JP3104939B2 - 半導体デバイス製造用レジスト現像液組成物 - Google Patents
半導体デバイス製造用レジスト現像液組成物Info
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- JP3104939B2 JP3104939B2 JP04284929A JP28492992A JP3104939B2 JP 3104939 B2 JP3104939 B2 JP 3104939B2 JP 04284929 A JP04284929 A JP 04284929A JP 28492992 A JP28492992 A JP 28492992A JP 3104939 B2 JP3104939 B2 JP 3104939B2
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
- G03F7/30—Imagewise removal using liquid means
- G03F7/32—Liquid compositions therefor, e.g. developers
- G03F7/322—Aqueous alkaline compositions
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- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は新規な半導体デバイス製
造用レジスト現像液組成物、さらに詳しくは、半導体デ
バイス製造分野において多く用いられているアルカリ現
像型のレジスト組成物の現像処理に使用され、スカム残
りがなく、プロファイル形状の良好なレジストパターン
を形成することができ、かつ露光余裕度及び焦点深度幅
を向上させうるレジスト現像液組成物に関するものであ
る。
造用レジスト現像液組成物、さらに詳しくは、半導体デ
バイス製造分野において多く用いられているアルカリ現
像型のレジスト組成物の現像処理に使用され、スカム残
りがなく、プロファイル形状の良好なレジストパターン
を形成することができ、かつ露光余裕度及び焦点深度幅
を向上させうるレジスト現像液組成物に関するものであ
る。
【０００２】
【従来の技術】半導体デバイス製造分野におけるリソグ
ラフィー工程においてはレジストを現像処理することで
レジストパターンを形成しているが、その現像液として
は半導体デバイスの特性に悪影響を与えないため、テト
ラメチルアンモニウムヒドロキシドやコリンなどの金属
イオンを含まない有機塩基が使用されている。
ラフィー工程においてはレジストを現像処理することで
レジストパターンを形成しているが、その現像液として
は半導体デバイスの特性に悪影響を与えないため、テト
ラメチルアンモニウムヒドロキシドやコリンなどの金属
イオンを含まない有機塩基が使用されている。
【０００３】しかしながら、これらの現像液では現像処
理後の基板上にスカム残りが発生し、微細化の進む半導
体デバイス製造分野においては、僅かなスカム残りでも
大きな問題となるため、現像液の改良が望まれていた。
理後の基板上にスカム残りが発生し、微細化の進む半導
体デバイス製造分野においては、僅かなスカム残りでも
大きな問題となるため、現像液の改良が望まれていた。
【０００４】そこで、スカム残りを改善するため多くの
提案がなされ、金属イオンを含まない有機塩基から成る
水溶液に、各種界面活性剤を添加した現像液が開発され
ており、例えばアルキルジフェニルエーテルスルホン酸
アンモニウムなどの陰イオン性界面活性剤を配合させる
ことでスカム残りを改善した現像液や（特開平４−２０
４４５４号公報）、アルキルフェノールポリエトキシレ
ートなどの非イオン性界面活性剤を配合させることでス
カム残りを改善した現像液（特開昭６３−２５６５０号
公報）が提案されている。
提案がなされ、金属イオンを含まない有機塩基から成る
水溶液に、各種界面活性剤を添加した現像液が開発され
ており、例えばアルキルジフェニルエーテルスルホン酸
アンモニウムなどの陰イオン性界面活性剤を配合させる
ことでスカム残りを改善した現像液や（特開平４−２０
４４５４号公報）、アルキルフェノールポリエトキシレ
ートなどの非イオン性界面活性剤を配合させることでス
カム残りを改善した現像液（特開昭６３−２５６５０号
公報）が提案されている。
【０００５】しかしながら、これらの界面活性剤を配合
した現像液においてもスカムを完全に除去できず、また
形成されるレジストパターンの頭部分が丸い形状になり
やすいという欠点を有している。
した現像液においてもスカムを完全に除去できず、また
