DE3723429A1 - Entwicklerloesung fuer positiv-arbeitende fotoresistzusammensetzungen - Google Patents
Entwicklerloesung fuer positiv-arbeitende fotoresistzusammensetzungenInfo
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Description
Die Erfindung betrifft eine Entwicklerlösung für positiv-arbeitende
Fotoresistzusammensetzungen, mit der eine zufriedenstellende
bildmustergemäße Fotoresistschicht erhalten werden kann,
die frei von Filmresten oder Schäumen sogar in den feinsten
Musterbereichen ist und ein stark verbessertes Auflösungsvermögen
bei der Wiedergabe von extrem feinen Kontaktfenstern aufweist.
Bekanntlich ist die Fotolithografie eine wichtige Stufe vor dem
Ätzen und der Diffusion bei vielen Herstellungsverfahren von
Halbleitervorrichtungen und elektronischen Bestandteilen, wie
integrierten Schaltungen, Fotomasken für die Herstellung von
integrierten Schaltungen, gedruckten Schaltungsplatten sowie
Flachdruckplatten. Bei der Fotolithografie wird die Oberfläche
eines Substrats einheitlich mit einer sogenannten Resistzusammensetzung
beschichtet, daß heißt einer Zusammensetzung, die
gegenüber aktinischen Strahlen, wie beispielsweise UV-Licht,
Röntgen- oder Elektronenstrahlen, empfindlich ist. Dabei wird
eine dünne, gegenüber aktinischen Strahlen empfindliche Schicht
erhalten, die bildmustergemäß mit den aktinischen Strahlen bestrahlt
und dann mit einer Entwicklerlösung zu einer bildmustergemäßen
Fotoresistschicht entwickelt wird, die die Substratoberfläche
vor Ätzen oder Diffusion von Dotierungsmitteln selektiv
schützt.
Ist die erwähnte Resistzusammensetzung gegenüber UV-Licht empfindlich,
so wird sie im allgemeinen Fotoresistzusammensetzung genannt,
die entweder positiv-arbeitend oder negativ-arbeitend ist.
Eine positiv-arbeitende Fotoresistzusammensetzung weist eine
solche Lichtempfindlichkeit auf, daß die Löslichkeit der Zusammensetzung
in der Entwicklerlösung durch Bestrahlung erhöht wird und
die bildmustergemäße Fotoresistschicht in den Bereichen gebildet
wird, die dem UV-Licht nicht ausgesetzt waren und in denen die
Zusammensetzung nicht weggelöst wurde. Eine negativ-arbeitende
Fotoresistzusammensetzung weist ein entsprechend gegenteiliges
Verhalten in bezug auf Lichtempfindlichkeit und Löslichkeit auf. Typische
positiv-arbeitende Fotoresistzusammensetzungen enthalten ein
alkalilösliches Novolakharz als filmbildende Komponente und
ein Naphthochinon-diazid als lichtempfindliche Komponente. Derartige
positiv-arbeitende, ein Naphthochinon-diazid enthaltende
Fotoresistzusammensetzungen können mit einer wäßrigen alkalischen
Lösung entwickelt werden, die alkalische Entwicklerlösung sollte
jedoch frei von Metallionen sein, da die Verunreinigung des
Halbleitermaterials mit Alkalimetallionen sehr schädlich für
die Leistung der Halbleitervorrichtungen ist. Deshalb sind die
am häufigsten verwendeten, metallionenfreie Entwicklerlösungen
für positiv-arbeitende Fotoresistzusammensetzungen eine wäßrige
Lösung von beispielsweise Tetramethylammoniumhydroxid (vgl.
IBM Technical Disclosure Bulletin, Band 3, Nr. 7, S. 2009 (1970))
oder Cholin (vgl. US-PS 42 39 661).
Die schnelle Entwicklung bei der Herstellung von Halbleitervorrichtungen
verlangt immer feinere und genauere Bildmuster mit
einer Linienbreite von 1 µm oder sogar darunter, um der erhöhten
Integrationsdichte in Halbleitervorrichtungen gerecht zu werden.
