DE3518193A1

DE3518193A1 - Waessriger saurer kupfer enthaltender elektrolyt und ein verfahren zur galvanischen abscheidung von kupfer unter verwendung dieses elektrolyten

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Publication number: DE3518193A1
Application number: DE19853518193
Authority: DE
Inventors: Stephen Christopher Rutherford N.J. Barbieri; Linda Jean Denville N.J. Mayer
Original assignee: OMI International Corp
Current assignee: OMI International Corp
Priority date: 1984-05-29
Filing date: 1985-05-21
Publication date: 1985-12-05
Also published as: GB8513501D0; JPS6141787A; GB2159539A; AU564519B2; AU4307385A; CA1255623A; IT1182231B; IT8548123A0; FR2565259A1; GB2159539B; US4555315A; JPS6220278B2; FR2565259B1; DE3518193C2

Description

Die Erfindung bezieht sich allgemein auf eine Elektrolytzusammensetzung und ein Verfahren zur galvanischen Abscheidung von Kupfer, genauer gesagt auf eine Elektrolytzusammensetzung und ein Verfahren zur galvanischen Abscheidung von Kupfer aus wäßrigen sauren Kupferbädern, insbesondere Kupfer-Sulfat und Fluoboratbädern. Noch genauer ausgedrückt ist die Erfindung auf ein neues Additiv-System zur Erzeugung glänzender duktiler eingeebneter Kupferüberzüge auf Metallsubstraten,insbesondere gedruckten Schaltungen, mit gutem Glanz in vertieften Bereichen gerichtet, welches die Anwendung von höheren Stromdichten in üblichen Galvanisiervorrichtungen als bisher ermöglicht.

Es sind viele galvanische wäßrige saure Kupferbäder verwendet oder zur Verwendung vorgeschlagen worden, denen verschiedene Additive eingearbeitet sind, um glänzende, eingeebnete und duktile Kupferüberzüge auf verschiedenartigen Substraten zu erhalten. Beispielhaft für solche Verfahren und Elektrolytzusammensetzungen sind solche, die in den nachstehenden US-PS der Anmelderin beschrieben sind: 3 267 010, 3 328 273, 3 770 598, 4 110 176, 4 272 335 und 4 336 114.

Obwohl die Elektrolytzusammensetzungen und die Verfahren, die in den vorstehend genannten US-Patenten beschrieben sind, ausgezeichnet glänzende duktile eingeebnete Kupferüberzüge geben, treten Schwierigkeiten auf, wenn die Elektrolyten in üblichen Galvanisiervorrichtungen verwendet werden und das Galvanisieren bei relativ höheren Stromdichten, wie zum Bei-

2 spiel durchschnittlichen Stromdichten von etwa 4,3 A/dm und darüber vorgenommen wird. Wenn derartige höhere durchschnittliche Kathodenstromdichten angewendet werden, um Schnellgalvanisierung von gedruckten Schaltungen durchführen zu können, werden häufig Kupferüberzüge erhalten, die den Standardvorschriften für gedruckte Schaltungen nicht entsprechen und daher industriell nicht akzeptabel sind. Es ist daher erforderlich, Spezialvorrichtungen zu verwenden, um solch hohe durchschnittliche Stromdichten von etwa 4,3 A/dm und darüber unter Erhaltung akzeptabler Überzüge anwenden zu können.

Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, die Schwierigkeiten des Standes der Technik zu überwinden und einen Kupferelektrolyten bereitzustellen, mit welchem Schneilverkupferung bei

2 durchschnittlichen Stromdichten über etwa 4,3 A/dm in gebräuchlichen Galvanisiervorrichtungen möglich ist, also Kupfer in hoher Rate galvanisch abgeschieden werden kann und gleichzeitig ein Kupferüberzug erhalten wird, der die Standard-Vorschriften der Industrie für gedruckte Schaltungen erfüllt. Darüber hinaus soll ein Verfahren zur galvanischen Abscheidung von Kupfer unter Verwendung dieses Bades angegeben werden.

