DE4341692A1 - Halbleiter-Speichervorrichtung mit verbesserter Redundanz Effizienz - Google Patents

Description

Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf Halbleiter-Speichervorrichtungen und insbesondere auf einen Reihenredundanz-Schaltkreis zum Substituieren einer defekten Normalspeicherzelle in einer Reihe mit einer Ersatz- oder redundanten Speicherzelle, um defekte Speicherzellen zu repa­ rieren.

Wie auf diesem technischen Gebiet wohlbekannt, haben Halbleiter-Speichervorrichtungen eine Vielzahl von in Reihen und Spalten, d. h. in Form einer Matrix, angeordneter Speicherzellen. Im allgemeinen nimmt mit höherer Dichte der Halbleiter-Speichervorrichtungen die Zahl der in der Einheitsfläche angeordneten Speicherzellen zu. Wenn jedoch ein Defekt selbst in irgend einer der Speicherzellen erzeugt wird, kann die Halbleiter-Speichervorrichtung nicht verwendet werden. Um daher die Ausbeute der Halbleiter-Speichervorrichtungen zu verbessern, wird die Redun­ danz-Technik weitverbreitet eingesetzt zum Ersetzen der defekten Normalspeicherzellen mit den redundanten Speicherzellen, welche zuvor in Reihen und Spalten zum Zwecke der Redundanz bereitgestellt worden sind. In einer frühen Redundanz-Technik sind Sicherungen in jede Bitlei­ tung oder Wortleitung geschaltet, und wenn eine normale Speicherzelle defekt ist, wird eine an die Bitleitung angeschlossene Sicherung oder eine an die defekte normale Speicherzelle ange­ schlossene Wortleitung abgeschnitten, um dadurch die Redundanz durchzuführen. Wenn jedoch die Dichte der Halbleiter-Speichervorrichtungen stark erhöht wird, wird es ineffizient und müh­ selig, an alle Speicherzellen Sicherungen bereitzustellen. Es wird somit ein Verfahren zum Deko­ dieren interner Adressignale für die redundante Speicherzelle, wenn ein Defekt in einer normalen Speicherzelle erzeugt wird, vorgeschlagen, und wird allgemein in Reihen-Redundanzschaltkrei­ sen verwendet.

Fig. 1 zeigt ein schematisches Blockdiagramm eines herkömmlichen Reihen-Redundanz-Schalt­ kreises gemäß dem Dekodierverfahren für interne Adressen, wobei eine Normal-Speicher-Zel­ lenanordnung 20L und eine Redundant-Speicher-Zellenanordnung 30L in der linken Seite an­ geordnet sind und eine Normal-Speicher-Zellenanordnung 20R und eine Redundantspeicher- Zellenanordnung 30R in der rechten Seite, wobei sie jeweils an einer Eingabe/Ausgabe-Linie 50 zentriert sind. Weiterhin sind die Normalspeicher-Zellen-Anordnungen 20L und 20R und die Redundant-Speicher-Zellenanordnungen 30L und 30R mit Leseverstärkerabschnitten 40L und 40R jeweils verbunden. Leseverstärker-Steuerschaltkreise 60L und 60R, Redundantwort- Leitungstreiber 70L und 70R und Sicherungsboxen 80L und 80R sind weiterhin bereitgestellt. Hier beinhaltet jeder der Leseverstärker 40L und 40R einen Bitleitung- und Entzerrschaltkreis, einen aus einem P-Typ Leseverstärker und einem N-Typ Leseverstärker zusammengesetzten Le­ severstärker, ein Isolationsgatter etc. Fig. 1 zeigt nur zwei aus der Speichervorrichtung genom­ mene Speicheranordnungen, und die Anzahl der Speicheranordnungen ist erweiterbar.