Das bringt für das fotolithografische Verfahren unter Verwendung
einer positiv-arbeitenden Fotoresistzusammensetzung ein
schwerwiegendes Problem: Wird beispielsweise die Herstellung
eines äußerst feinen Kontaktfensters in einem feinen Bildmuster
erwünscht, so wird im allgemeinen die oben erwähnte metallionenfreie
alkalische Entwicklerlösung mit einem grenzflächenaktiven
Mittel vermischt, um die Benetzbarkeit der Substratoberfläche
mit der wäßrigen Entwicklerlösung zu erhöhen. Die
Zugabe eines grenzflächenaktiven Mittels zur Entwicklerlösung
hat jedoch zur Folge, daß gelegentlich an den belichteten Stellen
Filmreste und Schäume auftreten, dort, wo die Fotoresistschicht
so vollständig und sauber wie möglich weggelöst werden
sollte. Dieses unerwünschte Phänomen kann nicht vollständig
vermieden werden, eine saubere bildmustergemäße Fotoresistschicht
ist nicht einmal durch Überbelichtung oder Überentwicklung
erhältlich. Obwohl die Filmreste und Schäume durch vorsichtige
Nachbehandlung der Oberfläche mit Sauerstoffplasma
oder Zerstäubung entfernt werden können, ist eine vollständige
Lösung dieses Problems nicht möglich, da eine solche Behandlung
unter sehr gut kontrollierten, arbeitsaufwendigen Bedingungen
durchgeführt werden muß, die vorsichtige Entfernung des Schaums
nicht immer wirkungsvoll ist oder in sehr feinen bildmustergemäßen
Flächen mit Kontaktfenstern von etwa 1 µm oder weniger
Durchmesser nicht einheitlich ist.
Wird die Weiterbehandlung der Substratoberfläche, wie
Trockenätzen, mit diesen nur unvollständig entfernten Filmresten
und Schäumen durchgeführt, so leidet die Einheitlichkeit
der Ätzung, die Abmessungen oder die Meßgenauigkeit oder die
Form der geätzten Flächen ist gering.
Aufgabe der Erfindung war es daher, eine Entwicklerlösung für
Bildmuster unter Verwendung einer positiv-arbeitenden Fotoresistzusammensetzung
anzugeben, mit der die oben angegebenen
Probleme gelöst werden können. Mit der Fotoresistzusammensetzung
aus einem alkalilöslichen Novolakharz und einem Naphthochinon-
diazid sollten zufriedenstellende bildmustergemäße Fotoresistschichten
sogar bei sehr feinen Bildmustern mit einer
Linienbreite von etwa 1 µm oder geringer oder extrem feinen
Kontaktfenstern hergestellt werden können, ohne daß nach der Entwicklung
Filmreste oder Schäume zurückbleiben, und so die Maßgenauigkeit
im folgenden Ätzen verbessert werden.
Die Erfindung betrifft somit eine Entwicklerlösung für positiv-
arbeitende Fotoresistzusammensetzungen, die
- (a) Wasser als Lösungsmittel,
- (b) eine wasserlösliche, im Lösungsmittel gelöste, organische, basische Verbindung und
- (c) einen Polyoxyethylen-alkylphenylether der Formel
mitR₁C5-15-Alkyl,
R₂Wasserstoff oder C1-15-Alkyl und
n5 bis 60,oder einen gegebenenfalls alkylsubstituierten Polyoxyethylennaphthylether
der allgemeinen Formel
mit
R³ und R⁴, unabhängig voneinander, je Wasserstoff oder C1-15-Alkyl und
m 5 bis 60,
als nichtionisches grenzflächenaktives Mittel, gelöst in dem Lösungsmittel in einer Konzentration von 50 bis 5000 Masseteile je 10⁶ Masseteile (ppm) enthält.
Das wesentliche Merkmal der erfindungsgemäßen Entwicklerlösung
ist die Zugabe eines speziellen nichtionischen grenzflächenaktiven
Mittels in einer bestimmten Konzentration.