Die Aufgabe wird durch das Bad des Anspruches 1 und das Verfahren des Anspruches 8 gelöst. Bevorzugte Ausführungsformen sind in den Unteransprüchen angegeben.

Die Vorteile, zu denen die Erfindung führt, werden erreicht durch eine Elektrolytzusammensetzung und ein Verfahren für die galvanische Abscheidung von Kupfer aus einem wäßrigen sauren Elektrolyten, der enthält: Kupferionen in einer Menge, die ausreicht, Kupfer galvanisch auf einem Substrat abzuscheiden, Wasserstoffionen, um einen sauren pH-Wert zu gewährleisten, eine glanzbildende und einebnende Menge eines Additiv-Systems, bestehend aus kontrollierten ausgewählten relativen Mengen von a) einem badlöslichen Polyether; b) einer badlöslichen organischen, zweiwertigen Schwefel enthaltenden Verbindung; c) einem badlöslichen Addukt eines tertiären Alkylamins mit Polyepichlorhydrin; und d) einem badlöslichen Reaktionsprodukt von Polyethylenimin und einem Alkylierungsmittel, welches den Stickstoff am Polyethylenimin unter Bildung quaternären Stickstoffs alkyliert, wobei das Alkylierungsmittel aus der Gruppe Benzylchlorid, Allylbromid, Propansulton, Dimethylsulfat ausgewählt ist und die Reaktionstemperatur im Bereich von etwa Raumtemperatur und 120⁰C gehalten wird.

Nach den Verfahrensaspekten der Erfindung kann das wäßrige saure galvanische Bad bei Temperaturen im Bereich von etwa 16°C bis etwa 38°C und bei durchschnittlichen Kathodenstrom-

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dichten über 4,3 A/dm bis etwa 8,6 A/dm unter Verwendung der gebräuchlichen Galvanisiervorrichtungen, wie einem Behälter, der mit Mitteln zur Bewegung durch Luft versehen ist,betrieben werden.

Weitere Merkmale der Erfindung und Vorteile, zu denen sie führt, werden aus der nachstehenden Beschreibung bevorzugter Ausführungsformen deutlich werden.

Gemäß den Elektrolytzusammensetzungs- und den Verfahrens-Aspekten der Erfindung kann der wäßrige saure Kupferelektrolyt entweder vom sauren Kupfersulfattyp oder vom sauren Kupferfluoborattyp sein. In Übereinstimmung mit der üblichen Praxis enthalten wäßrige saure Kupfersulfatbäder typischerweise etwa 30 bis etwa 100 g/l Kupfersulfat und etwa 180 bis etwa 250 g/l Schwefelsäure. Saure Kupferfluoboratbäder enthalten in Übereinstimmung mit den Bädern des Standes der Technik etwa 150 bis etwa 600 g/l Fluoborsäure und bis zu etwa 60 g/l Kupferfluoborat.

Das wäßrige saure Bad enthält zweckmäßigerweise auch Halogenionen, wie Chlor-und/oder Brom-Anionen, die gewöhnlich in Mengen nicht über etwa 0,2 g/l anwesend sind.

Das Additiv-System nach der Erfindung enthält eine kontrollierte Mischung von vier wesentlichen Bestandteilen, von denen der erste Bestandteil a) ein badlöslicher Polyether ist, vorzugsweise Polyether mit mindestens sechs Ether-Sauerstoff-Atomen und einem Molekulargewicht von etwa 150 bis etwa 1 Million. Von den zahlreichen Polyethern, die verwendet werden können, sind ausgezeichnete Ergebnisse erhalten worden mit Polypropylen, Polyethylen und Glykolen, einschließlich Gemischen davon, eines