Im Betrieb werden die Redundantspeicher-Zellenanordnungen 30L und 30R in Antwort auf Re­ dundantadressignale REDL und REDR ausgewählt, die von den Sicherungsboxen 80L und 80R bereitgestellt werden, und werden in Antwort auf die Ausgabesignale RWLL und RWLR der Redundantwort-Leitungstreiber 70L bzw. 70R freigegeben. Mit anderen Worten wird, falls die linke Normalspeicher-Zellenanordnung 20L defekt ist, die linke Redundantspeicher-Zellenan­ ordnung 30L verwendet, um den Defekt zu reparieren, und wenn die rechte Normalspeicher- Zellenanordnung 20R defekt ist, wird die rechte Redundanzspeicher-Zellenanordnung 30R ver­ wendet, um den Defekt zu reparieren. Wenn z. B. eine beliebige Speicherzelle in der linken Normalspeicher-Zellenanordnung 20L defekt ist, wird eine Redundanzwort-Leitung, die der de­ fekten Normalwort-Leitung entspricht, in der Redundantspeicher-Zellenanordnung 30L freige­ geben, und eine Ausgabe des Normalwort-Leitungstreibers 90L wird in Antwort auf das Redun­ dant-Adressignal REDL gesperrt.

In Fig. 2 wird nun die Sicherungsbox 80L zum Programmieren der durch den Defekt erzeugten Adresse für die Redundanz erzeugt. Es wird bemerkt, daß die Transistoren m1 bis mi, welche Reihenadressignale zum Auswählen einer Speicherzelle innerhalb einer Speicheranordnung empfangen, alle mit Sicherungen f1 bis fi verbunden sind, doch haben die Transistoren, welche Blockauswahl-Adressignale A0, A1 zur Auswahl der Speicheranordnungen haben, keine daran angeschlossenen Sicherungen. Bei der Redundanzprogrammierung werden, wenn die Blockaus­ wahl-Adresssignale A0 und A1 auf den "Niedrig"-Pegel freigegeben werden und die sich auf die defekte Speicherzelle beziehenden Reihenadressignale eingegeben werden, die Sicherungen, welche die defekten Adressignale empfangen, sauber abgeschnitten, z. B. durch Projektion von Laserstrahlen, so daß es den Knoten n1 gestattet wird, den "Hoch"-Pegel anzunehmen und somit eine Redundantwort-Leitung RWL mit einem Signal ΦX zu verbinden, um die die Redundanz­ wortleitung RWL freizugeben.

In dem Aufbau von Fig. 2 ist auch, da die an die Sicherungsbox angelegten Blockauswahl- Adressignale A0 und A1 auf zwei begrenzt sind, der Reparaturbetrieb beschränkt, wie es auch in Fig. 3A und 3B gezeigt ist, in denen die gestrichelte mit "x" markierte Linie die defekte Nor­ malwortleitung und die durchgezogene Linie die Redundantwort-Leitung darstellt. D.h., falls die Anzahl von defekten Normalwort-Leitungen, in einer normalen Speicherzelle größer ist als die Anzahl von Redundantwort-Leitungen, die in der Normalspeicher-Zellenanordnung bereit­ gestellt sind, können nicht alle der defekten Wortleitungen repariert werden (siehe Fig. 3B). Es bedeutet auch, daß eine Sicherungsbox, die zu einer besonderen Normalspeicher-Zellenanord­ nung gehört, nicht verwendet werden kann, um die defekte Normalwort-Leitung zu reparieren, die zu benachbarten Normalspeicher-Zellenanordnungen gehört. Dies ist so, weil die Normal­ speicher-Zellenanordnungen die in Fig. 2 gezeigte Sicherungsbox haben, und auch die an die Si­ cherungsbox angelegten Blockauswahl-Adressignale A0 und A1 sind auf zwei begrenzt. Dem­ gemäß sollte zumindest eine zusätzliche Sicherungsbox bereitgestellt werden, um die Ausbeute zu erhöhen, doch diese Maßnahme wird zu einer schweren Last für die Erhöhung der Dichte der Halbleiter-Speichervorrichtung. Dies wird ein ernstes Problem, da die Anzahl der Siche­ rungsboxen graduell zunimmt, wenn die Halbleiter-Speichervorrichtung sehr hoch integriert wird.

