DE1792651A1 - Verfahren zur Reinigung von Chlorsilanen - Google Patents
Verfahren zur Reinigung von ChlorsilanenInfo
- Publication number
- DE1792651A1 DE1792651A1 DE19681792651 DE1792651A DE1792651A1 DE 1792651 A1 DE1792651 A1 DE 1792651A1 DE 19681792651 DE19681792651 DE 19681792651 DE 1792651 A DE1792651 A DE 1792651A DE 1792651 A1 DE1792651 A1 DE 1792651A1
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- chlorosilanes
- ring
- distillation
- boron
- cleaning
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000005046 Chlorosilane Substances 0.000 title claims description 17
- KOPOQZFJUQMUML-UHFFFAOYSA-N chlorosilane Chemical class Cl[SiH3] KOPOQZFJUQMUML-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims description 17
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 16
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 title description 6
- 238000004821 distillation Methods 0.000 claims description 12
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 125000000623 heterocyclic group Chemical group 0.000 claims description 7
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 6
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 125000004434 sulfur atom Chemical group 0.000 claims description 6
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 claims description 5
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 238000000746 purification Methods 0.000 claims description 2
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 13
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 8
- ZDHXKXAHOVTTAH-UHFFFAOYSA-N trichlorosilane Chemical compound Cl[SiH](Cl)Cl ZDHXKXAHOVTTAH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000005052 trichlorosilane Substances 0.000 description 6
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 4
- WJFKNYWRSNBZNX-UHFFFAOYSA-N 10H-phenothiazine Chemical compound C1=CC=C2NC3=CC=CC=C3SC2=C1 WJFKNYWRSNBZNX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 3
- MROCJMGDEKINLD-UHFFFAOYSA-N dichlorosilane Chemical compound Cl[SiH2]Cl MROCJMGDEKINLD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 150000004678 hydrides Chemical class 0.000 description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 3
- FDNAPBUWERUEDA-UHFFFAOYSA-N silicon tetrachloride Chemical compound Cl[Si](Cl)(Cl)Cl FDNAPBUWERUEDA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IOJUPLGTWVMSFF-UHFFFAOYSA-N benzothiazole Chemical compound C1=CC=C2SC=NC2=C1 IOJUPLGTWVMSFF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 2
- -1 hydrogen silanes Chemical class 0.000 description 2
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 229950000688 phenothiazine Drugs 0.000 description 2
- 238000004857 zone melting Methods 0.000 description 2
- SLYRGJDSFOCAAI-UHFFFAOYSA-N 1,3-thiazolidin-2-one Chemical compound O=C1NCCS1 SLYRGJDSFOCAAI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZOBPZXTWZATXDG-UHFFFAOYSA-N 1,3-thiazolidine-2,4-dione Chemical compound O=C1CSC(=O)N1 ZOBPZXTWZATXDG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WGJCBBASTRWVJL-UHFFFAOYSA-N 1,3-thiazolidine-2-thione Chemical compound SC1=NCCS1 WGJCBBASTRWVJL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FLFWJIBUZQARMD-UHFFFAOYSA-N 2-mercapto-1,3-benzoxazole Chemical compound C1=CC=C2OC(S)=NC2=C1 FLFWJIBUZQARMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZGVOUDMGECGLOD-UHFFFAOYSA-N 2-methyl-1,3-thiazole-4-thiol Chemical compound CC1=NC(S)=CS1 ZGVOUDMGECGLOD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UTBVIMLZIRIFFR-UHFFFAOYSA-N 2-methylthio-1,3-benzothiazole Chemical compound C1=CC=C2SC(SC)=NC2=C1 UTBVIMLZIRIFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UGWULZWUXSCWPX-UHFFFAOYSA-N 2-sulfanylideneimidazolidin-4-one Chemical compound O=C1CNC(=S)N1 UGWULZWUXSCWPX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RVBUGGBMJDPOST-UHFFFAOYSA-N 2-thiobarbituric acid Chemical compound O=C1CC(=O)NC(=S)N1 RVBUGGBMJDPOST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZAISDHPZTZIFQF-UHFFFAOYSA-N 2h-1,4-thiazine Chemical compound C1SC=CN=C1 ZAISDHPZTZIFQF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OCVLSHAVSIYKLI-UHFFFAOYSA-N 3h-1,3-thiazole-2-thione Chemical compound SC1=NC=CS1 OCVLSHAVSIYKLI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KCXVZYZYPLLWCC-UHFFFAOYSA-N EDTA Chemical class OC(=O)CN(CC(O)=O)CCN(CC(O)=O)CC(O)=O KCXVZYZYPLLWCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HWGBHCRJGXAGEU-UHFFFAOYSA-N Methylthiouracil Chemical compound CC1=CC(=O)NC(=S)N1 HWGBHCRJGXAGEU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FZWLAAWBMGSTSO-UHFFFAOYSA-N Thiazole Chemical compound C1=CSC=N1 FZWLAAWBMGSTSO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 description 1
- RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N arsenic atom Chemical compound [As] RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001639 boron compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 239000008139 complexing agent Substances 0.000 description 1
- 239000000975 dye Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 231100000086 high toxicity Toxicity 0.000 description 1
- 238000005984 hydrogenation reaction Methods 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- QTWZICCBKBYHDM-UHFFFAOYSA-N leucomethylene blue Chemical compound C1=C(N(C)C)C=C2SC3=CC(N(C)C)=CC=C3NC2=C1 QTWZICCBKBYHDM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PMRYVIKBURPHAH-UHFFFAOYSA-N methimazole Chemical compound CN1C=CNC1=S PMRYVIKBURPHAH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CXKWCBBOMKCUKX-UHFFFAOYSA-M methylene blue Chemical compound [Cl-].C1=CC(N(C)C)=CC2=[S+]C3=CC(N(C)C)=CC=C3N=C21 CXKWCBBOMKCUKX-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 229960000907 methylthioninium chloride Drugs 0.000 description 1
- 229960002545 methylthiouracil Drugs 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 1
- 238000001556 precipitation Methods 0.000 description 1
- WHMDPDGBKYUEMW-UHFFFAOYSA-N pyridine-2-thiol Chemical compound SC1=CC=CC=N1 WHMDPDGBKYUEMW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HBCQSNAFLVXVAY-UHFFFAOYSA-N pyrimidine-2-thiol Chemical compound SC1=NC=CC=N1 HBCQSNAFLVXVAY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BHMARGUMXFEJHW-UHFFFAOYSA-N pyrrolidin-1-ylcarbamodithioic acid Chemical class SC(=S)NN1CCCC1 BHMARGUMXFEJHW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000035484 reaction time Effects 0.000 description 1
- 238000011084 recovery Methods 0.000 description 1
- 238000011946 reduction process Methods 0.000 description 1
- KIWUVOGUEXMXSV-UHFFFAOYSA-N rhodanine Chemical compound O=C1CSC(=S)N1 KIWUVOGUEXMXSV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 150000004756 silanes Chemical class 0.000 description 1
- 238000001577 simple distillation Methods 0.000 description 1
- JNMRHUJNCSQMMB-UHFFFAOYSA-N sulfathiazole Chemical compound C1=CC(N)=CC=C1S(=O)(=O)NC1=NC=CS1 JNMRHUJNCSQMMB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229960001544 sulfathiazole Drugs 0.000 description 1
- BRNULMACUQOKMR-UHFFFAOYSA-N thiomorpholine Chemical compound C1CSCCN1 BRNULMACUQOKMR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZEMGGZBWXRYJHK-UHFFFAOYSA-N thiouracil Chemical compound O=C1C=CNC(=S)N1 ZEMGGZBWXRYJHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
- LXEXBJXDGVGRAR-UHFFFAOYSA-N trichloro(trichlorosilyl)silane Chemical compound Cl[Si](Cl)(Cl)[Si](Cl)(Cl)Cl LXEXBJXDGVGRAR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010626 work up procedure Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
- C01B33/00—Silicon; Compounds thereof
- C01B33/08—Compounds containing halogen
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
- C01B33/00—Silicon; Compounds thereof
- C01B33/04—Hydrides of silicon
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
- C01B33/00—Silicon; Compounds thereof
- C01B33/08—Compounds containing halogen
- C01B33/107—Halogenated silanes
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Silicon Compounds (AREA)
- Thiazole And Isothizaole Compounds (AREA)
Description
Troisdorf, den 27.Sept.1968
DYNAMIT NOBEL AKTIENGESELLSCHAFT Troisdorf, Bez. Köln
Verfahren zur Reinigung von Chlorsilanen
Gegenstand der Erfindung ist ein Verfahren zur Reinigung von Chlorsilanen mit organischen Verbindungen, welches
dadurch gekennzeichnet ist, daß man den Chlorsilanen als organische Verbindungen ein- und/oder mehrkernige Heterocyclen
mit Stickstoff im Ring in Mengen von 0,01 - 5>0 Mo1$,
vorzugsweise 0,02 - 2,0 MoI^, bezogen auf die Menge Chlorsilan,
zusetzt, wobei man als Heterocyclen solche verwendet, die zusätzlich ein Schwefelatom im Ring und/oder
ein unmittelbar mit dem Ring verbundenes Schwefelatom besitzen, und anschließend das resultierende Gemisch in bekannter
\7eise durch Destillation trennt.
