JPS608494B2 - ポジ型レジスト像の形成法 - Google Patents
ポジ型レジスト像の形成法Info
- Publication number
- JPS608494B2 JPS608494B2 JP2306078A JP2306078A JPS608494B2 JP S608494 B2 JPS608494 B2 JP S608494B2 JP 2306078 A JP2306078 A JP 2306078A JP 2306078 A JP2306078 A JP 2306078A JP S608494 B2 JPS608494 B2 JP S608494B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- radiation
- positive resist
- resist image
- copolymer
- forming
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
- G03F7/30—Imagewise removal using liquid means
- G03F7/32—Liquid compositions therefor, e.g. developers
- G03F7/325—Non-aqueous compositions
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Non-Silver Salt Photosensitive Materials And Non-Silver Salt Photography (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はポジ型レジスト像の形成法に関するものである
。
。
メタクリル酸ェステル重合体にＸ線、Ｑ線、ｙ線等の放
射線を放射すると、照射部分は重合体の分子切断反応が
生起するため溶媒に対する熔解性が向上する。
射線を放射すると、照射部分は重合体の分子切断反応が
生起するため溶媒に対する熔解性が向上する。
この性質を利用してメタクリル酸ェステル重合体はポジ
型感放射性材料として、半導体装置製造における微細画
像レジストに用いるために検討されている。しかし、メ
タクリル酸ェステル重合体は優れた微細画像形成性を有
するものの、感度が低いため実用化に際し大きな障害と
なっている。感度はメタクリル酸ェステルとカルポン酸
を側鎖にもつ（メタ）アクリル酸との共重合体を用いる
ことによって向上させることができる。とくに、この場
合、現像液として無機塩基、有機塩基、エタノール等の
水溶液を用いると感度は著しく改善される。しかしなが
ら、このような現像液の使用は微細画像の形成性の低下
及び最終製品である半導体装置の電気的特性の低下をも
たらす。この点に鑑み本発明者らは鋭意研究したところ
特定の非イオン界面活性剤を溶解させた媒体を使用すれ
ば（メタ）アクリル酸ェステル共重合体の優れた性質、
例えば微細画像形成性を低下させることなく感度を向上
させることができることを見出し本発明に到達した。す
なわち、本発明の要旨とするところは一般式（１）及び
一般式（０） （式中、ＲＩ及びＲ２は水素原子またはメチル基を示し
、Ｒ３はメチル基、シア／基またはハロゲン原子を示し
、Ｒ４は低級アルキル基を示す）で表わされる単位を有
する共重合体を含む感放射線層に放射線を所定のパター
ン状に照射した後、感放射線層を一般式（ｍ）Ｒ５←Ｃ
ＱＣ日２０チｎＨ・・・・・・（ｍ）（式中、Ｒ５は高
級アルコール、アルキルフェノール、脂肪酸または多価
アルコール脂肪酸ェステルの残基を示し、ｎ‘ま５〜３
０の数を示す）で表わされるオキシェチレン単位を有す
る非イオン界面活性剤を溶解させた媒体で処理し放射線
照射部分を除去することを特徴とするポジ型レジスト像
の形成法に存する。
型感放射性材料として、半導体装置製造における微細画
像レジストに用いるために検討されている。しかし、メ
タクリル酸ェステル重合体は優れた微細画像形成性を有
するものの、感度が低いため実用化に際し大きな障害と
なっている。感度はメタクリル酸ェステルとカルポン酸
を側鎖にもつ（メタ）アクリル酸との共重合体を用いる
ことによって向上させることができる。とくに、この場
合、現像液として無機塩基、有機塩基、エタノール等の
水溶液を用いると感度は著しく改善される。しかしなが
ら、このような現像液の使用は微細画像の形成性の低下
及び最終製品である半導体装置の電気的特性の低下をも
たらす。この点に鑑み本発明者らは鋭意研究したところ
特定の非イオン界面活性剤を溶解させた媒体を使用すれ
