DE3242229A1 - Verfahren zur verbesserung der antistatischen kenndaten von kunststoff-formteilen - Google Patents
Verfahren zur verbesserung der antistatischen kenndaten von kunststoff-formteilenInfo
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Description
HBR &·PAITPN-ER
1 »ATliNTANWÄI /ΓΚ
AGE-7
1) Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.
6-1, Otemachi 2-chome, Chiyoda-ku, Tokyo (Japan)
2) Agency of Industrial Science and Technology
3-1, Kdsumigaseki 1-chome, Chiyoda-ku, Tokyo ( Japan)
Verfahren zur Verbesserung der antistatischen Kenndaten
von Kunststoff-Formteilen
Beschreibung
Die Erfindung betrifft ein Verfahren der im Oberbegriff des Patentanspruchs 1 genannten Art.
Speziell betrifft die Erfindung ein Verfahren zur Verbesserung
des antistatischen Verhaltens bzw. der antistatischen
Kenndaten von Formstoffen aus Kunststoff, insbesondere zur Verminderung des spezifischen elektrischen Oberflächenwiderstandes
und der Tendenz zur Akkumulation elektrostatischer Ladung auf der Oberfläche solcher Formstoffe
aus Kunststoffen. Dieses Verfahren bedient sich dabei der
Behandlung der Formstoffe in einem kalten Plasma.
BtRGST HASSE 481Ii ■ D-8O36 MÜNCHEN-GAUTINCä
TtUtHHONi (OBÖ) BÖ02O30 · TELtX: 621777 lüurü
BAD ORIGINAL
Formstoffe aus Kunststoff werden nicht nur verbreitet zu allen möglichen Zwecken im täglichen Leben eingesetzt und
benutzt, sondern durchaus auch zu zahlreichen SpezLaianwendungen,
da sie zu ungewöhnlich niedrigen Kosten mit meist hoher Produktivität hergestellt werden können. Zudem weisen
Formstoffe aus Kunststoffen eine Reihe nützlicher und guter Kenndaten auf und sind beispielsweise gute elektrische
Isolatoren. Gerade diese durchaus nützliche Eigenschaft der guten elektrischen Isolation, speziell des hohen spezifischen
elektrischen Oberflächenwiderstandes solcher Kunststoff-Formstoffe, führt auch zu einer Reihe schwieriger
Probleme, die durch die Ansammlung statischer Elektrizität auf der Formstoffoberfläche in Verbindung mit einem
relativ kleinen elektrischen Verlust verursacht werden. So führt diese Erscheinung beispielsweise durch Ablagerungen
von Staub und Schmutz auf den Oberflächen von Kunststoff-Formkörpern rasch zum Verlust der ursprünglich ästhetisch
anspruchsvollen Erscheinung solcher Oberflächen. Außerdem kann die elektrostatische Aufladung von Kunststoff-Formstoffen
bei Berührung zu Überschlägen auf den menschlichen Körper führen, die mitunter als recht unangenehm empfunden
werden können. Zudem können Funkenüberschläge zwischen solchen geladenen Oberflächen mitunter zu ernsten Störungen und
Problemen führen, beispielsweise zur Rauscherzeugung in elektronischen Schaltkreisen.
Die Entwicklung von bequemen und wirksamen Verfahren zur Verbesserung des antistatischen Verhaltens bzw. zur Unterdrückung
der elektrostatischen Aufladung von Oberflächen von Formstoffen aus Kunststoff ist daher eine bedeutende
technische Herausforderung. Dementsprechend sind aus dem Stand der Technik verschiedene Versuche in dieser Richtung
bekannt. So ist beispielsweise bekannt,, in Kunststoff-Formmassen
ausreichende Mengen eines elektrisch leitfähigen feinzerteilten Materials wie beispielsweise Metallpulver
BAD ORIGINAL
oder Ruß einzuarbeiten, bevor die Formmasse zum Formstoff ausgeformt wird. Alternativ kann der spezifische elektrische
Oberflächenwiderstand von Kunststoff-Formstoffen da*
durch vermindert werden, daß auf seiner Oberfläche ein sehr dünner elektrisch leitender Metallfilm,
erzeugt wird. Solche Metallfilme können beispielsweise durch Kaihodenzerstäubung oder durch Aufdampfen hergestellt
werden. Auch kann die elektrostatische Aufladung der Oberfläche von Kunststoff-Formstoffen dadurch unterdrückt werden,
daß die Oberfläche stärker hydrophilisiert wird. Dies kann durch oberflächenaktive Mittel bewirkt werden, beispielsweise
durch Antistatika,■die entweder vor dem Ausformen
des Formstoffs der Formmasse zugesetzt und in dieser■
eingearbeitet werden, oder die in Form von Beschichtungen auf die Oberflächen des Formstoffs aufgetragen werden. Zur
Unterdrückung der Bildung und Ansammlung elektrostatischer
Ladungen auf den Oberflächen von Kunststoff-Formstoffen
ist alternativ weiterhin bekannt, an diesen Oberflächen hydrophile Gruppen oder Strukturen einzubringen oder aufzuprägen.
Dies kann durch chemische Behandlung und Veränderung der Oberfläche erfolgen, beispielsweise durch Ätzen in Säuren,
durch Flammbehandlung oder durch eine Oberflächenpfropfung durch Einwirken aktivierender Strahlen wie beispielsweise
Elektronenstrahlen, UV-Licht oder ionisierender Strahlen.
All diese bekannten Verfahren weisen sicherlich bis zu
einem gewissen Grad den angestrebten Erfolg auf, jedoch ist keines der bekannten Verfahren wirklich vollkommen zufriedenstellend.
So weisen die bekannten Verfahren beispielsweise einen zu geringen Wirkungsgrad hinsichtlich der Verbesserung
der antistatischen Kenndaten auf, beeinflussen andere Kenndaten der Formstoffe ungünstig, oder sind mit hohen Behandlungskosten
verbunden oder sind schließlich nur zur Behandlung von Formstoffen mit kleinen Abmessungen oder in kleinen
Stückzahlen geeignet.
'■' BAD ORIGINAL
Der Erfindung liegt daher die Aufgabe zugrunde, ein bequem
und wirksam durchführbares Verfahren zur Verbesserung des antistatischen Verhaltens von Kunststoff-Formstoffen zu
schaffen, das die vorstehend dargelegten Nachteile der bekannten Verfahren nicht zeigt und eine dauerhafte Verbesserung
der antistatischen Kenndaten von Kunststoff-Formstoffen
herbeiführt, ohne dabei die übrigen Kenndaten dieser Formstoffe insgesamt ungünstig zu beeinflussen. Speziell sollen
diese Erfolge für ein Verfahren erzielt werden, nach dem die Oberfläche des Formstoffs aus Kunststoff im kalten Plasma
behandelt wird.
