DE60036829T2 - Wafer-Poliervorrichtung und -verfahren - Google Patents

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Tatsunori Omiya-shi Kobayashi
Hiroshi Omiya-shi Tanaka
Jiro Omiya-shi Kajiwara
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Description

  • HINTERGRUND DER ERFINDUNG
  • Gebiet der Erfindung
  • Die vorliegende Erfindung betrifft eine Halbleiterscheiben-Transfervorrichtung zum Zuführen einer zu polierenden Halbleiterscheibe zu einem Halbleiterscheiben-Haltekopf sowie zum Aufnehmen einer polierten Halbleiterscheibe von dem Halbleiterscheiben-Haltekopf. Die vorliegende Erfindung betrifft ebenso eine Halbleiterscheiben-Poliervorrichtung, die für eine Vorrichtung zum Polieren der Oberfläche einer Halbleiterscheibe-Scheibe verwendet werden soll, sowie ein Verfahren zum Herstellen der Halbleiterscheibe.
  • Beschreibung des Stand der Technik
  • Das feine Mustern von Halbleiterscheiben wurde in den vergangenen Jahren als Ergebnis der Entwicklung hoch integrierter Halbleiterscheiben-Vorrichtungen entwickelt. Da das feine Mustern der Halbleiterscheiben, die eine vielschichtige Struktur aufweisen, leicht und sicher gemacht worden ist, ist es besonders wichtig, die Oberfläche der Halbleiterscheiben so fein wie möglich im Herstellungsprozess einzuebnen. Eine feinere Einebnung der Oberfläche der Halbleiterscheiben ermöglicht eine verbesserte Muster-Präzision neben der Fokussierung auf das leichte Aussetzen gegenüber Licht, wenn ein photolithographischer Prozess für das Mustern verwendet wird. Zusätzlich kann die Produktion der Halbleiterscheiben billiger erfolgen, da die Arbeitseffizienz ohne Bereitstellung komplizierter Gerätschaften zur Herstellung der Halbleiterscheiben verbessert wird.
  • Ein chemisch-mechanisches Polierverfahren (ein CMP-Verfahren) wurde zu diesem Zweck hervorgehoben, da das Verfahren den Oberflächenfilm mit einem hohen Grad an Planarität polieren kann.
  • Die Oberfläche der Halbleiterscheiben wird mechanisch und chemisch poliert und unter Verwendung eines Alkali-Schlamms, der SiO2 enthält, eines neutralen Schlamms, der SeO2 enthält, eines sauren Schlamms, der Al2O3 enthält, oder eines Schlamms, der andere abrasive Mittel (diese werden der Einfachheit halber im Anschluss als Schlamm bezeichnet) im CMP-Verfahren eingeebnet. Ein Halbleiterscheiben-Haltekopf zum Halten der Halbleiterscheibe (ein Halbleiterscheiben-Haltekopf) sowie ein Polierkissen werden üblicherweise in einer gegenüberliegenden Beziehung zueinander in der Halbleiterscheiben-Poliervorrichtung zum Polieren der Oberfläche der Halbleiterscheibe angeordnet und die Halbleiterscheibe wird dadurch poliert, dass dem Halbleiterscheiben-Polierkopf ermöglicht wird, auf dem Polierkissen durch Drücken der Oberfläche der Halbleiterscheibe auf das Polierkissen, während ein Schlamm zugeführt wird, zu drehen.
  • Obwohl es wünschenswert ist, dass das Polierkissen so planar wie möglich ist, ist dessen Oberfläche gestört, um so eine Verringerung der Poliereigenschaften (Polierrate) dadurch zu bewirken, dass es zum Polieren der Halbleiterscheibe verwendet wird, oder das Polierverhalten (Gleichmäßigkeit des Polierens und der Grad der Störung der Dicke des verbleibenden Films auf der Halbleiterscheibe) wird dadurch verringert, dass eine leichte Rauheit oder Neigung auf der Oberfläche des Polierkissens aufgrund einer ungleichmäßigen Abrasion oder von Festsetzungen des Kissens nach dem Polieren verringert wird. Daher wird das Polierkissen einer Neugestaltung (Zurichtung) zum Wiederherstellen des Polierverhaltens des Polierkissens unterworfen, wobei das Polierkissen nach dem Abschluss eines Halbleiterscheiben- Polierprozesses weiterdreht, während seine Oberfläche in Kontakt mit einem Zurichter ("Dresser") gelangt.
  • Der Polierprozess kann gleichzeitig mit dem Zurichtprozess ausgeführt werden, wie dies in den 18 und 19 gezeigt wird. Im ersten in 18 gezeigten konventionellen Beispiel ist die Halbleiterscheiben-Poliervorrichtung mit einem Halbleiterscheiben-Haltekopf 252 versehen, der an einer Spitze eines Arms 251 angebracht ist, der so abgestützt ist, dass er in der Lage ist, frei zu verschwenken, einem Schlamm-Zufuhrelement 253 zum Zuführen eines Schlamms zum Polierkissen 256, sowie einem Dresser 254. Die Schlamm-Zufuhrvorrichtung 253 führt den Schlamm direkt zum Polierkissen 256 zu, welches an der Oberfläche einer Platte 255 fixiert ist, und die Halbleiterscheibe W, die an dem Halbleiterscheiben-Haltekopf 252 gehalten wird, wird dadurch poliert, dass es der Halbleiterscheibe W ermöglicht wird, sich zu drehen, während sie in Kontakt mit der Oberfläche der Polierkissens 256 steht.
  • Der Dresser 254 wird auf der anderen Seite in drehbarer Weise mit einem Antriebsmechanismus 254 gehalten, welcher auf einer Basis 258 abgestützt ist. Die Basis 258 ist ebenso so abgestützt, dass sie linear entlang der Richtung gleitbar ist, die mit dem Fall Y mit dem Führungselement 259 gekennzeichnet ist. Der Dresser 254 richtet die Oberfläche des Polierkissens 256, das eine gestörte Poliereigenschaft nach dem Polieren der Halbleiterscheibe W hat, zu. Die Halbleiterscheibe wird an einer anderen Seite von der Seite zum Zurichten der Halbleiterscheibe auf dem Polierkissen 256 poliert.
  • Im zweiten in 19 gezeigten konventionellen Beispiel ist die Halbleiterscheiben-Poliervorrichtung 300 mit drei drehbaren Platten 301 und Polierkissen 302 versehen, die an deren Oberflächen fixiert sind, wobei Halbleiterscheiben-Halteköpfe 304 an den Spitzen der jeweiligen zwei abgezweigten Arme 303 vorgesehen sind, sowie mit Zurichtern (Dressern) 306, die in der Lage sind, entlang Führungselementen 305, die entlang der radialen Richtung jedes Polierkissens 302 vorgesehen sind, zu gleiten. Der Arm 303 wird mit dem Schwenklager 303a, das in der Lage ist, frei zu verschwenken, abgestützt, und die Halbleiterscheiben, die mit den Halbleiterscheiben-Halteköpfen 304 abgestützt werden, werden durch die jeweiligen Polierkissen 302 poliert. Die Oberfläche des Polierkissens 302 wird mit dem Dresser 306 zugerichtet, der entlang der radialen Richtung des Polierkissens 302 gleitbar ist, während die Halbleiterscheibe gleichzeitig poliert wird.
  • Das dritte konventionelle Beispiel der Halbleiter-Poliervorrichtung umfasst eine Vorrichtung, die einen Halbleiterscheiben-Haltekopf 350 verwendet, wie dies in 20 gezeigt ist.
  • In 20 ist der Halbleiterscheiben-Haltekopf 350 mit einem Kopfkörper 353 versehen, der eine obere Platte 351 sowie eine zylindrische Umfangswand 352 umfasst, die am Umfang der oberen Platte 351 fixiert ist, einer Membran 354, die im Kopfkörper 353 ausgedehnt ist und ein elastisches Material wie etwa Gummi umfasst, einen Druckeinstellmechanismus 356 zum Einstellen des Drucks in einer Fluidkammer 358, einen scheibenförmigen Träger 355, der an der unteren Fläche der Membran 354 fixiert ist, sowie einen ringförmigen Rückhaltering 357, der in konzentrischer Beziehung zum äußeren Umfang des Trägers 355 angeordnet ist.
  • Der Träger 355 sowie der Rückhaltering 357 sind an einem Träger-Fixierungsring 359 bzw. einem Rückhaltering-Fixierungsring 362 fixiert, die an der oberen Fläche der Membran 354 vorgesehen sind. Der Rückhaltering 357 ist in konzentrischer Beziehung mit einem leichten Spalt zwischen der äußeren Umfangsfläche des Trägers 355 und der Umfangswand 352 angeordnet. Der leichte Spalt ist zum Unterdrücken des Verschiebungsbereichs des Rückhalterings 357 entlang der radialen Richtung aufgrund einer elastischen Deformation der Membran 354 vorgesehen.
  • Die Halbleiterscheibe W wird auf einem Halbleiterscheiben-Fixierungsbogen S (ein Einsatz), der an der unteren Fläche des Trägers 355 vorgesehen ist, fixiert, während der äußere Umfang der Halbleiterscheibe W mit dem Rückhaltering 357 verriegelt ist. Die Halbleiterscheibe wird dadurch poliert, dass es dem Halbleiterscheiben-Haltekopf 350 und der Platte 361 ermöglicht wird, sich zu drehen, wodurch eine relative Bewegung dann bewirkt wird, wenn der Schlamm auf die Oberfläche des Polierkissens 363 und die Polierfläche der Halbleiterscheibe W von außen des Halbleiterscheiben-Haltekopfs 350 zugeführt wird, während der Oberfläche der Halbleiterscheibe W ermöglicht wird, in Kontakt mit dem Polierkissen 363 zu gelangen, welches auf der oberen Fläche der Platte 361 fixiert ist.
  • Der Träger 355 sowie der Rückhaltering 357 weisen eine schwebende Struktur auf, in der beide Elemente in der Lage sind, unabhängig voneinander in aufsteigender und absinkender Richtung durch Deformation der Membran 354 verschoben zu werden. Der Pressdruck des Trägers 355 und des Rückhalterings 357 auf das Polierkissen 363 verändert sich abhängig vom Druck in der Fluidkammer 358, der mit dem Druckeinstellmechanismus 356 eingestellt ist.
  • Während die Halbleiterscheiben-Poliervorrichtung, wie sie in den ersten und zweiten konventionellen Beispielen gezeigt ist, zur Polierung der Halbleiterscheibe effektiv ist, kann der Halbleiterscheiben-Polierprozess und der Zurichtprozess gleichzeitig aufgebracht werden können. Wenn die Halbleiterscheibe jedoch mit der Halbleiterscheiben-Poliervorrichtung poliert wird, wie sie in dem ersten konventionellen Beispiel gezeigt ist, wird der Schlamm direkt auf die Oberfläche des Polierkissens 256 von außen des Halbleiterscheiben-Haltekopfs 252 zugeführt. Ein Großteil des zugeführten Schlamms strömt durch die auf die sich drehende Platte 255 aufgebrachte Zentrifugalkraft nach außen und erzwingt die Zufuhr einer großen Menge von Schlamm zum Erzielen eines ausreichenden Poliereffekts. Eine große Menge an teuren abrasiven Mitteln wird ohne effektive Verwendung des Schlamms verbraucht. Zusätzlich muss der beim Polieren erzeugte Polierabfall durch Zuführen des Schlamms auf der Oberfläche des Polierkissens ausgewaschen werden, was ebenso eine große Menge an Schlamm verbraucht, was das Entfernungsverfahren kostenintensiv und nur wenige effektiv gestaltet. Dieses Problem liegt auch bei der im dritten konventionellen Beispiel gezeigten Halbleiterscheiben-Poliervorrichtung vor.
  • Da der Dresser 254 einen großen Installationsbereich beansprucht, ist nur eine geringe Anzahl von Halbleiterscheiben-Halteköpfen 252 anbringbar, was die Effizienz der Vorrichtung insgesamt verringert.
  • Im zweiten konventionellen Beispiel weist der Dresser 306 eine geringere Größe als der Dresser 302 auf und verfährt linear in Bezug auf das Polierkissen 302. Dementsprechend ist es schwierig, das gesamte Polierkissen 302 gleichmäßig niederzudrücken, wodurch die Einebnung der Oberfläche des Polierkissens 302 unzureichend ist.
  • Das vierte konventionelle Beispiel einer Halbleiterscheiben-Poliervorrichtung ist in 21 gezeigt. Die Halbleiterscheiben-Poliervorrichtung 400 ist mit einem Halbleiterscheiben-Haltekopf 401 zum Halten der zu polierenden Halbleiterscheibe W versehen und ein Polierkissen 402 ist an der gesamten oberen Fläche der in Scheibenform ausgebildeten Platte 403 fixiert. Eine Vielzahl von Halbleiterscheiben-Halteköpfen 401 ist am Boden eines Karussells 404 als Kopf-Antriebsmechanismus befestigt, der mit einer Spindel 411 abgestützt wird und einer planetarischen Bewegung auf dem Polierkissen 402 unterzogen ist. Es ist möglich, das Zentrum der Platte 403 und das Zentrum der Drehung des Halbleiterscheiben-Haltekopfs 401 in exzentrischer Beziehung zueinander anzuordnen.
  • Die Platte 403 ist horizontal am Zentrum einer Basis 405 angeordnet und dreht sich um die axiale Linie mit einem Platten-Antriebmechanismus, der in der Basis 405 vorgesehen ist. Führungssäulen 407 sind an der Seite der Basis 405 vorgesehen und eine obere Befestigungsplatte (Brücke) 409 zum Abstützen eines Karussell-Antriebmechanismus 410 ist zwischen den Führungssäulen 407 angeordnet. Der Karussell-Antriebmechanismus 410 dient zum Drehen eines Karussells 404, das unterhalb der Vorrichtung vorgesehen ist, um die axiale Linie herum.
  • Brückenstützen 412 sind so angeordnet, dass sie von der Basis 405 nach oben hervorstehen, und ein Spalteinstellmechanismus 413 ist an der Spitze jeder Brückenabstützung 412 vorgesehen. Ein Verriegelungselement 414 ist auf der anderen Seite oberhalb der Brückenabstützung 412 in einer gegenüberliegenden Beziehung zueinander angeordnet. Das Verriegelungselement 414 ist an der oberen Befestigungsplatte (Brücke) 409 fixiert und steht von der oberen Befestigungsplatte (Brücke) 409 nach unten hervor. Der Raum zwischen dem Halbleiterscheiben-Haltekopf 401 und dem Polierkissen 402 wird durch Einstellen des Spalteinstellmechanismus 413 so eingestellt, dass es der Brückenabstützung 412 ermöglicht wird, in Kontakt mit dem Verriegelungselement 414 zu gelangen. Die Halbleiterscheibe W wird dadurch poliert, dass es der auf dem Halbleiterscheiben-Haltekopf 401 gehaltenen Halbleiterscheibe ermöglicht wird, die Oberfläche des Polierkissens 402 zu berühren, während es dem Karussell 404 und der Platte 403 ermöglicht wird, sich zu drehen.
  • Während eine Vielzahl von Halbleiterscheiben-Halteköpfen 401, die die Halbleiterscheiben W halten, vorgesehen ist, verschiebt sich die Position des Halbleiterscheiben-Haltekopfs 401 zeitweise leicht von der Position des an der Platte 403 fixierten Polierkissens 402, wenn die Dicke des Polierkissens 402 durch die Polierung reduziert wird, wodurch ein Problem bewirkt wird, dass die Gleichmäßigkeit und Planarität der Halbleiterscheibe W zu schlecht wird. Die Einstellung des Spalteinstellmechanismus 413 ist jedoch nicht jedes Mal praktikabel, sondern macht es ebenso schwierig, die Positionierung des Halbleiterscheibe-Haltekopfs und des Polierkissens nach rechts und links in einer Mikrometer-Einheit unter Verwendung des Spalteinstellmechanismus 413 einzustellen, während es dem Pressdruck, der während des Polierens erzeugt wird, ausgesetzt ist. Ebenso wird die Positionsverschiebung durch Dimensionsveränderungen des Halbleiterscheiben-Haltekopfs 401 bewirkt, wodurch exzessiv polierte Halbleiterscheiben und unzureichend polierte Halbleiterscheiben hergestellt werden.
  • Das Polieren der Halbleiterscheibe W unter Verwendung der in dem zweiten konventionellen Beispiel gezeigten Poliervorrichtung wird im Anschluss beschrieben werden. In 19 wird die zu polierende Halbleiterscheibe W an jedem Halbleiterscheiben-Haltekopf 304, der an jeder Spitze der zwei verzweigten Arme 303 vorgesehen ist, gehalten. Diese Halbleiterscheiben W werden durch die Rotation poliert, während es ihnen ermöglicht wird, Kontakt mit jedem Kissen 302 (im Anschluss als jeweiliges Polierkissen 302a, 302b und 302b bezeichnet) zu gelangen, welche an den jeweiligen Oberflächen der drei drehbaren Platten 301 fixiert sind. Die Polierkissen 302a und 302b dienen als primäre Polierkissen, während das Polierkissen 302c als Sekundär-Polierkissen dient. Diese Polierkissen 302a, 302b und 302c werden mit den Dressern 306, die in der Lage sind, sich mit den Führungselementen 305, die entlang der jeweiligen radialen Richtungen vorgesehen sind, linear zu verschieben, zugerichtet. Der Arm 303 wird mit dem Schwenklager 303a abgestützt, das in der Lage ist, frei zu verschwenken. Die Halbleiterscheibe W wird mit dem Polierkissen 302c einer Sekundär-Politur unterzogen, nachdem es mit den Polierkissen 302a und 302b einer Primär-Polierung unterzogen wurde. Die Halbleiterscheibe W wird am Halbleiterscheiben-Haltekopf 304 mit einem flexiblen Handhabungsroboter 207 an einer Halbleiterscheiben-Anbringungs- und Lösestation 308 angebracht und wieder gelöst. Der Handhabungsroboter 307 nimmt eine zu polierende Halbleiterscheibe W aus einer zweiten Kassette 309 heraus und bringt die Halbleiterscheibe W am Halbleiterscheiben-Haltekopf 304 an der Halbleiterscheiben-Anbringungs- und Lösestation 308 an. Die Halbleiterscheibe W wird nach dem Abschluss der Politur vom Halbleiterscheiben-Haltekopf 304 mit dem Handhabungsroboter 307 an der Halbleiterscheiben-Anbringungs- und Lösestation 308 wieder gelöst und zu einer Aufnahmekassette 310 transferiert.