形成されるレジストパターンの頭部分が丸い形状になり
やすいという欠点を有している。
【０００６】さらに、近年半導体デバイス製造に使用さ
れるレジストにおいて、露光処理の安定性を向上させる
ため、露光余裕度や焦点深度幅の広い材料が望まれてい
る。そして、これらの物性は、使用される現像液に左右
されるので、この露光余裕度や焦点深度幅を向上させる
効果を有する現像液が望まれているが、これまでこのよ
うな効果を有する実用的な現像液は見出されていないの
が実状である。
れるレジストにおいて、露光処理の安定性を向上させる
ため、露光余裕度や焦点深度幅の広い材料が望まれてい
る。そして、これらの物性は、使用される現像液に左右
されるので、この露光余裕度や焦点深度幅を向上させる
効果を有する現像液が望まれているが、これまでこのよ
うな効果を有する実用的な現像液は見出されていないの
が実状である。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、このような
従来の半導体デバイス製造用レジスト現像液が有する欠
点を克服し、スカム残りがなく、プロファイル形状の良
好な断面矩形のレジストパターンを形成することがで
き、かつ露光余裕度及び焦点深度幅を向上させた、アル
カリ現像型のレジスト組成物の現像処理に使用される半
導体デバイス製造用レジスト現像液組成物を提供するこ
とを目的としてなされたものである。
従来の半導体デバイス製造用レジスト現像液が有する欠
点を克服し、スカム残りがなく、プロファイル形状の良
好な断面矩形のレジストパターンを形成することがで
き、かつ露光余裕度及び焦点深度幅を向上させた、アル
カリ現像型のレジスト組成物の現像処理に使用される半
導体デバイス製造用レジスト現像液組成物を提供するこ
とを目的としてなされたものである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、前記の好
ましい性質を有する半導体デバイス製造用レジスト現像
液組成物を開発すべく鋭意研究を重ねた結果、特定の有
機塩基と界面活性剤とを含有する水溶液にある種のアン
モニウム塩を配合させることにより、その目的を達成し
うることを見出し、この知見に基づいて本発明を完成す
るに至った。
ましい性質を有する半導体デバイス製造用レジスト現像
液組成物を開発すべく鋭意研究を重ねた結果、特定の有
機塩基と界面活性剤とを含有する水溶液にある種のアン
モニウム塩を配合させることにより、その目的を達成し
うることを見出し、この知見に基づいて本発明を完成す
るに至った。
【０００９】すなわち、本発明は、テトラメチルアンモ
ニウムヒドロキシド及びトリメチル（２‐ヒドロキシエ
チル）アンモニウムヒドロキシドの中から選ばれた少な
くとも１種の有機塩基１〜１０重量％及び界面活性剤５
０〜５００００ｐｐｍを含有する水溶液に、硫酸アンモ
ニウム、リン酸アンモニウム及びホウ酸アンモニウムの
中から選ばれた少なくとも１種のアンモニウム塩１００
〜２０００ｐｐｍとを配合したことを特徴とする半導体
デバイス製造用レジスト現像液組成物を提供するもので
ある。
ニウムヒドロキシド及びトリメチル（２‐ヒドロキシエ
チル）アンモニウムヒドロキシドの中から選ばれた少な
くとも１種の有機塩基１〜１０重量％及び界面活性剤５
０〜５００００ｐｐｍを含有する水溶液に、硫酸アンモ
ニウム、リン酸アンモニウム及びホウ酸アンモニウムの
中から選ばれた少なくとも１種のアンモニウム塩１００
〜２０００ｐｐｍとを配合したことを特徴とする半導体
デバイス製造用レジスト現像液組成物を提供するもので
ある。
【００１０】本発明組成物において用いられる有機塩基
は、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド及びトリメ
チル（２‐ヒドロキシエチル）アンモニウムヒドロキシ
ド（コリン）の中から選ばれる。
は、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド及びトリメ
チル（２‐ヒドロキシエチル）アンモニウムヒドロキシ
ド（コリン）の中から選ばれる。
【００１１】本発明組成物においては、この有機塩基は
単独で用いてもよいし、２種を組み合わせて用いてもよ
い。この有機塩基は水溶液として用いられ、その使用濃
度は１〜１０重量％の範囲である。
単独で用いてもよいし、２種を組み合わせて用いてもよ
い。この有機塩基は水溶液として用いられ、その使用濃
度は１〜１０重量％の範囲である。
【００１２】一方、本発明組成物において用いられる界
面活性剤については特に制限はないが、一般式