Silicium für Halbleiterzv/ecke muß besonders rein sein.
Spuren von Begleitstoffen beeinträchtigen die Halbleitereigenschaften
des Siliciums erheblich. Solche störenden Spurcnverunrejnigungen sind beispielsweise die Elemente
Bor, Aluminium, Titan, Phosphor, Arsen, Eisen etc. Sie stammen hauptsächlich aurs- dem nur Herstellung von Reinsi-
— 2 —
109848/1562
109848/1562
licium üblicherweise verwendeten Irichlorsilan, aus denen
sie bei dem gebräuchlichen Reduktionsverfahren mit •Wasserstoff bei erhöhter Temperatur mitabgeschieden
.werden.
Während die meisten Störelemente durch Zonenschmelzen
entfernbar sind, führt diese Maßnahme bei einigen Verunreinigungen, wie bei Bor, nicht zum Ziel. Daa Bor ist
in beiden Phasen des Siliciums beim Zonenschmelzen löslich. Es besteht daher großes Interesse, das Bor mittels
geeigneter Reinigungsmethoden aus dem Trichlorsilan zu entfernen.
Bekanntlich konnten die für die Halbleiterherstellung benötigten Reinheitsgrade bisher nicht durch eine Extraktions-
oder Destillationsmethode erreicht werden. Daher sind Verfahren entwickelt worden, die die Abtrennung der
Begleitstoffe auf chemischem Wege erreichen sollen. So ist es beispielsweise bekannt, einige der Begleitstoffe mit
Hydrogensilanen in flüchtige Hydride zu überführen. Es
werden dabei jedoch nicht alle Elemente erfasst und die Hydrierung verläuft auch nicht vollständig. Außerdem werden die
Anlagen von den Hydriden contaminiert. Der Reinigungseffekt reicht daher nicht aus. Ein besonderer Nachteil
dieses Verfahrens ist die meist hohe Giftigkeit der betreffenden Hydride.
— 3
109848/1562
Nach einem anderen Verfahren werden Zusätze, z.B. Salze der Ä'thylendiamintetraessigsäure und der Pyrrolidinodithiocarbaminsäure
verwendet und unter Anwendung längerer Reaktionszeiten teilweise unter Druck und erhöhter Temperatur
zur Reaktion gebracht. Diese Zusätze bewirken Fällungen, welche bei einer kontinuierlichen Betriebsweise vor der Destillation
erst entfernt werden müssen, um eine Verlegung der Destillationslcolonne zu verhindern.
Weiterhin ist ein Verfahren bekannt geworden, nach dem Wasserdampf
zusammen mit eir· mrägergas in die zu reinigenden
Chlorsilane geleitet wird. Dieses Verfahren führt jedoch zur Verkieselung. Außerdem entstehen Substanzverluste,
weil die Rückgewinnung von mit dem Gasstrom mitgerissenem Chlorsilan aufwendig ist und meist auch nur unvollständig
gelingt. Gegenüber einfacher Destillation erfordern alle bekannten Methoden einen erheblichen größeren Aufwand an
Zeit und Betriebsmitteln.
