DE3423211A1 - Halbleiterbauteil - Google Patents

Description

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BESCHREIBUNG

Die Erfindung betrifft ein Halbleiterbauteil mit mehreren Kontaktierschichten gemäß dem Oberbegriff des Hauptanspruchs.

Ein derartiges Bauteil wird z. B. bei sehr hoch integrierten Schaltkreisen (VLSI) verwendet. Durch die mehreren Kontaktierschichten ist hohe Schaltgeschwindigkeit und hohe Integrierbarkeit möglich. Es erfordert immer längere Zeit und immer höhere Kosten, um eine logische LSI-Schaltung "von Hand" zu entwickeln. Rein manuelle Entwürfe werden daher nur noch für einen kleinen Teil allgemein verwendbarer LSI-Schaltungen erstellt, die dann in großen Stückzahlen gefertigt werden können. Im allgemeinen werden derartige Schaltungsentwürfe automatisch erstellt. Dabei wird ausgehend von Standardzellen die Anordnung und Verdrahtung von Elementen automatisch entwickelt. Die zunächst hergestellten Standardzellen werden einzeln funktionsüberprüft.

Der Aufbau solcher Schaltungen wird allgemein als Gate-Array-System oder auch als Standardzellensystem bezeichnet.

Bei der automatischen Schaltungsentwicklung ist es jedoch recht schwierig, durch ein Anordnungs- und Verdrahtungsprogramm eine so hohe Verdrahtungsdichte zu erreichen, wie sie bei manuellem Entwurf erzielbar ist. Um hier Verbesserungen zu erzielen, werden herkömmlicherweise zwei Kontaktierschichten für vertikale bzw. horizontale Leiterbahnen verwendet. Bei der automatischen Entwicklung von Siliziumgate-MOS-Bauteilen für hohe Integration und niedrige Leistungsaufnahme werden zwei Leiterbahnsysteme verwendet, die im folgenden anhand der Fig. 1 und 2 näher erläutert werden.
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Beim ersten System wird eine Gatemetallschicht aus Polysilizium oder dergleichen, die Gates eines MOS-Transistors bildet/ als erste (z.B. vertikale) Kontaktierschicht ver-

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wendet. Eine Kontaktierschicht aus einem Metall niedrigen Widerstandes, z. B. aus Aluminium oder dergleichen, für zuführende Sources oder Drains von MOS-Transistoren wird als zweite (z. B. horizontale) Kontaktierschicht verwendet.

Dieses erste System ist in Fig. 1 dargestellt. In einer Zellenanordnung 1 sind Standardzellen, deren Aufbau weiter unten beschrieben wird, angeordnet. Es liegt ein horizontaler Kontaktierkanal 2 vor. Eine Standardzelle ~j> weist ein logisches Tor, z. B. einen Inverter, ein NOR-Glied mit zwei Eingängen und ein NAND-Glied mit drei Eingängen auf. Vertikale Leiterbahnen 4 bestehen aus einer Gntemetallschlcht. Horizontale Leiterbahnen 5 im horizontalen Kontaktierkanal 2 bestehen aus einer Aluminiumkontaktierschicht. Weiterhin sind eine Leistungszufuhrleiterbahn 6 und eine Erdungsleiterbahn 7 vorhanden. Eine Drainelektrode wird durch eine Aluminiumleiterbahn 8 kontaktiert. Ein Kontakt 9 stellt den Kontakt zwischen dem eindiffundierten Bereich und der Aluminiumschicht bzw. der Gatemetallschicht und der Aluminiumschicht her. Es liegen weiterhin ein P-Typ Verunreinigungsbereich 10, ein N-Typ Verunreinigungsbereich 11 und ein P-Grabenbereich vor.

