JPS6325650A - ポジ型ホトレジスト用現像液 - Google Patents
ポジ型ホトレジスト用現像液Info
- Publication number
- JPS6325650A JPS6325650A JP61167897A JP16789786A JPS6325650A JP S6325650 A JPS6325650 A JP S6325650A JP 61167897 A JP61167897 A JP 61167897A JP 16789786 A JP16789786 A JP 16789786A JP S6325650 A JPS6325650 A JP S6325650A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- developer
- scum
- positive type
- type photoresist
- positive photoresist
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 title claims abstract description 28
- 229910021645 metal ion Inorganic materials 0.000 claims abstract description 10
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 claims abstract description 6
- 150000007530 organic bases Chemical group 0.000 claims description 8
- 239000002075 main ingredient Substances 0.000 claims description 5
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 claims description 4
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 3
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 claims description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 abstract description 10
- 238000011161 development Methods 0.000 abstract description 9
- 239000002736 nonionic surfactant Substances 0.000 abstract description 9
- 229920005989 resin Polymers 0.000 abstract description 4
- 239000011347 resin Substances 0.000 abstract description 4
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 abstract description 2
- WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M tetramethylammonium hydroxide Chemical compound [OH-].C[N+](C)(C)C WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 8
- 238000000034 method Methods 0.000 description 7
- -1 naphthoquinone diazide compound Chemical class 0.000 description 7
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 4
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229920003986 novolac Polymers 0.000 description 4
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 4
- RWRDLPDLKQPQOW-UHFFFAOYSA-N Pyrrolidine Chemical compound C1CCNC1 RWRDLPDLKQPQOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 3
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 3
- 238000004090 dissolution Methods 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 3
- 239000010408 film Substances 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 3
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 3
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NQRYJNQNLNOLGT-UHFFFAOYSA-N Piperidine Chemical compound C1CCNCC1 NQRYJNQNLNOLGT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KYQCOXFCLRTKLS-UHFFFAOYSA-N Pyrazine Chemical compound C1=CN=CC=N1 KYQCOXFCLRTKLS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- JUJWROOIHBZHMG-UHFFFAOYSA-N Pyridine Chemical compound C1=CC=NC=C1 JUJWROOIHBZHMG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KAESVJOAVNADME-UHFFFAOYSA-N Pyrrole Chemical compound C=1C=CNC=1 KAESVJOAVNADME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 2
- 230000035699 permeability Effects 0.000 description 2
- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 description 2
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 2