  • Da die Halbleiterscheibe am Halbleiterscheibenkopf 304 mit dem flexiblen Handhabungsroboter 310 angebracht und von diesem wieder gelöst wird, wird die Konstruktion des Handhabungsroboters 307 kompliziert. Infolgedessen wird die Zuverlässigkeit des Handhabungsbetriebs der Halbleiterscheibe W gefährdet oder die Instandhaltung wie etwa eine Reinigung der Vorrichtung wird schwierig. Da der flexible Zugangsbereich des Reinigungsroboters 307 zur Anbringung und Lösung der Vielzahl von Halbleiterscheiben W am Halbleiterscheibe-Haltekopf 304 vergrößert werden sollte, wird der Handhabungsroboter 307 eine große Größe aufweisen und einen komplizierten Aufbau aufweisen, wodurch dessen Betrieb die Betriebseffizienz verringert.
  • Während die Verwendung des Handhabungsroboters 307 selbst als bewegliches Halbleiterscheiben-Anbringungs- und Löseelement kompliziert sein kann, bewirkt dies eine Verringerung der Zuverlässigkeit und Arbeitseffizienz aufgrund des komplizierten Aufbaus der Gesamtvorrichtung, und die Positionierung in Bezug auf den Halbleiterscheiben-Haltekopf 304 wird schwierig.
  • Die DE 43 45 408 A offenbart eine Halbleiterscheiben-Poliervorrichtung 100, die ein Halbleiterscheiben-Eingabe/Ausgabe-Modul 101 umfasst, welches eine Laderoboter 111 zum Laden der zu polierenden Halbleiterscheiben auf einem Index-Tisch 117 von einer Halbleiterscheibenkassette umfasst, welche einen drehbaren, kreisförmigen Ring 118 inklusive fünf Halbleiterscheiben-Entladebechern 129 und fünf Beladebechern umfasst, die in Schritten von 36°C um den Tisch herum vorliegen. Die Halbleiterscheiben auf dem Index-Tisch werden durch Bewegen der Poliervorrichtung 132 von der Position über dem Poliertisch 134 zu einem Poliertisch 134 zu einer Position oberhalb des Index-Tischs 117 zu den Halbleiterscheiben-Trägern 139 bis 143 transferiert. Die Halbleiterscheiben auf dem Index-Tisch 117 werden durch Anbringungselemente auf den Halbleiterscheiben-Trägern abgeladen und jeder der Halbleiterscheiben-Träger wird zum Polieren der Halbleiterscheibe auf den Poliertisch 134 gedrückt, und nach dem Polieren wird die Halbleiterscheibe wieder durch Löseelemente zum Index-Tisch zurück transferiert und zur Halbleiterscheiben-Kassette 108 zurückgeführt.
  • ZUSAMMENFASSUNG DER ERFINDUNG
  • Gemäß einem ersten Aspekt der vorliegenden Erfindung wird eine Halbleiterscheiben-Poliervorrichtung zur Verfügung gestellt, die umfasst: eine Halbleiterscheiben-Transfervorrichtung zum Zuführen von zu polierenden Halbleiterscheiben zu einem Halbleiterscheiben-Haltekopf, der es den Halbleiterscheiben ermöglicht, auf einer Halbleiterscheiben-Poliervorrichtung poliert zu werden, und zum Aufnehmen der Halbleiterscheiben von dem Halbleiterscheiben-Haltekopf, nachdem sie poliert wurden, wobei die Halbleiterscheiben-Transfervorrichtung umfasst:
    eine Ablage zum Befestigen der Halbleiterscheibe; ein Ablagen-Transferelement zum Ermöglichen, dass die Ablage unterhalb des Halbleiterscheiben-Haltekopfs verläuft; und ein Halbleiterscheiben-Anbringungs- und Löseelement unterhalb der Ablage zum Abringen einer Halbleiterscheibe, die auf der Ablage befestigt ist und die zu polieren ist, auf der unteren Oberfläche des Halbleiterscheiben-Haltekopfs, und zum Aufnehmen einer Halbleiterscheibe, die am Halbleiterscheiben-Haltekopf angebracht und poliert worden ist, vom Halbleiterscheiben-Haltekopf, um die Halbleiterscheibe auf der Ablage zu befestigen; eine Halbleiterscheiben-Poliervorrichtung, die mit einer Platte (P) auf der Oberfläche versehen ist, auf der eine Polierkissen (S) fixiert ist und zum Polieren der zu polierenden Halbleiterscheiben durch Kontakt einer Oberfläche der Halbleiterscheiben, die am Boden des Halbleiterscheiben-Haltekopfs gehalten wird, mit dem Polierkissen und Drehen der Halbleiterscheibe mit dem Halbleiterscheibe-Haltekopf durch eine relative Bewegung zwischen dem Halbleiterscheiben-Haltekopf und der Platte; sowie einen Kopfantriebsmechanismus zum Bewegen einer am Boden des Halbleiterscheiben-Haltekopfs gehaltenen Halbleiterscheibe zwischen der Halbleiterscheiben-Transfervorrichtung und der Halbleiterscheibe-Poliervorrichtung; wobei das Halbleiterscheiben-Anbringungs- und Löseelement an einer Position in einem Raum entfernt vom Polierkissen vorgesehen ist und der Kopf-Antriebmechanismus den Halbleiterscheiben-Haltekopf so abstützt, dass er zwischen dem oberen Teil des Polierkissens und dem oberen Teil des Halbleiterscheiben-Anbringungs- und Loslöseelements beweglich ist.
  • Bei der Verwendung der Halbleiterscheiben-Poliervorrichtung gemäß dem ersten Aspekt wird die Halbleiterscheibe durch die Ablage transferiert. Die Ablage verläuft unterhalb des Halbleiterscheiben-Haltekopfs, wo die Halbleiterscheibe an dem Halbleiterscheibe-Haltekopf durch das unterhalb des Halbleiterscheiben-Haltekopfs vorgesehener Halbleiterscheiben-Anbringungs- und Loslösemechanismus am Halbleiterscheiben-Haltekopf angebracht und von diesem wieder gelöst wird. Da die Transfervorrichtung und der Anbringungs- und Lösemechanismus voneinander getrennt sind, wird der Mechanismus der jeweiligen Mechanismen einfacher gestaltbar sein. Dementsprechend kann jeder Mechanismus tatsächlich bei hoher Geschwindigkeit neben einer Verbesserung der Zuverlässigkeit und einer Erleichterung der Instandhaltung betrieben werden.
  • Darüber hinaus wird die Halbleiterscheibe in Übereinstimmung mit dem ersten Aspekt mit der Ablage transferiert. Die Ablage bewegt sich unterhalb des Halbleiterscheiben-Haltekopfs und die Halbleiterscheibe wird mittels des dort vorgesehenen Halbleiterscheiben-Anbringungs- und Lösemechanismus an dem Halbleiterscheiben-Haltekopf angebracht und von diesem wieder gelöst. Da der Transfermechanismus und der Anbringungs-Lösemechanismus unabhängig voneinander sind, kann der Aufbau jedes Mechanismus einfach sein, wodurch eine Beschleunigung der Funktion jedes Mechanismus neben einer Verbesserung der Zuverlässigkeit mit leichter Instandhaltung realisiert werden kann.
  • Der Halbleiterscheiben-Haltekopf bewegt sich oberhalb des Halbleiterscheiben-Anbringungs- und Lösemechanismus, wenn die Halbleiterscheibe an der Halbleiterscheiben-Haltevorrichtung angebracht und von dieser wieder gelöst wird, und bewegt sich oberhalb der Polierkissens, wenn die Halbleiterscheibe poliert wird. Da der Transfermechanismus und der Anbringungs-Lösemechanismus unabhängig voneinander sind, kann jeder Mechanismus einfach im Aufbau sein und der Betrieb der jeweiligen Mechanismen kann in Wechselwirkung miteinander stabilisiert werden.
  • Gemäß einem zweiten Aspekt der vorliegenden Erfindung wird ein Verfahren zum Herstellen einer Halbleiterscheibe unter Verwendung einer Halbleiterscheiben-Poliervorrichtung gemäß Anspruch 1, 3 oder 4 zur Verfügung gestellt, umfassend: einen Polierschritt zum Polieren der Halbleiterscheibe mittels einer relativen Bewegung zwischen dem Halbleiterscheiben-Haltekopf und der Platte; und einen Halbleiterscheiben-Transferschritt zum Zuführen der zu polierenden Halbleiterscheibe zum Halbleiterscheiben-Polierkopf, und zum Aufnehmen der Halbleiterscheibe, die am Halbleiterscheiben-Haltekopf angebracht ist und poliert wird, vom Halbleiterscheiben-Haltekopf, wobei die zu polierende Halbleiterscheibe auf einer Ablage befestigt ist, die so angeordnet ist, dass sie oberhalb des Halbleiterscheiben-Anbringungs- und Lösemittels verläuft, während dem Halbleiterscheiben-Haltekopf ermöglicht wird, oberhalb der Ablage zu verlaufen, wobei die Halbleiterscheibe dadurch poliert wird, dass es dem Halbleiterscheiben-Haltekopf ermöglicht wird, auf dem Polierkissen (S) zu verlaufen, nachdem die Halbleiterscheiben, die auf der Ablage befestigt sind, durch das Halbleiterscheiben-Anbringungs- und Lösemittel an dem Halbleiterscheiben-Haltekopf befestigt wurde, und wobei die Halbleiterscheibe nach dem Polieren von dem Halbleiterscheiben-Haltekopf zum Halbleiterscheiben-Anbringungs- und Löseelement zugeführt wird, um die Halbleiterscheibe auf der Ablage zu befestigen.
  • Da der Transfermechanismus und der Anbringungs-Lösemechanismus unabhängig voneinander gemäß dem Verfahren zur Herstellung der Halbleiterscheibe gemäß dem zweiten Aspekt sind, kann der Aufbau jedes Mechanismus einfach sein, wodurch die Funktion jedes Mechanismus beschleunigt neben einer Verbesserung der Zuverlässigkeit mit leichter Instandhaltung realisiert werden kann.
  • Die Halbleiterscheiben-Poliervorrichtung und der Halbleiterscheiben-Anbringungs- und Lösemechanismus sind unter einem Abstand zueinander angeordnet, neben der Tatsache, dass der Halbleiterscheiben-Haltekopf sich oberhalb des Halbleiterscheiben-Anbringungs- und Lösemechanismus bewegt, wenn die Halbleiterscheibe am Halbleiterscheiben-Haltekopf angebracht und von diesem gelöst wird, und der Halbleiterscheiben-Haltekopf bewegt sich oberhalb des Polierkissens, wenn die Halbleiterscheibe poliert wird. Infolgedessen ist der Aufbau jedes Mechanismus einfach und der Betrieb der jeweiligen Mechanismen kann ohne Wechselwirkung miteinander stabilisiert werden.
  • Ein Vorteil, der mit den Ausführungsformen gemäß der vorliegenden Erfindung erreichbar ist, ist, eine Halbleiterscheiben-Poliervorrichtung und ein Verfahren zum Herstellen der Halbleiterscheibe zur Verfügung zu stellen, mittels derer die Halbleiterscheibe genau und sicher am Halbleiterscheiben-Haltekopf neben einer effizienten Polierung der Halbleiterscheibe angebracht und wieder von diesem gelöst werden kann.
  • Kurze Beschreibung der Zeichnungen
  • Um ein besseres Verständnis der vorliegenden Erfindung zu ermöglichen und um zu zeigen, wie diese realisiert werden kann, wird nunmehr beispielhaft Bezug genommen auf die beiliegenden Zeichnungen, in denen:
  • 1 eine Draufsicht auf die Halbleiterscheiben-Poliervorrichtung gemäß einer ersten Ausführungsform zeigt, die dazu sinnvoll ist, die vorliegende Erfindung zu erläutern;
  • 2 eine Seitenquerschnittsansicht der in 1 gezeigten Halbleiterscheiben-Poliervorrichtung zeigt;
  • 3 ein Querschnitt zum Beschreiben des in der ersten Ausführungsform zu verwendenden Halbleiterscheiben-Haltekopfs ist;
  • 4 einen Querschnitt zeigt, der eine zweite Ausführungsform einer Halbleiterscheiben-Poliervorrichtung darstellt, die dazu sinnvoll ist, die vorliegende Erfindung zu erläutern;
  • 5 einen Querschnitt zeigt, der die dritte Ausführungsform einer Halbleiterscheiben-Poliervorrichtung darstellt, welche dazu sinnvoll ist, die vorliegende Erfindung zu erläutern;
  • 6 eine Gesamtzeichnung der Halbleiterscheiben-Poliervorrichtung gemäß der zweiten und dritten Ausführungsform zeigt, welche dazu sinnvoll ist, die vorliegende Erfindung zu erläutern;
  • 7 eine illustrierende Zeichnung der Anordnung des Halbleiterscheiben-Haltekopfs in der Halbleiterscheiben-Poliervorrichtung gemäß der zweiten und dritten Ausführungsform ist, welche dazu sinnvoll ist, die vorliegende Erfindung zu erläutern;
  • 8 eine Draufsicht gesehen von oberhalb der Halbleiterscheiben-Poliervorrichtung einer vierten Ausführungsform zeigt, die dazu sinnvoll ist, die vorliegende Erfindung zu erläutern;
  • 9 eine Seitenansicht der Halbleiterscheiben-Poliervorrichtung aus 8 zeigt;
  • 10 einen Querschnitt der Spindel der Halbleiterscheiben-Poliervorrichtung gemäß einer fünften Ausführungsform zeigt, die dazu sinnvoll ist, die vorliegende Erfindung zu erläutern;
  • 11 einen Querschnitt des Halbleiterscheiben-Haltekopfs der Halbleiterscheiben-Poliervorrichtung gemäß der fünften Ausführungsform zeigt, die dazu sinnvoll ist, die vorliegende Erfindung zu erläutern;
  • 12 die gesamte Halbleiterscheiben-Poliervorrichtung gemäß einer fünften Ausführungsform zeigt, die dazu sinnvoll ist, die vorliegende Erfindung zu erläutern;
  • 13 eine Draufsicht auf die Halbleiterscheiben-Transfervorrichtung und die Halbleiterscheiben-Poliervorrichtung gemäß einer sechsten Ausführungsform zeigt, welche eine exemplarische Ausführungsform in Übereinstimmung mit der vorliegenden Erfindung ist;
  • 14 eine Seitenansicht der Halbleiterscheiben-Transfervorrichtung und der Halbleiterscheiben-Poliervorrichtung aus 13 zeigt;
  • 15 eine vergrößerte Zeichnung der Nähe der Ablage der Halbleiterscheiben-Transfervorrichtung und der Halbleiterscheiben-Poliervorrichtung, wie sie in 13 gezeigt sind, zeigt;
  • 16 eine vergrößerte Zeichnung der Nähe des Halbleiterscheiben-Anbringungs- und Loslösemechanismus der Halbleiterscheiben-Transfervorrichtung und der Halbleiterscheiben-Poliervorrichtung, wie sie in 13 gezeigt sind, zeigt;
  • 17 einen illustrierenden Querschnitt des Halbleiterscheiben-Haltekopfs der Halbleiterscheiben-Poliervorrichtung gemäß der sechsten Ausführungsform zeigt;
  • 18 eine konventionelle Halbleiterscheiben-Poliervorrichtung darstellt;
  • 19 die konventionelle Halbleiterscheiben-Poliervorrichtung darstellt;
  • 20 den in der konventionellen Halbleiterscheiben-Poliervorrichtung zu verwendenden Halbleiterscheiben-Haltekopf illustriert; und
  • 21 die konventionelle Halbleiterscheiben-Poliervorrichtung illustriert, die eine Halbleiterscheiben-Poliervorrichtung ist, an der die fünfte Ausführungsform gemäß der vorliegenden Erfindung angewendet wird.
  • DETAILLIERTE BESCHREIBUNG
  • Ausführungsformen einer Halbleiterscheiben-Poliervorrichtung, welche nicht in Übereinstimmung mit der vorliegenden Erfindung sind, jedoch für das Verständnis der vorliegenden Erfindung sinnvoll sind, werden im Anschluss unter Bezugnahme auf die 1 bis 12 der Zeichnungen erläutert. 1 zeigt eine Draufsicht gesehen von oberhalb der Halbleiterscheiben-Poliervorrichtung in der ersten Ausführungsform. 2 zeigt einen Querschnitt der Halbleiterscheiben-Poliervorrichtung aus 1 und 3 zeigt einen Querschnitt eines Beispiels des in dieser Ausführungsform zu verwendenden Halbleiterscheiben-Haltekopfs.
  • In den 1 und 2 ist die Halbleiterscheiben-Poliervorrichtung mit einem Halbleiterscheiben-Haltekopf 11, einem Zurichtring 2, der außerhalb des Halbleiterscheiben-Haltekopfs 11 vorgesehen ist, einer Ringführung 3, die den Zurichtring 2 abstützt, sowie einer Düse 4 als Schlamm-Zuführvorrichtung versehen.
  • Zwei Halbleiterscheiben-Halteköpfe 11 werden in frei drehbarer Weise in dieser Ausführungsform abgestützt. Eine Halbleiterscheibe W, die mit dem Halbleiterscheiben-Haltekopf 11 abgestützt wird, berührt die Oberfläche eines Polierkissens Su, welches auf einer drehbaren Platte P fixiert ist.
  • Sämtliche Materialien, die in konventioneller Weise bisher für das Polieren von Halbleiterscheiben verwendet worden sind, können für das Polierkissen Su verwendet werden, wobei Beispiele ein Velour-Kissen, das durch Imprägnieren eines nicht gewebten Gewebes, welches Polyester mit einem weichen Kunststoff wie etwa Polyurethan umfasst, vorbereitet wurde, ein Velourlederkissen, das durch Ausbilden einer Kunststoffschaumschicht, umfassend Polyurethanschaum auf einem Substrat wie etwa einem nicht gewebten Polyestergewebe hergestellt ist, oder einen Kunststoffschaum-Bogen, der unabhängig geschäumtes Polyurethan umfasst, beinhaltet.
  • Ein ringförmiger Zurichtring 2 mit einer abrasiven Kornschicht an dessen unterer Endfläche wird an der Außenseite des Halbleiterscheiben-Haltekopfs 11 vorgesehen. Der Zurichtring 2 ist so ausgebildet, dass er einen Durchmesser aufweist, der größer ist als der Außendurchmesser des Halbleiterscheiben-Haltekopfs 11 und kleiner als der Radius des Polierkissens Su ist und so vorbereitet ist, dass er einen Spalt 6 in Bezug auf den Halbleiterscheiben-Haltekopf 11 aufweist. Die abrasive Kornschicht, die auf der unteren Endfläche des Zurichtrings 2 ausgebildet ist, berührt die Oberfläche des Polierkissens Su.
  • Der Zurichtring 2 ist an dem Polierkissen Su befestigt und es wird ihm ermöglicht, durch die Reibkraft zwischen dem Zurichtring 2 und dem Polierkissen Su, bewirkt durch die Rotation der Ebene P, sich zu drehen. Die Walzenlager 3a sind an jeweiligen Ringführungen 3 vorgesehen, die die Zurichtringe 2 zum Beibehalten der Positionen der Zurichtringe 2 so abstützen, dass sie nicht mit der Drehung der Zurichtringe 2 in Wechselwirkung treten.
