SE461037B - Saett att av kol och kiseldioxid kontinuerligt framstaella flytande kisel i en reaktor - Google Patents

Saett att av kol och kiseldioxid kontinuerligt framstaella flytande kisel i en reaktor

Info

Publication number
SE461037B
SE461037B SE8703895A SE8703895A SE461037B SE 461037 B SE461037 B SE 461037B SE 8703895 A SE8703895 A SE 8703895A SE 8703895 A SE8703895 A SE 8703895A SE 461037 B SE461037 B SE 461037B
Authority
SE
Sweden
Prior art keywords
reactor
silica
carbon
stage
plasma gas
Prior art date
Application number
SE8703895A
Other languages
English (en)
Other versions
SE8703895D0 (sv
SE8703895L (sv
Inventor
J Feinman
Original Assignee
Skf Plasma Tech
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Skf Plasma Tech filed Critical Skf Plasma Tech
Priority to SE8703895A priority Critical patent/SE461037B/sv
Publication of SE8703895D0 publication Critical patent/SE8703895D0/sv
Priority to AU16991/88A priority patent/AU616181B2/en
Priority to FR888808171A priority patent/FR2621575B1/fr
Priority to JP63187054A priority patent/JPH01115811A/ja
Priority to BR8804291A priority patent/BR8804291A/pt
Priority to NO88884496A priority patent/NO884496L/no
Publication of SE8703895L publication Critical patent/SE8703895L/sv
Publication of SE461037B publication Critical patent/SE461037B/sv

Links

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C01INORGANIC CHEMISTRY
    • C01BNON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
    • C01B33/00Silicon; Compounds thereof
    • C01B33/02Silicon
    • C01B33/021Preparation
    • C01B33/023Preparation by reduction of silica or free silica-containing material
    • C01B33/025Preparation by reduction of silica or free silica-containing material with carbon or a solid carbonaceous material, i.e. carbo-thermal process

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Silicon Compounds (AREA)
  • Carbon And Carbon Compounds (AREA)
  • Silicon Polymers (AREA)
  • Plasma Technology (AREA)