ZUSAMMENFASSUNG DER ERFINDUNG

Es ist somit ein Ziel der vorliegenden Erfindung, einen Reihen-Redudanzschaltkreis bereitzu­ stellen, wobei benachbarte Speicherzellenanordnungen eine gemeinsame Sicherungsbox haben, um defekte Normalspeicherzellen selbst in den benachbarten Normalspeicher-Zellenanordnun­ gen zu reparieren.

Gemäß einem Aspekt der vorliegenden Erfindung beinhaltet ein Reihen-Redundanzschaltkreis eine erste Speicherzellenanordnung mit einer ersten Redundanzspeicher-Zellenanordnung zum Ersetzen einer defekten Speicherzelle, eine zweite Speicherzellenanordnung neben der ersten Speicherzellenanordnung und mit einer zweiten Redundanzspeicher-Zellenanordnung zum Er­ setzen einer defekten Speicherzelle, einen ersten und zweiten zwischen der ersten und zweiten Speicherzellenanordnung gebildeten Leseverstärker zum Erfassen von Daten von der ersten und zweiten Speicherzellenanordnung, eine erste und zweite Sicherungsbox, welche jeweils Block­ auswahl-Adressignale empfangen, zum Auswählen von Redundantwort-Leitungen in den ausge­ wählten Redundantspeicher-Zellenanordnungen, wobei die Sicherungsboxen die Sicherungen enthalten auf einem Pfad zum Empfangen der Blockauswahl-Adressignale, und wobei ein erster und zweiter Redundantwort-Leitungstreiber die Ausgabe der Sicherungsboxen empfängt zur Be­ reitstellung von Redundantwortleitung-Betriebssignalen an die erste bzw. zweite Redundanz­ speicher-Zellenanordnung, so daß jeder der Redundantwort-Leitungstreiber die defekten Spei­ cherzellen sowohl in der ersten als auch zweiten Speicherzellenanordnung reparieren kann.

Weiterhin beinhalten die Sicherungsboxen jeweils einen ersten und zweiten MOS-Transistor, der jeweils ein erstes und zweites Blockauswahl-Adressignal empfängt, eine erste und zweite Sicherung, die jeweils zwischen der Ausgabe der Sicherungsboxen und dem ersten und zweiten MOS-Transistor angeschlossen ist, und einen dritten MOS-Transistor, der ein drittes Blockaus­ wahl-Adresssignal empfängt, der zwischen der Ausgabe der Sicherungsboxen und einer Er­ dungsbezugsspannung angeschlossen ist.

KURZBESCHREIBUNGEN DER ZEICHNUNGEN

Die obigen Ziele und anderen Vorteile der vorliegenden Erfindung werden deutlicher durch die Beschreibung des bevorzugten Ausführungsbeispiels der vorliegenden Erfindung mit Be­ zugnahme auf die beigefügten Zeichnungen in welchen:

Fig. 1 ein Blockdiagramm eines herkömmlichen Reihen-Redundanzschaltkreises gemäß dem Stand der Technik ist;

Fig. 2 ein genaues Schaltkreis-Diagramm einer in Fig. 1 gezeigten Sicherungsbox ist;

Fig. 3A und 3B Blockdiagramme sind, die verschiedene Reparaturoperationen unter Verwen­ dung der Sicherungsbox von Fig. 2 zeigen;

Fig. 4 Ein Blockdiagramm eines Reihen-Redundanzschaltkreises gemäß der vorliegenden Erfin­ dung ist;

Fig. 5A und 5B genaue Schaltkreisdiagramme von in Fig. 4 gezeigten Sicherungsboxen und Redundanzwort-Leitungstreibern sind.