ば（メタ）アクリル酸ェステル共重合体の優れた性質、
例えば微細画像形成性を低下させることなく感度を向上
させることができることを見出し本発明に到達した。す
なわち、本発明の要旨とするところは一般式（１）及び
一般式（０） （式中、ＲＩ及びＲ２は水素原子またはメチル基を示し
、Ｒ３はメチル基、シア／基またはハロゲン原子を示し
、Ｒ４は低級アルキル基を示す）で表わされる単位を有
する共重合体を含む感放射線層に放射線を所定のパター
ン状に照射した後、感放射線層を一般式（ｍ）Ｒ５←Ｃ
ＱＣ日２０チｎＨ・・・・・・（ｍ）（式中、Ｒ５は高
級アルコール、アルキルフェノール、脂肪酸または多価
アルコール脂肪酸ェステルの残基を示し、ｎ‘ま５〜３
０の数を示す）で表わされるオキシェチレン単位を有す
る非イオン界面活性剤を溶解させた媒体で処理し放射線
照射部分を除去することを特徴とするポジ型レジスト像
の形成法に存する。
以下本発明を詳細に説明するに、本発明方法においては
前記一般式（１）及び（０）で表わされる単位を有する
共重合体を感放射線材料として用いる。
前記一般式（１）及び（０）で表わされる単位を有する
共重合体を感放射線材料として用いる。
このような重合体は例えばアクリル酸、メタクリル酸、
クロトン酸などの前記一般式（１）で表わされる単位を
形成するモノマーと、メチルメタクリレート、エチルメ
タクリレート、プロピルメタクリレート、ブチルメタク
リレート、２−ヒドロキシェチルメタクリレートなどの
メタクリル酸エステル；メチル一Ｑーシアノアクリレー
ト、エチル一Ｑ−シアノアクリレート、ブチルーＱ−シ
アノアクリレートなどのＱ−シアノアクリル酸ェステル
；メチル一Ｑ−クロロアクリレート、ブチル−Ｑ−クロ
ロアクリレートなどのＱ−ハ。
クロトン酸などの前記一般式（１）で表わされる単位を
形成するモノマーと、メチルメタクリレート、エチルメ
タクリレート、プロピルメタクリレート、ブチルメタク
リレート、２−ヒドロキシェチルメタクリレートなどの
メタクリル酸エステル；メチル一Ｑーシアノアクリレー
ト、エチル一Ｑ−シアノアクリレート、ブチルーＱ−シ
アノアクリレートなどのＱ−シアノアクリル酸ェステル
；メチル一Ｑ−クロロアクリレート、ブチル−Ｑ−クロ
ロアクリレートなどのＱ−ハ。
ゲノアクリル酸ェステル等の前記一般式（ｍで表わされ
る単位を形成するモノマ−とを常法に従って共重合する
ことにより製造される。勿論、重合体は共重合により得
られるものに限定されるわけではなく、加水分解、ェス
テル交換などの高分子反応により得られるものであって
もよい。本発明方法はこれらの共重合体の中でもｎ−フ
チル−Ｑ−シアノアクリレートーメタクリル酸共重合体
に対してとくに有効である。
る単位を形成するモノマ−とを常法に従って共重合する
ことにより製造される。勿論、重合体は共重合により得
られるものに限定されるわけではなく、加水分解、ェス
テル交換などの高分子反応により得られるものであって
もよい。本発明方法はこれらの共重合体の中でもｎ−フ
チル−Ｑ−シアノアクリレートーメタクリル酸共重合体
に対してとくに有効である。
そして普通分子量が１〜５００万、好ましくは約５方〜
５０万の重合体が使用される。重合体の分子量は余り高
いと精製が困難であったり、期板上への薄膜塗布が難し
くなるので好ましくない。また、分子量が余り低いと感
度が低下する。また前記一般式（１）で表わされる単位
の共重合体中の含有量は普通５〜５０モル％であり前記
一般式（ロ）で表わされる単位の含有量は普通９５〜５
０モル％である。更に、共重合体は放射線感度を低下さ
せない、あるいは放射線照射により不溶性の物質を形成
しない前記一般式（１）及び（０）で表わされる単位以
外のエチレン性不飽和モノマーより形成される単位を徴
量例えば１０モル％以下含んでいてもよい。前記共重合
体を必要に応じ増感剤のような添加剤とともに溶媒に溶
解し、この溶液を基板上に塗布すれば感放射線層を形成
させることができる。
５０万の重合体が使用される。重合体の分子量は余り高
いと精製が困難であったり、期板上への薄膜塗布が難し
くなるので好ましくない。また、分子量が余り低いと感
度が低下する。また前記一般式（１）で表わされる単位
の共重合体中の含有量は普通５〜５０モル％であり前記
一般式（ロ）で表わされる単位の含有量は普通９５〜５
０モル％である。更に、共重合体は放射線感度を低下さ
せない、あるいは放射線照射により不溶性の物質を形成
しない前記一般式（１）及び（０）で表わされる単位以
外のエチレン性不飽和モノマーより形成される単位を徴
量例えば１０モル％以下含んでいてもよい。前記共重合
体を必要に応じ増感剤のような添加剤とともに溶媒に溶