durchschnittlichen Molekulargewichts von etwa 600 bis 4000, und alkoxilierten aromatischen Alkoholen eines Molekulargewichts von etwa 300 bis 2500. Beispiele für die verschiedenen bevorzugten Polyether, die verwendet werden können, sind diejenigen, die in der Tabelle 1 der US-PS 4 376 114 aufgeführt sind. Solche Polyether schließen ein: Polyethylenglykole (durchschnittliches Molekulargewicht 400 bis 1.000.000); ethoxilierte Naphthole (mit 5 bis 45 Molen Ethylenoxid); propoxilierte Naphthole (mit 5 bis 25 Molen Propylenoxid); ethoxiliertes Nonylphenol (mit 5 bis 30 Molen Ethylenoxid); Polypropylenglykole (durchschnittliches Molekulargewicht bis 1.000); Blockpolymere von Polyoxiethylen- und Polyoxipropylen-Glykolen (durchschnittliches Molekulargewicht 350 bis 250.000); ethoxilierte Phenole (mit 5 bis 100 Molen Ethylenoxid); propoxilierte Phenole (mit 5 bis 25 Molen Propylenoxid); oder dergleichen. Zweckmäßigerweise enthalten die galvanischen Bäder nach der Erfindung diese Polyether in Mengen in einem Bereich von etwa 0,6 bis etwa 26 μΜοΙ/1, wobei die Polyether höheren Molekulargewichts im allgemeinen in den niedrigeren Konzentrationen eingesetzt werden. Typischerweise werden die Polyether in Mengen in einem Bereich von etwa 3 bis etwa 13 uMol/1 verwendet.

Der zweite wesentliche Bestandteil b) des Additiv-Systems nach der Erfindung sind organische Verbindungen, die zweiwertigen Schwefel enthalten, einschließlich sulfonierte oder phosphonierte organische Sulfide, das sind organische Sulfide, die

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mindestens eine SuIfonsäure- oder Phosphonsäure-Gruppe tragen. Diese organischen Sulfidverbindungen, die SuIfonsäure- oder Phosphonsäure-Gruppen tragen, können auch verschiedene Substituenten am Molekül aufweisen, insbesondere die aromatischen oder heterozyklischen SuIfid-Sulfonsäuren oder SuIfid-Phosphonsäuren. Diese organischen Sulfide können als freie Säuren, als Alkalimetallsalze, als organische Aminsalze oder dergleichen verwendet werden. Beispiele für spezielle organische sulfonierte Sulfide, die verwendet werden können, sind die in Tabelle I der US-PS 3 267 010 und der Tabelle III der US-PS 4 181 582 aufgeführten sowie die Phosphonsaurederivate davon. Andere geeignete organische Verbindungen mit zweiwertigem Schwefel, die verwendet werden können, schließen ein: HO₃P-(CH₂) ₃~S-S- (CH₂) .J-PO₃H, sowie Mercaptane, Thiocarbamate, Thiolcarbamate, Thioxanthate und Thiocarbonate, die mindestens eine Sulfonsäure- oder Phosphonsäure-Gruppe enthalten.

Eine besonders bevorzugte Gruppe von organischen, zweiwertigen Schwefel enthaltenden Verbindungen sind die organischen Polysulfide. Solche Polysulfide können die Formel XR,-(S) R₃SO₃H oder XR,- (S) R₂PO₃H haben,worin R₁ und R₃,die gleich oder verschieden sein können, Alkylengruppen mit etwa 1 bis 6 C-Atomen, X Wasserstoff, SO₃H oder PO₃H und η eine Zahl von etwa 2 bis 5 bedeuten. Diese organischen, zweiwertigen Schwefel enthaltenden Verbindungen sind aliphatische Polysulfide, in denen mindestens zwei zweiwertige Schwefelatome vicinal sind und in denen das Molekül eine oder zwei endständige Sulfonsäure-

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oder Phosphonsäure-Gruppen hat. Der Alkylenteil des Moleküls kann mit Gruppen wie Methyl, Ethyl, Chlor, Brom, Ethoxy, Hydroxy und dergleichen substituiert sein. Diese Verbindungen können als freie Säuren oder als die Alkalimetallsalze oder Aminsalze zugefügt werden. Beispielhaft für spezifische organische Polysulfide, die verwendet werden können seien die genannt, die in Tabelle I der Spalte 2 der US-PS 3 328 273 aufgeführt sind sowie die Phosphonsaurederivate davon.