- XFNJVJPLKCPIBV-UHFFFAOYSA-N trimethylenediamine Chemical compound NCCCN XFNJVJPLKCPIBV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QZHXKQKKEBXYRG-UHFFFAOYSA-N 4-n-(4-aminophenyl)benzene-1,4-diamine Chemical compound C1=CC(N)=CC=C1NC1=CC=C(N)C=C1 QZHXKQKKEBXYRG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N Ammonium hydroxide Chemical compound [NH4+].[OH-] VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZCQWOFVYLHDMMC-UHFFFAOYSA-N Oxazole Chemical compound C1=COC=N1 ZCQWOFVYLHDMMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PCNDJXKNXGMECE-UHFFFAOYSA-N Phenazine Natural products C1=CC=CC2=NC3=CC=CC=C3N=C21 PCNDJXKNXGMECE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N Sulfur Chemical compound [S] NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FZWLAAWBMGSTSO-UHFFFAOYSA-N Thiazole Chemical compound C1=CSC=N1 FZWLAAWBMGSTSO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007792 addition Methods 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 150000003973 alkyl amines Chemical class 0.000 description 1
- 125000005263 alkylenediamine group Chemical group 0.000 description 1
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 description 1
- 239000000908 ammonium hydroxide Substances 0.000 description 1
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 description 1
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 1
- 239000003093 cationic surfactant Substances 0.000 description 1
- 239000007795 chemical reaction product Substances 0.000 description 1
- OEYIOHPDSNJKLS-UHFFFAOYSA-N choline Chemical compound C[N+](C)(C)CCO OEYIOHPDSNJKLS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229960001231 choline Drugs 0.000 description 1
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 230000002542 deteriorative effect Effects 0.000 description 1
- 150000004985 diamines Chemical class 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 1
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 1
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 1
- 229940083124 ganglion-blocking antiadrenergic secondary and tertiary amines Drugs 0.000 description 1
- 125000005842 heteroatom Chemical group 0.000 description 1
- 125000000623 heterocyclic group Chemical group 0.000 description 1
- 150000002466 imines Chemical class 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004382 potting Methods 0.000 description 1
- 239000000047 product Substances 0.000 description 1
- UMJSCPRVCHMLSP-UHFFFAOYSA-N pyridine Natural products COC1=CC=CN=C1 UMJSCPRVCHMLSP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HNJBEVLQSNELDL-UHFFFAOYSA-N pyrrolidin-2-one Chemical compound O=C1CCCN1 HNJBEVLQSNELDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 239000003381 stabilizer Substances 0.000 description 1
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 1
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011593 sulfur Substances 0.000 description 1
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 description 1
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 1
- 238000009736 wetting Methods 0.000 description 1
- 239000000080 wetting agent Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03C—PHOTOSENSITIVE MATERIALS FOR PHOTOGRAPHIC PURPOSES; PHOTOGRAPHIC PROCESSES, e.g. CINE, X-RAY, COLOUR, STEREO-PHOTOGRAPHIC PROCESSES; AUXILIARY PROCESSES IN PHOTOGRAPHY
- G03C1/00—Photosensitive materials
- G03C1/005—Silver halide emulsions; Preparation thereof; Physical treatment thereof; Incorporation of additives therein
- G03C1/06—Silver halide emulsions; Preparation thereof; Physical treatment thereof; Incorporation of additives therein with non-macromolecular additives
- G03C1/08—Sensitivity-increasing substances
- G03C1/10—Organic substances
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
- G03F7/30—Imagewise removal using liquid means