Die Erfindung löst diese Aufgabe durch ein Verfahren der eingangs genannten Art, das die im kennzeichnenden Teil des
Patentanspruchs T genannten Merkmale aufweist.
Das Verfahren zur Verbesserung des antistatischen Verhaltens von Formstoffen aus Kunststoff besteht also darin, daß
(a) zumindest im Oberflächenbereich eines Kunststoff-Formstoffes
eine vernetzte Schicht gebildet wird, und daß dann
(b) die Oberfläche des mit der vernetzten Schicht versehenen Formstoffes der Einwirkung eines kalten Plasmas ausgesetzt
wird, das in einer Atmosphäre erzeugt wird, die eine gasförmige Siliciumverbindung der Formel
R Π, ΰΐΛ. , / -r \
a b 4-a-b (I)
enthält, in der R ein substituierter oder unsubstltuierter einwertiger Kohlenwasserstoff rest,. X ein Halogenatom
oder eine Alkoxygruppe, a eine ganze Zahl mit dem Wert 0, 1, 2 oder 3 und b eine ganze Zahl mit dem Wert
0 oder 1 sind, und zwar mit der Maßgabe, daß a + b nicht
BAD ORIGINAL
qrößer als 3 ist, oder daß das Plasma in einer Atmosphäre
erzeugt wird, die eine gasförmige Siliciumverbindung enthält, die ein Hydrolysekondensationsprodukt der Verbindung
der Formel (I) ist, wobei der Formstoff der Einwirkung des kalten Plasmas in einem solchen Ausmaß ausgesetzt
wird, daß auf der vernetzten Oberflächenschicht aufgeschichtet ein plasmapolymerxsierter Oberflächenfilm
aus der Siliciumverbindung gebildet wird, der eine Stärke von mindestens 5 nm hat.
Das Verfahren gemäß der Erfindung kann sowohl für thermoplastische
als auch für warmvernetzte Kunststoffe eingesetzt werden. Im folgenden sind Beispiele für Kunststoffe genannt, auf die
das Verfahren gemäß der Erfindung angewendet werden kann: Polyethylene, Polypropylene, Polystyrole, gesättigte und ungesättigte
Polyester , Celluloseacetat,.Polysulfone, Polycarbonate,
Polyurethan. Polyimide, Polyamide, insbesondere also die verschiedenen Arten von Nylon, Polyamidoimide, Polyvinylalkohole,
Acrylharze, Polyacetale, Polyvinylchloride, Copolymere aus Styrol und Acrylnitril, Copolymere aus Styrol, Acrylnitril und
Butadien, Copolymere aus Ethylen und Vinylacetat, Copolymere aus Vinylidenchlorid und Vinylchlorid, Harnstoff-Formaldehyd-Harze,
Melamin-Formaldehyd-Harze, Phenol-Formaldehyd-Harze,
Siliconharze, Polyphenylenoxide, Poly-p-xylole, Epoxid-Harze,
und Diallylphthalat-Harze. Durch diese Aufzählung soll jedoch
die Anwendbarkeit des Verfahrens gemäß der Erfindung nicht eingeschränkt werden. Vielmehr soll die vorstehende Aufzählung
nur eine Reihe bevorzugter Beispiele für Kunststoffe wiedergeben, für die das Verfahren besonders erfolgreich anwendbar
ist. Desgleichen ist das Verfahren für Blockcopolymere und Pfropfcopolymere sowie für Polymerengemische auf der Basis
der vorstehend genannten Polymeren mit besonderem Erfolg anwendbar.
Selbstverständlich braucht der Formstoff nicht notwendigerweise
nur aus einem oder mehreren der vorstehend genannten Kunststoffe
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allein hergestellt zu sein, sondern kann gegebenenfalls auch mit den verschiedensten anderen gebräuchlichen Additiven und
Verarbeitungshilfen versetzt sein wie beispielsweise mit Weichmachern, Stabilisatoren, Gleitmitteln, Füllstoffen,
Streckmitteln, Pigmenten, Farbstoffen, Mitteln zur Verbesserung der Wärmebeständigkeit, Flammhemmern, Antioxidantien, Lientabsorbtionsmitteln,
oberflächenaktiven Mitteln, Vernetzungshilfsmitteln, Mitteln zur Unterdrückung der Trübung der
Kunststoffe, Trocknungsmitteln oder Mitteln zur Verbesserung der Elastizität der Formstoffe„
Auch ist das Formgebungsverfahren, mit dem die Formstoffe hergestellt werden, im Rahmen der Erfindung nicht kritisch»
So können die Formstoffe beispielsweise durch Gießen, Extrudieren, Spritzgießen, Kalandern, Formpressen oder andere an sich
bekannte Verfahren zum Formen von Kunststoffen hergestellt werden. Auch die geometrische Gestalt des Formstoffs selbst
ist prinzipiell nicht kritisch, solange die zu behandelnden Oberflächen des Formstoffs der Einwirkung des kalten Plasmas
gleichmäßig ausgesetzt werden können. Auch können die Oberflächen der zu behandelnden Formstoffe gegebenenfalls geräuchlichen
Vorbehandlungen unterzogen werden, so beispielsweise einer Wärmebehandlung, einem Recken, einem Ziehen, einem
Kräuseln, einer zusätzlichen Vernetzung, einem Sandstrahlen, können einer Glimmentladung ausgesetzt werden, können mit
Lösunsmitteln behandelt oder ionisierenden Strahlen ausgesetzt werden oder anderen Einwirkungen als Vorbehandlung unterzogen
werden, solange solche Vorbehandlungen die durch das Verfahren der Erfindung angestrebte Wirkung nicht ernstlich beeinflussen,
Ob und wann eine solche ungünstige Beeinflussung durch die Vorbehandlung
eintritt, kann der Fachmann anhand von Vorversuchen ohne weiteres ermitteln.
Der erste Schritt zur Durchführung des Verfahrens gemäß der
Erfindung ist die Bildung einer vernetzten Schicht zumindest im Oberflächenbereich des Formstoffs durch entsprechende
geeignete Mittel zur Oberflächenbehandlung. Zu diesem Zweck
können verschiedene an sich bekannte Verfahren eingesetzt werden, beispielsweise und vorzugsweise die Bestrahlung mit
aktivierenden Strahlen, insbesondere mit UV-Licht, Elektronenstrahlen, ionisierenden Strahlen wie insbesondere Gamma-Strahlen,
eine Behandlung im kalten Plasma, das durch eine Glimmentladung oder Koronaentladung erzeugt wird, eine Bestrahlung
mit Licht, nachdem die Formstoffe zuvor mit einem Photosensibilisator imprägniert worden sind, durch Einleiten einer Vernetzungsreaktion
zwischen den Polymermolekülen und einem im Kunststoff enthaltenen Vernetzungsmittel, das entweder vor dem
Ausformen des Formstoffs in die Formmasse eingearbeitet worden ist,oder durch Tauchen des Formstoffs aufgebracht worden ist,
durch Einleiten einer Vernetzung zwischen den Polymermolekülen des Kunststoffs selbst, wobei dieser solche Polymermoleküle
enthält, die eine noch vernetzbare Struktur aufweisen oder in der Molekülgrundstruktur gebunden vernetzbare funktionelle
Gruppen tragen, oder durch Vernetzen unter Erwärmen oder in anderer Weise. Vorzugsweise ist diese auf eine solche
Weise hergestellte vernetzte Oberflächenschicht mindestens ungefähr 2nm dick.