解し、この溶液を基板上に塗布すれば感放射線層を形成
させることができる。
感放射線層の形成は常法に従って行なうことができ、通
常０．０１〜２０仏の膜厚の感放射線層が形成される。
半導体装置製造におけるエッチング用のレジスト膜とし
ては０．３〜３仏の腹厚が好適である。感放射線層を形
成させるにあたり使用される溶媒としては前記共重合体
を溶解するものであればよく例えばメチルエチルケトン
、メチルイソブチルケトン、キシレン、シクロヘキサノ
ン、４−メトキシ−４−メチルベタノン−２（ベントキ
ソン）、２ーメトキシエチルアセテート、２ーエトキシ
エチルアセテート、エチレングリコ一ルモノメチルエー
テル、エチレングリコ一ルモノヱチルェーテル等が挙げ
られる。
常０．０１〜２０仏の膜厚の感放射線層が形成される。
半導体装置製造におけるエッチング用のレジスト膜とし
ては０．３〜３仏の腹厚が好適である。感放射線層を形
成させるにあたり使用される溶媒としては前記共重合体
を溶解するものであればよく例えばメチルエチルケトン
、メチルイソブチルケトン、キシレン、シクロヘキサノ
ン、４−メトキシ−４−メチルベタノン−２（ベントキ
ソン）、２ーメトキシエチルアセテート、２ーエトキシ
エチルアセテート、エチレングリコ一ルモノメチルエー
テル、エチレングリコ一ルモノヱチルェーテル等が挙げ
られる。
これらのうちではペントキソンのようなケトェーテル類
がとくに好ましい。また、感放射線層が形成される基板
としては、半導体及びフオトマスク製造に普通用いられ
る材料、例えばシリコン、二酸化シリコン、窒化シリコ
ン、アルミニウム、チタニウム、フ。
がとくに好ましい。また、感放射線層が形成される基板
としては、半導体及びフオトマスク製造に普通用いられ
る材料、例えばシリコン、二酸化シリコン、窒化シリコ
ン、アルミニウム、チタニウム、フ。
ラチナ、／ゞラジウム、銅、タングステン、クロム、モ
リブデン、金、燐ガラス、ボロンガラス、酸化クロム、
酸化鉄、酸化アルミ等からなる板が使用される。勿論、
感放射線層形成後、層中のひずみの緩和、こん跡の溶媒
の除去および接着性をあげるために常法に従ってプリベ
ークを行なってもよい。プリベークは通常共重合体のガ
ラス転移温度以上熱分解温度以下の温度例えば８０〜２
２０ｏｏで行なわれる。このような感放射線層に放射線
を所定のパターン状に照射した後、現像液で処理すれば
ポジ型レジスト像が得られる。
リブデン、金、燐ガラス、ボロンガラス、酸化クロム、
酸化鉄、酸化アルミ等からなる板が使用される。勿論、
感放射線層形成後、層中のひずみの緩和、こん跡の溶媒
の除去および接着性をあげるために常法に従ってプリベ
ークを行なってもよい。プリベークは通常共重合体のガ
ラス転移温度以上熱分解温度以下の温度例えば８０〜２
２０ｏｏで行なわれる。このような感放射線層に放射線
を所定のパターン状に照射した後、現像液で処理すれば
ポジ型レジスト像が得られる。
放射線としては電子線、Ｘ線、Ｑ線、ッ線等が使用され
る。また照射方法としては周知の種々の方法がいずれも
採用できる。本発明においては現像液として前記一般式
（ｍ）で表わされるオキシェチレン単位を有する非イオ
ン界面活性剤を溶解させた媒体を使用するこが必須であ
る。
る。また照射方法としては周知の種々の方法がいずれも
採用できる。本発明においては現像液として前記一般式
（ｍ）で表わされるオキシェチレン単位を有する非イオ
ン界面活性剤を溶解させた媒体を使用するこが必須であ
る。
前記一般式（ｍ）においてｎは５〜３０の数である。こ
のような非イオン界面剤としては周知の種々のものを挙
げることができるが、具体的には例えば高級アルコール
エチレンオキサイド付加物、アルキルフェノールェチレ
ンオキサィド付加物、脂肪酸エチレンオキサィド付加物
、多価アルコール脂肪酸ェステルェチレンオキサイド付
加物を挙げることができる。より具体的には、高級アル
コールエチレンオキサイド付加物としてはラウリルアル
コール、セチルアルコール、オレイルアルコール、ステ
アリルアルコール、ヤシ油還元アルコール、マッコーア
ルコール等の天然アルコールまたはチグラーアルコール
、改良オキソアルコール等の合成アルコールのエチレン
オキサィド付加物が挙げられ、アルキルフェノールヱチ
レンオキサィド付加物としては／ニルフエノール、ラウ
リルフエノール、オクチルフエ／−ル等のアルキルフヱ
ノールのエチレンオキサイド付加物が挙げられ、脂肪酸
エチレンオキサィド付加物としてはポリエチレングリコ
ールラウリン酸モノ（又はジ）ェステル、ステアリン酸
モノ（又はジ）ェステル、オレィン酸モノ（又はジ）ェ
ステル等が挙げられ、多価アルコール脂肪酸ェステルヱ