Description

461 10 15 20 057 Det uppfinningsenliga sättet erbjuder sålunda en process vari de ovan nämnda förlusterna av SiO reduceras eller elimineras, och halten resterande SiC i produkten mini- mefâs.
Det uppfinningsenliga sättet kan illustreras på följande vis.
I det första steget, genomföras en karbotermisk reduktion av SiO2 i en första zon innehållande ett överskott av kol till bildning av SiC enligt S102 + 2C > 2 SiOg + 2 CO (1) 2 SiOg + 4C --9 2 SiCS + 2CO (2) eller totalt 2 SiOz + 6C~---> 2 SiCs + 4CO (3).
I det andra steget, utnyttjas den SiC som producerats i det första steget till att reducera ytterligare SiO2 en- ligt SiO2 + SiCs --ö Sil + S109 + CO (4), och SiO + SiC --à 2 Si + CO (5), eller g s l totalt SiO2 + 2SiCS > 3 Sil + 2CO (6).
Den totala reaktionen för de två kombinerade stegen (ek- vation (3) plus ekvation (6) är 3SiO + 6C > 3Si + GCO (7). 2 l ,. .-.flnwwwuu 10 15 20 25 30 3 461 057 Det uppfinningsenliga sättet genomförs med fördel i en schaktugn som hålles fylld med styckeformigt kolmaterial.
Denna reaktor har lämpligen upptill ett matningsorgan för styckeformigt kolmaterial, samt en ledning för avdragning av gaser som produceras och introduceras i systemet. Vid en övre nivå av reaktorn finns anordningar för inmatning av kiseldioxid och värmeenergi i en första reaktionszon.
Vid en andra lägre nivå i reaktorn finns organ för inmat- ning av kiseldioxid och värmeenergi för genomförande av det andra reaktionssteget. Reaktorns undre del är utfor- mad på konventionellt vis för att medge avtappning av bil- dat kisel, och kan med fördel vara utformad för att medge temporär uppsamling av flytande kisel för satsvis avtapp- ning därav från reaktorn.
Organen för tillförsel av värmeenergi är anordningar för tillförsel av förbränningsoberoende energi, nämligen plasmageneratorer varvid partikelformigt SiO 2 injiceras vid dessa.
Den uppfinningsenliga processen enligt de ovan angivna stökiometriska ekvationerna kommer nu att närmare beskri- vas i anslutning till den bilagda enda ritningsfiguren, som schematiskt visar en apparat för genomförande av det uppfinningsenliga sättet.
Den schematiskt på ritningen visade apparaten innefattar en schaktugn 1 som är försedd med åtminstone en plasmagene- rator 2 på en övre nivå, och åtminstone en plasmagenerator 3 på en undre nivå. Ugnen uppvisar dessutom vid överdelen 9 en konventionell sluss 4 för inmatning av styckeformigt kol, samt en ledning 7 för avdragning av gaser som produ- ceras och introduceras i ugnen. Vidare visas injicerings- anordningar 5 respektive 6 för injicering av partikelfor- migt SiO2 vid varje plasmagenerator. Vidare visas avtapp- 10 15 20 25 30 461 037 ningsanordningar 8 vid ugnens botten för periodisk avdrag- ning av produkten, flytande kisel.
Den övre delen av schaktugnen l utnyttjas för genomförande av processens första steg och omfattar plasmageneratorerna 2 vid den Övre nivån samt ugnsvolymen ovanför denna övre nivå. Denna ugnsvolym är fylld med styckeformigt kol som matas genom överdelen 9. Plasmagas som kan vara recirkule- rad fràngas eller annan lämplig gas, samt partikelformig SiO2 som injiceras i plasmagasen, inkommer i kolbädden och reagerar enligt reaktionerna (1) och (2) till bildning av SiC och CO. Temperaturen i denna reaktionszon efter väsent- ligen fullständig omsättning kommer att vara åtminstone l90OOC och företrädesvis högre,och denna temperatur kommer att minska till omkring l300°C vid schaktugnens överdel då det styckeformiga kol som där inmatas rör sig nedåt och vär- mes av de uppàtgàende gaserna till reaktionstemperaturen.
Det är helt klart att en väsentlig del av denna kolförvärm- ning kommer ätt åstadkommas i den övre delen av reaktorvo- lymen så att större delen av volymen ovanför den övre plas- mageneratornivàn 2 kommer att befinna sig vid eller nära reaktionszonstemperaturen. Dessa förhållanden kommer att gynna fullständig reduktion av all SiOg enligt reaktion (2). Den SiC som produceras i detta första steg kommer att röra sig nedåt tillsammans med eventuellt icke omsatt kol ned i den undre delen av schaktugnen 1, vilken del innefattar plasmageneratorerna vid den undre nivån 3 samt anordningarna för uppsamling och avdragning av Sil, och denna undre del utnyttjas för genomförande processens and- ra steg. I detta andra steg inmatas på den undre nivån ytterligre SiO2 tillsammans med plasmagas från plasmage- neratorerna på denna nivå och kommer att reagera med nedåt strömande SiC och icke omsatt kol till bildning av Sil och CO enligt reaktionerna (4), (5) och eventuellt Siog + C > Sil + Co (8). . al.. .www-www 10 15 20 25 30 5 461 037 Producerad Sil kommer att ansamlas i ugnsvolymen vid dess botten och periodiskt avlägsnas genom tappning på konven- tionellt sätt. Enligt en föredragen form av uppfinningen startas ugnen genom fyllning av dess undre del med stycke- formigt SiC och fyllning av dess övre del med styckefor- migt kol som skulle kunna vara grafit eller koks. Därefter kan plasmageneratorerna på nivåerna 2 och 3 drivas med lämplig inert plasmagas för värmning av systemet till reak- tionstemperaturen. En kontinuerlig produktion av Sil kan sedan startas genom injicering av SiO2 vid plasmagenera- torerna 2 och 3, för genomförande av de tidigare angivna ekvationerna. Ett exempel på drift av processen enligt upp- finningen under utnyttjande av relativtrenareakuæmerges i följande tabell, för ett produktionsflöde av ett ton kisel per timme.
I exemplet upprätthölls reaktionszontemperaturer av cirka 19oo°c.
Exempel på drift vid en produktion av 1 ton Si per timme, per ton Si Kolförbrukning, kg 855 Kiseldioxid, kg 2139 till första steget 1426 till andra steget 713 Elektricitet, kWh 7924 till första steget 4546 till andra steget 3378 Plasmagas, kmol 49 till första steget 34 till andra steget 15 Utgående gas, kmol* 125 CO, molfraktion 0,938 N2, molfraktion 0,062 Frångas Temperatur OC aa 1250 461 037 6 * Plasmagasen är i detta driftexempel recirkulerad ut- gående gas.