Fig. 6A bis 6C Blockdiagramme sind, die verschiedene Reparaturoperationen unter Verwen­ dung der Sicherungsbox von Fig. 4 zeigen.

GENAUE BESCHREIBUNG DER BEVORZUGTEN AUSFÜHRUNGSBEISPIELE

In Fig. 4 hat ein Reihen-Redundanzschaltkreis gemäß der vorliegenden Erfindung einen linken Leseverstärker-Steuerungsschaltkreis 160L, der an einen rechten Leseverstärker-Abschnitt 40R angeschlossen ist, eine rechten Leseverstärker-Steuerungsschaltkreis 160R, der an einen linken Leseverstärker-Abschnitt 40L angeschlossen ist, eine linke Sicherungsbox 180L, welche Rei­ henadress- und Blockabschnitt-Adressignale zur Auswahl von Speicherzellen in einer linken und rechten Normalspeicher-Zellenanordnung 20L empfängt, und/oder eine rechte Sicherungs­ box 180R, welche die Reihenadress- und Blockabschnitt-Adressignale zur Auswahl von Spei­ cherzellen in einer rechten und linken Normalspeicher-Zellenanordnung 20R empfängt, einen linken an die linke Sicherungsbox 180L angeschlossenen Redundantwort-Leitungstreiber 170L zum Freigeben von sowohl einer linken Redundantspeicher-Zellenanordnung 30L und einer rechten Redundantspeicher-Zellenanordnung 30R, und einen rechten an die rechte Sicherungs­ box 180R angeschlossenen Redundantwort-Leitungstreiber 170R zur Freigabe von sowohl der linken Redundantspeicher-Zellenanordnung 30L und der rechten Redundantspeicher-Zellenan­ ordnung 30R. Genauer gesprochen, sollte bemerkt werden, daß die linke und rechte Redundant­ speicher-Zellenanordnungen 30L und 30R jeweils wiederum unterteilt sind in einen ersten und zweiten Redundantspeicher-Zellenanordnungsblock. Die ersten Redundantspeicher-Zellenan­ ordnungsblöcke der jeweiligen linken und rechten Redundantspeicher-Zellenanordnung 30L und 30R werden gewöhnlich an das linke Wortleitung-Antriebssignal RWLL von dem linken Redundantwort-Leitungstreiber 170L angeschlossen. Ähnlich werden die zweiten Redundant­ speicher-Zellenanordnungsblöcke der jeweiligen linken und rechten Redundantspeicher-Zellen­ anordnungen 30L und 30R gewöhnlich an das rechte Wortleitung-Antriebssignal RWLR von dem rechten Redundantwort-Leitungstreiber 170R angeschlossen. Somit können durch Ver­ wendung der beiden Sicherungsboxen 180L und 180R die vier redundanten Wortleitungen der linken und rechten Redundantspeicher-Zellenanordung 30L und 30R gesteuert werden, um die defekten Normalwort-Leitungen zu reparieren, da die Redundantwort-Leitungen die Sicherungs­ boxen gemeinsam haben.