- G03F7/32—Liquid compositions therefor, e.g. developers
- G03F7/322—Aqueous alkaline compositions
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
- G03F7/30—Imagewise removal using liquid means
- G03F7/32—Liquid compositions therefor, e.g. developers
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明はポジ型ホトレジスト用現像液に関するものであ
る。さらに詳しくいえば、本発明は、現像後のレジスト
パターンの微細部分において薄膜残りやスカムのない良
好なパターン全形成させることができ、かつ微細なスル
ーホールの解像性を向上させるのに適したポジ型ホトレ
ジスト用現像液に関するものである。
る。さらに詳しくいえば、本発明は、現像後のレジスト
パターンの微細部分において薄膜残りやスカムのない良
好なパターン全形成させることができ、かつ微細なスル
ーホールの解像性を向上させるのに適したポジ型ホトレ
ジスト用現像液に関するものである。
従来の技術
従来、半導体集積回路素子、集積回路製造用マスク、プ
リント配線板、印刷版などの製造において、下地基板に
対して、例えばエツチングや拡散などの処理をするに際
し、基板?選択的に保護する目的で、紫外線、X線、電
子線などの活性放射線に感応する組成物、いわゆる感放
射線レジストを用いて被膜を形成し次いで画像露光・現
像して画像?形成する方法が広く行われている。
リント配線板、印刷版などの製造において、下地基板に
対して、例えばエツチングや拡散などの処理をするに際
し、基板?選択的に保護する目的で、紫外線、X線、電
子線などの活性放射線に感応する組成物、いわゆる感放
射線レジストを用いて被膜を形成し次いで画像露光・現
像して画像?形成する方法が広く行われている。
この感放射線レジストの中で特に紫外線に対して感光性
のあるものを一般てホトレジストと称しているが、この
ホトレジストにはポジ型とネガ型がち9前者は露光部が
現像液に溶解し、非露光部が溶解しないタイプでちり、
後者はこれとは逆のタイプである。前者のポジ型ホトレ
ジストの代表的なものとしては結合剤であるアルカリ可
溶性ノボラック樹脂と光分解剤であるナフトキノンジア
ジド化合物との組合せが挙げられる。このナフトキノン
ジアジド化合物系のポジ型ホトレジストには現像液とし
てアルカリ注水溶液が用いられるが、半導体素子を製造
する場合には、現像液に金属イオンを含有するアルカリ
性水溶液を用いると得られる半導体素子の製品特注に悪
影響を及ぼすため、金属イオン全含まない現像液、例え
ばテトラメチルアンモニウムヒドロキシド〔「アイビー
エム・テクニカル・ディスクロウシアー・ビウレテイン
(よりM Technical Disclosure
Bulletin ) J第3巻、第7号、第200
9ページ(1970年)〕や、コリン(米国特許第、L
239,661号明細書)などの水溶液が用いられてい
る。
のあるものを一般てホトレジストと称しているが、この
ホトレジストにはポジ型とネガ型がち9前者は露光部が
現像液に溶解し、非露光部が溶解しないタイプでちり、
後者はこれとは逆のタイプである。前者のポジ型ホトレ
ジストの代表的なものとしては結合剤であるアルカリ可
溶性ノボラック樹脂と光分解剤であるナフトキノンジア
ジド化合物との組合せが挙げられる。このナフトキノン
ジアジド化合物系のポジ型ホトレジストには現像液とし
てアルカリ注水溶液が用いられるが、半導体素子を製造
する場合には、現像液に金属イオンを含有するアルカリ
性水溶液を用いると得られる半導体素子の製品特注に悪
影響を及ぼすため、金属イオン全含まない現像液、例え
ばテトラメチルアンモニウムヒドロキシド〔「アイビー
エム・テクニカル・ディスクロウシアー・ビウレテイン
(よりM Technical Disclosure
Bulletin ) J第3巻、第7号、第200
9ページ(1970年)〕や、コリン(米国特許第、L
239,661号明細書)などの水溶液が用いられてい
る。
最近、半導体素子の高集積化が急速に進み、制御線幅は
1μm付近、あるいはさらに1μm以下まで要求される
ようになってきている。
1μm付近、あるいはさらに1μm以下まで要求される
ようになってきている。
ポジ型ホトレジストを用いて画像形成する場合に伴う大
きな問題の1つとして、このような微、!Hなパターン
部において、特に微細なコンタクトホールの画像形成を
行う場合、前記の金属イオンを含°まないアルカリ現像
液に界面活性剤を添加して濡れ性全向上させたタイプの
現像[=使用して現像すると、溶解すべき露光パターン
部分にスカム残9や薄膜残りが発生することを挙げるこ
とができる。このような現象全回避するために、たとえ
オーバー露光や、オーバー現像全行ってもき汎いな画像
は形成されにくい。したがって、通常酸素プラズマやス
パッタリングなどで軽く処理することにより、スカムや
薄膜残り全除去することが行われているが、これらの方
法だおいては、酸素プラズマ処理の制御が困難であった
り、レジスト形状が劣化したり、さらには1.αm近辺
のコンタクトホールなどのパターン部においては、酸素
プラズマ処理の均一性が低く、円滑にスカムを除去しに
くいなどの問題があった。
きな問題の1つとして、このような微、!Hなパターン
部において、特に微細なコンタクトホールの画像形成を
行う場合、前記の金属イオンを含°まないアルカリ現像
液に界面活性剤を添加して濡れ性全向上させたタイプの
現像[=使用して現像すると、溶解すべき露光パターン
部分にスカム残9や薄膜残りが発生することを挙げるこ
とができる。このような現象全回避するために、たとえ
オーバー露光や、オーバー現像全行ってもき汎いな画像
は形成されにくい。したがって、通常酸素プラズマやス
パッタリングなどで軽く処理することにより、スカムや
薄膜残り全除去することが行われているが、これらの方
法だおいては、酸素プラズマ処理の制御が困難であった
り、レジスト形状が劣化したり、さらには1.αm近辺
のコンタクトホールなどのパターン部においては、酸素
プラズマ処理の均一性が低く、円滑にスカムを除去しに
くいなどの問題があった。
このようなスカム残りや薄膜残りが存在する状態で、下
地の加工、例えばドライエツチングを行った場合には、
エツチングが不十分になったり、あるいは寸法精度やエ
ツチング形状が悪くなるなど、好ましくない事態全招来
する。
地の加工、例えばドライエツチングを行った場合には、
エツチングが不十分になったり、あるいは寸法精度やエ
ツチング形状が悪くなるなど、好ましくない事態全招来
する。
発明が解決しようとする問題点
本発明の目的はこのような問題全解決し、特にナフトキ
ノンジアジド化合物とアルカリ可溶性ノボラック樹脂と
の組合せから成るポジ型ホトレジストを用いてパターン
を形成する際に好適な、すなわち1μm付近あるいはそ
れ以下の微細パターンの形成や微細なコンタクトホール
の形成において、現像処理後にスカムや薄膜残りのない
良好なパターンと形成し、さらには後工程のエツチング
時に寸法精度良く加工しうるような、ポジ型ホトレジス
ト用現像液を提供することにある。
ノンジアジド化合物とアルカリ可溶性ノボラック樹脂と
の組合せから成るポジ型ホトレジストを用いてパターン
を形成する際に好適な、すなわち1μm付近あるいはそ
れ以下の微細パターンの形成や微細なコンタクトホール
の形成において、現像処理後にスカムや薄膜残りのない
良好なパターンと形成し、さらには後工程のエツチング
時に寸法精度良く加工しうるような、ポジ型ホトレジス
ト用現像液を提供することにある。
問題点を解決するための手段
本発明者らは、このような好ましい性質を有するポジ型