In der zweiten Stufe des Verfahrens gemäß der Erfindung wird
die so mit einer vernetzten Oberflächenschicht versehene Oberfläche
des Formstoffs der Atmosphäre eines kalten Plasmas ausgesetzt, die bestimmte gasförmige Bestandteile enthält, um
aufgeschichtet auf die Oberflächenvernetzungsschicht einen plasmapolymerisierten Oberflächenfilm aus den spezifischen
Gasbestandteilen zu bilden. Dieser spezielle und wesentliche gasförmige Bestandteil der Plasmaatmosphäre ist die Siliciumverbindung
der vorstehend angegebenen allgemeinen chemischen Formel (I) oder deren Hydrolysekondensationsprodukt. In der
Formel (!) ist der Rest R ein einwertiger Kohlenwasserstoffrest,
vorzugsweise ein Alkylrest, insbesondere Methyl, Ethyl, Propyl oder Butyl, ein Alkenylrest, insbesondere Vinyl oder
Allyl, ein Alkinylrest, insbesondere Ethinyl, Propinyl oder
.BAD ORIGINAt
kill.
Butinyl, und ein Arylrest, insbesondere Phenyl oder Naphthyl ,
oder ein substituierter einwertiger Kohlenwasserstoffrest,
der durch partielle oder vollständige Substitution der Wasserstoffatome der vorstehend genannten Kohlenwasserstoffreste
mit anderen Atomen erhalten wird, insbesondere durch Substitution mit Halogen oder Subsituentengruppen wie insbesondere
Cyanogruppen. Der Rest X in der allgemeinen chemischen Formel
(I) bedeutet ein Halogenatom, vorzugsweise Chlor oder Brom, oder eine Alkoxygruppe, vorzugsweise Methoxy, Ethoxy, Propoxy
oder Butoxy. Der Parameter a ist eine ganze Zahl mit dem Wert zwischen 0 und 3 einschließlich während der Parameter b eine
ganze Zahl mit dem Wert 0 oder 1 ist, und zwar mit der Maßgabe, daß die Summe a + b nicht größer als 3 ist. Dies heißt mit
anderen Worten, daß in den Molekülen der Siliciumverbindung zumindest eines der durch das Symbol X gekennzeichneten Atome
oder zumindest eine der durch das Symbol X gekennzeichneten
Substituentengruppen direkt an ein Siliciumatom des Moleküls gebunden ist.
Die allgemeine chemische Formel (I) schließt eine Vielfalt einzelner spezieller Substanzen ein, und zwar je nach den
Kombinationen der Reste R und X sowie der Parameter a und b. Als bevorzugte Beispiele für Siliciumverbindungen vom Typ der
Formel RHSiX2 sei Methyldichlorsilan hervorgehoben. Bevorzugte
Substanzen, die der Formel R2HSiX entsprechen, sind
Dirnethylchlorsilan und Dimethylmetoxysilan. Vom Typ des SiIans
R3SiX werden vorzugsweise folgende Substanzen eingesetzt:
Trimethylchlorsilan, Trimethylmethoxysilan, Trimethylethoxysilan, Vinyldimethylchlorsilan, Vinyldimethylmethoxysilan,
Vinyldimethylethoxysilan, Ethinyldimethoxysilan, Ethinyldimethylchlorsilan,
Triethylmethoxysilan, Dimethylchlormethylmethoxysilan, Dimethylchlormethylchlorsilan, Dimethylphenylmethoxysilan,
2-Chlorethyldimethylchlrosilan, 2-Chlorehtyldimethylmethoxysilan
und andere«, Vom Typ der Silane der Formel R2SiX2 werden vorzugsweise folgende eingesetzt: Methylchlormethylmethoxychlorsilan,
Dimethyldj chlorsilan, Dirnethyldimethoxysilan,
Diethyldimefchoxysilan, Dimethyldiethoxysilan,
BADORiGiNAl.
Vinylmethyldichlorsilan, Vinylmethyldimethoxysilan, 2-Chlorethylmethyldichlorsilan,
Vinylmethyldiethoxysilan, Methylchlormethyldichlorsilan,
Methylphenyldimethoxysilan und Methylchlormethyldimethoxysilan. Als Silane vom Typ der Formel
RSiX3 werden vorzugsweise die folgenden verwendet: Methyltrimethoxysilan,
Methyltrietiioxysilan, Vinyltrichlorsilan, Vinyltriethoxysilan,
Vinyltriethoxysilan, Phenyltrimethoxysilan, Chlormethylhrimethoxysilan, 2-Chlorethyltrimethoxysilan und
3-Chlorpropyltrimethoxysilan. Als Silane der Formel SiX. werden
schließlich vorzugsweise Siliciumtetrachlorid, Orthomethylsilicat und Orthoethylsilicat eingesetzt. Dabei ist in der gesamten
vorstehend wiedergegebenen Aufstellung vorzugsweise eingesetzter Substanzen das durch X symbolisierte Halogenatom stets als
Chloratom angegeben worden. Dies soll jedoch nicht insbesondere jene Silane ausschließen, die in gleicher Weise substituiert
sind/ als Halogen jedoch Brom—oder Jodatome statt der Chloratome tragen.
In der vorstehenden Liste der speziell genannten Siliciumverbindungen
sind die Reste R stets unsubstituierte oder halogensubstituierte einwertige Kohlenwasserstoffreste. Zusätzlich
zu diesem Substituententyp können im Rahmen der Erfindung mit Erfolg insbesondere solche Organosilane eingesetzt werden, die
mindestens einen einwertigen Kohlenwasserstoffrest oder Alköxyrest
tragen, die mit einer reaktiven oder funktionellen Gruppe
substituiert sind. Solche Organosilane sind insbesondere als Silankuppler im Bereich der Kunststoff- und Gummiverarbeitung
bekannt. Aus dieser Gruppe von Siliciumverbindungen werden im Rahmen der Erfindung vorzugsweise die folgenden eingesetzt:
Vinyl-tris-(2-methoxyethoxy)-silan, 3-Glycidyloxypropyltrimethoxysilan,
3-Methacryloxypropyltrimethoxysilan, N-(2-Aminoethyl)-3-aminopropyltrimethoxysilan,
N-(2-Aminoethyl)-3-aminopropylmethyIdimethoxysilan,
3-Mercaptopropyltrimethoxysilan
und 3-Am.inopropyltriethoxysilan.