Bei dieser Leiterbahnanordnung sind die Eingangs- und AusgangsanschlUsse der Zellen durch die vertikalen Leiterbahnen 4 und die horizontalen Leiterbahnen 5 abhängig von herzustellenden Verbindungen zwischen den Zellen verdrahtet. Die Leiterbahnen 6 und 7 für Spannungszufuhr und-Erdung in der Standardzelle verlaufen horizontal und sind aus Aluminium gebildet. Der Ausgangsanschluß eines logischen Tores ist durch eine vertikale Leiterbahn 4 aus der Gatemetallschicht und eine Aluminiumleiterbahn 8 kontaktiert, die die Drains eines P-Kanal-Transistors und eines N-Kanal-Transistors mit-*

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einander verbindet. Der Drain des P-Kanal-Transistors besteht aus dem Bereich 10, der durch Eindiffundieren von P-Typ Verunreinigungen in das N-Typ Halbleitersubstrat gebildet ist. Der Drain des N-Kanal-Transistors besteht aus dem Bereich 11, der durch Eindiffundieren von N-Typ Verunreinigungen in den P-Grabenbereioh 4o gebildet ist, der wiederum durch Eindiffundieren von P-Typ Verunreinigungen in das Halbleitersubstrat hergestellt worden ist. Eine logische LSI-Schaltung wird mit Hilfe von Sta.ndardzellen und Kontaktierbereichen des genannten Aufbaus hergestellt. Mit diesem Aufbau ist es möglich, Bauteile durch herkömmliche Kontaktierprozesse von Polysiliziumgates und Aluminiumeinzelschichten herzustellen.

Das zweite, eingangs erwähnte Kontaktiersystem benutzt zwei Aluminiumschichten, Insbesondere dazu, um die Schaltgeschwindigkeit zu erhöhen. Ein entsprechender Aufbau ist in Pig. 2 dargestellt.

Beim Aufbau gemäß Fig. 2 sind horizontale Leiterbahnen durch eine erste Kontaktlerschicht 5 (eine erste Kontaktierschicht aus Aluminium) aus einem Metall niedrigen Widerstandes gebildet. Vertikale Leiterbahnen sind durch eine zweite Kontaktierschicht (13) (eine zweite Kontaktierschicht aus Aluminium) aus einem Metall niedrigen Widerstandes gebildet. Durch diese Leiterbahnen werden Standardzellen miteinander verbunden. Darüberhinaus liegt eine Kontaktierschicht 4 aus einem Gatemetall mit hohem Widerstand im Vergleich zu dem Widerstand der Schichten 5 und IJ vor. Die Gatemetallschicht dient nur für Leiterbahnen innerhalb der Standardgelle, wird also nicht im Verdrahtungsbereich zwischen den Zellen verwendet. Durch ein Durchgangsloch 12 hindurch werden die ersten und die zweiten Leiterbahnen aus Aluminium miteinander verbunden.

- Mitsubishi -Desiki K.K.

Ein Vorteil dieses Systems besteht darin, daß die Verdrahtung durch Kontaktierschichten niedrigen Widerstandes gebildet ist, was zu hoher Schaltgeschwindigkeit des Tores führt. Ein weiterer Vorteil des Systems besteht darin, daß die Verzö'gerungszeit eines Tores, das für zeitlich und logisch richtiges Arbeiten einer LSI-Schaltung nur von Kapazitäten, z. B. Schaltungskapazitäten, Eingangskapazitäten zu schaltender logischer Tore usw. herrühren sollte, berechnet werden kann.

Ein Nachteil besteht jedoch darin, daß eine Gatemetallschicht mit einem verhältnismäßig hohen Widerstand pro Längeneinheit als vertikale Kontaktierschicht verwendet wird, was zu geringer Schaltgeschwindigkeit der gesamten LSI-Schaltung verglichen mit herkömmlichen Anordnungen, insbesondere der eingangs beschriebenen Doppelschichtkontaktier struktur führt. Bei der Doppelschichtkontaktierstruktur ist es grundsätzlich erforderlich, eine Durchkontaktierung (in Fig. 1 nicht dargestellt) in Form einer vertikalen Leiterbahn anzubringen, die in Form einer Gatemetallkontaktierschicht durch die Zelle verläuft. Dies führt zu erhöhter Länge der Gatemetallleiterbahn. Deren Länge wird auch dann groß, wenn eine vertikale Leiterbahn zum Erhöhen der Verdrahtungsdichte verwendet wird. Dadurch entsteht ein hoher Widerstand in der Verdrahtung, was sich deutlich auf die Schaltgeschwindigkeit des logischen Tores in Form einer Erniedrigung auswirkt. Es ist also erforderlich, eine Gatemetalleiterbahn durch eine Aluminiumleiterbahn in demjenigen Bereich zu ersetzen, in dem sich eine lange Gatemetalleiterbahn nicht mit einer Aluminiumleiterbahn überkreuzt, um durch'das Anordnungs/Verdrahtungs-Programm zu erreichen, daß die erwähnte Absenkung der Schaltgeschwin-