Zweckmäßigerweise liegen diese organischen Sulfide in den Bädern nach der Erfindung in Mengen in dem Bereich von etwa 11 bis etwa 441 μΜοΙ/1, vorzugsweise etwa 56 bis etwa 220 uMol/1, vor.

Der Bestandteil C des Additiv-Systems ist ein badlösliches Addukt eines tertiären Alkylamins mit Polyepichlorhydrin entsprechend der allgemeinen Formel:

0-CH₂CH

CH, Cl

0-CH₂-CH

CH.

Cl-N

RRR

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in der bedeuten,

R, die gleich oder verschieden sein können, Methyl oder Ethyl; A und B ganze Zahlen, deren Summe eine Zahl von 4 bis etwa

500 ist; und
A:B mindestens etwa 1:5.

Die polyquaternären Amine der vorstehenden Strukturformel können Molekulargewichte im Bereich von etwa 600 bis etwa 100.000 haben und sind ausgewählt, so daß sie in dem wäßrigen sauren Elektrolyten löslich sind. Solche quaternären Addukte von Polyepichlorhydrin mit tertiären Alkylaminen können in bekannter Weise hergestellt werden durch Inkontaktbringen eines Polyepichlorhydrins mit einer Lösung eines tertiären Alkylamins in einem geeigneten Lösungsmittel bei Temperaturen von etwa 5O⁰C bis etwa 12O⁰C, vorzugsweise bei einer Temperatur von etwa 100⁰C. Geeignete Lösungsmittel sind Wasser und Alkohol, und die Reaktion wird vorzugsweise unter lebhaftem Rühren in einer Zeit von etwa 2 bis etwa 8 Stunden oder darüber durchgeführt. Wenn Amine, wie Trimethylamin zum Beispiel,verwendet werden, die relativ stark flüchtig sind, wird die Reaktion in einem geschlossenen Gefäß, wie einem Autoklaven, unter Druck durchgeführt. Andererseits kann die Reaktion mit Aminen mit höherem Siedepunkt, wie Triethylamin, bei Atmosphärendruck unter Rückfluß ausgeführt werden. In jedem Fall kann das quaternäre Addukt-Produkt aus dem Reaktionsgemisch durch Abdestillieren des

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Lösungsmittels und des nicht umgesetzten Amins abgetrennt werden.

Die Herstellung und die Eigenschaften solcher quaternärer Addukte sind in der US-PS 3 320 317 genauer beschrieben, auf die bezüglich weiterer Einzelheiten über die Produkte, die in dem erfindungsgemäßen Glanz- und Einebnungssystem verwendbar sind, verwiesen wird.

Das quaternäre Addukt wird in dem wäßrigen sauren Kupferelektrolyten in Mengen von so niedrig wie etwa 0,3 bis zu Konzentrationen so hoch wie etwa 15 μΜοΐ/l eingesetzt, wobei Mengen im Bereich von etwa 2 bis etwa 7 μΜοΙ/l für die meisten Galvanisierungen von elektronischen Leiterplatten bevorzugt werden.

Der vierte wesentliche Bestandteil des Additiv-Systems d) ist ein badlösliches Reaktionsprodukt von Polyethylenimin und einem Alkylierungsmittel, welches den Stickstoff an dem Polyethylenimin unter Erzeugung quaternären Stickstoffs alkyliert. Das Alkylierungsmittel wird aus der Gruppe Benzylchlorid, Allylbromid, Propansulton, Dimethylsulfat oder dergleichen ausgewählt. Die Reaktionstemperatur zur Erzeugung des Produkts liegt gewöhnlich im Bereich von etwa Raumtemperatur bis etwa 120⁰C. Ein Produkt, das besonders für die Verwendung in dem glanzbildenden und einebnenden

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System geeignet ist, ist das Produkt von Polyethylenimin und Benzylchlorid. Das Reaktionsprodukt d) kann in Mengen im Bereich von etwa 0,0024 bis etwa 7 μΜοΐ/l verwendet werden; Mengen von etwa 1 bis etwa 4 μΜοΙ/l werden für das Galvanisieren von elektronischen Leiterplatten besonders bevorzugt.

