DE3411731C2 - - Google Patents

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DE3411731C2
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Description

Die Erfindung bezieht sich gattungsgemäß auf ein Verfahren zur Her­ stellung von Silicium aus Rohstoff-Quarz in einem Elektroniederschacht­ ofen, wobei in den Elektroniederschachtofen der Rohstoff-Quarz in kör­ niger Form und außerdem Reduktionsmittelbriketts aus Quarz und Koh­ lenstoff eingebracht werden, die in bezug auf die Reaktion SiO2 + 3C = SiC + 2CO einen Überschuß an Kohlenstoff von mehr als 50 Gew.-% auf­ weisen, wobei in einem oberen Teil des Elektroniederschachtofens zuerst bei einer Temperatur von unter 1600°C der Quarz in den Reduktions­ mittelbriketts zu SiC umgesetzt wird und wobei danach in einem unteren Teil des Elektroniederschachtofens bei einer Temperatur von über 1600°C, insbesondere von 1800°C bis 2000°C, der flüssige Rohstoff-Quarz redu­ ziert wird. - Rohstoff-Quarz bezeichnet alle für die Herstellung von Silicium eingesetzten Siliciumdioxidträger, insbesondere Quarzite und Quarzsand. Zur Herstellung der Reduktionsmittelbriketts wird im allge­ meinen mit Quarzsand gearbeitet. Die Reduktionsmittelbriketts können auf verschiedene Weise, insbesondere im Wege der Heißbrikettierung hergestellt werden. Heißbrikettierung bezeichnet eine bindemittelfreie Brikettierung, bei der die Ausgangsstoffe auf eine Temperatur von 430 bis 540°C erwärmt und unter Anwendung von Druck zu Briketts ge­ formt werden (vgl. DE-PS 19 15 905).
Bei dem bekannten gattungsgemäßen Verfahren (DE-PS 30 32 720) wird mit Reduktionsmittelbriketts gearbeitet, die in bezug auf die Reaktion SiO2 + 3C = SiC + 2CO einen Überschuß an Kohlenstoff von über 50 Gew.-% aufweisen. Tatsächlich strebt man im Rahmen der bekannten Maßnahmen eine möglichst vollständige Umsetzung der Reaktionspartner bei der angegebenen Reaktion in den Reduktionsmittelbriketts an, und zwar zu SiC und CO, um danach die Reduktion des flüssigen Rohstoff- Quarzes im unteren Teil des Elektroniederschachtofens bei den angege­ benen hohen Temperaturen mit dem SiC als Reduktionsmittel durchzu­ führen. Der Überschuß an Kohlenstoff ist vorhanden, weil der Kohlen­ stoff bei der Reduktion in den Reduktionsmittelbriketts auch mit Sauer­ stoff reagiert und insoweit für die Reduktion des Siliciumdioxids ver­ lorengeht. Im Rahmen der bekannten Maßnahmen bestehen die Reduk­ tionsmittelbriketts nach der Reduktion des Siliciumdioxids jedoch prak­ tisch aus Siliciumkarbid und nicht mehr aus Kohlenstoff. Die bekannten Maßnahmen haben sich bewährt, sind jedoch in bezug auf die Silicium­ ausbeute und damit in bezug auf den Energiebedarf verbesserungs­ fähig.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, das gattungsgemäße Verfah­ ren so zu führen, daß man bei reduziertem Energieeinsatz eine hohe Siliciumausbeute erhält.
Zur Lösung dieser Aufgabe lehrt die Erfindung, daß der Überschuß an Kohlenstoff in den Reduktionsmittelbriketts in bezug auf die Reaktion SiO2 + 3C = SiC + 2CO weniger als 90 Gew.-% ausmacht, wobei die Reduktionsmittelbriketts im oberen Teil des Elektroniederschachtofens bei einer Temperatur von unter 1600°C eine koksartige Struktur annehmen, die neben dem SiC aktivierten Kohlenstoff aufweist.
Die durch die Erfindung erreichten Vorteile resultieren aus dem akti­ vierten Kohlenstoff in der koksartigen Struktur. Dieser steht im unteren Teil des Elektroniederschachtofens, neben dem Siliciumkarbid, zur Re­ duktion des Siliciumdioxids zur Verfügung, was im Ergebnis die Ausbeu­ te verbessert und den Energieeinsatz reduziert.

Claims (1)

  1. Verfahren zur Herstellung von Silicium aus Rohstoff-Quarz in einem Elektroniederschachtofen, wobei in den Elektroniederschachtofen der Rohstoff-Quarz in körniger Form und außerdem Reduktionsmittelbriketts aus Quarz und Kohlenstoff eingebracht werden, die in bezug auf die Reaktion SiO2 + 3C = SiC + 2CO einen Überschuß an Kohlenstoff von mehr als 50 Gew.-% aufweisen, wobei in einem oberen Teil des Elektro­ niederschachtofens zuerst bei einer Temperatur von unter 1600°C der Quarz in den Reduktionsmittelbriketts zu SiC umgesetzt wird und wobei danach in einem unteren Teil des Elektroniederschachtofens bei einer Temperatur von über 1600°C, insbesondere von 1800 bis 2000°C, der flüssige Rohstoff-Quarz reduziert wird, dadurch gekenn­ zeichnet, daß der Überschuß an Kohlenstoff in den Reduktions­ mittelbriketts in bezug auf die Reaktion SiO2 + 3C = SiC + 2CO weniger als 90 Gew.-% ausmacht, wobei die Reduktionsmittelbriketts im oberen Teil des Elektroniederschachtofens bei einer Temperatur von unter 1600°C eine koksartige Struktur annehmen, die neben dem SiC aktivier­ ten Kohlenstoff aufweist.
DE19843411731 1983-11-26 1984-03-30 Verfahren zur herstellung von silicium aus rohstoff-quarz in einem elektroniederschachtofen sowie verfahren zur reduktion von oxidischen rohstoffen Granted DE3411731A1 (de)

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