Claims (6)

10 15 20 25 7 461 037 P a t e n t k r a v
1. Sätt att av kol och kiseldioxid kontinuerligt fram- ställa flytande kisel i en reaktor varvid i ett första steg en första andel av kiseldioxiden omsättes med kol under tillförsel av värmeenergi till bildning av kisel- karbid och att i ett andra därpå följande steg en andra andel av kiseldioxiden omsättes med den i det första ste- get framställda kiselkarbiden under tillförsel av värme- energi till bildning av flytande kisel, k ä n n e - t e c k n a t av att det första steget genomföres genom att plasmagas och däri injicerat Si02 införes i en kol- bädd i reaktorn till bildning av en första reaktionszon som är belägen pà en nivå ovanför en i reaktorn anordnad andra reaktionszon innehållande primärt kiselkarbid, som bildats i den första zonen varvid det andra steget genom- föres i den andra zonen under införing av plasmagas med däri injicerad kiseldioxid.
2. Sätt enligt krav 1, k ä n n e t e c k n a t av att den första andelen kiseldioxid väljes till att vara app- roximativt 2/3 och att den andra andelen kiseldioxid sä- lunda väljes till att vara approximativt 1/3.
3. Sätt enligt krav 1 eller 2, k ä n n e t e c k n a t av att temperaturen i det första steget hàlles vid åtmins- tone l900°C.
4. Sätt enligt något av kraven 1 - 3, n a t av att temperaturen i det andra steget hàlles vid àtminstøne 19oo°c .
5. Sätt enligt något av kraven 1 - 4, n a t av att reaktorkärlet beskickas med kol i sin övre del. k ä n n e t e c k - k ä n n e t e c k - 461 037
6. Sätt enligt något av kraven 1 - 5, k ä n n e t e c k - n a t av att reaktorn initialt fylles med styckformigt kol i sin övre del och med SiC i sin undre del upptill den första zonen, och att inert plasmagas injiceras i de båda initialt fyllda reaktionszonerna tills drifttemperaturtillstànd upp- nåtts i reaktorn, varefter SiO2 och plasmagas injiceras i zonerna för fortgående produktion av flytande kisel.
SE8703895A 1987-10-09 1987-10-09 Saett att av kol och kiseldioxid kontinuerligt framstaella flytande kisel i en reaktor SE461037B (sv)

Priority Applications (6)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SE8703895A SE461037B (sv) 1987-10-09 1987-10-09 Saett att av kol och kiseldioxid kontinuerligt framstaella flytande kisel i en reaktor
AU16991/88A AU616181B2 (en) 1987-10-09 1988-06-02 A method and apparatus for continuously producing liquid silicon from carbon and silica
FR888808171A FR2621575B1 (fr) 1987-10-09 1988-06-17 Procede et dispositif pour la production continue de silicium liquide a partir de carbone et de silice
JP63187054A JPH01115811A (ja) 1987-10-09 1988-07-28 液体ケイ素の連続製造法及び装置
BR8804291A BR8804291A (pt) 1987-10-09 1988-08-24 Processo de producao continua de silicone liquido a partir de carbono e silica e mecanismo para a execucao do processo
NO88884496A NO884496L (no) 1987-10-09 1988-10-07 Fremgangsmaate og anordning for fremstilling av flytende silisium.

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SE8703895A SE461037B (sv) 1987-10-09 1987-10-09 Saett att av kol och kiseldioxid kontinuerligt framstaella flytande kisel i en reaktor

Publications (3)

Publication Number Publication Date
SE8703895D0 SE8703895D0 (sv) 1987-10-09
SE8703895L SE8703895L (sv) 1989-04-10
SE461037B true SE461037B (sv) 1989-12-18

Family

ID=20369805

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
SE8703895A SE461037B (sv) 1987-10-09 1987-10-09 Saett att av kol och kiseldioxid kontinuerligt framstaella flytande kisel i en reaktor

Country Status (6)