Das Reaktionsprodukt, seine Synthese und geeignete Alkylierungsmittel sind ausführlich in der US-PS 3 770 598 beschrieben, deren Inhalt durch ihre Nennung in diese Beschreibung aufgenommen ist und auf die bezüglich weiterer Einzelheiten über zufriedenstellende Reaktionsprodukte für die Verwendung in der vorliegenden Erfindung hingewiesen wird.

Um bei der praktischen Durchführung der Erfindung die überraschenden Vorteile zu erreichen, ist es auch wichtig, daß die vier wesentlichen Bestandteile a), b), c) und d), die vorstehend definiert worden sind, in dem Additiv-System in kontrollierten Verhältnissen relativ zueinander innerhalb der weiter oben angegebenen Konzentrationen vorliegen. Es ist gefunden worden, daß das Molverhältnis der Bestandteile c) :d) Qc) :d)J im Bereich von etwa 9:1· bis etwa 1:10, vorzugsweise etwa 2:1 bis etwa 1:1, liegen kann. Außerdem ist gefunden worden, daß die Summe der Mole von a) und b) in einem bestimmten Verhältnis zu der Summe der Mole c) und d) liegen sollte, nämlich daß [a) +b) :c) +d)J in einem Bereich von etwa 35:1 bis etwa 2:1, vorzugsweise etwa 21:1 bis etwa

14:1, liegen sollte.

Gemäß den Verfahrensaspekten der Erfindung wird das saure Kupferbad üblicherweise bei durchschnittlichen Kathoden-

stromdichten über etwa 4,3 A/dm bis so hoch wie etwa 8,6 A/dm unter Verwendung gebräuchlicher Galvanisiervorrichtungen betrieben. Unter "gebräuchliche Galvanisiervorrichtung" wird hierin eine Vorrichtung verstanden, in welcher die Bewegung der Lösung relativ zu dem galvanisch zu beschichtenden Substrat hauptsächlich durch die Anwendung üblicher Bewegung mittels Luft erreicht wird. Obwohl geringe zusätzliche Bewegung durch Umwälzen des Elektrolyten mittels Pumpen durch Filter zur Klärung des Elektrolyten erzeugt werden kann, ist solche zusätzliche Bewegung minimal. Folglich unterscheidet sich solche gebräuchliche Vorrichtung von einer Spezial-Schnellgalvanisiervorrichtung, die Galvanisierzellen aufweist, wodurch der Elektrolyt schnell in Kontakt mit der Oberfläche des Substrats hindurchgeleitet wird, und ein hoher Grad an Bewegung durch turbulente Strömung des Elektrolyten erreicht wird. Eine derartige besonders ausgebildete Schnellgalvanisiervorrichtung, obwohl zum Verkupfern bei hohen Kathodenstromdichten zufriedenstellend, ist relativ teuer und nicht allgemein zum galvanischen Beschichten einer Vielzahl verschiedener Substrate unterschiedlicher Größe und Gestalt anpaßbar. Die vorliegende Erfindung ermöglicht die Verwendung von in üblicher Weise

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mittels Luft oder mechanisch bewegten Bädern, die allgemein derartigen Werkstücken angepaßt werden können, bei durchschnittlichen Kathodenstromdichten, die wesentlich über denen liegen, die bisher mit den bekannten Elektrolyten angewendet worden sind, wobei noch Kupferüberzüge, die industriell akzeptabel sind und den Standardvorschriften für gedruckte Schaltungen entsprechen, erhalten werden.

Die Temperatur des Elektrolyten kann während des Galvanisiervorganges im Bereich von etwa 16⁰C bis etwa 38⁰C, vorzugsweise von etwa 21⁰C bis etwa 27°C, liegen.