Es wurde nun gefunden, daß man Chlorsilane auch auf einfache Weise ohne die geschilderten Nachteile reinigen kann,
indem man den Chlorsilanen organische Verbindungen von Typus ein- und/oder mehrkernige Heterocyclen mit Stickstoff im Ring
in Kengen von 0,01 - 5,0 Hol$5, vorzugsweise 0,02 - 2,0 Mo 1$,
bezogen auf die Menge Chlorsilan, zusetzt, wobei man als Heterocyclen solche verwendet, die zusätzlich ein Schwefelatom
im Ring und/oder ein unmittelbar mit dem Ring verbundenes
109848/1562
- 4 - BAD
Schwefelatom besitzen, und anschließend das resultierende Gemisch in bekannter Weise durch Destillation trennt. Neben
allen anderen anorganischen Fremdstoffen des Trichlorsilans werden besonders Borverbindungen bis zu kaum noch analytisch
erfassbaren Konzentrationen entfernt.
Durch das Verfahren der vorliegenden Erfindung ist es möglich, technische Chlorsilanqualitäten auf einfache
V/eise in Halbleiterqualitäten überzuführen.
Zur Durchführung des Verfahrens gemäß der vorliegenden
Erfindung können zur Reinigung der Chlorsilane spezielle ein- oder mehrkernige Heterocyclen mit Stickstoff im Ring
verwendet werden. Geeignet sind Fünfringe, die gegebenenfalls anelliert sein können, wie Thiazol, 2,5-Dimethylthizol, Benzothiazol,
2-Mercaptothiazol, 2-Methylmercaptothiazol, 2-Cyclohexylmercaptothiazol,
2-Mercaptothiazolin, Rhodanin (2-Thio-4~keto-thiazolidin),
2,4-Thiazolidindion, Sulfathiazol,
1,2,3-Thiodiazol, Benzothiodiazol, 2-Thiohydantoin, N-Methyl-2-thioimidazolin,
2-Mercaptobenzoxazol u.a. Ebenfalls geeignet
sind die Sechsringe, die auch anelliert sein können, wie z.B. 1,4-Thiazin, Phenothiazin, sowie die davon abgeleiteten
Phenothiazinfarbstoffe, wie Leukomethylenblau, Methylenblau, lauth'sches Violett und andere, Thiomorpholin,
2-Mercaptopyridin, 2-Mercaptopyrimidin, 2-Thiouracil, 6-Methyl-2-thiouralcil,
Thiobarbitursäui'e, Thiodiphenylamin, 6,0-Mohlor-2-mercapto--4"Chinazolinol
usw.
109848/1562 BA0 ORIGINAL
Geeignete Chlorsilane sind, z.B. Dichlorsilan, Trichlorsilan,
Tetrachlorsilan, Hexachlordisilan u.a.
Die erfindungsgemäße Reinigung erfolgt durch Zugabe des
Komplexbildners zusammen mit den Rohsilanen entweder in die Destillationsblase oder in die Kolonneneingabe. Temperatur-
und Druckbedingungen können beliebig gewählt werden. Ohne v/eitere Behandlung kann dann die destillative Aufarbeitung
angeschlossen werden. Die anorganischen Begleitstoffe gehen mit den Reinigungszusätzen in nichtflüchtiger Form in den
Destillationssumpf, der zweckmäßigerweise nicht ganz ausdestilliert wird. Es kann sowohl im Chargenbetrieb als auch
kontinuierlich gearbeitet werden. Als besonderer Vorteil des Verfahrens wäre noch zu erwähnen, daß auch technische Chlorsilane
mit hohen Konzentrationen an verunreinigenden Fremdstoffen ohne Vorbehandlung eingesetzt und nach dem erfindungsgemäßen
Verfahren auf die geforderte hohe Reinheit gebracht werden kann.
Die nachstehenden Beispiele sollen die Erfindung erläutern.
109848/1562
Zu 1 kg technischem ürichlorsilan mit einem Bor-Gehalt
von 88 ppm wurden 0,5 g 6~Methyl~2-thiouracil zugesetzt
.und das Gemisch der Destillation unterworfen. Im Destillat war kein Bor nachweisbar. Der Destillationsrückstand von
70 g enthielt das gesamte Bor.