Der Hauptbestandteil der erfindungsgemäßen Entwicklerlösung
ist eine in Entwicklerlösungen herkömmlicherweise verwendete,
wasserlösliche, organische basische Verbindung, wie beispielsweise
Aryl- und Alkylamine, beispielsweise primäre, sekundäre
und tertiäre Amine, deren Substituenten geradkettig, verzweigt
oder cyclisch sein können, Alkylendiamine, wie 1,3-Diaminopropan,
Arylamine, wie 4,4′-Diaminodiphenylamin, und heterocyclische
basische Verbindungen mit einer Ringstruktur aus 3 bis 5 Kohlenstoffatomen
und 1 oder 2 Heteroatomen, wie Stickstoff, Sauerstoff
oder Schwefel, beispielsweise Pyrrol, Pyrrolidin, Pyrrolidon,
Pyridin, Morpholin, Pyrazin, Piperidin, Oxazol und Thiazol,
sowie niedrige quartäre Alkylammoniumbasen, vorzugsweise
Tetramethylammoniumhydroxid und Cholin, beispielsweise
Trimethyl-2-hydroxyethylammoniumhydroxid. Diese die Komponente
(b) bildenden, organischen basischen Verbindungen können entweder
allein oder als Kombination von mindestens zwei Verbindungen je
nach Bedarf verwendet werden; sie werden in dem Lösungsmittel (a),
d. h. Wasser oder einem Gemisch aus im wesentlichen Wasser und
einer geringen Menge eines mit Wasser mischbaren organischen
Lösungsmittels, gelöst. Die Konzentration der wasserlöslichen,
organischen, basischen Verbindung als Hauptbestandteil der Entwicklerlösung
sollte im Bereich von 0,5 bis 5 Masse-% liegen.
Die erfindungsgemäße Entwicklerlösung kann gegebenenfalls verschiedene
bekannte, in herkömmlichen Entwicklerlösungen verwendete
Zusatzstoffe enthalten, wie Benetzungsmittel, Stabilisatoren
und Lösungsvermittler, sowie kationische grenzflächenaktive
Mittel, die die Selektivität des Löseverhaltens der
positiv-arbeitenden Fotoresistschicht zwischen den belichteten
und nichtbelichteten Flächen erhöhen sollen. Diese Zusatzstoffe
können entweder allein oder als Kombination von mindestens
zwei Verbindungen je nach Bedarf eingesetzt werden.
Der wesentliche Bestandteil der erfindungsgemäßen Entwicklerlösung
ist das nichtionische grenzflächenaktive Mittel als
Komponente (c), das allein oder als Kombination von mindestens
zwei Verbindungen der Formel (I) oder (II) eingesetzt werden
kann. Beispiele für nichtionische grenzflächenaktive Mittel
sind Polyoxyethylen-alkylphenylether, Polyoxyethylen-dialkylphenylether,
Polyoxyethylen-naphthylether, Polyoxyethylen-
alkylnaphthylether und Polyoxyethylen-dialkylnaphthylether, wobei
Polyoxyethylen-dialkylphenylether bevorzugt sind, da sie
die Filmdicke weniger verringern als andere Verbindungen. Polyoxyethylen-
dinonylphenylether sind besonders bevorzugt, da sie
licht verfügbar und billig sind.
Die Konzentration dieser nichtionischen grenzflächenaktiven Mittel
in der erfindungsgemäßen Entwicklerlösung sollte im Bereich
von 50 bis 5000 und vorzugsweise von 100 bis 2000 Masseteile
je 10⁶ Masseteile (ppm) liegen. Ist die Konzentration niedriger
als der angegebene untere Wert, so ist die Benetzungsfähigkeit
der Lösung zu gering, das Auflösungsvermögen der bildmustergemäßen
Fotoresistschicht kann nicht verbessert werden. Ist
hingegen die Konzentration zu hoch, so ist die Selektivität
des Löseverhaltens der Entwicklerlösung zwischen den belichteten
und nicht belichteten Flächen relativ gering, so daß die
Genauigkeit der Bildmusterwiedergabe verringert ist, die Fotoresistschicht
keine genaue Wiedergabe des Bildmusters und
außerdem die Restfilmdicke in den nicht belichteten Bereichen
vermindert ist.