ホトレジスト用現像液を開発するために鋭意研究を重ね
た結果、従来の金属イオンを含まない有機塩基を主剤と
するポジ型ホトレジスト用現像液に、特定の非イオン注
界面活性剤を所定の割合で添加することにより、その目
的を達成しうろことを見出し、この知見に基づいて本発
明を成すに至った。
ホトレジスト用現像液を開発するために鋭意研究を重ね
た結果、従来の金属イオンを含まない有機塩基を主剤と
するポジ型ホトレジスト用現像液に、特定の非イオン注
界面活性剤を所定の割合で添加することにより、その目
的を達成しうろことを見出し、この知見に基づいて本発
明を成すに至った。
すなわち、本発明は、金属イオンを含まない有機塩基を
主剤とするポジ型ホトレジスト用現像液に、一般式 R4 (式中のR1は炭素数5〜15のアルキル基、R2、R
3及びR4はそれぞれ水素原子、炭素数工〜15のアル
キル基であシ、R3とR4は同じであってもよいし、た
がいに異なっていてもよく、n及びmはそれぞれ5〜6
0の整数である) で表わされる非イオン性界面活性剤の中から選ばれた少
なくとも1種を50〜5000 ppmの割合で添加し
たことを特徴とするポジ型ホトレジスト用現像液を提供
するものである。
主剤とするポジ型ホトレジスト用現像液に、一般式 R4 (式中のR1は炭素数5〜15のアルキル基、R2、R
3及びR4はそれぞれ水素原子、炭素数工〜15のアル
キル基であシ、R3とR4は同じであってもよいし、た
がいに異なっていてもよく、n及びmはそれぞれ5〜6
0の整数である) で表わされる非イオン性界面活性剤の中から選ばれた少
なくとも1種を50〜5000 ppmの割合で添加し
たことを特徴とするポジ型ホトレジスト用現像液を提供
するものである。
以下、本発明の詳細な説明する。
本発明の金属イオンを含−まない有機塩基を主剤とする
ポジ型ホトレジスト用現像液とは、現像液の主剤である
金属イオン2含まない有機塩基のみを水に溶解したもの
と、従来の現像液に慣用されている添加剤を含有したも
の全包含する。
ポジ型ホトレジスト用現像液とは、現像液の主剤である
金属イオン2含まない有機塩基のみを水に溶解したもの
と、従来の現像液に慣用されている添加剤を含有したも
の全包含する。
現像液の主剤全構成している金属イオンを含まない有機
塩基としては、これまでのこの種の現像液に慣用されて
いるもの全そのまま用いることができる。このようなも
のとしては、例えば置換基が直鎖状、分枝状又は環状の
第一級、第二級及び第三級アミンを含むアリール及びア
ルキルアミン、例えば1.3−ジアミノプロパンのよう
なアルキレンジアミン、4,4′−ジアミノジフェニル
アミンのような了り−ルアミン、ビス(ジアルキルアミ
ノ)イミンなどのアミン類、環骨格に3〜5個の炭素原
子と窒素、酸素及び硫黄の中から選ばれたヘテロ原子1
又は2個とを有する複素環式塩基、例えばピロール、ピ
ロリジン、ピロリドン、ピリジン、モルホリ/、ピラジ
ン、ピペリジン、オキサゾール、チアゾールなど、ある
いは低級アルキル第四級アンモニウム塩基などが用いら
れる。これらの中で特に好ましいものはテトラメチルア
ンモニウムヒドロキシド及びトリメチル(2−ヒドロキ
ンエチル)アンモニウムヒドロキシド(コリン)である
。また前記の金属イオンを含まない有機塩基はそれぞれ
単独で用いてもよいし、2種以上組み合わせて用いても
よい。
塩基としては、これまでのこの種の現像液に慣用されて
いるもの全そのまま用いることができる。このようなも
のとしては、例えば置換基が直鎖状、分枝状又は環状の
第一級、第二級及び第三級アミンを含むアリール及びア
ルキルアミン、例えば1.3−ジアミノプロパンのよう
なアルキレンジアミン、4,4′−ジアミノジフェニル
アミンのような了り−ルアミン、ビス(ジアルキルアミ
ノ)イミンなどのアミン類、環骨格に3〜5個の炭素原
子と窒素、酸素及び硫黄の中から選ばれたヘテロ原子1
又は2個とを有する複素環式塩基、例えばピロール、ピ
ロリジン、ピロリドン、ピリジン、モルホリ/、ピラジ
ン、ピペリジン、オキサゾール、チアゾールなど、ある
いは低級アルキル第四級アンモニウム塩基などが用いら
れる。これらの中で特に好ましいものはテトラメチルア
ンモニウムヒドロキシド及びトリメチル(2−ヒドロキ
ンエチル)アンモニウムヒドロキシド(コリン)である
。また前記の金属イオンを含まない有機塩基はそれぞれ
単独で用いてもよいし、2種以上組み合わせて用いても
よい。
本発明の、従来の現像液に慣用されている添加剤として
は湿潤剤、安定剤、溶解助剤のほかだ、ポジ型ホトレジ
スト膜の露光部と非露光部との溶解選択性を改善するた
めの陽イオン性界面活性剤などが挙げられる。これらは
それぞれ単独で添加してもよいし、2種以上組み合わせ
て添加してもよい。
は湿潤剤、安定剤、溶解助剤のほかだ、ポジ型ホトレジ
スト膜の露光部と非露光部との溶解選択性を改善するた
めの陽イオン性界面活性剤などが挙げられる。これらは
それぞれ単独で添加してもよいし、2種以上組み合わせ
て添加してもよい。
本発明の現像液に添加される非イオン性界面活性剤は、
前記一般式(I)及び(It)で表わされるものの中か
ら選ばれる。このようなものの例としてはアルキルフェ
ノールポリエチレート、ジアルキルフェノールポリエト
キシレート、ナフチレノールポリエトキシレート、アル
キルナフチレノールポリエトキシレート、ジアルキルナ
フテレノールボリエトキシレートなどを挙げることがで
きるがこれだ限定されるものではない。またこれらはそ
れぞれ単独で用いてもよいし、2種以上組み合わせて用
いてもよい。
前記一般式(I)及び(It)で表わされるものの中か
ら選ばれる。このようなものの例としてはアルキルフェ
ノールポリエチレート、ジアルキルフェノールポリエト
キシレート、ナフチレノールポリエトキシレート、アル
キルナフチレノールポリエトキシレート、ジアルキルナ
フテレノールボリエトキシレートなどを挙げることがで
きるがこれだ限定されるものではない。またこれらはそ
れぞれ単独で用いてもよいし、2種以上組み合わせて用
いてもよい。
これらの非イオン性界面活性剤の添加量は、金属イオン
を含まない有機塩基を主剤とするポジ型ホトレジスト用
現像液に対し、50〜5000 ppm。
を含まない有機塩基を主剤とするポジ型ホトレジスト用
現像液に対し、50〜5000 ppm。
好ましくは100〜2000 ppmの範囲で選ばれる
。
。
この量が50 ppm未満では濡れ注の効果が弱くて解
像性が低く、一方5000 ppmを超えると露光部と
非露光部との溶解選択性が悪くなり、現像後のレジスト
形状が劣化して所望のレジスト形状が得られず、かつ非
露光部の残@率が低下するため好ましくない。
像性が低く、一方5000 ppmを超えると露光部と
非露光部との溶解選択性が悪くなり、現像後のレジスト
形状が劣化して所望のレジスト形状が得られず、かつ非
露光部の残@率が低下するため好ましくない。
本発明の現像液が対象とするポジ型ホトレジストとして
は、露光部がアルカリ性現像液に浴解し、非露光部が溶
解しないというポジ型タイプのものであれば特に限定さ
れるものではないが、好ましいポジ型ホトレジストとし
ては、アルカリ可溶性ノボラック樹脂とナフトキノンジ
アジド化合物と全構成成分として含むものである。
は、露光部がアルカリ性現像液に浴解し、非露光部が溶
解しないというポジ型タイプのものであれば特に限定さ
れるものではないが、好ましいポジ型ホトレジストとし
ては、アルカリ可溶性ノボラック樹脂とナフトキノンジ
アジド化合物と全構成成分として含むものである。
発明の効果
本発明のポジ型ホトレジスト用現像液ハ、ポジ型ホトレ
ジストの現像処理において、浸透性、洗浄性、溶解性の
優れた特定の非イオン注界而活注剤を有機塩基を主剤と
する現像液に添加することによシ、微細パターン部分に
対する現像液の浸透性を高め、かつその洗浄性及び溶解
性により、ポジ型ホトレジストの構成成分である樹脂や
光分解剤の反応物と思われるスカムや薄膜全基板上から