面活性剤については特に制限はないが、一般式
【化４】 （式中のＲ1及びＲ2はそれぞれ独立して水素原子、炭素
数５〜１８のアルキル基又はアルコキシ基を示すが、い
ずれか１つは炭素数５〜１８のアルキル基又はアルコキ
シ基であり、Ｒ3、Ｒ4及びＲ5はそれぞれ独立して水素
原子、スルホン酸アンモニウム基又はスルホン酸置換ア
ンモニウム基を示すが、いずれか１つはスルホン酸アン
モニウム基又はスルホン酸置換アンモニウム基である）
で表わされる陰イオン性界面活性剤、及び一般式
数５〜１８のアルキル基又はアルコキシ基を示すが、い
ずれか１つは炭素数５〜１８のアルキル基又はアルコキ
シ基であり、Ｒ3、Ｒ4及びＲ5はそれぞれ独立して水素
原子、スルホン酸アンモニウム基又はスルホン酸置換ア
ンモニウム基を示すが、いずれか１つはスルホン酸アン
モニウム基又はスルホン酸置換アンモニウム基である）
で表わされる陰イオン性界面活性剤、及び一般式
【化５】 及び
【化６】 （式中のＲ6は炭素数５〜１５のアルキル基、Ｒ7、Ｒ8
及びＲ9はそれぞれ水素原子、炭素数１〜１５のアルキ
ル基であり、Ｒ8とＲ9は同じであってもよいし、互いに
異なっていてもよく、ｎ及びｍはそれぞれ５〜６０の整
数である）で表わされる非イオン性界面活性剤が、スカ
ム除去効果やプロファイル形状に優れる点で好ましく用
いられる。
及びＲ9はそれぞれ水素原子、炭素数１〜１５のアルキ
ル基であり、Ｒ8とＲ9は同じであってもよいし、互いに
異なっていてもよく、ｎ及びｍはそれぞれ５〜６０の整
数である）で表わされる非イオン性界面活性剤が、スカ
ム除去効果やプロファイル形状に優れる点で好ましく用
いられる。
【００１３】前記一般式（Ｉ）で表わされる陰イオン性
界面活性剤の具体例としては、アルキルジフェニルエー
テルスルホン酸アンモニウム、アルキルジフェニルエー
テルスルホン酸テトラメチルアンモニウム、アルキルジ
フェニルエーテルスルホン酸トリメチルエタノールアン
モニウム、アルキルジフェニルエーテルスルホン酸トリ
エチルアンモニウム、アルキルジフェニルエーテルジス
ルホン酸アンモニウム、アルキルジフェニルエーテルジ
スルホン酸ジエタノールアンモニウム、アルキルジフェ
ニルエーテルジスルホン酸テトラメチルアンモニウムな
どを挙げることができる。これらはそれぞれ単独で用い
てもよいし、２種以上を組み合わせて用いてもよい。
界面活性剤の具体例としては、アルキルジフェニルエー
テルスルホン酸アンモニウム、アルキルジフェニルエー
テルスルホン酸テトラメチルアンモニウム、アルキルジ
フェニルエーテルスルホン酸トリメチルエタノールアン
モニウム、アルキルジフェニルエーテルスルホン酸トリ
エチルアンモニウム、アルキルジフェニルエーテルジス
ルホン酸アンモニウム、アルキルジフェニルエーテルジ
スルホン酸ジエタノールアンモニウム、アルキルジフェ
ニルエーテルジスルホン酸テトラメチルアンモニウムな
どを挙げることができる。これらはそれぞれ単独で用い
てもよいし、２種以上を組み合わせて用いてもよい。
【００１４】一方、前記一般式（ＩＩ）及び一般式（Ｉ
ＩＩ）で表わされる非イオン性界面活性剤の具体例とし
ては、アルキルフェノールポリエトキシレートやジアル
キルフェノールポリエトキシレート、ナフトールポリエ
トキシレート、アルキルナフトールポリエトキシレー
ト、ジアルキルナフトールポリエトキシレートなどを挙
げることができる。これらは単独で用いてもよいし、２
種以上を組み合わせて用いてもよい。また、前記陰イオ
ン性界面活性剤１種以上と非イオン性界面活性剤１種以
上とを組み合わせて用いてもよい。
ＩＩ）で表わされる非イオン性界面活性剤の具体例とし
ては、アルキルフェノールポリエトキシレートやジアル
キルフェノールポリエトキシレート、ナフトールポリエ
トキシレート、アルキルナフトールポリエトキシレー
ト、ジアルキルナフトールポリエトキシレートなどを挙
げることができる。これらは単独で用いてもよいし、２
種以上を組み合わせて用いてもよい。また、前記陰イオ
ン性界面活性剤１種以上と非イオン性界面活性剤１種以
上とを組み合わせて用いてもよい。
【００１５】本発明組成物においては、前記界面活性剤
は、有機塩基を含有する水溶液に対して、５０〜５００
００ｐｐｍ、好ましくは１００〜３００００ｐｐｍ、よ
り好ましくは１００〜２０００ｐｐｍの割合で配合され
る。この配合量が前記範囲を逸脱するとスカム残りがな
く、プロファイル形状に優れるレジストパターンが形成
されにくくなる。
は、有機塩基を含有する水溶液に対して、５０〜５００
００ｐｐｍ、好ましくは１００〜３００００ｐｐｍ、よ
り好ましくは１００〜２０００ｐｐｍの割合で配合され