Die erfindungsgemäße Entwicklerlösung kann auf jede positiv-
arbeitende Fotoresistzusammensetzung ohne Beschränkungen angewendet
werden, vorausgesetzt, die Zusammensetzung ist in den
belichteten Flächen in einer alkalischen wäßrigen Entwicklerlösung
löslich, jedoch in den nicht belichteten Bereichen unlöslich.
Bessere Ergebnisse werden jedoch mit einer positiv-
arbeitenden Fotoresistzusammensetzung erhalten, die ein alkalilösliches
Novolakharz als filmbildende Komponente und ein
Naphthochinon-diazid als lichtempfindliche Komponente enthält.
Die erfindungsgemäße Entwicklerlösung weist somit ein ausgezeichnetes
Eindringungs-, Wasch- und Lösungsvermögen für die zu entwickelnde
positiv-arbeitende Fotoresistzusammensetzung auf. Die
Zugabe des nichtionischen grenzflächenaktiven Mittels verleiht
der Entwicklerlösung ein wesentlich verbessertes Eindringungs-,
Wasch- und Lösevermögen sogar für feinste Bildmuster. Filmreste
und Schäume, die ein Reaktionsprodukt des Harzbestandteils der
Zusammensetzung und der lichtempfindlichen Komponente sein
können, werden vollständig von der Substratoberfläche entfernt.
Die mit der erfindungsgemäßen Entwicklerlösung erhaltenen
bildmustergemäßen Fotoresistschichten, die frei von Filmresten
oder Schäumen sind, können somit eine sehr genaue Wiedergabe
des Bildmusters der Maske sein, sogar bei äußerst feinen Mustern
mit einer Linienbreite von 1 µm oder darunter oder bei Kontaktfenstern,
ohne daß eine Verformung des Bildmusters oder eine
Abnahme des Auflösungsvermögens auftritt.
Die Erfindung wird durch die Beispiele erläutert.
Die in diesen Beispielen verwendeten Entwicklerlösungen waren
wäßrige Lösungen von 2,38 Masse-% Tetramethylammoniumhydroxid
und entweder einem oder zwei der in der Tabelle angegebenen
nichtionischen grenzflächenaktiven Mittel in einer Konzentration
von 200 bis 5000 ppm. n und m haben die in den Formeln
(I) und (II) angegebenen Bedeutungen.
Halbleiter-Siliciumscheiben mit einem Durchmesser von 10 cm
als Substrat wurden mit einem Rotationsbedampfer mit einer
positiv-arbeitenden Fotoresistschicht, die ein Novolakharz und
ein Naphthochinon-diazid (OFPR-5000 von Tokyo Ohka Kogyo Co.)
in einer Dicke von 1,3 µm (trocken) beschichtet und auf einer
heißen Platte bei 110°C 90 s zu einer einheitlichen Schicht der
Fotoresistzusammensetzung getrocknet. Die Fotoresistschicht
wurde dann bildmustergemäß durch eine Rasterversuchsmaske mit
einem Apparat für verkleinernde Projektion (von GCA Co.) mit
UV-Licht bestrahlt und mit einer der Entwicklungslösungen in
einem Entwicklungsfoulard bei 23°C 65 s unter stationären Bedingungen
entwickelt und mit reinem Wasser gespült.
In der Tabelle sind die Ergebnisse der Entwicklung sowie die
relative Lichtempfindlichkeit, d. h. das Verhältnis
der Lichtempfindlichkeit zu der Lichtempfindlichkeit ohne Zugabe
eines nichtionischen grenzflächenaktiven Mittels zur Entwicklerlösung,
die Abnahme der Filmdicke in den nicht belichteten
Flächen und die optische Beurteilung der Oberfläche
in bezug auf die Schäume angegeben. Die Buchstaben A, B und C
entsprechen der völligen Abwesenheit, einer geringen Menge
und einer großen Menge von Schaum.