Mitsubishi. JDenki K.K.

digkeit kleiner bleibt. Ohne diese Möglichkeit 1st es nicht möglich, das Programm beim Entwerfen einer Hochgesehwindigkeits-LSI-Schaltung zu verwenden. Darüberhinaus ist es schwierig,wegen des Widerstandes des logischen Tores dessen Verzögerungszeit vorherzusagen oder zu berechnen. Es muß dann die Herstellung abgewartet werden.

Bei der oben als zweites beschriebenen Doppelschicht-Kontaktieranordnung besteht der Nachteil, daß die Gatemetallleiterbahn nur zum Herstellen von Gateelektroden und nicht zugleich für die Verdrahtung dient. Darüberhinaus ist es erforderlich, zusätzliche Bereiche aus der horizontalen Kontaktierschicht des ersten Metalles zu schaffen, um das Gatemetall mit er zweiten vertikalen Kontaktiwrschicht verbinden zu können, was schnelle Schaltgeschwindigkeiten und hohe Integration der LS!-Schaltungen verhindert. Die Schwierigkeit rührt daher, daß es nicht möglich ist, die zweite Metallkontaktierschicht direkt mit dem Gatemetall in Kontakt zu bringen, da auf Grund einer zwischen den Schichten beim Herstellprozeß für MOS- oder ähnliche Bauteile angeordneten Isolierschicht Dickenunterschiede bestehen. Dadurch, daß zusätzliche Bereiche aus der ersten Metallkontaktierschicht bereitgestellt werden müssen, 1st es auch nicht möglich, eine Durchkontaktierung mit Hilfe der zweiten Metallschicht in den zusätzlichen Bereichen durchzuführen.

Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, ein Bauteil der eingangs genannten Art anzugeben, das so aufgebaut ist, daß hohe Verdrahtungsdichte in einer logischen hochintegrierten Schaltung ohne Verringerung der Schaltgeschwindigkeit erzielt werden kann.

Die Erfindung ist durch die Merkmale des Hauptanspruchs gegeben. Vorteilhafte Ausgestaltungen sind Gegenstand von

Mitsubishi Derlei K.K.

Unteransprüchen. Die Erfindung zeichnet sich dadurch aus, daß eine in einer Richtung verlaufende Kontaktierschicht einfach vorhanden ist, und in der rechtwinklig dazu verlaufenden Richtung zwei Kontaktierschichten angebracht sind« Die eine der beiden in einer Richtung verlaufenden Kontaktierschichten besteht aus einem Gatemetall. Die Gatemetallschicht dient also nicht nur zum Herstellen von Gates, sondern auch zum Herstellen von Verbindungen.

Die Erfindung wird im folgenden an Hand von Figuren näher erläutert. In der folgenden Figurenkurzbeschreibung sind aber auch die bereits erläuterten Figuren 1 und 2 zum Stand der Technik aufgeführt:

Fig. 1 ein Muster der Leiterbahnanordnung bei einem bekannten Halbleiterbauteil;

Fig. 2 ein Muster gemäß Fig. 1, jedoch für eine andere

bekannte AusfUhrungsform;

Fig. J5 ein Muster gemäß Fig. 1, jedoch für eine erfindungsgemäße Ausführungsform;

4 eine Anordnung mehrerer Muster gemäß Fig. 2 nebeneinander und übereinander; und .

Fig. 5 ein Ersatzschaltbild des Schaltmusters gemäß Big. 4. ■ . '

Das !fester gemäß Fig. 3 zeigt eine Anordnung 14 von Standardzellen 16, die horizontal nebeneinander angeordnet sind. Weiterhin ist ein horizontaler Kanal als Kontaktierbereich vorhanden. Die Standardzelle 16 weist ein CMOS-NOR-Glled mit zwei Eingängen, dar, mit einem Polyslllzlumgate in einem CMOS-

Mitsubishi Denk! K.K.