る。この配合量が前記範囲を逸脱するとスカム残りがな
く、プロファイル形状に優れるレジストパターンが形成
されにくくなる。
【００１６】本発明組成物においては、前記の有機塩基
と界面活性剤とを含有する水溶液に硫酸アンモニウム、
リン酸アンモニウム及びホウ酸アンモニウムの中から選
ばれる少なくとも１種のアンモニウム塩を配合させるこ
とが必要である。このアンモニウム塩を配合させること
で、プロファイル形状に優れる断面矩形のレジストパタ
ーンを形成することができ、かつ露光余裕度や焦点深度
幅の向上した現像液が得られる。これらのアンモニウム
塩は、単独で用いてもよいし、また２種以上組み合わせ
て用いてもよい。
と界面活性剤とを含有する水溶液に硫酸アンモニウム、
リン酸アンモニウム及びホウ酸アンモニウムの中から選
ばれる少なくとも１種のアンモニウム塩を配合させるこ
とが必要である。このアンモニウム塩を配合させること
で、プロファイル形状に優れる断面矩形のレジストパタ
ーンを形成することができ、かつ露光余裕度や焦点深度
幅の向上した現像液が得られる。これらのアンモニウム
塩は、単独で用いてもよいし、また２種以上組み合わせ
て用いてもよい。
【００１７】リン酸アンモニウムとしては、第一リン酸
アンモニウム、第二リン酸アンモニウム、第三リン酸ア
ンモニウムが挙げられる。ホウ酸アンモニウムとして
は、メタホウ酸アンモニウム、四ホウ酸アンモニウム、
五ホウ酸アンモニウムが挙げられる。硫酸アンモニウ
ム、リン酸アンモニウム又はホウ酸アンモニウムから選
ばれるアンモニウム塩の中で、最も好ましいものは、硫
酸アンモニウムである。
アンモニウム、第二リン酸アンモニウム、第三リン酸ア
ンモニウムが挙げられる。ホウ酸アンモニウムとして
は、メタホウ酸アンモニウム、四ホウ酸アンモニウム、
五ホウ酸アンモニウムが挙げられる。硫酸アンモニウ
ム、リン酸アンモニウム又はホウ酸アンモニウムから選
ばれるアンモニウム塩の中で、最も好ましいものは、硫
酸アンモニウムである。
【００１８】本発明組成物において、このアンモニウム
塩は、有機塩基と界面活性剤とを含有する水溶液に対し
て、１００〜２０００ｐｐｍ、好ましくは２００〜１０
００ｐｐｍの割合で配合される。この配合量が前記範囲
を逸脱すると、プロファイル形状の良好なレジストパタ
ーンが形成されにくいし、また、レジストの有する露光
余裕度や焦点深度幅がそこなわれる。
塩は、有機塩基と界面活性剤とを含有する水溶液に対し
て、１００〜２０００ｐｐｍ、好ましくは２００〜１０
００ｐｐｍの割合で配合される。この配合量が前記範囲
を逸脱すると、プロファイル形状の良好なレジストパタ
ーンが形成されにくいし、また、レジストの有する露光
余裕度や焦点深度幅がそこなわれる。
【００１９】本発明のレジスト現像液組成物には、本発
明の目的がそこなわれない範囲で所望に応じ、従来レジ
スト用現像液に慣用されている添加成分、例えば湿潤
剤、安定剤、溶解助剤などを添加することができる。
明の目的がそこなわれない範囲で所望に応じ、従来レジ
スト用現像液に慣用されている添加成分、例えば湿潤
剤、安定剤、溶解助剤などを添加することができる。
【００２０】
【発明の効果】本発明の半導体デバイス製造用レジスト
現像液組成物は、スカム残りがなく、プロファイル形状
の良好なレジストパターンを形成することができ、かつ
露光余裕度や焦点深度幅の向上効果を有するため、微細
化の進む半導体デバイスの製造分野において、極めて実
用的に使用することができる。
現像液組成物は、スカム残りがなく、プロファイル形状
の良好なレジストパターンを形成することができ、かつ
露光余裕度や焦点深度幅の向上効果を有するため、微細
化の進む半導体デバイスの製造分野において、極めて実
用的に使用することができる。
【００２１】
【実施例】次に、実施例により本発明をさらに詳細に説
明するが、本発明はこれらの例によってなんら限定され
るものではない。
明するが、本発明はこれらの例によってなんら限定され
るものではない。
【００２２】なお、現像液の諸特性は次のようにして求
めた。 （１）スカム残りの有無 電子顕微鏡によるレジストパターンの観察により、基板
上にスカムが確認されたものを有、確認できなかったも
のを無とした。
めた。 （１）スカム残りの有無 電子顕微鏡によるレジストパターンの観察により、基板
上にスカムが確認されたものを有、確認できなかったも
のを無とした。
【００２３】（２）プロファイル形状 電子顕微鏡によるレジストパターンの観察により、レジ
ストパターンの断面形状における頭部分が丸くなったも
のは不良、矩形となったものを良好とした。
ストパターンの断面形状における頭部分が丸くなったも