チレンオキサイド付加物としてはソルビタンラウリン酸
モノェステル、ソルビタンパルミチン酸モノェステル、
スルビタンステアリン酸モノェステル、ソルビタンオレ
ィン酸モノェステル等の多価アルコール脂肪酸ェステル
のエチレンオキサイド付加物が挙げられる。勿論、これ
なの非イオン界面活性剤は二種以上混合してもよい。こ
れらの非イオン界面活性剤の中でとくに好ましいものは
ノニフエニルフエノールアルキレンオキサィド付加物に
代表されるアルキルフェノールェチレンオキサィド付加
物である。現像液に使用される媒体としては前記非イオ
ン界面活性剤を溶解するものであればよく、具体的には
例えば水；メタノール、エタノール、ィソプ。
のような非イオン界面剤としては周知の種々のものを挙
げることができるが、具体的には例えば高級アルコール
エチレンオキサイド付加物、アルキルフェノールェチレ
ンオキサィド付加物、脂肪酸エチレンオキサィド付加物
、多価アルコール脂肪酸ェステルェチレンオキサイド付
加物を挙げることができる。より具体的には、高級アル
コールエチレンオキサイド付加物としてはラウリルアル
コール、セチルアルコール、オレイルアルコール、ステ
アリルアルコール、ヤシ油還元アルコール、マッコーア
ルコール等の天然アルコールまたはチグラーアルコール
、改良オキソアルコール等の合成アルコールのエチレン
オキサィド付加物が挙げられ、アルキルフェノールヱチ
レンオキサィド付加物としては／ニルフエノール、ラウ
リルフエノール、オクチルフエ／−ル等のアルキルフヱ
ノールのエチレンオキサイド付加物が挙げられ、脂肪酸
エチレンオキサィド付加物としてはポリエチレングリコ
ールラウリン酸モノ（又はジ）ェステル、ステアリン酸
モノ（又はジ）ェステル、オレィン酸モノ（又はジ）ェ
ステル等が挙げられ、多価アルコール脂肪酸ェステルヱ
チレンオキサイド付加物としてはソルビタンラウリン酸
モノェステル、ソルビタンパルミチン酸モノェステル、
スルビタンステアリン酸モノェステル、ソルビタンオレ
ィン酸モノェステル等の多価アルコール脂肪酸ェステル
のエチレンオキサイド付加物が挙げられる。勿論、これ
なの非イオン界面活性剤は二種以上混合してもよい。こ
れらの非イオン界面活性剤の中でとくに好ましいものは
ノニフエニルフエノールアルキレンオキサィド付加物に
代表されるアルキルフェノールェチレンオキサィド付加
物である。現像液に使用される媒体としては前記非イオ
ン界面活性剤を溶解するものであればよく、具体的には
例えば水；メタノール、エタノール、ィソプ。
パノール等のアルコール類：ジオキサン、テトラヒドロ
フラン等の環状エーテル類；エチレングリコ一ルモノエ
チルエーナル、エチレングリコ一ルモノメチルェーテル
等のエーテル類などが挙げられとくにアルコール類が好
適である。必要に応じ媒体は２種以上混合して使用して
もよい。媒体中の非イオン界面活性剤の濃度は種々の条
件によって異なるが、低過ぎても高過ぎても本発明の目
的を達成することが難しいので通常０．１〜２０夕／ｄ
夕、好ましくは１〜１０夕／ｄその範囲である。このよ
うにして形成されたポジ型レジスト像に対して常法に従
って媒体の除去、接着性及び耐エッチャント性を向上さ
せるためにポストべ−クを施してもよい。
フラン等の環状エーテル類；エチレングリコ一ルモノエ
チルエーナル、エチレングリコ一ルモノメチルェーテル
等のエーテル類などが挙げられとくにアルコール類が好
適である。必要に応じ媒体は２種以上混合して使用して
もよい。媒体中の非イオン界面活性剤の濃度は種々の条
件によって異なるが、低過ぎても高過ぎても本発明の目
的を達成することが難しいので通常０．１〜２０夕／ｄ
夕、好ましくは１〜１０夕／ｄその範囲である。このよ
うにして形成されたポジ型レジスト像に対して常法に従
って媒体の除去、接着性及び耐エッチャント性を向上さ
せるためにポストべ−クを施してもよい。
ポストベースは共重合体の融点または流動点より低い温
度例えば１００〜１７０ｑＣで行なわれる。以上本発明
について詳細に説明したが、本発明方法は従来法に比し
以下のような利点を有する。
度例えば１００〜１７０ｑＣで行なわれる。以上本発明
について詳細に説明したが、本発明方法は従来法に比し
以下のような利点を有する。
■ 感放射線材料として用いる前記単位を含む共重合体
は熱安定性が高く、かつＣＦ４ガスプラズマなどに対す
る耐性が強いため、ＣＦ４ガスプラズマエッチング、イ
オン・ビームエッチング、スパッタエッチング、リフト
オフ・メタライゼーション等に使用することができる。
■ 現像液として前記非イオン界面活性剤を溶解させた
媒体を使用することにより感度及びｙ値を高めることが