Zu 12,5 kg technischem Trichlorsilan mit einem Bor-Gehalt von 90 ppm und Gehalten von ca. 3,5 Gew.# Dichlorsilan und
ca. 10 Gew.$ Tetrachlorsilan wurden 10 g 2-Methylthiobenzothiazol
zugemischt und das Gemisch der Destillation unterworfen. Es wurden nacheinander 1 kg Gemisch aus Trichlorsilan
mit ca. 40 Gew.$ Dichlorsilan, ca. 10 kg Trichlorsilan und ca, 1 kg Tetrachlorsilan abdestilliert. In allen drei Destillaten
war kein Bor nachweisbar. Der Destillationsrückstand von 390 g enthielt das gesamte Bor.
Analog Beispiel 1 wurde mit 1 g 1-Methylimidazol-2-thiol
gearbeitet. Das Destillat enthielt kein Bor mehr. Dagegen wurde im Rückstand von ca. 90 g eine Bor-Konzentration von
ca. 0,1 Gew.$ gefunden.
1-0 9848/1562
— 7 —
Analog Beispiel 1 wurde mit 0,2 g PhenotMazin gearbeitet.
Das Destillat enthielt kein Bor mehr, während das gesamte Bor im Rückstand von 85 g angereichert war.
109848/1562
Claims (1)
- Patentanspruch tss ass ssbVerfahren zur Reinigung von Chlorsilanen mit organischen Verbindungen, dadurch gekennzeichnet, daß man den Chlorsilanen als organische Verbindungen ein- und/oder mehrkernige Heterocyclen mit Stickstoff im Ring in Mengen von 0,01 - 5,0 Molji, vorzugsweise 0,02 - 2,0 Mo 1$, bezogen auf die Menge Chlorsilan, zusetzt, wobei man als Heterocyclen solche verwendet, die zusätzlich ein Schwefelatom im Ring, und/oder ein unmittelbar mit dem Ring verbundenes Schwefelatom besitzen, und anschließend das resultierende Gemisch in bekannter Weise durch Destillation trennt.PatentabteilungIroisdorf, den 27. Sept. 1968Dr.Kni/Ro109848/1562
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE19681792651 DE1792651A1 (de) | 1968-09-28 | 1968-09-28 | Verfahren zur Reinigung von Chlorsilanen |
| GB4392069A GB1241108A (en) | 1968-09-28 | 1969-09-04 | Method of purifying chlorosilanes |
| FR6932816A FR2019117A1 (de) | 1968-09-28 | 1969-09-25 | |
| NL6914639A NL6914639A (de) | 1968-09-28 | 1969-09-26 | |
| BE739442D BE739442A (de) | 1968-09-28 | 1969-09-26 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE19681792651 DE1792651A1 (de) | 1968-09-28 | 1968-09-28 | Verfahren zur Reinigung von Chlorsilanen |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| DE1792651A1 true DE1792651A1 (de) | 1971-11-25 |
Family
ID=5707494
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| DE19681792651 Pending DE1792651A1 (de) | 1968-09-28 | 1968-09-28 | Verfahren zur Reinigung von Chlorsilanen |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| BE (1) | BE739442A (de) |
| DE (1) | DE1792651A1 (de) |
| FR (1) | FR2019117A1 (de) |
| GB (1) | GB1241108A (de) |
| NL (1) | NL6914639A (de) |
Families Citing this family (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| ITRM20040570A1 (it) * | 2004-11-19 | 2005-02-19 | Memc Electronic Materials | Procedimento e impianto di purificazione di triclorosilano e di tetracloruro di silicio. |
| DE102008004396A1 (de) * | 2008-01-14 | 2009-07-16 | Evonik Degussa Gmbh | Anlage und Verfahren zur Verminderung des Gehaltes von Elementen, wie Bor, in Halogensilanen |