のは不良、矩形となったものを良好とした。
【００２４】（３）露光余裕度 測長ＳＥＭ Ｓ６１００（日立社製）により、露光量と
レジストパターン線幅の関係を求め、０．６（±１０
％）μｍ幅のレジストパターンを得るのに要する露光量
の幅を露光余裕度として求めた。
レジストパターン線幅の関係を求め、０．６（±１０
％）μｍ幅のレジストパターンを得るのに要する露光量
の幅を露光余裕度として求めた。
【００２５】（４）焦点深度幅 縮小投影露光装置ＮＳＲ‐１５０５Ｇ７Ｅ（ニコン社
製、ＮＡ＝０．５０）を用いて、焦点を適宜ずらした場
合のＳＥＭ写真の観察を行った。このＳＥＭ写真より、
０．６μｍの矩形のレジストパターンが得られる焦点の
許容幅を焦点深度幅として求めた。
製、ＮＡ＝０．５０）を用いて、焦点を適宜ずらした場
合のＳＥＭ写真の観察を行った。このＳＥＭ写真より、
０．６μｍの矩形のレジストパターンが得られる焦点の
許容幅を焦点深度幅として求めた。
【００２６】実施例１ ２．５０重量％テトラメチルアンモニウムヒドロキシド
水溶液に、陰イオン性界面活性剤として、式
水溶液に、陰イオン性界面活性剤として、式
【化７】 で表わされる化合物を２０００ｐｐｍ及び硫酸アンモニ
ウム３００ｐｐｍを配合したものを現像液として調製し
た。
ウム３００ｐｐｍを配合したものを現像液として調製し
た。
【００２７】次いで、ノボラック樹脂とナフトキノンジ
アジド化合物を構成成分として含むポジ型ホトレジスト
であるＴＳＭＲ‐８８００（東京応化工業社製）を、６
インチシリコンウエハー上にスピンコートし、ホットプ
レート上で９０℃で９０秒間乾燥することで膜厚１．０
μｍのレジスト層を形成した。次に縮小投影露光装置で
あるＮＳＲ‐１５０５Ｇ７Ｅ（ニコン社製）を用い、テ
ストチャートマスクを介して、露光処理を施したのち、
静止パドル型現像装置により、上記現像液を用い、２３
℃で６５秒間現像処理を行い、その後純水によるリンス
処理を行うことでレジストパターンを形成し、電子顕微
鏡によりスカム残り、プロファイル形状を観察した結果
を表１に示した。また、同時に露光余裕度及び焦点深度
幅についても測定した結果を表１に示す。
アジド化合物を構成成分として含むポジ型ホトレジスト
であるＴＳＭＲ‐８８００（東京応化工業社製）を、６
インチシリコンウエハー上にスピンコートし、ホットプ
レート上で９０℃で９０秒間乾燥することで膜厚１．０
μｍのレジスト層を形成した。次に縮小投影露光装置で
あるＮＳＲ‐１５０５Ｇ７Ｅ（ニコン社製）を用い、テ
ストチャートマスクを介して、露光処理を施したのち、
静止パドル型現像装置により、上記現像液を用い、２３
℃で６５秒間現像処理を行い、その後純水によるリンス
処理を行うことでレジストパターンを形成し、電子顕微
鏡によりスカム残り、プロファイル形状を観察した結果
を表１に示した。また、同時に露光余裕度及び焦点深度
幅についても測定した結果を表１に示す。
【００２８】実施例２ 実施例１において、陰イオン性界面活性剤の代りに、非
イオン性界面活性剤である、式
イオン性界面活性剤である、式
【化８】 で表わされる化合物を用いた以外は、実施例１と同様の
操作により、レジストパターンを形成し、電子顕微鏡に
よりスカム残り、プロファイル形状を観察し、露光余裕
度及び焦点深度幅を測定した。その結果を表１に示す。
操作により、レジストパターンを形成し、電子顕微鏡に
よりスカム残り、プロファイル形状を観察し、露光余裕
度及び焦点深度幅を測定した。その結果を表１に示す。
【００２９】実施例３ 実施例２において、非イオン性界面活性剤として、式
【化９】 で表わされる化合物を用いた以外は、実施例１と同様の
操作により、レジストパターンを形成し、電子顕微鏡に
よりスカム残り、プロファイル形状を観察し、露光余裕
度及び焦点深度幅を測定した。その結果を表１に示す。
操作により、レジストパターンを形成し、電子顕微鏡に
よりスカム残り、プロファイル形状を観察し、露光余裕
度及び焦点深度幅を測定した。その結果を表１に示す。
【００３０】実施例４〜９ 表１に示すように界面活性剤の種類及びその添加量、硫
酸アンモニウムの添加量を変えた以外は、実施例１と同
様にして、レジストパターンを形成し、電子顕微鏡によ
りスカム残り、プロファイル形状を観察し、露光余裕度
及び焦点深度幅を測定した。その結果を表１に示す。
酸アンモニウムの添加量を変えた以外は、実施例１と同
様にして、レジストパターンを形成し、電子顕微鏡によ
りスカム残り、プロファイル形状を観察し、露光余裕度
及び焦点深度幅を測定した。その結果を表１に示す。
【００３１】比較例１ 実施例１において、陰イオン性界面活性剤を配合しない