できる。
は熱安定性が高く、かつＣＦ４ガスプラズマなどに対す
る耐性が強いため、ＣＦ４ガスプラズマエッチング、イ
オン・ビームエッチング、スパッタエッチング、リフト
オフ・メタライゼーション等に使用することができる。
■ 現像液として前記非イオン界面活性剤を溶解させた
媒体を使用することにより感度及びｙ値を高めることが
できる。
すなわち、比較的低エネルギー量及び短時間の照射によ
ってコントラストの高い画像を得ることができる。例え
ば、ペントキソン、メチルイソブチルケトンなどの有機
溶媒単独を現像液として用いた場合に較べて１／１０〜
１／１００、また、無機物のアルカリ性水溶液を現像液
とした場合に較べて１／２〜１／１０の放射線の照射量
で充分に所望のポジティブ・レジスト像が得られる。こ
のような利点を有する本発明方法は微細画像が要求され
るＩＣ、超偽１等の半導体製造に適用することができる
。
ってコントラストの高い画像を得ることができる。例え
ば、ペントキソン、メチルイソブチルケトンなどの有機
溶媒単独を現像液として用いた場合に較べて１／１０〜
１／１００、また、無機物のアルカリ性水溶液を現像液
とした場合に較べて１／２〜１／１０の放射線の照射量
で充分に所望のポジティブ・レジスト像が得られる。こ
のような利点を有する本発明方法は微細画像が要求され
るＩＣ、超偽１等の半導体製造に適用することができる
。
以下実施例にり本発明を更に具体的に説明するが本発明
はその要旨をこえない限り以下の実施例に限定されるも
のではない。
はその要旨をこえない限り以下の実施例に限定されるも
のではない。
実施例 １
アニオン重合禁止剤として酢酸を５重量％添加したｎ−
ブチル−Ｑーシアノアクリレート７．５夕と蒸留精製し
たメタクリル酸２．０夕とをテトラヒドロフラン３８タ
中でアゾピスイソプチロニトリル０．０３８夕を開始剤
として６０００の恒温槽で５時間共重合反応を行なった
、得られた反応液を石油エーテルで処理して共重合体を
回収した。
ブチル−Ｑーシアノアクリレート７．５夕と蒸留精製し
たメタクリル酸２．０夕とをテトラヒドロフラン３８タ
中でアゾピスイソプチロニトリル０．０３８夕を開始剤
として６０００の恒温槽で５時間共重合反応を行なった
、得られた反応液を石油エーテルで処理して共重合体を
回収した。
得られた共重合体の還元粘度（りＳＰ／Ｃ）は１．５３
８９、共重合組成比（メタクリル酸／ｎーブチルーＱ−
シアノアクリレート）は１９．３／８０．７（モル比）
であった。なお、還元粘度は０，２夕／ｄそのテトラヒ
ドフラン溶液について３０ｑ０で測定したものでる。上
記共重合体を４ーメトキシー４ーメチルベンタノン−２
に溶解し７重量％溶液とした後、１．０〆ｍのメンブラ
ンフィルターで炉過精製した。この溶液を厚さ０．４ム
ｍのシリコン酸化膜で覆ったシリコン基板上に滴下し７
０仇．ｐ．ｍで６０秒間回転塗布した後、空気中１００
ｑｏで３０秒間プリベークし、シリコン基板上に厚さ０
．９一ｍの感放射線層を形成した。次に、この感放射線
層に高真空中で加速電圧２０ＫＶの電子線をプログラム
に従い、照射した後、ノニルフェノールェチレンオキサ
ィド付加物（ＨＬＢ：１２．４）を８９タノｄそ溶解さ
せたエタノールからなる現像液に１１分間浸潰し、引続
きすみやかに２４ｑｏのインプロピルアルコールに１分
間浸潰した。現像液終了後、現像によって生じた銭膜の
厚さを測定した。電子線照射量をかえることにより電子
線照射量と残膜率（＝照射後の膜厚／照射前の膜厚）の
関係を示す感電子線特性曲線を求め、この曲線から残膜
率０にするのに必要な電子線照射量（感度）及びｙ値を
求めたところ夫々２．７×１０‐６クーロン／係及び２
．５であった。なお、ｙ値は下式より求めた。０．５ ｙ＝一ｌｏｇ Ｄ。
８９、共重合組成比（メタクリル酸／ｎーブチルーＱ−
シアノアクリレート）は１９．３／８０．７（モル比）
であった。なお、還元粘度は０，２夕／ｄそのテトラヒ
ドフラン溶液について３０ｑ０で測定したものでる。上
記共重合体を４ーメトキシー４ーメチルベンタノン−２
に溶解し７重量％溶液とした後、１．０〆ｍのメンブラ
ンフィルターで炉過精製した。この溶液を厚さ０．４ム
ｍのシリコン酸化膜で覆ったシリコン基板上に滴下し７
０仇．ｐ．ｍで６０秒間回転塗布した後、空気中１００
ｑｏで３０秒間プリベークし、シリコン基板上に厚さ０
．９一ｍの感放射線層を形成した。次に、この感放射線
層に高真空中で加速電圧２０ＫＶの電子線をプログラム
に従い、照射した後、ノニルフェノールェチレンオキサ
ィド付加物（ＨＬＢ：１２．４）を８９タノｄそ溶解さ
せたエタノールからなる現像液に１１分間浸潰し、引続