Die Arbeitsweise der Beispiele 1 bis 20 wird wiederholt mit
dem Unterschied, daß der Entwicklerlösung kein nichtionisches
grenzflächenaktives Mittel zugegeben wurde. Dabei wurden wesentliche
Mengen an Schäumen und Filmresten auf den Substratoberflächen
nach der Entwicklung insbesondere von feingemusterten
Flächen gefunden.
Claims (6)
1. Wäßrige Entwicklerlösung für positiv-arbeitende Fotoresistzusammensetzungen,
enthaltend
- (a) Wasser als Lösungsmittel,
- (b) eine wasserlösliche, im Lösungsmittel gelöste, organische, basische Verbindung und
- (c) einen Polyoxyethylen-alkylphenylether der Formel (I)
mitR₁C5-15-Alkyl,
R₂Wasserstoff oder C1-15-Alkyl und
n5 bis 60,oder einen gegebenenfalls alkylsubstituierten Polyoxyethylennaphthylether
der Formel (II)
mit
R³ und R⁴, unabhängig voneinander, je Wasserstoff oder C1-15-Alkyl und
m 5 bis 60,
als nichtionisches grenzflächenaktives Mittel, gelöst in dem Lösungsmittel in einer Konzentration von 50 bis 5000 Masseteile je 10⁶ Masseteile (ppm).
2. Wäßrige Entwicklerlösung nach Anspruch 1, gekennzeichnet durch
einen Polyoxyethylen-dialkylphenylether als nichtionisches grenzflächenaktives
Mittel.
3. Wäßrige Entwicklerlösung nach Anspruch 1 oder 2,
gekennzeichnet durch
einen Polyoxyethylen-dinonylphenylether.
4. Wäßrige Entwicklerlösung nach einem der Ansprüche 1 bis 3,
gekennzeichnet durch
Tetramethylammoniumhydroxid oder Trimethyl-2-hydroxyethylammoniumhydroxid
als wasserlösliche, organische basische Verbindung.
5. Wäßrige Entwicklerlösung nach einem der Ansprüche 1 bis 4,
gekennzeichnet durch
eine Konzentration an nichtionischem grenzflächenaktivem Mittel
von 100 bis 2000 ppm.
6. Wäßrige Entwicklerlösung nach einem der Ansprüche 1 bis 5,
gekennzeichnet durch
eine Konzentration an wasserlöslicher organischer, basischer
Verbindung von 0,5 bis 5 Masse-%.
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61167897A JPH0638159B2 (ja) | 1986-07-18 | 1986-07-18 | ポジ型ホトレジスト用現像液 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE3723429A1 true DE3723429A1 (de) | 1988-01-28 |
DE3723429C2 DE3723429C2 (de) | 1992-12-17 |
Family
ID=15858086
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE19873723429 Granted DE3723429A1 (de) | 1986-07-18 | 1987-07-15 | Entwicklerloesung fuer positiv-arbeitende fotoresistzusammensetzungen |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4820621A (de) |
JP (1) | JPH0638159B2 (de) |
KR (1) | KR900005850B1 (de) |
DE (1) | DE3723429A1 (de) |
GB (1) | GB2193335B (de) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE3915141A1 (de) * | 1988-05-10 | 1989-11-23 | Fuji Photo Film Co Ltd | Entwicklerzusammensetzung fuer vorsensibilisierte platten und verfahren zu deren entwicklung |
DE3927693A1 (de) * | 1988-08-26 | 1990-03-01 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | Entwicklerloesung fuer positiv-arbeitende strahlenempfindliche gemische |
DE19755131A1 (de) * | 1997-12-11 | 1999-06-24 | Siemens Ag | Lösung von Tetramethylammoniumhydroxid in Wasser und Verfahren zur Herstellung der Lösung |