BAD ORIGINAL
χ -
/3
Wie bereits oben betont, sind die vorstehend speziell genannten
Siliciumverbindungen vorzugsweise eingesetzte Substanzen, ohne daß eine solche Nennung jedoch bedeuten soll, daß nicht
auch andere Siliciumverbindungen, solange diese unter die Formel (I) fallen, als erfindungswesentlicher Bestandteil der
Plasmaatmosphäre dienen können. Insbesondere können auch die Hydrolysekondensationsprodukte der unter die Formel (I) fallenden
Siliciumverbindungen, insbesondere der speziell genannten, eingesetzt werden, wobei solche Hydrolysekondensationsprodukte
soxtfohl durch partielle als auch durch vollständige Hydrolyse
der Silane mit anschließender partieller oder vollständiger Kondensationsreaktion gebildet werden können„ Die Kondensation
tritt dabei zwischen den silanolischen Hydroxylgruppen ein, die durch die Hydrolyse gebildet werden, so daß zwischen den
Molekülen der Hydrolyseprodukte mindestens eine Siloxanbindung entsteht. Als bevorzugte Beispiele solcher Siloxane seien die
folgenden genannt: Divinyltetramethyldisiloxan, Di-(chlormethyl)-tetramethyldisiloxan,
Diethinyltetramethyldisiloxan, 1,1,3,3-Tetramethyldisiloxan und entsprechend gebaute andere Disiloxane,
wobei auch höhere Kondensationsprodukte, insbesondere Trisiloxane, eingesetzt werden können, vorausgesetzt, daß der Dampfdruck
solcher Siloxane unter den gegebenen Plasmabedingungen ausreichend groß ist, um die Plasmaentladung in einer solchen Atmosphäre
aufrecht zu erhalten, wobei in der unten näher ausgeführten Weise zur zufriedenstellenden Aufrechterhaltung des
kalten Plasmas die Plasmaatmosphäre innerhalb eines bestimmten Druckbereiches gehalten werden muß.
Das Behandeln von Formstoffen in einem kalten Plasma ist an
sich aus dem Stand der Technik ausreichend bekannt. Nach Abschluß der Verfahrensstufe (a), das heißt der Vernetzungbehandlung,
wird der Kunststoff-Formstoff in eine Plasmakammer gebracht,
die mit Elektroden ausgerüstet ist, die ihrerseits an eine elektrische Leistungsquelle, vorzugsweise einen Hochfrequenzgenerator,
anschließbar sind. Nach dem Evakuieren der
- W-
Plasmakammer wird die Kammer mit dem Dampf oder Gas der
jeweiligen Siliciumverbindung in der Weise gefüllt, daß sich in der Kammer ein Druck im Bereich von ungefähr
0,001 bis 13,3 mbar einstellt. Nach Einstellung des erforderlichen
Drucks werden die Elektroden zur Erzeugung des kalten Plasmas in der Plasmakammer mit einer entsprechenden
elektrischen Leistung beaufschlagt. Durch die Zündung des Plasmas wird dabei die Oberfläche des Kunststoff-Formstoffs
der Einwirkung des kalten Plasmas ausgesetzt, während das Gas der Siliciumverbindung gleichzeitig
kontinuierlich in der Weise durch die Kammer strömt, daß der Druck in der Dampfphase oder Gasphase der Kammer stets
in dem vorstehend genannten Druckbereich geregelt und ge~
halten wird.
Je nach Bedarf kann das Gas oder kann der Dampf der Siliciumverbindung
mit anderen anorganischen oder organischen Gasen verdünnt werden, so insbesondere mit inerten Gasen wie beispielsweise
Helium oder Argon, mit Stickstoff, Sauerstoff, Luft, Wasserstoff, Kohlenmonoxid oder Kohlendioxid sowie
mit anderen organischen Gasen, die kein Silicium enthalten.
Wie vorstehend bereits angegeben, sollte der Druck in der Plasmakammer vorzugsweise im Bereich zwischen 0,001 bis
13,3 mbar gehalten werden. Wenn der Druck in der Plasmakammer außerhalb dieses Bereiches liegt, kann kein stabiles
kaltes Plasma mehr erzeugt werden, so daß die Plasmabehandlung im Rahmen des Verfahrens gemäß der Erfindung nicht mehr zu
zufriedenstellenden Ergebnissen führt. Vorzugsweise wird der Druck sogar im Bereich von 0,07 bis 1,33 mbar eingestellt.
Aus den im Stand der Technik vorliegenden Daten, die bei den bekannten Verfahren der Plasmabehandiung oder Plasmapolymerisation
gewonnen wurden, war, selbst wenn die Behandlung im kalten Plasma extrem lange durchgeführt wurde, nicht bekannt
und ist überraschend, daß die Wirkung der Behandlung rasch
BAD ORIGINAL
Ib
abnimmt und der spezifische elektrische Oberflächenwiderstand
der Kunststoff-Formstoffe nach der Plasmabehandlung sogar
zunimmt, wenn der Druck in der Plasmaatmosphäre über 13,3 mbar ansteigt.
Die Bedingungen zur Erzeugung eines kalten Plasmas in einer Plasmakammer sind ausreichend gut bekannte so daß vorliegend
eine ins einzelne gehende Erläuterung nicht erforderlich ist. Zusammengefaßt sei lediglich daran erinnert, daß ein kaltes
Plasma erzeugt werden kann, wenn eine elektrische Leistung von mindestens einigen Watt bei vorzugsweise einer Frequenz
im Hochfrequenzbereich von einigen kHz bis einigen 100 MHz an die innerhalb oder außerhalb der Plasmakammer angeordneten
Elektroden angelegt wird, wobei der Druck in der Plasmakammer
in dem oben genannten Bereich gehalten wird. Die Plasmaentladung kann dabei als Glimmentladung oder als Koronaentladung auftreten,
und zwar unabhängig davon, welche ausreichenden Effekte hinsichtlich der Verbesserung der Oberflächeneigenschaften der
so behandelten Formstoffe erzielt wird. Die Dauer für die Einwirkung des kalten Plasmas, d.h. die Verweilzeit des Formstoffs
im kalten Plasma, kann je nach Abhängigkeit der verschiedenen Einflußfaktoren in weiten Grenzen schwanken. Dabei sind als
wesentliche Einflußfaktoren die Art des zu behandelnden Kunststoffs,
die aufgebrachte elektrische Leistung zur Plasmaerzeugung und die Sollstärke des durch die Plasmapolymerisation gebildeteten
Films auf der Oberfläche des Formstoffs zu nennen.