Um die verbesserte wäßrige saure Kupferelektrolytzusammensetzung und das Verfahren nach der Erfindung noch weiter zu veranschaulichen, wird das nun folgende Beispiel gebracht, auf das die Erfindung jedoch nicht beschränkt ist.

Beispiel

Es wurde ein Elektrolyt nach einer bevorzugten Ausführungsform der Erfindung hergestellt, der besonders für die Verkupferung von elektronischen Leiterplatten geeignet ist. Der Elektrolyt hatte folgende Zusammensetzung:

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Bestandteil Konzentration Kupferionen 21 g/l

Schwefelsäure 210 g/l Chlorionen 88 mg/1

Additiv-System:

(a) Polyethylenglycol 22 mg/1 (6,6 mm/D* (M.G. 3350)

(b) Sulfoalkylsulfid 39 mg/1 (110,2 mm/1) (M.G. 354)

(c) Quaternäres Epi-

chlorhydrin 13 mg/1 (3,7 mm/1) (M.G. 2000-5000)

(d) Polybenzylethylen-

imin 1,5 mg/1 (1,8 mm/1)

(M.G. 835)

* uMol/1

Der Bestandteil b) in dem Additiv-System ist das Di-Natriumsalz des Propandisulfids, während der Bestandteil c) das quaternäre Ammoniumsalz von Polyepichlorhydrin ist.

Der vorstehend beschriebene Elektrolyt wurde auf einer Temperatur von 24⁰C gehalten und das Bad mittels Luft mäßig stark bewegt. Eine 5,08 cm χ 5,08 cm (two-inch by two-inch)

2
Test-Leiterplatte von 18,58 cm (0,02 square feet) wurde bei

2
1,2 A (6,46 A/dm ) 30 Minuten galvanisch beschichtet. Es wurde ein glänzender Kupferüberzug erzeugt, der über das

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ganze Substrat und die Unebenheiten in den Ausschnitten durch die Leiterplatte gut eingeebnet war. Der Kupferüberzug besaß auch ausreichend gute Duktilität, um den Wärmeschocktest (MIL-55110C) zu bestehen. Die galvanische Abscheidung wurde

durch Aufrechterhaltung einer Anodenflache von 55,74 cm erhalten, was ein Verhältnis von Anodenfläche zu Kathodenfläche von etwa 3:1 ergibt.

Die vorstehend beschriebenen Ausfuhrungsformen sind bevorzugt. Für den Fachmann ergibt sich, daß daran noch viele verschiedene Abwandlungen und Änderungen möglich sind, ohne den Rahmen der Erfindung zu verlassen.

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Claims

32 877-21 Pa TENVAN WAi/TiJ. DH.-ING. H. NEGENOAi1JiC (-10731 HAUCK, SCHMITZ, GRAALFS, V/EHN3RT, DÖRING HAMBURG MÜNCHEN DÜSSELDORF PATENTANWÄLTE · NEUER WALL· 41 · 20OO HAMBURG 36 OMI INTERNATIONAL CORPORATION 21 441 Hoover Road Warren, Michigan 48089 USA Dlpl.-Phys. W. SCHMITZ - IMpL-Illtf. I«. (JIlAAl. Neuer Wall 41 · 2OOO Hamburg JJO Telefon + Telecopier (040) 86O7BB Telex 021176» Input d Telefon + Telecopier (OHO) Ott f>2 »H Telex ob 21055» pnmu d Or.-Infj. W. DÖ1UNC5 K.-Wilhelm-Kiiig 41 . 4OOO DÜHScIdorr Telefon (0211) B7BO 27 /please reply to: hambuhc;, Y]. Mai 1985 Wäßriger saurer Kupfer enthaltender Elektrolyt und ein Verfahren zur'galvanischen Abscheidung von Kupfer unter Verwendung dieses Elektrolyten A_n_s_2_r_ü_c_h_e_j_

1. Wäßriger saurer Elektrolyt, der Kupfer in einer zur galvanischen Abscheidung von Kupfer auf einem Substrat ausreichenden Menge enthält, dadurch gekennzeichnet, daß dem Elektrolyt ein Additiv-System in einer glanzbildenden und einebnenden Menge eingearbeitet ist, das Additiv-System ein Gemisch ist von

a) einem badlöslichen Polyether,

b) einer badlöslichen organischen zweiwertigen Schwefel enthaltenden Verbindung,

...12

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c) einem badlöslichen Addukt von einem tertiären Alkylamin mit Polyepichlorhydrin der Strukturformel:

0-CH₀CH

CH,

Cl

0-CH₂-CH

CH.