| DE102008004397A1 (de) * | 2008-01-14 | 2009-07-16 | Evonik Degussa Gmbh | Verfahren zur Verminderung des Gehaltes von Elementen, wie Bor, in Halogensilanen sowie Anlage zur Durchführung des Verfahrens |
| DE102008042936A1 (de) * | 2008-10-17 | 2010-04-22 | Wacker Chemie Ag | Verfahren zur Entfernung von Titan aus Hexachlordisilan |
| US10011493B2 (en) | 2012-04-27 | 2018-07-03 | Corner Star Limited | Methods for purifying halosilane-containing streams |
| CN105271246B (zh) * | 2015-04-30 | 2017-12-22 | 宁夏胜蓝化工环保科技有限公司 | 一种利用多晶硅副产物制备氯代乙硅烷的方法 |
| CN106744685B (zh) * | 2016-11-21 | 2018-10-23 | 亚洲硅业（青海）有限公司 | 电子级多晶硅生产中循环氢气的深度净化方法 |
-
1968
- 1968-09-28 DE DE19681792651 patent/DE1792651A1/de active Pending
-
1969
- 1969-09-04 GB GB4392069A patent/GB1241108A/en not_active Expired
- 1969-09-25 FR FR6932816A patent/FR2019117A1/fr not_active Withdrawn
- 1969-09-26 NL NL6914639A patent/NL6914639A/xx unknown
- 1969-09-26 BE BE739442D patent/BE739442A/xx unknown
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| GB1241108A (en) | 1971-07-28 |
| FR2019117A1 (de) | 1970-06-26 |
| NL6914639A (de) | 1970-04-01 |
| BE739442A (de) | 1970-03-02 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| DE3545465C2 (de) | Verfahren zur Abtrennung von HCN aus einem Gasstrom | |
| DE102013209802A1 (de) | Verfahren zur gekoppelten Herstellung von Trisilylamin und Polysilazanen mit einer Molmasse bis 500 g/mol | |
| DE2610982C3 (de) | Verfahren zum Reinigen von Druckgasen aus der Spaltung schwermetallhaltiger Brennstoffe | |
| DE2753124C2 (de) | ||
| DE1792651A1 (de) | Verfahren zur Reinigung von Chlorsilanen | |
| DE3411731C2 (de) | ||
| DE126492C (de) | ||
| DE2447707B2 (de) | Verfahren zur Herstellung von N-Triorganosilylcarbamidsäureestern | |
| DE2828604C2 (de) | Verfahren zur Reduktion von Phosphinoxiden | |
| DE2253594C2 (de) | Verfahren zur Trennung eines Gemischs aus tertiären N-peralkylierten Polyalkylenpolyaminen | |
| DE1251762B (de) | Verfahren zur Dismutation von Chlorhydrogen silanen | |
| EP0054650B1 (de) | Verfahren zum Reinigen von Chlorsilanen | |
| EP2077989A1 (de) | Verfahren zur herstellung von 2,2'-aminoethoxyethanol in elektro-qualität | |
| DE2550187C3 (de) | Verfahren zur Herstellung von Dichlorsilan durch Disproportionierung von Trichlorsilan in Gegenwart von N-substituiertem Pyrrolidon | |
| DE1767667C3 (de) | Verfahren zur Reinigung von Chlorsilanen | |
| DE2537354C3 (de) | Verfahren zur Herstellung von kristallinem Kaliumtantalfluorid | |
| DE2550076A1 (de) | Dismutation von trichlorsilan in gegenwart von tetraalkylharnstoff | |
| DE1767667B2 (de) | Verfahren zur reinigung von chlorsilanen | |
| DE2305021A1 (de) | Verfahren zur isolation von alkylvinylaether | |
| DE3717379A1 (de) | Funktionelle dihydrogen 1,3 disilazane | |
| DE3421507A1 (de) | Verfahren zum entfernen von schwefelverbindungen aus gasgemischen | |
| DE3425716C2 (de) | Verfahren zur Reduktion von oxidischen Rohstoffen | |
| EP0333047A3 (de) | Verfahren zur Gewinnung von Guanidinhydrohalogeniden aus den bei der Herstellung von Mercaptoalkylsilanen anfallenden Nebenproduktgemischen | |
| DE1233378B (de) | ||
| AT405738B (de) | Verfahren zur reinigung von phosphoroxychlorid |