  • Eine Düse (Schlammzuführvorrichtung) 4 zum direkten Zuführen eines Schlamms auf die Nähe des Zentrums des Polierkissens Su hin ist auf einer Basis 5 vorgesehen. Die Düse 5 ist so vorgesehen, dass ihre Spitze in Abstand zu der Oberfläche des Polierkissens Su zum Zuführen des Schlamms an einem Zwischenteil jedes Zurichtrings 2 angeordnet ist.
  • Der Halbleiterscheiben-Haltekopf 11 wird nunmehr beschrieben werden. In 3 ist der Halbleiterscheiben-Haltekopf 11 mit einem Kopfkörper 12 vorgesehen, der eine obere Platte 13 und eine zylindrische Umfangswand 14, eine im Kopfkörper ausgedehnte Membran 15, einen scheibenförmigen Träger 16, der an der unteren Fläche der Membran 15 fixiert ist, sowie einen scheibenförmigen Rückhaltering 17 umfasst, der in konzentrischer Beziehung der Innenwand der Umfangswand 14 und der äußeren Umfangsfläche des Trägers 16 vorgesehen ist.
  • Der Kopfkörper 12 ist aus der scheibenförmigen oberen Platte 13 und der zylindrischen Umfangswand 14 zusammengesetzt, die unterhalb des äußeren Umfangs der oberen Platte 13 fixiert ist, und das untere Ende des Kopfkörpers 12 weist eine hohle Öffnung auf. Die obere Platte 13 ist koaxial mit einer Welle 19 fixiert, in der ein Strömungsweg 25, der mit einem Druckeinstellmechanismus 30 in Wirkverbindung steht, entlang der vertikalen Richtung ausgebildet ist. Eine Stufe 14a und ein Verriegelungselement 20, welches auf die Innenseite entlang der radialen Richtung hervorsteht, sind an dem unteren Ende der Umfangswand 14 über den gesamten Umfang hinweg ausgebildet.
  • Die Membran 15 umfasst ein elastisches Material wie etwa ein faserverstärktes Gummi, welches in Ringform oder in Scheibenform ausgebildet ist, und ist mit einem Membrann-Fixierungsring 21 auf der Stufe 14a, der an der Innenwand der Umfangswand 14 ausgebildet ist, fixiert.
  • Eine Fluidkammer 24 ist oberhalb der Membran 15 ausgebildet und steht in Wirkverbindung mit dem Strömungsweg 25, der in der Welle 19 ausgebildet ist. Der Druck in der Fluidkammer 24 wird durch Zuführen eines Fluids wie etwa Luft von dem Druckeinstellmechanismus 30 durch den Strömungsweg 25 eingestellt.
  • Der Träger 16, der ein hochgradig starres Material wie etwa eine Keramik umfasst, ist in einer Scheibe mit etwa konstanter Dicke ausgebildet und mit einem Trägerfixierungsring 22 fixiert, der an der oberen Fläche der Membran 15 vorgesehen ist. Eine ringförmige Stufe 22a ist am oberen Teil des Trägerfixierungsrings 22 ausgebildet, und die Stufe steht mit einer Stufe 28a im Eingriff, die an dem unteren Ende von Stopperbolzen 28 ausgebildet ist, welche vertikal durch die obere Platte 13 hindurchtreten, und mit Muttern 29 und Distanzringen 29a fixiert sind. Infolgedessen ist die Membran 15 keiner exzessiven Kraft dadurch unterworfen, dass der Stufe 22a ermöglicht wird, mit der Stufe 28a auch dann in Eingriff zu stehen, wenn die Membran 15 durch das Gewicht des Trägers 16 dadurch nach unten gebogen wird, dass beispielsweise dem Halbleiterscheiben-Haltekopf ermöglicht wird, anzusteigen.
  • Der Rückhaltering 17 ist in Ringform zwischen der Innenwand der Umfangswand 14 und der äußeren Umfangsfläche des Trägers 16 ausgebildet und in konzentrischer Beziehung zur Umfangswand 14 mit dem Träger 16 mit einem kleinen Spalt zwischen der Innenwand der Umfangswand 14 und der äußeren Umfangsfläche des Trägers 16 angeordnet. Der Rückhaltering 17 ist mit einem Rückhaltering-Fixierungsring 23 fixiert, der an der oberen Fläche der Membran 15 vorgesehen ist. Die obere Endfläche und die untere Endfläche des Rückhalterings 17 sind horizontal ausgebildet. Eine Stufe 17a ist an der äußeren Umfangsfläche des Rückhalterings 17 ausgebildet, welche verhindert, dass der Halter 17 exzessiv dadurch verschoben wird, dass es der Stufe 17a ermöglicht wird, mit dem Verriegelungselement 20 im Eingriff zu stehen, wenn der Halbleiterscheiben-Haltekopf 11 ansteigt, wodurch die Membran 15 keiner lokalen Kraft unterliegt.
  • Eine Vielzahl von Halbleiterscheiben-Halteköpfen 11, wie etwa solche, in denen der Halbleiterscheiben-Haltekopf mit einem Karussell als Kopfantriebsmechanismus abgestützt wird, um so in der Lage zu sein, frei geneigt zu werden, kann verwendet werden.
  • Die Halbleiterscheibe W wird zuerst auf der unteren Fläche des Halbleiterscheiben-Haltekopfs 11 gehalten, wenn die Halbleiterscheibe W mit der Halbleiterscheiben-Poliervorrichtung 1 poliert wird. Oder die Halbleiterscheibe W wird zuerst auf dem Halbleiterscheiben-Fixierungsbogen 16a (ein Einsatz) fixiert, der an der unteren Fläche des Trägers 16 vorgesehen ist. Dann wird es der Oberfläche der Halbleiterscheibe W ermöglicht, in Kontakt mit dem Polierkissen Su zu gelangen, das an der oberen Fläche der Platte P fixiert ist, während der Umfang der Halbleiterscheibe W mit dem Rückhaltering 17 verriegelt ist.
  • Danach wird der Druck in der Fluidkammer 24 dadurch eingestellt, dass es einem Fluid wie etwa Luft ermöglicht wird, in der Fluidkammer 24 von dem Strömungsweg 25 zu strömen, um so den Pressdruck des Trägers 16 und des Rückhalterings 17 auf das Polierkissen Su einzustellen. Da der Träger 16 und der Rückhaltering 17 eine schwebende Struktur aufweisen, die in der Lage ist, sich unabhängig entlang der Aufstiegs- und Abstiegs-Richtungen jeweils zu verschieben, ist der Pressdruck auf das Polierkissen Su durch den Druck in der Fluidkammer 24 einstellbar.
  • Die Platte dreht sich, um die jeweiligen Halbleiterscheiben-Halteköpfe zu drehen, während der Pressdruck des Trägers 16 und des Rückhalterings 17 auf das Polierkissen Su eingestellt wird. Zur gleichen Zeit wird der Platte P, auf der das Polierkissen Su fixiert ist, ermöglicht, sich entlang der Gegenuhrzeigerrichtung, wie dies in 1 gezeigt ist zu drehen, um den Schlamm von der Düse 4 zuzuführen.
  • Da der Zurichtring 2 an dem Polierkissen Su befestigt ist, ist ihm ermöglicht, sich durch die Reibkraft zwischen dem Polierkissen Su und der unteren Fläche des Zurichtrings 2 zu drehen. In anderen Worten wird es, während der zentrale Seitenabschnitt und der äußere Seitenabschnitt des Polierkissens Su unterschiedlichen Kräften unterworfen sind, die auf den Zurichtring 2 einwirken, dem Polierkissen Su ermöglicht, sich aufgrund des Vorteils des Unterschieds zwischen diesen Kräften zu drehen. Beispielsweise dann, wenn das Polierkissen Su sich entlang einer Gegenuhrzeigerrichtung dreht, wie dies in 1 gezeigt ist, ist die Position b1, die mit dem äußeren Seitenabschnitt des Polierkissens Su korrespondiert, der größten Reibkraft unterworfen, die auf den Zurichtring 2 einwirkt. Da der Zurichtring 2 so abgestützt ist, dass er frei drehbar ist, während dessen relative Position mit der Ringführung 3 beibehalten wird, wirkt ebenso eine Kraft entlang der Gegenuhrzeigerrichtung auf den Zurichtring 2 ein. Infolgedessen dreht sich der Zurichtring zusammen mit der Drehung des Polierkissens Su, wodurch der erstere sich entlang der Gegenuhrzeigerrichtung dreht.
  • Ein Antriebselement 3b, das die Walzenlager 31 und einen Motor umfasst, kann mit einem Zahnriemen 3c verkoppelt sein, um den Zurichtring zu ermöglichen, sich aktiv zu drehen. Eine Hilfskraft wird auf den Zurichtring 2 dadurch aufgebracht, dass die Walzenlager 3a drehbar gestaltet sind, wodurch die Drehung des Zurichtrings 2 sanft erfolgt. Die Drehung einer Vielzahl von Walzenlagern 3a wird sicher dadurch synchronisiert, dass es den Walzenlagern 3a ermöglicht wird, sich mit einem Antriebselement 3b zu drehen.
  • Selbstverständlich ist es möglich, den Zurichtring 2 mit dem Antriebselement 3b aktiv zu drehen. Beispielsweise wird dem Zurichtring 2 ermöglicht, durch Bereitstellen eines Zahnrads am äußeren Umfang des Zurichtrings 2 sowie einem Zahnrad an dem Walzenlager 3a sich zu drehen und in Eingriff mit den Zahnrädern zu stehen.
  • Die Oberfläche des Polierkissens Su wird durch die Funktion der abrasiven Kornschicht, die an der unteren Endfläche des Zurichtrings 2 ausgebildet ist und dadurch, dass jedem Zurichtring 2 ermöglicht wird sich zu drehen, zugerichtet.
  • Das Polieren der Halbleiterscheibe W und die Zurichtung des Polierkissens Su wird mit guter Effizienz dadurch zeitgleich ausgeführt, dass die Zurichtringe 2 an den jeweiligen Außenseite der Vielzahl von Halbleiterscheiben-Halteköpfen 11 vorgesehen ist, wie dies oben bereits beschrieben wurde.
  • Da der Halbleiterscheiben-Haltekopf im zylindrischen Zurichtring 2 angeordnet ist, wird der Raum innerhalb des Zurichtrings 2 effektiv ausgenutzt. Infolgedessen kann eine Vielzahl von Halbleiterscheiben-Halteköpfen 11 und Zurichtringen 2 auf dem Polierkissen Su angeordnet werden, um die Leistungseffizienz der Gesamtvorrichtung zu verbessern.
  • Das Polierkissen wird zusammen mit der Korrektur der Form (Zurichten) durch Anordnen einer Vielzahl von Zurichtringen 22, die mit ringförmigen abrasiven Kornschichten versehen sind, zugerichtet. Obwohl die Oberfläche des Polierkissens Su ein wenig rau wird, wenn die Dicke des Polierkissens Su selbst ungleichmäßig ist, oder dann, wenn die Dicke der adhäsiven Schicht zur Fixierung der Polierkissens Su auf der Platte P nicht gleichmäßig ist, wird die Form so korrigiert, dass die Oberfläche des Polierkissens Su durch Verwendung des Zurichtrings 2 eingeebnet wird.
  • Da der Zurichtring 2 auf dem Polierkissen Su befestigt wird, wird die Druckkraft auf das Polierkissen Su durch das Gewicht des Zurichtrings 2 bewirkt. Der Zurichtring 2 dreht sich durch die Reibung zwischen dem Zurichtring und dem Polierkissen Su und dreht sich nicht aufgrund der Verwendung aktiver Mittel unter Verwendung von beispielsweise verschiedenen Arten von Betätigern. Daher wird der Kontaktwinkel zwischen dem Zurichtring 2 und dem Polierkissen Su nicht geneigt eingestellt, und das Polierkissen Su wird nicht gewaltsam poliert. Infolgedessen wird das Polierkissen Su gleichmäßig ohne eine exzessive Polierung der Oberfläche der Polierkissens Su zugerichtet.
  • Es ist ebenso möglich, eine Vielzahl von Düsen zur Zufuhr von Schlamm zu den Spalten an den Umfängen jedes Halbleiterscheiben-Haltekopfs 11 zur Verfügung zu stellen. Da der Schlamm durch den Zurichtring 2 zurückgehalten wird, während sich das Polierkissen Su dreht, strömt durch Zufuhr des Schlamms zum Spalt 6 der Schlamm niemals entlang einer radialen Richtung aufgrund der Zentrifugalkraft nach außen. Dementsprechend kann der Verbrauch des Schlamms reduziert werden. Zusätzlich wird, da der Schlamm direkt zum Umfang der zu polierenden Halbleiterscheibe W zugeführt wird, das Polieren der Halbleiterscheibe W und das Zurichten des Polierkissens Su mit niedrigen Kosten ausgeführt.
  • Es ist ebenso möglich, ein Durchgangsloch an einem Teil der Umfangswand des Zurichtrings 2 zur Verfügung zu stellen. Die frische abrasive Zufuhr von der Düse 4 ersetzt abgenutzte abrasive Stoffe, oder ein Polierabfälle enthaltender Schlamm dient in einer vorgegebenen Proportion bei Ausgabe für den in dem Spalt 6 angesammelten Schlamm, was eine Verschlechterung des Schlamms verhindert.
  • [Zweite Ausführungsform]
  • Eine zum Verständnis der vorliegenden Erfindung sinnvolle zweite Ausführungsform wird im Anschluss unter Bezugnahme auf die Zeichnungen beschrieben. 4 zeigt einen Querschnitt eines Halbleiterscheiben-Haltekopfs 41, der Halbleiterscheiben-Poliervorrichtung in der zweiten Ausführungsform.
  • Eine Vielzahl von Halbleiterscheiben-Halteköpfen 41 ist auf einem Karussell 11 als Kopf-Antriebsmechanismus in der beispielsweise in den 6 und 7 in ihrer Gesamtheit gezeigten Halbleiterscheiben-Poliervorrichtung befestigt. Der Halbleiterscheiben-Haltemechanismus wird einer Planeten-Bewegung auf dem auf der gesamten Oberfläche der oberen Fläche der Platte 104, die in einer Scheibenform ausgebildet ist, fixierten Polierkissen 106 unterzogen.
  • In 6 ist die Platte 104 horizontal am Zentrum an der Basis 103 angeordnet und es wird ihr ermöglicht, um die axiale Linie mit einem Plattenantriebsmechanismus zu drehen, der in der Basis 103 vorgesehen ist. Sämtliche Materialien, die früher in konventioneller Weise zum Polieren der Halbleiterscheibe verwendet worden sind, können für das auf der Oberfläche der Platte 104 fixierte Polierkissen 106 verwendet werden und Beispiele von diesen beinhalten ein Velourkissen, das durch Imprägnieren eines Polyester mit einem weichen Kunststoff wie etwa Polyurehtan umfassenden Gewebes bereitgestellt ist, ein Velourleder-Kissen, das durch Ausbilden einer Kunststoffschaumschicht, die einen Polyurethanschaum auf einem Substrat wie etwa einem nicht gewebten Polyestergewebe vorbereitet wurde, oder einem Kunststoffschaumbogen, der unabhängig geschäumtes Polyurethan umfasst, beinhalten.
  • Führungssäulen 107 sind an der Seite der Basis 103 vorgesehen und eine obere Befestigungsplatte (Brücke) 109 ist auf den Führungssäulen angeordnet. Die obere Befestigungsplatte (Brücke) 109 stützt einen Karussell-Antriebsmechanismus 110 ab und eine Karussell 111 ist unterhalb des Karussell-Antriebsmechanismus 110 vorgesehen. Der Karussell-Antriebsmechanismus 110 dient zum Drehen des Karussells 111 um die axiale Linie herum.
  • Brückenstützen 112 sind so angeordnet, dass sie von der Basis 103 nach oben hervorstehen. Ein Spalteinstellmechanismus 113 ist am oberen Ende der Brückenstütze 112 vorgesehen. Ein Verriegelungselement 114 ist in einer gegenüberliegenden Beziehung zur Brückenstütze 112 oberhalb der Brückenstütze 112 angeordnet. Das Verriegelungselement 114 ist an der oberen Befestigungsplatte (Brücke) 109 fixiert und steht von der oberen Befestigungsplatte (Brücke) 109 nach unten hervor. Die Distanz zwischen dem Halbleiterscheiben-Haltekopf 41, der die Halbleiterscheibe W hält, und dem Polierkissen 106 wird in etwa durch Einstellen des Spalteinstellmechanismus 113 und dadurch eingestellt, dass es der Brückenschaltung 112 ermöglicht wird, das Verriegelungselement 114 zu berühren.
  • Insgesamt sechs Halbleiterscheiben-Halteköpfe 41 in einer gegenüberliegenden Beziehung zu der Platte 104 sind auf der unteren Fläche des Karussells 111 vorgesehen. Die Halbleiterscheiben-Halteköpfe 41 sind alle 60 Grad um die zentrale Achse des Karussells 111 mit einem gleichen Abstand in Bezug auf das Zentrum des Karussells 111 angeordnet, wie dies in 7 gezeigt ist. Jeder Halbleiterscheiben-Haltekopf 41 rotiert mit einem Kopfantriebsmechanismus (nicht gezeigt) entlang der Umfangsrichtung und wird einer Planetenbewegung mit dem Karussell-Antriebsmechanismus 110 unterworfen. Das Zentrum der Platte 104 und das Zentrum der Drehung des Halbleiterscheiben-Haltekopfs 41 kann exzentrisch zueinander stehen.
  • Der Halbleiterscheiben-Haltekopf 41 wird im Anschluss beschrieben.
  • Wie in 4 gezeigt, ist der Halbleiterscheiben-Haltekopf 41 mit einem Kopfkörper 42 versehen, der eine obere Platte 43 und eine zylindrische Umfangswand, eine in dem Kopfkörper 42 ausgedehnte Membran 45, einen an der unteren Fläche der Membran 45 fixierten scheibenförmigen Träger 46 sowie einen ringförmigen Rückhaltering 47 umfasst, der in einer konzentrischen Relation zur inneren Fläche der Umfangswand 44 und der Umfangsfläche des Trägers 46 steht.
  • Der Kopfkörper 42 ist aus der scheibenförmigen oberen Platte 43 und der zylindrischen Umfangswand 44, die unterhalb des äußeren Umfangs der oberen Platte 43 fixiert ist, zusammengesetzt, und das untere Ende des Kopfkörpers 42 weist eine hohle Öffnung auf. Die obere Platte 43 ist koaxial an einer Welle 49 fixiert, in der ein Strömungsweg 45, der in Wirkverbindung mit einem Druckeinstellmechanismus 60 steht, entlang der vertikalen Richtung ausgebildet ist. Eine Stufe 44a und ein Verriegelungselement 60, das auf die Innenseite entlang der radialen Richtung vorsteht, sind am unteren Ende der Umfangswand 44 über den gesamten Umfang hinweg ausgebildet.