現像液を用いた以外は、実施例１と同様の操作により、
レジストパターンを形成し、電子顕微鏡によりスカム残
り、プロファイル形状を観察し、露光余裕度及び焦点深
度幅を測定した。その結果を表１に示す。
現像液を用いた以外は、実施例１と同様の操作により、
レジストパターンを形成し、電子顕微鏡によりスカム残
り、プロファイル形状を観察し、露光余裕度及び焦点深
度幅を測定した。その結果を表１に示す。
【００３２】比較例２ 実施例１において、硫酸アンモニウムを配合しない現像
液を用いた以外は、実施例１と同様の操作により、レジ
ストパターンを形成し、電子顕微鏡によりスカム残り、
プロファイル形状を観察し、露光余裕度及び焦点深度幅
を測定した。その結果を表１に示す。
液を用いた以外は、実施例１と同様の操作により、レジ
ストパターンを形成し、電子顕微鏡によりスカム残り、
プロファイル形状を観察し、露光余裕度及び焦点深度幅
を測定した。その結果を表１に示す。
【００３３】比較例３ 実施例２において、硫酸アンモニウムを添加しなかった
こと以外は、実施例２と同様にして、レジストパターン
を形成し、電子顕微鏡によりスカム残り、プロファイル
形状を観察し、露光余裕度及び焦点深度幅を測定した。
その結果を表１に示す。
こと以外は、実施例２と同様にして、レジストパターン
を形成し、電子顕微鏡によりスカム残り、プロファイル
形状を観察し、露光余裕度及び焦点深度幅を測定した。
その結果を表１に示す。
【００３４】
【表１】
【００３５】実施例１０〜１５ 表２に示すように界面活性剤の種類、硫酸アンモニウム
をリン酸アンモニウム、またはホウ酸アンモニウムに変
えた以外は、実施例１と同様にして、レジストパターン
を形成し、電子顕微鏡によりスカム残り、プロファイル
形状を観察し、露光余裕度及び焦点深度幅を測定した。
その結果を表２に示す。
をリン酸アンモニウム、またはホウ酸アンモニウムに変
えた以外は、実施例１と同様にして、レジストパターン
を形成し、電子顕微鏡によりスカム残り、プロファイル
形状を観察し、露光余裕度及び焦点深度幅を測定した。
その結果を表２に示す。
【００３６】
【表２】
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭60−225152（ＪＰ，Ａ) 特開 平１−170941（ＪＰ，Ａ) 特開 昭62−159148（ＪＰ，Ａ) 特開 昭62−175758（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−205658（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−204454（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−25650（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) G03F 7/32 H01L 21/027
Claims (5)
- 【請求項１】 テトラメチルアンモニウムヒドロキシド
及びトリメチル（２‐ヒドロキシエチル）アンモニウム
ヒドロキシドの中から選ばれた少なくとも１種の有機塩
基１〜１０重量％及び界面活性剤５０〜５００００ｐｐ
ｍを含有する水溶液に、硫酸アンモニウム、リン酸アン
モニウム及びホウ酸アンモニウムの中から選ばれた少な
くとも１種のアンモニウム塩１００〜２０００ｐｐｍと
を配合したことを特徴とする半導体デバイス製造用レジ
スト現像液組成物。 - 【請求項２】 界面活性剤が陰イオン性界面活性剤及び
非イオン性界面活性剤の中から選ばれた少なくとも１種
である請求項１記載の半導体デバイス製造用レジスト現
像液組成物。 - 【請求項３】 陰イオン性界面活性剤が、一般式 【化１】 （式中のＲ1及びＲ2はそれぞれ独立して水素原子、炭素
数５〜１８のアルキル基又はアルコキシ基を示すが、い
ずれか１つは炭素数５〜１８のアルキル基又はアルコキ
シ基であり、Ｒ3、Ｒ4及びＲ5はそれぞれ独立して水素
原子、スルホン酸アンモニウム基又はスルホン酸置換ア
ンモニウム基を示すが、いずれか１つはスルホン酸アン
モニウム基又はスルホン酸置換アンモニウム基である）
で表わされる化合物である請求項２記載の半導体デバイ
ス製造用レジスト現像液組成物。 - 【請求項４】 非イオン性界面活性剤が一般式 【化２】 及び 【化３】 （式中のＲ6は炭素数５〜１５のアルキル基、Ｒ7、Ｒ8
及びＲ9はそれぞれ水素原子、炭素数１〜１５のアルキ
ル基であり、Ｒ8とＲ9は同じであってもよいし、互いに