Wesentlich im Rahmen der Erfindung ist, daß der durch Plasmapolymerisation
der Siliciumverbindung auf der Oberfläche des Kunststoff-Formstoffs gebildete Film eine Stärke von mindestens
5 nm hat. Wenn die Filmdicke kleiner als 5 nm ist, zeigen die
auf solche Weise im Plasma behandelten Formstoffe ein nur unbefriedigendes
antistatisches Verhalten. Demgegenüber ist eine obere Grenze der Filmstärke nicht spezifisch kritisch, vorausgesetzt,
daß die übrigen Kenndaten des Formstoffs insgesamt
/6
nicht durch die ausgedehnte Plasmabehandlung ungünstig beeinflußt werden. Diese Grenze läßt sich in jedem einzelnen
Anwendungsfall vom Fachmann ohne weiteres ermitteln. Als
Richtwert kann dabei jedoch dienen, daß die Behandlung im kalten Plasma zumindest gefahrlos so lange ohne weiteres
durchgeführt werden kann, bis der durch die Plasmapolymerisation gebildete Oberflächenfilm eine Dicke von bis zu
1000 nm hat. Bis zu dieser Filmstärke kann für alle geprüften
Kunststoffe keine Beeinträchtigung der übrigen Kenndaten durch die Plasmabehandlung festgestellt werden. Allein aus
Gründen der Produktivität des Verfahrens sollte jedoch eine übermäßige Stärke des durch die Plasmapolymerisation hergestellten
Oberflächenfilms vermieden werden, da sich weder
der Wirkungsgrad noch die Wirkung des Verfahrens gemäß der Erfindung angemessen mit einer Zunahme der Filmstärke verbessern.
:
Bei der Behandlung des Formstoffs im kalten Plasma kann die
Plasmaatmosphäre selbstverständlich auch mehr als nur eine
Siliciumverbindung im Gasgemisch oder Dampfgemisch enthalten,
wodurch in einigen Fällen synergistische Effekte erhalten werden können. Auch kann es vorteilhaft sein, die Siliciumverbindung
mit mindestens einer weiteren gasförmigen oder dampfförmigen organischen Substanz und/oder mindestens einem der
oben genannten anorganischen Gase zu versetzen, um dadurch die Kenndaten der Oberflächen von Kunststoff-Formstoffen auch
in anderer Hinsicht als der angestrebten Verbesserung des antistatischen Verhaltens zu verbessern. Zusätzlich zu der ungewöhnlich
dauerhaften Verbesserung des antistatischen Verhaltens mit der einhergehenden Verminderung des spezifischen elektrischen
Oberflächenwiderstandes können die Oberflächen der Formstoff G mit einer verbesserten Benetzbarkeit, einer verbesserten
Tendenz zur adhäsiven Haftung, einer verbesserten Bedruckbarkeit, einer verbesserten Verschleißbeständigkeit, einem verbesserten
EnLformungsverhalten, einer verbesserten Wärmebeständigkeit,
einer verbesserten Wasserbeständigkeit und einer
BAD ORIGINAL
verbesserten Unterdrückung des Äusschwitzens und Ausblühens
von Formmassenadditiven ausgestattet werden.
Bei der Bildung des plasmapolymerisierten Oberflächenfilms
nach dem Verfahren gemäß der Erfindung in der vorstehend beschriebenen
Weise auf der Oberfläche der vernetzten Schicht eines Kunststoff-Formstoffs wird also die Stärke dieses plasmapolymerisierten Oberflächenfilms üblicherweise im Bereich von
5 bis 100 nm liegen, so daß also der optische Eindruck der Oberfläche des Formstoffs unverändert bleibt. Trotz des bei
optischer Begutachtung der Formstoffoberfläche unverändert
erscheinende Aussehens der Oberfläche können die Bildung der Oberflächenvernetzungsschicht und der plasmapolymerisierten
Oberflächenschicht selbstverständlich ohne !weiteres nachgewiesen
werden. So kann beispielsweise die in einem äußeren Oberflächenbereich des Formstoffs gebildete Vernetzungsschicht
durch die Bestimmung des in organischen Lösungsmitteln unlöslichen
Anteils der gelierten Fraktion, durch eine Bestimmung der Änderung des Wärmewiderstandes und der mechanischen Eigenschaften
wie bespielsweise der Zugfestigkeit oder der Schlagfestigkeit, durch Messung der Änderung des Molekulargewichts
des Kunststoffs durch Gelpermeationschromatographie oder durch Messen der Schmelzviskosität des Kunststoffs nach der
Behandlung sowie durch Prüfen der Abnahme der Kristallinität des Kunststoffs durch Röntgenbeugungsverfahren oder IR-Spektrophotometrie
ohne weiteres nachgewiesen werden. Die Bildung des durch Plasmapolymerisation hergestellten Oberflächenfilms
ist durch Röntgenphotoelektronenspektrometrie (ESCA) und IR-Reflexionsspektrophotometrie
nachweisbar, wobei die Ergebnisse solcher Untersuchungen zeigen, daß der Oberflächenfilm
Siliciumatome und Silicium-Kohlenstoff-Bindungen enthält.
Alternativ kann der in der beschriebenen Weise nach dem Verfahren gemäß der Erfindung behandelte Formstoff mit Osmiumsäure angefärbt werden und anschließend im Schnitt transmissionselektronenmikroskopisch
direkt betrachtet werden,, wobei der durch die Plasmapolymerisation gebildete Oberflächenfilm mit
Osmiumsäure anfärbbar ist, während die Vernetzungsschicht ungefärbt bleibt.
Die Erfindung ist im folgenden anhand von Ausführungsbeispielen
näher erläutert.
100 Gew.-teile Polyvinylchlorid, 2 Gew.-teile eines Barium und Zink enthaltenden Stabilisators, 5 Gew.-teile Triallylisocyanurat
als Vernetzungsmittel und 0,5 Gew.-teile Dicumylperoxid werden auf einer heizbaren Mischwalze 10 min bei
1600C zu einer Formmasse vermischt und anschließend unter
Erwärmen auf 1650C durch Formpressen zu einer vernetzten
Polyvinylchloridfolie mit einer Stärke von 0,5 mm ausgeformt.
Die so hergestellte Folie ist im folgenden als "Folie A" bezeichnet.
Getrennt davon wird eine weitere 0,5 mm dicke PVC-Folie aus
einer Formmasse hergestellt, die aus 100 Gew.-teilen des gleichen Polyvinylchlorids, aus dem auch die Folie A hergestellt
wird, und 2 Gew.-teilen des Barium und Zink enthaltenden Stabilisators besteht. Die Formmasse und die Folie
werden unter den gleichen Bedingungen wie die Folie A hergestellt. Anschließend wird die so hergestellte Folie 10 min
der Einwirkung eines kalten Plasmas ausgesetzt, das in einer Plasmakammer erzeugt wird, die zunächst auf ein Vakuum von
ungefähr 10 mbar evakuiert und anschließend in der Weise mit Anilindampf in ständig strömendem Fluß gefüllt wird, daß
sich in der Kammer ein konstanter Druck von 0,4 mbar einstellt An den Elektroden liegt eine elektrische Hochfrequenz mit
einer Leistung von 200 W und einer Frequenz von 13,56 MHz. Die so hergestellte und behandelte Folie ist im folgenden
als "Folie B" bezeichnet.