  • Die Membran 45, die ein elastisches Material wie etwa einen faserverstärkten Gummi umfasst, ist in einer Ringform oder Scheibenform ausgebildet und mit einem Membrann-Fixierungsring 51 auf der Stufe 44a, die an der Innenwand der Umfangswand 44 ausgebildet ist, fixiert.
  • Eine Fluidkammer 54 ist an der Oberseite der Membran 45 ausgebildet und steht in Wirkverbindung mit dem Strömungweg 55, der in der Welle 49 ausgebildet ist. Der Druck in der Fluidkammer 54 wird durch Zufuhr eine Fluids wie etwa Luft von dem Druckeinstellmechanismus 60 durch den Strömungsweg 55 hindurch eingestellt.
  • Der Träger 46, der ein hochgradig starres Material wie etwa eine Keramik umfasst, ist in eine Scheibe mit in etwa konstanter Dicke ausgeformt und mit einem Trägerfixierungsring 52 fixiert, der an der oberen Fläche der Membran 45 vorgesehen ist. Eine ringförmige Stufe 52a ist an dem oberen Teil des Trägerfixierungsrings 52 ausgebildet und die Stufe steht im Eingriff mit einer Stufe 58a, die an dem unteren Ende der Stopperbolzen 58 ausgebildet ist, die vertikal durch die obere Platte 43 hindurchtreten und mit Muttern 59 und Distanzringen 59a fixiert sind. Infolgedessen unterliegt die Membran 45 keiner exzessiven Kraft dadurch, dass der Stufe 52a ermöglicht wird, im Eingriff mit der Stufe 58a auch dann zu treten, wenn die Membran 45 durch das Gewicht des Trägers 46 dadurch nach unten gebogen wird, dass dem Halbleiterscheiben-Haltekopf ermöglicht wird, nach oben anzusteigen.
  • Der Rückhaltering 47 ist in einer Ringform der Innenwand der Umfangswand 44 und der äußeren Umfangsfläche des Trägers 46 ausgebildet und in einer konzentrischen Beziehung zur Umfangswand 44 und dem Träger 46 mit einem kleinen Spalt zwischen der Innenwand der Umfangswand 44 und der äußeren Umfangsfläche des Trägers 46 angeordnet. Der Rückhaltering 47 ist mit einem Rückhaltering-Fixierungsring 53 fixiert, der an der oberen Fläche der Membran 45 vorgesehen ist. Die obere Endfläche und die untere Endfläche des Rückhalterings 47 sind horizontal ausgebildet. Eine Stufe 47a ist an der äußeren Umfangsfläche des Rückhalterings 47 ausgebildet, die verhindert, dass der Rückhaltering 47 exzessiv dadurch verschoben wird, dass die Stufe 47a im Eingriff mit dem Verriegelungselement 10 dann gelangt, wenn der Halbleiterscheiben-Haltekopf 41 nach oben steigt, wodurch die Membran 45 keiner lokalen Kraft unterliegt.
  • Eine Verbindung 62 zum Verkuppeln mit einem Schlammzufuhrelement 61 ist an der oberen Platte 43 des Kopfkörpers 42 vorgesehen. Ein Kopfkörper-Rohr 63, das entlang der vertikalen Richtung der oberen Platte 43 ausgebildet ist und das in Wirkverbindung mit der Umfangswand 44 steht, wird von der Verbindung 62 aus ausgebildet. Ein O-Ring 42a ist zwischen der oberen Platte 43 und der Umfangswand 44 vorgesehen, um es der oberen Platte 43 zu ermöglichen, in sicheren Kontakt mit der Umfangswand 44 zu gelangen.
  • Das untere Ende des Kopfkörper-Rohrs 63 ist so ausgebildet, dass es auf die innere Umfangsseite der Umfangswand 44 hin hindurchtritt und mit einem Ende eines flexiblen Rohrs 64 verbunden ist. Das flexible Rohr 64 ist aus einem elastischen Material wie etwa einem Gummirohr gefertigt und das Ende des Rohrs steht in Wirkverbindung mit einem Rückhaltering-Rohr 65, das im Rückhaltering 47 ausgebildet ist.
  • Der Rückhaltering 65 ist so vorgesehen, dass das Rohr durch den äußeren Umfang und die untere Fläche des Rückhalterings hindurchtritt und eine Schlammtasche 66 ist an der unteren Endseite ausgebildet. Die Schlammtasche 66 steht in Wirkverbindung mit dem Rückhaltering-Rohr 65 und ist in eine ringförmige Nut eingepasst, die entlang der unteren Fläche des Rückhalterings verläuft und zur Seite des Polierkissens 6 hin offen ist. Die Schlammzufuhr von dem Schlammzufuhrelement 61 strömt in die Schlammtasche 66 durch das Kopfkörper-Rohr 63, das flexible Rohr 64 und das Rückhaltering-Rohr 65 hinein.
  • Wenn die Halbleiterscheibe W unter Verwendung des Halbleiterscheiben-Haltekopfs 41 poliert wird, wie dies oben bereits beschrieben wurde, wird die Halbleiterscheibe W zuerst auf einem Halbleiterscheiben-Fixierungsbogen 6a (einem Einsatz) fixiert. Dann wird der Oberfläche der Halbleiterscheibe W ermöglicht, in Kontakt mit dem Polierkissen 106 zu gelangen, das auf der oberen Fläche der Platte 104 fixiert ist, während der Umfang der Halbleiterscheibe W mit dem Rückhaltering 47 verriegelt ist. Die untere Fläche des Rückhalterings 47, die mit der Schlammtasche 66 versehen ist, gelangt ebenso in Kontakt mit dem Polierkissen 106.
  • Anschließend wird der Druck in der Fluidkammer 54 dadurch eingestellt, dass es dem Fluid wie etwa Luft ermöglicht wird, in die Fluidkammer 54 von dem Strömungsweg 55 hineinzuströmen, um den Pressdruck des Trägers 46 und des Rückhalterings 47 auf das Polierkissen 106 einzustellen. Da der Träger 46 und der Rückhaltering 47 eine schwebende Struktur aufweisen, die in der Lage ist, unabhängig entlang der Ansteig- und Absenk-Richtungen dadurch verschoben zu werden, dass sie mit der Membran 45 abgestützt werden, ist der Pressdruck auf der Polierkissen 106 durch den Druck in der Fluidkammer 54 einstellbar.
  • Der Platte 104 wird ermöglicht, sich zu drehen, während es dem Halbleiterscheiben-Haltekopf 41 durch Einstellen des Pressdrucks des Trägers 46 und des Rückhalterings 47 auf das Polierkissen 106 ermöglicht wird, eine Planetenbewegung auszuführen.
  • Während des oben beschriebenen Prozesses wird der Schlamm vom Schlammzufuhrelement 61 zum Kopfkörper-Rohr 63 zugeführt. Der Schlamm strömt durch das Kopfkörper-Rohr 63, das flexible Rohr 64 und den Rückhaltering 65 in die Schlammtasche 66 hinein. Da die Öffnungsseite der Schlammtasche 66 mit dem Polierkissen 106 blockiert ist, wird der Schlamm gleichmäßig entlang der ringförmigen Nut der Schlammtasche 66 verteilt.
  • Der Schlamm wird von der Schlammtasche 66 auf die Oberfläche des Polierkissens 106 dadurch zugeführt, dass der Halbleiterscheiben-Haltekopf 41 sich dreht. Die Oberfläche der Halbleiterscheibe W wird poliert, nachdem der Schlamm auf die Polierfläche der Halbleiterscheibe W zugeführt wurde.
  • Die Polierfläche der Halbleiterscheibe W wird effizient poliert, da der Schlamm direkt von der Schlammtasche 66, die um die Halbleiterscheibe W herum ausgebildet ist, zugeführt wird. Die Schlammtasche 66 wird in einer ringförmigen Nut an der unteren Fläche des Rückhalterings 47 ausgebildet, welche in Kontakt mit der Oberfläche des Polierkissens 106 kommt. Dementsprechend strömt der Schlamm niemals entlang der radialen Richtung auch dann aus, wenn das Polierkissen 106, welches auf der Platte 104 fixiert ist, und der Halbleiterscheiben-Haltekopf 41 sich selbst drehen, da der Schlamm in der Schlammtasche 66 gehalten wird, wodurch es möglich wird, die Halbleiterscheibe mit einem minimalen Verbrauch an Schlamm effizient zu polieren. Da der Halbleiterscheiben-Haltekopf 41 sich selbst dreht, kann der Schlamm gleichmäßig auf die Oberfläche der Polierkissens 106 geführt werden, was es dem Schlamm ermöglicht, eine effiziente Polierfunktion auszuüben.
  • Während ein Teil des durch das Polieren erzeugten Polierabfall mit dem Schlamm in der Schlammtasche 66 durch Drehung des Halbleiterscheiben-Haltekopfs 41 und des Polierkissens 106 gerührt wird, wird der Polierabfall, der auf dem Polierkissen 106 anhaftet, effizient mit beispielsweise einem pH-gesteuerten Wasser, das um das Zentrum des Polierkissens 106 zugeführt wurde, entfernt.
  • Es ist ebenso möglich, den Polierabfall unter Verwendung von nur Wasser, dessen pH-Wert nicht eingeregelt wurde, oder eines verdünnten abrasiven Stoffs, zu entfernen, um den Verbrauch teurer abrasiver Mittel zu reduzieren.
  • Der Schlamm wird ohne Ausübung einer Verschiebung entlang der axialen Richtung zugeführt, wodurch eine sichere Polierung durch Wirkverbindung des Kopfkörper-Rohrs 63 mit dem Rückhaltering 65 unter Verwendung des flexiblen Rohrs 64, das ein elastisches Material umfasst, ermöglicht wird.
  • Während die Schlammtasche 66 in dieser Ausführungsform so vorgesehen ist, dass deren obere Fläche 66a parallel zur unteren Fläche des Rückhalterings 47 liegt, wie dies in 4 gezeigt ist, kann eine Stufe an der Seite des Trägers 46 und der Seite der Umfangswand 44 vorgesehen sein. Beispielsweise ist eine Absenkung der Seite des Träger 46 der oberen Fläche 66a effektiv zur Zuführung einer größeren Menge an Schlamm zur Seite der Halbleiterscheibe W, da der Schlamm in der Schlammtasche 66 dazu neigt, leicht zur Seite der Halbleiterscheibe W hin zu strömen. Eine Absenkung der Seite der Umfangswand 44 der oberen Fläche 66a ist auf der anderen Seite für eine bevorzugten Entfernung von Polierabfall effektiv, da der Schlamm dazu neigt, leicht nach außen zu strömen.
  • [Dritte Ausführungsform]
  • Der Halbleiterscheiben-Haltekopf 71 gemäß einer dritten Ausführungsform, die zum Verständnis der vorliegenden Erfindung sinnvoll ist, wird im Anschluss unter Bezugnahme auf die Zeichnungen beschrieben.
  • Eine Vielzahl von Halbleiterscheiben-Halteköpfen 71, die in 5 in der Gesamtzeichnung der Halbleiterscheiben-Poliervorrichtung 101, beispielsweise in 6 gezeigt, ist unter dem Karussell 111 als Kopfantriebsmechanismus vorgesehen und diese werden einer Planetenbewegung auf dem Polierkissen 106, das auf der Platte 104 fixiert ist, unterworfen.
  • In 5 ist der Halbleiterscheiben-Haltekopf 71 mit einem Kopfkörper 72 versehen, der eine obere Platte 73 sowie eine zylindrische Umfangswand 74, eine ein elastisches Material wie etwa ein faserverstärktes Gummi umfassenden Membran 75, die im Kopfkörper 72 ausgedehnt ist, einem an der unteren Fläche der Membran 75 fixierten Träger 76 und einem Rückhaltering 77, der in einer konzentrischen Beziehung zur Innenwand der Umfangswand 74 und der Umfangsfläche des Trägers 76 vorgesehen ist, umfasst, vorgesehen.
  • Ein Strömungsweg 85, der in Wirkverbindung mit dem Druckeinstellmechanismus 90, der ebenso in Wirkverbindung mit einer Fluidkammer 84 steht, in Wirkverbindung steht, ist entlang der vertikalen Richtung in der Welle 79 zur Ankopplung an das Karussell 111 ausgebildet. Die Membran 75 ist an einer Stufe 74a fixiert, die am unteren Ende der Umfangswand 74 mit einem Membrann-Fixierungsring 81 ausgebildet ist.
  • Der scheibenförmige Träger 76 ist mit einem Träger-Fixierungsring 82 über die Membran 75 fixiert und der ringförmige Rückhaltering 77 ist mit einem Rückhaltering-Fixierungsring 83 fixiert.
  • Ein Kopfkörper-Rohr 93 steht in Wirkverbindung mit einer Verbindung 92, die mit dem Schlammzuführelement 91 verbunden ist. Das Kopfkörper-Rohr 93 ist vertikal nach unten durch die obere Platte 73 auf eine mittlere Höhe hin ausgebildet, erstreckt sich auf die Umfangswand 74 hin und verläuft schließlich durch einen nahezu mittig angelegten Punkt der Umfangswand 74 auf die untere Fläche der Umfangswand 74 hin. Die obere Platte 73 und die Umfangswand 74 sind über einen O-Ring 72a miteinander verkuppelt.
  • Ein ringförmiges Stützelement 94 für den äußeren Ring ist an der Außenseite des Kopfkörpers 72 vorgesehen. Der obere Teil des Stützelements 94 für den äußeren Ring ist an der Seitenwand der oberen Platte 73 fixiert und der untere Teil des Stützelements 94 für den äußeren Ring, der auf einer Mittelhöhe der Außenseite der Umfangswand 74 positioniert ist, ist so ausgebildet, dass er einen L-förmigen Querschnitt aufweist, der auf die Innenseite gebogen ist, um eine Stufe 94a auszubilden.
  • Ein ringförmiger äußerer Ring 95 ist im Innenraum des Stützelements 94 für den äußeren Ring vorgesehen. Der äußere Ring 95 ist mit dem inneren Raum des Stützelements 94 für den äußeren Ring mit einem Außenring-Druckelement 96 verkuppelt, welches ein elastisches Material wie etwa eine Feder umfasst, und wird so abgestützt, dass es in der Lage ist, sich entlang der aufsteigenden und absteigenden Richtung zu verschieben.
  • Eine Stufe 95a, die zur Außenseite hin hervorsteht, ist am oberen Teil des äußeren Rings 95 ausgebildet. Die Stufe 94a des Stützelements 94 des Außenrings dient zur Verbesserung der Bewegung nach unten des Halbleiterscheiben-Haltekopfs 71, wenn dieser mittels eines Ansteige-Absteige-Mechanismus 108 ansteigt.
  • Die untere Fläche des Außenrings 95 berührt die Oberfläche des Polierkissens 106, um eine Schlammtasche 97 auszubilden, die die Innenumfangsfläche des Außenrings, die Außenumfangsfläche des Rückhalterings 77 und die untere Fläche der Umfangswand verwendet.
  • Wenn die Halbleiterscheibe W unter Verwendung des Halbleiterscheiben-Haltekopfs 71, der wie oben beschrieben aufgebaut ist, poliert wird, wird die Halbleiterscheibe W auf einem Halbleiterscheiben-Fixierungsbogen 76a (ein Einsatz) fixiert, der an der unteren Fläche des Trägers 76 vorgesehen ist, und mit dem Rückhaltering 77 verriegelt. Dann wird die Oberfläche der Halbleiterscheibe W in Kontakt mit dem Polierkissen 106 gebracht, das auf der oberen Fläche der Platte 104 fixiert ist. Die Druckkraft des Trägers 76 und des Rückhalterings 77 auf das Polierkissen 106 wird durch Einstellen des Drucks in der Fluidkammer 84 eingestellt.
  • Der Platte 104 wird ermöglicht, sich zu drehen, während der Halbleiterscheiben-Haltekopf 71 einer Planetenbewegung unterworfen wird. Der Schlamm strömt durch das Kopfkörper-Rohr 93 von dem Schlammzufuhrelement 91, um diesen in die Schlammtasche 97 zuzuführen.
  • Da der Rückhaltering 77 und der Außenring 95 eine schwebende Struktur aufweisen, mittels derer sie in der Lage sind, entlang der axialen Richtung verschoben zu werden, können deren untere Flächen sicher in Kontakt mit dem Polierkissen 106 gelangen.
  • Der Schlamm wird auf die Oberfläche des Polierkissens 106 von der Schlammtasche 97 dadurch zugeführt, dass es dem Halbleiterscheiben-Haltekopf 71 ermöglicht wird, sich zu drehen um die Halbleiterscheibe W zu polieren. Der Schlamm wird effizient auf die Polierfläche der Halbleiterscheibe W zugeführt, da der Schlamm direkt von der Schlammtasche 97, die im Umfang der Halbleiterscheibe W ausgebildet ist, zugeführt wird.
  • Die Schlammtasche 97 wird durch den Außenring 95, den Rückhaltering 77 und die Umfangswand 74 umgeben und der Rückhaltering 77 sowie der Außenring 95 weisen jeweils eine schwebende Struktur auf, durch die der Rückhaltering 77 und der Außenring 95 in der Lage sind, sich entlang der aufsteigenden und absteigenden Richtung mittels der Membran 75 und des Außenring-Druckelements 96 zu verschieben. Dementsprechend berühren deren unteren Flächen das Polierkissen 106 sicher. Infolgedessen strömt der Schlamm nicht in großer Menge aufgrund der Zentrifugalkraft auch dann aus, wenn sich der Halbleiterscheiben-Haltekopf 71 selbst dreht, da der Schlamm in der Schlammtasche 97 zurückgehalten wird. Der Schlamm wird gleichmäßig auf die Oberfläche des Polierkissens 106 durch Drehung des Halbleiterscheiben-Haltekopfs 71 zugeführt, was es dem Schlamm ermöglicht, den Poliereffekt effizient auszuüben.
  • Der beim Polieren erzeugte Polierabfall wird dort mit den abrasiven Stoffen in der Schlammtasche 97 vermischt, welche durch Drehung des Halbleiterscheiben-Haltekopfs 71 gerührt werden, wodurch ermöglicht wird, dass der Polierabfall effizient von der Oberfläche des Polierkissens 106 entfernt wird. Obwohl der Polierabfall unter Verwendung einer großen Menge von Schlamm im Stand der Technik herausgewaschen wurde, wird er unter Verwendung des Schlamms entfernbar oder einer Lösung des Schlamms, oder unter Verwendung von verdünnten abrasiven Stoffen in der vorliegenden Erfindung, wodurch es möglich wird, den Verbrauch teurer abrasiver Stoffe zu begrenzen.
