnung gebildet wird.

2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Mehrschichtenstruktur des weiteren eine resistive Schicht (30) aufweist, über der die isolierende und die leitende Schicht vorgesehen sind.

3. Verfahren nach Anspruch 1 oder Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß in dem Leiterbilderstellungsverfahren über der Mehrschichtenstruktur ein Lackbild hergestellt und ein Ätzvorgang durchgeführt wird, bei welchem durch das Lackbild festgelegte Bereiche der Mehrschichtenstruktur komplett entfernt und die Teile der leitenden Schicht an den Verbindungsabschnitten abgeätzt werden.

4. Verfahren nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß der Ätzvorgang eine ersten Stufe, in welcher besagte Bereiche der Mehrschichtenstruktur durch anisotrope Ätzung entfernt werden, sowie eine zweite Stufe zur Entfernung der Teile der leitenden Schicht an den Verbindungsabschnitten durch selektive, isotrope Ätzung aufweist.

5. Verfahren nach einem der vorangegangenen Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die leitende Schicht transparentes, leitendes Material aufweist.

6. Verfahren nach einem der Ansprüche 2 bis 5, dadurch gekennzeichnet, daß eine Umrandung aus Metall um die Ränder der die Adressenleiter aufweisenden Teile der Mehrschichtenstruktur gebildet wird.

7. Verfahren nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, däß eine Umrandung aus Metall ebenfalls um die Ränder der die Anschlußelektroden aufweisenden Teile der Mehrschichtenstruktur gebildet wird.

8. Verfahren nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, daß nach dem Ätzvorgang eine Schicht aus Metall über dem Substrat aufgebracht wird und im Anschluß daran vorgegebene Bereiche der Metallschicht entfernt werden, um die Umrandung zu belassen.

9. Verfahren nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, daß vorgegebene Bereiche der Metallschicht durch ein Abhebeverfahren entfernt werden.

10. Verfahren nach Anspruch 9, dadurch gekennzeichnet, daß vor dem Leiterbilderstellungsverfahren eine erste temporäre Schicht über der leitenden Schicht zur Herstellung eines Teiles der Mehrschichtenstruktur aufgebracht wird, ein Ätzvorgang erfolgt, wodurch vorgegebene Bereiche der Mehrschichtenstruktur komplett abgetragen und die Teile der leitenden Schicht an den Verbindungsabschnitten zusammen mit darüberliegenden Teilen der ersten temporären Schicht und der Lackschicht entfernt werden, eine zweite temporäre Schicht über dem gesamten Substrat aufgebracht, der Rest des Lackbildes zusammen mit darüberliegenden Teilen der zweiten temporären Schicht entfernt, über dem gesamten Substrat Metall abgeschieden wird und sodann die verbleibenden Teile der ersten und zweiten temporären Schicht zusammen mit den, über diesen Teilen liegenden Zonen des abgeschiedenen Metalles entfernt werden.

11. Verfahren nach Anspruch 10, dadurch gekennzeichnet, daß die erste und zweite temporäre Schicht aus dem gleichen Material bestehen.

12. Verfahren nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß die resistive Schicht ein im wesentlichen transparentes, breites Bandabstandmaterial aufweist.

13. Verfahren nach Anspruch 12, dadurch gekennzeichnet, daß die resistive Schicht amorphes Silizium aufweist.

14. Verfahren nach Anspruch 12, dadurch gekennzeichnet, daß das resistive Material polykristallines Silizium aufweist.

15. Aktive Matrixanzeigevorrichtung, welche eine Matrix aus Bildpunkten (22) aufweist, von denen jeder eine erste, Anschluß-, Elektrode und eine zweite, gegenüberliegende Elektrode (27) auf sich gegenüberliegenden Oberflächen von zwei voneinander beabstandeten Substraten (11, 26), zwischen welchen elektrooptisches Material (24) angeordnet ist, aufweist, wobei die Anschlußelektrode jedes Bildpunktes mit einem zugeordneten Satz Adressenleiter (28) auf einem Trägersubstrat (11) über zumindest eine MIM-Anordnung (10) verbunden ist, dadurch gekennzeichnet, daß die MIM-Anordnungen, der Satz Adressenleiter und die Anschlußelektroden auf dem Substrat gemäß dem Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 14 hergestellt werden.

16. Aktive Matrixanzeigevorrichtung nach Anspruch 15, dadurch gekennzeichnet, daß das elektrooptische Material Flüssigkristall aufweist.