Aus den so hergestellten und behandelten Folien A und B
werden Prüflinge geschnitten, die in Tetrahydrofuran getaucht und gelöst werden. Bestimmt wird die Gelfraktion,
die im Lösungsmittel unlöslich ist. Die Ergebnisse bestätigen die Bildung einer Vernetzungsschicht in der Folie B.
Anschließend werden die Folien A und B in eine Plasmakammer
gebracht und 1 min der Einwirkung eines kalten Plasmas ausgesetzt, das mit einer Leistung von 1 kW bei einer Hochfrequenz
von 13,56 MHz.an den Elektroden der Plasmakammer erzeugt wird. Zuvor wird die Kammer auf ein Vakuum von
10 mbar evakuiert und anschließend in der Weise mit atmosphärischer
Luft gefüllt, daß sich im Inneren der Plasmakammer
unter kontinuierlichem Luftstrom ein Druck von 0,13 mbar einstellt. Anschließend wird gleichzeitig ein kontinuierlicher
Strom von Chlormethyldichlorsilan mit der durch die Kammer strömenden Luft gemischt und durch die Kammer geleitet,
und zwar in der Weise, daß während der Plasmaentladung der Partialdruck der Luft auf 0,13 mbar und der Partialdruck
des Silans auf 1,6 mbar gehalten wird. Die auf diese Weise der Plasmapolymerisationsbehandlung unterworfenen
Kunststoff-Folien sind im folgenden als Folie A* und B* bezeichnet.
Die Folien A* und B* werden mit den Verfahren der Röntgenphotoelektronenspektrometrie
und der IR-Reflexionsspektrophotometrie untersucht. Die dabei erhaltenen Ergebnisse zeigen, daß
sich auf beiden Folien eine Plasmapolymerisationsschicht in einer Stärke von ungefähr 45 nm gebildet hat, wobei diese
Plasmapolymerisationsschicht Siliciumatome und Silicium-Kohlenstoff-Bindungen
aufweist.
Das antistatische Verhalten jeder der Folien A, B, Ä* und B*
wird durch die Messung des Abstandes, aus dem Zigarrettenasche angezogen wird, durch Messung des elektrischen
BAD ORIGINAL
Oberflächenwiderstandes und durch Messung der durch Reiben
induzierten elektrostatischen Spannung bestimmt. Die Meßverfahren sind weiter unten näher beschrieben. Die Ergebnisse
dieser Messungen sind nachstehend zusammengefaßt:
Aschetest (cm) |
Oberflächen widerstand (Ohm) |
elektrostat. Ladung (V) |
|
Folie A* | 3 | 1 χ 1012 | 1600 |
Folie A | 6 | 7 χ 1014 | 7600 |
Folie B* | 0 | 3 χ 108 | 200 ■ |
Folie B | 6 | 7 χ 1014 | 7600 |
Aschetest:
Bei diesem Prüfverfahren wird der Kunststoff-Folienprüfling
10 mal mit einem trockenen Baumwolltuch gerieben, um ihn so
durch die beim Reiben induzierte elektrostatische Elektrizität aufzuladen. Die so elektrostatisch aufgeladene Kunststofffolie
wird bei 250C und in einer Atmosphäre mit 60 % relativer
Feuchtigkeit einem Häufchen Zigarettenasche langsam genähert. Gemessen wird dabei der größte Abstand, aus dem die Zigarettenasche
von der aufgeladenen Kunststoff-Folie noch angezogen
wird. Die Meßergebnisse sind in cm angegeben.
Oberflächenwiderstand:
Die Messungen des elektrischen Oberflächenwiderstandes werden
in einer Atmosphäre von 60 % relativer Feuchtigkeit mit einem handelsüblichen Meßgerät durchgeführt.
l4 .
Elektrostatische Ladung:
Gemessen wird die Spannung, die durch die durch Reibung auf
die Kunststoffoberfläche aufgebrachte elektrostatische Ladung erzeugt wird. Dabei werden die Messungen auf einem
üblichen im Handel erhältlichen Gerät durchgeführt, bei dem der Prüfling gedreht wird, während gleichzeitig auf seiner
Oberfläche ein ortsfest gehaltenes Baumwolltuch aufliegt. Zum Zwecke der hier wiedergegebenen Messungen wird der Prüf-
-1 ling 60 s mit einer Drehzahl von 750 min gedreht, während
das auf der Oberfläche des Prüflings reibende Baumwolltuch mit einer Masse von 200 g belastet ist,
Aus einer Formmassen, die aus 100 Gew.-teilen eines Vlnylchloridkunststoffs
und 50 Gew.-teilen Dioctylphthalat besteht, wird eine 0,3 mm starke Kunststoff-Folie hergestellt. Die
Kunststoff-Folie wird 2 min in Luft unter einem verminderten Druck von 13,3 mbar mit UV-Licht belichtet. Das UV-Licht
wird mit einer Quecksilberniederdrucklampe mit einer Ausgangsleistung von 300 W erzeugt, die ein Linienspektrum mit Linien
bei 185 nm, 254 nm, 313nm und 365 nm emittiert. Die Quecksilberniederdrucklampe
ist in einem Abstand von 5 cm über der Folienoberfläche angeordnet.
Die auf diese Weise hergestellte und mit UV-Licht bestrahlte Kunststoff-Folie ist im folgenden als Folie C bezeichnet.
Die Folie C wird dann in eine Plasmakammer gelegt und 30 s
der Einwirkung einer kalten Plasmapolymerisation ausgesetzt, wobei die Elektroden der Plasmakammer mit einer hochfrequenten
elektrischen Leistung von 2 kW bei 13,56 MHz beaufschlagt werden, Die Plasmakammer wird zu diesem Zweck zunächst bis auf 10 mbar
evakuiert und anschließend unter Einstellung eines kontinuier-
lichen Luftstroms auf einen Druck von 0,07 mbar eingestellt.
Dem durch die Plasmakammer fließenden Luftstrom wird dann kontinuierlich Orthomethylsilicatdampf in einer solchen
Menge zugemischt, daß der Partialdampfdruck der Luft während
der Plasmaentladung 0,07 mbar und der Partialdampfdruck des
Orthomethylsilicatdampfes 0,8 mbar beträgt. Die auf diese
Weise nach der Plasmapolymerisationsbehandlung erhaltenen Kunststoff-Folie ist im folgenden als Folie C* bezeichnet.
Die Folie C* wird mit Osmiumsäure angefärbt. Ein Schnitt der Folie wird im Transmissionselektronenmikroskop untersucht.