きすみやかに２４ｑｏのインプロピルアルコールに１分
間浸潰した。現像液終了後、現像によって生じた銭膜の
厚さを測定した。電子線照射量をかえることにより電子
線照射量と残膜率（＝照射後の膜厚／照射前の膜厚）の
関係を示す感電子線特性曲線を求め、この曲線から残膜
率０にするのに必要な電子線照射量（感度）及びｙ値を
求めたところ夫々２．７×１０‐６クーロン／係及び２
．５であった。なお、ｙ値は下式より求めた。０．５ ｙ＝一ｌｏｇ Ｄ。
．５−ｌｏｇ Ｄ。（式中、Ｄ。
．５は残膜率０．５にするのに必要な電子線照射量を示
し、Ｄｏは残膜率０にするのに必要な電子線照射量を示
す）実施例 ２ 実施例１で製造した感放射線層に６×１０‐６クーロン
／地の電子線を照射し実施例１と同様に現像して中２．
０ムｍ、長さ１００ムラィンパターンを得た。
し、Ｄｏは残膜率０にするのに必要な電子線照射量を示
す）実施例 ２ 実施例１で製造した感放射線層に６×１０‐６クーロン
／地の電子線を照射し実施例１と同様に現像して中２．
０ムｍ、長さ１００ムラィンパターンを得た。
このパターン像を走査型電子顕微鏡（以下ＳＥＭという
）で観察したところ残膜もなくエッジがシャープなライ
ンパターンが得られた。比較例 １実施例１において現
像液としてエタノール単独を用いた以外は全く同様にし
て現像を行なった。
）で観察したところ残膜もなくエッジがシャープなライ
ンパターンが得られた。比較例 １実施例１において現
像液としてエタノール単独を用いた以外は全く同様にし
て現像を行なった。
この場合、電子線照射量が増すにつれて現像後の残膜は
減少し３×１０‐６〜３×１０‐５クーロン／地の電子
線照射量で最小残膜率を示すが残膜率は０とならず０．
０５〜０．２の範囲であった。また、６×１０‐６クー
ロン／均の電子線をラインパターン状に照射した後、現
像により得られたパターンをＳＥＭで観察すると電子線
照射部に残膜が認められ、かつパターンの側面は凹凸の
激しい形状をしていた。実施例 ３〜５ 還元粘度１．７９４１で共重合組成比（メタクリル酸／
ｎ−Ｑ−シアノブチルアクリレート）が３９．３／６０
．７（モル比）の共重合体を用い実施例１と同様にして
感放射線層を形成した後、１３０ｑＣで３０分間ブリベ
ークした。
減少し３×１０‐６〜３×１０‐５クーロン／地の電子
線照射量で最小残膜率を示すが残膜率は０とならず０．
０５〜０．２の範囲であった。また、６×１０‐６クー
ロン／均の電子線をラインパターン状に照射した後、現
像により得られたパターンをＳＥＭで観察すると電子線
照射部に残膜が認められ、かつパターンの側面は凹凸の
激しい形状をしていた。実施例 ３〜５ 還元粘度１．７９４１で共重合組成比（メタクリル酸／
ｎ−Ｑ−シアノブチルアクリレート）が３９．３／６０
．７（モル比）の共重合体を用い実施例１と同様にして
感放射線層を形成した後、１３０ｑＣで３０分間ブリベ
ークした。
実施例１と同様にしてこの感放射線層に電子線を照射し
表−１に示す組成の現像液で現像し感度及びｙ値を求め
表−１に示した。
表−１に示す組成の現像液で現像し感度及びｙ値を求め
表−１に示した。
表 − １
比較例 ２
実施例３において現像液としてエタノール単独を用いた
以外は全く同様にして現像を行なった。
以外は全く同様にして現像を行なった。
この場合８×１０‐６クーロン／地の電子線を照射して
も残膜率は０にならなかった。実施例 ６〜９ 実施例１において共重合体として表−２に示すものを使
用する以外は実施例１と同様にしてパターンを形成した
。
も残膜率は０にならなかった。実施例 ６〜９ 実施例１において共重合体として表−２に示すものを使
用する以外は実施例１と同様にしてパターンを形成した
。
結果を表−２に示す。なお、感度は実施例１と同様にし
て求めた。泰 一 ２
て求めた。泰 一 ２
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 一般式（I） ▲数式、化学式、表等があります▼ 及び一般式（II） ▲数式、化学式、表等があります▼ （式中、Ｒ＾１及びＲ＾２は水素原子またはメチル基
を示し、Ｒ＾３はメチル基、シアノ基またはハロゲン原
子を示し、Ｒ＾４は低級アルキル基を示す）で表わされ
る単位を有する共重合体を含む感放射線層に放射線を所
定のパターン状に照射した後、感放射線層を一般式（I
II） Ｒ＾５−（ＣＨ＿２ＣＨ＿２Ｏ）＿ｎ−Ｈ……（
III） （式中、Ｒ＾５は高級アルコール、アルキルフ
エノール、脂肪酸または、多価アルコール脂肪酸エステ
ルの残基を示し、ｎは５〜３０の数を示す）で表わされ
るオキシエチレン単位を有する非イオン界面活性剤を溶
解させた媒体で処理し放射線照射部分を除去することを