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Prozeß hergestellt ist, und ein Kontaktiersystem mit einer doppelten Aluminiumsohicht auf. Vertikale Leiterbahnen 17 bestehen aus einer Polysiliziumschicht, in die N-Typ Verunreinigungen eindiffundiert sind, um die Gates einee P-Kanal-Transistors und eines N-Kanal-Transistors zu bilden, was weiter unten erläutert wird. Die Leiterbahnen 17 bilden auch Eingangsanschlüsse des NOR-Gliedes mi't zwei Eingängen, Horizontale Leiterbahnen 18 bestehen aus einer ersten Aluminiumkontaktierschicht. Aus der ersten Aluminiumkontaktierschicht sind auch eine Spannungszufuhrleiterbahn 19 und eine Erdungsleiterbahn 20 gebildet. Eine Leiterbahn 21, die ebenfalls aus der ersten Aluminiumkontaktierschicht gebildet 1st, kontaktiert eine Drainelektrode. Kontakte 22 verbinden den diffundierten Bereich mit der ersten Aluminiumkontaktierschicht bzw. die Polysiliziumschicht mit der ersten Aluminiumkontaktierschicht. Ein diffundierter P-Typ Verunreinigungsbereich 23» bildet die Source oder den Drain eines P-Kanal-Transistors. Ein diffundierter N-Typ Verunreinigungsbereich 24 bildet die Source oder den Drain eines N-Kanal-Transistors. Dieser Bereich ist durch Eindiffundieren von N-Typ Verunreinigungen in den P-Typ Grabenbereloh 40 gebildet. Ein Durchgangsloch 25 dient zum Verbinden der ersten Aluminiumschicht mit der zweiten Aiuminiumachicht. Eine Leiterbahn 26 bildet den Ausgangsan-Schluß des NOR-Gliedes mit zwei Eingängen. Diese Leiterbahn ist aus einer zweiten Aluminiumkontaktierschicht gebildet. Die Drains der beiden Transistoren 23 und 24 sind also miteinander über die erste Aluminiumleiterbann 21 ver- *. bunden, und diese wiederum ist mit der zweiten Alumlniumleiterbahn 26 über das Durchgangsloch 25 verbunden.

In der Standardzelle 16, die ein NOR-Glied mit nur einem Ausgang bildet, ist es möglich, zwei vertikale Leiterbahnen anzuordnen, die durch die Zelle oberhalb der zwei Lei-

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terbahnen 17 aus Gatemetall durchlaufen, die Eingangsanschlüsse der Zelle bilden. Die durchlaufenden Leiterbahnen werden als Durchkontaktierung bezeichnet. Es ist also ein breiter Durohkontaktierbereich gebildet. Die Eingangs* und Ausgangsanschlüsse liegen auf den Linien eines Verdi¹ahtungsrasters (entsprechend den Linien 27 und 28 in Fig. &)> das passend für die GatemetalleiterbaJinen und die zweite Aluminiumkontaktierschicht ausgebildet ist. Die horizontale Länge der Standardzelle 16 ist ein ganzzahliges Mehrfaches des Intervalles jedes vertikalen Verdrahtungsrasters. Das linke und das rechte Ende einer jeden Zelle liegen jeweils auf den .Linienleitungen des Rasters für einen Eingangsanschluß.

Ein erstes wichtiges Merkmal der Verdrahtungs- und Z<ällsti»tik.tvtt* der vorliegenden Ausführungsform liegt Stisö in dem Vorhandensein von drei KontaktiersOhlchten. Di£ eine Sohichfc ist die iiatemetallkontaktierschicht 17 aus-'PoIysilizittriK. Die nächste Schicht ist die zweite Kontaktiersehicht 26 aus dem Metall niedrigen Widerstandes, bSftillch am& Aluminium, d\ip^h 4ie vertikale Leiterbahnen gebildet sind. Die letzte Sehioht ist schließlich die erste¹ Kontakt!erschlicht. 18 a.us einem Metall niedrigen Widerstaiidee, aus der horizontale Leiterbahnen gebildet sind. Insgesamt führt der Aufbau dazu; daß auch die GatemetallkontalctierSehicht wii»kujjgsvoll für Verdrahtungen zwischen den Standardzellen .25 verwendbar ist.