  • Es ist selbstverständlich möglich, die Schlammtasche auf der unteren Fläche des Rückhalterings 77 des Halbleiterscheiben-Haltekopfs 71 zur Verfügung zu stellen. Der oben beschriebenen Aufbau ermöglicht es dem Schlamm, in die Schlammtasche, die auf der unteren Fläche des Rückhalterings 77 ausgebildet ist, zuzuführen und in die Schlammtasche 97 hinein, die zwischen dem Rückhaltering 77 und dem Außenring 95 ausgebildet ist, durch Bereitstellen des äußeren Rings 95 an der Außenseite des Kopfkörpers 72, um die Menge an herausströmenden abrasiven Stoffen zu reduzieren und somit die Menge an Abfall-abrasiven Stoffen zu begrenzen.
  • [Vierte Ausführungsform]
  • Die Halbleiterscheiben-Poliervorrichtung gemäß einer vierten Ausführungsform ist zum Verständnis der vorliegenden Erfindung sinnvoll und wird im Anschluss unter Bezugnahme auf die 8 und 9 beschrieben.
  • In den 8 und 9 ist die Halbleiterscheiben-Poliervorrichtung 115 mit einem Halbleiterscheiben-Haltekopf 116, einem Schlammhaltering 117, der an der Außenseite des Halbleiterscheiben-Haltekopfs 116 vorgesehen ist, einer Ringführung 118 zum Abstützen des Schlammhalterings 117 und einem Schlammzufuhrelement 119 vorgesehen. Der Halbleiterscheiben-Haltekopf 116, wie er beispielsweise in 20 gezeigt ist, kann verwendet werden.
  • Die Halbleiterscheiben-Halteköpfe 116, zwei in dieser Ausführungsform, werden auf der Basis 112 in einer frei drehbaren Weise abgestützt. Die mit den Halbleiterscheiben-Halteköpfen 116 abgestützten Halbleiterscheiben W gelangen in Kontakt mit der Oberfläche eines Polierkissens 121, welches auf einer sich drehenden Platte 120 fixiert ist.
  • Der ringförmige Schlammhaltering 117, der außen an den Halbleiterscheiben-Halteköpfen 116 ausgebildet ist, ist so ausgebildet, dass er einen Durchmesser aufweist, der größer als der Außendurchmesser der Halbleiterscheiben-Halteköpfe 116 und kleiner als der Radius des Polierkissens 121 mit einem Spalt 123 von den Halbleiterscheiben-Halteköpfen 116 ist. Die untere Endfläche des Schlammhalterings 117 gelangt in Kontakt mit der Oberfläche des Polierkissens 121.
  • Der Schlammhaltering 117 ist an dem Polierkissen 121 befestigt und es wird ihm ermöglicht, durch die Reibkraft zwischen dem Polierkissen 121 und dem Schlammhaltering 117, erzeugt durch die Rotation der Platte 120, sich zu drehen. Die Ringführung 118, die den Schlammhaltering 117 abstützt, ist zwischen zwei Walzenlagern 118a vorgesehen, welche den Schlammhaltering 117 so abstützen, dass er nicht die Drehung des Schlammhalterings 117 beeinflusst.
  • Ein Schlammzufuhrelement 119 zum Zuführen des Schlamms zum Spalt 123, der zwischen dem Schlammhaltering 117 und dem Halbleiterscheiben-Haltekopf 116 ausgebildet ist, ist an der Basis 122 vorgesehen. Das rohrförmige Zufuhrelement 119 für abrasive Stoffe ist an zwei Seiten zur Zufuhr des Schlamms zu den jeweiligen Spalten 123 mit dessen Spitzen in einem Raum entfernt vom Polierkissen 121 angeordnet.
  • Ein Auslass 117a ist als Durchgangsloch am unteren Teil der Seitenwand des Rückhalter-Halterings 117 zum Ersetzen des im Spalt 123 angesammelten Schlamms mit frischer abrasiver Zufuhr von der Schlammzufuhrkammer 119 ausgebildet. Der Auslass 117a ist etwas oberhalb des unteren Endes des Schlammhalterings 117 ausgebildet und es wird ihm ermöglicht, das Polierkissen 121 zu berühren, während eine Ringform der abrasiven Kornschicht, die am unteren Ende des Schlammhalterings 117 vorgesehen ist, beibehalten wird.
  • Wenn die Halbleiterscheibe W wie bereits oben beschrieben mit der Halbleiterscheiben-Poliervorrichtung 115 poliert wird, wird die Halbleiterscheibe W zuerst an der unteren Fläche des Halbleiterscheiben-Haltekopfs 116 gehalten. Die Polierfläche der Halbleiterscheibe W kann in Kontakt mit dem Polierkissen 121 gelangen, während der Halbleiterscheiben-Haltekopf 116 sich dreht. Die Platte 120, auf der das Polierkissen 121 fixiert ist, kann sich im Gegenuhrzeigersinn drehen, wie dies in 8 gezeigt ist, um den Schlamm in den Spalt 123 vom Schlammzufuhrelement 119 zu befördern.
  • Der Schlammhaltering 117 ist auf dem Polierkissen 121 befestigt und es wird ihm ermöglicht, durch die Reibkraft zwischen dem sich drehenden Polierkissen 121 und dem Schlammhaltering 117 sich zu drehen. In anderen Worten wird es, da die auf den Schlammhaltering 117 einwirkenden Kräfte sich zwischen den Abschnitten um das Zentrum herum und an der Außenseite des Polierkissens 121 unterscheiden, dem Schlammhaltering 117 ermöglicht, aufgrund dieses Unterschieds zwischen den zwei oben beschriebenen Kräften sich zu drehen. Beispielsweise dann, wenn dem Polierkissen 121 ermöglicht wird, sich im Gegenuhrzeigersinn zu drehen, wie dies in 8 gezeigt ist, korrespondiert derjenige Abschnitt, der dir größte Reibkraft auf den Schlammhaltering 117 ausübt, mit der Position P an der Außenseite des Polierkissens 121. Da der Schlammhaltering 117 durch die Ringführung 118 in drehbarer Weise abgestützt wird, während dessen relative Position beibehalten wird, wird ebenso eine Kraft im Gegenuhrzeigersinn auf den Schlammhaltering 117 einwirken. Infolgedessen wird es dem Schlammhaltering 117 ermöglicht, sich im Gegenuhrzeigersinn zu drehen, um so in Eingriff mit der Drehung des Polierkissens 121 zu stehen.
  • Jeweilige Walzenlager 118a können mit einem Antriebsmechanismus 118b mit einem Zahnriemen 118c dafür verkoppelt sein, dass es dem Schlammhaltering ermöglicht wird, aktiv zu Rotieren. der Schlammhaltering 117 dreht sich sanft durch Aufnehmen einer Hilfskraft dadurch, dass die Walzenlager 118a drehbar gestaltet sind. Eine synchronisierte Drehung einer Vielzahl von Walzenlagern 118a wird dadurch ermöglicht, dass den jeweiligen Walzenlager 118a ermöglicht wird, unter Verwendung eines Antriebsmechanismus 118b angetrieben zu werden.
  • Die Schlammzufuhr in den Spalt 123 hinein wird vom Ausströmen mittels des Schlammhalterings 117 abgehalten. Der Halbleiterscheibe W wird poliert, während sie mit Schlamm befördert wird, durch Drehung des Halbleiterscheiben-Haltekopfs 116, der im Schlammhaltering 117 zur Verfügung gestellt ist. Der Schlammhaltering 117 ändert seine relative Position zwischen dem Polierkissen 121 und dem Halbleiterscheiben-Haltekopf 116 nicht, da der Schlammhaltering 117 sich simultan dreht, wodurch der Schlamm im Spalt sicher beibehalten wird.
  • Der Schlamm wird effizient von der Umgebung des Halbleiterscheiben-Haltekopfs 116 durch Bereitstellen des Schlammhalterings 117 an der Außenseite des Halbleiterscheiben-Haltekopfs 116 befördert, um den Schlamm in den Spalt 123 einzuführen, der zwischen dem Halbleiterscheiben-Haltekopf 116 und dem Schlammhaltering 117 ausgebildet ist. Da der Schlamm vom Ausströmen von dem Schlammhaltering 117 auch dann abgehalten wird, wenn der Polierkissen 121 sich dreht, wird ein Verbrauch des Schlamms verringert, um eine effiziente Polierung der Halbleiterscheibe W mit niedrigen Kosten zu ermöglichen.
  • Der durch das Polieren erzeugte Polierabfall wird durch Vermischung mit dem im Spalt 123 angesammelten Schlamm entfernt. Der Polierabfall kann nur durch Zufuhr eines löslichen Abschnitts des Schlamms vom Schlammzufuhrelement 119 entfernt werden, um Schlamm einzusparen.
  • Der im Spalt 123 abgereichterte Schlamm oder der den Polierabfall enthaltende Schlamm wird mit frischer abrasiver Zufuhr von dem Schlammzufuhrelement 119 zur Bereitstellen eines Auslasses 117a im Schlammhaltering 117 ersetzt, wodurch eine Denaturierung des Schlamms verhindert wird.
  • Da der Schlammhaltering 117 auf dem Polierkissen 121 befestigt ist, wird ein Pressdruck auf das Polierkissen 121 durch das Gewicht des Schlammhalterings 117 aufgebracht. Eine Drehung des Schlammhalterings 117 wird durch die Reibkraft zwischen dem Schlammhaltering 117 und dem Polierkissen 121 bewirkt. Beispielsweise wird, da der Schlammhaltering 117 sich nicht abhängig von einem aktiven Verfahren unter Verwendung verschiedener Arten von Betätigern dreht, der Kontaktwinkel zwischen dem Schlammhaltering 117 und dem Polierkissen 121 nicht so eingestellt, dass er extrem geneigt wäre. Daher wird aufgrund des Schlammhalterings 117 kein lokaler Pressdruck auf das Polierkissen 121 ausgeübt, um eine Beschädigung des Polierkissens 121 zu verhindern.
  • Es ist ebenso möglich, eine abrasive Kornschicht auf der unteren Endfläche des Schlammhalterings 117 zur Verfügung zu stellen, um das Polierkissen 121 mit einer Zurichtfunktion auszustatten. Das Polieren der Halbleiterscheibe W und das Zurichten des Polierkissens 121 kann gleichzeitig durch eine Zurichtfunktion des Schlammhalterings 117 ausgeführt werden, wodurch es möglich ist, den Herstellungsprozess zu verkürzen. Zusätzlich wird der Schlamm direkt von dem Umfang der Halbleiterscheibe W zugeführt, um eine effiziente Polierung zu ermöglichen, während ein Ausströmen des Schlamms durch direkte Zufuhr des Schlamms in den Spalt 123 zwischen dem Schlammhaltering 117 und dem Halbleiterscheiben-Haltekopf 116 unterdrückt wird.
  • Da der Schlammhaltering 117, der mit der abrasiven Kornschicht versehen ist, auf dem Polierkissen 121 befestigt ist, wird der Kontaktwinkel zum Polierkissen 121 so eingestellt, dass der Winkel nicht deutlich geneigt ist, und gleichzeitig wird verhindert, dass das Polierkissen 121 zwangsweise poliert wird. Daher wird die Oberfläche des Polierkissens 121 nicht exzessiv poliert, um ein gleichmäßiges Zurichten zu ermöglichen.
  • Die wie oben beschriebene Ausführungsform ist nicht notwendigerweise auf das Polieren der Halbleiterscheibe W beschränkt, sondern kann ebenso auf eine Vielzahl von Polierobjekten wie etwa Festplatten-Substrate, die eine Spiegelpolitur erfordern, angewendet werden.
  • [Fünfte Ausführungsform]
  • Halbleiterscheiben-Poliervorrichtung und das Verfahren zum Herstellen der Halbleiterscheibe gemäß einer fünften Ausführungsform ist zum Verständnis der vorliegenden Erfindung sinnvoll und wird im Anschluss unter Bezugnahme auf die Zeichnungen beschrieben. 10 zeigt einen Querschnitt einer Spindel 131 in der Halbleiterscheiben-Poliervorrichtung.
  • Die Spindel 131 ist an einem Kopplungsabschnitt zwischen dem Karussell (Spindelabstützelement) und dem Halbleiterscheiben-Haltekopf vorgesehen, wie dies in 21 gezeigt ist.
  • In 10 ist die Spindel 131 innerhalb des Eingriffselements 150 als ein in das Spindelgehäuse 146 eingebrachtes Durchgangsloch vorgesehen, was durch das Karussell 132 hindurch zur Verfügung gestellt ist. Die Spindel 131 ist mit einer Hauptwelle 131 vorgesehen, die nahezu in Zylinderform ausgebildet ist, einem spindelseitigen Kupplungselement 134, das am unteren Teil des Karussells 132 angeordnet ist, einem Griffstützelement 139, das am oberen Teil des Karussells 132 angeordnet ist, einem Positionierungsgriff 138, der so vorgesehen ist, dass er sich auf horizontaler Richtung von dem Griffstütztelement 139 erstreckt, sowie einem Fluid-Zufuhranschluss 140, der in Wirkverbindung mit dem Rohr 131b der Hauptwelle 131a steht, welche am oberen Ende vorgesehen ist. Ein erstes Lager 133 ist im Eingriffselement 150 vorgesehen und die Hauptwelle 131a wird mit dem ersten Lager 133 so abgestützt, dass sie frei drehbar ist. Ein Flansch 145 ist an der oberen Fläche des Karussells 132 vorgesehen. Die Spindel 131 ist mit dem Karussell 132 durch Fixierungsschrauben 132a verkoppelt.
  • Das erste Lager 133 ist um das zylindrische Eingriffselement 150 eingesetzt, das im Spindelgehäuse 146 ausgebildet ist. Das erste Lager 133 wird im Eingriffselement 150 so abgestützt, dass es frei gleitbar ist, und der äußere Umfang des ersten Lagers 133 sowie der innere Umfang des Eingriffselements 150 sind nicht fixiert. Das erste Lager 133 ist so vorgesehen, dass die relative Position gegenüber der Hauptwelle 131a sich nicht entlang der Axiallinie verändert.
  • Ein ringförmiger Höcker 146a ist nach unten entlang der vertikalen Richtung an der unteren Fläche des Spindelgehäuses 146 ausgebildet. Ein scheibenförmiges Verriegelungselement 146b ist durch Hervorstehen entlang der radialen Richtung am unteren Teil des inneren Umfangs des ersten Lagers 133 ausgebildet und hindert das frei gleitbar abgestützte erste Lager 133 an einer Bewegung nach unten. Eine ringförmige Feder 15 kann an der oberen Fläche des Verriegelungselements 146b vorgesehen sein, um den aufgebrachten Aufprall mit der Blattfeder 155 abzufedern, wenn der untere Teil des ersten Lagers 133 in Kontakt mit dem Verringerungselement 146b gelangt.
  • Ein Lagerstützelement 135 ist in dem oberen Seitenflansch 145, der in Zylinderform ausgebildet ist, vorgesehen, und ein externes Positionierungsgewinde 136 ist an der äußeren Umfangsfläche des Zylinders ausgebildet. Das äußere Positionierungsgewinde 136 ist in das innere Positionierungsgewinde 143 eingeschraubt, das im oberen Teil der inneren Umfangsfläche des Spindelgehäuses 146 ausgebildet ist. Die Breite des inneren Positionierungsgewindes 143 entlang der axialen Linie ist größer als die Breite des äußeren Positionierungsgewindes 136 entlang der axialen Linie ausgebildet. Die äußere Umfangsfläche des Lagerstütztelements 135 kommt in Kontakt mit der inneren Umfangsfläche des oberen Seitenflanschs 145 und das Lagerstützelement 135 ist im oberen Seitenflansch 135 drehbar.
  • Ein zweites Lager 137 ist im zylindrischen Lagerstütztelement 135 vorgesehen und die Hauptwelle 131a wird mit dem zweiten Lager 137 und dem ersten Lager 133 so abgestützt, dass sie frei drehbar ist. Eine Stufe 135a ist am unteren Ende des Lagerstütztelements 135 so ausgebildet, dass sie das zweite Lager 137 von unten abstützt. Der äußere Umfang des zweiten Lagers 137 ist am inneren Umfang des Lagerstütztelements 135 fixiert. Das zweite Lager 137 umfasst ein ringförmiges Kugellager, welches die Bewegung der Hauptwelle 131a entlang der axialen Linie (Schubrichtung) beschränkt. Dementsprechend verändert sich die relative Position zwischen der Hauptwelle 131a und dem zweiten Lager 137 nicht.
  • Ein zylindrisches Griffstütztelement 139 ist an der Oberseite des Lagerstütztelements 135 vorgesehen. Das Griffstütztelement 139 ist am Lagerstütztelement 135 mit Bolzen 144 fixiert und ist mit einem Positionierungsgriff 138, der so vorgesehen ist, dass er sich entlang der horizontalen Richtung erstreckt, versehen. Die Hauptwelle 131a ist in dem zylindrischen Griffstütztelement 139 frei drehbar. Die Hauptwelle 131a kann sich entlang der axialen Linienrichtung dadurch verschieben, dass es dem Griffstütztelement 139 ermöglicht wird, sich zusammen mit dem Lagerstütztelement 135 unter Verwendung des Positionierungsgriffs 138 zu drehen.
  • Das Lagerstütztelement 135, das Griffstütztelement 139 und das zweite Lager 137 sind miteinander fixiert, während das erste Lager 133 gegenüber dem Spindelgehäuse 146 gleitbar ist. Eine Verschiebung der Hauptwelle 131a entlang der Schubrichtung wird mit dem zweiten Lager 137 beschränkt, während das erste Lager 133, das zweite Lager 137 sowie die Hauptwelle 131a so vorgesehen sind, dass eine relative Position zwischen diesen sich nicht verändert.
  • Das äußere Positionierungsgewinde 136 dreht sich entlang des inneren Positionierungsgewindes 143 durch Drehen des Lagerstütztelements 135, wodurch sich das Lagerstütztelement 135 entlang der axialen Linienrichtung relativ zum Spindelgehäuse 146 verschiebt. Infolgedessen wird der Hauptwelle 131a ermöglicht, sich entlang der axialen Linie relativ zum Spindelgehäuse 146, das am Karussell 132 fixiert ist, ohne Veränderung der relativen Position gegenüber der Lagerstütztelement 135 zu verschieben.
  • Eine Anzeigescheibe 156 ist am oberen Teil des Griffstütztelements 139 vorgesehen und der Drehwinkel des Griffstütztelements 139 wird unter Verwendung des Anzeigepaneels 156 bestätigt.