Cl-N

RRR

in der bedeuten:

R, die gleich oder verschieden sein können, Methyl oder Ethyl,

A und B ganze Zahlen, deren Summe eine Zahl von 4 bis etwa 500 ist, und wobei

A:B mindestens etwa 1:5 ist und

d) einem badlöslichen Reaktionsprodukt von Polyethylenimin und einem Alkylierungsmittel, das den Stickstoff am Polyethylenimin unter Bildung eines quaternären Stickstoffs alkyliert, wobei das Alkylierungsmittel ausgewählt ist aus der Gruppe Benzylchlorid, Allylbromid, Propansulton, Dimethylsulfat, und wobei die Reaktionstemperatur im Bereich von etwa Raumtemperatur und etwa 120⁰C liegt; und die Bestandteile in dem Additiv-System vorliegen, daß das Molverhältnis von c):d) in einem

Bereich von etwa 9:1 bis etwa 1:10 und das Molverhältnis von a)+b):c)+d) in einem Bereich von etwa 35:1 bis etwa 2:1 liegt.

2. Elektrolyt nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das Molverhältnis von c):d) etwa 2:1 bis etwa 1:1 ist.

3. Elektrolyt nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet/ daß das Molverhältnis von a)+b):c)+d) etwa 21:1 bis etwa 14:1 ist.

4. Elektrolyt nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß er den Bestandteil a) in einer Menge von etwa 0,6 bis etwa 26 μΜοΙ/l, den Bestandteil b) in einer Menge von etwa 11 bis etwa 441 uMol/1, den Bestandteil c) in einer Menge von etwa 0,3 bis etwa 15 μΜοΙ/l und den Bestandteil d) in einer Menge von etwa 0,0024 bis etwa 7 μΜοΐ/1 enthält.

5. Elektrolyt nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß er den Bestandteil a) in einer Menge von etwa 3 bis etwa 13 μΜοΙ/l, den Bestandteil b) in einer Menge von etwa 56 bis etwa 220 μΜοΙ/l, den Bestandteil c) in einer Menge von etwa 2 bis etwa 7 μΜοΙ/l und den Bestandteil d) in einer Menge von etwa 1 bis etwa 4 μΜοΙ/l enthält.

6. Elektrolyt nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das Molverhältnis von c):d) etwa 2:1 bis etwa 1:1 und das Molverhältnis von a)+b):c)+d) etwa 21:1 bis etwa 14:1 ist.

7. Elektrolyt nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichent, daß er den Bestandteil a) in einer Menge von etwa 3 bis etwa 13 μΜοΙ/l, den Bestandteil b) in einer Menge von etwa 56 bis etwa 220 uMol/1, den Bestandteil c) in einer Menge von etwa 2 bis etwa 7 μΜοΙ/l und den Bestandteil d) in einer Menge von etwa 1 bis etwa 4 μΜοΙ/l enthält.

8. Verfahren zur galvanischen Abscheidung von Kupfer auf einem Substrat, dadurch gekennzeichnet, daß das Kupfer aus einem wäßrigen sauren Elektrolyt des Anspruches 1 abgeschieden wird.

9. Verfahren nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, daß die Temperatur des Elektrolyten in einem Bereich von etwa 16°C bis etwa 38°C gehalten wird.

10. Verfahren nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, daß die durchschnittliche Kathodenstromdichte während der galvanischen Abscheidung in einem Bereich von etwa 4,3

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bis etwa 8,6 A/dm gehalten wird.