Wenn z. B. die linke und rechte Normalspeicher-Zellenanordnung 20L und 20R jeweils eine defekte Wortleitung haben, welche in der Anzahl kleiner als die Anzahl von Redundantwortlei­ tungen der linken und rechten Redundantspeicher-Zellenanordnung 30L und 30R ist, führt der Reihen-Redundanzschaltkreis die gleiche Reparaturoperation durch wie diejenige des herkömm­ lichen Reihen-Redundanzschaltkreises von Fig. 1. Falls jedoch z. B. die rechte Normalspeicher- Zellenanordnung 20R keine defekten Wortleitungen hat und die linke Normalspeicher-Zellen­ anordnung 20L zwei defekte Wortleitungen hat, wie in Fig. 6C gezeigt, so wird der Reihen-Re­ dundanzschaltkreis so programmiert, daß die rechte Sicherungsbox 180R sowie die linke Siche­ rungsbox 180L die Redundanzoperation für die defekte linke Normalspeicher-Zellenanordnung durchführt. Demgemäß werden die beiden defekten Wortleitungen in der linken Normalspei­ cher-Zellenanordnung beide repariert, indem die linke und rechte Sicherungsbox 180L und 180R verwendet werden. In der Zwischenzeit, wenn die linke Normalspeicher-Zellenanordnung 20R zwei defekte Wortleitungen hat, wie in Fig 6B gezeigt, so werden die beiden defekten Wort­ leitungen in der rechten Normalspeicher-Zellenanordnung 20R beide repariert, indem die linke und rechte Sicherungsbox 180L und 180R verwendet werden. Der Reihen-Redundanzschalt­ kreis gemäß der vorliegenden Erfindung hat die gleiche Wirkung wie eine einzige Normalspei­ cher-Zellenanordnung, die zwei Redundantwort-Leitungstreiber und zwei Sicherungsboxen hat. Demgemäß nimmt die Redundanzeffizienz im wesentlichen mit einer zweifach höheren Rate zu als die der herkömmlichen Vorrichtung in Fig. 1.

Die Redundantwort-Leitungstreiber 170L, 170R und die Sicherungsboxen 180L, 180R gemäß der vorliegenden Erfindung können wie in Fig. 5A und Fig. 5B jeweils gezeigt implementiert werden. Die Sicherungsboxen 180L und 180R sind mit Blockauswahl-Adressignalen RAk und RAm und an MOS-Transistoren Mk und Ml angeschlossenen Sicherungen Fk, Fl ver­ sehen, welche jeweils die Block-Auswahl-Adressignale RAk und , gemäß einem Ausfüh­ rungsbeispiel der vorliegenden Erfindung empfangen, ebenfalls gezeigt in den gestrichelten Blöcken 182L und 182R, welche die Merkmale der vorliegenden Erfindung darstellen. Weiter­ hin werden Reihen-Adressignale in die Transistoren M1 bis Mi eingegeben, um die Redundant­ wortleitungen RWLL und RWLR in den Redundantspeicher-Zellenanordnungen 30L und 30R auszuwählen. Die gestrichelten Blöcke 182L und 182R sind so entworfen, daß sie es in Re­ dundantwort-Leitungstreibern 170L und 170R gestatten, die Redundantwortleitungen frei zu aktivieren, welche entweder in der linken Redundantspeicher-Zellenanordnung 30L oder rech­ ten Redundantspeicher-Zellenanordnung 30R gemäß der Verbindung/Unterbrechung der Siche­ rungen Fk und Fl enthalten sind. Demgemäß können die in Fig. 5A gezeigte linke Sicherungs­ box 180L und der linke Redundantwort-Leitungstreiher 170L die direkten Wortleitungen der rechten Normalspeicher-Zellenanordnung 20R sowie in der linken Normalspeicher-Zellenan­ ordnung 20L reparieren. Auf ähnliche Weise können die in Fig. 5B gezeigte rechte Sicherungs­ box 180R und der rechte Redundantwort-Leitungstreiber 170R die defekten Wortleitungen in der linken Normalspeicher-Zellenanordnung 20L sowie in der rechten Normalspeicher-Zellen­ anordnung 20R zeigen. Die NMOS-Transistoren 137 und 138 stellen einen Ausgabeschaltkreis des Redundantwort-Leitungskreis 170L und 170R dar, welche jeweils die Redundantwortlei­ tungen RWLL und RWLR während der Redundantoperation freigeben.

Operationen des Reihen-Redundanzschaltkreises von Fig. 4 werden nun im Detail zusammen mit den Fig. 5A und Fig. 5B beschrieben.