Die Bilder lassen eine ungefärbte vernetzte Oberflächenschicht mit einer Stärke von ungefähr 100 nm im unmittelbaren Oberflächenbereich
der Folie erkennen, auf der eine gefärbte Schicht mit einer Stärke von ungefähr 85 nm liegt, wobei diese
gefärbte Schicht ein plasmapolymerisierter Oberflächenfilm
der Siliciumverbindung in der Plasmaatmosphäre ist.
Prüflinge der Folien C und C* werden in der im Beispiel 1
beschriebenen Weise einer Prüfung ihres antistatischen Verhaltens unterzogen. Dabei werden die nachstehend zusammengestellten
Ergebnisse erhalten:
C* | Aschetest (cm) |
Oberflachen widerstand (Ohm) |
elektrostat. Ladung (V) |
|
Folie | C | 0 | 6 χ 108 | 350 |
Folie | 5 | 4 χ 1013 | 4200 | |
Beispiel 3: | ||||
Ein im Handel erhältlicher und beschaffterNiederdruckpolyethylenfilm
mit einer Stärke von 0,3 mm, der im folgenden als
Folie D bezeichnet ist, wird mit einem Elektronenstrahl einer Energie von 2 MeV im Vakuum bestrahlt. Dadurch werden
die Polyethylenmoleküle im Oberflächenbereich der Folie vernetzt. Die auf diese Weise oberflächenvernetzte Kunststoff-Folie
ist im folgenden als Folie E bezeichnet.
Ein anderer Teil derselben Polyethylenfolie wird in eine
Plasmakammer gebracht und der Einwirkung eines kalten Plasmas ausgesetzt, das in dieser Kammer zum Zwecke der Oberflächenvernetzung
erzeugt wird. Zur Erzeugung des kalten Plasmas werden die Elektroden der Plasmakammer mit einer elektrischen
Hochfrequenzleistung von 100 W bei 13,56 MHz 3 min beaufschlagt.
■ -4 Die Kammer wird dabei zunächst auf 10 mbar evakuiert und
anschließend in der Weise mit kontinuierlich durchströmendem Helium gefüllt, daß in der Plasmakammer während der Plasmaentladung
konstant ein Druck von 0,67 mbar aufrechterhalten wird. Die auf diese Weise plasmabehandelte Polyethylenfolie
ist im folgenden als Folie F bezeichnet.
Die so behandleten Folien E und F werden in heißem Xylol gelöst.
Dabei fällt eine unlösliche gelierte Fraktion aus, die als Hinweis auf die Vernetzung der Kunststoffmoleküle angesehen wird.
Die in der vorstehend beschriebenen Weise erhaltenen Folien E und F werden anschließend in einer Plasmakammer der Einwirkung
einer kalten Plasmapolymerisation unterzogen. Zu diesem Zweck werden die Elektroden der Plasmakammer 20 s mit einer
elektrischen Hochfrequenzleistung von 10 kW bei 110 kHz be-
-3 aufschlagt. Dabei wird die Plasmakammer zunächst bis auf 10
mbar evakuiert und anschließend kontinuierlich durchströmend mit Divinyltetramethyldisiloxandampf in der Weise gefüllt, daß
der Druck in der Plasmakammer während der gesamten Plasmaentladung konstant auf 0,67 mbar eingestellt bleibt. Die auf
diese Weise der Plasmapolymerisationsbehandlung unterworfenen
Kunststoff-Folien sind im folgenden als Folie E* bzw.
Folie F* bezeichnet. Die Plasmapolymerisationsfilme haben
sowohl auf der Folie E* als auch auf der Folie F* eine Stärke von ungefähr 15 nra, wobei diese Schichtdickenbestimmung
in der gleichen Weise durchgeführt wird, wie das im Beispiel 2 beschrieben ist.
Jede der Folien D, E, F, E* und F* werden in der im Beispiel 1 beschriebenen Weise einer Prüfung ihres antistatischen Ver
haltens unterzogen. Dabei werden die nachstehend zusammengestellten Ergebnisse erhalten:
E* | Aschetest (cm) |
Oberflachen widerstand (Ohm) |
elektrostat. Ladung (V) |
|
Folie | E | 1 | 7 χ 109 | 700 |
Folie | F* | 7 | 8 χ 1015 | 9500 |
Folie | F | 1 | 1 χ 1010 | 600 |
Folie | D | 6 | 4 χ 1015 | 7700 |
Folie | 6 | 6 χ 1015 | 8600 | |
Beispiel 4. | ||||
Eine Kunststoff-Folie mit einer Stärke von 0,5 ram aus einem
Copolymer aus Vinylidenchlorid und Vinylchlorid im Verhältnis 85 : 15, die aus dem Handel bezogen wird und im folgenden als
Folie G bezeichnet ist, wird in eine Plasmakammer gelegt und
zum Zwecke der Oberflächenvernetzung 5 min der Einwirkung eines kalten Plasmas ausgesetzt. Zu diesem Zweck werden die Elektroden
der Plasmakammer mit einer elektrischen Hochfrequenzleistung von 500 W bei 110 kHz beaufschlagt. Die Plasmakammer wird
BAD ORIGINAL
zunächst auf 10 mbar evakuiert und dann in der Weise mit einem kontinuierlichen Strom eines Stickstoff/Argon-Gemisches
gefüllt, daß der Stickstoffpartialdruck in der
Plasxnakammer 0,27 mbar und der Argonpartialdruck in der Plasmakammer 0,13 mbar während der gesamten Dauer der
Plasmaentladung betragen. Die auf diese Weise im Plasma oberflächenvernetzte Kunststoff-Folie ist im folgenden
als Folie H bezeichnet.
Die Folie H wird mit Osmiumsäure angefärbt, geschnitten
und im Transmissionselektronenmikroskop untersucht. Auf diese Weise wird die Stärke der ungefärbten vernetzten
Oberflächenschicht zu ungefähr 200 nm bestimmt.
Die Folie H wird dann in der Plasmakammer 5 min einer
Plasmapolymerisationsbehandlung unterzogen. Die Elektroden der Plasmakammer werden dabei mit einer elektrischen Hochfrequenzleistung
von 200 W bei 13,56 MHz beaufschlagt. Dabei
wird die Plasmakammer zunächst auf ein Vakuum von 10 mbar evakuiert und anschließend durch kontinuierlich
durch die Kammer durchströmenden Vinyldimethylmethoxysilandampf in der Weise gefüllt, daß der Druck in der Plasmakammer
während der gesamten Plasmaentladung konstant 0,07 mbar beträgt. Die in dieser Weise der Plasmapolymerisationsbehandlung
unterworfene Kunststoff-Folie ist im folgenden
als Folie H* bezeichnet. Die Folie H* wird nach dem Anfärben mit Osmiumsäure in der gleichen Weise,wie im vorangehenden
Beispiel beschriebenem Transmissionselektronenmikroskop untersucht. Dabei wird für den angefärbten Oberflächenfilm
eine Schichtdicke von ungefähr 200 nm gemessen. Dieser Oberflächenfilm
liegt auf der oben erwähnten ungefärbten vernetzten Oberflächenschicht der Folie.