Families Citing this family (39)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE3886971T2 (de) * | 1987-04-06 | 1994-05-19 | Hoechst Celanese Corp | Hochkontrastreicher Positiv-Photolack-Entwickler mit Alkanolamin. |
US5094934A (en) * | 1987-04-06 | 1992-03-10 | Morton International, Inc. | Method of developing a high contrast, positive photoresist using a developer containing alkanolamine |
DE3827567A1 (de) * | 1988-08-13 | 1990-02-22 | Basf Ag | Waessrige entwicklerloesung fuer positiv arbeitende photoresists |
US5175078A (en) * | 1988-10-20 | 1992-12-29 | Mitsubishi Gas Chemical Company, Inc. | Positive type photoresist developer |
DE3836404A1 (de) * | 1988-10-26 | 1990-05-03 | Hoechst Ag | Entwicklungsloesemittel fuer durch photopolymerisation vernetzbare schichten sowie verfahren zur herstellung von reliefformen |
GB2226150A (en) * | 1988-12-15 | 1990-06-20 | Nordisk Tidningsplat Ab | A developer for use with lithographic printing plates |
DE3941394A1 (de) * | 1989-12-15 | 1991-06-20 | Basf Ag | Waessrige entwicklerloesung und verfahren zum entwickeln von photoresisten |
US5252436A (en) * | 1989-12-15 | 1993-10-12 | Basf Aktiengesellschaft | Process for developing a positive-working photoresist containing poly(p-hydroxystyrene) and sulfonium salt with an aqueous developer containing basic organic compounds |
US5164286A (en) * | 1991-02-01 | 1992-11-17 | Ocg Microelectronic Materials, Inc. | Photoresist developer containing fluorinated amphoteric surfactant |
US5532116A (en) * | 1992-01-13 | 1996-07-02 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Aqueous alkaline developing solution |
US5543268A (en) * | 1992-05-14 | 1996-08-06 | Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. | Developer solution for actinic ray-sensitive resist |
JP3104939B2 (ja) * | 1992-10-01 | 2000-10-30 | 東京応化工業株式会社 | 半導体デバイス製造用レジスト現像液組成物 |
DE4419166A1 (de) * | 1994-06-01 | 1995-12-07 | Hoechst Ag | Entwickler für Photoresistschichten |
JP3707856B2 (ja) * | 1996-03-07 | 2005-10-19 | 富士通株式会社 | レジストパターンの形成方法 |
KR100573560B1 (ko) | 1997-10-30 | 2006-08-30 | 가오가부시끼가이샤 | 레지스트용현상액 |
KR19990037527A (ko) * | 1997-10-31 | 1999-05-25 | 후지쯔 가부시끼가이샤 | 폴리이미드계 감광성 수지조성물용 현상액 |
US6063550A (en) * | 1998-04-29 | 2000-05-16 | Morton International, Inc. | Aqueous developing solutions for reduced developer residue |
TWI221946B (en) | 1999-01-07 | 2004-10-11 | Kao Corp | Resist developer |
US6686126B2 (en) * | 2000-07-14 | 2004-02-03 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Developing solution for photosensitive lithographic printing plate, plate-making method of lithographic printing plate, and photosensitive lithographic printing plate |
TW594383B (en) * | 2001-02-21 | 2004-06-21 | Fuji Photo Film Co Ltd | Positive resist composition for electron beam |
US6503694B1 (en) * | 2001-06-12 | 2003-01-07 | Chi Mei Corporation | Developer solution and edge bead remover composition |
JP4230130B2 (ja) * | 2001-07-04 | 2009-02-25 | 富士フイルム株式会社 | 感光性平版印刷版用現像液及び平版印刷版の製版方法 |
KR100483371B1 (ko) * | 2001-10-10 | 2005-04-15 | 주식회사 아담스테크놀로지 | 포토레지스트용 수계 현상액 |
US20030196685A1 (en) * | 2001-12-18 | 2003-10-23 | Shipley Company, L.L.C. | Cleaning composition and method |