Wie zuvor erklärt, da die herkömmliche in Fig. 2 beschriebene Sicherungsbox 80L keine Siche­ rungen hat, welche an die MOS-Transistoren angeschlossen sind, die Blockauswahl-Adress­ signale A0 und A1 empfangen, konnten die zu der Speicherzellenanordnung 20L gehörende Si­ cherungsbox 80L und der Redundantwort-Leitungstreiber 70L die defekten Normalwortleitun­ gen in der benachbarten Speicherzellenanordnung 20R nicht reparieren. Dennoch haben die Si­ cherungsboxen 180L und 180R gemäß der vorliegenden Erfindung Sicherungen Sk und Sl, welche an die MOS-Transistoren Mk und Ml angeschlossen sind, welche die Blockauswahl- Adressignale RAk und RAk empfangen, so daß sie die defekten Normalwort-Leitungen selbst in benachbarten Normalspeicher-Zellenanordnungen reparieren können.

Zum Zwecke der Erklärung wird angenommen, daß die linke Normalspeicher-Zellenanordnung 20L keine defekten Normalwortleitungen hat, die rechte Normalspeicher-Zellenanordnung 20R zwei defekte Normalwortleitungen hat und die Redundantspeicher-Zellenanordnungen 30L und 30R jeweils eine erste und zweite Redundantwortleitung beinhalten, in welcher die ersten Re­ dundantwort-Leitungen gewöhnlich verbunden sind mit dem linken Redundantwortleitungs-An­ triebssignal RWLL des linken Redundantwort-Leitungstreibers 170L, und die zweiten Redun­ dantwortleitungen gewöhnlich verbunden sind mit dem rechten Redundantwortleitungs-An­ triebssignal RWRL des rechten Redundantwort-Leitungstreibers 170R. Wenn der gestrichelte Block 182L von Fig. 5A die Blockauswahl-Adressignale RAk und empfängt zum Aus­ wählen der rechten Normalspeicher-Zellenanordnung 20R durch Programmieren der Sicherun­ gen Fk und Fl, und die Reihen-Adressignale zum Adressieren der defekten Normalspeicherzelle an die MOS-Transistoren M1 bis Mi angelegt werden, dann kann der Reihen-Redundanz-Schalt­ kreis von Fig. 4 die beiden defekten Wortleitungen in der rechten Normalspeicher-Zellenanord­ nung 20R in Zusammenarbeit mit der rechten Sicherungsbox 180R und dem rechten Redund­ antwort-Leitungstreiber 170 von Fig. 5B (siehe Fig. 6B) reparieren. Zu dieser Zeit, da der linke und rechte Leseverstärker-Abschnitt 40L und 40R freigegeben werden in Abhängigkeit von nur den beiden Blockauswahl-Adressignalen der entsprechenden Speicherzellenanordnungen unabhängig davon, welche Redundantwort-Leitungstreiber gegenwärtig ausgewählt werden, können Daten von der linken Redundanzspeicher-Zellenanordnung 30L durch den linken Lese­ verstärkerabschnitt 40L erfaßt werden. Wie man klar aus Fig. 6A und 6C versteht, wird die Re­ dundanzeffizienz maximiert, da die Sicherungsboxen und Redundanzwort-Leitungstreiber des Reihen-Redundanzschaltkreises gemäß der vorliegenden Erfindung die gleiche Wirkung haben wie eine einzige Speicherzellenanordnung, die zwei Sicherungsboxen und zwei Redundanzwort- Leitungstreiber hat, wie oben beschrieben. Somit benötigt in dem Fall, daß die Anzahl defekter Normalwortleitungen größer ist als die Anzahl der an der spezifischen Normalspeicher-Zellen­ anordnung bereitgestellten Sicherungsboxen die vorliegende Erfindung keine zusätzlichen Si­ cherungsboxen im Gegensatz zu der herkömmlichen Vorrichtung. Die in der benachbarten Nor­ malspeicher-Zellenanordnung bereitgestellte Sicherungsbox wird vielmehr verwendet, um die Normalwort-Leitung zu reparieren. Demgemäß wird einer Verringerung der Chipdichte auf­ grund einer Erhöhung der Anzahl von Sicherungsboxen vorgebeugt.