特徴とするポジ型レジスト像の形成法。 ２ 特許請求の範囲第１項記載のポジ型レジスト像の形
成法において、共重合体がｎ−ブチル−α−シアノアク
リレート−メタクリル酸共重合体である方法。 ３ 特許請求の範囲第１項または第２項記載のポジ型レ
ジスト像の形成法において、媒体がアルコール類である
方法。 ４ 特許請求の範囲第１項または第２項記載のポジ型レ
ジスト像の形成法において、媒体が水である方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2306078A JPS608494B2 (ja) | 1978-03-01 | 1978-03-01 | ポジ型レジスト像の形成法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2306078A JPS608494B2 (ja) | 1978-03-01 | 1978-03-01 | ポジ型レジスト像の形成法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS54116227A JPS54116227A (en) | 1979-09-10 |
| JPS608494B2 true JPS608494B2 (ja) | 1985-03-04 |
Family
ID=12099876
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2306078A Expired JPS608494B2 (ja) | 1978-03-01 | 1978-03-01 | ポジ型レジスト像の形成法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS608494B2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61167499U (ja) * | 1985-04-09 | 1986-10-17 | ||
| JPH0399893U (ja) * | 1989-11-08 | 1991-10-18 | ||
| JPH03237291A (ja) * | 1990-02-14 | 1991-10-23 | World Chem:Kk | マグネットポンプ |
| US11378084B2 (en) | 2013-09-12 | 2022-07-05 | Ebara Corporation | Apparatus and method for alleviating and preventing cavitation surge of water supply conduit system |
Families Citing this family (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS55134847A (en) * | 1979-04-06 | 1980-10-21 | Nec Corp | Manufacture of resist image |
| DE3469074D1 (en) * | 1983-06-17 | 1988-03-03 | Petrarch Systems Inc | High contrast photoresist developer |
| DE3346979A1 (de) * | 1983-12-24 | 1985-07-04 | Merck Patent Gmbh, 6100 Darmstadt | Entwickler fuer positivfotoresists |
| JPH063549B2 (ja) * | 1984-12-25 | 1994-01-12 | 株式会社東芝 | ポジ型フォトレジスト現像液組成物 |
| JPH0638396B2 (ja) * | 1985-02-04 | 1994-05-18 | ソニー株式会社 | ポジタイプフオトレジストの現像方法 |
| JPS61185745A (ja) * | 1985-02-14 | 1986-08-19 | Toshiba Corp | ポジ型フオトレジスト現像液組成物 |
| JPH0638159B2 (ja) * | 1986-07-18 | 1994-05-18 | 東京応化工業株式会社 | ポジ型ホトレジスト用現像液 |
| US5001036A (en) * | 1989-03-03 | 1991-03-19 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Multi-layer peel-apart photosensitive reproduction element containing a photorelease layer |