EP1335016A1 (de) * | 2002-02-06 | 2003-08-13 | Shipley Company LLC | Reinigungszusammensetzung |
US6599683B1 (en) * | 2002-02-13 | 2003-07-29 | Micron Technology, Inc. | Photoresist developer with reduced resist toppling and method of using same |
US6900003B2 (en) * | 2002-04-12 | 2005-05-31 | Shipley Company, L.L.C. | Photoresist processing aid and method |
US6887654B2 (en) * | 2002-05-07 | 2005-05-03 | Shipley Company, L.L.C. | Residue and scum reducing composition and method |
EP1361480A1 (de) * | 2002-05-07 | 2003-11-12 | Shipley Co. L.L.C. | Einlagerungsbeständiges Rückstandsreduzierungskonzentrat |
WO2004016571A2 (en) * | 2002-08-16 | 2004-02-26 | Sachem, Inc. | Lewis acid ionic liquids |
US7750166B2 (en) * | 2002-08-16 | 2010-07-06 | University Of South Alabama | Ionic liquids containing a sulfonate anion |
KR101020164B1 (ko) | 2003-07-17 | 2011-03-08 | 허니웰 인터내셔날 인코포레이티드 | 진보된 마이크로전자적 응용을 위한 평탄화 막, 및 이를제조하기 위한 장치 및 방법 |
CN1928724B (zh) * | 2005-09-05 | 2010-09-29 | 比亚迪股份有限公司 | 一种光阻显影液 |
WO2007028294A1 (en) * | 2005-09-05 | 2007-03-15 | Byd Company Limited | A developer solution for photoresist |
JP4657899B2 (ja) * | 2005-11-30 | 2011-03-23 | 富士通株式会社 | レジストパターン厚肉化材料、レジストパターンの形成方法、半導体装置及びその製造方法 |
KR101161029B1 (ko) * | 2006-01-06 | 2012-06-28 | 에버라이트 유에스에이, 인코오포레이티드 | 현상제 조성물 |
KR101682005B1 (ko) * | 2011-09-02 | 2016-12-02 | 주식회사 엘지화학 | 포토레지스트용 스트리퍼 조성물 |
KR102378341B1 (ko) * | 2015-06-11 | 2022-03-24 | 주식회사 이엔에프테크놀로지 | 포토레지스트 현상액 |
CN107145044A (zh) * | 2017-06-17 | 2017-09-08 | 广州西陇精细化工技术有限公司 | 一种平板显示使用的显影液组合物 |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4141733A (en) * | 1977-10-25 | 1979-02-27 | Eastman Kodak Company | Development of light-sensitive quinone diazide compositions |
Family Cites Families (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3868254A (en) * | 1972-11-29 | 1975-02-25 | Gaf Corp | Positive working quinone diazide lithographic plate compositions and articles having non-ionic surfactants |
JPS608494B2 (ja) * | 1978-03-01 | 1985-03-04 | 富士通株式会社 | ポジ型レジスト像の形成法 |
DE2925363C2 (de) * | 1978-06-23 | 1985-09-05 | Fuji Photo Film Co., Ltd., Minami-Ashigara, Kanagawa | Schutzmittel vom Emulsionstyp für die Oberfläche von lithographischen Druckplatten |
DE2925362C2 (de) * | 1978-06-23 | 1985-08-14 | Fuji Photo Film Co., Ltd., Minami-Ashigara, Kanagawa | Schutzmittel vom Emulsionstyp für die Oberfläche von lithographischen Druckplatten |
US4294911A (en) * | 1979-06-18 | 1981-10-13 | Eastman Kodak Company | Development of light-sensitive quinone diazide compositions using sulfite stabilizer |
US4308340A (en) * | 1980-08-08 | 1981-12-29 | American Hoechst Corporation | Aqueous 2-propoxyethanol containing processing composition for lithographic printing plates |
US4374920A (en) * | 1981-07-27 | 1983-02-22 | American Hoechst Corporation | Positive developer containing non-ionic surfactants |
JPS5854341A (ja) * | 1981-09-28 | 1983-03-31 | Fuji Photo Film Co Ltd | 現像方法および現像液 |
DE3230171A1 (de) * | 1982-08-13 | 1984-02-16 | Hoechst Ag, 6230 Frankfurt | Waessrig-alkalische loesung und verfahren zum entwickeln von positiv-arbeitenden reproduktionsschichten |