Die Fig. 5A und 5B zeigen nur ein bevorzugtes Ausführungsbeispiel, welches die Idee der vor­ liegenden Erfindung optimal implementiert, und der Aufbau kann auf verschiedene Arten modi­ fiziert werden, ohne daß man von dem technischen Umfang der vorliegenden Erfindung ab­ weicht. Man sollte verstehen, daß die Anzahl von Blockauswahl-Adressignalen und die verwen­ deten Sicherungen sauber angepaßt werden können unter Berücksichtigung der in den Normal- und Redundantspeicher-Zellenanordnungen existierenden Speicherzellen.

Wie oben beschrieben, können in dem Redundanz-Schaltkreis gemäß der vorliegenden Erfin­ dung die Sicherungsboxen und Redundantwort-Leitungstreiber die Defekte in benachbarten Speicheranordnungen reparieren, so daß es nicht notwendig ist, die Sicherungsboxen zu ver­ mehren, um die Redundanzeffizienz zu erhöhen. Demgemäß wird einer Verringerung einer Chipdichte vorgebeugt, und die Redundanzeffizienz wird im wesentlichen auf das zweifache der Redundanzeffizienz herkömmlicher Apparaturen erhöht.

Claims (5)

1. Reihen-Redundanzschaltkreis zur Verwendung für eine Halbleiter-Speichervorrichtung einschließlich einer ersten Speicherzellenanordnung mit einer ersten Redundantspeicher- Zellenanordnung zum Ersetzen einer defekten Speicherzelle, einer Speicherzellenanord­ nung, welche sich neben der ersten Speicherzellenanordnung befindet und eine zweite Re­ dundanzspeicher-Zellenanordnung besitzt zum Ersetzen einer defekten Speicherzelle, und Leseverstärkereinrichtungen, die zwischen der ersten und zweiten Speicherzellenanord­ nung gebildet sind, zum Erfassen von Daten von der ersten und zweiten Speicherzellenan­ ordnung, wobei der Schaltkreis aufweist:
eine Sicherungsboxeinrichtung, die Blockauswahl-Adressignale empfängt, zum Auswählen der Redundantspeicher-Zellenanordnungen und Reihen-Adressignale zum Auswählen von Redundantwortleitungen in der ausgewählten Redundantspeicher-Zellenanordnung, wobei die Sicherungsboxeinrichtung Sicherungen an einem Empfangspfad der Blockauswahl- Adressignale aufweist; und
eine Redundantwort-Leitungstreibereinrichtung, die die Ausgabe von der Sicherungsbox empfängt, um Redundantwort-Leitungsantriebssignale jeweils an die erste und zweite Re­ dundanzspeicher-Zellenanordnung bereitzustellen.

2. Reihen-Redundanzschaltkreis nach Anspruch 1, wobei die Redunantwort-Leitungstreiber­ einrichtung die defekten Speicherzellen sowohl in der ersten als auch in der zweiten Spei­ cherzellenanordnung reparieren kann.

3. Reihen-Redundanzschaltkreis nach Anspruch 1, wobei die Sicherungsboxeinrichtung auf­ weist:
eine Einrichtung zum Empfangen der Reihenadressignale zum Auswählen von Re­ dundanzwort-Leitungen in der ausgewählten Redundanzspeicher-Zellenanordnung;
einen ersten und zweiten MOS-Transistor, welcher jeweils ein erstes bzw. zweites Block­ auswahl-Adressignal empfängt;
eine erste und zweite Sicherung, die jeweils zwischen der Ausgabe der Sicherungsboxein­ richtung und dem ersten und zweiten MOS-Transistor angeschlossen sind, und
einen dritten MOS-Transistor, der ein drittes Blockauswahl-Adressignal empfängt, der zwi­ schen dem Ausgang der Sicherungsboxeinrichtung und einer Erdungsbezugsspannung an­ geschlossen ist.