  • Ein fluider Zufuhranschluss 140 zur Wirkverbindung mit dem Inneren des Rohrs 131b der Hauptwelle 131a ist am oberen Teil der Spindel 131 vorgesehen. Ein Fluid wie etwa Luft, welches von dem Fluid-Zufuhranschluss 140 zugeführt wurde, wird zur Öffnungsseite am unteren Ende der Spindel 131 durch das Rohr 131b zugeführt. Ein Gehäuse 141 ist um die Hauptwelle 131a in der Nähe des Fluid-Zufuhranschlusses 140 vorgesehen, welche verhindert, dass ein sich von dem Fluid-Zufuhranschluss 140 zugeführtes Fluid unterscheidendes Fluid in das Rohr 131b eintritt. Ein drittes Lager 142 ist im Gehäuse 141 so vorgesehen, dass es die Drehung der Hauptwelle 131a nicht stört.
  • Ein spindelseitiges Kupplungselement 134 zum Ankuppeln des Halbleiterscheiben-Haltekopfs ist am unteren Teil der Spindel 131 vorgesehen, welche sich nach unten vom Karussell 132 erstreckt. Das spindelseitige Kupplungselement 134 ist mit einem äußeren Zylinder 147 versehen, der mit der Hauptwelle 131a verkuppelt ist, und einem zylindrischen Positionierungselement 148, das im äußeren Zylinder 147 zur Verfügung gestellt ist. Die Positionierung des mit dem spindelseitigen Kupplungselement 134 verkuppelten Halbleiterscheiben-Haltekopf wird durch Veränderung der Dicke eines Abstandsstücks 151, das integriert am oberen Teil des Positionierungselements 148 angeordnet ist, eingestellt.
  • Das Positionierungselement 148 ist ein Zentrierungs-Adapter, der einen zylindrischen Vorsprung 148a umfasst, der so ausgebildet ist, dass er nach unten hervorsteht, einem Rand 148b, der so ausgebildet ist, dass er den Vorsprung 148a fortsetzt, sowie eine Aufnahme 148c als Raum im Vorsprung 148a. Ein Zufuhrrohr 148d, das entlang der vertikalen Richtung so ausgebildet ist, dass es in Wirkverbindung mit dem Rohr 131b steht, ist im Vorsprung 148a so vorgesehen, dass es durch die untere Endfläche des Vorsprungs 148a hindurchtritt. Ein inneres Kopfanbringungsgewinde 148 ist an der inneren Umfangsfläche des äußeren Zylinders 147 bei einer Höhe gegenüber der äußeren Umfangsfläche des Vorsprungs 148a ausgebildet. Eine ringförmige Aufnahme 147a, die so ausgebildet ist, dass sie dem ringförmigen Höcker 146a folgt, ist ebenso an der unteren Fläche an der Außenseite des äußeren Zylinders 147 vorgesehen. Ein Labyrinthring ist mit diesen Elementen ausgebildet. Da ein viskoser Reibwiderstand und eine Oberflächenspannung im Spalt, der einen komplexen Aufbau aufweist und mit dem ringförmigen Höcker 146a und der ringförmigen Aufnahme 147a ausgebildet ist, tritt ein Fluid wie etwa Schlamm oder eine Fremdsubstanz nicht in die Seite des ersten Lagers 133 ein.
  • Der an der Spindel 131 angebrachte Halbleiterscheiben-Haltekopf wird im Anschluss unter Bezugnahme auf 11 beschrieben.
  • Der Halbleiterscheiben-Haltekopf aus 11 ist mit einem Kopfkörper 162, einem im Kopfkörper 162 aufgespannten Membran 165, einem an der unteren Fläche der Membran 165 fixierten scheibenförmigen Träger 166 sowie einem Rückhaltering 167 versehen, der in konzentrischer Beziehung zur Innenwand der Umfangswand 164 der äußeren Umfangswand des Trägers 166 steht. Der Träger 166 sowie der Rückhaltering 167 weisen eine schwebende Struktur auf, die entlang der axialen Richtung durch eine elastische Deformation der Membran 165 beweglich ist.
  • Der Kopfkörper 162 ist aus einer scheibenförmigen oberen Platte 163 und einer zylindrischen Umfangswand 164 zusammengesetzt, die unterhalb des Umfangs der oberen Platte 163 fixiert ist, und das untere Ende des Kopfkörpers 162 weist eine hohle Öffnung auf. Die obere Platte 163 ist in koaxialer Beziehung zu einer Welle 169 als kopfseitiges Kupplungselement zum Ankoppeln mit der Spindel 131 fixiert. Ein Strömungsweg 175 zur Wirkverbindung mit einem Rohr 131b in der Spindel 131 ist entlang der vertikalen Richtung in der Welle 169 ausgebildet. Ein äußeres Kopfanbringungsgewinde 168 ist an der äußeren Umfangsfläche der Welle 169 ausgebildet. eine Stufe 164a sowie ein ringförmiges Verriegelungselement 170, das auf die Innenseite entlang der radialen Richtung hervorsteht, sind über den gesamten Umfang am unteren Teil der Umfangswand 164 ausgebildet.
  • Die Membran 165 umfasst ein elastisches Material wie etwa einen faserverstärkten Gummi, der in Ringform oder Scheibenform ausgebildet ist und mit einem Membrann-Fixierungsring 171 auf der an der Innenwand der Umfangswand 164 ausgebildeten Stufe 164a fixiert ist.
  • Eine Fluidkammer 147 ist oberhalb der Membran 165 ausgebildet und steht in Wirkverbindung mit dem Strömungsweg 175, der in der Welle 169 ausgebildet ist. Der Druck in der Fluidkammer 147 wird durch Zufuhr eines Fluids wie etwa Luft in die Fluidkammer 147 von dem Rohr 131b in der Spindel 131 durch den Strömungsweg 175 eingestellt.
  • Der Träger 166 umfasst ein hochgradig starres Material wie etwa eine Keramik, die nahezu in Zylinderform mit einer vorgegebenen Dicke ausgeformt ist und mit einem Trägerfixierungsring 172 fixiert ist, der an der oberen Fläche der Membran 165 vorgesehen ist. Eine ringförmige Stufe 172a ist am oberen Teil des Trägerfixierungsrings 172 ausgebildet und steht in Wirkverbindung mit einer Stufe 178a, die am unteren Ende der Stopperbolzen 178 mit Muttern 179 fixiert sind, welche durch die obere Platte 163 entlang der vertikalen Richtung durchtreten, sowie mit einem Distanzstück 179a. Infolgedessen leidet die Membran 165 nicht unter einer exzessiven Kraft dadurch, dass der Stufe 172a ermöglicht wird, in Eingriff mit der Stufe 178a auch dann zu treten, wenn die Membran 165 durch das Gewicht des Trägers 166 nach unten gebogen wird, dadurch, dass es dem Halbleiterscheiben-Haltekopf beispielsweise ermöglicht wird, mit dem Anstiegs-Absenk-Mechanismus (nicht gezeigt) anzusteigen.
  • Der Rückhaltering 167 ist in einer Ringform zwischen der Innenwand der Umfangswand 164 und der äußeren Umfangsfläche des Trägers 166 ausgebildet und ist in einer konzentrischen Beziehung zur Innenwand der Umfangswand 164 sowie der äußeren Umfangsfläche des Trägers 166 mit einem kleinen Spalt von der Umfangswand 164 und der äußeren Umfangsfläche des Trägers 166 angeordnet. Der Rückhaltering 167 weist horizontale obere und untere Endflächen auf und ist mit einem Rückhalter-Fixierungsring 173 fixiert, der an der oberen Fläche der Membran 165 vorgesehen ist. Die Stufe 167a ist an der äußeren Umfangsfläche des Rückhalterings 167 ausgebildet. Die Membran 167 wird davon abgehalten, einer lokalen Kraft ausgesetzt zu sein, durch Unterdrücken einer zu starken Bewegung des Rückhalterings 167 nach unten dadurch, dass die Stufe 167a in Eingriff mit dem Verriegelungselement 170 gelangen kann, wenn der Halbleiterscheiben-Haltekopf mit dem Anstiegs-Absenk-Mechanismus ansteigt.
  • Die Spindel 131 sowie der Halbleiterscheiben-Haltekopf 160 weisen den wie oben beschriebenen Aufbau auf und sind miteinander durch Verschrauben des inneren Kopfanbringungsgewindes 149 mit dem äußeren Kopfanbringungsgewinde 168, die an den jeweiligen Elementen ausgebildet sind, verkuppelt.
  • Der Halbleiterscheiben-Haltekopf 160 ist an dem unteren Teil des spindelseitigen Kupplungselements 134 der Spindel 131 angeordnet, gefolgt davon, dass die Welle 169 als Kopfkopplungselement in engen Kontakt mit dem spindelseitigen Kupplungselement 134 dadurch gelangen kann, dass der Vorsprung 148a und der Strömungsweg 175 so positioniert sind, dass sie miteinander eingepasst sind. Die Positionierung der Zentren der Spindel 131 und des Halbleiterscheiben-Haltekopfs 160 wird dadurch erleichtert, dass das Positionierungselement 148 zum Zentrieren des spindelseitiges Kupplungselements 134 wie oben beschrieben zur Verfügung gestellt wird.
  • Das innere Kopfanbringungsgewinde 149 ist mit dem äußeren Kopfanbringungsgewinde 168 während der Positionierung verschraubt. Die Verkupplung zwischen dem Halbleiterscheiben-Haltekopf 160 und der Spindel 131 wird dann abgeschlossen, wenn beide Gewinde miteinander verschraubt sind, bis die obere Endfläche der Welle 169 des Halbleiterscheiben-Haltekopfs 160 in Kontakt mit dem Rand 148b des Positionierungselements 148 gelangt, das in dem spindelseitiges Kupplungselement 134 vorgesehen ist. Das auf die Spindel 131 einwirkende Drehmoment wird mit einem Stift 180, der im Eingriff mit der Innenseite des spindelseitiges Kupplungselements 134 steht, transferiert.
  • Wenn die Halbleiterscheibe W unter Verwendung des mit der Spindel 131 verkoppelten Halbleiterscheiben-Haltekopfs 160 poliert wird, wird die Halbleiterscheibe W zuerst an dem Halbleiterscheiben-Fixierungsbogen 166a (ein Einsatz), der an der unteren Fläche des Trägers 166 vorgesehen ist, fixiert. Dann wird es der Halbleiterscheibe W ermöglicht, in Kontakt mit dem Polierkissen 402 zu gelangen, dessen Oberfläche an der oberen Fläche der Platte 403 fixiert ist, während der Umfang der Halbleiterscheibe W mit dem Rückhaltering 167 verriegelt wird. Sämtliche Materialien, die bisher in konventioneller Weise zum Polieren der Halbleiterscheibe verwendet wurden, können auch zur Polierung des Kissens Su verwendet werden, wobei Beispiele dieser ein velourartiges Kissen, das durch Imprägnieren eines Polyester mit einem weichen Harz wie etwa Polyurethan umfassenden nicht gewebten Gewebes vorbereitet wurden, ein velourlederartiges Kissen, das durch Ausbilden einer Kunststoffschaumschicht, die Polyurethanschaum auf einem Substrat wie etwa nicht gewebtem Polyestergewebe umfasst, vorbereitet wurde, oder einem Kunststoffschaumbogen, der unabhängig geschäumtes Polyurethan umfasst, beinhaltet.
  • Dann wird ein Fluid wie etwa Luft zu einem Fluid-Zufuhranschluss 140 von einem (nicht gezeigten) Fluid-Zuführmechanismus zugeführt. Das zugeführte Fluid strömt in die Fluidkammer 124 von dem Strömungsweg 125 hinein, nachdem es durch das Rohr 131b hindurchgetreten ist. Das eingeströmte Fluid stellt den Druck in der Fluidkammer 174 ein, um den Pressdruck des Trägers 166 und des Rückhalterings 167 auf das Polierkissen 402 einzustellen. Der Träger 166 und der Rückhaltering 167 werden mit der Membran 165 abgestützt und weisen eine schwebende Struktur auf, durch die jedes Element in der Lage ist, sich unabhängig entlang der aufsteigenden und absinkenden Richtungen zu verschieben. Die Druckkraft auf das Polierkissen 402 ist durch den Druck in der Flüssigkeitskomponente 174 einstellbar.
  • Der Platte wird ermöglicht, sich zu drehen, und dem Halbleiterscheiben-Haltekopf 160 wird ermöglicht, eine Planeten-Bewegung auszuführen, während der Pressdruck des Trägers 166 und des Rückhalterings 167 auf das Polierkissen 402 eingestellt wird. Die Halbleiterscheibe W wird durch Zufuhr von Schlamm aus einer Schlammzufuhrvorrichtung auf die Oberfläche des Polierkissens 402 und auf die Polierfläche der Halbleiterscheibe W poliert.
  • Danach werden die Positionen der Halbleiterscheibe W und des Polierkissens 402 durch Drehen der jeweiligen Positionierungsgriffe eingestellt, während bestätigt wird, dass die Halbleiterscheibe W unter den besten Bedingungen poliert wird. Die Polierbedingungen der Halbleiterscheibe W können unter Verwendung eines Polierwiderstandssensors oder mittels visueller Überwachung bestätigt werden. Da der Halbleiterscheiben-Haltekopf 160 entlang der Richtung der Höhe durch Schrauben des äußeren Positionierungsgewindes 136 in das innere Positionierungsgewinde 143 positioniert wird, wird ein Feintuning im Mikrometer-Bereich leicht.
  • Während der Positionierungsgriff 138 manuell betrieben wird, ist ebenso eine automatische Positionierung unter Verwendung einer Vielzahl von Betätigern wie etwa einem Servomotor oder einem Stufenmotor ebenso möglich.
  • Das äußere Positionierungsgewinde 136 außen an dem Lagerstütztelement 135, das innere Positionierungsgewinde 143, das mit dem äußeren Positionierungsgewinde 136 zusammengeschraubt wird und im Spindelgehäuse 146 ausgebildet ist, sowie das Griffstütztelement 139, das am Lagerstütztelement 135 zur Drehung des Lagerstütztelements 135 fixiert ist und den Positionierungsgriff 138 aufweist, sind in den jeweiligen Spindeln 131 vorgesehen, die eine Vielzahl von Halbleiterscheiben-Halteköpfen 160 stützen, als Positionierungsmechanismen entlang der Richtung der Höhe der Halbleiterscheiben-Halteköpfe 160. Infolgedessen kann die Hauptwelle 131a entlang der Axiallinie durch Drehung des Lagerstütztelements 135 zusammen mit dem Griffstütztelement 139 verschoben werden.
  • Daher wird ein Feintuning der Halbleiterscheiben-Halteköpfe 160 erleichtert, während ein Feintuning der Positionen der Halbleiterscheibe W und des Polierkissens 402 erfolgt. Zusätzlich werden sämtliche Halbleiterscheiben W sicher durch eine unabhängige Positionierung der jeweiligen Halbleiterscheiben-Halteköpfe 160 auch dann poliert, wenn eine Vielzahl von Halbleiterscheiben-Halteköpfen 160 vorgesehen ist.
  • Die Polierarbeit kann sicher auf Veränderungen der Prozessbedingungen während der Polierung dadurch erfolgen, dass ein Feintuning der Position entlang der Axialrichtung während der Politur der Halbleiterscheibe W möglich ist. Die Veränderung der Prozessbedingungen, wie sie hierin beschrieben wurden, bezieht sich auf Fälle, in denen beispielsweise die Presskraft auf jede Halbleiterscheibe W sich aufgrund einer leichten Veränderung des Drucks in der Fluidkammer 174 für jeden Halbleiterscheiben-Haltekopf 160 verändert, wobei die untere Fläche des Rückhalterings 167 auf jedem Halbleiterscheiben-Haltekopf 160 unterschiedlich gestört wird oder die Dicke des Polierkissens 402 schrittweise reduziert wird.
  • Die in 19 gezeigte Halbleiterscheiben-Poliervorrichtung ist mit drei drehbaren Platten 309, Polierkissen 302a und 302b zum primären Polieren und einem Polierkissen 302 für ein sekundäres Polieren, zwei verzweigten Armen 303, die mit einem Schwenklager 303 so abgestützt sind, dass sie in der Lage sind, frei zu verschwenken, einem Halbleiterscheiben-Haltekopf 304, der an jeder Spitze des Arms 303 vorgesehen sind, sowie einem Dresser 306 versehen, der linear entlang einer Führung 304 verfahren kann, die entlang der radialen Richtung jedes Polierkissens 302 vorgesehen ist. Obwohl die durch den Halbleiterscheiben-Haltekopf 304 abgestützte Halbleiterscheibe mit jedem Polierkissen 302 poliert wird, ist ein Feintuning des Halbleiterscheiben-Haltekopfs 304 entlang der axialen Richtung schwierig.
  • Während dem mit dem Arm 303 abgestützten Halbleiterscheiben-Haltekopf 304 ermöglicht wird, über die Polierkissen 302a bis 302c zu verschwenken, ist es schwierig, eine optimale Polierbedingung für jedes Polierkissen zu erzielen, da jedes Polierkissen aus einem unterschiedlichen Material gefertigt ist und eine unterschiedliche Dicke aufweist. Obwohl es möglich ist, eine untere Grenzposition des Arms 303 für jedes Polierkissen vorab einzustellen, beinhaltet das Verfahren ein Problem, dass die Dicke jedes Polierkissens sich durch die Politur und die Zurichtung verändert oder dass die Gesamtkonstruktion der Vorrichtung kompliziert wird.
  • Die optimale Höhe jedes Halbleiterscheiben-Haltekopfs 160 kann jedoch individuell leicht und billig unter Verwendung von beispielsweise einem Stufenmotor eingestellt werden.
  • Es ist schwierig, die optimale Erhöhung des Halbleiterscheiben-Haltekopfs 184 gegen jeden Polierkopf in der Vorrichtung, in der die Position der unteren Grenze des Arms 183 einstellbar ist, zu positionieren, wobei eine Vielzahl von Halbleiterscheiben-Halteköpfen 184 an beiden Enden des linearen Arms 183 angebracht ist und die an jedem Halbleiterscheiben-Haltekopf 184 gehaltene Halbleiterscheibe mit einem unterschiedlichen Polierkissen poliert wird, wie dies in 12 gezeigt ist. Die in 12 gezeigte Vorrichtung ist mit Armen 183 versehen, die in der Lage sind, um ein Schwenklager 183 herum zu verschwenken, zwei Halbleiterscheiben-Halteköpfen 184, die an der Spitze des jeweiligen Arms 183 vorgesehen sind, Polierkissen 182a, 182b und 182c, die unter einem Winkel von 90 Grad zueinander entlang der horizontalen Richtung angeordnet sind, sowie einer Lade-Entlade-Station 185 gegenüber dem Polierkissen 182b. Wenn zwei Halbleiterscheiben-Halteköpfe 184 an einem Ende des Arms 183 unter Verwendung des Polierkissens 182 polieren, nehmen die zwei Halbleiterscheiben-Halteköpfe 184 am anderen Ende eine Roboter 185b und einen Schieber 185c an der Lade-Entlade-Station 185 auf und liefern diesen zu. Wenn der Arm 183 unter einem Winkel von 90 Grad sich andererseits dreht, polieren der Halbleiterscheiben-Haltekopf 184 am anderen Ende die Halbleiterscheibe mit dem Polierkissen 182a und der Halbleiterscheiben-Haltekopf 184 am anderen Ende die Halbleiterscheibe mit dem Polierkissen 182c.