異なっていてもよく、ｎ及びｍはそれぞれ５〜６０の整
数である）で表わされる化合物の中から選ばれた少なく
とも１種である請求項２記載の半導体デバイス製造用レ
ジスト現像液組成物。 - 【請求項５】 界面活性剤の含有量が１００〜２０００
ｐｐｍの範囲にある請求項１ないし４のいずれかに記載
の半導体デバイス製造用レジスト現像液組成物。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP04284929A JP3104939B2 (ja) | 1992-10-01 | 1992-10-01 | 半導体デバイス製造用レジスト現像液組成物 |
| US08/127,640 US5985525A (en) | 1992-10-01 | 1993-09-28 | Developer solution for photoresist composition |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP04284929A JP3104939B2 (ja) | 1992-10-01 | 1992-10-01 | 半導体デバイス製造用レジスト現像液組成物 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06118660A JPH06118660A (ja) | 1994-04-28 |
| JP3104939B2 true JP3104939B2 (ja) | 2000-10-30 |
Family
ID=17684890
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP04284929A Expired - Fee Related JP3104939B2 (ja) | 1992-10-01 | 1992-10-01 | 半導体デバイス製造用レジスト現像液組成物 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5985525A (ja) |
| JP (1) | JP3104939B2 (ja) |
Families Citing this family (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3328250B2 (ja) * | 1998-12-09 | 2002-09-24 | 岸本産業株式会社 | レジスト残渣除去剤 |
| US6451510B1 (en) * | 2001-02-21 | 2002-09-17 | International Business Machines Corporation | Developer/rinse formulation to prevent image collapse in resist |
| JP2002351094A (ja) * | 2001-05-22 | 2002-12-04 | Fuji Photo Film Co Ltd | 現像液組成物及び画像形成方法 |
| EP1324134B1 (en) | 2001-12-27 | 2010-10-20 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Resist composition and patterning process |
| US6900003B2 (en) * | 2002-04-12 | 2005-05-31 | Shipley Company, L.L.C. | Photoresist processing aid and method |
| JP4040539B2 (ja) * | 2003-06-13 | 2008-01-30 | 東京応化工業株式会社 | レジスト用現像液組成物およびレジストパターンの形成方法 |
| JP4040544B2 (ja) * | 2003-06-27 | 2008-01-30 | 東京応化工業株式会社 | レジスト用現像液組成物およびレジストパターンの形成方法 |
| JP5162131B2 (ja) * | 2003-10-28 | 2013-03-13 | サッチェム， インコーポレイテッド | 洗浄溶液およびエッチング液、ならびにそれらを用いる方法 |
| JP2005213097A (ja) * | 2004-01-30 | 2005-08-11 | Sumitomo Mitsubishi Silicon Corp | シリコン単結晶の引上げ方法 |