4. Reihen-Redundanzschaltkreis zur Verwendung für eine Halbleiter-Speichervorrichtung einschließlich einer ersten und zweiten Speicherzellenanordnung, die zueinander benach­ bart sind, und einem ersten und zweiten Leseverstärker, welche jeweils an die erste bzw. zweite Speicherzellenanordnung angeschlossen sind, zum Erfassen von Daten von der er­ sten und zweiten Speicherzellenanordnung, wobei der Schaltkreis aufweist:
eine erste und zweite Redunantspeicher-Zellenanordnung, welche jeweils der ersten bzw. zweiten Speicherzellenanordnung unterworfen ist, wobei die erste und zweite Redundant­ speicher-Zellenanordnung jeweils wiederum unterteilt ist in einen ersten bzw. einen zweiten Redundantspeicher-Zellenanordnungsblock;
eine erste Sicherungsbox, welche Blockauswahl-Adressignale empfängt, zum Auswählen der Redundantspeicher-Zellenanordnungen und Reihen-Adressignale zum Auswählen von Redundantwort-Leitungen in den ausgewählten Redundanzspeicher-Zellenanordnungen, wobei die erste Sicherungsbox Sicherungen an einem Empfangspfad der Blockauswahl- Adressignale aufweist;
einen ersten Redundanzwort-Leitungstreiber, der die Ausgabe der ersten Sicherungsbox empfängt, zum Bereitstellen eines Redundantwort-Leitungsantriebsignals an die ersten Re­ dundantspeicher-Zellenanordnungsblöcke der ersten bzw. zweiten Redundantspeicher-Zel­ lenanordnung;
eine zweite Sicherungsbox, die die Blockauswahl-Adressignale empfängt, zum Auswählen der Redundantspeicher-Zellenanordnungen und der Reihen-Adressignale zum Auswählen von Redundantwort-Leitungen der ausgewählten Redundantspeicher-Zellenanordnung, wo­ bei die zweite Sicherungsbox Sicherungen an einen Empfangspfad der Blockauswahl- Adresssignale aufweist; und
einen zweiten Redundantwort-Leitungstreiber, der die Ausgabe der zweiten Sicherungsbox empfängt, zum Bereitstellen eines Redundantwort-Leitungsantriebssignals an die zweiten Redundantspeicher-Zellenanordnungsblöcke der ersten bzw. zweiten Redundantspeicher- Zellenanordnung;
wobei der erste und zweite Redundantwort-Leitungstreiber jeweils die defekten Speicher­ zellen sowohl in der ersten bzw. zweiten Speicherzellenanordnung reparieren kann.

5. Reihen-Redundanzschaltkreis nach Anspruch 4, wobei die erste und zweite Sicherungsbox jeweils aufweisen:
eine Einrichtung zum Empfangen der Reihen-Adressignale zum Auswählen von Redund­ antwort-Leitungen in der ausgewählten Redundantspeicher-Zellenanordnung;
einen ersten und zweiten MOS-Transistor, die jeweils ein erstes und zweites Blockaus­ wahl-Adressignal empfangen;
eine erste und zweite Sicherung, die jeweils zwischen die Ausgabe der jeweiligen ersten bzw. zweiten Sicherungsbox zu dem ersten bzw. zweiten MOS-Transistor angeschlossen sind;
einen dritten MOS-Transistor, der ein drittes Blockauswahl-Adressignal empfängt, und zwischen der Ausgabe der jeweiligen ersten bzw. zweiten Sicherungsbox und einer Erdbe­ zugsspannung angeschlossen ist.