-
1978
- 1978-03-01 JP JP2306078A patent/JPS608494B2/ja not_active Expired
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61167499U (ja) * | 1985-04-09 | 1986-10-17 | ||
| JPH0399893U (ja) * | 1989-11-08 | 1991-10-18 | ||
| JPH03237291A (ja) * | 1990-02-14 | 1991-10-23 | World Chem:Kk | マグネットポンプ |
| US11378084B2 (en) | 2013-09-12 | 2022-07-05 | Ebara Corporation | Apparatus and method for alleviating and preventing cavitation surge of water supply conduit system |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS54116227A (en) | 1979-09-10 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US7662897B2 (en) | Process for producing photoresist polymeric compounds | |
| TWI241462B (en) | Process for producing film forming resins for photoresist compositions | |
| JP3368888B2 (ja) | 有機金属重合体およびその使用 | |
| JP6958572B2 (ja) | 重合体、ポジ型レジスト組成物、及びレジストパターン形成方法 | |
| JPS608494B2 (ja) | ポジ型レジスト像の形成法 | |
| EP0043116B1 (en) | Negative-working resists for recording high-energy radiation | |
| TW200530272A (en) | A preparation process of copolymer for semiconductor lithography and a copolymer for semiconductor lithography available by this process | |
| JPH0119135B2 (ja) | ||
| JPS608493B2 (ja) | ポジ型レジスト像の形成方法 | |
| KR100749494B1 (ko) | 화학증폭형 네가티브 포토레지스트용 중합체 및 포토레지스트 조성물 | |
| JP2001081141A (ja) | フォトレジスト用共重合体とその製造方法、フォトレジスト組成物、フォトレジストパターン形成方法、及び、半導体素子 | |
| JP2003313249A (ja) | 感光性ポリマー及びこれを含むレジスト組成物と、フォトレジストパターン形成方法 | |
| JPH0139569B2 (ja) | ||
| JPH087441B2 (ja) | ポジ型高感度放射線感応性レジスト | |
| JPWO2019151019A1 (ja) | ポジ型レジスト組成物、レジスト膜形成方法、及び積層体の製造方法 | |
| US20180164685A1 (en) | Method using silicon-containing underlayers | |
| JPS6374054A (ja) | ポジ型レジストの現像方法 | |
| JPH01217020A (ja) | ポリアクリル酸誘導体 | |
| JPH0358102B2 (ja) | ||
| JPH05249684A (ja) | ポジ型電子線レジスト組成物 | |
| JPH0113093B2 (ja) | ||
| US4885344A (en) | Polymeric materials and their use as resists | |
| JPS6259950A (ja) | 電離放射線感応ポジ型レジスト | |
| JP2020084007A (ja) | 重合体及びポジ型レジスト組成物 | |
| JPS649613B2 (ja) |