除去することができ、1μmの微細パターン部分及ヒコ
ンタクトホール部分においても、形状の劣化や解像性の
低下を起こさずにスカムや薄膜残りのないレジストパタ
ーンを得ることができる。
ジストの現像処理において、浸透性、洗浄性、溶解性の
優れた特定の非イオン注界而活注剤を有機塩基を主剤と
する現像液に添加することによシ、微細パターン部分に
対する現像液の浸透性を高め、かつその洗浄性及び溶解
性により、ポジ型ホトレジストの構成成分である樹脂や
光分解剤の反応物と思われるスカムや薄膜全基板上から
除去することができ、1μmの微細パターン部分及ヒコ
ンタクトホール部分においても、形状の劣化や解像性の
低下を起こさずにスカムや薄膜残りのないレジストパタ
ーンを得ることができる。
実施例
次に実施例により本発明をさらに詳細に説明する。
実施例1〜17
現像液として、2.38重量%テトラメチルアンモニウ
ムヒドロキシド水溶液に対して、別表に示す種々の非イ
オン性界面活注剤を、それぞれ200〜5000 pp
mの範囲で法衣に示すとおり加えたものを準備した。
ムヒドロキシド水溶液に対して、別表に示す種々の非イ
オン性界面活注剤を、それぞれ200〜5000 pp
mの範囲で法衣に示すとおり加えたものを準備した。
スピンナーを用いて、4インチシリコンウェハー上に、
ノボラック樹脂とナフトキノンジアジド化合物を構成成
分として含むポジ型ホトレジストである0FPR−50
00(東京応化工業社製、商品名)を膜厚1.3μmに
なるように塗布して、ホットプレート上で110℃、9
0秒間プレベークした。
ノボラック樹脂とナフトキノンジアジド化合物を構成成
分として含むポジ型ホトレジストである0FPR−50
00(東京応化工業社製、商品名)を膜厚1.3μmに
なるように塗布して、ホットプレート上で110℃、9
0秒間プレベークした。
次にDSW−4800縮小投影型露光装置(GCA社M
)k用い、テストチャートレチクルを介して露光したの
ち、静止パドル型現像装置を用いて現像処理を行った。
)k用い、テストチャートレチクルを介して露光したの
ち、静止パドル型現像装置を用いて現像処理を行った。
現像プロセスについては、前記のようにして調製した現
像液を用い、それぞれ23℃において65秒間静止現像
を行い、その後純水によるリンスを30秒間行ったのち
乾燥した。
像液を用い、それぞれ23℃において65秒間静止現像
を行い、その後純水によるリンスを30秒間行ったのち
乾燥した。
このようにして得られたウェハー上のパターンを観察し
、その結果を法衣て示した。
、その結果を法衣て示した。
比較例
非イオン性界面活注剤を添加せず、2.38重量%テト
ラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液のみで実施例
と同様の現像プロセスで処理したところ、微細パターン
部分においてスカムや薄膜残ジが観察された。
ラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液のみで実施例
と同様の現像プロセスで処理したところ、微細パターン
部分においてスカムや薄膜残ジが観察された。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 金属イオンを含まない有機塩基を主剤とするポジ型
ホトレジスト用現像液に、一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼ 及び ▲数式、化学式、表等があります▼ (式中のR_1は炭素数5〜15のアルキル基、R_2
、R_3及びR_4はそれぞれ水素原子、炭素数1〜1
5のアルキル基であり、R_3とR_4は同じであつて
もよいし、たがいに異なつていてもよく、n及びmはそ
れぞれ5〜60の整数である)で表わされる非イオン性
界面活性剤の中から選ばれた少なくとも1種を50〜5
000ppmの割合で添加したことを特徴とするポジ型
ホトレジスト用現像液。
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61167897A JPH0638159B2 (ja) | 1986-07-18 | 1986-07-18 | ポジ型ホトレジスト用現像液 |
US07/067,312 US4820621A (en) | 1986-07-18 | 1987-06-26 | Developer solution for positive-working photoresist compositions comprising a base and a non-ionic surfactant |
GB8715459A GB2193335B (en) | 1986-07-18 | 1987-07-01 | A developer solution for positive-working photoresist compositions |
DE19873723429 DE3723429A1 (de) | 1986-07-18 | 1987-07-15 | Entwicklerloesung fuer positiv-arbeitende fotoresistzusammensetzungen |
KR1019870007790A KR900005850B1 (ko) | 1986-07-18 | 1987-07-18 | 포지티브형(型) 포토레지스트 조성물용(用) 현상액 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61167897A JPH0638159B2 (ja) | 1986-07-18 | 1986-07-18 | ポジ型ホトレジスト用現像液 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6325650A true JPS6325650A (ja) | 1988-02-03 |
JPH0638159B2 JPH0638159B2 (ja) | 1994-05-18 |
Family
ID=15858086
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP61167897A Expired - Lifetime JPH0638159B2 (ja) | 1986-07-18 | 1986-07-18 | ポジ型ホトレジスト用現像液 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4820621A (ja) |
JP (1) | JPH0638159B2 (ja) |
KR (1) | KR900005850B1 (ja) |
DE (1) | DE3723429A1 (ja) |
GB (1) | GB2193335B (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6372415B1 (en) | 1997-10-30 | 2002-04-16 | Kao Corporation | Resist developer |
US6432621B1 (en) | 1999-01-07 | 2002-08-13 | Kao Corporation | Resist developer |
Families Citing this family (40)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE3886971T2 (de) * | 1987-04-06 | 1994-05-19 | Hoechst Celanese Corp | Hochkontrastreicher Positiv-Photolack-Entwickler mit Alkanolamin. |