Das antistatische Verhalten der Folien G, H und H* wird in der im Beispiel 1 beschriebenen Weise untersucht. Die
BAD ORIGINAL
erhaltenen Ergebnisse sind in der folgenden Aufstellung zusammengestellt:
Aschetest Oberflächen- elektrostat. (cm) widerstand Ladung
(Ohm) (V)
Folie H* 0 6 χ 1O8 250
Folie H 8 9 χ 1014 9600
Folie G 8 9 χ 1014 9200
Eine im folgenden als Folie I bezeichnete im Handel erhältliche gereckte Polyethylenterephtalatfolie mit einer Dicke von ungefähr
0,3 mm wird mit einer Dosis von ungefähr 0,1 MGy mit Gammastrahlen einer Co-Quelle zur Vernetzung der Oberflächenschicht
des Kunststoffs bzw. der Folie bestrahlt. Die bestrahlte
Kunststoff-Folie wird in einem Lösungsmittelgemisch aus Phenol und Tetrachlorethylen gelöst, wobei eine beachtliche Länge
einer gelierten unlöslichen Fraktion als Niederschlag zurückbleibt. Diese Erscheinung wird als Hinweis auf die Ausbildung
von Vernetzungen gewertet. Die in dieser Weise erhaltene oberflächenvernetzte Polyethylenterephthalatfolie ist im folgenden
als Folie J bezeichnet.
Die Folie J wird in eine Plasmakammer gebracht und 2 min der kalten Plasmapolymerisationsbehandlung unterzogen. Dabei sind
die Elektroden der Plasmakammer mit einer elektrischen Hochfrequenzleistung
von 500 W bei 13,56 MHz beaufschlagt. Die
Plasmakammer wird zur Durchführung der Plasmapolymerisation im kalten Plasma zunächst bis auf ein Vakuum von 10 mbar
evakuiert und anschließend mit kontinuierlich durchströmendem Trimethylmethoxysilandampf in der Weise gefüllt, daß der
Druck in der Plasmakammer während der gesamten Brenndauer der
BAD ORlGiNAL
Plasmaentladung konstant 0,8 mbar beträgt. Die bei dieser
Plasmapolymerisationsbehandlung erhaltene Folie ist im folgenden als Folie J* bezeichnet.
Die Bildung des durch Plasmapolymeristion gebildeten Oberflächenfilms
auf der Folie J* wird durch Röntgenphotoelektronenspektrometrie und IR-Reflexionsspektrophotometrie nachgewiesen.
Die Ergebnisse der Spektraluntersuchungen zeigen, daß in diesem Oberflächenfilm Siliciumatome und Silicium-."
Kohlenstoff-Bindungen auftreten. Die Dicke der durch die
Plasmapolymerisation gebildeten Oberflächenfilmschicht beträgt ungefähr 20 nm. ·...._
Die Folien I, J und J* werden auf ihr antistatisches Verhalten
in der im Beispiel 1 beschriebenen Weise untersucht. Die erhaltenen Ergebnisse sind im folgenden zusammengestellt %
Aschetest Oberflächen- elektrostat, (cm) widerstand Ladung (Ohm) (V)
Folie J* 1 7 χ 109
Folie J 5 2 χ 1013 6000
Folie I 6 1 χ 1014 6500
Claims (6)
1) Shin-Etsu" Chemical Co., Ltd.
6-1, Otemachi 2-chome, Chiyoda-ku, Tokyo (Japan)
2) Agency of Industrial Science and Technology
3-1, Kasumigaseki 1-chome, Chiypda-ku, Tokyo ( Japan
Verfahren zur Verbesserung der antistatischen Kenndaten
von Kunststoff-Formteilen
Patentansprüche
1. Verfahren zur Verbesserung des antistatischen Verhaltens von Formstoffen aus Kunststoff,
gekennzeichnet durch
die folgenden Verfahrensstufen;
die folgenden Verfahrensstufen;
(a) Bilden einer vernetzten Schicht in zumindest einem
Oberflächenbereich oder oberflächennahen Bereich des
Formstoffs; und
(b) die so mit der vernetzten Schicht versehene Oberfläche
des Formstoffs der Einwirkung eines kalten Plasmas aussetzen, das in einer Atmosphäre erzeugt wird, die
eine gasförmige oder dampfförmige Siliciumverbindung
BERC5STRASSE 48'fl · D-B035 MÜIMCHEN-GAUTING
TELEPHON: (O8Ö) Θ5Ο303Ο . TELEX: 621777 laur d
BäO ORIGINAL
der allgemeinen chemischen Formel
R H, SiX. ,
a b 4-a-b t
a b 4-a-b t
in der R ein substituierter oder unsubstituierter einwertiger Kohlenwasserstoffrest, X ein Halogenatom
oder eine Alkoxygruppe, a eine ganze Zahl mit dem Wert 0, 1, 2 oder 3 und b eine ganze Zahl mit
dem Wert 0 oder 1 mit der Maßgabe bedeuten, daß die Summe a + b nicht größer als 3 ist, oder die ein
Hydrolysekondensationsprodukt der vorstehend genannten Siliciumverbindung enthält, und zwar in der Weise,
daß auf der Oberfläche des Formstoffs ein plasmapolymerisierter Oberflächenfilm der Siliciumverbindung
mit einer Stärke von mindestens 5 nm gebildet wird.
2. Verfahren nach Anspruch 1,
dadurch gekennzeichnet , daß die Oberflächenvernetzungsschicht eine Stärke von
mindestens 2 nm hat.
3. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet ,
daß der Rest R, wenn er einen unsubstituierten einwertigen Kohlenwasserstoffrest bezeichnet, Alkyl, Alkenyl,
Alkinyl oder Aryl bedeutet.
4. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 3,
dadurch gekennzeichnet , daß, wenn X ein Halogenatom bedeutet, ein Chloratom ist.
5. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet ,
daß, wenn der Rest X eine Alkoxygruppe bedeutet, dieser Rest Methoxy, Ethoxy oder Butoxy ist.
BAD ORIGINAL
6. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 oder 2, -dadurch gekennzeichnet,
daß das Hydrolysekondensationsprodukt der Siliciumverbindung der im Anspruch 1 genannten allgemeinen
chemischen Formel Divinyltetramethyldisiloxan, Di-(chlormethyl)-tetramethyldisiloxan,
Diethinyltetramethyldisiloxan oder 1,1,3,3-Tetramethyldisiloxan ist.
BAD ORiGJMAL
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