Country Link
JP (1) JPH01115811A (sv)
AU (1) AU616181B2 (sv)
BR (1) BR8804291A (sv)
FR (1) FR2621575B1 (sv)
NO (1) NO884496L (sv)
SE (1) SE461037B (sv)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2007102745A1 (en) * 2006-03-07 2007-09-13 Kopperaa Miljöinvest As Method for the manufacture of pure silicon metal and amorphous silica by reduction of quartz (sio2)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6379717A (ja) * 1986-09-24 1988-04-09 Kawasaki Steel Corp 金属珪素の製造方法およびその装置
US4897852A (en) * 1988-08-31 1990-01-30 Dow Corning Corporation Silicon smelting process
DE102008010744B4 (de) * 2008-02-20 2010-09-30 CBD Labs Pty Ltd., Double Bay Reduktion von Siliziumdioxid

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB2008559A (en) * 1977-09-09 1979-06-06 Goldblatt N Z Production of silicon
DE3016807A1 (de) * 1980-05-02 1981-11-05 Licentia Patent-Verwaltungs-Gmbh, 6000 Frankfurt Verfahren zur herstellung von silizium
DE3000802A1 (de) * 1980-01-11 1981-07-30 Licentia Patent-Verwaltungs-Gmbh, 6000 Frankfurt Verfahren zur herstellung vn silizium
DE3032720C2 (de) * 1980-08-30 1982-12-16 International Minerals & Chemical Luxembourg S.A., 2010 Luxembourg Verfahren zur Herstellung von Silicium aus Quarz und Kohlenstoff im Elektroofen
SE435370B (sv) * 1981-10-20 1984-09-24 Skf Steel Eng Ab Sett att framstella kisel
DE3411731A1 (de) * 1983-11-26 1985-11-07 International Minerals & Chemical Corp., Northbrook, Ill. Verfahren zur herstellung von silicium aus rohstoff-quarz in einem elektroniederschachtofen sowie verfahren zur reduktion von oxidischen rohstoffen
US4680096A (en) * 1985-12-26 1987-07-14 Dow Corning Corporation Plasma smelting process for silicon

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2007102745A1 (en) * 2006-03-07 2007-09-13 Kopperaa Miljöinvest As Method for the manufacture of pure silicon metal and amorphous silica by reduction of quartz (sio2)

Also Published As

Publication number Publication date
AU1699188A (en) 1989-04-13
NO884496D0 (no) 1988-10-07
AU616181B2 (en) 1991-10-24
FR2621575B1 (fr) 1990-01-19
NO884496L (no) 1989-04-10
JPH01115811A (ja) 1989-05-09
SE8703895D0 (sv) 1987-10-09
BR8804291A (pt) 1989-05-23
FR2621575A1 (fr) 1989-04-14
SE8703895L (sv) 1989-04-10

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US4439410A (en) Method of manufacturing silicon from powdered material containing silica
EP0133209A2 (en) Trichlorosilane production process and equipment
EP1394111B1 (en) Method of manufacturing silicon
US4102764A (en) High purity silicon production by arc heater reduction of silicon intermediates
US4102767A (en) Arc heater method for the production of single crystal silicon
JPS63367B2 (sv)
US4525334A (en) Process for the production of silicon
EP0126810A1 (en) Process for carbothermic reduction of alumina
US4388107A (en) Minimum-energy process for carbothermic reduction of alumina
NO783733L (no) Fremgangsmaate til aa redusere metallmalm i partikkelform til metall
CA1298236C (en) Plasma smelting of silicon in transferred arc process
CA1091280A (en) Arc heater production of silicon involving a hydrogen reduction
SE461037B (sv) Saett att av kol och kiseldioxid kontinuerligt framstaella flytande kisel i en reaktor
JP2784595B2 (ja) ケイ素製錬法及びケイ素製錬炉
CA1158443A (en) Method and apparatus for producing molten iron
US3236628A (en) Process and plant for producing molten pig iron
US3661561A (en) Method of making aluminum-silicon alloys
JPH0791049B2 (ja) 多結晶シリコンの製造におけるポリマーのトリクロロシラン転化方法
US4334917A (en) Carbothermic reduction furnace
FI70253B (fi) Framstaellning av aluminium-kisellegeringar
WO2016052841A1 (ko) 고효율 하이브리드 수평형 반응기를 이용한 폴리실리콘 제조 장치 및 제조 방법
JPH0221938A (ja) 環状加熱流動床反応器
JP4780271B2 (ja) 多結晶シリコンの製造方法
ITRM960596A1 (it) Procedimento pr la produzione di triclorosilano
JPH02172811A (ja) トリクロロシランの製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
NUG Patent has lapsed

Ref document number: 8703895-6

Effective date: 19930510

Format of ref document f/p: F