US5094934A (en) * | 1987-04-06 | 1992-03-10 | Morton International, Inc. | Method of developing a high contrast, positive photoresist using a developer containing alkanolamine |
JP2626992B2 (ja) * | 1988-05-10 | 1997-07-02 | 富士写真フイルム株式会社 | 感光性平版印刷版用現像液組成物及び現像方法 |
DE3827567A1 (de) * | 1988-08-13 | 1990-02-22 | Basf Ag | Waessrige entwicklerloesung fuer positiv arbeitende photoresists |
US4997748A (en) * | 1988-08-26 | 1991-03-05 | Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. | Developer solution for positive-working resist composition |
US5175078A (en) * | 1988-10-20 | 1992-12-29 | Mitsubishi Gas Chemical Company, Inc. | Positive type photoresist developer |
DE3836404A1 (de) * | 1988-10-26 | 1990-05-03 | Hoechst Ag | Entwicklungsloesemittel fuer durch photopolymerisation vernetzbare schichten sowie verfahren zur herstellung von reliefformen |
GB2226150A (en) * | 1988-12-15 | 1990-06-20 | Nordisk Tidningsplat Ab | A developer for use with lithographic printing plates |
DE3941394A1 (de) * | 1989-12-15 | 1991-06-20 | Basf Ag | Waessrige entwicklerloesung und verfahren zum entwickeln von photoresisten |
US5252436A (en) * | 1989-12-15 | 1993-10-12 | Basf Aktiengesellschaft | Process for developing a positive-working photoresist containing poly(p-hydroxystyrene) and sulfonium salt with an aqueous developer containing basic organic compounds |
US5164286A (en) * | 1991-02-01 | 1992-11-17 | Ocg Microelectronic Materials, Inc. | Photoresist developer containing fluorinated amphoteric surfactant |
US5532116A (en) * | 1992-01-13 | 1996-07-02 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Aqueous alkaline developing solution |
US5543268A (en) * | 1992-05-14 | 1996-08-06 | Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. | Developer solution for actinic ray-sensitive resist |
JP3104939B2 (ja) * | 1992-10-01 | 2000-10-30 | 東京応化工業株式会社 | 半導体デバイス製造用レジスト現像液組成物 |
DE4419166A1 (de) * | 1994-06-01 | 1995-12-07 | Hoechst Ag | Entwickler für Photoresistschichten |
JP3707856B2 (ja) * | 1996-03-07 | 2005-10-19 | 富士通株式会社 | レジストパターンの形成方法 |
US6403289B1 (en) * | 1997-10-31 | 2002-06-11 | Nippon Zeon Co., Ltd. | Developer for photosensitive polyimide resin composition |
DE19755131C2 (de) | 1997-12-11 | 2002-10-31 | Infineon Technologies Ag | Lösung von Tetramethylammoniumhydroxid in Wasser und Verfahren zur Herstellung der Lösung |
US6063550A (en) * | 1998-04-29 | 2000-05-16 | Morton International, Inc. | Aqueous developing solutions for reduced developer residue |
US6686126B2 (en) * | 2000-07-14 | 2004-02-03 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Developing solution for photosensitive lithographic printing plate, plate-making method of lithographic printing plate, and photosensitive lithographic printing plate |
TW594383B (en) * | 2001-02-21 | 2004-06-21 | Fuji Photo Film Co Ltd | Positive resist composition for electron beam |
US6503694B1 (en) * | 2001-06-12 | 2003-01-07 | Chi Mei Corporation | Developer solution and edge bead remover composition |
JP4230130B2 (ja) * | 2001-07-04 | 2009-02-25 | 富士フイルム株式会社 | 感光性平版印刷版用現像液及び平版印刷版の製版方法 |
KR100483371B1 (ko) * | 2001-10-10 | 2005-04-15 | 주식회사 아담스테크놀로지 | 포토레지스트용 수계 현상액 |
US20030196685A1 (en) * | 2001-12-18 | 2003-10-23 | Shipley Company, L.L.C. | Cleaning composition and method |
EP1335016A1 (en) * | 2002-02-06 | 2003-08-13 | Shipley Company LLC | Cleaning composition |
US6599683B1 (en) * | 2002-02-13 | 2003-07-29 | Micron Technology, Inc. | Photoresist developer with reduced resist toppling and method of using same |
US6900003B2 (en) * | 2002-04-12 | 2005-05-31 | Shipley Company, L.L.C. | Photoresist processing aid and method |