Ein zweites wesentliches Merkmal der erläuterten AusfUhrungsform besteht darin, daß die Gatemetalleiterbahnen, die aus der ersten vertikalen Kontaktierschicht gebildet sind, Eingangsanschlüsse für ein logisches Tor bilden, und daß di^zweiten Aluminiumleiterbahnen, die aus der zweiten vertikalen Kontaktierschicht gebildet sind, Ausgangsan-

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Schlüsse der logischen Tore oder eine Durchkontaktierung bilden, und daß diese Gatemetalleiterbahnen und die zweiten Aluminiumleiterbahnen abwechselnd entlang der Leitungslinien der vertikalen Verdrahtungsraster angeordnet sind. Die Linien der unterschiedlichen Raster sind also abwechselnd angeordnet, was insgesamt zu hoher Verdrahtungsdichte führt. '

Bei der in Fig. 3 dargestellten Ausführungsform sind die horizontalen Leiterbahnen 18 entlang der Linien des horizontalen Verdrahtungsrasters angeordnet, das für die horizontale Kontaktierschicht ausgebildet 1st und dasselbe Intervall aufweist wie die Leiterbahnen 18. Dieses Verdrahtungsraster ist jedoch nur ein imaginäres. Es ist nämlich nicht nur möglich, sondern selbstverständlich im Hinblick auf ein Erhöhen der Leiterbahndichte im Verdrahtungsbereich 15 wünschenswert, ein horizontales Verdrahrungsraster nicht anzubringen. Es liegt dann ein in Y-Richtung rasterfreies System vor. In einem derartigen System sind horizontale Leiterbahnen mit dem geringstmöglichen gegenseitigen Abstand oder mit dem geringstmöglichen Abstand zu/einem benachbarten Kontakt zum Verbinden einer horizontalen Leiterbahn und einer ersten oder zweiten vertikalen Leiterbahn angeordnet, was insgesamt zu hoiher Leiterbahndichte führt.

Beider iMusteranordnung gemäß Fig. 4, die von einer Dreischicäit-Iieiterbahnstruktur gemäß Fig. j5 Gebrauch macht, ist ein erstes Verdrahtungsraster 27 für die erste vertikale Kortfcaktierschicht (die Gatemetallkontaktierschlcht) und ein zweites Verdröhtungsraster 28 für die zweite vertikale Kontaktierschicht (die zweite Aluminiumkontaktierschicht) vorhanden. Ein als vertikaler KontaKtierkaiial ausgeführter Kontakt!er-

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bereich 29 ist vorhanden. Ebenfalls vertikal verlaufen D^rchkontaktiersperrbereichc 30, die schraffiert dargestellt sind. Durch einen Kontakt 21 sind die Gatemetallleiterbahn und die erste Aluminiumleiterbahn, und durch einen Kontakt 32 die erste Aluminiumleiterbahn und die zweite Aluminiumleiterbahn miteinander verbunden. Bei dieser Dreischicht-Kontaktleranordnung liegen erste und zweite vertikale Leiterbahnen entlang dem ersten vertikalen Verdrahtungsraster 27 bzw. dem zweiten vertikalen Verdrahtungsraster 28 sowie horizontale Leiterbahnen (erste Aluminiumleiterbahnen) vor. Die Leiterbahnen im Kontaktierbereich 29 sind durch eine Doppelschicht-Kontaktieranordnung gebildet, die aus den zweiten vertikalen Leiterbahnen und den horizontalen Leiterbahnen gebildet ist, also nicht von der Kontaktierschicht hohen Widerstandes (der Gatemetall kontaktierschicht) Gebrauch macht. Insgesamt ist dadurch hohe Verdrahtungsdichte bei ausreichendem Preiraum zwischen den Leiterbahnen Jeder Schicht bei minimalem Entwicklungsaufwand gewährleistet. Urn die Kontaktierschichten mitein- ander zu verbinden, sind zwei Arten von Kontakten erforderlich, nämlich die Kontakte Jl zum Verbinden der Gatemetalleiterbahnen mit den ersten Aluminiurnleiterbahnen, und die Kontakte 32 zum Verbinden der ersten Aluminiumleiterbahnen mit den zweiten Aluminiumleiterbahnen. Das Ausgangssignal vom logischen Tor wird über die zweite Aluminiumleiterbahn (zweite vertikale Leiterbahn) 26 ausgegeben und auf dem Chip mittels einer horizontalen Leiterbahn 18 und der zweiten vertikalen Leiterbahn 26 (zweite Aluminiumleiterbahn) weitergeleitet. Nur derjenige Bereich, der zum Eingangsanschluß des logischen Tores führt, ist durch die erste vertikale Leiterbahn (die Gatemetalleiterbahn) gebildet. Die Leiterbahnen, die entlang der Linien des vertikalen Verdrahtungsrasters angeordnet sind, mit Ausnahme derjenigen Bereiche, die in den Standardzellen 16 in Fig. 4