JPS59195641A (ja) * | 1983-04-21 | 1984-11-06 | Fuji Photo Film Co Ltd | 現像液組成物 |
JPS59219743A (ja) * | 1983-05-28 | 1984-12-11 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | ポジ型レジスト現像液 |
JPS59220732A (ja) * | 1983-05-31 | 1984-12-12 | Toshiba Corp | フオトレジスト現像液 |
US4556629A (en) * | 1983-12-21 | 1985-12-03 | Morton Thiokol, Inc. | Developer composition for positive photoresists using solution with cyclic quaternary ammonium hydroxides |
DE3346979A1 (de) * | 1983-12-24 | 1985-07-04 | Merck Patent Gmbh, 6100 Darmstadt | Entwickler fuer positivfotoresists |
KR850008058A (ko) * | 1984-05-16 | 1985-12-11 | 로이 에이취, 맷신길 | 양성 포토레지스트 전개제 및 전개방법 |
US4711836A (en) * | 1984-09-10 | 1987-12-08 | Olin Hunt Specialty Products, Inc. | Development of positive-working photoresist compositions |
US4613561A (en) * | 1984-10-17 | 1986-09-23 | James Marvin Lewis | Method of high contrast positive O-quinone diazide photoresist developing using pretreatment solution |
-
1986
- 1986-07-18 JP JP61167897A patent/JPH0638159B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1987
- 1987-06-26 US US07/067,312 patent/US4820621A/en not_active Expired - Lifetime
- 1987-07-01 GB GB8715459A patent/GB2193335B/en not_active Expired - Fee Related
- 1987-07-15 DE DE19873723429 patent/DE3723429A1/de active Granted
- 1987-07-18 KR KR1019870007790A patent/KR900005850B1/ko not_active IP Right Cessation
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4141733A (en) * | 1977-10-25 | 1979-02-27 | Eastman Kodak Company | Development of light-sensitive quinone diazide compositions |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE3915141A1 (de) * | 1988-05-10 | 1989-11-23 | Fuji Photo Film Co Ltd | Entwicklerzusammensetzung fuer vorsensibilisierte platten und verfahren zu deren entwicklung |
DE3915141C2 (de) * | 1988-05-10 | 2000-11-23 | Fuji Photo Film Co Ltd | Entwicklerzusammensetzung für vorsensibilisierte Platten und Verfahren zu deren Entwicklung |
DE3927693A1 (de) * | 1988-08-26 | 1990-03-01 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | Entwicklerloesung fuer positiv-arbeitende strahlenempfindliche gemische |
DE19755131A1 (de) * | 1997-12-11 | 1999-06-24 | Siemens Ag | Lösung von Tetramethylammoniumhydroxid in Wasser und Verfahren zur Herstellung der Lösung |
US6472130B1 (en) | 1997-12-11 | 2002-10-29 | Infineon Technologies Ag | Solution of tetramethylammonium hydroxide in water and a process for preparing the solution |
DE19755131C2 (de) * | 1997-12-11 | 2002-10-31 | Infineon Technologies Ag | Lösung von Tetramethylammoniumhydroxid in Wasser und Verfahren zur Herstellung der Lösung |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR900005850B1 (ko) | 1990-08-13 |
GB8715459D0 (en) | 1987-08-05 |
KR880002051A (ko) | 1988-04-28 |
JPS6325650A (ja) | 1988-02-03 |
JPH0638159B2 (ja) | 1994-05-18 |
GB2193335A (en) | 1988-02-03 |
US4820621B1 (de) | 1991-03-12 |
US4820621A (en) | 1989-04-11 |
GB2193335B (en) | 1990-02-14 |
DE3723429C2 (de) | 1992-12-17 |
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