| JP2006301404A (ja) * | 2005-04-22 | 2006-11-02 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | 現像液組成物およびその製造方法、ならびにレジストパターンの形成方法 |
| TWI444788B (zh) * | 2010-01-28 | 2014-07-11 | Everlight Chem Ind Corp | 顯影液之組成物 |
| JP5729312B2 (ja) | 2011-01-19 | 2015-06-03 | 信越化学工業株式会社 | 化学増幅ポジ型レジスト材料及びパターン形成方法 |
| KR102011879B1 (ko) * | 2018-12-28 | 2019-08-20 | 영창케미칼 주식회사 | 극자외선 리소그래피용 공정액 및 이를 사용한 패턴 형성 방법 |
Family Cites Families (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| NL6800538A (ja) * | 1968-01-12 | 1969-07-15 | ||
| US3954472A (en) * | 1974-08-26 | 1976-05-04 | S. O. Litho Corporation | Substractive developer for negative working lithographic plates |
| US4294911A (en) * | 1979-06-18 | 1981-10-13 | Eastman Kodak Company | Development of light-sensitive quinone diazide compositions using sulfite stabilizer |
| US4308340A (en) * | 1980-08-08 | 1981-12-29 | American Hoechst Corporation | Aqueous 2-propoxyethanol containing processing composition for lithographic printing plates |
| US4381340A (en) * | 1980-08-08 | 1983-04-26 | American Hoechst Corporation | Method of treating lithographic printing plates with 2-propoxyethanol |
| JPS59219743A (ja) * | 1983-05-28 | 1984-12-11 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | ポジ型レジスト現像液 |
| JPS60225152A (ja) * | 1984-04-23 | 1985-11-09 | Fuji Photo Film Co Ltd | 現像液組成物 |
| JPH063549B2 (ja) * | 1984-12-25 | 1994-01-12 | 株式会社東芝 | ポジ型フォトレジスト現像液組成物 |
| JPS6235351A (ja) * | 1985-08-08 | 1987-02-16 | Konishiroku Photo Ind Co Ltd | 現像液組成物および現像方法 |
| JPH0638159B2 (ja) * | 1986-07-18 | 1994-05-18 | 東京応化工業株式会社 | ポジ型ホトレジスト用現像液 |
| JP2589408B2 (ja) * | 1990-11-30 | 1997-03-12 | 東京応化工業株式会社 | レジスト用現像液組成物 |
-
1992
- 1992-10-01 JP JP04284929A patent/JP3104939B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1993
- 1993-09-28 US US08/127,640 patent/US5985525A/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH06118660A (ja) | 1994-04-28 |
| US5985525A (en) | 1999-11-16 |
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| JPH0562736B2 (ja) |
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