Mitsubishi De*iki K.K.

schraffiert dnr/'.e.'-te 111 sind, können für Durohkontaktierungon verwendet werdon, was hoho LoJ.torbahrid i.ohto ermöglicht. Bei der Loj t^rbahnanordnung dar beschriebenen Ausführungsform dient nicht eine GatemetaLleiterbahn in einer Zelle, sondern die zweite vertikale Leiterbahn zum Durchkontaktieren, obwohl die Gatemetalleiterbahn sich zwischen dem oberen und dem unteren Ende einer Zelle erstreckt.

Im Ersatzschaltbild der Struktur von Fig. 4 liegen Inverter 33 und 34, durch die Gatemetalleiterbahnen hervorgerufene Widerstände 33a - j55c, den Eingangsanschlüssen der Gates zugeordnete Kapazitäten ^ba - JGq, ein NAND-Glied 37, ein NOR-Glied 38 uiui eine Leiterbahn 39 vor, die durch die ernte und d.i.ο /.weite A 1 uminium.l.e I.terbahn gebildet 1st.

Innerhalb diesem Ersatzschaltbild liegt keinerlei Widerstand an den) Ausg?in/;üanscliJui3 des durch den Inverter 23 wiodergef.;⁽'berieii Ton,';. Üur Widerstand 35 liegt lediglich am rilngangfjijnsohluß des Tore;;. Darüberhlnaus ist die Länge der Gatometaileiterbahn, die zum Erhöhen der Widerstandskomporiente führt, auf einen Wert begrenzt, der geringer ist als die Höhe des horizontalen Kanals, was zum erheblichen Verringern des Widerstands der Gatemetalleiterbahn beiträgt. Wenn /,um Beispiel die Höhe der Zelle etwa 50 um ist, ist die Höhe des horizontalen Verdrahtungskanales etwa I50 pm. Der Flächenwiderstand des Gatemetalls ist 4o Ohm/a . Die Breite einer Gatemetalleiterbahn ist 3 um. Der Widerstand wird dann maximal 2000 Ohm (= i\0 Ohm Ό x 150 jJm/3 um). Es wird angenommen, daß die Einrangskapazität ~$G des Tores etwa 0,1 pF ist. Auf Grund der¹ l'idorsUmdskomponerite wird dann ein Signal um 0,20 ns verzögert, was gegenüber der Verzögerungszeit eines Tores vernachlässigbar ist, die etwa 2 - 5 ns beträgt.

MJ.tsuhlsh.1 Denkl K. K.

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Bei der dargestellten Ausführun^sform wurde davon ausgegangen, daß er. niob um CM08-Bnuteile handelt. En ist aber auch möclichj die Anordnung auf NE.'D-Bauteile (N-Kanal Enhancement Depletion MOS-Bauteile) anzuwenden.

- Leerseite -

Claims (5)

1. TER MEER-MULLER-STEINMEIS

   PATENTANWÄLTE — EUROPEAN PATENT ATTORNEYS

   Dipl.-Ghem. Dr. N. ter Meer Dipl.-Ing. H. Steinmeister

   Dipl.-Ing. F. E. Müller Artur-Ladebeck-Strasse

   Tnftstrasse 4,

   D-80OO MÜNCHEN 22 D-4800 BIELEFELD 1

   22. Juni im*

   BENKI KABOSHlKI KAISHA 2-3> Marunouchi 2-chome, Chlyoda-ku Tokyo, Japan

   Ha !bleiterbautei1

   Priorität: 24. Juni 1983, Japan, Nr. 58-1U602

   ANSPRÜCHE

   mehreren⁵ ■-vertikalen Lei terfeahnen (17^>,: die aus einer verfcika· leix Kontaktierseiiieht gebildet sind, und .;-■- horizontalen Leiterbahnen (3.8), die aus einer horizontalen Kontaktierschicht gebildet sind, '^; d ad u r c h gekennzeichnet, 'daß - entweder mehrere vertikale.'oder mehrere horizontale .Kontaktierschichten vorliegen, - aus einer (It) der mehreren Kontaktierschiqhten Ein gangsanschlüsse für logische Tore gebildet sind,

   _m «Mitsu^leixirDenki K¹. K.