US6887654B2 (en) * | 2002-05-07 | 2005-05-03 | Shipley Company, L.L.C. | Residue and scum reducing composition and method |
TW200307856A (en) * | 2002-05-07 | 2003-12-16 | Shipley Co Llc | Residue reducing stable concentrate |
US7750166B2 (en) * | 2002-08-16 | 2010-07-06 | University Of South Alabama | Ionic liquids containing a sulfonate anion |
AU2003263890A1 (en) * | 2002-08-16 | 2004-03-03 | Sachem, Inc. | Lewis acid ionic liquids |
KR101020164B1 (ko) | 2003-07-17 | 2011-03-08 | 허니웰 인터내셔날 인코포레이티드 | 진보된 마이크로전자적 응용을 위한 평탄화 막, 및 이를제조하기 위한 장치 및 방법 |
WO2007028294A1 (en) * | 2005-09-05 | 2007-03-15 | Byd Company Limited | A developer solution for photoresist |
CN1928724B (zh) * | 2005-09-05 | 2010-09-29 | 比亚迪股份有限公司 | 一种光阻显影液 |
JP4657899B2 (ja) * | 2005-11-30 | 2011-03-23 | 富士通株式会社 | レジストパターン厚肉化材料、レジストパターンの形成方法、半導体装置及びその製造方法 |
KR101161029B1 (ko) * | 2006-01-06 | 2012-06-28 | 에버라이트 유에스에이, 인코오포레이티드 | 현상제 조성물 |
KR101682005B1 (ko) * | 2011-09-02 | 2016-12-02 | 주식회사 엘지화학 | 포토레지스트용 스트리퍼 조성물 |
KR102378341B1 (ko) * | 2015-06-11 | 2022-03-24 | 주식회사 이엔에프테크놀로지 | 포토레지스트 현상액 |
CN107145044A (zh) * | 2017-06-17 | 2017-09-08 | 广州西陇精细化工技术有限公司 | 一种平板显示使用的显影液组合物 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS54116227A (en) * | 1978-03-01 | 1979-09-10 | Fujitsu Ltd | Formation method for positive type resist image |
JPS59195641A (ja) * | 1983-04-21 | 1984-11-06 | Fuji Photo Film Co Ltd | 現像液組成物 |
JPS6118944A (ja) * | 1984-05-16 | 1986-01-27 | アライド・コ−ポレ−シヨン | 低金属イオンホトレジスト現像液 |
Family Cites Families (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3868254A (en) * | 1972-11-29 | 1975-02-25 | Gaf Corp | Positive working quinone diazide lithographic plate compositions and articles having non-ionic surfactants |
US4141733A (en) * | 1977-10-25 | 1979-02-27 | Eastman Kodak Company | Development of light-sensitive quinone diazide compositions |
DE2925363C2 (de) * | 1978-06-23 | 1985-09-05 | Fuji Photo Film Co., Ltd., Minami-Ashigara, Kanagawa | Schutzmittel vom Emulsionstyp für die Oberfläche von lithographischen Druckplatten |
DE2925362C2 (de) * | 1978-06-23 | 1985-08-14 | Fuji Photo Film Co., Ltd., Minami-Ashigara, Kanagawa | Schutzmittel vom Emulsionstyp für die Oberfläche von lithographischen Druckplatten |
US4294911A (en) * | 1979-06-18 | 1981-10-13 | Eastman Kodak Company | Development of light-sensitive quinone diazide compositions using sulfite stabilizer |
US4308340A (en) * | 1980-08-08 | 1981-12-29 | American Hoechst Corporation | Aqueous 2-propoxyethanol containing processing composition for lithographic printing plates |
US4374920A (en) * | 1981-07-27 | 1983-02-22 | American Hoechst Corporation | Positive developer containing non-ionic surfactants |
JPS5854341A (ja) * | 1981-09-28 | 1983-03-31 | Fuji Photo Film Co Ltd | 現像方法および現像液 |
DE3230171A1 (de) * | 1982-08-13 | 1984-02-16 | Hoechst Ag, 6230 Frankfurt | Waessrig-alkalische loesung und verfahren zum entwickeln von positiv-arbeitenden reproduktionsschichten |
JPS59219743A (ja) * | 1983-05-28 | 1984-12-11 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | ポジ型レジスト現像液 |
JPS59220732A (ja) * | 1983-05-31 | 1984-12-12 | Toshiba Corp | フオトレジスト現像液 |
US4556629A (en) * | 1983-12-21 | 1985-12-03 | Morton Thiokol, Inc. | Developer composition for positive photoresists using solution with cyclic quaternary ammonium hydroxides |
DE3346979A1 (de) * | 1983-12-24 | 1985-07-04 | Merck Patent Gmbh, 6100 Darmstadt | Entwickler fuer positivfotoresists |