  • Eine Vielzahl von Halbleiterscheiben-Halteköpfen 184 kann ebenso bei einer optimalen Höhe durch Bereitstellen eines Höhenpositionierungsmechanismus auch dann positioniert werden, wenn die Halbleiterscheiben-Poliervorrichtung wie oben beschrieben konstruiert wurde.
  • [Sechste Ausführungsform]
  • Die Halbleiterscheiben-Poliervorrichtung und ein Verfahren zum Herstellen der Halbleiterscheibe in der sechsten Ausführungsform, die in Übereinstimmung mit der vorliegenden Erfindung ist, werden im Anschluss unter Bezugnahme auf die Zeichnungen beschrieben. 13 zeigt eine Draufsicht gesehen von oberhalb der Halbleiterscheiben-Poliervorrichtung gemäß der sechsten Ausführungsform und 14 zeigt eine Seitenansicht der Vorrichtung aus 13. Die 15 und 16 zeigen vergrößerte Zeichnungen der in den 13 bzw. 14 gezeigten Vorrichtung.
  • In diesen Zeichnungen ist die Gesamtvorrichtung mit einer Ablage 102 versehen, die in der Lage ist, eine Vielzahl von Halbleiterscheiben W zu befestigen, einem Ablage-Verfahrmechanismus zum Abstützen der Ablage 202 so, dass sie in der Lage ist zu verfahren, sowie einem Halbleiterscheiben-Anbringe-Loslöse-Mechanismus 204, der unter dem Ablage-Verfahrmechanismus 203 vorgesehen ist. Die Ablage 202, die in der Draufsicht in rechteckiger Form ausgebildet ist, ist mit zwei Löchern 202a mit in etwa dem gleichen Durchmesser wie die Halbleiterscheibe W vorgesehen. Ein Eingriffselement 205, das in ein ringförmiges Zahnrad ausgebildet ist, ist an jedem Loch 202a vorgesehen und die Halbleiterscheibe W wird mit der Ablage 202 zum Befestigen von deren Umfang auf dem Eingriffselement 205 abgestützt.
  • Der Ablage-Verfahrmechanismus 203 ist mit einer Führungsschiene 206 zum Abstützen der Ablage 202 so vorgesehen, dass sie frei entlang der horizontalen Richtung verfahren kann, um einem Antriebsmechanismus 207, so dass die Ablage 202 entlang der Führungsschiene 206 verfahren kann. ein linearer Buchsenhalter 208, der an der Führungsschiene 206 angesetzt ist, ist an beiden Seiten der Ablage 202 angekoppelt, welcher entlang der Längsrichtung der Führungsschiene 206 dadurch verfahren kann, dass die lineare Buchsenhalterung 208 entlang der Führungsschiene 206 gleiten kann.
  • Antriebsmechanismus 207, der mit einer Antriebsschiene 207a, welche parallel zur Führungsschiene 206 platziert ist, verkoppelt ist, ist an einem Ende der Ablage 202 vorgesehen. Beispielsweise wird ein Linearmotor als Antriebsmechanismus 207 verwendet. Die Ablage 202 verfährt entlang der horizontalen Richtung auf die Längsrichtungen der Führungsschiene 206 und die Antriebsschiene 207a. Eine Ablage 202, die entlang der rechten und linken Richtungen verfährt, ist vorgesehen, wie dies in 13 gezeigt ist.
  • Ein stromaufwärtsseitiger Roboterarm 210a und ein stromabwärtsseitiger Roboterarm 210b sind an der stromaufwärtigen Seite bzw. der stromabwärtigen Seite der Verfahrrichtungen der Ablage 202 vorgesehen. Der stromaufwärtsseitige Roboterarm 210a nimmt die Halbleiterscheibe W von dem Halbleiterscheiben-Aufnahmeelement, welches die zu polierende Halbleiterscheibe W aufnimmt, auf, hält eine Fläche der Halbleiterscheibe W mittels eines Halbleiterscheiben-Adsorptionsmechanismus, der an dessen Spitze vorgesehen ist, und befestigt die Halbleiterscheibe W am Eingriffselement 205, das im Loch 202a auf der Ablage 202 vorgesehen ist. Der stromaufwärtsseitige Roboterarm 210a, der so vorgesehen ist, dass er in der Lage ist, zwischen dem Halbleiterscheiben-Aufnahmeelement und der Ablage 202 zu verschwenkten, verschwenkt oberhalb des engeren Lochs 202a zwischen dem Halbleiterscheiben-Aufnahmeelement und der Ablage 202, während er die zu polierende Halbleiterscheibe W an deren Spitze adsorbiert und die Halbleiterscheibe W durch Desorbierung befestigt.
  • In ähnlicher Weise ist der stromabwärtsseitige Roboterarm 210b ebenso so vorgesehen, dass er in der Lage ist, zwischen der Ablage 202, der ermöglicht wurde, zur stromabwärtigen Seite zu verfahren, vorgesehen und beispielsweise dem Aufnahmeelement der polierten Halbleiterscheibe, und nimmt die polierte Halbleiterscheibe auf, hält diese durch den Halbleiterscheiben-Adsorptionsmechanismus an der Spitze des Arms in dem Aufnahmeelement für die polierte Halbleiterscheibe.
  • Die Ablage 202 ist so vorgesehen, dass sie frei drehbar entlang der horizontalen Richtung ist und dreht sich so, dass ermöglicht wird, dass eine Vielzahl von Löchern 202a sich den jeweiligen Roboterarm 210 und 210b dann annähert, wenn die Ablage zu den jeweiligen Roboterarmen 210a und 210b verfährt, um die Halbleiterscheibe W aufzunehmen und zuzuführen.
  • Die auf der Oberfläche der Platte P so fixierten Polierkissen S, dass sie parallel zur Verfahrrichtung der Ablage 202 stehen, sind an zwei von der Führungsschiene 206 separaten Positionen vorgesehen. Das stromaufwärtsseitige (linke Seite in 13) Polierkissen S der zwei Kissen wird für eine Primärpolierung verwendet, während das stromabwärtsseitige (rechte Seite in 13) Polierkissen S für eine Sekundärpolitur verwendet werden, wobei jedes Polierkissen ein unterschiedliches Material aufweist. Die jeweiligen Platten P werden frei drehbar abgestützt und das Polierkissen S kann sich durch die Drehung der Platte P drehen.
  • Alle Materialien, die konventioneller Weise für das Polieren der Halbleiterscheibe W verwendet worden sind, können für das Polierkissen S verwendet werden, wobei Beispiele der Materialien ein velourartiges Kissen, das durch Imprägnieren eines Polyester mit einem weichen Kunststoff wie etwa Polyurethan umfassenden nicht gewebten Gewebe vorbereitet wurde, ein velourlederartiges Kissen, das durch Ausbilden einer Kunststoffschaumschicht, umfassend Polyurethanschaum auf einem Substrat wie etwa nicht gewebtes Polyestergewebe ausgebildet wurde, oder einem Kunststoffschaumbogen, der unabhängig geschäumtes Polyurethan umfasst, beinhaltet. Das Material jedes Polierkissens kann abhängig vom Zweck des Polierens der Halbleiterscheibe W ersetzt werden.
  • Zwei Halbleiterscheiben-Halteköpfe 230 sind oberhalb der stromaufwärtsseitigen und stromabwärtsseitigen Polierkissen S angeordnet. Die Halbleiterscheiben-Halteköpfe 230 werden so abgestützt, dass sie an den Spitzen der Kopf-Antriebsmechanismen 231, die so ausgebildet sind, dass sie in der Draufsicht rechteckig sind, frei drehbar sind, und die Ablagen sind mit der gleichen Distanz wie die Distanz zwischen den Löchern 202a der Ablage 202 angeordnet. Die zwei Kopf-Antriebsmechanismen 231 werden mit einer Welle 231a abgestützt, die eine Drehenergiequelle so zur Verfügung stellen, dass sie in der Lage sind, frei zu verschwenken. Die Halbleiterscheiben-Halteköpfe 230 verfahren zwischen dem oberen Teil des Polierkissens S und dem oberen Teil des Verfahrwegs der Ablage 202 dadurch, dass die Kopf-Antriebsmechanismen 321 schwenken können.
  • Eine Vielzahl von Halbleiterscheiben-Anbringungs-Loslösemechanismen 204 ist entlang der Verfahrrichtung 202 unterhalb der Führungsschiene 206 des Ablage- Verfahrmechanismus 203 vorgesehen. Zwei Halbleiterscheiben-Anbringungs-Lösemechanismen 204 sind so vorgesehen, dass sie die gleiche Distanz wie die Distanz der zwei Halbleiterscheiben-Halteköpfe 230 aufweisen, die am Kopf-Antriebsmechanismus 231 vorgesehen sind. Insgesamt vier Halbleiterscheiben-Anbringungs-Loslösemechanismen sind so vorgesehen, dass sie mit den jeweiligen zwei Kopf-Antriebsmechanismen 231 korrespondieren.
  • Die Ablage 202 ist so vorgesehen, dass sie oberhalb der Halbleiterscheiben-Anbringungs-Loslösemechanismen 204 verfährt. Die Halbleiterscheiben-Anbringungs-Lösemechanismen 204 sind mit einem Arm 204a zum Abstützen der unteren Fläche der Halbleiterscheibe W und einem Anstiegs-Abstiegs-Mechanismus 204b zum Ansteigen und Absteigen des Arms 204a, so dass er in das Loch 202a eintreten kann, vorgesehen. Ein Luftzylinder wird beispielsweise für den Anstiegs-Absenkmechanismus 204b verwendet. Die untere Fläche der oberhalb der Halbleiterscheiben-Anbringungs-Lösemechanismen 204 transferierten Halbleiterscheibe W wird mit dem Arm 204a abgestützt und es wird ihr ermöglicht, zwischen der Ablage 202 und der unteren Fläche des Halbleiterscheiben-Haltekopfs 230 anzusteigen und abzusinken.
  • Der Halbleiterscheiben-Haltekopf 230 ist mit einem Kopfkörper 212 versehen, der eine obere Platte 213 sowie eine zylindrische Umfangswand 214, eine Membran 215, die im Kopfkörper 212 verbreitet ist, einem scheibenförmigen Träger 216, der an der unteren Fläche der Membran 215 fixiert ist, einem ringförmigen Rückhaltering 217, der in konzentrischer Beziehung der Innenwand einer Umfangswand 214 und der Außenumfangsfläche des Trägers 216 vorgesehen ist, wie dies in 17 gezeigt ist, umfasst.
  • Der Kopfkörper 212 ist aus der scheibenförmigen oberen Platte 213 und der zylindrischen Umfangswand 214, die an den unteren Teil des äußeren Umfangs der oberen Platte 213 fixiert ist, zusammengesetzt, und der Kopfkörper 212 weist ein offenes hohles unteres Ende auf. Die obere Platte 213 ist in koaxialer Beziehung zu einer Welle 219 fixiert und ein Strömungsweg 225, der mit dem (nicht gezeigten) Druckeinstellmechanismus in Wirkverbindung steht, ist in der Welle 219 entlang der vertikalen Richtung ausgebildet. Eine Stufe 214a und ein ringförmiges Verriegelungselement 220, das entlang der radialen Richtung nach innen hervorsteht, sind über den gesamten Umfang am unteren Ende der Umfangswand 214 ausgebildet.
  • Die Membran 215 umfasst ein elastisches Material wie etwa ein faserverstärktes Gummi, welches in Ringform oder Scheibenform ausgebildet ist, und ist an der Stufe 214a mit einem Membrann-Fixierungsring 221 fixiert, der an der Innenwand der Umfangswand 214 ausgebildet ist.
  • Eine Fluidkammer 224 ist oberhalb der Membran 215 ausgebildet und steht in Wirkverbindung mit einem Strömungsweg 225, der in der Welle 219 ausgebildet ist. Der Druck in einer Fluidkammer 224 wird durch Zuführen eines Fluids wie etwa Luft in die Fluidkammer 224 durch den Strömungsweg 225 von einem (nicht gezeigten) Druckeinstellmechanismus gesteuert.
  • Der Träger 216, der ein hochgradig starres Material wie etwa eine Keramik umfasst, ist nahezu in Zylinderform mit einer vorgegebenen Dicke ausgebildet und mit einem Trägerfixierungsring 222 fixiert, der an der oberen Fläche der Membran 215 vorgesehen ist. Eine ringförmige Stufe 222a ist an dem oberen Teil des Trägerfixierungsrings 222 ausgebildet und steht im Eingriff mit einer Stufe 228a, die am unteren Ende von Stopperbolzen 228 ausgebildet ist, die mit Muttern 229 fixiert sind und durch die obere Platte 213 entlang der vertikalen Richtung hindurchtreten, sowie mit einem Abstandsstück 299a. Infolgedessen unterliegt die Membran 215 keiner exzessiven Kraft dadurch, dass ermöglicht wird, dass die Stufe 222a im Eingriff mit der Stufe 228a auch dann steht, wenn das Diaphragma 215 aufgrund des Gewichts des Trägers 216 dadurch gebogen wird, dass beispielsweise dem Halbleiterscheiben-Haltekopf ermöglicht wird, mit einem Anstiegs-Abstiegs-Mechanismus anzusteigen.
  • Der Rückhaltering 217 ist in einer Ringform zwischen der Innenwand der Umfangswand 214 und der äußeren Umfangsfläche des Trägers 216 ausgebildet und ist in konzentrischer Beziehung zur Innenwand der Umfangswand 214 und der äußeren Umfangsfläche des Trägers 216 mit einem kleinen Spalt von der Umfangswand 214 und der äußeren Umfangsfläche des Trägers 216 angeordnet. Der Rückhaltering 217 weist horizontale obere und untere Endflächen auf und ist mit einem Rückhalte-Fixierungsring 223 fixiert, der an der oberen Fläche der Membran 215 vorgesehen ist. Die Stufe 217a ist an der äußeren Umfangsfläche des Rückhalterings 217 ausgebildet. Die Membran 215 wird davon abgehalten, einer lokalen Kraft durch Unterdrückung einer exzessiven Bewegung nach unten des Rückhalterings 217 zu unterliegen, durch Ermöglichen, dass die Stufe 217a in Eingriff mit dem Verriegelungselement 220 gelangt, wenn der Halbleiterscheiben-Haltekopf mit dem Anstiegs-Abstiegs-Mechanismus ansteigt.
  • Verschiedene Arten von Halbleiterscheiben-Halteköpfen 230, beispielsweise eine Vorrichtung, in der die Kopfpoliermechanismus 231 und der Halbleiterscheiben-Haltekopf 230 mit einem Kugellager so abgestützt werden, dass sie frei geneigt sind, können verwendet werden.
  • Der Betrieb der Halbleiterscheiben-Transfervorrichtung und der Halbleiterscheiben-Poliervorrichtung, die wie oben beschrieben aufgebaut sind, wird im Anschluss beschrieben werden.
  • Die zu polierende Halbleiterscheibe W, die in dem Halbleiterscheiben-Aufnahmeelement aufgenommen wurde, wird mit dem stromaufwärtsseitigen Roboterarm 210a zum Befestigen der zu polierenden Halbleiterscheibe W auf der Ablage 202 entnommen. Die obere Fläche der zu polierenden Halbleiterscheibe W wird mit einem Halbleiterscheiben-Adsorptionsmechanismus gehalten, der an der Spitze des stromaufwärtsseitigen Roboterarms 210a vorgesehen ist.
  • Dem die Halbleiterscheibe W haltenden stromaufwärtsseitigen Roboterarm 210a wird ermöglicht, oberhalb des Verfahrwegs der Ablage 202 zu schwenken. Die Ablage verfährt an dem stromaufwärtsseitigen Roboterarm 210a. Dann wird die von dem stromaufwärtsseitigen Roboterarm 210a gehaltene Halbleiterscheibe W oberhalb des engeren Lochs 202a der zwei Löcher 202a, die an der Ablage 202 ausgebildet sind, angeordnet. Die Halbleiterscheibe W wird auf dem Eingriffselement 205 befestigt, das in dem Loch 202a vorgesehen ist, durch Lösen der Halbleiterscheibe W von dem Halbleiterscheiben-Adsorptionsmechanismus.
  • Nach dem Abstützen eines Lochs 202a der in der Ablage 202 ausgebildeten zwei Löcher 202a wird der Ablage 202 ermöglicht, sich zu drehen. Das andere Loch 202a ist so angeordnet, dass es dadurch dem stromaufwärtsseitigen Roboterarm 210a nahe kommt, dass der Ablage 202 ermöglicht wird sich zu drehen. Danach wird die zu polierende Halbleiterscheibe W wie oben beschrieben mit dem stromaufwärtsseitigen Roboterarm 210a aus dem Halbleiterscheiben-Aufnahmeelement entnommen und die Halbleiterscheibe W wird auf dem anderen Loch 202a befestigt, wodurch die zu polierenden zwei Halbleiterscheiben W auf der Ablage 202 befestigt werden.
  • Die Ablage 202, auf der zu polierenden Halbleiterscheiben W befestigt sind, können horizontal auch die stromabwärtige Seite entlang der Führungsschiene 206 dadurch verfahren, dass dem Antriebmechanismus 207 ermöglicht wird, diese zu betätigen, während die zwei Halbleiterscheiben-Haltegriffe 230 an der Seite der Führungsschiene 206 angeordnet sind, die auf dem Verfahrweg der Ablage 202 liegen, wobei der Kopf-Antriebsmechanismus 231 schwenken kann. Der auf dem Verfahrweg der Ablage 202 bewegte Halbleiterscheiben-Haltekopf 230 wird gegenüber dem Halbleiterscheiben-Anbringungs-Lösemechanismus 204 positioniert.
  • Die die zu polierenden Halbleiterscheiben W befestigende Ablage 202 ermöglicht es der Halbleiterscheibe W, so zu verfahren, dass sie zwischen den Halbleiterscheiben-Halteköpfen 230 und dem Halbleiterscheiben-Anbringungs-Lösemechanismus 204 angeordnet ist und dort stoppt.
  • Die jeweiligen Arme 204a des Halbleiterscheiben-Anbringungs-Loslösemechanismus 204 steigen nach dem oben beschriebenen Betrieb an und die jeweiligen an dem Verriegelungselement 205 des Lochs 202a befestigten Halbleiterscheiben W werden von unten mit dem Arm 204a abgestützt. Die Halbleiterscheibe W kommt dem Halbleiterscheiben-Haltekopf 230 durch weiteres Ansteigen des Arms 204a näher, um die Halbleiterscheibe an der unteren Fläche des Halbleiterscheiben-Haltekopfs zu halten. Somit wird die Halbleiterscheibe W an dem Halbleiterscheiben-Fixierungsbogen 216a (ein Einsatz) fixiert, der an der unteren Fläche des Trägers 216 vorgesehen ist, und der Umfang der Halbleiterscheibe W wird mit dem Rückhaltering 217 verriegelt.