   ■ - 2 - . . ■ "■;■-■■■ ,;

   - aus der anderen (26) der mehreren Kontakfeierschiohten Ausgsfngsansohltls&e von logischen Toren gebildet Sind, und ;

   - die Leiterbahnen (I7, 26) der beiden Kontaktierschlch» ten jeweils entlang den Linien eines imaginären Verdtahtungs-

   rasters laufen, das jeweils für eine Kontaktierschloht ,·■ so ausgebildet ist, dal3 die Linien der Baster, abwechselnd angeordnet sind. ' _;
2. 2. Bauteil nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß es drei Schichten aufweist, mit einer ersten vertikalen Kontaktiersohicht (17) aus einem. Einfach- oder Mehrschichtgatemetall zum Herstellen von Leiterbahnen,die Gates eines Siliziumgate-MOS-'Trsiiisistors entsprechen, welche Gates ElngangsanschlUsse logischer Tore sind, mit einer horizontalen Kontaktlerschicht (18), die aus einer ersten Schicht eines Metalls mit niedrigem·. Widerstand gebildet ist und Leiterbahnen liefert, die die Sources oder Drains von Siliziumgate-MOS-Tran&istoren miteinander verbinden, und mit einer zweiten vertikalen Kontaktierschioht (26) aus einer zweiten Schicht eines Metalls mit niedrigem Widerstand, aus der Leiterbahnen gebildet sind, die Ausgangsanschlüsse logischer Tore bilden, welche Schicht über der ersten Schicht, eines Metalles mit niedrigem Widerstand unter Zwischenlage '^; einer Isolierschicht ausgeblldetrist;* ^{r l} ,
3. 3. Bauteil nach Anspiruoh 2, d a d u r -c h ge k e η η * :_; zeichnet, daß sie eine Stondardzeljt« (Ϊ6) mit drQi Kontaktierschichten aufweist, bei der eine Öate-~ ; metallleiterbahn, die den Eingangsanschluß eines logi-

   JO sehen Tores bildet, entlang der Anschlußlinie für. die'

   -Mitsubishi Denk! K.K.

   erste vertikale Kontaktierschicht (18) angeordnet ist, und bei der eine Drainelektrode eines MOS-Transistors, die aus der zweiten Kontaktierschicht mit niedrigem Widerstand gebildet ist, den Ausgangsanschluß eines logischen Tores bildet und entlang der Kontaktlerlinie für die zweite vertikale Kontaktierschicht (26) angeordnet ist.
4. 4. Bauteil nach Anspruch 3, gekennzeichnet durch eine Leiterbahn (18, 17), die am Ausgangsanschluß eines logischen Tores in der Standardzelle (16) beginnt, welcher Anschluß durch die zweite Kontaktierschicht (26) aus dem Metall mit niedrigem Widerstand gebildet ist, welche Leiterbahn durch die erste Kontaktierschicht (18) aus einem Metall mit niedrigem Widerstand und der zweiten Kontaktierschicht (26) aus einem Metall niedrigen Widerstandes gebildet ist, wobei der mit dem Eingangsanschluß einer anderen Standardzelle zu verbindende Teil der Leiterbahn durch die Kontaktierschicht (17) aus dem Gatemetall gebildet ist.
5. 5. Bauteil nach Anspruch 4, dadurch gekenn-zeichnet, daß die horizontalen Leiterbahnen (18) mit dem minimal zulässigen gegenseitigen Abstand oder so angeordnet sind, daß zwischen einer Jeweiligen Bahn und einem benachbarten Kontakt zum Kontaktleren der horizontalen Leiterbahn (18) und der ersten (If) oder zweiten (26) vertikalen Leiterbahn der minimal zulässige Abstand vorliegt.