US4711836A (en) * | 1984-09-10 | 1987-12-08 | Olin Hunt Specialty Products, Inc. | Development of positive-working photoresist compositions |
US4613561A (en) * | 1984-10-17 | 1986-09-23 | James Marvin Lewis | Method of high contrast positive O-quinone diazide photoresist developing using pretreatment solution |
-
1986
- 1986-07-18 JP JP61167897A patent/JPH0638159B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1987
- 1987-06-26 US US07/067,312 patent/US4820621A/en not_active Expired - Lifetime
- 1987-07-01 GB GB8715459A patent/GB2193335B/en not_active Expired - Fee Related
- 1987-07-15 DE DE19873723429 patent/DE3723429A1/de active Granted
- 1987-07-18 KR KR1019870007790A patent/KR900005850B1/ko not_active IP Right Cessation
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS54116227A (en) * | 1978-03-01 | 1979-09-10 | Fujitsu Ltd | Formation method for positive type resist image |
JPS59195641A (ja) * | 1983-04-21 | 1984-11-06 | Fuji Photo Film Co Ltd | 現像液組成物 |
JPS6118944A (ja) * | 1984-05-16 | 1986-01-27 | アライド・コ−ポレ−シヨン | 低金属イオンホトレジスト現像液 |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6372415B1 (en) | 1997-10-30 | 2002-04-16 | Kao Corporation | Resist developer |
US6432621B1 (en) | 1999-01-07 | 2002-08-13 | Kao Corporation | Resist developer |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
GB2193335A (en) | 1988-02-03 |
KR880002051A (ko) | 1988-04-28 |
GB8715459D0 (en) | 1987-08-05 |
US4820621A (en) | 1989-04-11 |
DE3723429C2 (ja) | 1992-12-17 |
DE3723429A1 (de) | 1988-01-28 |
KR900005850B1 (ko) | 1990-08-13 |
US4820621B1 (ja) | 1991-03-12 |
JPH0638159B2 (ja) | 1994-05-18 |
GB2193335B (en) | 1990-02-14 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JPS6325650A (ja) | ポジ型ホトレジスト用現像液 | |
US4833067A (en) | Developing solution for positive-working photoresist comprising tmah and non-ionic surfactant | |
EP0186184B1 (en) | Positive resist developer and method of developing positive resist | |
TWI254194B (en) | The aqueous solution of surfactant for developing the coating layer | |
JP2527268B2 (ja) | レジスト用剥離剤組成物 | |
KR101959206B1 (ko) | 리소그래피용 린스액 및 이를 사용한 패턴 형성 방법 | |
US5175078A (en) | Positive type photoresist developer | |
US4873177A (en) | Method for forming a resist pattern on a substrate surface and a scum-remover therefor | |
EP0062733B1 (en) | Metal ion-free photoresist developer composition | |
US4628023A (en) | Metal ion free photoresist developer composition with lower alkyl quaternary ammonium hydrozide as alkalai agent and a quaternary ammonium compound as surfactant | |
US7998664B2 (en) | Processing liquid for resist substrate and method of processing resist substrate using the same | |
US5543268A (en) | Developer solution for actinic ray-sensitive resist | |
JPH0650396B2 (ja) | ポジ型ホトレジスト組成物 | |
JPH06118660A (ja) | レジスト用現像液組成物 | |
EP0394353A1 (en) | Aqueous developing solution and its use in developing positive-working photoresist composition | |
JP2589408B2 (ja) | レジスト用現像液組成物 | |
JP2527172B2 (ja) | ポジ型ホトレジスト用現像液 | |
EP1639412A2 (en) | Developer composition for resists and method for formation of resist pattern | |
JPS61232453A (ja) | 改良されたポジ型ホトレジスト用現像液 | |
KR910007227B1 (ko) | 포지티브-워킹 레지스트조성물용 현상액 | |
EP0364895B1 (en) | Positive type photoresist developer | |
WO1999000707A1 (fr) | Revelateur pour agents de reserve | |
JPH0567028B2 (ja) | ||
JPS61232454A (ja) | ポジ型ホトレジスト用現像液 | |
JPS6232451A (ja) | 改良ポジ型ホトレジスト用現像液 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
EXPY | Cancellation because of completion of term |