  • Der Kopf-Antriebsmechanismus 238 verschwenkt zum Polieren der am Halbleiterscheiben-Haltekopf 230 angebracht Halbleiterscheibe W, der die zu polierende Halbleiterscheibe W haltende Halbleiterscheiben-Haltekopf 230 ist oberhalb des Polierkissens S angeordnet, um der Oberfläche der Halbleiterscheibe W zu ermöglichen, das auf der Oberfläche der Platte P Fixierkissen S zu berühren.
  • Der Druck in der Fluidkammer 224 wird dadurch eingestellt, dass der Flüssigkeit wie etwa Luft ermöglicht wird, von dem Strömungsweg 225 in die Fluidkammer 224 einzuströmen, um den Pressdruck des Trägers 216 und des Rückhalterings 217 auf das Polierkissen S einzustellen. Der Träger 216 und der Rückhaltering 217 weisen ebenen Strukturen auf, die mit der Membran 215 abgestützt werden, wodurch der Träger 216 und der Rückhaltering 217 unabhängig voneinander in der Lage sind, entlang der Anstiegs- und Absenkrichtungen sich zu verschieben. der Pressdruck auf das Polierkissen S ist durch den Druck in der Fluidkammer 224 einstellbar.
  • Das primäre Polieren der Halbleiterscheibe W wird dadurch ausgeführt, dass die auf dem Halbleiterscheiben-Haltekopf 230 gehaltene Halbleiterscheibe W auf dem Polierkissen S sich drehen kann.
  • Wenn das primäre Polieren der Halbleiterscheibe W abgeschlossen wurde, kann der Kopf-Antriebsmechanismus 231 wiederum verschwenken, wodurch die Ablage 202, die sich oberhalb des Halbleiterscheiben-Anbringungs-Loslösemechanismus 204 bewegt hat, der Halbleiterscheibe W gegenüberstehen kann. Der Arm 204a des Halbleiterscheiben-Anbringungs-Loslösemechanismus 204 steigt an, während die Ablage 202 durch das Loch 202a von unten hindurchtritt. Die untere Fläche der Halbleiterscheibe W wird mit dem Arm 204a abgestützt und die Halbleiterscheibe W wird vom Halbleiterscheiben-Haltekopf 230 freigegeben, um sie auf dem Arm 204a zu befestigen. Nach der Primärpolierung wird die Halbleiterscheibe W auf der Ablage 202 durch Absenkung des Arms 204a, der die Halbleiterscheibe W abstützt, abgeladen.
  • Nach dem Abschluss der Primärpolierung wird die Halbleiterscheibe W an dem stromabwärtsseitigen Halbleiterscheiben-Haltekopf 230 für die Sekundärpolierung angebracht. Die die Halbleiterscheibe W befestigende Ablage 202 verfährt stromabwärts und ist oberhalb des stromabwärtsseitigen Halbleiterscheiben-Anbringungs- und Löse-Mechanismus 204 angeordnet. Dann kann, wie dies in der Primärpolierung erfolgt, der Kopf-Antriebsmechanismus 231 an der stromabwärtigen Seite so verschwenken, dass er den stromabwärtsseitigen Halbleiterscheiben-Anbringungs-Lösemechanismus 204 oberhalb der Ablage 202 anordnet. Nach dem Abschluss der Primärpolierung wird die Halbleiterscheibe W an dem Halbleiterscheiben-Haltekopf 230 für eine Sekundärpolierung angebracht. Die Halbleiterscheibe wird dadurch poliert, dass der Halbleiterscheiben-Haltekopf 230 auf der oberen Fläche des Sekundärpolierkissens S durch Verschwenken des Kopf-Antriebsmechanismus 231 vorliegt.
  • Es ist möglich, die zu polierende Halbleiterscheibe W, die in dem Halbleiterscheiben-Aufnahmeelement aufgenommen wurde, unter Verwendung des stromaufwärtsseitigen Roboterarms 210a auf dem Weg der Sekundärpolierung der Halbleiterscheibe W dadurch zuzuführen, dass die Ablage 202 auf die stromaufwärtige Seite hin bewegt werden kann. Die zu polierende Halbleiterscheibe W wird mit dem Halbleiterscheiben-Haltekopf 230 gehalten, nachdem sie für die Primärpolierung der Halbleiterscheibe auf die stromabwärtige Seite hin verfahren ist. In anderen Worten werden die Primärpolierung und die Sekundärpolierung unabhängig voneinander gleichzeitig durch Bereitstellung einer Zeitverzögerung zwischen der Primärpolierung und der Sekundärpolierung ausgeführt.
  • Nach dem Abschluss der Sekundärpolierung wird die Halbleiterscheibe W auf der Ablage 202 mit dem stromabwärtsseitigen Halbleiterscheiben-Anbringungs-Loslösungsmechanismus wie bei der Primärpolierung befestigt. Die Ablage 202 wurde nach der Zufuhr der Halbleiterscheibe zum Halbleiterscheiben-Haltekopf 230 für die Primärpolierung zur stromabwärtigen Seite verfahren. Die die Halbleiterscheibe W nach dem Abschluss der Sekundärpolierung befestigende Ablage 202 wird zum stromabwärtsseitigen Roboterarm 210b mit dem Antriebmechanismus 207 überführt. Eine Fläche der Halbleiterscheibe W wird mit dem Halbleiterscheiben-Adsorptionsmechanismus des stromabwärtsseitigen Roboterarms 210b gehalten und die in dem Aufnahmeelement für polierte Halbleiterscheiben aufgenommene Halbleiterscheibe kann durch ein Verschwenken des Roboterarms 210b aufgenommen werden.
  • Nach der Zufuhr der polierten Halbleiterscheibe W zum stromabwärtsseitigen Roboterarm 210b verfährt die Ablage 202 wieder auf die stromaufwärtige Seite hin, um die Halbleiterscheibe W nach der Primärpolierung aufzunehmen und diese zum Sekundärpolierungsschritt zu transferieren. Dementsprechend ist die Ablage 202 so aufgebaut, dass sie zum Aufnehmen der Halbleiterscheibe W von den stromaufwärtsseitigen und stromabwärtsseitigen Roboterarmen 210a und 210b in der Lage ist, und diese zu den Roboterarmen wieder abzugeben, und zu den primären und sekundären Halbleiterscheiben-Halteköpfen 230.
  • Die Ablage 202 transferiert die Halbleiterscheibe W horizontal. Die Halbleiterscheibe W wird an dem Halbleiterscheiben-Haltekopf 230 dadurch angebracht und von diesem wieder gelöst, dass der Ablage 202 ermöglicht wird, unterhalb des Halbleiterscheiben-Haltekopfs 230 unter Verwendung des dort vorgesehenen Halbleiterscheiben-Anbringungs-Lösemechanismus 204 zu verfahren. Infolgedessen wird der individuelle Mechanismus simpel und für einen Hochgeschwindigkeitsbetrieb kompatibel, wobei gleichzeitig die Zuverlässigkeit der Vorrichtung verbessert wird, um die Instandhaltung zu erleichtern.
  • Bei dem Aufbau, bei dem der Transfermechanismus und der Anbringungs-Lösemechanismus voneinander getrennt sind, kann die Ablage 202 schnell und genau ein horizontales lineares Verfahren und Stoppen am Zielort durchführen, während der Halbleiterscheiben-Anbringungs-Lösemechanismus die Halbleiterscheibe W schnell und genau an dem Halbleiterscheiben-Haltekopf 230 anbringen und wieder von diesem lösen kann. In anderen Worten werden die Mechanismen schnell und genau betrieben, ohne dass das Kontrollsystem zum Steuern der Operation der jeweiligen Mechanismen kompliziert eingestellt wird. Daher kann jede Funktion zuverlässig als Hochgeschwindigkeitsbetrieb ausgeführt werden und die Instandhaltung kann erleichtert sein.
  • Der Halbleiterscheiben-Anbringungs-Lösemechanismus 204 wird mit einer Distanz entfernt von Polierkissen S als Poliermechanismus der Halbleiterscheibe W platziert und der Halbleiterscheiben-Haltekopf 230 verfährt zwischen oberhalb dem Polierkissen S und oberhalb dem Halbleiterscheiben-Anbringungs-Lösemechanismus 204 durch Verschwenken des Kopf-Antriebsmechanismus 231. Der Halbleiterscheiben-Haltekopf 230 verfahrt oberhalb des Halbleiterscheiben-Anbringungs-Lösemechanismus 204 auf der anderen Seite dann, wenn die Halbleiterscheibe an dem Halbleiterscheiben-Haltekopf 230 angebracht und von diesem gelöst wird, während der Halbleiterscheiben-Haltekopf 230 oberhalb des Polierkissens S verfahrt, wenn die Halbleiterscheibe W poliert wird. Infolgedessen wird der Aufbringungs- und Lösebetrieb der Halbleiterscheibe W ohne Wechselwirkung miteinander ausgeführt werden, wodurch die jeweiligen Mechanismen einfach gestaltet sein können.
  • Die Ablage 202 wird wo abgestützt, dass sie in der Lage ist, frei zwischen unterhalb dem Halbleiterscheiben-Haltekopf 230 und oberhalb dem Halbleiterscheiben-Anbringungs-Lösemechanismus 204 zu verfahren, während der Halbleiterscheiben-Anbringungs-Lösungsmechanismus 204 den Arm 204 zur Verfügung stellt, der in der Lage ist, anzusteigen und abzusinken. Daher wird die Halbleiterscheibe W auf der Ablage 202, die zu unterhalb dem Halbleiterscheiben-Haltekopf 230 transferiert wird, sicher an dem Halbleiterscheiben-Haltekopf 230 unter Verwendung des Arms 204a angebracht und von diesem gelöst.
  • Eine Vielzahl von Polierkissen S als Poliermechanismen der Halbleiterscheibe W und eine Vielzahl von Halbleiterscheiben-Halteköpfen 230 sind entlang der Verfahrrichtung der Ablage 202 vorgesehen. Infolgedessen können eine Vielzahl von Arten von Schleifbetrieben wie etwa das Primär- und Sekundär-Polieren simultan unter Verwendung unterschiedlicher Polierkissen S und abrasiver Stoffe abhängig von den jeweiligen Poliermechanismen durchgeführt werden.
  • Die Ablage 202 kann oberhalb der Vielzahl von Halbleiterscheiben-Anbringungs-Lösungsmechanismen 204 korrespondierend mit den oben beschriebenen Poliermechanismen verfahren, während die jeweiligen Halbleiterscheiben-Halteköpfe 230 so vorgesehen sind, dass sie unabhängig mit Zeitverzögerung auf dem Verfahrweg der Ablage 202 dadurch verfahren können, dass die Kopf-Antriebsmechanismen 231 schwenken können. Infolgedessen wird der Anbringungsschritt der Halbleiterscheibe W und der Loslöseschritt der Halbleiterscheibe W an den Halbleiterscheiben-Halteköpfen 230 und von diesen sowie der Polierschritt der Halbleiterscheibe W unabhängig voneinander, was das Pausenintervall zwischen den Schritten reduziert. Dementsprechend wird der Durchsatz des Prozesses verbessert, was ein effizientes Polieren und eine effiziente Transferierung der Halbleiterscheibe W ermöglicht.
  • Die Ablage 202 kann verfahren, während eine Vielzahl von Halbleiterscheiben W befestigt sind, welche effizient transferiert werden. Da die Ablage 202 in der Lage ist, die Halbleiterscheibe W zu befestigen, während sie sich dreht, auch dann, wenn eine Vielzahl von Halbleiterscheiben W befestigt sind, durch eine drehbare Ablage 202, wird das Befestigen der Halbleiterscheiben erleichtert. In anderen Worten ist es möglich, die Halbleiterscheibe W von der Ablage 202 aufzunehmen und zu dieser unter Verwendung der Roboterarme 210a und 210b zuzuführen, nachdem die Ablage 202 in der Lage ist, sich zu drehen, so dass das Loch 202a der Ablage 202 nahe zu den jeweiligen Roboterarmen 210a und 210b gelangt. Infolgedessen kann die Halbleiterscheibe W an jedem Loch 202a ohne Bereitstellen einer flexiblen Funktion in den Roboterarm 210a und 210b platziert werden.
  • Da die Ablage 202 frei drehbar ist, kann der Aufbau der Roboterarme 210a und 210b einfach gestaltet werden und gleichzeitig kann die Vorrichtung bei hoher Geschwindigkeit betrieben werden und deren Zuverlässigkeit wird verbessert.

Claims (5)

  1. Halbleiterscheiben-Poliervorrichtung, umfassend: eine Halbleiterscheiben-Transfervorrichtung zum Liefern von zu polierenden Halbleiterscheiben zu einem Halbleiterscheiben-Haltekopf (230), der das Polieren der Halbleiterscheiben auf einer Halbleiterscheiben-Poliereinrichtung ermöglicht, und zum Aufnehmen der Halbleiterscheiben, nachdem sie poliert wurden, von dem Halbleiterscheiben-Haltekopf, wobei die Halbleiterscheiben-Transfervorrichtung umfasst: eine Ablage (202) zum Befestigen der Halbleiterscheibe; ein Ablagen-Transferelement (203) zur Ermöglichung, dass die Ablage unterhalb des Halbleiterscheiben-Haltekopfs verläuft; und ein Halbleiterscheiben-Anbringungs-Loslösungselement (204) unterhalb der Ablage zum Anbringen einer Halbleiterscheibe, die auf der Ablage befestigt und zu polieren ist, an der unteren Fläche des Halbleiterscheiben-Haltekopfs und zur Aufnahme einer Halbleiterscheibe, die an dem Halbleiterscheiben-Haltekopf zur Befestigung der Halbleiterscheibe an der Ablage angebracht ist; eine Halbleiterscheiben-Poliereinrichtung, die mit einer Platte (P) an der Oberfläche, an der ein Polierkissen (S) fixiert ist, zum Polieren der zu polierenden Halbleiterscheiben durch einen Kontakt einer Oberfläche der Halbleiterscheiben, die am Boden des Halbleiterscheiben-Haltekopfs (230) mit dem Polierkissen und Rotieren der Halbleiterscheibe mit dem Halbleiterscheiben-Haltekopf durch eine relative Bewegung zwischen dem Halbleiterscheiben-Haltekopf und der Platte versehen ist; und einen Kopf-Antriebsmechanismus (231) zur Bewegung einer am Boden des Halbleiterscheiben-Haltekopfs (230) gehaltenen Halbleiterscheibe zwischen der Halbleiterscheiben- Transfervorrichtung und der Halbleiterscheiben-Poliereinrichtung; wobei das Halbleiterscheiben-Anbringungs-Loslösungselement (204) an einer Position in einem Raum entfernt von dem Polierkissen vorgesehen ist und der Kopf-Antriebsmechanismus den Halbleiterscheiben-Haltekopf derart abstützt, dass er zwischen dem oberen Teil des Polierkissens und dem oberen Teil des Halbleiterscheiben-Anbringungs-Loslösungselements beweglich ist.
  2. Halbleiterscheiben-Poliervorrichtung gemäß Anspruch 1, wobei das Ablagen-Transferelement (203) zwei oder mehrere Halbleiterscheiben-Anbringungs-Loslösungselemente umfasst, die Ablage so vorgesehen ist, dass sie linear entlang des Ablagen-Transferelements (203) oberhalb und zwischen dem Halbleiterscheiben-Anbringungs-Loslösungselements (204) verläuft; wobei das Halbleiterscheiben-Anbringungs-Loslösungselement einen Arm (204a) zum Anheben und Absenken einer Halbleiterscheibe umfasst, während die untere Fläche der Halbleiterscheibe abgestützt wird, und zum Anbringen einer Halbleiterscheibe an dem Halbleiterscheiben-Haltekopf.
  3. Halbleiterscheiben-Poliervorrichtung gemäß Anspruch 1, wobei zwei oder mehrere Polierkissen (S) entlang der Verfahrrichtung der Ablage (202) vorgesehen sind und zwei oder mehrere Halbleiterscheiben-Anbringungs-Loslösungselemente (204) so vorgesehen sind, dass sie mit diesen Polierkissen korrespondieren, und wobei jeweilige Halbleiterscheiben-Halteköpfe (230), die mit jedem Halbleiterscheiben-Anbringungs-Loslösungselement korrespondieren, so abgestützt sind, dass sie zwischen dem oberen Teil jedes Halbleiterscheiben-Anbringungs-Loslösungselements sowie dem korrespondierenden oberen Teil jedes Polierkissens beweglich sind.
  4. Halbleiterscheiben-Poliervorrichtung gemäß Anspruch 1 oder 3, wobei die Ablage (202) derart abgestützt ist, dass sie zwischen einem stromaufwärtsseitigen Roboterarm (210a) zur Zufuhr von zwei oder mehreren zu polierenden Halbleiterscheiben zu der Ablage sowie einem stromabwärtsseiteigen Roboterarm (210b) zur Aufnahme der Halbleiterscheiben nach dem Polieren von der Ablage beweglich ist, wobei die Ablage rotierbar vorgesehen ist.
  5. Verfahren zur Herstellung einer Halbleiterscheibe unter Verwendung einer Halbleiterscheiben-Poliervorrichtung gemäß Anspruch 1, 3 oder 4, umfassend: einen Polierschritt zum Polieren der Halbleiterscheibe durch eine relative Bewegung zwischen dem Halbleiterscheiben-Haltekopf und der Platte; und einen Halbleiterscheiben-Transferschritt zum Liefern der zu polierenden Halbleiterscheibe zu dem Halbleiterscheiben-Polierkopf und zur Aufnahme der Halbleiterscheibe, die an dem Halbleiterscheiben-Haltekopf angebracht ist und poliert ist, von dem Halbleiterscheiben-Haltekopf, wobei die zu polierende Halbleiterscheibe auf einer Ablage (202) befestigt ist, die so angeordnet ist, dass sie oberhalb des Halbleiterscheiben-Anbringungs-Loslösungselements (204) verläuft, während es dem Halbleiterscheiben-Haltkopf ermöglicht wird, oberhalb der Ablage zu verlaufen, wobei die Halbleiterscheibe dadurch poliert wird, dass es dem Halbleiterscheiben-Haltekopf nach der Anbringung der auf der Ablage befestigten Halbleiterscheibe, durch das Halbleiterscheiben-Anbringungs-Loslösungselement ermöglicht wird, auf dem Polierkissen (S) zu verlaufen, zum Halbleiterscheiben-Haltekopf, und wobei die Halbleiterscheibe nach dem Polieren zum Halbleiterscheiben-Anbringungs-Loslösungselement (204) von dem Halbleiterscheiben-Haltekopf zugeführt wird, um die Halbleiterscheibe auf der Ablage zu befestigen.
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